автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Системы считывания для многоэлементных ИК ФПУ третьего поколения

На правах рукописи

Ли Ирлам Игнатьевнч

Системы считывания для многоэлементных ИК ФПУ третьего поколения

Специальность 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах; Специальность 01.04.10 - физика полупроводников.

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук

Новосибирск-2010

уу,

602794

004602794

Работа выполнена в Учреждении Российской академии наук Институте физики полупроводников им. A.B. Ржанова Сибирского отделения РАН.

Научный консультант:

доктор физико-математических наук, с.н.с.

Курышев Георгий Леонидович

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор,

Войцеховский Александр Васильевич

доктор физико-математических наук, с.н.с.

Климов

Александр Эдуардович

доктор технических наук, профессор

Таубкин Игорь Исаакович

Ведущая организация: ФГУП "НГЖ "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", г. Санкт-Петербург

Защита диссертации состоится «15» июня 2010 года в «14» часов на заседании диссертационного совета Д212.173.03 при Новосибирском техническом университете по адресу: 630092, Новосибирск, пр.К.Маркса, 20.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Новосибирского государственного технического университета.

Автореферат разослан (Л^/^О/Ь^у}.010 года.

Учёный секретарь диссертационного совета

д.т.н., профессор

Любимский В.М.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность. Задачи по созданию фотоприемников, чувствительных к излучению в инфракрасном (ИК) диапазоне, с момента открытия Гершелем инфракрасного излучения в 1800 году решаются уже более двух столетий, и с тех пор объем исследований в этой области непрерывно возрастает. В 80-90 годы прошлого столетия были решены основные технологические и схемотехнические проблемы создания многоэлементных ИК фотоприемных устройств (ИК ФПУ) второго поколения, заключающиеся в реализации многоэлементных ИК фотоприемников с обнаружительной способностью, ограниченной флуктуациями фонового излучения (режим ОФ) и достижении пространственного и временного разрешения, сопоставимого с телевизионным стандартом [1]. Налажено производство линейчатых ИК ФПУ различных форматов до 1x1500, в том числе, с режимом временной задержки и накопления (ВЗН) форматов 288x4, 480x6, матричных ИК ФПУ вплоть до 2048x2048 элементов [1, 2]. Производство тепловизионных систем стало одним из самых динамичных секторов электронной промышленности. Прогресс в области многоэлементных ИК ФПУ позволил тепловизионным методикам, ранее применявшимся в основном в интересах оборонной техники, найти широкое применение в промышленности, медицине, научных исследованиях.

В настоящее время ведутся разработки ИК ФПУ следующего, третьего поколения. К числу приоритетных задач относится совершенствование мультиспектраль-ных ИК ФПУ. Регистрация объектов одновременно в нескольких спектральных диапазонах позволит существенно повысить вероятность обнаружения и идентификации объектов. Значительные усилия направлены на освоение технологий выращивания на кремниевой пластине с изготовленными устройствами считывания эпитакси-альных слоев узкозонных полупроводниковых материалов, многослойных структур с квантовыми ямами ОаАз/АЮаАз, 1пА$/Са1п5Ь, что позволит избежать дорогостоящей операции гибридной сборки и повысить надежность ИК ФПУ.

Многие исследователи подчеркивают, что функциональные возможности, мас-согабаритные характеристики, энергопотребление и стоимость тепловизионных систем третьего поколения главным образом будут определяться кремниевыми системами считывания. Сложность задач, налагаемых на кремниевые устройства, во многом обусловлены низкой контрастностью изображения в ИК диапазоне. Так в спектральном диапазоне 8-14 мкм контрастность изображения при комнатной температуре фона составляет всего -0.1% при разности температур сцены ~ 1 К. Неоднородность параметров многоэлементных ИК фотоприемников, передаточных характеристик многоканальных устройств считывания приводит к значительно большему, по сравнению с информационными компонентами разбросу сигналов. Повышаются, по сравнению с ФПУ видимого диапазона, требования к временной стабильности всех компонент ИК ФПУ. Поэтому необходима предварительная, предпроцессорная обработка фотосигналов (формирование ИК видеосигналов) и периодическая калибровка фотосигналов по эталонному источнику ИК излучения. Системы формирования ИК видеосигналов, калибровки, охлаждения фоточувствительного модуля ИК ФПУ до криогенных температур во многом определяют массогабаритные характеристики, потребляемую мощность и стоимость тепловизионных систем.

Выделим ряд нерешенных проблем многоэлементных ИК ФПУ.

1. Современные кремниевые устройства считывания обеспечивают не только считывание сигналов с многоэлементных ИК фотоприемников и их передачу на ограниченное количество внешних выходов, но и решают все более широкий круг задач. Уже сейчас становится стандартной структура устройств считывания с «командным» регистром, обеспечивающая возможность оперативно изменять режимы работы ИК ФПУ, такие как выбор произвольного окна - «оконный режим», изменение времени накопления, кадровой частоты. Для многоэлементных ИК ФПУ, также как и для любых развивающихся функциональных устройств, после достижения определенного уровня (второе поколение ИК ФПУ), основной задачей становится создание интегрированных функционально полных систем. Для ИК ФПУ понятие функционально полной системы включает формирование ИК видеосигналов и решение части задач по обработке сигналов, таких как распознавание образов и т. д. В тепло-визиониых системах третьего поколения эти задачи должны решаться кремниевыми устройствами (системами), интегрированными с устройствами считывания в фокальной плоскости ИК ФПУ. Разработка системных и схемотехнических решений обработки в режиме реального времени огромных массивов информации с многоэлементных ИК фотоприемников является самостоятельным научно - техническим направлением.

Попытки создать устройства начальной предпроцессорной обработки сигналов, интегрированных с устройствами считывания, начались практически одновременно с разработкой многоэлементных ИК ФПУ, однако решить эти проблемы не удалось и, до сих пор, формирование ИК видеосигналов и начальная обработка видеоизображений осуществляется во внешних устройствах вне фокальной плоскости ИК ФПУ.

2. В важнейшем для ИК ФПУ спектральном диапазоне 8-14 мкм преимущественно применяются устройства ввода с прямой инжекцией заряда (ПИ). Однако анализ этой системы до наших работ ограничивался качественными оценками, не позволяющих выявить основные факторы, лимитирующие параметры ИК ФПУ на их основе. Одной из немногих, нерешенных проблем матричных ИК ФПУ второго поколения является ограничения зарядовой емкости устройств считывания [4]. Зарядовая емкость существующих устройств считывания позволяет использовать всего несколько процентов от информационного сигнала и, поэтому, температурное разрешение тепловизионных систем (NETD) более чем на порядок величины хуже теоретического предела.

3. В 70-80 годах XX века интенсивно велись исследования МДП структур на узкозонных полупроводниковых материалах. Интерес к МДП структурам объяснялся стремлением разработать многоэлементные ИК ФПУ на приборах с зарядовой связью (ПЗС), приборах с инжекцией заряда (ПЗИ), аналогичные кремниевым многоэлементным ФПУ видимого диапазона [3]. Позднее, с освоением гибридной сборки на индиевых микростолбах, основные усилия были направлены на реализацию на основе ИК фотодиодов гибридных ИК ФПУ. В ИФП им. A.B. Ржанова СО РАН продолжались комплексные работы по исследованию InAs МДП структур и, на их основе удалось реализовать гибридные многоэлементные ИК ФПУ.

Еще в 80 годы проблемы связанные с разработкой кремниевых систем считывания оценены следующим образом: "Съем и параллельная обработка одновременно генерируемых фотодетекторами сигналов является главной трудностью реализации больших мозаик фотодатчиков" [5]. Эта оценка роли устройств считывания остается справедливой и в настоящее время [6] и подчеркивает актуальность решаемых в диссертационной работе задач.

Целью диссертационной работы является разработка структурных и схемотехнических решений построения устройств (систем) считывания, решающих ключевые проблемы развития многоэлементных ИК ФПУ третьего поколения.

Поставленная цель предусматривает решение следующих основных задач:

- разработка структурных и схемотехнических принципов построения многоканальных устройств (систем) интегрированных с устройствами считывания, позволяющих формировать ИК видеосигналы и обрабатывать видеоизображения в фокальной плоскости ФПУ;

- улучшение температурного разрешения тепловизионных систем в спектральном диапазоне 8-14 мкм. Для этого необходимо разработать математические модели и методики анализа основной для многоэлементных ИК ФПУ длинноволнового диапазона системы считывания: фотодиод - устройство считывания с прямой инжекци-ей заряда. Найти схемотехнические решения позволяющие увеличить зарядовую емкость устройств считывания не менее чем в 6-10 раз по сравнению с зарядовой емкостью существующих устройств считывания. Такие устройства считывания позволят полнее использовать падающую на фотоприемник и в длинноволновом диапазоне оптическую информацию и в корень квадратный из отношения зарядовых емкостей улучшить ЫЕГГО тепловизионных систем в спектральном диапазоне 8-14 мкм;

- разработка устройств считывания для многоэлементных гибридных ИК ФПУ на основе ПЗИ элементов, позволяющих создавать многоэлементные ИК ФПУ на основе 1пАз, 1пБЬ ПЗИ элементов. Реализация различных тепловизионных систем на основе ПЗИ элементов с предельной чувствительностью, близкой к режиму ограничения флуктуациями фонового излучения (на уровне лучших мировых аналогов).

Объекты и методы исследования. Основным объектом исследований являются кремниевые устройства считывания, многоэлементные ИК ФПУ. Математическое моделирование устройств считывания, многоэлементных ИК ФПУ, экспериментальные исследования фотоэлектрических параметров ИК ФПУ.

Научная новнзна работы:

1. Разработана математическая модель системы ИК фотодиод - ПИ, в которой расчет величины шумового заряда <3(1), интегрируемого устройством считывания с помощью функции Макдональда проводится в терминах спектральной плотности 5,(ся) [7]. При этом решается самосогласованная задача для тока фотодиода и тока, интегрируемого в устройстве считывания. Модель позволяет проводить полномасштабное численное моделирование системы, формулировать оптимальные требования к конструктивным и электрофизическим параметрам устройств считывания, ИК фотодиодам, необходимые для достижения проектных характеристик.

2. Предложены структурные и схемотехнические решения построения устройств (систем), обеспечивающих формирование ИК видеосигналов и частично

процессорную обработку сигналов в фокальной плоскости ИК ФПУ в аналоговой и цифровой форме:

- многоканальных устройств, обеспечивающих вычитание аддитивных неинформационных компонент сигналов, обусловленных неоднородностью фотоэлектрических параметров приемников, передаточных характеристик устройств считывания и повышение контрастности ИК изображения;

- адаптивных устройств предпроцессорной обработки сигналов, обеспечивающих не только вычитание аддитивных, неинформационных компонент сигналов, но и возможность устранения временного дрейфа этих параметров.

3. Предложены схемотехнические решения построения устройств считывания линейчатых и матричных типов для гибридных ИК ФПУ на основе ПЗИ элементов.

4. Развит метод для определения времени жизни неосновных носителей заряда из анализа временных зависимостей процесса состоящего из инжекции и обратного собирания носителей заряда в инверсионный слой МДП емкости.

Практическая значимость и реализация результатов. Работа выполнялась в соответствии с программой основных научных направлений ИФП СО РАН, пункт 9.1.2. «Исследования фотоэлектрических свойств гетероструктур на основе МЛЭ КРТ, квантово-размерных слоев на основе А3В5, легированных пленок PbSnTe и термоэлектрических свойств оксидов с целью разработки и создания многоэлементных ИК-фотоприемных устройств нового поколения». Основные результаты диссертационной работы получены за период с 1980 по 2009 годы при выполнении НИР, ОКР и изложены в более чем 20 научно-технических отчетах.

Системные и схемотехнические решения для устройств считывания, устройств предпроцессорной обработки фотосигналов, оптимизация топологии фотоприемных элементов и облика ИК ФПУ в целом позволили разработать, спроектировать и изготовить устройства считывания для многоэлементных ИК ФПУ различных форматов и реализовать ряд тепловизионных систем на их основе.

1. Устройство считывания с ПИ для двухмерных ИК ФПУ, отличительной особенностью которого является структура устройств считывания в виде фрагментов 2x2 элемента. Такая организация входных устройств обеспечивает зарядовую емкость ~ 2-5-108 электронов, что в 6-10 раз больше зарядовой емкости существующих устройств считывания. На его основе создан экспериментальный образец ИК ФПУ формата 128x128

2. Впервые реализовано многоэлементное ИК ФПУ с интегрированными с устройствами считывания устройствами предпроцессорной обработки сигналов обеспечивающие вычитание аддитивных неинформационных компонент фотосигналов. ИК ФПУ с InSb МДП фотоприемниками имеет обнаружительную способность близкую к режиму ОФ и создан динамический ИК спектрометр со временем регистрации спектров ~ 100 мкс.

3. Разработано устройство считывания для пеленгации импульсных сигналов. Реализовано ИК ФПУ формата 8x8 элементов и макет лазерного пеленгатора для регистрации времени поступления и координаты отраженных от объекта ИК сигналов.

4. Разработаны схемотехнические решения и созданы опытные образцы адаптивных многовходовых устройств предпроцессорной обработки сигналов в аналого-

вой и цифровой форме в интегральном исполнении с устройствами считывания. Данные устройства кроме вычитания неинформационных компонент сигналов являются фильтром высоких частот позволяющим регулировать в широких пределах полосу пропускания индивидуально для каждого фотоприемного канала, что позволяет решить проблему временного дрейфа параметров всех компонент ИК ФПУ.

5. Созданы устройства считывания с накоплением фотосигналов в ПЗИ элементе линейчатого формата 2x192, матричных форматов 128x128, 256x256 позволившие:

- реализовать гибридные ИК ФПУ на основе 1пАз ПЗИ элементов форматов 128x128,256x256 и линейчатых формата 2x192;

- наладить опытное производство тепловизионных различного назначения -тепловизора ТКВр-ИФП "СВИТ', ИК микроскопа, быстродействующего ИК спектрометра О] М5-384. Основные параметры этих приборов соответствуют или превышают мировой уровень.

В приложении приведены акты об использовании результатов работы, подтверждающие ее практическую значимость. Тепловизор ТКВр-ИФП "СВИТ" применяется в медицинских центрах, поликлиниках как в России, так и за рубежом. Такими системами на основе [пАв ПЗИ элементов (тепловизоры, динамические ИК спектрометры, ИК микроскопы) оснащены многие научные учреждения, в том числе ИТ СО РАН, ИЯФ СО РАН, ИТПМ СО РАН, Московский Государственный университет, ИК СО РАН и более 25 других организаций.

На защиту выносятся:

1. Схемотехнические решения, проекты и образцы устройств предпроцессорной обработки сигналов интегрированные с устройствами считывания, приборы на их основе:

- устройство предпроцессорной обработки фотосигналов формата 1x64 обеспечивающее подавление аддитивный неинформационных компонент сигналов. Это устройство позволило впервые реализовать быстродействующий ИК спектрометр на основе 1пБЬ ПЗИ элементами с временем дискредитации 100 мкс;

- адаптивные устройства предпроцессорной обработки, обеспечивающие формирование ИК видеосигналов в условиях временного изменения (дрейфа) фотоэлектрических параметров фотоприемников, устройств считывания;

- устройство считывания для гибридного модуля формата 8x8. Встроенный в устройство считывания КС фильтр с использованием емкости 1пАз ПЗИ фоточувствительного приемника обеспечил регистрацию координаты импульсных оптических сигналов с пороговой энергией ~ 8-10"'7 Дж/элемент и времени прихода с точностью не хуже 100 не .

2. Математическая модель, методики анализа системы фотодиод-устройство ввода с прямой инжекцией заряда дают возможность проводить численное моделирование многоэлементных ИК ФПУ, определить требования к конструктивным и фотоэлектрическим параметрам системы, необходимые для достижения проектных заданий. Проект и опытный образец устройств считывания с фрагментной организацией формата 2x2 элемента входных устройств с увеличенной зарядовой емкостью.

3. Схемотехнические решения, проекты и промышленные образцы устройств считывания с ПЗИ элементов для многоэлементных ИК ФПУ, в частности:

- устройства считывания для линейчатого гибридного модуля формата 2x192.

- устройства считывания для матричных гибридных модулей форматов 128x128, 256x256, ИК ФПУ различного назначения на их основе;

Все разработанные устройства, способы считывания основаны на оригинальных схемотехнических решениях и защищены 27 Авторскими свидетельствами СССР или патентами РФ.

Личный вклад автора. Автор диссертации был ответственным исполнителем научно - исследовательских и опытно-конструкторских работ в период 1979-1992 годы. В этот период были выполнены начальные работы по разработке устройств считывания с элементами предпроцессорной обработки фотосигналов. В период с 1992-2008 годы были разработаны устройства считывания для матричных и линейчатых многоэлементных ИК ФПУ на основе InAs ПЗИ элементов. Автор обосновал применение ПЗИ элементов в коротковолновом диапазоне до 3-3.5 мкм. Разработал топологии кристаллов фотоприемных элементов, принципиальные схемы, проекты кристаллов устройств считывания и конструкцию гибридных модулей для линейчатых ИК ФПУ форматов 2x192 элементов, гибридного модуля пеленгатора формата 8x8, матричных устройств считывания форматов 128x128, 256x256 элементов. Принимал участие в исследованиях ИК ФПУ на их основе.

Апробация работы. Результаты диссертационной работы докладывались: на конференции "Физические проблемы МДП-интегральной электроники" (Севастополь, 1982 г), на межведомственном совещании по проблеме цифровой обработки информации (Москва, НИИ прикладной физики, январь 1985 г.), на "XVII международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения", 27-31 мая 2002 г., Москва, на "XIX международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения", 23-26 мая 2006 г., Москва, на 9 международной конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V», 3-5 октября 2006 г, Томск, на "VIII российской конференции по физике полупроводников", Екатеринбург, 30 сентября -5 октября 2007 г, приглашенные доклады на "XX международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения", 27-30 мая 2008 г., Москва.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 49 работ, включая 18 авторских свидетельств СССР (17 в соавторстве), 9 патентов РФ (3 в соавторстве), 21 статье (16 в соавторстве), опубликованных в ведущих рецензируемых отечественных и международных журналах, в том числе 18 статей в рекомендованных ВАК РФ, в коллективной монографии.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Объем диссертации составляет 295 страниц, включая 143 рисунков, 8 таблиц, список литературы из 339 наименований, приложения.

Содержание работы

Во введении дается обоснование актуальности темы исследований, сформулирована цель работы, изложена научная новизна работы, практическая и научная значимость проведенных исследований, основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе представлен анализ современного состояния и перспективы развития многоэлемеитных ИК ФПУ. Основное внимание уделено вопросам, рассматриваемым в диссертационной работе:

- современному состоянию в области разработок кремниевых устройств считывания многоэлемеитных ИК ФПУ;

- построению многовходовых устройств предпроцессорной обработки фотосигналов интегрированных с устройствами считывания;

- кратко рассмотрены принцип работы ПЗИ элементов и основные фотоэлектрические характеристики МДП структур на арсениде индия. Приводится описание методов определения объемного времени жизни из анализа релаксации емкости в режиме неравновесного обеднения.

Вторая глава посвящена анализу системы: ИК фотодиод-ПИ, многоэлементных ИК ФПУ и тепловизионных систем на их основе. Анализ системы проводится как для "классической" модели фотодиода когда ток фотодиода представлен в виде •фд^к 1ф+ 1о[1 -ехр(-рУфд)], где г)к - квантовая эффективность фотодиода, 10 - ток насыщения фотодиода, - шунтирующее сопротивление фотодиода, так и для более точных моделей Ь^|.хСс1хТе фотодиодов, которые при соответствующем выборе электрофизических параметров модель обеспечивают построение ВАХ в зависимости от стехиометрического состава Ь^].хС(1хТе фотодиодов и температуры с привязкой к электрофизическим параметрам материала подложки и технологии получения фотодиодов. Модель и программа расчета ВАХ 1^|.хСс1хТе фотодиодов, любезно предоставленна Ж.В. Гюменюк-Сычевской. Также представлен анализ системы на базе семейств экспериментальных вольт-амперных характеристик 1^|.хС(1хТе фотодиодов.

