автореферат диссертации по электронике, 05.27.03, диссертация на тему:Перестраиваемые гетеролазеры A3 B5 и системы на их основе для определения газовых микропримесей и дистанций

Введение

ОГЛАВЛЕНИЕ

Глава I. Инжекциошше лазеры на А В

Глава II. Метод диодной лазерной спектроскопии. Базовая конструкция газоанализатора на основе метода диодной лазерной спектроскопии

2.1. Сравнение параметров различных типов газоанализаторов. Преимущества оптико-электронных газоанализаторов на основе перестраиваемых инжекционных лазеров

2.2. Принципиальная схема оптико-электронного газоанализатора

2.3. Физические характеристики оптико-электронного анализатора и области его применения

2.4. Регистрация микро- и нанопримесейдазов в воздухе, выдыхаемом человеком i

2.4.1. Спектроскопическое детектирование следовых количеств газов. Алгоритм измерения

2.4.2. Регистрация фоновых количеств вещества. Калибровка.

2.5. Объекты диагностики (С02, СО, СН4, NH3) в атмосфере и в выдыхаемом воздухе

Глава III. Оптико-электронная схема регистрации следов газов по аналитическим линиям на основе составных частот

3.1. Инфракрасные спектры поглощения молекул газов

3.1.1. Определение величины содержания газа из спектроскопических характеристик молекулы

3.1.2. ИК спектры поглощения исследуемых молекул

3.2. Устройство оптико-электронного газоанализатора для регистрации

СО2. Схема прибора

3.3. Применение диодно-лазерного газоанализатора в реаниматологии и анестезиологии

Глава IV. Лазерно-спектроскопическая оптико-электронная навигационная система

4.1. Спектр поглощения атмосферного кислорода

4.2. Преимущества метода

4.3. Разработка инжекционных лазеров с прецизионно заданной длиной волны в области 760 нм

4.4. Макет навигационной системы

4.5. Область применения

В последнее время заметно вырос интерес к неохлаждаемым перестраиваемым лазерным диодам на основе твердых растворов АШВУ, излучающим в ближней ИК и видимой областях спектра.

В этом случае для аналитических применений используются составные частоты молекулярного спектра. Чувствительность снижается, но для широкого использования весьма привлекательно отсутствие глубокого охлаждения.

Метод диодной лазерной спектроскопии разрабатывался под руководством профессора AM. Надеждинского под патронажем лауреата Нобелевской премии академика А.М. Прохорова.

По "tunable diode laser spectroscopy" в России проведено уже три международных конференции, организованные профессором А.И. Надеждинским и сейчас готовится конференция в Швейцарии.

Инжекционный лазер (ИЛ) по спектральной плотности мощности и яркости на много порядков превосходит тепловые источники излучения, низкой спектральной плотностью которых ограничивается разрешение в классической ИК спектроскопии. Например, лазерный диод из теллурида свинца-олова, излучающий на длине волны 10 мкм мощностью всего 10 мкВт, обладает спектральной плотностью мощности на девять порядков выше, чем абсолютно черное тело с отверстием в полости около метра в диаметре.

Дальнейшему расширению области применения перестраиваемых ИЛ способствуют такие их уникальные качества, как возможность получения с помощью твердых растворов генерации с заданной длиной волны, высокая монохроматичность (до 10"6 см"1), большой диапазон перестройки ( ~ 100 см"1), простота и легкость частотной и амплитудной модуляции, высокая стабильность, малая площадь излучающей области (~ 10"4 см2), компактность и др.

Размер активной области перестраиваемых ИЛ составляет ~ 20 * 50 мкм2.

Таким образом, для характерных пороговых токов 100 - 500 мА при температурах около 50 К, плотность тока через переход находится на уровне 1-10 кА/см2, а расходимость лазерного излучения, носящая дифракционный характер, составляет для длины волны 10 мкм ~ 6° в плоскости р-н перехода и ~ 12° в плоскости перпендикулярной к нему.

