автореферат диссертации по машиностроению и машиноведению, 05.02.13, диссертация на тему:Оптимизация рабочих характеристик электрографических фоторецепторов

На правах рукописи

Коннов Филипп Юрьевич

ОПТИМИЗАЦИЯ РАБОЧИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИХ ФОТОРЕЦЕПТОРОВ

Специальность 05 02 13 -Машины, агрегаты и процессы (полиграфического производства)

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

□□3176421

Москва - 2007

003176421

Работа выполнена на кафедре «Техника и технологии цифровой печати» ГОУВПО Московский государственный университет печати

Научный руководитель

доктор химических наук профессор

Ванников Анатолий Вениаминович

Официальные оппоненты

доктор технических наук Баблюк Евгений Борисович

доктор физико-математических наук профессор

Колесников Владислав Алексеевич

Ведущая организация

Научно-исследовательский фототехнический институт (НИФТИ)

Защита диссертации состоится «/£» 2007 г

в ¡¿.00 на заседании диссертационного совета Д 212 147 01 при Московском государственном университете печати по адресу г Москва, ул Прянишникова 2а

Автореферат разослан «12. » ОКТ^С^Л^ 2007 г

Ученый секретарь диссертационного совета Д 212 147 01, доктор химических наук профессор Наумов В А

Общая характеристика работы

Актуальность исследования. Высокие темпы развития рынка оперативной полиграфии и персонализированной печатной продукции в последнее десятилетие определяют стабильный высокий интерес к электрофотографическим печатающим устройствам во всем мире Как известно, ключевую роль в электрофотографическом процессе играет скрытое электростатическое изображение (СЭИ), образованное на поверхности фоторецептора

Ввиду того что электрофотографический процесс является многопараметрическим, встает вопрос об оптимизации этих параметров с целью наиболее полной реализации возможностей электрофотографии и получения изображения максимально высокого качества

Известна лишь одна работа (М. Scharfe, 1984), в которой описывается комплексная оптимизация параметров системы фоторецептор - проявитель. Однако допущения, сделанные в этой работе, привели к тому, что оптимизированные значения параметров в основном совпадали с заданными граничными значениями

В последнее время широкое распространение получили двухслойные органические фоторецепторы, имеющие по сравнению с неорганическими фоторецепторами целый ряд преимуществ (относительная легкость изготовления, эластичность, высокий квантовый выход, возможность варьирования отдельных характеристик в широких пределах, не затрагивая, остальные и др) При этом электронные процессы в органических фотопроводниках существенно отличаются от аналогичных процессов в неорганических фотопроводниках

Поэтому исследования, направленные на расширение методов оптимизации параметров электрофотографического фоторецептора с учетом свойств новейших материалов являются актуальными для конструирования новых фоторецепторов с заранее заданными параметрами

Цель диссертационной работы. Целью данной работы является оптимизация параметров фоторецептора в процессе образования СЭИ для получения максимальной величины проявляющего поля как основного параметра, определяющего качество конечного тонерного изображения, а также количественная оценка предельных значений характеристик электрофотографического метода При этом основное внимание уделяется рассмотрению и учету зависимости квантового выхода генерации свободных носителей заряда от величины электрического поля, изменяющейся в максимально широких пределах Данная цель достигается решением следующих задач 1 Создание математической модели проявляющего поля

- Определение параметров системы фоторецептор — проявитель, влияющих на величину нормальной составляющей проявляющего поля

— Нахождение математической зависимости нормальной составляющей проявляющего поля от найденных параметров

— Анализ степени влияния каждого параметра на величину проявляющего поля

— Определение граничных условий для каждого параметра

— Максимизация величины нормальной составляющей проявляющего поля с учетом выбранных граничных условий

2 Экспериментальная проверка модели

— Изготовление образцов двухслойного фоторецептора

— Измерение фотоиндуцированных разрядных кривых образца и сравнение с расчетной зависимостью

3 Определение предельных значений характеристик фоторецепторов

— Анализ связи характеристик двухслойных фоторецепторов с физико-химическими процессами, определяющими работу фоторецептора

— Расчет предельных значений характеристик фоторецепторов и экспериментальная проверка расчетных значений