Расчет шумов системы ИК фотодиод-ПИ проводится с помощью функции Макдональда в терминах спектральной плотности 5,(к>) [7]:

Первое и второе слагаемое описывают токовый шум и шум типа 1И входного МДП транзистора, ВВх = К1Вх2/\УЦС0х+Сд )" • Третье и четвертое слагаемое токовый шум и шум типа 1/Т фотодиода, Вфд=2шз*(1фд- т1к1ф)2, Ь -ширина и длина канала входного МДП транзистора устройства ввода, 01, К, съ, а3 - численные коэффициенты. Со« -проводимость канала под входным затвором, Яфд- динамическое сопротивление фотодиода, 1ф - ток обусловленный фоновым излучением, 1фд- ток фотодиода, т]| - коэффициент ввода тока, 1цх - ток интегрируемый в устройстве считывания.

Расчет начинается с задания электрофизических и конструктивных параметров фотодиодов, устройств считывания, расчета уровня фонового излучения и условий работы ИК ФПУ. При заданном напряжении на входном затворе Ус, вычисляются значения токов 1Вх, 1Фд. Напряжение на фотодиоде определяется из условия равенства токов 1в„ = 1фд. Решение самосогласованной задачи для токов 1вх > 1фд, детальный

где 5((ш)=4кТёвха,|1-л,|2+^Е£

вх1 вх

■2

расчет основных источников шума системы дает возможность получить все основные параметры системы в зависимости от .

Температурное разрешение рассчитывается по соотношению [4]:

_зЕ_

ЫЕТО=-

{2

'2 I

8(1)0- (XI Д2,тф)<ц.

где Ир/Г-относительное отверстие оптики, с11ШЯ. -спектральная энергетическая светимость черного тела, Гоиг -оптическое пропускание системы, 8(Х)-коэффициент пропускания атмосферы, /ч Х2 - спектральный диапазон.

Расчеты показывают, что при §вчКфд >100, систему фотодиод-ПИ можно назвать "идеальной". Для "идеальной" системы при возрастании напряжения У0, когда напряжение на фотодиоде приближается к ~ О В, г)| достигает величины близкой к единице, ток интегрируемый в устройстве считывания 1Вх ~ '¡фд, а О* ограничивается токовым шумом фотодиода (СЬ) и совпадает с теоретическим пределом (режим ОФ). С последующим возрастанием Ус для "идеальной" системы основные параметры фотоприемного канала г)|; 1Вх и практически не зависят от Ус, электрофизических и конструктивных параметров устройств считывания. Для Ь^|.хСс1хТе фотодиодов (при принятых при расчетах электрофизических и конструктивных параметрах системы, типичных для Ь^|_„Сс1хТе фотодиодов и устройств считывания) это условие выполняется до Хт < 10 - 11 мкм. В этом случае для оценки параметров ИК ФПУ на основе ПИ вполне достаточно общепринятых упрощений [1].

5x10

4x10

3x10

2x10

1x10

Рис. 1 Зависимости 0*(УС), (правая ось) и зависимости О,(Же), 0з(Ус),04(Уо)-тепловые шумы и шумы типа М( входного МДГ1 транзистора тепловые шумы и шумы типа 1 /Г фотодиода соответственно, СЫУо) = Щ(Уо), (левая ось), температура 77 К, зарядовая емкость устройства считывания СЬн~5-107 электронов.

Для фотодиодов с Х2 > 12 мкм характер зависимостей 1вх (Ув), 1Э*(Уо) существенно меняется. Ток 1вх возрастает с увеличением Ус, а зависимости П*(Уо) имеют хорошо выраженный максимум, который достигается при напряжениях Уоо, при котором фотодиод смещен на в обратном направлении на 5-30 мВ. Для Нц[.хС(]кТе фотодиодов с Х2 = 13 мкм (рис.1)

значение Б* в максимуме равно 4.9-10

смТц,д-Вт 1

тогда как в режиме ОФ

Ооф*~1-74-10" см Гц1/2-Вт"'. Для "неидсальных" систем возрастание шума и, соответственно, снижение О* определяется главным образом ростом шума фотодиода типа I /С - 04, (кривая 4 на рис.1). Знание зависимостей основных шумовых компо-

нент дает дополнительные возможности для оптимизации электрофизических параметров фотодиодов и технологии изготовления фотоприемников.

Рис.2. Расчетные зависимости ЫЕТТХ^)- При расчетах принято РрЛ= 0.5, X, =5 мкм, Афд =910° см2, кривая 1 при О* = Ооф*, Т„=20 мс, 2, 3- получены с учетом зависимости Э фотоприемного канала со считыванием сигналов в ПИ устройство считывания, Т„=20 мс, кривые 4-7 получены при условии ограниченной зарядовой емкости кремниевого устройства считывания, для кривых 4, 5 СЬи = 5 107 электронов, для кривых 6, 7 СЬН = 3 108 элекгронов, кривые 2, 4, 6 при температуре 60 К, кривые 3, 5, 7 при температуре 77 К.

14 15 , мкм

На рис.2, приведены расчетные зависимости ЫЕТО(Ъ) тепловизионных систем на основе ^|.хСс1хТе фотодиодов и кремниевыми ПИ устройствами считывания. Для "идеальной" тепловизионной системы, в которой О всех фотоприемных каналов многоэлементных ИК ФПУ близка к Ооф*, а время накопления равно времени кадра (в нашем случае Т„=20 мс), получаем известные зависимости, когда ЫЕТО(>.2) улучшается с увеличением Х2 (кривая 1) [4]. Обнаружительная способность фотоприемных каналов многоэлементных ИК ФПУ на основе системы ^|.хСс1хТе фотодиод-ПИ с увеличением Х2> становится ниже Э0ф (Х2) и, поэтому, №ТО(А.2) с увеличением Х2 достигает максимума, а затем ухудшается (кривые 2, 3). Однако основным фактором, определяющим является СЬН - зарядовая емкость кремниевых уст-

ройств считывания (кривые 4-7). В главе также приводятся расчетные зависимости кето(х2) с учетом коэффициента пропускания атмосферы.

Зависимости №ТО(Х.2), приведенные на рис. 2 (при принятых в расчетах параметрах электрофизических параметрах Нц^Сс^Те фотодиодов), характеризуют предельные возможности тепловизионных систем. При их построении использовались значения 0*(УС) в максимуме (рис.1). Для многоэлементных ИК ФПУ неоднородность пороговых напряжений приводит к разбросу напряжений смещения на фотодиоде и, как следствие, к изменению передаточных характеристик в системе фотодиод-ПИ и появлению "геометрического" шума, а для части фотоприемных каналов, к значительному снижению обнаружительной способности, ухудшению ЫЕТП) тепловизионных систем, по сравнению с расчетными зависимостями на рис. 2. Другой причиной возрастания уровня "геометрического" шума и снижения О является неоднородность стехиометрического состава подложки Н2|.хСс1хТе фотодиодов.

При оценках неоднородностей фотоприемных каналов многоэлементных ИК ФПУ считается, что разброс пороговых напряжений и неоднородность стехиометрического состава подложки описываются нормальным распределением. Уровень фототока рассчитывался с учетом длинноволновой границы фоточувствительности

индивидуально для каждого фотодиода. Время накопления определялось зарядовой емкостью устройства считывания и максимальным уровнем тока фотодиодов (выборка из 200 реализаций). Так, для многоэлементных ИК ФПУ с >.2=11 мкм, дисперсии пороговых напряжений c(V„op) = 5мВ, стехиометрического состава о(х) = 0.1%, разброс значений NETD будет лежать в пределах от 11 до 18 мК, при Т=77 К, тогда как для единичного канала NETD равно 10.8 мК (рис.2, кривая 5). В спектральном диапазоне с < 10-11 мкм D (VG) относительно слабо зависит от напряжения смещения Vg и, поэтому, основной причиной ухудшения NETD является неоднородность стехиометрического состава подложки. При х=0.2168 и а(х) = 0.1% разброс длинноволновой границы фоточувствительности составит от 11 до 11.8 мкм.

С увеличением длинноволновой границы фоточувствительности требования к однородности пороговых напряжений под входными затворами устройств считывания и к однородности стехиометрического состава подложки Hgi_xCdsTe фотодиодов возрастают. Для примера на рис. 3 приведены гистограммы NETD тепловизионных систем на основе многоэлементных ИК ФПУ с Хт>12 мкм, при Т=77 К и оптимальном для данных параметров напряжении V0=1.235 В. Среднее значение стехиометрического состава х=0.2105, при с(х) = 0.1%, приводит к разбросу длинноволновой границы фоточувствительности в диапазоне от 12 до 13.2 мкм. Как видно на рис. 3 неоднородность пороговых напряжений, стехиометрического состава подложки приводят к двух-трех кратному ухудшению температурного разрешения тепловизионных систем (для единичного канала с >-2=12 мкм NETD=23 мК, кривая 5 на рис.2).

Рис.3 Расчетные гистограммы NETD. Дисперсия пороговых напряжений входного МДП транзистора c(Vn„p) = 5мВ, стехиометрического состава Hg|.xCdxTe подложки с а(х) = 0.1%, Q3H=5']07 электронов.

При более жестких требованиях к a(VIlop) = 2 мВ и о(х) = 0.03% NETD тепловизионных систем с Хг =12 мкм будет в пределах 24 - 28 мК. При необходимости 0.00 ' 001 ' о02 ' 0 03 ' 0 04 ' 0.05 ' о.об^ао/ обеспечить спектральную чувствитель-

netd.k ность с %г >12.5-13 мкм и температуре 77 К требования по однородности пороговых напряжений и стехиометрического состава подложки Hgi.xCdxTe фотодиодов выходят за достигнутый в настоящее время по этим параметрам технологический уровень как кремниевой технологии, так и синтеза эпитаксиальных слоев Hg|.xCdxTe [1]. Показано, что охлаждение гибридного модуля до температуры 60 К позволяет реализовать тепловизионные системы с NETD близким к предельно возможным, ограниченным лишь зарядовой емкостью кремниевых устройств считывания, при приемлемом уровне "геометрических" шумов.

Таким образом, предложенная математическая модель, программа и методика анализа системы фотодиод-ПИ дает возможность:

- выявлять основные факторы, лимитирующие характеристики многоэлементных ИК ФПУ и тепловизионпых систем на их основе;

- проводить сравнение с экспериментальными результатами и формулировать требования к конструктивным и электрофизическим параметрам устройств считывания, ИК фотодиодов, необходимым для достижения проектных характеристик те-пловизионных систем на основе многоэлементных ИК ФПУ.

Численные значения параметров коэффициентов d|, (ъ, аз, К, взяты из литературных источников и могут отличаться от экспериментальных. Уточненные значения численных коэффициентов, либо уточненные модели ВАХ фотодиодов легко могут быть встроены в программу.

В третьей главе представлены результаты анализа температурного разрешения тепловизионных систем в зависимости от зарядовой емкости устройств считывания и разработки кремниевых устройств считывания предназначенных для ИК ФПУ длинноволнового диапазона.

При традиционных схемах построения устройств считывания (интегрирующая емкость на каждую ячейку устройства считывания), зарядовая емкость ограничивается геометрическими размерами элементарной ячейки. В каждой ячейке устройства считывания необходимо разместить многоэлектродную структуру и поэтому, интегрирующая емкость устройства считывания занимает не более 30-60 % площади одной ячейки. Технологические возможности увеличения зарядовой емкости устройств считывания за счет уменьшения толщины подзатворного диэлектрика и топологических норм проектирования практически исчерпаны.

Схема построения устройств считывания (рис.4а) дает возможность многократно увеличить зарядовую емкость устройств считывания. Отличительной особенностью устройства считывания является построение матрицы из фрагментов 2x2 входных устройств с общей интегрирующей емкостью. Накопление фотосигналов происходит одновременно во всех фрагментах, но только в тех ячейках фрагмента, в которых на входной затвор подано высокое, открывающее напряжения. Как показано на рис. 46 эти условия выполняются последовательно для первой, второй, третьей и четвертой ячеек фрагмента. Сигнал последовательно выводятся на общий выход "Вых" с первых, вторых, третьих и четвертых ячеек входных устройств каждого фрагмента. При выводе на монитор можно формировать полный кадр в режиме реального времени. Основные структурные элементы фрагмента входных устройств считывания - затвор накопления (9), затвор переноса (10) и выходной диод (11) являются общими. Это дает возможность увеличить площадь затвора накопления с 3060 % от площади элементарной ячейки в устройствах считывания с традиционной организацией до (70-85) % от площади фрагмента 2x2 элемента, то есть увеличить зарядовую емкость устройств считывания по крайней мере в 6-10 раз.

В данной конфигурации устройств считывания время накопления фотосигналов не может быть больше времени считывания одного фрагмента матрицы входных устройств, то есть не более четверти от времени кадра. Увеличения зарядовой емкости входных устройств до 2-5-108 электронов (при шаге фотоприемных элементов 30 мкм) позволит интегрировать большую часть фотосигналов падающих на фотоприемники в течение этого времени.

13 .

14 .

15 .

Накопление и считывание с 1 ячейки фрагмента со 2 ячейки с 3 ячейки

с 4 ячейки с 1 ячейки

Рис.4. Устройство считывания с организацией входных устройств из фрагментов размерностью 2x2 элементов; а - структурная схема, б -диаграмма управляющих напряжений. Цифрами 1, 2, 3 и 4 обозначены входные диоды первой, второй, третьей и четвертой ячейки входных устройств фрагмента соответственно, циф- рами 5, 6. 7 и 8 - входные затворы, 9, 10 и 11 - общие для фрагмента затвор накопления, затворов переноса и выходной диод, 12 - ключ, 13-18 - шины управления, 19 -вертикальный сдвиговый регистр, 20- формирователь строчных управляющих напряжений, 21 -столбцовая шина считывания, 22 - линейка предусилителей, 23 -горизонтальный сдвиговый регистр.

По схеме с фрагментарной организацией устройств ввода изготовлено устройство считывания формата 128x128 элементов. На рис.5 приведены тепловые изображения полученные с фотоприемного модуля с фотоприемниками на основе МСКЯ ОаАб/АЮаАз с максимумом фоточувствительности на длине волны 7.8 мкм.

Рис. 5. Тепловые изображения размерностью 64x64, считываемые последовательно с 1, 2, 3,4 -ых ячеек фрагмента.

На рис.6 показана топология фрагмента устройств ввода с топологическими нормами 0.8 мкм и с шагом входных устройств 30 мкм. Каждая ячейка устройства ввода фрагмента, дополнительно содержит транзистор Т1, который необходим для обеспечения тестируемости кремниевого процессора, а также может быть использован дня вывода избыточного тока при иерезасветке отдельных элементов (анти-блуминг). Площадь затвора накопления 2750 мкм2 (заштрихованная область на рис.6), занимает ~ 76% площади фрагмента 2x2 элемента, равной 60x60 мкм". При толщине подзатворного диэлектрика 12 нм (БЮ;), емкость затвора накопления будет ~ 8пФ, при шаге входных устройств 35 мкм емкость затвора накопления возрастет до 11-12 пФ.

18 а 17 -г

Считывание полного кадра

Рис. 6 Фрагмент топологии ячейки входных устройств, где Т1 -вспомогательный МДП транзистор, Вх.з.1- входной затвор первой ячейки фрагмента, Вх.з.2- входной затвор второй ячейки фрагмента, Вх.з. 3-входной затвор третьей ячейки фрагмента, Вх.з.4- входной затвор четвертой ячейки фрагмента, Затвор накопления,- общий для фрагмента 2x2 затвор накопления, 3. пер. - общий затвор переноса, Шина считывания -столбцовая шина считывания.

Для ИК ФПУ с устройствами считывания в виде фрагментов 2x2, как и для устройств считывания стандартной конфигурации, возможны все дополнительные режимы работы современных ИК ФПУ: "оконный режим", режим "мгновенного кадра" (в англоязычной литературе "snap shot"). Более того, последовательное считывание фрагментов, как это показано на рис. 5, можно рассматривать как отдельную, дополнительную форму «оконного режима». В этом случае, без уменьшения поля зрения, при потере пространственного разрешения в два раза, обеспечивается увеличение кадровой частоты в четыре раза. При этом после четырех циклов считывания формируется изображение в полном формате. Данная структура устройств считывания, с указанными выше особенностями, позволяет произвольно выбирать любой формат «окна». В силу низкой контрастности изображений и необходимости иметь устройства считывания с большей зарядовой емкостью, задачи предпроцессорной обработки сигналов особенно актуальны и сложны для ИК ФПУ в длинноволновой области спектра. С увеличением зарядовой емкости устройств считывания до (2-5)-108 электронов возрастают требования к динамическому диапазону всех последующих устройств - предусилителей, измерительного канала, устройств предпроцессорной обработки сигналов. Фрагментарная организация устройства считывания существенно упрощает реализацию этих устройств, так-как их можно размещать с двойным шагом относительно шага матрицы фотоприемников, а их количество, соответственно, вдвое меньше.

Устройства считывания для ИК ФПУ с режимом временной задержки и накопления. Одной из наиболее востребованных тепловизиоиных систем являются линейчатые ИК ФПУ с ВЗН. В главе рассматривается проект устройства для системы с режимом ВЗН структурная схема которой приведена на рис.7, (на рис. 7 количество ВЗН каскадов п равно 4, но п может быть любым числом).

Шина считывания

Рис. 7 Структурная схема устройства считывания для ИК ФПУ с режимом ВЗН, где - блок 41, шина 42 для записи и хранения информации о дефектных фотоприемных каналах, -блок устройств считывания фотосигналов, 1-вход устройства считывания 2, 3 входное устройство, 4 - интегрирующая емкость, МДП транзисторы 5, 6, шина управления 7 первой ячейки ВЗН устройства. Элементы 13-16, 22-25, 31-34 для второй, третьей и четвертой ячейки ВЗН устройств считывания соответственно; блок аналоговых устройств хранения и суммирования ВЗН сигналов - МДП транзисторы 8, 10, интегрирующая емкость 9, шины управления И, 12 - первой ячейки, элементы 17-21, 26-30, 35-39 для второй, третьей и четвертой ячейки ВЗН устройств соответственно.

Важным преимуществом предлагаемой структурной схемы устройства является то, что, принципиальные схемы и топологическая реализация основных узлов не зависит от числа ВЗН каскадов, меняется только их количество. Интегрирующая емкость (элементы 4, 13, 22 и 31 на рис.5) расположена непосредственно на входе устройства и имеет соединение только с одним МДП транзистором. Это позволит снизить уровень шумов устройств считывания, коммутационные шумы и, следовательно, повысить чувствительность ИК ФПУ на его основе.

Четвертая глава посвящена разработке схемотехнических решений построения устройств предпроцессорной обработки фотосигналов интегрированных с устройствами считывания.

В работах по многоэлементным ИК ФПУ обычно рассматриваются устройства считывания и устройства обработки фотосигиалов как два отдельных ума. При таком подходе необходимо предварительное преобразование сигналов в цифровую форму, большую часть которых составляют компоненты, не несущие информации об объекте исследования. В этом случае к динамическому диапазону, быстродействию и разрядности АЦП внешнего измерительного канала, обрабатывающий в режиме реального времени в цифровой форме массивы ИК фотосигналов предъявляются очень жесткие требования. Это приводит к росту потребляемой мощности, ухудшению массогабаритных характеристик и, следовательно, повышению стоимости ИК ФПУ.