Коэффициент полезного действия лазера, определяемый как отношение мощности генерируемого излучения к мощности накачки, рассеиваемой диодом, прямо пропорционален внутреннему квантовому выходу рекомбинационного излучения и отношению энергии запрещенной зоны к падению напряжения на диоде. Типичная величина КПД составляет -0,1-1 %.

Выходная мощность лазера (Р) пропорциональна внутреннему квантовому выходу и превышению плотности тока накачки J над ее пороговым значением. Например, при инжекционном токе J = 2 А для 5 мкм ДЛ входная мощность накачки будет равна 0,5 Вт.

Перечисленные свойства ИЛ определяют как точностные возможности газоанализаторов на их основе, так и возможность по достижению наилучшей чувствительности.

Накачка ДЛ проводится периодическими импульсами тока длительностью от ~ 10 мкс до ~ 10 мс со скважностью 1-10 , и величиной тока от ~ 100 мА до ~ 10 А. В результате разогрева кристалла ДЛ при пропускании инжекционного тока происходит нелинейная перестройка частоты ДЛ, носящая кусочно-непрерывный характер при этом участки плавной перестройки составляют, как правило, ~ 0,3-К3 см"1. Подбор параметров питания ДЛ позволяет перекрыть спектральный интервал, в котором находится необходимый набор линий поглощения. Блок контроллера при управлении через компьютер или набор соответствующей аппаратуры поддерживает нужный режим работы лазера.

Актуальность работы. Наукоемкая продукция, в которой используются инжекционные лазеры, находит широкое применение в различных отраслях народного хозяйства, оборот - 6 млрд $ в год. Это и сложнейшие телекоммуникационные системы, основанные на лазерах с двойной гетероструктурой, и проигрыватели компакт-дисков, и различное исследовательское оборудование, и многое, многое другое.

В нашей стране и за рубежом активно ведется работа по созданию новых материалов и технологий для лазеров. Эти работы во многом вызваны тем, что помимо уже достаточно давно существующих направлений применения полупроводниковых инжекционных лазеров появляются новые области их приложения. Такими, относительно новыми областями, являются диодно-лазерная спектроскопия для медицинского направления, а также оптико-электронная навигационная система.

К началу исследований, составивших предмет настоящей работы, использование метода диодной лазерной спектроскопии в газоанализе уже нашло свое применение в таких областях как контроль загрязнений окружающей среды, исследование процессов атмосферной химии, контроль технологических процессов и др. В отличие от нашедшего наиболее широкое распространение использования лазерных диодов в исследованиях микросодержаний атмосферного воздуха, их применение в медицинской диагностике только начинает развиваться.

Что касается навигационной системы, основанной на абсорбции кислорода, то и это достаточно перспективное направление до сих пор находилось в тени.

Цель настоящей работы состояла в определении величины содержания углекислого газа в выдохе человека для реанимационных процедур, а также в регистрации линий поглощения молекулы атмосферного кислорода. Этим определялись ее основные направления: разработка ДЛ систем с учетом требований, предъявляемых характеристиками выдоха; достижение необходимых уровней чувствительности и точности в регистрации контуров линий поглощения микрокомпонент в выдыхаемом воздухе; разработка методов калибровки; автоматизация процесса измерений; разработка инжекционных лазеров с прецизионно заданной длиной волны (760 нм) для регистрации линий атмосферного кислорода и разработка на их основе макета навигационной системы.

Получены следующие основные результаты, которые определяют новизну работы и выносятся на защиту: разработан макет диодного лазерного газоанализатора для детектирования углекислого газа в выдохе человека при реанимационных процедурах;

- показано, что абсолютная калибровка газоанализатора позволяет учитывать изменения процентного состава среды и ее температуры, не прибегая к обширному набору калибровочных смесей;

- зарегистрированы уровни концентрации углекислого газа в выдыхаемом человеком воздухе в реальном временном масштабе;

- обоснована целесообразность применения импульсных диодных лазеров в диагностике микрокомпонент газового состава выдыхаемого воздуха;

- разработан инжекционный лазер с прецизионно заданной длиной волны 760 нм;

- реализована макетная схема навигационной системы.

