автореферат диссертации по электронике, 05.27.07, диссертация на тему:Разработка методики оценки допустимых уровней дефектности тонких металлических пленок

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ДЕФЕКТЫ В ТОНКИХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ

ПЛЕНКАХ.

1.1. Требования к тонким металлическим плёнкам.

1.2. Виды дефектов в тонких металлических плёнках.

1.3. Причины и стадии возникновения дефектов

1.3.1 Образование дефектов упаковки.

1.3.2 Образование дислокаций.

1.3.3 Образование двойников.

1.3.4 Образование границ между зародышами при двойственном расположении.

1.4. Образование пор.

1.6. Структура переходной зоны плёнка-подложка.

1.6. Возникновение напряжений.

1.6.1. Структурные внутренние напряжения.

1.6.2. Фазовые внутренние напряжения.

1.6.3. Физико-химические внутренние напряжения.

1.6.4. Термоконденсационные напряжения.

1.6.5. Термические напряжения при охлаждении и при нагревании.

Выводы по главе

Постановка задачи исследования.

ГЛАВА 2. МЕХАНИЗМ ОБРАЗОВАНИЯ ПЛЕНОК И ПОСТРОЕНИЕ МОДЕЛЕЙ ДЕФЕКТОВ В МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ТОНКИХ ПЛЕНКАХ

2.1. Термодинамическая теория гетерогенной конденсации.

2.1.1. Изобарический и изотермический процесс конденсации.

2.1.2. Термодинамика образования зародыша.

2.1.3. Критический радиус.

2.2. Скорость образования зародышей скорость конденсации).

2.3. Зарождение макроскопических пор.

2.4. Скорость образования пор в пленке.

2.5. Уменьшение несоответствия решеток пленки и подложки.

2.6. Сравнение теории с экспериментом.

2.7. Модели микродефектов.

2.8. Методика оценки допустимых уровней дефектности структуры металлических пленок.

Выводы по главе II

Влияние давления остаточного газа на пористость в пленке.

Влияние температуры на пористость в пленке.

Влияние скорости осаждения пленки на пористость в пленке.

Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В ПЛЕНКАХ . . 100 3.1. Экспериментальная методика получения и исследования пленок алюминия.

3.2. Сравнение экспериментальных и теоретических результатов.

Прогресс микроэлектроники неразрывно связан с повышением уровня интеграции, быстродействия микросхем и снижением себестоимости изделий электронной техники. Стремительный рост интеграции элементов микросхем с одновременным ужесточением требований к их параметрам обусловливает необходимость создания нового, более совершенного оборудования, использование наиболее оптимальных режимов технологических процессов при изготовлении микросхем и применение высококачественных исходных материалов.

В связи с широким применением тонких пленок в микроэлектронике одной из основных проблем производства и применения тонкопленочных элементов интегральных схем является повышение качества, надежности и стабильности параметров пленок. Разработка и совершенствование технологии нанесения пленок и пленочных структур, изучение эксплуатационных свойств пленок базируется на знании общих закономерностей процессов формирования пленок, физических и физико-химических свойств пленок и их структуры. Оптимизация режимов технологического процесса изготовления ИС немыслима без учета дефектности структуры металлических пленок. Дефектность структуры металлических пленок, вызванная неоднородностью физических и химических свойств материалов, приводит к нестабильности ее технологических и эксплуатационных свойств.

До настоящего времени отсутствует системный подход к проектированию технологического процесса изготовления ИС, что снижает его эффективность и затрудняет переналадку при частой смене номенклатуры изделий. Проблема осложняется тем, что при разработке техпроцесса изготовления ИС недостаточное внимание уделяется дефектности структуры исходных компонентов, которая оказывает существенное влияние на выход годных изделий. Широкое использование металлизированных металлических подложек при изготовлении ИС делают актуальной проблему снижения уровня дефектности металлических тонких пленок. Одним из путей решения этой проблемы является оптимизация режимов нанесения пленок с учетом дефектности структуры металлических пленок.