Начальной задачей формирования ИК видеосигналов является подавление «геометрического» шума из-за неоднородности характеристик фотоприемников, передаточных характеристик устройств считывания и вычитание неииформационных компонент сигналов обусловленных фоновым излучением. На рис.8а приведена принципиальная схема ячейки устройства обеспечивающая решение этой задачи.

Фпр Исм

пзи Г Р

фотоприемник _[_ 1

подложка 1пвЬ

А -—

Фпр фин Феб Фзз Фзп

(-1 (~1 N н N [-]

п п п п п п

п п п п п

п п п п г-1

-Г п п

Опорные циклы Информационные циклы считывания

Рис.8. Устройство предпро-цессорной обработки фотосигналов; а - принципиальная схема ячейки устройства, б -временные диаграммы управляющих напряжений.

Уровень напряжения на диффузионной области 7 и электрически связанных с ней затворах 4, 6 несет информацию об уровне опорного «темнового» сигнала индивидуально для каждого фотопрнемного канала. Этот уровень формируется в течение (10-15)

вспомогательных, опорных циклов считывания, при которых на ИК ФПУ проецируется изображение от однородного фона, например, от "черной" шторки. В информационных циклах считывания на затвор переноса И подается отпирающий импульс. При увеличении входного тока в информационных циклах считывания сначала заполнится яма под затвором накопления 3, зарядовая емкость которой определяется «темновым» сигналом фотоприемников. Избыток заряда пропорциональный освещенности фотоприемников в информационных циклах считывания, минуя диффузионную область 7, через затвор переноса передается в ПЗС регистр считывания.

Данный принцип построения устройств предпроцессорной обработки фотосигналов был реализован в 64-х элементном устройстве считывания и на его основе изготовлено ИК ФПУ с 1п8Ь ПЗИ фотоприемниками. Осциллограмма сигналов с выхода 64-х элементного ИК ФПУ приведена на рис. 9.

Рис.9. Осциллограмма сигнатов с выхода 64-х элементного ИК ФПУ. Цена деления по оси У=1В/деление, по оси X = 100 мке/деление (а)). Информационный цикл считывания, цена деления по оси У =0.5 В/деление, по оси X = 20 мке/деление (б).

В первом информационном цикле считывается опорный, «темновой» фотосигнал, формируемый в течении десяти -пятнадцати предварительных циклов записи и обусловленный фоновым излучением и термогенерационными токами 1п5Ь ПЗИ фотоприемников, находящихся в режиме неравновесного обеднения. Мощность фонового ИК излучения Рф в спектральном диапазоне 1-5.4 мкм, при апертуре 50° и температуре фона=300 К Рф ~ 1.8-10'4 Вт/см2. Начиная с третьего информационного

г\ • •

' яшшт - ' : ь - ^ипини ^ 1

б)

цикла считывания добавлялось излучение от АЧТ с температурой 500 К, мощность излучения АЧТ в спектральном диапазоне 1-5.5 мкм составляла 1.5-10"5 Вт см"2 (во время третьего информационного цикла считывания излучение от АЧТ частично перекрыто модулятором). На выходе ИК ФПУ формируются сигналы, пропорциональные разности фотосигналов в опорных и информационных циклах считывания.

Обнаружительная способность ИК ФПУ с устройствами предпроцессорной обработки сигналов составила 1.4-10 см- Гц'^Вт', что соответствует обнаружительной способности в режиме ОФ при квантовой эффективности г)~0.7. На основе 64-х элементного ИК ФПУ совместно с Институтом Атомной энергии им. И.В. Курчатова был разработан динамический ИК спектрометр.

Основные технические характеристики динамического ИК спектрометра: Спектральный диапазон 2-5.4 мкм.

Регистрируемый одновременно интервал спектра при использовании дифракционной решетки 24 /мм 0.38 мкм Ширина аппаратной функции прибора 100 А

Фоточувствительный элемент 85x100 мкм2

Пороговая чувствительность одного

элемента при X =5.6 мкм 5-10"12 Вт/эл.

Динамический диапазон более 70 дБ.

Число кадров 50

Длительность кадра 100 мкс

Время экспозиции 25-80 мкс

Динамический ИК спектрометр в 1985 году был установлен в ИАЭ им. И.В. Курчатова и применен для исследования динамики излучения нестационарной газоразрядной плазмы СО-разряда. В спектрометре использовался 10 разрядный аналого-цифровой преобразователь (АЦП) при динамическом диапазоне более 70 дБ. Отметим, что для ИК ФПУ с устройствами считывания не имеющими в своем составе устройств предпроцессорной обработки потребовалось бы 14-15 разрядное АЦП, которое на момент разработки ИК спектрометра было недоступно.

Адаптивные устройства предпроцессорной обработки. Вычитание постоянных во времени аддитивных неинформационных компонент сигналов не решает многих проблем, вследствие значительных временных изменений параметров фотоприемников, передаточных характеристик устройств считывания, изменения температуры подложки фотоприемников, изменения фоновой обстановки и ряда других причин.

Для решения этих проблем необходимы адаптивные системы предпроцессорной обработки, обеспечивающие компенсацию временных изменений (дрейфа) фотоэлектрических параметров всех компонент ИК ФПУ. Необходимость адаптивных систем предпроцессорной обработки сигналов особенно важна для ИК ФПУ длинноволнового диапазона, так как с ростом длины волны уменьшается контрастность изображения.

Структурная схема многоканального процессора с адаптивными устройствами предпроцессорной обработки решающая эти задачи приведена на рис.10.

Рис.10. Структурная схема многоканального процессора с адаптивными устройствами предпроцессорной обработки фотосигналов с цифровой шиной коррекции.

Сигнал после предварительного усиления (2 на рис.10), последовательно поступает по общей шине считывания 13 на устройство двойной коррелированной выборки измерительного канала (ДКВ) оцифровывается (АЦП) и подается на один из входов компаратора 7. На другой вход компаратора подается «Опорный код ». В зависимости от соотношения информационных сигналов и опорного кода на выходе компаратора вырабатываются коды: +1 при Исиг<Иоп; -1 при Исиг>Иоп; О при Исиг=Иоп. При коде +1 информация в оперативном запоминающем устройстве разрядностью ЫхМ, где N - количество каналов устройств считывания, М -разрядность цифроаналогового преобразователя (ЦАП) увеличивается на дискрету младшего разряда ОЗУ, при коде -1 -уменьшается. В момент времени считывания информации с ¡+1 ячейки кремниевого мультиплексора, информация с ¡°" ячейки подается из ОЗУ в ЦАП преобразуется в напряжение, далее по шине коррекции передается на корректирующий вход ¡ого усилителя кремниевого мультиплексора и хранится в аналоговом виде до следующего цикла считывания. Таким образом, с окончанием считывания строки будет подготовлена информация к следующему циклу считывания (коррекции). Максимально через 2К циклов считывания, где N -разрядность ОЗУ - информация в ОЗУ установится таким образом, что сигналы на выходе АЦП для всей матрицы ИК ФПУ с точностью до младшего разряда АЦП будут равны опорному коду.

Далее в главе дано описание и приведены результаты экспериментального обследования 16 входовых устройств нескольких схем реализующих описанный выше принцип построения устройств предпроцессорной обработки сигналов. Показано, что все предложенные схемотехнические решения не ограничивают чувствительности фотоприемных каналов многоэлементных ИК ФПУ.

Предлагаемая структу ра блока предпроцессорной обработки сигналов дает дополнительные возможности решения задач идентификации, распознавания образов. В ОЗУ за один цикл считывания можно ввести "образ" какого либо объекта, без потери информации об аддитивных неинформационных компонентах сигнала. При появлении этого объекта в поле зрения ИК ФПУ на выходе шины считывания получим разностный сигнал от реального объекта и введенного в цифровом виде в ОЗУ "образа".

Совершенствование кремниевой технологии и успехи последних лет в области проектирования многовходовых АЦП с разрядностью 8-10 бит при шаге 10-50 мкм

Измерительный канал

12

АЦП

N Выход

7^=

10 9 в 7

ЦАП ОЗУ с АЛУ < —

Опорный код

позволили приступить к созданию устройств считывания для ИК ФПУ с процессорной обработкой сигналов в цифровой форме. Для ИК ФПУ в длинноволновом диапазоне 8-12 мкм при зарядовой емкости (108-109) электронов необходимо использовать АЦП с разрядностью не менее 16-18 разрядов. Такие многоканальные АЦП (необходимо иметь хотя бы одно АЦП на строку) до сих пор недоступны.

На рис. 11 приведена принципиальная схема устройства считывания с устройствами предпроцессорной обработки фотосигналов в цифровой форме.

Рис.11. Принципиальная схема устройства считывания с блоком адаптивной предпроцессорной обработки сигналов в цифровой форме, где цифрой -1 обозначен многовыходной коммутатор, 2-предусилитель, 3 - компаратор, 4 - арифметике - логии-ческое устройство (АЛУ), 5 -ОЗУ, 6 - АЦП, 7 - ЦАП, 8 -вход предусилителя, 9 - корректирующий вход предусилителя, 10 - аналоговый выход АЦП, 11 - общая шина считывания, 12 - шина коррекции, 13- выход многовыходного коммутатора.

Пеленгатор для измерения координаты и дальности на основе матрицы 1пАб ПЗИ элементов. Задача регистрации координаты и времени поступления отраженных от объекта слабых импульсных сигналов для систем лазерной локации - одна из самых технически сложных проблем в оптоэлектронике. В ИК области задача усложняется низкой контрастностью изображений. Для решения этой задачи устройство считывания должно удовлетворять следующим требованиям:

1 - фотосигнал с каждой фотоприемной ячейки непосредственно передается на выходные строчные и столбцовые шины;

2- каждая ячейка устройства считывания должна содержать усилитель и фильтр высоких частот для подавления низкочастотных неинформационных компонент сигналов, обусловленных фоновым излучением и темновыми токами фотоприемников.

Структурная схема устройства считывания, удовлетворяющая этим требованиям, приведена на рис.12, где 1-фильтр высоких частот, 2-предусилитель, 3-МДП фотодиод. Транзистор Т1 необходим для подачи напряжения смещения и формирования режима неравновесного обеднения МДП фотодиода. Транзисторы Т2 и ТЗ подключают каждую фотоприемную ячейку к выходным строчным и столбцовым шинам.

1 столбец 8 столбец

Рис.12. Структурная схема кремниевого устройства считывания для регистрации слабых импульсных оптических сигналов в ИК области спектра.

Принципиальная схема устройства считывания приведена на рис.13. Цепочка, содер- жашая подзагворную емкость МДП фотодиода и р-канальный транзистор Т2, образует КС фильтр высокой частоты. Дифференциальный усилитель, образованный р-канальными транзисторами ТЗ, Т5 и п-канальными транзисторами Т4, Т6 и Т9, а также п-канальные транзисторы Т7 и Т8 обеспечивают усиление и передачу сигналов на строчные и столбцовые шины считывания.

Рис.13 Принципиальная схема кремниевого устройства считывания форматом 8x8 элементов для регистрации слабых импульсных оптических сигналов.

Для работы кремниевого устройства считывания кроме источника питания Исс, необходим регулируемый источник питания Исм и два импульсных управляющих напряжения, обеспечивающих работу МДП фотодиодов в режиме неравновесного обеднения -Фпр и Фин. С началом импульса Фпр, открывающего п-канальный транзистор Т1, на МДП фотодиод подается напряжение Исм. Во время импульса Фпр на подложку 1пАб МДП фотодиодов подается импульс отрицательной полярности Фин (для подложки 1пА5 п-типа проводимости), с окончанием которого МДП фотодиоды одновременно переводятся в режим неравновесного обеднения. С окончанием импульса Фпр на обоих входах дифференциального усилителя (затворы МДП транзисторов Т4 и Т6) устанавливается напряжение Исм. При появлении импульсного сигнала на затвор транзистора Т4 усиленный сигнал передается на затворы транзисторов Т7 и Т8.

На рис. 14 приведены расчетные зависимости коэффициента усиления дифференциального усилителя устройства считывания (кривые 1, 2 и 3) и

Фпр , Исм _

Исс •-1 строка ш

III 1 Ч+—1-

8 строка У

устройства считывания с усилителем и RC фильтром высоких частот (кривые 4 и 5) от частоты и напряжения смещения Исм в качестве параметра. Как видно из этих зависимостей RC фильтр обеспечивает эффективное подавление низкочастотных компонент сигналов. С увеличением напряжения смещения Исм увеличивается проводимость каната МДП транзистора Т2, что приводит к сдвигу передаточных характеристик RC фильтра в область более высоких частот. В области частот выше 2-3 МГц уменьшение коэффициента усиления устройства считывания обусловлено

высокочастотной границей полосы пропускания дифференциального усилителя.

Рис.14. Частотные передаточные характеристики дифференциального усилителя устройства считывания (кривые 1,2 и 3) и устройства считывания с RC фильтром высоких частот (кривые 4, 5) в зависимости от напряжения смещения: 1-Исм=2.0 В, 2 -Исм - 2.3 В, 3- Исм=2.8 В, 4-Исм= ,МГц 2.3 В, 5-Исм=2.8 В.

Отметим, что использование емкости подзатворного диэлектрика ПЗИ элемента в качестве составной части RC фильтра - важное преимущество технического решения. При использовании фотодиодов емкость RC фильтра (С= 0.4 пФ) пришлось бы размещать на кремниевом кристалле. Эта емкость заняла бы значительную часть площади в ячейке устройства считывания на кремниевом кристалле, существенно ограничивая возможности выбора принципиальной схемы и оптимизации топологии устройства считывания. Матрица ПЗИ фотоприемников формата 8x8 элементов была изготовлена на авто-эпитаксиальных структурах InAs.

Собранные методом flip-chip модули монтировались в заливной криостат. Уровень фонового излучения ФПУ ограничивается холодной диафрагмой и в спектральном диапазоне 2.4-3.05 мкм, при температуре фона 300 К составяет 2.3-10'7 Вт/см2. В эксперименте период следования импульсных управляющих напряжений Фпр, Фин был равен 20 мс. ИК ФПУ формата 8x8 элементов обеспечивает регистрацию оптического импульса длительностью 200-500 не с пороговой энергией ~ 8Т0"17 Дж/элемент. Точность определения времени прихода оптического сигнала не хуже (50-100) не, определялась как длительность фронта сигналов на выходах ФПУ, при достижении амплитуды сигналов равных 6 уровням среднеквадратичного шума.

В пятой главе рассмотрены схемотехнические принципы построения устройств считывания фотосигналов с ПЗИ элементов. Рассмотрены конструкции и приведены экспериментальные результаты обследования линейчатых и матричных гибридных модулей и тепловизионных систем на основе InAs ПЗИ элементов.

В первом параграфе описывается метод определения времени жизни неосновных носителей заряда из анализа зависимости величины концентрации заряда неосновных носителей от длительности импульса инжекции в режиме неравновесного обеднения.

Во втором параграфе анализируется температурное разрешение тепловизион-ных систем в зависимости от спектрального диапазона. Показано, что в спектральном диапазоне 3-3.5 мкм можно реализовать гибридные ИК ФГТУ на основе фотоприемных ПЗИ элементов и тепловизионные системы на их основе с температурным разрешением близким к теоретическому пределу. В этом диапазоне наиболее перспективными представляются ПЗИ элементы на основе 1пАя и твердых растворов Н§С<1Те соответствующего состава.

В третьем параграфе рассмотрены способы считывания и схемотехнические решения применяемые при считывании сигналов с ПЗИ элементов. На рис. 15 поясняется принцип считывания с накоплением фотосигналов на ПЗИ элементе. При данном способе считывания, если подложка ПЗИ элемента п-типа, для кремниевого устройства считывания необходимо использовать подложку р-типа.

Рис.15 Принцип считывания сигнала с МДП фотоприемников с внутренним накоплением, где а - принципиальная схема кремниевого мультиплексора, б -эпюры управляющих напряжений, в -эпюры напряжений на затворе МДП фотоприемника.

При подаче управляющих напряжений: постоянных Ивх, Ип, импульсных Фпр (рис. 156), открываются транзисторы Т1 и на затворе МДП фотоприемника, находящегося в режиме неравновесного обеднения, устанавливается напряжение Исм. Для уменьшения количества управляющих напряжений этот узел можно соединить с подложкой (земля) кремниевого устройства считывания. С окончанием импульса Фпр и подачей импульсов Феб, Фтр напряжение на затворе ПЗИ элемента, входной диффузионной области 1 задается поверхностным потенциалом под входным затвором 2 (см. рис. 15в). Заряд с затвора ПЗИ элемента стекает в источник питания Ип по цепи входная диффузионная область 1 - зарядно - связанные затворы 2, 3, 4 и 5. С окончанием импульса Феб и при подаче через разделительную емкость Син импульса инжекции Фин заряд неосновных носителей, накопленный в инверсионном слое, инжектируется в подложку ПЗИ элемента. С окончанием импульса Фин МДП-фотоприемники снова переводятся в режим неравновесного обеднения, а заряд, пропорциональный сигнальному заряду, накопленному в инверсионной области, вновь стекает с затвора ПЗИ элемента по цепи входная диффузионная область 1,

фотоприемник подложка

Сия

Фин

зарядно- связанные затворы 2, 3 и интегрируется под затвором накопления 4. С окончанием импульса Фтр информационный заряд из под затвора накопления 4 может передаваться в линейку зарядо-чувствительных усилителей. Таким образом, потенциал затвора ПЗИ элемента привязывается к поверхностному потенциалу под входным затвором устройства считывания до и после подачи импульса инжекции Фин в каждом цикле считывания. Коррелированная выборка обеспечивает подавление низкочастотных компонент шума ПЗИ фотоприемников типа М{.

С окончанием импульсов Фин, Фтр начинается новый цикл накопления. Для обеспечения линейности передаточных характеристик и минимизации уровня собственных шумов устройства считывания важно правильно выбрать временные интервалы между окончанием импульсов Фпр, Феб и импульсов Фин и Фтр. Длительность обоих временных интервалов лежит в пределах 2-10 мкс.

В четвертом параграфе дано описание двух вариантов устройства считывания для линейчатых ИК ФПУ 2x192, конструкции и основные параметры гибридных модулей 2x192. Кремниевый мультиплексор содержит два зеркально симметричных 192 входовых мультиплексора с шагом 50 мкм, смещенных относительно друг друга на 25 мкм. Принципиальная схема кремниевого мультиплексора типа Ф408СЭ показана на рис. 16а.

Рис. 16. Принципиальная схема кремниевого мультиплексора форматом 2x192; б-временные диаграммы управляющих напряжений.

По сравнению со схемой кремниевого мультиплексора Ф408, в каждую ячейку устройства считывания введены зарядно-связанные затворы 2, 3, формирующие аналоговые ячейки хранения, МДП транзисторы Т1 и Т2.

При подаче импульсного управляющего напряжения Фет заряды находящиеся под первыми затворами накопления (затвор 2 па рис.1 а) и несущие информацию о фотосигналах с предыдущего цикла считывания одновременно передаются под вторые затворы накопления (затвор 4 на рисЛа). При считывании информации с ПЗИ элементов в следующем цикле считывания информация записывается под первым за-

£

Фин.-1

¡¿Г*"1» %

Злая*

твором накопления. Дополнительные элементы, введенные в устройства считывания типа Ф408СЭ, дают возможность совместить во времени операцию считывания сиг-напов с ПЗИ фотоприемных элементов и последовательный вывод сигналов на общую шину считывания. Время, необходимое для считывания информации с ПЗИ элементов определяется суммарной длительностью управляющих импульсных напряжений Фпр и Фтр. Длительность этих импульсов ~ 10-15 мкс и, тем самым, на это величину уменьшается минимальное время считывания информации со строки.