Практическая значимость работы определяется спектром фактического использования ее результатов. ДЛ системы, близкие по параметрам к описанной в настоящей работе, находят применение в таких направлениях современной медицины как:

- обзорные (скрининговые) тесты дыхания;

- выявление механизмов отравления и методов их компенсаций;

- исследование реакций организма человека на воздействие химических веществ в условиях замкнутого пространства;

- исследование метаболизма в организме и его отдельных системах;

- определение диффузионной способности легких;

- исследование связи выдыхаемого уровня СО с уровнем карбоксии гемоглобина в крови.

К этим интереснейшим направлениям добавляется применение газоаналитической аппаратуры в комплексе интенсивной терапии больных с респираторными расстройствами или нуждающихся в респираторной поддержке с целью мониторинга концентрации СОг на выдохе и подбора адекватной вентиляции легких.

Безопасная для глаз навигационная система будет иметь многочисленные гражданские применения, в первую очередь в авиации.

Высокая плотность воздушных судов на взлетно-посадочных полосах ведет к росту числа их столкновений. В течение двух лет с 1988 по 1990 гг ежегодное число столкновений на взлетно-посадочных полосах США выросло примерно в 1,5 раза. Эта тенденция за последние годы только усилилась, т.к. пилоты в вопросах предупреждения столкновений вынуждены полагаться на перегруженную систему контроля воздушного движения. А недорогая навигационная система, основанная на абсорбции могла бы обеспечить важнейшей информацией об относительном положении в самый ответственный момент. Следует отметить, что большинство столкновений в гражданской авиации происходит при нормальных погодных условиях в отсутствии тяжелых туманов и облаков, когда система имеет наибольшее дальнодействие.

Другие возможные применения включают в себя предотвращение столкновений судов, поездов и т.п., а также любые ситуации, где необходимо определять и отслеживать место нахождения коллективных объектов.

Апробация работы проводилась во время клинических испытаний макета газоанализатора в феврале-марте 2000 г. в реанимационном отделении больницы им. Боткина. Испытания показали перспективность применения прибора в данном направлении.

Публикации. По тематике работы в печати опубликовано 11 работ.

Содержание диссертации. Работа состоит из введения, четырех глав, заключения, приложений, списка публикаций и использованной литературы.

ВЫВОДЫ профессор

И.В.Молчанов

L L \ ш —1 ™ f=---rL

Рис. 3f. Кюветное отделение аналитического канала. mt

ЧР

1. *Размер для справок

Рис. 32. Кюветное отдаление реперного канала о

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе получены следующие основные результаты: разработан макет диодного лазерного газоанализатора для детектирования углекислого газа в выдохе человека при реанимационных процедурах;

- показано, что абсолютная калибровка газоанализатора позволяет учитывать изменения процентного состава среды и ее температуры, не прибегая к обширному набору калибровочных смесей;

- зарегистрированы уровни концентрации углекислого газа в выдыхаемом человеком воздухе в реальном временном масштабе;

- обоснована целесообразность применения импульсных диодных лазеров в диагностике микрокомпонент газового состава выдыхаемого воздуха;

- разработан инжекционный лазер с прецизионно заданной длиной волны 760 нм;

- реализована макетная схема навигационной системы.

1. Курбатов Л.Н. Оптоэлектроника видимого и ИК диапазонов// М., изд. МФТИ, 1999 г.

2. Елисеев П.Г. Введение в физику инжекционных лазеров// М., «Наука», 1983г.

3. Якушенков Ю.Г. Теория и расчет оптико-электронных приборов// М., «Логос», 1999 г.

4. Maki A.G., Wells J.S. Wavenumber calibration tables from heterodyne frequency measurments// NIST Special Publication 821, Washington: National Institute of Standards and Technology, 1991.