Практически никогда не удается избежать дефектов при получении металлических пленок. Поэтому решение проблемы разбивается на два этапа: определение допустимых уровней дефектности металлических пленок, при которых сохраняются ее необходимые технологические и эксплуатационные свойства; оптимизация технологических режимов изготовления пленок с учетом дефектности металлических пленок.

В связи с этим актуальным и важным для оптимизации технологических режимов изготовления ИС является определение допустимых уровней дефектности металлических пленок.

Целью диссертационной работы являются теоретические и экспериментальные исследования дефектности пленок, построение на их основе моделей дефектов и создание методики определения допустимых уровней дефектности тонких металлических пленок.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие основные задачи:

-исследование влияния режимов техпроцесса нанесения пленок на структуру пленок; -исследование влияния режимов техпроцесса нанесения пленок на пористость пленки;

-разработка модели возникновения и роста пор в пленке; -исследование влияния физических параметров пленки и подложки на напряжения в пленке; -разработка модели влияния макропористости на возникновение и развитие трещин в пленке; -разработка методики определения допустимых уровней дефектности тонких металлических пленок. Используемые научные теории, положения и разделы. -макроскопическая теория гетерогенной конденсации на поверхностях; -теория возникновения и развития трещин;

-теория Франка и Ван-дер-Мерве о деформации пленки в результате несоответствия параметров решеток пленки и подложки;

-научное положение о зарождении полостей вследствие коагуляции вакансий (эффект Френкеля); -молекулярная физика и термодинамика; -сопротивление материалов. Научные положения, выдвигаемые на защиту. -возникновение пор в пленке в результате коагуляции избыточных вакансий в процессе эксплуатации является следствием неоптимальных режимов техпроцесса при нанесении пленки.

Научная новизна. В работе впервые проведен комплексный анализ технологических факторов воздействующих на пористость пленок. Созданы математические модели описывающие влияние технологических и эксплуатационных факторов на эволюцию и трансформацию дефектов на различных стадиях жизни дефектов.

Разработана методика определения допустимых уровней дефектности тонких металлических пленок. Получены зависимости описывающие влияние технологических и эксплуатационных факторов на параметры дефектов их эволюцию и трансформацию на различных стадиях жизни дефектов.

На защиту выносятся :

-анализ влияния технологических параметров на формирование микродефектов в структуре пленки; -методика определения допустимых уровней дефектности тонких металлических пленок; Практическая значимость:

-по результатам работы предложена методика оценки допустимых уровней дефектности структуры металлических пленок, доказывающая возможность оценки качества изделий на промежуточных этапах изготовления ИС и прогнозирования возникновения и развития дефектов в пленках; -разработанная в результате научных исследований методика определения допустимых уровней дефектности и компьютерная программа моделирования дефектов могут использоваться при оценке допустимых уровней пористости в пленках; -созданная методика позволяет дать рекомендации по снижению дефектности и повышению качества пленок; -проведенные теоретические и экспериментальные исследования позволяют улучшить качество конечной продукции и снизить ее себестоимость.

Апробация работы.

Результаты диссертационной работы использовались в научно-исследовательских работах, выполненных на кафедре "Технологии приборо- и машиностроения" в рамках госбюджетных тем и в лекционном материале по курсу: "Технология приборостроения" в МГИЭТ(ТУ). Результаты диссертационной работы в виде методики оценки допустимых уровней дефектности тонких металлических пленок использовались при отбраковке полупроводниковых интегральных микросхем серии К-561, КР1561 на стадии входного контроля на предприятии "Винницкий ламповый завод" г.Винницы. Годовой экономический эффект от внедрения на 1999 год составил 100 тыс. рублей. На протяжении с 1997 по 1999 год при совместном техническом сотрудничестве с НИИ "Гелий" г.Винницы была опробована методика оценки допустимых уровней дефектности тонких металлических пленок при отбраковке мощных МДП, У-ДМОП, ВСИТ транзисторов на стадии входного контроля. Годовой экономический эффект от внедрения на 1999 год составил 150 тыс. рублей.