Ниже приведены основные параметры кремниевых мультиплексоров линейчатого типа:

Тип мультиплексора Ф408 Ф408СЭ

- число входных контактных площадок,................................2x192

- шаг входных устройств, мкм..............................................50

- максимальная емкость накопительной ячейки, в электр...2.0 107........8.0-106

- уровень собственных шумов, в электронах....................~ 600........-400

- тактовая частота, МГц..................................................4...........7

- регулируемое время накопления, минимальное, мкс.........от 70..........40

- потребляемая мощность, мВт..................................................50

- число информационных выводов.............................................2

- динамический диапазон не менее, Дб................................................75

Для тепловизионных систем разработана сдвоенная линейка 2x192 фотоприемников с шахматным расположением элементов и шагом 50 мкм в обоих направлениях. Для решения задач спектроскопии - однорядная линейка фотоприемников 1x384 с шагом 25 мкм. На рис.17 показаны результаты экспериментального обследования гибридного модуля формата 1x384 при засветке элементов через просветленную подложку кремниевого мультиплексора.

Рис.17. Гистограмма распределения фотосигналов и напряжения среднеквадратичного шума ФПУ 1x384 в битах АЦП при времени накопления 10 мс.

а)

б)

120 100 I 80 60 ; 40 ; 20

300 ; 250

I 200

I 150

г

; 100 ; 50

I О

Ю 700 Фотосигъал I

800 600 Ситах АЦП

2 3 4 5 СКО шум в битах АЦП

Уровень фона при комнатной температуре с охлаждаемой апертурной диафрагмой равен « 1.7-10'7 Вт см . Шум измерялся при закрытой диафрагме АЧТ. В этих условиях практически все элементы ФП-линейки работали в режиме ОФ. Теоретические расчеты в этих условиях дают О* в 5.4-1012 смТц'/2-Вт"' при квантовой эффективности фотоприемников г} = 1 и собственных шумах устройства считывания и 600 электронам. Среднее значение обнаружительной способности

Б* я4.5-1012 смТц'/2-Вт"'. Лишь 5 элементов имели избыточные шумы. Для этих элементов Б* не хуже 1.5-1012 смТц|/2-Вт"'. Экспериментальные результаты измерения обнаружительной способности ИК ФПУ соответствуют теоретическим оценкам при квантовой эффективности фотоприемников д = 0.75, расчетным зависимостям спектров отражения и пропускания на конструктивных элементах ФП модуля.

Матричные ФПУ форматов 128x128 и 256x256 элементов на основе 1пАз. Нами разработаны фотоприемные матричные модули форматов 128x128 и 256x256 элементов. Для матричных гибридных модулей ИК излучение от объекта исследования падает на непланарную сторону сильнолегироваиной подложки п++-1пАб. За счет сдвига края фундаментального поглощения (эффект Мосса-Бурштейна) излучение в спектральном диапазоне ~ 2.4-3.05 мкм проходит через подложку и поглощается в тонком эпитаксиальном слое п-1пАз. Длинноволновая граница определяется фундаментальным краем поглощения в эпитаксиальном слое п-1пАъ. Коротковолновый край зависит от уровня легирования подложки 1пАэ и изменяется в пределах 2.4-2.5 мкм.

В главе приводятся параметры созданного на основе гибридного модуля формата 128x128 тепловизора ТКВр-ИФП "СВИТ". Важным преимуществом прибора является высокая временная стабильность, декларируемое температурное разрешение сохраняется в течение длительного времени после проведения операции калибровки и позволяет значительно улучшить чувствительность за счет суммирования кадров. Из приведенных на рис. 18 зависимостей видно, что вплоть до 128 циклов накопления, зависимости ЫЕТО(Ы) достаточно близки к зависимости 1/(Ы)"2 , где 14-количество циклов накопления.

Рис. 18. Зависимость температурного разрешения от Ы""2, где N - количество суммируемых кадров. Для справки, над экспериментальными точками приведены значения эффективной частоты кадров, с"'.

Так, например, при эффективной кадровой частоте 1-10 кадров в секунду КЕТО тепловизора ТКВр-ИФП "СВИТ" ~ 4-8 мК. Для крупномасштабных объектов суммирование сигналов позволяет различать объекты с разницей в температуре не более ~ 2-3 мК, то есть лучше, чем температурное разрешение известных по литературным источникам тепловизоров, чувствительных в диапазоне 5-12 мкм. На тепловизор тепловизора ТКВр-ИФП "СВИТ", внешний вид которого приведен на рис.19 получен сертификат № РОСС 1Ш.АЯ79.В56000 от 13.05.2005 г. Госстандарта России. В медицине это позволило тепловизионным методикам, ранее развивающихся лишь в специализированных клиниках, перейти в разряд штатных в районных поликлиниках, что характеризует надежность и простоту использования тепловизора ТКВр-ИФП "СВИТ".

15-

10-

0,0

0.2

0,4

0.6

1,0

N

I

I I

1 I

Основные результаты и выводы, полученные в диссертационной работ

| Проведенные в диссертационной работе исследования позволили решить ряд ключевых проблем стоящих перед разработчиками многоэлементных ИК ФПУ.

1. Предложены системные и схемотехнические решения построения устройств яредпроцессорной обработки сигналов интегрированных с устройствами считывания и обеспечивающие решение задач формирования ИК видеосигналов и обработки видеоизображений в фокальной плоскости многоэлементных ИК ФПУ:

- вычитание постоянных во времени, неинформационных компонент сигналов индивидуально для каждого фотоприемного канала. Спроектировано и изготовлено

I 64-х входовое устройстве считывания, 64-х элементное ИК ФПУ с ГпБЬ ПЗИ фотоприемниками с обнаружительной способностью в режиме ОФ. Предпроцессорная обработка сигналов позволила впервые реализовать динамический ИК спекгрометр со временем регистрации спектров меньше 100 мкс;

- построение адаптивных устройств лредпроцессорной обработки сигналов в аналоговой и цифровой форме для линейчатых и матричных ИК ФПУ. Показано, что предложенные устройства обеспечат формирование ИК видеосигналов в условиях временных изменений (дрейфа) фотоэлектрических параметров всех компонент ИК ФПУ. Результаты экспериментального обследования устройств лредпроцессорной обработки сигналов подтверждают возможность реализации ИК ФПУ на их основе с чувствительностью близкой к чувствительности в режиме ОФ;

- регистрацию импульсных оптических сигналов. Разработано устройство считывания с встроенным ЯС фильтром в каждой ячейке входных устройств и ИК ФПУ форматом 8x8 элементов. Создан макет пеленгатора обеспечивающего определение координаты импульсного оптического сигнала с пороговой энергией ~ 8-10"17 Дж/элемент и времени прихода с точностью не хуже 100 не. Эти параметры достигаются в условиях, когда энергия фонового излучения падающая на ПЗИ фотоприемник за время цикла считывания, на два-три порядка превышает энергию импульсного оптического сигнала.

Далее в главе дается описание других тепловизионных систем на основе ¡пАб ПЗИ элементов и примеры их применения:

- динамического спектрометра формата 1x384, созданного на основе линейчатого гибридного модуля 1x384, 01М8-384;

- тепловизионного микроскопа созданного на основе гибридного модуля формата 128x128.

Рис. 19. Общий вид тепловизионной камеры. Здесь 1 - отсек объектива и узла калибровки. 2 - отсек криостата, 3 - отсек электроники, 4 - горловина для заливки жидкого азота.

Эти результаты вносят существенный вклад в развитие нового научно-технического направления - специализированных процессоров для считывания и обработки фотосигналов с многоэлементных ИК фотоприемников в фокальной плоскости многоэлементных ИК ФПУ.

2. Разработана математическая модель, программа и методика анализа системы ИК фотодиод - устройство считывания с прямой инжекцией заряда. Основные параметры многоэлементных ИК ФПУ и тепловизионных систем получены в зависимости от напряжения смещения на входном затворе устройства считывания. Это дает возможность сравнивать расчетные зависимости с экспериментальными результатами исследования ИК ФПУ, формулировать технические требования к фотоэлектрическим и конструктивным параметрам фотодиодов и устройствам считывания необходимые для реализации проектных параметров многоэлементных ИК ФПУ.

3. Предложено и показано, что организация матрицы устройств ввода из фрагментов 2x2, обеспечивает увеличение зарядовой емкости устройств считывания в 610 раз. Это позволяет увеличить время накопления фотосигналов и, соответственно, пропорционально корню квадратному из времени накопления повысить температурное разрешение тепловизионных систем в спектральном диапазоне 8-14 мкм. Данная структура устройств считывания дополнительно обеспечивает преимущества при реализации интегрированных с устройствами считывания устройств пред-процессорной и процессорной обработки фотосигналов, так как их можно размещать с двойным шагом относительно шага фоточувствительных ячеек, а их количество в два раза меньше.

Математическая модель и предложенная фрагментарная организация матрицы устройств считывания способствует решению одной из важнейшей проблемы многоэлементных ИК ФПУ - улучшение температурного разрешения тепловизионных систем в спектральном диапазоне 8-14 мкм.

4. Разработан проект устройства считывания для ИК ФПУ с режимом ВЗН. Предложенное схемотехническое решение обеспечивает возможность реализации ИК ФПУ с произвольным количеством ВЗН каскадов. Важным преимуществом предлагаемой схемы устройства является то, что, принципиальная схема и топологическая реализация основных узлов не зависит от числа ВЗН каскадов, меняется только их количество. Интегрирующая емкость устройства имеет соединение только с одним входным МДП транзистором, что минимизирует уровень шума устройств ввода, коммутационные шумы и, следовательно, позволяет повысить чувствительность ИК ФПУ на его основе.

5. Развит метод определения времени жизни неосновных носителей заряда из анализа временных зависимостей процесса, состоящего из инжекции и обратного собирания неосновных носителей заряда в инверсионный слой МДП емкости в режиме неравновесного обеднения. Показано, что временные характеристики данного процесса слабо зависят от типа проводимости, степени легирования, и толщины подзатворного диэлектрика.

6. Разработаны схемотехнические принципы построения устройств считывания для многоэлементных гибридных ИК ФПУ на основе ПЗИ элементов. Показано, что в коротковолновом ИК диапазоне до 3-3.5 мкм гибридные ИК ФПУ на основе ПЗИ

элементов не только не уступают, но имеют ряд преимуществ перед гибридными ИК ФПУ на основе фотодиодов. Совместная разработка и оптимизация топологии фотоприемных элементов, схемотехнических решений построения устройств считывания и облика ИК ФПУ в целом позволили реализовать ИК ФПУ на основе InAs, InSb ПЗИ элементов различных форматов 8x8, 128x128, 256x256. 2x192 элементов с параметрами близкими к теоретическому пределу. На основе этих ИК ФПУ в ИФП СО РАН выпускается ряд тепловизионных систем: - тепловизор ТКВр-ИФП "СВИТ", ИК тепловизионный микроскоп, динамический ИК спектрометр DIMS-384, с параметрами на уровне или выше известных нам аналогов.

Новизна предложенных решений подтверждается 27 A.c. СССР или патентами

РФ.

В приложении к диссертации представлены документы о внедрении и использовании результатов диссертационной работы.

Основные результаты диссертации изложены в следующих работах:

1. Канакин В.А. Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью / В.А. Канакин,

И.И. Ли. // A.c. №795343 - пр. от 11.04.1979.

2. Кляус Х.И. Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью / Х.И. Кляус, И.И. Ли, Е.И. Черепов // A.c. № 862750 - пр. от 04.01.1980.

3. Кляус Х.И. Способ записи информации в устройства ввода на ПЗС / Х.И.Кляус, И.И. Ли,

Е.И. Черепов // A.c. №1040947 - пр. от 26.09. 1980.

4. Канакин В.А. Устройство ввода на приборах с зарядовой связью / В.А. Канакин, Х.И.

Кляус, И.И. Ли, Е.И. Черепов // A.c. №1009250 - пр. от 10.07.1981.

5. Кац ЯЛ. Измерение времени жизни неосновных носителей заряда из анализа их рекомбинации в подложке МДП структур / ЯЛ. Кац, Х.И. Кляус, И.И. Ли, Е.И. Черепов // Микроэлектроника - 1981 - В.5 - С.466-470.

6. Ли И.И. Устройство ввода сигналов на приборах с зарядовой связью / И.И. Ли, Е.И. Че-

репов // A.c. № 1091781 - пр. от 24.01.1982.

7. Кляус Х.И. Многоканальное устройство ввода на приборах с зарядовой связью / Х.И. Кляус, И.И. Ли, Е.И. Черепов //A.c. №1044204 - пр. от 18.03.1982.

8. Крымский А.И. Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью / А.И. Крымский, И.И. Ли, Е.И. Черепов // A.c. № 1384130 - пр. от 03.03.1986.

9. Ли И.И. Устройство ввода сигналов на приборах с зарядовой связью / И.И. Ли, Е.И. Че-

репов //A.c. №1415992 - пр. от 19.02.1986.

10. Кляус Х.И. Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью / Х.И. Кляус, А.И. Крымский, И.И. Ли, Е.И. Черепов // A.c. № 1382330 - пр. от 14.07.1986.

11. Кляус Х.И. Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью / Х.И. Кляус, А.И. Крымский, И.И. Ли, В.В. Ольшанецкая, В.К. Пленидкин, Н.И. Хали-уллин, Е.И.Черепов. //A.c. №1429855 - пр. от 13.01.1987.

12. Клименко А.Г. Матричный фотоприемник / Э.Г. Клименко, ГЛ. Курышев, A.A. Гузев, И.И. Ли, Г.С. Хрящев //A.c. №1519470 - пр. от 12.05.1987.

13. Кляус Х.И. Регистр сдвига / Х.И. Кляус, И.И. Ли, В.В. Ольшанецкая, Е.И. Черепов. // A.c. №1436535 - пр. от 10.07.1987.

14. Крымский А.И. Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью / Х.И. Кляус, А.И. Крымский, И.И. Ли, В.В. Ольшанецкая, В.К. Пленидкин, Н.И. Халиуллин, Е.И.Черепов // A.c. № 1419430 - пр. от 13.07.1987.

15. Крымский Л.И. Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью / А.И. Крымский, И.И. Ли, В.В. Ольшанецкая // A.c. № 1593518 - пр. от 15.06.1988.

16. Крымский А.И. Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью / А.И. Крымский, И.И. Ли, В.В. Ольшанецкая // A.c. № 1702829 - пр. or 11.07.1988.

17. Крымский А.И. Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью /А.И. Крымский, И.И. Ли, В.В. Ольшанецкая //A.c. № 1776164 - пр. от 28.09.1988.

18. Ли И.И. Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью / И.И.Ли // A.c. № 1625292-пр. ot07.03.1989.

19. Крымский А.И. Фотоприемное устройство с подавлением постоянной и низкочастотной компонент фотосигналов / А.И. Крымский, И.И. Ли, В.В. Ольшанецкая, Е.И.Черепов //A.c. №1739808 - пр. от 04.07. 1990.

20. Ли И.И. Устройство считывания на приборах с зарядовой связь для двухмерных приемников изображения / И.И.Ли // Патент №2054753 - пр. от 19.03.1993.

21. Кунакбаева Г.Р. Система фотодиод-ПЗС устройства ввода с прямой инжекцией для многоэлементных ИК ФПУ / Г.Р. Кунакбаева, И.И. Ли, Е.И. Черепов // Радиотехника и электроника - 1993 - В.5 - С.922-930.

22. Ли И.И. Устройство считывания на приборах с зарядовой связь для двухмерных приемников изображения /И.И. Ли //Патент№2119697 - пр. от07.02.1996.

23. Кунакбаева Г.Р. Выбор спектрального диапазона тепловизионных систем на основе многоэлементных CdJlg|.sTe фотодиодов / Г.Р. Кунакбаева, И.И. Ли // Автометрия -1996 - №5 - С.21-29.

24. Ли И.И. Устройство считывания для двумерных приемников изображения. / И.И. Ли, В.Г. Половинкин // Патент №2111580 - пр. от 27.12.1996.

25. Ли И.И. Многовходовый процессор с адаптивными устройствами предпроцессорной обработки сигналов для многоэлементных датчиков / И.И. Ли, М.В. Попов // Автометрия - 1997 - №6 - С.20-25.

26. Демьяненко М.А. Матричный ИК фотоприемный модуль на основе многослойных ге-тероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs / М.А., Демьяненко O.P. Копп, Г.Л. Курышев, И.И. Ли, В.Н. Овсюк, В.Г. Половинкин, И.М. Субботин, А.И. Торопов, В.В.Шашкин //Автометрия - 1998 - №4, С.35-42.

27. Курышев ГЛ. Тепловизионный быстродействующий портативный прибор на основе фокальной матрицы МДП-структур на арсениде индия / Г.Л Курышев, А.П. Ковчавцев, A.A. Гузев, В.М. Базовкин, К.О. Постников, И.И. Ли, H.A. Валишева, З.В. Панова, A.B. Яковлев, П.В. Журавлев //Автометрия - 1998 - №4- С. 13-20.

28. Курышев Г.Л. Медицинский тепловизор на основе матричного ФПУ 128x128 для диапазона длин волн 2.8-3.05 мкм / Г.Л. Курышев, А.П. Ковчавцев, Б.Г. Вайнер, A.A. Гузев, В.М. Базовкин, A.C. Строганов, И.М. Субботин, И.М. Захаров, В.М. Ефимов, К.О. Постников, И.И.Ли, НА. Валишева, З.В. Панова // Автометрия - 1998 - №4 - С.5-12.

29. Вайнер Б.Г. Матричный тепловизор / Б.Г. Вайнер, И.ИЛи, ГЛ. Курышев, А.П. Ковчавцев, A.A. Гузев, В.М. Базовкин, A.C. Строганов, И.М. Субботин, И.М. Захаров, В.М. Ефимов, I I.A. Валишева // Патент №2152138 - пр. от 30.11.1998.

30. Ковчавцев А.П. Глава 1. Фотоприемники зарядовой инжекции на арсениде индия. В монографии "Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона" / А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, В.М. Базовкин, H.A. Валишева, A.A. Гузев, И.И. Ли, Т.Е. Ковалевская, З.В. Панова, В.М. Ефимов // под редакцией В.Н. Овсюк, ГЛ. Курышев, Ю.Г. Сидоров и другае - Новосибирск - Наука - 2001.

31. Ли И.И. Анализ зависимости температурного разрешения тепловизионных систем от зарядовой емкости устройства считывания / И.И. Ли // Автометрия - 2001 - №2 - С. 32-37.

32. Базовкин В.М. Гибридное фотоприемное устройство на основе линейки 1x384 InAs МДП-структур для спектрометрических применений / В.М. Базовкин, H.A. Валишева, A.A. Гузсв, В.М. Ефимов, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.И. Ли, A.C. Строганов // Прикладная физика - 2003 - №6 - С. 85-92.

33. Bazovkin V.M. 1x384 Hybrid linear infrared focal plane arrays on InAs MOS structure for spectrometry applications / V.M. Bazovkin, N.A. Valisheva, A.A. Guzev, V.M. Efimov, A.P. Kovchavtsev, G.L. Kuryshev, I.I. Lee, A.S. Stroganov // Proc. of SPIE - 2002 - №5126 - P. 118-128.

34. Ли И.И. Устройство считывания на приборах с зарядовой связью для двухмерных приемников / И.И. Ли // Патент№2239915 - пр. от 15.12.2002г.

35. Ли И.И. Устройство считывания с временной задержкой и накоплением сигналов с многоэлементных ИК фотоприемников / И.И. Ли // Патент №2236064 - пр. от 15.12.2002.