5. Guelachvili G., Narahari Rao K. Handbook of Infrared Standards// Academic Press, Inc., 1986.

6. Мальцев А.А. Молекулярная спектроскопия// M., изд. МГУ, 1980 г.

7. Кузнецов А.И., Логачев А.П., Степанов Е.В. Анализ выдыхаемого человеком воздуха методами диодной лазерной спектроскопии// Известия АН СССР, физ. серия, 1990, V. 54, № 10, pp. 1909-1914.

8. Smith R.J. and Casey Willuam L. Dart: A Novel Sensor for Helicopter Flight Safety// Photonics Spectra, 1992, V. 26, № 7, pp. 110-116.

9. Smith R. J. and Casey Willuam L. A covert helicopter position sensor based on a differential absorption ranging technique (DART)// Second Annual SO/LIC Symposium, 9-11 december 9-11,1990, Washington, pp. 43-52.

10. Басов Н.Г., Вул Б.М., Попов Ю.М. Квантовомеханические полупроводниковые генераторы и усилители электромагнитных колебаний// ЖЭТФ, 1959, т. 37, с. 587.

11. Басов Н.Г., Крохин О.Н., Попов Ю.М. Генерация, усиление и индикация инфракрасного и оптического излучения с помощью квантовых систем// УФН, 1961, т. 72, с. 161-209.

12. Басов Н.Г., Крохин О.Н., Попов Ю.М. Получение состояний с отрицательной температурой в р-п-переходах вырожденных полупроводников// ЖЭТФ, 1961, т. 72, с. 1879-1880.

13. Велькер Г., Вейсс Г. Новые полупроводниковые материалы// М., ИЛ, 1958, с. 9.

14. Горюнова Н.А. Химия алмазоподобных соединений// Л., изд. ЛГУ, 1963, с. 92.

15. Hall R.N., Fenner G.E., Kingsley J.D. et al. Coherent light emission from GaAs junctions// Phys. Rev. Let., 1962, V. 9, № 9, pp 366-378.

16. Nathan M.I., Dumke W.P., Burns G. et al. Stimulated emission of radiation from GaAs p-n-junctions// Appl. Phys. Let., 1962, V. 1, № 3, pp. 62-64.

17. Holonyak N. Jr., Bevacqua S.F. Coherent (visible) light emission from Ga(Asi.xPx) junction// Appl. Phys. Let., 1962, V. 1, № 3, pp. 82-83.

18. Quist T.M., Rediker R.H., Keyes R.J., Krag W., Lax B. et al. Semiconductor maser of GaAs// Appl. Phys. Let., 1962, V. 1, № 4, pp. 91-92.

19. Багаев B.C., Басов Н.Г., Вул Б.М. и др. Полупроводниковый квантовый генератор на р-п-переходе в GaAs// ДАН СССР, 1963, т. 150, № 2, с. 275-278.

20. Hall R.N. Injection lasers// IEEE Trans. Electron. Devices, 1976, V. 23, № 7, pp. 700-704.

21. Engeler W.E., Gartinkel M. Characteristics of a continuous high power GaAs junction laser// J. Appl. Phys., 1964, V. 35, № 6, p. 1734.

22. Ciftan M., Debye P.P. On the parameters which affect the CW output of GaAs lasers// Appl. Phys. Let., 1965, V. 6, № 6, p. 120.

23. Елисеев П.Г., Страхов В.П. Полупроводниковый квантовый генератор непрерывного действия с выходной мощностью в несколько ватт// ЖТФ, 1970, т. 40, с. 1564-1565.

24. Дрожбин Ю.А., Захаров Ю.П., Никитин В.В. и др. Генерация ультракоротких световых импульсов на ПКГ на GaAs// Письма в ЖЭТФ, 1967, т. 5, с. 180.

25. Курносов В.Д., Плешков А.А., Ривлин Л.А. и др. Динамика излучения полупроводниковых квантовых генераторов// Труды ЕХ Межд. конф. по физике полупроводников, Л., «Наука», 1969, т. 1, с. 582-585.