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Второй Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Электроника и информатика-97" (Москва, 1997), на межвузовских научно-технических конференциях студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика-96" (Москва, 1996) и "Микроэлектроника и информатика-97" (Москва, 1997), на Всероссийских межвузовских научно-технических конференциях студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика-98"

Москва, 1998), "Микроэлектроника и информатика-99" (Москва, 1999).

Публикации.

Основные научные и практические результаты диссертационной работы опубликованы в 4 статьях, 5 тезисах научных докладов и 3 отчетах о научно-исследовательской работе.

Структура и объем работы.

Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, общих выводов, списка литературы и приложений. Содержание диссертации изложено на 125 страницах машинописного текста и иллюстрируется 47 рисунками и 1 таблицей к основному тексту, список литературы включает в себя 102 наименования.

Общие выводы

1. В тонких металлических пленках полученных испарением в вакууме, в частности, в пленках алюминия возникает множество дефектов, в том числе и пор, образующихся путем диффузии и конденсации неравновесных вакансий, растущих вне "тени" друг друга.

2. Моделирование дефектов позволило описать механизмы возникновения и развития пор в тонких металлических пленках.

3. В результате моделирования, теоретических и экспериментальных исследований процессов зарождения и развития макропор в пленках выявлено, что:

1) на величину пористости в пленке влияют: а) параметры техпроцесса нанесения пленки

- давление остаточных газов;

- температура подложки;

- скорость осаждения пленки; б) материал пленки и состав остаточных газов.

2) на процесс возникновения пор в пленке влияют: а) физико-химические свойства материала пленки

- число атомов в единице объема кристалла;

- поверхностная энергия материала пленки;

- энергия образования одиночной вакансии;

- локальное изменение энтропии, связанное с образованием одиночной вакансии; б) параметры перечисленные в пункте 1;

3) на скорость образования зародышей пор минимального сверхкритического размера и процесс развития и роста пор в пленке влияют: а) физико-химические свойства материала пленки

- работа образования зародыша сферической формы критических размеров;

- энергия активации диффузии вакансий в пленке;

- коэффициент диффузии вакансий в пленке;

- шаг кристаллической решетки материала пленки; б) параметры перечисленные в пункте 2.

4.В результате проведенных теоретических и экспериментальных исследований определено, что большую опасность для ИС могут представлять поры, образующиеся в тонкопленочных металлических проводниках в процессе эксплуатации приборов.

5.Повышение температуры и электродиффузия стимулируют процессы возникновения и роста пор в готовых изделиях в процессе эксплуатации.

6.Возникновение пор в пленке в результате коагуляции избыточных вакансий в процессе эксплуатации является следствием неоптимальных режимов техпроцесса при нанесении пленки.

7.Наиболее вероятными центрами конденсации избыточных вакансий в пленке являются места со структурными нарушениями.

115

8.Снижению пористости в пленке способствуют:

- снижение давления остаточных газов при нанесении пленки;

- применение газов и материалов пленок слабо взаимодействующих друг с другом.

9.Предложенная методика оценки допустимых уровней дефектности структуры металлических пленок, доказывает возможность оценки качества изделий на промежуточных этапах изготовления ИС и прогнозирование возникновения и развития дефектов в пленках.

1. О.А.Кузнецов. Основы оптимизации режимов техпроцесса сборки ИС с учетом дефектности структуры металлических пленок, нанесенных на металлические подложки. НИР, М.: МИЭТ, 1995 - с. 56.

2. Палатник Л.С., Фукс М.Я.ДСосевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Мир, 1972.

3. Д'Орль Г.М. Сб. "Технология толстых и тонких пленок", под ред. Рейсмана А., Роуза К., перев. с англ. М.: Мир. 1972. С. 35-45.