36. Ли И.И. Многоканальное устройство считывания. / И.И. Ли // Патент №2282269 - пр. от 31.03.2005.

37. Ли И.И. Устройство считывания с МДП фотоприемников / И.И. Ли, Г.Л. Курышев // Патент № 2282270 - пр. от 11.04.2005.

38. Ли И.И. Многоэлементные гибридные ИК фотоприемные устройства на основе приборов с инжекцией заряда. Часть 1. Принципы считывания сигналов с ПЗИ фотоприемников / И.И. Ли, В.М. Базовкин, В.М. Ефимов , H.A. Валишева, A.A. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, В.Г. Половинкин, A.B. Царенко. // Автометрия - 2007 - №4 - С.25-36.

39. Ли И.И. Многоэлементные гибридные ИК фотоприемные устройства на основе приборов с инжекцией заряда. Часть 2. Тепловизионные системы с элементами на InAs / И.И. Ли, В.М. Базовкин, В.М. Ефимов , H.A. Валишева, A.A. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, В.Г. Половинкин, A.B. Царенко.// Автометрия - 2007 - №4 - С36-49.

40. Ли И.И. Устройство считывания для ИК ФПУ с режимом временной задержки и накопления/ И.И. Ли // Автометрия - 2007 - №4 - С.56-62.

41. Ли И.И. Кремниевый процессор для матричных ИК ФПУ длинноволнового диапазона 8-12 мкм третьего поколения /И.И. Ли//Микроэлектроника-2008 - №2 - С. 131-138.

42. Ли И.И. Фотоприемное устройство на основе матрицы МДП-фотодиодов на InAs для регистрации импульсных оптических сигналов / И.И. Ли, В.М. Базовкин, H.A. Валишева, A.A. Гузев, В.М. Ефимов, А.П. Ковчавцев, ГЛ. Курышев, В.Г. Половинкин // Прикладная физика - 2007 - №2 - С.68-72.

43. Lee LI. The focal plane array based on MIS-photodiodes on InAs for pulse optical date registration / I.I. Lee, V.M. Bazovkin, N.A.Valisheva, A.A. Guzev, V.M. Efimov, A.P. Kovchavtsev, G.L. Kuryshev // Proc. SPIE - 2007 - N6636,663607-1.

44. Базовкин В.М. Быстродействующий ИК-спектрометр (0.5 - 3.0 мкм) на основе спектрометрического модуля 1x384 InAs /, В.М. Базовкин, H.A. Валишева, A.A. Гузев, В.М. Ефимов, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.И. Ли, В.Г. Половинкин. // Автометрия -2007 - №4 - С.50-55.

45. Ли И.И. Многоканальные устройства предпроцессорной обработки сигналов для многоэлементных ИК ФПУ / И.И. Ли // Прикладная физика - 2009 - №2 - С. 67-79.

46. Lee 1.1. Multichannel Signal Processors for Multielement IR FPA / I.I. Lee // Optical Memory & Neural Networks (Information Optics) - 2009 - Vol. 18 - No. 1 - P.44-54.

47. Курышев ГЛ Предельные параметры многоэлементных гибридных МДП ИК ФПУ на InAs и приборов на их основе / ГЛ. Курышев, И.И. Ли, В.М. Базовкин, H.A. Валишева,

A.A. Гузев, В.М. Ефимов, А.П. Ковчавцев, В.Г. Половинкин, A.C. Строганов // Прикладная физика -2009 - №2 - С. 79-92.

48. Гузев A.A. Фогочувствительные свойства структур ZnTe/CdTe/HgCdTe / АА. Гузев,

B.C. Варавин, С.А. Дворецкий, А.П Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.И. Ли, З.В. Панова, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев // Прикладная физика - 2009 - №2 - С. 92-96.

49. Ли И.И. Многоканальное устройство считывания для фотоприемников / И.И. Ли // Патент № 2357323 - пр. от 04*12.2007.

Цитированная литература.

1. Рогальский А. Инфракрасные детекторы. - Новосибирск: Наука - 2003-635с.

2. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. // Под редакцией В.Н. Овсюк, Г.Л. Курышев, Ю.Г. Сидоров и другие -Новосибирск - изд. Наука - 2001-375с.

3. Приборы с зарядовой связью. // Под ред. Д.Ф. Барба - М.:Мир - 1982 - 240с.

4. Таубкин И.И. Предельные чувствительность и информативность тепловизоров и других оптико-электронных преобразователей изображения / И.И. Таубкин, М.А. Тришенков // Оптический журнал -1996 - №6 - С.18-41.

5. Мозаичные ИК датчики. //Радиоэлектроника за рубежом - 1985- В.5 - С. 1-11.

6. Chen L. Overview of advances in high performance ROIC designs for use with IR FPAs / L. Chen, M. Hewitt, et al // Proc. SPIE - 1998 - №4028 -P. 47-57.

7. Букингем M. Шумы в электронных приборах и системах // Москва "Мир" - 1986 -339с.

Подписано в печать 9.04.2010 Формат 60*84/16

Печ.л. 2 Заказ №102 Тираж 100

Отпечатано на полиграфическом участке издательского отдела Института катализа им. Г.К. Борескова СО РАН 630090, Новосибирск, пр. Академика Лаврентьева, 5

Общая характеристика работы.

Глава 1. Современное состояние и перспективы развития многоэлементных ИК фотоприемных устройств (литературный обзор).

Введение.

1.1. Гибридные многоэлементные ИК ФПУ.

1.1.1. Кремниевые устройства считывания для гибридных ИК ФПУ.

1.1.2. Устройства считывания с режимом временной задержки и накопления.

1.1.3. Устройства считывания с интегрированными системами препроцессорной обработки сигналов.

1.2. Многоэлементные ИК ФПУ на основе МДП фотоприемных элементов.

1.2.1. Монолитные ИК ФПУ на основе ПЗС, ПЗИ.

1.2.2. Принцип работы ПЗИ элементов.

1.2.3.Технология изготовления фоточувствительных 1пАб

ПЗИ элементов.

1.2.4.Фотоэлектрические параметры ПЗИ элементов на арсениде индия.

1.2.5. Устройства считывания с МДП фотоприемников для гибридных ИК ФПУ.:.

1.3. Выводы к главе 1.

Глава 2. Анализ системы фотодиод-прямоинжекционое устройство ввода в гибридных многоэлементных ИК ФПУ.

2.1. Математическая модель системы: ИК фотодиод-прямоинжекционное устройство считывания.

2.2. Примеры модельных расчетов системы.

2.3. Моделирование системы фотодиод-прямоинжекционное устройство считывания с использованием экспериментальных ВАХ фотодиодов.

2.4. Оптимизация спектрального диапазона тепловизионных систем на основе Hgi.xCdxTe фотодиодов в длинноволновом диапазоне.

В настоящее время ведутся разработки ИК ФПУ следующего, третьего поколения. К числу приоритетных задач относится совершенствование муль-тиспектральных ИК ФПУ. Регистрация объектов одновременно в нескольких спектральных диапазонах позволит существенно повысить вероятность обнаружения и идентификации объектов, независимо от фоновой обстановки, помех и погодных условий. Значительные усилия направлены на освоение технологий выращивания на кремниевой пластине с изготовленными устройствами считывания эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых материалов, многослойных структур с квантовыми ямами ваАз/АЮаАз, 1п

Аз/Оа1п8Ь, что позволит избежать дорогостоящей операции гибридной сборки.

Многие исследователи подчеркивают, что функциональные возможности, массогабаритные характеристики, энергопотребление и стоимость тепловизи-онных систем третьего поколения главным образом будут определяться кремниевыми системами считывания. Сложность задач, налагаемых на кремниевые устройства, во многом обусловлены низкой контрастностью изображения в ИК диапазоне. Так в спектральном диапазоне 8-14 мкм контрастность изображения при комнатной температуре фона составляет всего -0.1% при разности температур сцены ~ 1 К. Неоднородность параметров многоэлементных ИК фотоприемников, передаточных характеристик многоканальных устройств считывания приводит к значительно большему, по сравнению с информационными компонентами разбросу сигналов. Повышаются, по сравнению с ФПУ видимого диапазона, требования к временной стабильности всех компонент ИК ФПУ. Поэтому необходима предварительная, предпроцессорная обработка фотосигналов (формирование ИК видеосигналов) и периодическая калибровка фотосигналов по эталонному источнику ИК излучения. Системы формирования ИК видеосигналов, калибровки, охлаждения фоточувствительного модуля ИК ФПУ до криогенных температур во многом определяют массогабаритные характеристики, потребляемую мощность и стоимость тепловизионных систем.

Выделим ряд нерешенных проблем многоэлементных ИК ФПУ.

1. Современные кремниевые устройства считывания обеспечивают не только считывание сигналов с многоэлементных ИК фотоприемников и их передачу на ограниченное количество внешних выходов, но и решают все более широкий круг задач. Уже сейчас становится стандартной структура устройства считывания с «командным» регистром, обеспечивающая возможность оперативно изменять режимы работы ИК ФПУ, такие как выбор произвольного окна - «оконный режим», изменение времени накопления, кадровой частоты. Для многоэлементных ИК ФПУ, также как и для любых развивающихся функциональных устройств, после достижения определенного уровня (второе поколение ИК ФПУ), основной задачей становится создание интегрированных функционально полных систем. Для ИК ФПУ понятие функционально полной системы включает формирование ИК видеосигналов и решение части задач по обработке сигналов, таких как распознавание образов и т. д. В тепловизион-ных системах третьего поколения эти задачи должны решаться кремниевыми устройствами (системами), интегрированными с устройствами считывания в фокальной плоскости ИК ФПУ. Разработка системных и схемотехнических решений обработки в режиме реального времени огромных массивов информации с многоэлементных ИК фотоприемников является самостоятельным, научно - техническим направлением.

Попытки создать устройства начальной предпроцессорной обработки сигналов, интегрированных с устройствами считывания, начались практически одновременно с разработкой многоэлементных ИК ФПУ, однако решить эти проблемы не удалось и, до сих пор, формирование ИК видеосигналов и* начальная обработка видеоизображений осуществляется во внешних устройствах вне фокальной плоскости ИК ФПУ.

2. В важнейшем для ИК ФПУ спектральном диапазоне 8-14 мкм преимущественно применяются устройства ввода с прямой инжекцией заряда (ПИ). Однако анализ этой системы до наших работ ограничивался качественными оценками, не позволяющие выявить основные факторы, лимитирующие параметры ИК ФПУ на их основе. Одной из немногих, нерешенных проблем матричных ИК ФПУ второго поколения является ограничения зарядовой емкости устройств считывания [4]. Зарядовая емкость существующих устройств считывания позволяет использовать всего несколько процентов от информационного сигнала и, поэтому, температурное разрешение тепловизионных систем (NETD) более чем на порядок величины хуже теоретического предела.

3. В 70-80 годах XX века интенсивно велись исследования МДП структур на узкозонных полупроводниковых материалах. Интерес к МДП структурам объяснялся стремлением разработать многоэлементные ИК ФПУ на приборах с зарядовой связью (ПЗС), приборах с инжекцией заряда (ПЗИ), аналогичные кремниевым многоэлементным ФПУ видимого диапазона [3]. Позднее, с освоением гибридной сборки на индиевых микростолбах, основные усилия были направлены на реализацию на основе ИК фотодиодов гибридных ИК ФПУ. В ИФП им. A.B. Ржанова СО РАН продолжались комплексные работы по исследованию InAs МДП структур и, на их основе удалось реализовать гибридные многоэлементные ИК ФПУ.

Еще в 80 годы проблемы связанные с разработкой кремниевых систем считывания оценены следующим образом: "Съем и параллельная обработка одновременно генерируемых фотодетекторами сигналов является главной трудностью реализации больших мозаик фото датчиков" [5]. Эта оценка роли устройств считывания остается справедливой и в настоящее время [6] и подчеркивает актуальность решаемых в диссертационной работе задач.

Целью диссертационной работы является разработка структурных и схемотехнических решений построения устройств (систем) считывания, решающих ключевые проблемы развития многоэлементных ИК ФПУ третьего поколения.

Поставленная цель предусматривает решение следующих основных задач:

- разработка структурных и схемотехнических принципов построения многоканальных устройств (систем) интегрированных с устройствами считывания и позволяющих формировать ИК видеосигналы, обрабатывать видеоизображения в фокальной плоскости ФПУ;

- улучшение температурного разрешения тепловизионных систем в спектральном диапазоне 8-14 мкм. Для этого необходимо разработать математические модели и методики анализа основной для многоэлементных ИК ФПУ длинноволнового диапазона системы считывания: фотодиод - устройство считывания с прямой инжекцией заряда. Найти схемотехнические решения позволяющие увеличить зарядовую емкость устройств считывания не менее чем в 610 раз по сравнению с зарядовой емкостью существующих устройств считывания. Такие устройства считывания позволят полнее использовать падающую на фотоприемники в длинноволновом диапазоне оптическую информацию и в корень квадратный из отношения зарядовых емкостей улучшить №ЛХ) тепловизионных систем в спектральном диапазоне 8-14 мкм;

- разработка устройств считывания для многоэлементных гибридных ИК ФПУ на основе ПЗИ элементов, позволяющих создавать многоэлементные ИК ФПУ на основе 1пА8, 1п8Ь ПЗИ элементов. Реализация различных тепловизионных систем на основе ПЗИ элементов с предельной чувствительностью, близкой к режиму ограничения флуктуациями фонового излучения (на уровне лучших мировых аналогов).

Объекты и методы исследования. Основным объектом исследований являются кремниевые устройства считывания, многоэлементные ИК ФПУ. Математическое моделирование устройств считывания, многоэлементных ИК ФПУ, экспериментальные исследования фотоэлектрических параметров ИК ФПУ.

Научная новизна работы:

1. Разработана математическая модель системы ИК фотодиод - ПИ, в которой расчет величины, шумового заряда 0(0, интегрируемого устройством считывания с помощью функции Макдональда проводится в терминах спектральной плотности 8;(со) [7]. При этом решается самосогласованная задача для тока фотодиода и тока, интегрируемого в устройстве считывания. Модель позволяет проводить полномасштабное численное моделирование системы, формулировать оптимальные требования к конструктивным и электрофизическим параметрам устройств считывания, ИК фотодиодам, необходимые для достижения проектных характеристик.

2. Предложены структурные и схемотехнические решения построения устройств (систем), обеспечивающих формирование ИК видеосигналов и частично процессорную обработку сигналов в фокальной плоскости ИК ФПУ в аналоговой и цифровой форме:

- многоканальных устройств, обеспечивающих вычитание аддитивных неинформационных компонент сигналов, обусловленных неоднородностью фотоэлектрических параметров приемников, передаточных характеристик устройств считывания и повышение контрастности ИК изображения;

- адаптивных устройств предпроцессорной обработки сигналов, обеспечивающих не только вычитание аддитивных, неинформационных компонент сигналов, но и возможность устранения временного дрейфа этих параметров.

3. Предложены схемотехнические решения построения устройств считывания линейчатых и матричных типов для гибридных ИК ФПУ на основе-ПЗИ элементов.

4. Развит метод для определения времени жизни неосновных носителей заряда из анализа временных зависимостей процесса состоящего из инжекции и обратного собирания носителей заряда в инверсионный слой МДП емкости.

Практическая значимость и реализация результатов. Работа выполнялась в соответствии с программой основных научных направлений ИФП СО РАН, пункт 9.1.2. «Исследования фотоэлектрических свойств гетероструктур на основе МЛЭ КРТ, квантово-размерных слоев на основе А3В5, легированных пленок PbSnTe и термоэлектрических свойств оксидов с целью разработки и создания многоэлементных ИК-фотоприемных устройств нового поколения». Основные результаты диссертационной работы получены за период с 1980 по

2008 годы при выполнении НИР, ОКР и изложены в более чем 20 научно-технических отчетах.

Системные и схемотехнические решения для устройств считывания, устройств предпроцессорной обработки фотосигналов, оптимизация топологии фотоприемных элементов и облика ИК ФПУ в целом позволили разработать, спроектировать и изготовить устройства считывания для многоэлементных ИК ФПУ различных форматов и реализовать ряд тепловизионных систем на их основе.

1. Устройство считывания с ПИ для двухмерных ИК ФПУ, отличительной особенностью которого является структура устройств считывания в виде фрагментов 2x2 элемента. Такая организация входных устройств обеспечивает о зарядовую емкость ~ 2-5-10 электронов, что в 6-10 раз больше зарядовой емкости существующих устройств считывания. На его основе создан экспериментальный образец ИК ФПУ формата 128x128

2. Впервые реализовано многоэлементное ИК ФПУ с интегрированными с устройствами считывания устройствами предпроцессорной обработки сигналов обеспечивающие вычитание аддитивных неинформационных компонент фотосигналов. ИК ФПУ с 1п8Ь МДП фотоприемниками имеет обнару-жительную способность близкую к режиму ОФ и создан динамический ИК спектрометр со временем регистрации спектров -100 мкс.

3. Разработано устройство считывания для пеленгации импульсных сигналов. Реализовано ИК ФПУ формата 8x8 элементов и макет лазерного пеленгатора для регистрации времени поступления и координаты отраженных от объекта ИК сигналов.

4. Разработаны схемотехнические решения и созданы опытные образцы адаптивных многовходовых устройств предпроцессорной обработки сигналов в аналоговой и цифровой форме в интегральном исполнении с устройствами считывания. Данные устройства кроме вычитания неинформационных компонент сигналов являются фильтром высоких частот позволяющим регулировать в широких пределах полосу пропускания индивидуально для каждого фотоприемного канала, что позволяет решить проблему временного дрейфа параметров всех компонент ИК ФПУ.

5. Созданы устройства считывания с накоплением фотосигналов в ПЗИ элементе линейчатого формата 2x192, матричных форматов 128x128, 256x256 позволившие:

- реализовать гибридные ИК ФПУ на основе 1пАб ПЗИ элементов форматов 128x128, 256x256 и линейчатых формата 2x192;

- наладить опытное производство тепловизионных и спектрометрических систем различного назначения - тепловизора ТКВр-ИФП "СВИТ", ИК микроскопа, быстродействующего ИК спектрометра Б1М8-384. Основные параметры этих приборов соответствуют или превышают мировой уровень.

В приложении приведены акты об использовании результатов работы, подтверждающие ее практическую значимость. Тепловизор ТКВр-ИФП "СВИТ" применяется в медицинских центрах, поликлиниках, как в России, так и за рубежом. Такими системами на основе 1пАз ПЗИ элементов (тепловизоры, динамические ИК спектрометры, ИК микроскопы) оснащены многие научные учреждения, в том числе ИТ СО РАН, ИЯФ СО РАН, ИТПМ СО РАН, Московский Государственный университет, ИК СО РАН и более 25 других организаций.

На защиту выносятся:

1. Схемотехнические решения, проекты и образцы устройств предпро-цессорной обработки сигналов интегрированные с устройствами считывания, приборы на их основе:

- устройство предпроцессорной обработки фотосигналов формата 1x64 обеспечивающее подавление аддитивный неинформационных компонент сигналов. Это устройство позволило впервые реализовать быстродействующий ИК спектрометр на основе 1п8Ь ПЗИ элементами с временем дискредитации 100 мкс;

- адаптивные устройства предпроцессорной обработки, обеспечивающие формирование ИК видеосигналов в условиях временного изменения (дрейфа) фотоэлектрических параметров фотоприемников, устройств считывания;

- устройство считывания для гибридного модуля формата 8x8. Встроенный в устройство считывания ЯС фильтр с использованием емкости 1пАб ПЗИ фоточувствительного приемника обеспечил регистрацию координаты импульс

17 ных оптических сигналов с пороговой энергией ~ 8-10" Дж/элемент и времени прихода с точностью не хуже 100 не .