26. Nelson D.F., Gershenzon M., Ashkin A. et al. Band-filling model for GaAs injection luminescence// Appl. Phys. Let., 1963, V. 2, № 6, pp. 182-184.

27. Dumke W.P. Properties and machanism of GaAs injection lasers// Brooklyn: Optical Masers (Proc. Symp.) Polytechnic press., N.Y., 1963, p. 461.

28. Багаев B.C., Безорашвили Ю.Н., Вул Б.М. и др. О механизме рекомбинационного излучения арсенида галлия// ФТТ, 1964, т. 6, № 5, с. 13991401.

29. Lasher G., Stern F. Spontaneous and stimulated recombination radiation in semiconductors//Phys. Rev., 1964, V. 133A,pp. 553-563.

30. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур// ФТП, 1998, т. 32, № 1, с. 3-18.

31. Губанов А.И. ЖТФ, 1950, т. 20, с. 1287.

32. Губанов А.И. ЖТФ, 1951, т. 21, с. 304.

33. Kroemer Н. Proc. JRE, 1957, V. 45, р. 1535.

34. Kroemer Н. RCA Rev., 1957, V. 28, р. 332.

35. Алферов Ж.И., Казаринов Р.Ф. Авторское свидетельство № 181737 (1963).

36. Kroemer Н. A proposed class of heterolunction injection lasers// Proc. IEEE., 1963, V. 51, №12, p. 1782.

37. Алферов Ж.И., Халфин В.Б., Казаринов Р.Ф. ФТТ, т. 8, с. 3102.

38. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Корольков В.М. и др. Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетеропереходами в системе AlAs-GaAs// ФТП, 1968, т. 2, № 10, с. 1545-1548.

39. Hayashi I., Panish М.В., Foy P.W. A low threshold room-temperature injection laser// IEEE J. Quant. Electron., 1969, V. 5, № 4, pp. 211-212.

40. Kressel H., Nelson H. Improved red and infrared light-emitting GaAs laser diodes using close confinment structure// Appl. Phys. Let., 1969, V. 15, pp. 7-9.

41. Алферов Ж.И., Андреев B.M., Портной E.JI., Трукан М.К. Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе AlAs-GaAs с низким порогом генерации при комнатной температуре// ФТП, 1969, т. 3, с. 1328.

42. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Гарбузов Д.З. и др. Исследование влияния параметров гетероструктуры на пороговый ток лазеров и получение непрерывного режима генерации при комнатной температуре// ФТП, 1970, т. 4, с. 1826-1830.

43. Hayashi I., Panish М.В., Foy P.W., Sumski S. Junction lasers which operate continuously at room temperature// Appl. Phys. Let., 1970, V. 17, p. 109.

44. Бронштейн И.К., Долгинов JI.M., Дружинина Л.В. и др. Инжекционный квантовый генератор непрерывного действия при 300 К// Сб. Краткие сообщения ГИРЕДМЕТ, 1970, сер. 5, № 21.

45. Alferov Zh.I., Andreev V.M., Konnikov S.G., Nikitin V.G. Proc. Int. Conf. On Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures, Budapest, October 1970.

46. Елисеев П.Г., Шуйкин H.H. Одномодовые и одночастотные инжекционные лазеры// Квантовая электроника, 1973, т. 3 (15), с. 5-26.

47. Statz Н., Tang C.L., Lavine J.M. Spectral output of semiconductor lasers// J. Appl. Phys., 1964, V. 35, № 9, p. 2581.

48. Елисеев П.Г., Красильников А.И., Манько M.A., Страхов В.П. Исследование инжекционных лазеров на постоянном токе// Сб. Физика р-п-переходов и полупроводниковых приборов, Л., 1969, с. 131-141.

49. Елисеев П.Г., Страхов В.П. Одномодовая генерация в инжекционных лазерах// Письма ЖЭТФ, 1972, т. 16, с. 606-608.