4. Кузнецов O.A. Адаптация технологии сборки микросхем в полимерных корпусах для варианта, исключающего золото. НИР, М.: МИЭТ, 1994-с. 63.

5. Никитин Н.М. Технология и оборудование вакуумного напыления,-М.: Металлургия, 1992.-112с.

6. Кузнецов O.A., Назаров Г.В., Тыщишин В.В. Оптимизация параметров техпроцесса ультразвуковой микросварки при сборке ИС с учетом дефектности структуры металлической пленки. Под ред. КандыбыП.Е. М.-.МИЭТ 1998.

7. Кузнецов O.A., Погалов А.И., Сергеев B.C. Прочность элементов микроэлектронной аппаратуры. М.: Радио и связь, 1990.-144с.

8. Суровцев И.С. Методы контроля макродефектов диэлектрических покрытий. Обзоры по электронной технике. Сер. Микроэлектроника. -1983.-Вып. 3(947).-51с.

9. Штерн Л. Основы проектирования интегральных схем. Пер. с англ. М.:Энергия, 1973.- 328с.

10. Ю.Чернышов Ю.Л., Кудрин Ю.Н. Сварка кристаллов изделий твердотельной электроники. Обзоры по ЭТ, сер. "Технология, организация производства и оборудование".-М.:-1980.-Вып.4(710).-с.46.

11. Н.Цыбизов Ф.С. и др. Качество термокомпрессионных соединений и пути повышения надежности микросхем. ЭТ.-1972.-Вып.5-с.30-33.

12. Веселов В.А., Демянцевич И.П. и др. Металловедение и технология металлов. Учебник для вузов. М.: Металлургия, 1988,-512с.

13. Ефимов И.И., Блинов Г.А. Радиотехника и электроника. Т. 15, 6. 1970.

14. Куров Г.А., Жильков Э.А. Технология пленок и ГИС: Учебное пособие. Часть 1 М.:МИЭТ, 1974. - с.95.

15. Куров Г.А., Жильков Э.А. Технология пленок и ГИС: Учебное пособие. Часть 2 М.:МИЭТ, 1974. - с.302.

16. Колешко В.М., Белицкий В.Ф. Массоперенос в тонких пленках. -Минск.: Наука и техника, 1980.-296с.

17. Крессель Т., Нельсон Г. Свойства и применение плёнок соединений элементов групп III и V, полученных эпитаксией из жидкой фазы. :

18. Сб." Физика тонких плёнок " /Под ред. Дж. Хасса, М.Х. Франкомба, Р.У. Гофмана М.: Мир, 1977. - 443с.

19. Иевлев В.М. Трусов Л.И., Хормянский В. А. Структурные превращения в тонких пленках.-М.: Металлургия, 1982.-248 с.

20. Гринченко В.Т., Зимин C.B. Вакуумное плазменно-дуговое алюминирование лент для монтажно-сборочных операций. Электронная механика , Сер. 7, ТОПО,- 1993, вып.4 (179) 5 (180).-с.43-44.

21. Хантер В.Р. Изготовление свободных металлических плёнок и их применение в качестве светофильтров для крайней ультрафиолетовой области спектра. : Сб." Физика тонких плёнок " /Под ред. Дж. Хасса, М.Х. Франкомба, Р.У. Гофмана М.: Мир, 1977. 443с.

22. Котрелл А.Х. Дислокация и пластическое течение в кристаллах. -М.: Металлургиздат, 1958 288 с.

23. Рид В.Д. Дислокация в кристаллах. М.: Металлургиздат, 1957 -102с.

24. Келли А., Гровс Г. Кристаллография и дефекты в кристаллах. М.: Мир, 1974- 112 с.

25. Хасс Г., Тун Р.Э. Физика тонких плёнок. Том 4. Пер. с англ. под ред. Сандомирского В.Б., Ждана А.Г. -М.: Мир, 1970. -198 с.

26. Бассет Г.А., Ментер Д.В., Пешли Д.В. Структура и свойства тонких плёнок. New York, 1959. - с. 11.