2. Математическая модель, методики анализа системы фотодиод-устройство ввода с прямой инжекцией заряда дают возможность проводить численное моделирование многоэлементных ИК ФПУ, определить требования к конструктивным и фотоэлектрическим параметрам системы, необходимые для достижения проектных заданий. Проект и опытный образец устройств считывания с фрагментной организацией формата 2x2 элемента входных устройств с увеличенной зарядовой емкостью.

3. Схемотехнические решения, проекты и промышленные образцы устройств считывания с ПЗИ элементов для многоэлементных ИК ФПУ, в частности:

- устройства считывания для линейчатого гибридного модуля формата 2x192.

- устройства считывания для матричных гибридных модулей форматов 128x128, 256x256, ИК ФПУ различного назначения на их основе;

Все разработанные устройства, способы считывания основаны на оригинальных схемотехнических решениях и защищены 27 Авторскими свидетельствами СССР или патентами РФ.

Апробация работы. Результаты диссертационной работы докладывались: на конференции "Физические проблемы МДП-интегральной электроники" (Севастополь, 1982 г), на межведомственном совещании по проблеме цифровой обработки информации (Москва, НИИ прикладной физики, январь 1985 г.), на "XVII международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения", 27-31 мая 2002 г., Москва, на "XIX международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения", 23-26 мая 2006 г., Москва, на 9 международной конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V», 3-5 октября 2006 г, Томск, на "VIII российской конференции по физике полупроводников", Екатеринбург, 30 сентября -5 октября 2007 г, приглашенные доклады на "XX международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения", 27-30 мая 2008 г., Москва.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 49 работ, включая 18 авторских свидетельств СССР (17 в соавторстве), 9 патентов РФ (3 в соавторстве), 21 статье (16 в соавторстве), опубликованных в ведущих рецензируемых отечественных и международных журналах, в том числе 18 статей в рекомендованных ВАК РФ, в коллективной монографии.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Объем диссертации составляет 295 страниц, включая 143 рисунка, 8 таблиц, список литературы из 339 наименований, приложения.

Основные результаты и выводы, полученные в диссертационной работе.

Проведенные в диссертационной работе исследования позволили решить ряд ключевых проблем стоящих перед разработчиками многоэлементных ИК ФПУ.

1. Предложены системные и схемотехнические решения построения устройств предпроцессорной обработки сигналов интегрированных с устройствами считывания и обеспечивающие решение задач формирования ИК видеосигналов и обработки видеоизображений в фокальной плоскости многоэлементных ИК ФПУ:

- вычитание постоянных во времени, неинформационных компонент сигналов индивидуально для каждого фотоприемного канала. Спроектировано и изготовлено 64-х входовое устройстве считывания, 64-х элементное ИК ФПУ с 1п8Ь ПЗИ фотоприемниками с обнаружительной способностью в режиме ОФ. Предпроцессорная обработка сигналов позволила впервые реализовать динамический ИК спектрометр со временем регистрации спектров меньше 100 мкс;

- построение адаптивных устройств предпроцессорной обработки сигналов в аналоговой и цифровой форме для линейчатых и матричных ИК ФПУ. Показано, что предложенные устройства обеспечат формирование ИК видеосигналов в условиях временных изменений (дрейфа) фотоэлектрических параметров всех компонент ИК ФПУ. Результаты экспериментального обследования устройств предпроцессорной обработки сигналов подтверждают возможность реализации ИК ФПУ на их основе с чувствительностью близкой к чувствительности в режиме ОФ;

- регистрацию импульсных оптических сигналов. Разработано устройство считывания с встроенным ЯС фильтром в каждой ячейке входных устройств и ИК ФПУ форматом 8x8 элементов. Создан макет пеленгатора обеспечивающего определение координаты импульсного оптического сигнала с пороговой энергией -8-10" Дж/элемент и времени прихода с точностью не хуже 100 не. Эти параметры достигаются в условиях, когда энергия фонового излучения падающая на ПЗИ фотоприемник за время цикла считывания, на два-три порядка превышает энергию импульсного оптического сигнала.

Эти результаты вносят существенный вклад в развитие нового научно-технического направления — специализированных процессоров для считывания и обработки фотосигналов с многоэлементных ИК фотоприемников в фокальной плоскости многоэлементных ИК ФПУ.

2. Разработана математическая модель, программа и методика анализа системы ИК фотодиод - устройство считывания с прямой инжекцией заряда. Основные параметры многоэлементных ИК ФПУ и тепловизионных систем получены в зависимости от напряжения смещения на входном затворе устройства считывания. Это дает возможность сравнивать расчетные зависимости с экспериментальными результатами исследования ИК ФПУ, формулировать технические требования к фотоэлектрическим и конструктивным параметрам фотодиодов и устройствам считывания необходимые для реализации проектных параметров многоэлементных ИК ФПУ.

3. Предложено и показано, что организация матрицы устройств ввода из фрагментов 2x2, обеспечивает увеличение зарядовой емкости устройств считывания в 6-10 раз. Это позволяет увеличить время накопления фотосигналов и, соответственно, пропорционально корню квадратному из времени накопления повысить температурное разрешение тепловизионных систем в спектральном диапазоне 8-14 мкм. Данная структура устройств считывания дополнительно обеспечивает преимущества при реализации интегрированных с устройствами считывания устройств предпроцессорной и процессорной обработки фотосигналов, так как их можно размещать с двойным шагом относительно шага фоточувствительных ячеек, а их количество в два раза меньше.

Математическая модель и предложенная фрагментарная организация матрицы устройств считывания способствует решению одной из важнейшей проблемы многоэлементных ИК ФПУ - улучшение температурного разрешения тепловизионных систем в спектральном диапазоне 8-14 мкм.

4. Разработан проект устройства считывания для ИК ФПУ с режимом ВЗН. Предложенное схемотехническое решение обеспечивает возможность реализации ИК ФПУ с произвольным количеством ВЗН каскадов. Важным преимуществом предлагаемой схемы устройства является то, что, принципиальная схема и топологическая реализация основных узлов не зависит от числа ВЗН каскадов, меняется только их количество. Интегрирующая емкость устройства имеет соединение только с одним входным МДП транзистором, что минимизирует уровень шума устройств ввода, коммутационные шумы и, следовательно, позволяет повысить чувствительность ИК ФПУ на его основе.

5. Развит метод определения времени жизни неосновных носителей заряда из анализа временных зависимостей процесса, состоящего из инжекции и обратного собирания неосновных носителей заряда в инверсионный слой МДП емкости в режиме неравновесного обеднения. Показано, что временные характеристики данного процесса слабо зависят от типа проводимости, степени легирования, и толщины подзатворного диэлектрика.

6. Разработаны схемотехнические принципы построения устройств считывания для многоэлементных гибридных ИК ФПУ на основе ПЗИ элементов. Показано, что в коротковолновом ИК диапазоне до 3-3.5 мкм гибридные ИК ФПУ на основе ПЗИ элементов не только не уступают, но имеют ряд преимуществ перед гибридными ИК ФПУ на основе фотодиодов. Совместная разработка и оптимизация топологии фотоприемных элементов, схемотехнических решений построения устройств считывания и облика ИК ФПУ в целом позволили реализовать ИК ФПУ на основе 1пАз, 1п8Ь ПЗИ элементов различных форматов 8x8, 128x128, 256x256. 2x192 элементов с параметрами близкими к теоретическому пределу. На основе этих ИК ФПУ в ИФП СО РАН выпускается ряд тепловизионных систем: - тепловизор ТКВр-ИФП "СВИТ", ИК тепловизионный микроскоп, динамический ИК спектрометр DIMS-384, с параметрами на уровне или выше известных нам аналогов.

Новизна предложенных решений подтверждается 27 A.c. СССР или патентами РФ.

Заключение

1. Рогальский А. Инфракрасные детекторы. Новосибирск: Наука - 2003-635с.

2. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. // Под редакцией В.Н. Овсюк, Г.Л. Курышев, Ю.Г. Сидоров и другие Новосибирск -Наука-2001 -375с.

3. Приборы с зарядовой связью. // Под ред. Д.Ф. Барба М.:Мир - 1982 - 240 с.

4. Таубкин И.И. Предельные чувствительность и информативность тепловизоров и других оптико-электронных преобразователей изображения./ И.И. Таубкин, М.А. Тришенков // Оптический журнал 1996 - №6 - С. 18-41.

5. Мозаичные ИК датчики. // Радиоэлектроника за рубежом— 1985 В.5 - С.1-11.

6. Chen L. Overview of advances in high performance ROIC designs for use with IR FPAs / L. Chen, M. Hewitt, D. Gulbransen, et al. // Proc. SPIE "Infrared detectors and Focal plane arrays VI" 1998 - №4028 - P. 47-57.

7. Букингем M. Шумы в электронных приборах и системах //М.:Мир-1986-339с.

8. Хадсон Р. Инфракрасные системы. // М.: Мир 1972 -535 с.

9. Rogalski A. Infrared detectors: an overview. // Infrared Physics & technology, 2002 43, P.187-210.

10. Пономаренко В.П. Инфракрасная техника и электронная оптика / В.П. По-номаренко, A.M. Филачев // М.: Физматкнига 2006.

11. Равич Ю.И. Методы исследования полупроводников в применении к халь-когенидам свинца PbTe, PbSe и PbS / Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов // М.: Наука 1969.

12. Сизов Ф.Ф. Твердые растворы халькогенидов свинца и олова и фотоприемники на их основе. // Зарубежная электронная техника 1977 - Т.24 - 170с.

13. Johnson Т.Н. Lead salt detectors and arrays PbS and PbSe. // Proc. SPIE 1984 -N443 - P.60-94.

14. Буткевич В. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца / В. Буткевич, В. Бочков, Е. Глобус // Прикладная физика 2001, №6 - С. 66-112.

15. Маделунг О. // Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир - 1967 - 477 с.

16. Несмелова И.М. // Оптические свойства узкощелевых полупроводников.-Новосибирск Наука - 1992, 157 с.

17. Lawson W. Preparation and properties of HgTe-CdTe / W. Lawson, S. Nielsen, E. Putley, and A. Young // J.Phys.Chem.Solids 1959 - V.9 - P.325-329.

18. Бовина JI.А., Стафеев В.И. Узкозонные твердые растворы (CdHg)Te. Физика соеднении АПВ1У.// Под редакцией Ф.Н.Георгобиани, М.К. Шейнкмана. М.: Наука - 1986, С.246-320.

19. Rogalski A. New ternary alloy systems for infrared detectors. // SPIE optical engineering press Bellingham - 1994.

20. Kennedy C., Linden K., Soderman D. High performance 8-14 pm Pbi.xSnxTe photodiodes. Высококачественные приемники излучения на основе Pbi xSnxTe для области спектра 8-14 мкм. // ТИИЭР 1975 - Т.63 - №1 - С. 31-37.

21. Shepherd F. Silicon Schottky retinas for infrared imaging /F. Shepherd, A. Yang // Tech. Digest of IEDM- 1973 P. 310-313.

22. Shepherd F. Schottky diode based infrared sensors // Proc. SPIE 1984 - №443, P.42-49.

23. Аигина H. Многоэлементные приемники ИК излучения на диодах с барьером Шоттки / Н. Аигина, П. Богомолов, В. Сидоров, В. Шумский // Зарубежная электронная техника 1986 - №5, С. 3-38.

24. Sclar N. Development status of silicon extrinsic IR detectors // Proc. SPIE 1983 - № 409 - P.53-61.

25. Haller E. Advanced far-infrared detectors // Infrared Physics & technology -1994 V.35 - P.127-146.

26. Boyle W. Charge coupled semiconductor devices / W. Boyle, G. Smith G. // Bell System Tech. J. 1970 - V.49 - P.587-593.

27. Bar Imaging devices using the charge-coupled concept. // Proc. of IEEE, 1975. v. 63, p.38. Перевод. Применение приборов с зарядовой связью для регистрации ИК-сигналов и формирования изображения. // ТИИЭР — 1975 Т. 63 -№ 1 - С. 45.

28. Steckl A .J., Nelson R.D., French В.Т., Gudmundsen R.A., Schechter D. // Proc. of IEEE, 1975, v. 63, p.67. Перевод. Применение приборов с зарядовой связью для регистрации ИК-сигналов и формирования изображения. // ТИИЭР 1975 -Т. 63 - № 1 - С. 79.

29. Corsi С. Infrared detector arrays by new technologies. Перевод. Новая технология изготовления приемников ИК излучения. // ТИИЭР 1975 - Т. 63 - № 1 -С. 17-30.

30. Eden R. Heterojunction III-V alloy photodetectors for high -sensitivity 1. 06 pm optical receivers. Перевод. Фотодиоды с гетеропереходом на сплаве соединений типа АШВУ для высокочувствительных 1.06 мкм приемников. // ТИИЭР-1975 -Т. 63-№ 1-С. 38-44.

31. Курбатов JI.H. Основные направления разработок фотоприемников и фотоприемных устройств. //Прикладная физика — 1999 №3 - С. 5-18.

32. Ponomarenko V. Photoelectronics for a new generation of electron-optical equipment / V. Ponomarenko and A. Filachev // Proc. SPIE "Photoelectronics and Night Vision Devices" 2005 - №5126 - P. 1-12.

33. Филачев А. Инфракрасные матрицы и тенденции их развития / А. Филачев,

34. B. Пономаренко, И. Таубкин, М. Ушакова // Прикладная физика 2003 №11. C.105.

35. Flannery R. Status of uncooled infrared imagers / R. Flannery, J. Miller // Proc. SPIE 1992 - № 1689 - P. 379-395.

36. Wood R. Uncooled thermal imaging with monolithic silicon focal planes // Proc. SPIE 1993 - № 2020 - P. 322-329.

37. Dem'yanenko М. Uncooled 160x120 microbolometer IR FPA based on sol-gel VOx / M. Dem'yanenko, B. Fomin, V. Ovsyuk, I. Marchishin, I. Parm, L. Va-sil'ieva, V. Shashkin // Proc. SPIE "Infrared Photoelectronics 2005 - N.5957, P.340.

38. Mottin E. Uncooled amorphous silicon technology enhancement for 25pm pixel pitch achievement / E. Mottin, A. Bain, J. Martin, et al. // Proc. SPIE 2002 - № 4820 - P.200-207.

39. Murphy D. 640x512-17 pm microbolometer FPA and sensor development / Murphy D., Ray M., Wyles J., et al. // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXIII 2007 - № 6542, 65421Z.

40. Amantea R. An uncooled IR imager with 5 mK NEDT / R. Amantea, C. Knoed-ler, F. Pantuso, et al. // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXIII" 1997-№3061 -P.210-221.

41. Базовкин B.M. Устройство регистрации теплового излучения / В.М. Базов-кин, Г.Л.Курышев // Патент №2148802 приоритет от 27.01.1999.

42. Norton P. Micro-optomechanical infrared receiver with optical readout -MIRROR / P. Norton, M. Mao, Y. Zhao et al. // Proc. SPIE 2000 №4028 - P.72-78.

43. Zhao Y. Characterization and performance of optomechanical uncooled infrared imaging system. Y. Zhao, J. Choi, R. Horowitz, et al. // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXVIII" 2003 - № 4820 - P. 164-174.

44. Федоринин B.H. Микрооптоэлектро-механические системы для приемников инфракрасного диапазона волн. // Нано и микросистемная техника - 2005 -№1 - С.11-13.

45. Liu Н. Novel and simply producible large-area focal plane infrared imagine device based on quantum wells / H. Liu, L. Allard, M. Buchanan // Proc. SPIE -1997-V.3061 -P.256.

46. Gunapala S. Applications of long-wavelength 256x256 quantum well infrared photodetector (QWIP) handheld camera / S. Gunapala, T. Krabach, S. Bandara et al. // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXIII" 1997 - N. 3061 - P. 292-299.

47. Das N. Fabrication and evaluation of 11.2- and 16.2-pm cutoff C-QWIP arrays / N. Das, K. Choi, A. Goldberg, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXV" 1999 -N. 3698 - P.698-705.

48. Gunapala S. QWIP technology for both military and civilian applications / S. Gunapala, C. Kukkonen, M. Sirangelo, et al. // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXVII" 2001 - N. 4369 - P.498-505.

49. Gunapala S. Mid-wavelength infrared 1024x1024 pixel QWIP focal plane array/ S. Gunapala S. Bandara, . Liu, et al. // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXX 2004 - N. 5406 - P.600-604.

50. Jhabvala M. Development of a 1 megapixel long IR QWIP focal plane array / M. Jhabvala, K. Choi, C. Monroy, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXIII 2007 - N. 6542 0T.

51. Rehm R. InAs/GaSb superlattice focal plane arrays for high-resolution thermal imaging / R. Rehm, M. Walther, J. Schmitz, et al // Proc. SPIE "Infrared Photoe-lectronics" 2005 -N. 5957 - 595707.

52. Razeghi M. High performance Typell InAs/GaSb superlattices for mid, long, and very long wavelength infrared focal plane arrays / M. Razeghi, Y. Wei, A. Gin, etal // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXI 2005 - N. 5783 -P.86-97.

53. Rogalski A. InAs/GalnSb superlatties as a promising material system for third generation infrared detectors / A. Rogalski, P.Martyniuk // Infrared physics -2006 V.48 - N1 - P.39-52.

54. Towe E. The promise of quantum-dot infrared photodetectors / E. Towe, D. Pal // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXII" 2006 - N. 6206 OK.

55. Gunapala S. D. Quantum wells to quantum dots: 640x512 pixels Long-Wavelength Infrared (LWIR) / S. D. Gunapala, S. V. Bandara, C. J. Hill, et al // Proc. SPIE "Infrared and Photoelectronucs Image and Detector Devices VIII"-2006-№6295 01.

56. Ryzhii V. Quantum well and quantum dot infrared photodetectors: Physics of operation and modeling / V. Ryzhii, M. Ryzhii, I. Khmurova et al // Proc. SPIE "Photoelectronics and Night Vosion Devices" 2005 - №5126 - P. 129-140.

57. Krishna S. Quantum dots in a well infrared photodetectors. // Infrared physics -2006 V.47, N1-2, P.153-163.

58. Селяков А. ИК-матрицы с большим временем накопления фотосигнала на основе трапецеидальных d-легированных сверхрешеток с собственным по-глощениием излучения. // Прикладная физика 2002 - №4 - С. 118-133.

59. Kosonosky W. Review of Schottky-barrier imager technology. 11 Proc. SPIE -1990-№1308 -P. 2-26.

60. Yanagisawa K. Evalution of the 1040x1040 PtSi CSD for astronomical use / K. Yanagisawa and N. Itoh // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXII 1996 - N. 2744 - P.92-103.

61. Shoda M. Construction and performance of an 811 x 508 element multiwave-length PtSi IR CCD imager / M. Shoda, H. Yamada, H. Yamanaka, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXIV 1998 - N. 3436, P. 184193.

62. Blocked Impurity band detectors, U.S. patent № 4,586,960 Oct.23, 1980.

63. Stetson S. / D. Reynolds, M. Stapelbroek., R. Stermer // Proc. SPIE 1986 - 686 -P.48.

64. Есаев Д.Г. Глава 5, Фотоприемники с блокированной прыжковой проводимостью. // Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона / Д.Г. Есаев, С.П. Синица, А.А. Французов // Новосибирск: Наука 2001, С. 265-307.

65. Love P. lKxlK Si: As IBC detector arrays for JWST MIRI and other applications / P. Love, A. Hoffman, N. Lum, et al // Proc. SPIE "Optical and infrared Detectors for Astronomy" 2004 -N. 5499, P.86-96.

66. Акимов А.Н. Матричные фотоприемные устройства субмилиметровыого диапазона на основе пленок PbSnTe:In / А.Н. Акимов, А.Э. Климов, В.Н.Шумский, A.JI. Асеев // Автометрия 2007 - №4 - С.63-73.