50. Казаринов Р.Ф., Сурис Р.А. ФТП, 1972, т. 6, с. 1359.

51. Алферов Ж.И., Гуревич С.А., Казаринов Р.Ф. и др. ФТП, 1974, т. 8, с. 832.

52. Nakamura М., Yariv A, Yen H.W., Somekh S., Garvin H.L. Appl. Phys. Let., 1973, V. 22, p. 315.

53. Scifres D.R., Burnham R.D., Streifer W. Appl. Phys. Let., 1974, V. 25, p. 203.

54. De Loach B.C., Jr. Reability of GaAs injection lasers// IEEE J. Quant. Electron., 1973, V. 9, №6, p. 688.

55. Petroff P., Hartman R.L. Defect structure introduced during operation of heterojunction GaAs lasers// Appl. Phys. Let., 1973, V. 23, pp. 469-471.

56. Cho A.Y. Appl. Phys. Let, 1971, V. 19, p. 467.

57. Manasevit H.M. Appl. Phys. Let., 1968, V. 12, p. 156.

58. Dingle R., Wiegmann W., Henry C.H. Phys. Rev. Let., 1974, V. 33, p. 827.59. van der Ziel J.P., Dingle R., Miller R.C., Wiegmann W., Nordland W.A. Appl. Phys. Let., 1975, V. 26, p. 463.

59. Dupuis R.D., Dapkus P.D., Holonyak N„ Rezek E.A., Chin R. Appl. Phys. Let., 1978, V. 32, p. 295.

60. Tsang W.T. Appl. Phys. Let., 1982, V. 40, p. 217.

61. Esaki L. Tsu R. IBM J. Res. Dev., 1970, V. 14, p. 61.

62. Келдыш Л .В. ФТТ, т. 4, с. 2265.

63. Казаринов Р.Ф., Сурис Р.А. ФТП, 1973, т. 7, с. 347.

64. Esaki L. Tsu R. Appl. Phys. Let., 1973, V. 22, p. 562.

65. Ludowise M., Dietze W.T., Lewis C.R., Campas M.D., Holonyak N., Fuller B.K., Nixon M.A. Appl. Phys. Let., 1983, V. 42, p. 487.

66. Rezek E.A., Shishijo H„ VojakB.A., Holonyak N. Appl. Phys. Let, 1977, V. 31, p. 534.

67. Алферов Ж.И. и др. ФТП, 1987, т. 21, с. 914.

68. Алферов Ж.И. и др. Письма ЖТФ, 1988, т. 14, с. 1803.

69. Klitzing К.V., Dorda G., Pepper M. Phys. Rev. Let., 1980, V. 45, p. 494.

70. Tsui D.C., Stormer H.L., Gossard A.C. Phys. Rev. Let., 1982, V. 48, p. 1559.

71. Faist J. et al. Electron Let, 1994, V. 30, p. 865.

72. Shin-Ichi N., Naruhito I. et al. High-power and long-lifetime InGaN multi-quantum-well laser diodes grown on low-dislocation-density GaN substrates// Jap. J. Appl. Phys., 2000, V. 39,№ 7A, pp. L647-L650.

73. Petroff P., Gossard A.C., Logan R.A., Wiegman W. Appl. Phys. Let., 1982, V. 41, p. 635.

74. Arakawa Y., Sakaki H. Appl. Phys. Let., 1982, V. 40, p. 939.

75. Simhony S., Kapon E., Colas Т., Hwang D.M., Stoffel N.G., Worland P. Appl. Phys. Let., 1991, V. 59, p. 2225.

76. Geim K.T., Xue-Lun W., Mutsuo O. Spectral characteristics of vertically stacked etched multiple-quantum-wire lasers fabricated by flow rate modulation epitaxy// Jap. J. Appl. Phys., 2000, V. 39, № 5A, pp. 2516-2519.

77. Екимов А.И., Анущенко A.A. Письма ЖЭТФ, 1981, т. 34, с. 363.