27. Matthews J.W.,Phil. Mag., 4, 1017 (1959).

28. Чопра К.JI. Электрические явления в электрических плёнках. Пер. с англ. под ред. Шермегора Т.Д. М.: Мир, 1972 434с.

29. Jacobs M.N., Pashley D.W., Stowell M.J., Phil. Mag., 13, 129 (1966).

30. Matthews J.W., Phil. Mag., 7, 195 (1962).

31. Гранберг И.А. Электронная техника. Сер.6, вып. 6/21/, с. 126. 1969.

32. Джоветт И.Е. Технология толстых и тонких пленок для микроэлектроники. Пер. С англ.-М.: Металлургия, 1980.-112 с.

33. Плёночная микроэлектроника перевод с английского. М. Мир, 1968.-43 с.

34. Куров Г.А., Жильков Э.А. Микроэлектроника. Т 1, № 2, 1972, с.144.

35. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие. -Л.:Энергия, 1980.-424с.

36. Гегузин Я.Е. Макроскопические дефекты в металлах. М.:Металлургиздат, 1967.

37. Гегузин Я.Е. Физика спекания. М.:Наука, 1967.

38. Д.Хирс,Г.Паунд. Испарение и конденсация. Перевод с англ. М.: Металургиздат, 1966, с. 181-183.

39. Хасс Г. Физика тонких плёнок. Том 1. Пер. с англ. под ред. ЕлисонаМ.И., Сандомирского В.Б. -М.: Мир, 1967. -268 с.

40. Хирс Д. Сб. "Осаждение из газовой фазы", перев. с англ. М.: Атомиздат, с.115-123, 1970.

41. Фольмер М. Кинетика образования новой фазы. Пер. с нем. М.: Наука, 1986. -208 с.

42. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники: Учебное пособие для вузов.-М.: Металлургия, 1979.-408с.

43. Стриха В.И., Бузанева Е.В. Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике. М.: Радио и связь, 1987.-89 с.

44. Палатник JI.С., Сорокин В.К. Материаловедение в микроэлектронике.-М.: Энергия, 1978.-280 с.

45. Бокштейн Б.С., Бокштейн С.З., Жуковицкий A.A. Термодинамика и кинетика диффузии в твердых телах. М.: Металлургия. 1974.

46. Боровский И.Б., Гуров Ю.П., Марчукова И.Д., Угасте Ю.Э. Процессы взаимной диффузии в сплавах. М.: Наука. 1973.-с.29.

47. Колесников Д.П. Электрические характеристики контактов в пленочных микросхемах. ЭТ сер. 16. Микроэлектроника, вып. 4, №12, с.59,1968.

48. Минаков В.И. Коган М.З. Производство тонкопленочных микросхем: Учебное пособие.-Л.: Энергия, 1973-175с.

49. Иванов Р.Д. Катодный метод создания пленочных элементов микросхем.-М.: Энергия, 1972-111 с.

50. Смирнов A.A. Теория электросопротивления сплавов. Киев АН УССР,1960.

51. Тхорик Ю.А., Хазан Л.С. Пластическая деформация дислокаций несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев: Наукова думка, 1983.-303 с.

52. Куров Г.А., Жигальский Г.П., Добрынина Г.М. Лабораторный практикум по курсу "Физика плёнок". Ч. 1. Под ред. Курова Г.А. -М.: МИЭТ, 1980, с.40.

53. Куров Г.А. Физика пленок: Учебное пособие. М.:МИЭТ, 1970.

54. Кузнецов O.A., Тыщишин В.В. Влияние состава газовой среды на свойства металлических пленок в процессе вакуумной конденсации. Сборник научных трудов под ред. Кандыбы П.Е. М.:МИЭТ 1998.

55. Белевцев Б.И., Пилипенко В.В., Яцук A.A. Взаимосвязь электрических, сверхпроводящих и структурных характеристикнизкотемпературных пленок индия. ФНТ. Т.7, №8. 1981 .-с. 10101020.