67. Miller L. F. Controlled Collapse Chip Joining. // IBM Journal of Research and Development 1963 - V.13.

68. Tracy J. Method of fabricating arrays of flexible metallic interconnects components. // USA patent N 4.067.104 1978.

69. Martin Т. A 640x512 InGaAs camera for range-gated and staring applications / T. Martin, R. Brubaker, V. Burzi, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXII 2006 - N. 6206 - 6206-09.

70. Hoffman A. Megapixel InGaAs arrays for low background applications / A.Hoffman, T. Sessler, J. Rosbeck, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXI" 2005 -N. 5783 - P.32-38.

71. Акимов В. Матричное фотоприемное устройство на основе InSb форматом 128x128 элементов / В.Акимов, В.Васильков, И. Касаткин и др. // Прикладная физика 1999№3 - С. 46-47.

72. Akimov V. 128x128 and 288x384 array photodetective assemblies for 3-5 pm spectral range / V. Akimov, V. Cishko, A. Dirochka, et al // Proc. SPIE, "Photoe-lectronics and night vision devices" 2002 - V.5126 - P.91-97.

73. Rawe R. Advanced large-format InSb IR FPA maturation at CMC Electronics / R. Rawe, A. Timlin., M. Davis, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXX" -2004 -N. 5406 P.152-162.

74. Hoffman A. 2Kx2K InSb for astronomy / A. Hoffman, E. Corrales, P. Love, et al // Proc. SPIE "Optical and infrared Detectors for Astronomy" 2004 - N. 5499 -P.59-67.

75. Bailey R. 256x256 hybrid HgCdTe infrared focal plane arrays / R. Bailey, L. Koz-lowski, J. Chen, et al // IEEE Trans. Electron Devices 1991 - V.38, №5, P. 11041109.

76. Audebert P. 640x480 MCT 3-5 pm snapshot focal plane array / P. Audebert, D. Giotta, E. Mottin, et al // Proc. SPIE 1998 -N.3379 - P.577-585.

77. Destefanis G. Recent developments of high-complexity HgCdTe focal plane arrays at Leti infrared laboratory / G. Destefanis, A. Astier, J. Baylet et al // Journal of electronic materials 2003 - V.32 - N.7- P.592-601.

78. Ziegler J. Long linear HgCdTe arrays with superior temperature-cycling-reliability / J.Ziegler, M. Finck, R. Kruger et al // Proc. SPIE "Infrared detectors and Focal plane arrays VI" 2000 - N.4028 - P.380-389.

79. Destefanis G. Advanced MCT technologies in France / G. Destefanis, P. Tribolet // Proc. SPIE 2007 - N. 6542 - 6542-OD.

80. Boltar K. 384x288 MCT LWIR FPA / K. Boltar, I. Burlakov, S. Golovin, et al // Proc. SPIE, "Infrared photoelectronics" 2005 - № 5957 - 5957-OH.

81. Васильев В. Матричный фотоприемник на основе варизонного изотопного р-р -перехода в слоях КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / В. Васильев, С.Дворецкий, В. Варавин и другие // Автометрия — 2007- №4 -С. 17-24.

82. Sarusi G. TADIR: a second-generation 480x4 TDI FLIR. // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXIII" 1997 -N. 3061 - C.673-680.

83. Derkach Yu. 4x288 linear FPA on the heteroepitaxial HgCdTe base / Derkach Yu., Dvoretski C., Golenkov A., et al. // Proc. SPIE "17th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices" 2002 - №5126 - P. 98-104.

84. Vural K. 2048x2048 HgCdTe focal plane arrays for astronomy applications / K. Vural, L. Kozlowski, D. Cooper, et al // Proc. SPIE 1999 - V.3698, P. 71-82.

85. Иваницкий Г.Р. Тепловидение в медицине. // Вестник Российской Академии наук 2006 - Т. 76, №1, С.48-62.

86. Филачев A.M. Твердотельная фотоэлектроника / A.M. Филачев, И.И. Тауб-кин, М.А. Тришенков // М.: Физматкнига 2005.

87. Rogalski A. Competitive technologies for third generation infrared photon detectors. // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXII" -2006 - N. 6206 - 6206-0S.

88. Zannata J. Single and two-color infrared focal plane arrays made by MBE in HgCdTe / J.Zannata, G. Destefanis, P.Ferret, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXVI" 2000 -N. 4130 - P. 174-183.

89. Cabanski W. Broadband and dual-color high-speed MCT MWIR modules / W. Cabanski, R. Breiter, K. Mauk, et al // Proc. SPIE "Infrared detectors and Focal plane arrays VII" 2002 -N.4721 - P. 174-183.

90. Giess J. Dual-waveband infrared focal plane array using MCT grown by MOVPE on silicon substrates / J.Giess, M.Glover, N.Gordon, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXI 2005 - N. 5783 - P.316-324.

91. Destefanis G. Bi-color and dual-band HgCdTe infrared focal plane arrays at DEFIR / G.Destefanis, P.Ballet, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXII 2006 - N. 6206 - 6206-0R.

92. Miinzberg M. Multispectral IR detection modules and applications / M.Miinzberg, R. Breiter, W. Cabanski, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXII 2006 - N. 6206 - 620627.

93. Gunapala S. Toward dual band megapixel QWIP focal plane arrays / S. Gunapala, S. Bandara, J. Liu, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXIII 2007 - N. 6542 - 65420W.

94. Tang S. Dual-band infrared imaging analyses for 256 x 256 InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector focal plane array / S. Tang, C. Lee, C. Shih, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXIII N. 6542 - 6542-OP.

95. Norton P. Third- generation infrared imagers / P. Norton, I. Campbell, S. Horn, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXVI" 2000 - N. 4130, P.226-236.

96. Kozlowski L. Progress forward high-performance infrared imaging systems on chip / L. Kozlowski, K. Vural, W. Tennant, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXVI"- 2000 -N. 4130 P.245-253.

97. Caulfield J., Fletcher C., Graham R., et al. Advanced IR FPAs for next-generation sensors / J. Caulfield, C. Fletcher, R. Graham, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXX" 2004 - N. 5406 - P. 178-183.

98. Волков В.Г. Тепловизионные приборы нового поколения / В.Г. Волков,

99. A.В Ковалев, В.Г Федчишин // Специальная техника. http://st.ess.ru/publications/ 6 2001/volkov/ volkov/htm.

100. King D. Third-generation 1280x720 FPA development status at Raytheon Vision Systems / D. King, W. Radford, et al. // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXII 2006 - N. 6206 - 62060W.

101. Cairns J. Integrated infrared detectors and circuits / J. Cairns, L. Buckle, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXII 2006 - N. 6206 -620614.

102. Крискунов ji.3. Инфракрасные системы / JI.3. Крискунов, И.Ф. Усольцев // М.: Советское радио 1968.

103. Шоль Ж. Приемники инфракрасного излучения / ж. Шоль, М. Марфан, М. Мюнш, П. Торель, П. Комбет // М.: Мир 1969.

104. Козелкин В. Основы инфракрасной техники / В. Козелкин, И. Усольцев // М.: Машиностроение 1974 - 336 С.

105. Сафронов Ю.П. Инфракрасная техника и космос / Ю.П. Сафронов, Ю.Г. Андрианов // М.: Советское радио 1978.

106. Мирошников М.М. Теоретические основы оптико-электронных приборов // JL: Издательство "Машиностроение" 1983.

107. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов. Под редакции Киеса Р. Дж. // М.: Издательство "Радио и связь" - 1985 - 323 с.

108. Богомолов П.А. Приемные устройства ИК-систем / П.А.Богомолов,

109. B.И.Сидоров, И.Ф. Усольцев // Издательство "Радио и связь"- 1987 207 С.

110. Тришенков М.А. Фотоприемные устройства и ПЗС. // М: Радио и связь -1992.

111. Van Hoof С. Hybrid and monolithic infrared detector arrays / C. Van Hoof, C.L. Zimmerman, J. John, et al // Proc. SPIE 2001 - V.4355 - P. 23-30.

112. Foote M. Temperature stabilization requirements for uncooled thermal detectors. // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXV" 1999 - N. 3698 -P.344-350.

113. Аракелов Г. Состояние работ и перспективы развития термоэлектрического охлаждения для фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения. // Прикладная физика 2002 - № 6 - С. 78-85.

114. Hishinuma Y. Vacuum thermonic refrigeration with a semiconductor heterojuc-tion / Y. Hishinuma, B. Moyzhes, T. Geballe // Applied physics letters 2002 -V.81 - N/22 - P.4242-4244.

115. Chen L. Advanced FPAs for multiple applications. // Proc. SPIE "Infrared detectors and Focal plane arrays VII" 2002 - N.4721 - P. 1-15.

116. Fossum E. CMOS image sensor: Electronic camera -on-a-chip // IEEE Transaction on Electron Devices 1997 - V. ED-44 - N.10- P. 1689-1698.

117. Orias G. 58x62 indium antimonide focal plane array for infrared astronomy / G. Orias, A. Hoffman and M. Gasselman // Proc. SPIE 1986 - V.627 - P.6552-6561.

118. Wong Y. Technology and device scaling considerations for CMOS imagers // IEEE Transaction on Electron Devices 1996 - V. ED-43 - N.12, - P.2131-2142.

119. Kozlowski L. Attainment of high D* at room temperature via gate- modulated detector interface / L. Kozlowski, K. Vural et al // Proc. SPIE, "Infrared readout electronics III" 1996 - V.2745 - P.40-49.

120. Hewitt M. Infrared readout electronics: a historical perspective / M. Hewitt, J. Vampola, S. Black, et a. // SPIE 1994 - V.2226 - P.108-119.

121. Goodnough M. A fexible 640x512 InSb FPA architecture / M. Goodnough, L. Hahn, R. Jones, at al // SPIE 1997 - V.3061 - P.140-150,.

122. Сизов Ф.Ф. Фотоэлектроника для систем видения в "невидимых" участках спектра// Киев: Академпериодика 2008.

123. Mottin E. An improved architecture of IR FPA readout circuits / E. Mottin, P. Pantigny, R. Boch // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXIII -1997 -N. 3061-P. 117-126.

124. Fossum E.R. Infrared readout electronics for space-science sensor: state of the art and future direction / E.R. Fossum, B. Pain // SPIE 1993 - V.2020 - P.262-285.

125. Pain B. Design and operation of self-gain amplifier arrays for photon-counting sensors / B. Pain, E.R. Fossum. // SPIE 1996 - V.2745 - P.69-77.

126. Крымский А. И. Компенсационный метод считывания с KPT фотодиодов дальнего ИК-диапазона на основе динамического токового зеркала / А. И. Крымский, И.В. Марчишин, К.В. Феклистов, Е.И. Черепов // Автометрия -1996-№4-С. 89-99.

127. Крымский А. И. Особенности проектирования и некоторые реализации кремниевых мультиплексоров для линеек ИК-фотодиодов / А. И. Крымский, Б.И. Фомин, Е.И. Черепов // Автометрия 1994 - №2 - С. 79-92.

128. FingerG. Performance of large format HgCdTe and InSb arrays for low background applications / G. Finger, H. Mehrgan, M. Meyer et al // European Southern Observatory Karl Schwarzschild Str. 2, 85748 Garching b. München, Germany.

129. Kozlowski L. 128x128 PACE-I HgCdTe hybrid FPAs for thermoelectrically cooled applications / L. Kozlowski, S. Johnston, W. Mc Levige et al. // Proc. SPIE 1992 - N. 1685 - P.193-204.

130. Kosonosky W. Low-bias CTIA multiplexer for 1024-element InGaAs line sensor / W. Kosonosky, W. Kleinhans, С. Lau // Proc. SPIE "Infrared readout electronics II" 1994 - Y.2226 - P.l52-171.

131. Kozlowski L. Low-noise capacitive transimpedance amplifier performance versus alternative IR detector interface schemes in submicron CMOS. // Proc. SPIE "Infrared Readout electronics III" 1996 - № 2745

132. Manissadjian A. Short wave infrared detector trade-offs and applications /

133. A.Manissadjian, P.Tribolet, P. Chorier, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXVIH" 2003 -N. 4820 - P.446-452.

134. Steckl A. Theoretical analysis of directly coupled 8-12 pm hybrid IR CCD serial scanning / A. Steckl and T. Koehler // Proc. Int. Conf. Application of CCD's -1973 -P.247-258.

135. Steckl A. Infrared charge coupled devices // Infrared Physics 1976 - V. 16 - P. 65.

136. Iwasa S. Direct coupling of five-micrometer (HgCd)Te photovoltaic detector and CCD multiplexer // Optical engineering 1977 - V. 16 - N.3 - P. 233-236.

137. Longo J.T. Infrared focal plane in intrinsic semiconductors / J.T. Longo, D.T. Cheung, A.M. Andrews, et al // IEEE J. Solid State Circuits 1978 - VI. SC-13 -N.l - P.139-157.

138. Felix P. CCD readout of infrared hybrid focal plane arrays / P. Felix, M. Moulin,

139. B. Munier, et al // IEEE Transaction on Electron Devices 1980 - V. ED-27 -No.l - P.175-188.

140. Takigawa H. Hybrid IR CCD Imaging Arrays / H. Takigawa, M. Dohi, and R. Ueda// IEEE Trans. Elect. Dev. 1980 - V. ED-27, No.l -P.146-150.

141. Jian Y.X. The injection efficiency of direct injection infrared charge-coupled devices. // Infrared Physics 1981. V.21 - P53-54.

142. Зи С. Физика полупроводниковых приборов /7М.: Мир 1984.

143. Buss D. kTC noise on direct injection from IR diodes. / D. Buss, R. Kansy, J. Barton // IEEE Trans. Electron Devices 1980 - ED-27 - N.5 - P. 998-1000.

144. Tobin S. 1/f noise in (Hg, Cd)Te photodiodes / Tobin S., Iwasa S., Tredwell Т. // IEEE Trans. Electron Devices 1980 - ED-27 - P. 43-48.

145. Gopal V. Spatial noise limited NETD performance of a HgCdTe hybrid focal plane array. // Infrared physics and technology 1996 - V.37 - P.313-320.

146. Козлов А. Кремниевые мультиплексоры 1x576 для ИК фотодиодов на основе соединений кадмий-ртуть-теллур / А. Козлов, И. Марчишин, В. Ов-сюк. // Микроэлектроника 2008 - Т. 37 - №4 - С.278-286.

147. Bluzer N. Buffered direct injection of photocurrents into charge-coupled devices / N. Bluzer and R. Stehlik // IEEE Trans. Electron Devices 1978 - V.ED-25, N.2 P. 160.

148. Bluzer N. Current readout of infrared detectors / N. Bluzer, A. Jensen // Optical engineering 1987 - V. 28 - N.3- P.241.

149. Blessinger M. Buffered direct injection multiplexer for improved uniformity and yield in infrared cameras. // Proc. SPIE 1994 - V. 2226 - P.130-134.

150. Kubo K. Feedback direct current readout for infrared charge-coupled devices / K. Kubo, H. Wakayama, N. Kajihara, et al // Proc. SPIE 1989 - V. 1157 -P.329-327.

151. Yoon N. A new unit cell of current mirroring direct injection circuit focal plane arrays /N. Yoon, B. Kim, H. Lee et al // SPIE 1997 - V.3061 - P.93-101.

152. Козлов А. Кремниевые мультиплексоры для многоэлементных фотоприемников ИК-диапазона / А. Козлов, И. Марчишин, В. Овсюк, В. Шашкин // Автометрия 2005 - №3 - С.88-99.

153. Приборы с зарядовой связью. // Под. ред. М. Хоувза, Д. Моргана. Пер. с англ. М.:Энергоиздат, 1981.

154. Wang S. Characteristics and readout of an CID two-dimensional scanning TDI arrays / S. Wang, C. Wei, H. Woodburry, M. Gibbons // IEEE Trans. Electron Devices 1985 - ED-32 -P. 1599-1607.

155. Tribolet P. From research to production: 10 years of success / P. Tribolet; J. Chatard // Proc. SPIE 2000 - N. 4130 - P. 53.

156. Manissadjian A. Sofradir infrared detector products: the past and the future / A. Manissadjian, P. Tribolett, P. Chorier, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXVI"- 2000 N 4130 - P. 480-495.

157. Filachev A. Results of development and research of the LWIR 4x288 FPA basedon MCT photodiodes / A. Filachev, V. Ponomarenko, L. Saginov, et al. // Proc. th

158. SPIE "18 International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices" 2004 - №5834 - P.34-37.

159. McKee R. Near room temperature of a SWIR InGaAs/Si hybrid 96 element x 25 TDI high performance FPA / R. McKee, D. Lample, T. Henricks, et al // Proc. SPIE 1996-N. 2746-P. 152-161.

160. Деркач Ю. Смешанная" концепция построения схем считывания для фокальных процессоров с ВЗН и деселекцией элементов / Ю. Деркач, И.П. Рева, Ф.Ф. Сизов //Прикладная физика 2003 - №3 - С.90-96.

161. Ovsyuk V. MCT heteroepitaxial 4x288 FPA / V. Ovsyuk, F. Sizov, V. Vasilyev, et al // Infrared Physics and Technology 2004 - V.45 - P. 13.

162. Chishko V. F. InSb 288x32 FPA with digital TDI for low background application / V. F. Chishko, I. L. Kasatkin, A. A. Lopukhin. // Proc. SPIE "19th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices" 2006 -№6636 - ,,p:

163. Arthurs C. CMOS/CdHgTe hybrid technology for long linear arrays with time delay and integration and element deselection / C. Arthurs, I. Baker, G. Crimes, et al. // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXII" 1996 - N. 2744P. 473-485.

164. Arthurs C. Long linear arrays with time delay integration and element deselection. // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXIII" 1997 - N. 3061 - P. 476-483.

165. Zucker M. Long, mid-wave infrared detector with time delay integration / M. Zucker, E. Malkinson, J. Haski, et al. // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXVIII" 2003 - N. 4820 - P. 580-592.

166. Kobayashi N. 480x8 hybrid HgCdTe infrared focal plane arrays for highdefinition television / N. Kobayashi, H. Wada, T. Okamura, et al. // Optical engineering 2003 - V.41 - P. 1876.

167. Graham R. Signal processing on the focal plane array: An overviev / R. Graham, W. Trautfield, S. Taylor, et al. // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXVI" 2000 - N. 4130 - P. 237-243.

168. Кутузов M.K. Приемники ИК изображения на приборах с зарядовой связью / М.К. Кутузов, А.А. Раскин, Е.Б. Соколов // Зарубежная электронная техника- 1981 №2 - С.41-83.

169. Fossum Е. Charge coupled computing for focal plane arrays // Optical engineering - 1987 - V.26 - N9 - P.916-922.

170. Hetfrich R. Low-power compensation technique for fixed pattern noise in infrared staring arrays. // SPIE 1980 - V.217 - P. 162-177.

171. Chen C. A CCD serial parallel shift register / C. Chen, S. Chamberlan // IEEE Solid State Circuits 1973 - V.SC-8, N5 - P.388-391.

172. Emmons S. A CCD multiplexer with forty AC coupled inputs / S. Emmons, T. Chek, J. Hall et al // Proceeding international conference on CCD, San Diego, -1975 P. 42-52.

173. Chow K. Hybrid infrared focal-plane arrays / K. Chow, J. Rode, D. Seib, J. Blackwell // IEEE Trans. Electron Devices 1982 - ED-29 - P. 3-13.

174. Zhou Z. On-focal-plane ADC: Recent progress at JPL / Z. Zhou, B. Pain, R. Pa-nacacci, et al // Proc. SPIE, "Infrared readout electronics III" 1996 - V.2745 -P.l 11-122.