78. Эфрос Ал.Л., Эфрос А.Л. ФТП, 1982, т. 16, с. 1209.

79. Goldstein L., Glas F., Marzin J.Y., Charasse M.N., Le Roux G. Appl. Phys. Let., 1985, V. 47, p. 1099.

80. Андреев А.Ф. ЖЭТФ, 1981, т. 80, с. 2042.

81. Марченко В.И. ЖЭТФ, 1981, т. 81, с. 1141.

82. Ipatova I.P., Malyshkin V.G., Shchukin V.A. J. Appl. Phys., 1993, V. 74, p. 7198.

83. Ipatova I.P., Malyshkin V.G., Shchukin V.A. Phil. Mag. B, 1994, V. 70, p. 557.

84. Андреев А.Ф. Письма ЖЭТФ, 1980, т. 32, с. 2654.

85. Марченко В.И. Письма ЖЭТФ, 1981, т. 33, с. 397.

86. Grundmann М., Ledentsov N.N., Alferov Zh.I. et al. Phys. St. Sol., 1995, V. 188, p. 249.

87. Леденцов H.H., Устинов B.M., Иванов C.B., Мельцер Б.Я., Максимов М.В., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И. УФН, 1996, т. 166, с. 423.

88. Kierstaedter N. Electron. Let., 1994, V. 30, p. 1416.

89. Алферов Ж.И. и др. ФТП, т. 30, с. 351.

90. Tzer-En N. et al. J. Ciyst. Growth, 1999, V. 201-202, pp. 905-908.

91. Михрин C.C. и др., Алферов Ж.И. Пространственно одномодовый лазер диапазона 1,25-1,28 мкм с квантовыми точками InAs на подложке GaAs// ФТП, 2000, т. 34, вып. 1, с. 117-119.

92. Бритов А.Д. Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона// Диссертация на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук, Ленинград, 1983 г., с. 163-173.

93. Аскарян Т.А. Исследование гетеросистем на основе пятикомпонентных твердых растворов А3В5// Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук, Новочеркасск, 1989 г., с. 20.

94. Акимова И.В., Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мажорова О.С. Некоторые вопросы выращивания полупроводниковых лазерных гетероструктур// Труды ФИАН, 1992 г., т. 216, с. 56-86.

95. Елисеев П.Г., Хой В.Х. Применения полупроводниковых лазеров в медицинской технике// Труды ФИАН, 1992 г., т. 216, с. 186-194.

96. Хилсум К., Роузинс А. Полупроводники типа АШВУ// М., ИЛ, 1963 г., 323 с.

97. Маделунг О. Физика полупроводниковых элементов III и V групп// М., Мир, 1967 г., 477 с.

98. Полупроводниковые соединения АШВУ/ Под ред. Р. Вилардсона и X. Геринга// М., Металлургия, 1967 г., 728 с.

99. Барышев И.С. Свойства и применение узкозонных полупроводников// Казань, Унипресс, 2000 г., 434 с.1. Список публикаций

100. А.Д. Бритов, А.С. Кононов, Ю.Г. Басов, В.В. Сысун «Инжекционные источники света»// 2 Белорусско-Российский сем. «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», 22-24 мая 1997 г., Минск. Сборник тезисов. - с. 23.

101. А.Д. Бритов, А.И. Надеждинский, А.Г. Березин, АС. Кононов, Н.А. Сулейманов, О.В. Ершов, В.Г. Кутняк «Медицинский газоанализатор на лазерах и фотоприемниках ближнего ИК диапазона»// Прикладная физика, 1999 г. № 2. - с. 30-34.

102. A.D. Britov, A.I. Dirochka, A.S. Kononov, P.S. Serebreimikov, N.A. Suleimanov, LP. Suprun «Structural perfection diagnostics of narrow-gap photosensitive semiconductor junctions by diffraction»// Proc. SPIE, 2000. V. 4340. - p. 320-323.