56. Белевцев Б.И., Комник Ю.Ф. Влияние растворенного водорода на электрические свойства низкотемпературных пленок олова. ФНТ. Т.7, №7. 1981 -с.887-892.

57. Белевцев Б.И., Индокозов В.И. Влияние примесей водорода на электрические и сверхпроводящие свойства неупорядоченных пленок свинца. ФНТ. T.l 1, №5. 1985 .-с.459-464.

58. Телендург Э. Сверхвысокий вакуум. -М.: Мир, 1966.-286 с.

59. Гейнце В. Введение в вакуумную технику.-М.: Госэнергоиздат, 1960.-511с.

60. Черепин Н.В. Сорбционные явления в вакуумной технике.-М.: Советское радио, 1973.-383 с.

61. Савельев И.В. Курс общей физики. Том 1. Механика. Молекулярная физика. М.: Наука, 1987 - 298 с.

62. Пинес Б.Я., Сидоренко А.Ф. ЖТФ, т. 28, 1958 г,- с.1748.

63. Гегузин Я.Е. Диффузионная зона. М.: Наука, 1979 с. 142.

64. Куров Г.А., Жигальский Г.П. Учебное пособие по курсу "Физика плёнок". Ч. 2. М.: МИЭТ, 1980, - с.89

65. Кузнецов O.A. Адаптация технологии сборки микросхем в полимерных корпусах для варианта, исключающего золото. НИР, М.: МИЭТ, 1996 -с. 41.

66. Кузнецов O.A. Основы оптимизации технологических процессов посадки кристаллов и герметизации ИС полимерными компаундами по критериям механической устойчивости соединений их элементов. НИР, М.: МИЭТ, 1997 с. 75.

67. Кузнецов O.A. Теоретические основы моделирования физико-механических процессов в пограничных зонах соединений элементов СБИС. НИР, М.: МИЭТ, 1998 с. 47.

68. Кузнецов O.A., Тыщишин В.В. Общие принципы моделирования технологического процесса сборки ИС. Сборник научных трудов под ред. Кандыбы П.Е. М.:МИЭТ 1998.

69. Кузнецов O.A., Тыщишин В.В. Математическое моделирование дефектов металлических пленок. Сборник научных трудов под ред. Кандыбы П.Е. М.:МИЭТ 1998.72.3еликсон Б. ТИИЭР, т.57, №9, с. 143, 1969.

70. Капустин Н.М., Васильев Г.Н. Система автоматизированного проектирования. Уч. пособие для втузов под ред. Норенкова И.П. М.: Высшая школа, 1986.-191 с.

71. Тимошенко С.П., Гудьер Дж. Теория упругости. Под ред. С.С.Шапиро. Пер. с англ.-М.: Наука, 1979.-560с.

72. Програмный комплекс для расчетов конструкций методом конечных элементов.-М.: ЦНИИ проект, 1987.-112 с.

73. Блинов Г.А. ФТТ, т. 12, стр.248, 1969.

74. Низовой В.Г. Влияние длительного воздействия температуры на надежность термокомпрессионных соединений. ЭТ. Вып.6.- 1975.— с.63-67.

75. Повышение надежности термокомпрессионных контактов типа золото-золото. ЭИ. Надежность и качество, с 7-12.-1976.

76. Влияние поверхностных загрязнений на прочность термокомпрессионных соединений золотых контактов в полупроводниковых приборах. ЭИ. Надежность и контроль качества. №12.-1976.-с.9-15.

77. Влияние загрязнения поверхности на качество золотых термокомпрессионных соединений. ЭИ. Электроника. №7.-1976-с.10214.

78. Седов Л.И. Механика сплошной среды. Т. 2. М.: Наука. 1973 г. 584с.

79. Жермен П. Механика сплошных сред.Пер. с франц. М.: Мир 1965. 83.3оммерфельд A.A. Механика деформируемых сред. Пер. с нем. ИЛ.1. Москва, 1954.