175. Martijn H. On-chip analog to digital conversion for cooled infrared detector arrays / H. Martijn, J. Andersson // Proc. SPIE "Infrared detectors and Focal plane arrays VI" -2000 -N.4028 P. 183-191.

176. Fowler B. Technical for pixel level analog to digital conversion / B. Fowler, A. Gamal, D. Yang // Proc. SPIE 2000 - V.3360 - P. 124-138.

177. Baxter C. On-chip signal processing configurations for focal plane arrays / C. Baxter, M. Massie // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXV" 1999 -N. 3698 - P. 726-735.

178. Tchagaspanian M. Design of ADC in 25pm pixels pitch dedicated for IR FPA image processing at LETI / M. Tchagaspanian, P. Villard, B. Dupont, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXII" 2007 - N. 6542 -65421W.

179. Fillon P. Digital output for high performance MCT staring arrays / P. Fillon, S. Dugalleix, F. Pistone, P. Tribolet // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXII" 2006 -N. 6206 - 6206130U1.

180. Caulfield J. Efficiency of image processing architectures near the focal plane arrays / J. Caulfield, P. McCarley, J. Curzan, M. Massie // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXII" 2006 - N. 6206 - 620613.

181. Hairston A. Advanced readout integrated circuit signal processing / A. Hairston, J. Stobie, R, Tinkler // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXXII" 2006 - N. 6206 - 62062Z.

182. Секен К. Приборы с переносом заряда / К. Секен, М. Томпсет. // М.:Мир -1978.

183. Полупроводниковые формирователи сигналов изображения. Под редакцией П. Йесперса, Ф. Ван де Виле и М.Уайта // Издательство М: Мир 1979.

184. Vu P. Wafer-scale scientific CCDs at Fairchild imaging / P. Vu, S. Onishi, R. Potter // Proc. SPIE, "Optical and infrared detectors for astronomy" 2004 -N5499.

185. Kozlowski L. Noise minimization via deep submicron system-on-chip integration in megapixel CMOS imaging sensors. // Proc. SPIE 2005 - V.5957 -595701.

186. Kim J.C. InSb Charge-Injection Device Imaging Array. // IEEE Trans. Electron Devices 1978 - ED-25 - P. 232-241.

187. Kinch M. HgCdTe charge coupled device technology / M. Kinch, R. Charman, A. Simmons, et al // Infrared Physics 1980 - V.20 - P. 1-20.

188. Thorn R. A fully monolithic InSb infrared CCD arrays / R. Thom, T. Koch, J. Lanan, W. Parrish // IEEE Trans. Electron Devices 1980 - ED-27 -P. 160-170.

189. Burke H. Charge-injection device imaging: operating techniques and performance characteristics / H. Burke and G. Michon // IEEE Trans. Electron Devices 1976 - ED-23 - P. 189-195.

190. Березин В. Тепловые шумы в фотоприемных устройствах на приборах с инжекцией заряда / В. Березин, Б. Котов, О. Сорокин, С. Татаурщиков // Микроэлектроника 1976-Т. 5 -В.5 - С. 413-418.

191. Weinberg D. Output properties of charge-injection devices: Part I-read on Injection / D. Weinberg, F. Milton // IEEE Trans. Electron Devices 1982 - ED-29 -P. 1483-1490.

192. Морозов В. Интегральный матричный фотоприемник нового типа на основе InSb / В. Морозов, В. Осипов, А. Селяков, И. Таубкин // Микроэлектроника 1996 - Т. 25 - №3 - С. 163-175.

193. Осипов В. Предельные характеристики новых смотрящих гибридных ИК-матриц на основе HgCdTe / В. Осипов, В. Пономаренко, А.Селяков // Прикладная физика 1999 - №2 - С. 9-29.

194. Charman R. Monolitic HgCdTe charge transfer device infrared imaging arrays R. Charman, S. Bollerro, A. Simmons, et al // IEEE Trans. Electron Devices -1980 ED-27 - P. 134-145.

195. Bahraman F. Current state of the art InSb infrared staring imaging devices / F. Bahraman, C. Chen, J. Genesko, et al. // Proc. SPIE 1987 - V.750 -P.27-31.

196. Esposito E. Charge imaging matrix arrays for advanced IR focal planes I E. Es-posito, W. Keenan, R. Gamer, S. Bollerro // Proc. CLEO april 1988.

197. Свойства структур Металл-Диэлектрик-Полупроводник. // Под редакцией А.В. Ржанова-М: "Наука" 1976.

198. Литовченко В.Г. Основы физики микроэлектронных систем Металл-Диэлектрик-Полупроводник / В.Г. Литовченко, Ф.П. Горбань // Киев, издательство "Наукова Думка" 1978 - 122 с.

199. Nicolian Е.Н. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology / E.H. Nicolian, J.R. Brews // John Wiley and sons 1984 - 965 P.

200. Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда // Новосибирск 1984 - С.253.

201. Гуртов В.А. Релаксация неравновесного потенциала МДП структур в режиме постоянного потенциала / В.А. Гуртов, О.Н. Иващенко, Г.Л. Куры-шев, В.Г. Половинкин // Физика и техника полупроводников — 1986 Т. 20, В.6, - С. 1042-1048.

202. Гуртов В.А. Неравновесные процессы в структурах Металл-Диэлектрик-Полупроводник // Петрозаводск 1986.

203. Terman L. An investigation of surface states at a silicon-silicon oxide interface employing metal-oxide-silicon diode. // Sol. St. Electr. 1962 - V.5 - N.3 -P.285-297.

204. Gray P. Density of Si02-Si interface states / P. Gray, D. Brown // Appl. Physics Letters 1966 - V.2 -N.2 - P.31-33.

205. Nicollian E. MOS conductance technique for measuring of surface state parameters / E. Nicollian, A. Goetzberger // Appl. Phys. Lett. 1965 - V.7 - N.8 -P.216-218.

206. Zerbst M. Relationsefflekte an halbleiter-isolator-grenzflashen // Z. Angew. Phys. 1966 - V.22 - P.30-33.

207. Heiman F.P. On the determination of minority carrier lifetime from the transient response of an MOS capacitor // IEEE Trans. El. Dev. — 1967 V. ED-14 - № 11 -P. 781.

208. Schroder D.K. On the separation of bulk and surface components of lifetime using the pulsed MOS capacitor / D.K. Schroder, H.C. Nathanson // Sol. State Electronics 1970 - V. 13 - № 5 - P.577.

209. Zakharov A.K. Thermal Generation and Recombination of Carries at Non-Equilibrium Variation of Inversion Layer / A.K. Zakharov, I.G. Neizvestny // Phys. Stat. Sol. (a) 1975 - V. 30 - № 1 - P. 419.

210. Захаров А.К. Вклад различных областей полупровод-ника структуры МДП в формирование заряда инверсионного слоя / А.К. Захаров, И.Г. Неизвестный // Микроэлектроника 1975 - Т. 4 - В. 2 - С. 178.

211. Tomanek P. Measuring the life time of minority carries in MIS structures. // Solid State Electronics 1969 - V.12 - P.301-303.

212. Galzolary P.U. Minority carrier recombination in MOS capacitors switched from inversion to accumulation / P.U. Galzolary, S. Graffi and C. Morandi. // Solid State Electronics 1977 - V.20 - P.205-212.

213. Bielle-Daspet D. Bulk carrier lifetime measurement from transient diffusion photocurrent in semiconductor diodes / D. Bielle-Daspet and G. Gasset // Solid State Electronics 1978 - V.21 - P.1219-1226.

214. Kuper P. Determination of generation lifetime from non-equilibrium linear sweep current and capacitance measurements on an MOS capacitor / P. Kuper and C. Grimbergen // Solid State Electronics 1978 - V.21 - P.549-555.

215. Корнюшкин Н.А. Влияние свойств границы раздела и глубоких уровней в запрещенной зоне на вольт-фарадные характеристики МДП-структур на арсениде индия / Н.А. Корнюшкин, Н.А. Валишева, А.П. Ковчавцев., Г.Л. Курышев // ФТП 1996 - Т. 30 - В. 5 - С.914.

216. Работы выполненные с участием соискателя отмечены знаком *.

217. Курышев Г.JI. Электронные свойства структур металл диэлектрик - полупроводник на основе InAs / Г.Л. Курышев, А.П. Ковчавцев, Н.А. Валишева //ФТП-2001 - Т. 35 - В. 9-С.1111.

218. Dixon J.R. Optical Properties of n-Type Indium Arsenide in the Fundamental Adsorption Edge Region / J.R. Dixon, J.M. Ellis // Phys. Rev. 1961 - V. 123 -№5 - P. 1560.

219. Burstein E. Anomalous Optical Absorption Limit in InSb // Phys. Rev. 1954 -V.93 - P.632.

220. Anderson W.W. Absorption constant of PbixSnxTe and HgixCdxTe Alloys. // Infrared Phys. 1980 - V. 20 - P. 363.

221. Urbach F. The Long-Wavelength Edge of Photographic Sensitivity and of the Electronic Absorption of Solids. // Phys. Rev. 1953 - V. 92 - P. 1324.

222. Халиуллин Н.И. Флуктуации темнового и фонового заряда в ПЗИ-приемниках излучения. // Микроэлектроника -1987 -Т. 16 В. 5 - С.463.

223. Kogan Е. IR spectrometer with 512 InAs cell MOS detector / E. Kogan, A. Kov-chavtsev, G. Kurishev at al // OPTO-92, ESI publications, Paris 1992 - P.620-622.

224. Vainer B. Excess lateral photo-response caused by technological and constructive defects in the IR-sensitive hybrid microcircuits. // J. Cryst. Growth 2000 -V. 210-N.l-3-P. 356-360.

225. Overstraeten R. Theory of the MOS transistor in weak inversion new method to determine the number of surface states / R. Overstraeten, G. Declerck, P. Muls // IEEE Trans. Electron Devices - 1975 - ED-22 - P. 282-288.

226. Reimbold G. Modified 1/f trapping noise theory and experiments in MOS transistors biased from weak to strong inversion influence of interface states // IEEE Trans. Electron Devices - 1984 - ED-31 - P. 1190-1198.

227. Reimbold G. Noise associated with charge injection into a CCD by current integration through a MOS transistor // IEEE Trans. Electron Devices 1985 - ED-32-P. 871-873.

228. Mikoshima H. 1/f noise in n-channel silicon -gate MOS transistors. // IEEE Trans. Electron Devices 1982 - ED-29 - P. 965-970.

229. D'Souza F., Stapelbroek M., Masterjohn S., et al. 1/f noise in HgCdTe detectors / F. D'Souza, M. Stapelbroek, S. Masterjohn, et al // Proc. SPIE "Infrared detectors and Focal plane arrays VII" 2002 -N.4721 - P. 227-233.

230. Васильев B.B. Матричные фотоприемники 320x256 со встроенным коротковолновым отрезающим фильтром / В.В. Васильев, B.C. Варавин, С.А. Дворецкий и другие. // Оптический журнал 2009 - Т.76 - №12 - С. 36-41.

231. Anderson W.W. Tunnel current limitations of narrow bandgap infrared charge coupled devices. // Infrared physics 1977 - V.17 - P. 147-164.

232. Anderson W.W. Tunnel contribution to HgixCdxTe and Pbl-xSnxTe p-n junction diod characteristics. // Infrared physics 1981 - V.20 - P.353-361.

233. Anderson W.W. Field ionization of deep levels in semiconductors with applications to Hgl-xCdxTe p-n junctions / W.W. Anderson, H.J. Hoffman. // J. Appl. Physics 1992 - V.53 - N.12 - P.9130-9144.

234. Герасименко H. Пакет программ для оценок оптических и электрофизических параметров CdxHgl-xTe (0.19x0.4) / Н. Герасименко, И. Гриценко, Л.

235. Сафронов // Новосибирск 1990- Препринт АН СССР, Сибирское отделение, ИФП - №5.

236. Гуменнж-Сычевская Ж. Процессы токопереноса в п+-р-на основе HgCdTe / Ж. Гуменюк-Сычевская, Ф. Сизов, В. Овсюк, и др. // Физика и техника полупроводников 2001 - Т. 35, В.5 - С.835-840.

237. Sizov F. Gamma radiation exposure of MCT diode arrays / F. Sizov, I. Lysiuk, J. Gumenjuk-Sichevska, et al // Semicond.Sci.technol. 2006 - V.21 - P.356-363.

238. Phillips J.D. Control of Very-Long-Wavelength Infrared HgCdTe Detector-Cutoff Wavelength / J.D. Phillips, D.D. Edwall, and D.L. Lee // Journal of Electronic Materials 2002 - V. 31 - N. 7 - P.664-668.

239. Таубкин И.И. Минимальная пороговая разность температур, обнаруживаемая тепловизионным методом / И.И. Таубкин, М.А. Тришенков // Оптический журнал 1993 - №5 - С. 20-23.

240. Tribolet P. High performance MCT LWIR and MWIR staring array for high frame rate applications / P. Tribolet, R. Boch // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXII" 1996 - N 2744 - P. 374-392.

241. Woolaway J. New sensor technology for 3-to 5 pm imaging band // Photonica spectra 1991 -P.113.

242. Desterfanis G. High performance LWIR 256x256 HgCdTe focal plane array operating at 88 К / G. Desterfanis, P. Audebert, E. Motrin, et al // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXIII" 1997 - N. 3061 - P. 111-116.

243. Kozlowski L. Performance of HgCdTe, InGaAs and Quantum well GaAs/AlGaAs staring infrared focal plane arrays / L. Kozlowski, K. Vural, J. Arias, et al // Proc. SPIE 1997 - V.3182 - P. 2-13.

244. Milton A.F., Barone F.R., Kruer M.R. Influence of nonuniformity on infraredfocal plane array / A.F. Milton, F.R. Barone, M.R. Kruer // Optical engineering- 1985 V.24-N. 5 - P. 855-862.

245. Mooney J. Responsivity nonuniformity limited performance of infrared staring cameras / J. Mooney, F. Shepherd, S. Ewing, et al // Optical engineering 1989- V.28-N. 11 -P. 1151-1161.

246. Tribolet P. Key performance drivers for cooled large IR staring arrays / P. Tri-bolet, P. Chorier, F. Pistone // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXIX" 2003 -N. 5074 - P. 173-184.

247. McCarley P. NeuroSeek dual-color image processing infrared focal plane array / P. McCarley, M. Massit, C. Baxter, B. Huynh // Proc. SPIE 1998 - V.3360 -P.13-27.

248. Ratliff B. Algebraic scene-based nonuniformity correction in focal-plane arrays / B. Ratliff, M. Hayat, R. Hardie. // Proc. SPIE 2001 - V.4372 - P. 114-124.

249. Torres S. Kalman filtering for adaptive nonuniformity correction in infrared focal-plane arrays / S. Torres, M. Hayat // J. Opt. Soc. Am. 2003 - V.20, 3 March - P.470-480.

250. Олыданецкая,Е.И.Черепов//A.c. №1739808 -пр. от 04.07. 1990п> Б.И. с. 264/ А995С.274*. Кляус Х.И. Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью /

251. Х.И.Кляус, И.И. Ли, Е.И. Черепов //A.c. № 862750 пр. от 04.01.1980г. б.И. С.А&\, 2VCPPг.275*. Ли И.И. Устройство ввода сигналов на приборах с зарядовой связью /

252. Е.И.Черепов. //A.c. №1436535 пр. от 10.07. 1987п> Б.И./ИЧб, с.230, i969r:282*. Ли И.И. Устройство ввода сигналов на приборах с зарядовой связью /

253. И.И. Ли, Е.И. Черепов // A.c. №1415992 пр. от 19.02.1986г, Ш. с, Зоб, 4995 тг

254. Tompset М. Surface potential equilibration method of setting charge in chargecoupled devices // IEEE Trans. Electron Devices 1975 - V.ED-22 - N.6 -P.305-309.

255. Angle R. Linearity of potential equilibration method of injecting charge into CCD's / R. Angle and S. Huang // IEEE Trans. Electron Devices 1977 -V.ED-24 — N.3 - P.277-279.

256. Винецкий Ю.Р. Потенциальное входное устройство прибора с зарядовой связью в режиме слабых сигналов / Ю.Р. Винецкий, М.А. Тришенков // Радиотехника и электроника 1981 - №4 - С.852-865.

257. Носов Ю.Р. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме // М.: изд-во «Наука» 1968.

258. Nakhmanson R. // Solid State Electronics 1975 - V. 18 - P.617-626.

259. Диткин В.А., Прудников А.П. Операционное исчисление по двум переменным и его приложения, М.: изд-во «Физматгиз» 1958.

260. Wei С. Measurement of monority lifetime using an MIS capacitor / C. Wei, H. Woodbary. // IEEE Transaction on Electron Devices 1985 - V. ED-32 - N. 5 -P.857-964.

261. Manissadjian A. HgCdTe performance for high operating temperatures / A. Ma-nissadjian, P. Costa, P. Tribolet // Proc. SPIE "Infrared Technology and Applications XXIV 1998 -N. 3436 - P. 150-161.

262. Войцеховский А. Фотоэлектрические характеристики МДП -структур наоснове варизонного n-типа HgCdTe (х=0.21-0.23) / А. Войцеховский, С.

263. Несмелов, С. Дзядух, и др. // Изв. ВУЗов, Физика. 2005. - №2. -С.35-39.309*. Гузев A.A. Фоточувствительные свойства структур ZnTe/CdTe/HgCdTe /

264. A.A. Гузев, B.C. Варавин, С.А. Дворецкий, А.П Ковчавцев, Г.Л. Курышев,

265. И.И. Ли, З.В. Панова, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев // Прикладная физика2009 №2 - С. 92-96.

266. Cheung D. Direct capacitive of infrared detectors to CCD multiplexers. // Proc.1. SPIE 1980-V.217-P.9-15,.311*. Кляус Х.И. Способ записи информации в устройства ввода на ПЗС /

267. Guzev, V.M. Efimov, A.P. Kovchavtsev, G.L. Kuryshev, I.I. Lee, A.S. Stroganov //Proc.ofSPIE-2002- №5126-P. 118-128.

268. Vainer B.G. Application of the nahow spectral range InAs-FPA-based IR camera for the investigation of the interface voids in silicon wafer bonding / B.G. Vainer, G.N. Kamaev, G.L. Kuryshev. // J. Cryst. Growth 2000 - V. 210 -N.l-3 - P.351-355.

269. Воронцов С.С. Исследование структуры факела водорода в сверхзвуковой высокоэнтальпийной струе воздуха / С.С. Воронцов, В.А. Забайкин, В.В.1.

270. Пикалов, П.К. Третьяков, Н.В. Чугунова // ФГВ 1999 - Т. 35 - № 5 - С. 3.

271. Cherkassky V.S. Imaging techniques for a high-power THz free electron laser / V.S. Cherkassky, et al // Nuclear Instr. And Methods in Physics Research A -2005 V.43 - P. 102-109.

272. Левитин И.Б. Применение инфракрасной техники в народном хозяйстве. Ленинград: Энергоиздат- 1981.

273. Госсорг Ж. Инфракрасная термография. Основы, техника, применение. М.: Мир 1988.

274. Мельникова В.П. Клиническое тепловидение / В.П. Мельникова, М.М. Мирошников и др. // СПб.: ГОИ им. С.И. Вавилова 1999 - С. 124.

275. Вайнер Б.Г. Матричное тепловидение в физиологии // Новосибирск: Издательство Сибирского отделения РАН 2004.

276. Физические величины: Справочник. Под ред. Григорьева И.С., Мейлихова Е.З., М.:, Энергоатомиздат -1991.

277. Микроскопы. Под ред. Полякова Н.И. Л.: Машиностроение 1969.