80. Иевлев Д.Д. О теории трещин квазиупругого разрушения. ПМТФ,№6, 1967.

81. Ильюшин A.A. Пластичность. АН СССР. Москва, 1960.

82. Лейбензон Л.С. Курс теории упругости.М.: ГостехиздатД 947.

83. Надаи А. Пластичностьи разрушение твердых тел. Пер. с англ. ИЛ. Москва, 1954.

84. Новожилов В.В. Теория упругости. Ленинград, Судпромгиз,1958.

85. Тимошенко С.П. Теория упругости. Пер.с англ. ОНТИ,1934.

86. Седов Л.И. Введение в механику сплошной среды.М. :Физматгиз, 1962.

87. Ляв А. Математическая теория упругости. Пер. с англ. ОНТИ, Москва,1935.

88. Гегузин Я.Е. ДАН СССР,100, 225, 1955.

89. Гегузин Я.Е., Н.Н.Овчаренко. ФММ 4, 400, 1955.

90. Гегузин Я.Е., Салунский В.И., Кагановский Ю.С. Кристаллография. Т.9, вып.2, с. 248-254, 1964.

91. Гегузин Я.Е., Салунский В.И. Кристаллография. Т. 12, вып.З, с. 577578, 1964.124

92. Гимпельсон В.Д., Родионов Ю.А. Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники. М.: Машиностроение, с.52-57,1976.

93. Ройх И.Л., Колтунова Л.Н, Федосов С.Н. Нанесение защитных покрытий в вакууме.-М. Машиностроение, 1976.-367с.

94. Ройх И.Л., Колтунова Л.Н. Защитные покрытия на стали. М.: Машиностроение. 1979.

95. Трег С., Синг К. Адсорбция, удельная поверхность, пористость. М.:Мир,1970.

96. ЮО.Красулин Ю.Л. Взаимодействие металла с полупроводником в твердой фазе. М.: Наука, 1974.

97. Физические основы надежности интегральных схем. Под ред. Милера. М.: Энергия, 1976.

98. Порай-Кожиц Е.А. Сб. "Методы исследования структуры высокодисперсных и пористых тел. Изд-во АН СССР. 1953.

99. О техническом внедрении результатов диссертационной работы Тыщишина В.В. на тему: "Разработка методики определения допустимых уровней дефектности тонких металлических пленок."

100. Проректор МИЭТ по учебной работепрофессор Поспелов А.С.1. УТВЕРЖДАЮ"г г

101. Об использовании в учебном процессе результатов диссертационной работы Тыщишина В.В. на тему: "Разработка методики определения допустимых уровней дефектности тонких металлических пленок".

102. НОУКОВО-ДОСЛШНИЙ • (НСТИТУТ ¡НДИКЯТОРНИХ ПРИЛЯД|'В /, ГЕШЙ"8 7Щ н. BiHHHUfl, ВУЛ. BfiWlHflJ8утвещдаю"

103. ДИРЕКТОР государственного научно-исследовательского ИНСТИТУТА "ГЕЛИи", КАНДИДАТiX НАУК ГАВРИЛШ Г.И. "З^Т999г.а к т

104. О техническом внедрении результатов диссертационной работы ТЫЩПИНА В.В. на тему п Разработка методики определения допустимых уровней дефектности тонких металлических пленок".

105. В результате проведенных работ годовой экономический эффект от внедрения на 1999 год составил 150 тыс. рублей.

106. Основанием для финансовых расчетов с МИЭТ данный документ неявляется.1. Зам. директора поэкономике {-%( > ¿£.3. Севастьянов1. А К Т

107. О техническом внедрении результатов диссертационной работы Тыщишина З.В.- на тему : "Разработка методики определения допустимых уровней дейектности тонких металлических пленок "

108. Основанием для финансовых расчетов с МИЗТ данный документ не является.

109. Зам.дире ктора по экономике1. О.Н.Дрисяннюк