Научная новизна работы заключается в следующем Оптимизированы рабочие параметры электрофотографических фоторецепторов с учетом специфической для органических систем зависимости эффективности фотогенерации свободных носителей заряда в генерационном слое фоторецептора от величины электрического поля На основе анализа физико-химических процессов определены предельные характеристики электрофотографического метода печати разрешающая способность изображения, время жизни скрытого электростатического изображения, скорость печати электрофотографическим методом

Практическая ценность. Разработанная в диссертации методика оптимизации позволяет еще на этапе проектирования определять основные характеристики фоторецептора Проведенная оценка предельных характеристик электрофотографии как метода печати позволяет очертить границу его применения и обозначить дальнейшие перспективы развития

Публикации. По тематике работы опубликованы 7 научных статей, включая тезисы докладов на трех международных научно-технических конференциях

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на трех международных конференциях "Printing Technology SPb'06", 33rd International Research Conference "Advances m Printing and Media Technology" IAIGAI Leipzig 2006, IV Российско-Французский симпозиум «Супрамолеку-лярные системы в химии и биологии», конференциях молодых ученых МГУП, заседаниях кафедры Техника и технологии цифровой печати МГУП,

семинарах лаборатории «Электронные и фотонные процессы в полимерных наноматериалах» ИФХЭ РАН

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, заключения, библиографического списка использованных источников и приложения Она содержит 89 страниц, включая 33 рисунка

Положения, выносимые на защиту

Квантовый выход образования в транспортном слое фоторецептора свободных носителей заряда и его зависимость от величины электрического поля являются основными параметрами, определяющими характеристики скрытого электростатического изображения на фоторецепторе

Анализ физико-химических процессов, протекающих в фоторецепторе при его работе, дает возможность оптимизировать характеристики фоторецептора с целью получения максимальных значений определенных параметров скрытого электростатического изображения

Определение предельных характеристик скрытого электростатического изображения позволяет заключить, что существует возможность существенного улучшения таких характеристик, как передача мелких деталей при печати и скорость получения электрофотографических изображений

Содержание работы

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, сформулирована цель и детализированы задачи исследования, раскрыта научная новизна и практическая ценность работы, приведены положения, выносимые на защиту

В первой главе рассматривается задача оптимизации параметров системы фоторецептор - проявитель Задача имеет важное практическая значение для определения характеристик фоторецептора на этапе его проектирования При этом основное внимание уделяется рассмотрению и учету зависимости квантового выхода генерации свободных носителей заряда от величины электрического поля, изменяющейся в максимально широких пределах

Для описания процесса образования свободных носителей заряда из электрон-дырочных пар широко используется модель, базирующаяся на теории Онзагера В этой модели предполагается, что свободные носители заряда образуются в несколько стадий

Эффективность фотогенерации складывается из эффективности образования пар связанных зарядов и вероятности диссоциации этих пар на свободные носители заряда

Количественно процесс образования свободных носителей заряда характеризуется квантовым выходом г/, представляющего собой произведение квантового выхода образования пар связанных зарядов щ и вероятность диссоциации пар на

свободные носители заряда <р, которая зависит от приложенного внешнего электрического поля Механизм образования свободных носителей заряда из фото генерированных связанных пар по Онзагеру действителен для всех веществ, для которых выполняется соотношение гс > г0 где г0 - радиус термализации электрона или расстояние между зарядами в паре, а гс — кулоновский радиус, то есть расстояние между зарядами, на котором энергия кулоновского взаимодействия равна тепловой энергии заряженных частиц, rc = e2IAjiesJ(T. Таким образом, результаты работы справедливы для всех веществ, у которых это условие выполняется Можно подчеркнуть, что для органических электрофотографических слоев это условие выполняется всегда. Характерным признаком указанного условия и выполнения зависимости Онзагера является 5-образный вид зависимости квантового выхода образования свободных носителей заряда от величины электрического поля F в координатах logrjJ7.

Для расчета вероятности диссоциации пар <р в присутствии электрического поля использовалась приближенная формула (1), достаточно точно аппроксимирующая выражение Онзагера (1а), представленное в виде бесконечного ряда

/■ \

= ехр X

<р ~ ехр

гс

-—ехр

f Fe{r0f

кТг„

eFrA rc r( eFr0 У | rc f eFr0V rc К (eFrfX [ r\2kT) ra \2кТ ) г0 \2кТ) г0 \2кТ)

(1) .(1а)

где

_ 1 / 1 / \ 2Л 1 / / / \

1- гс гс _ г г. 1 г

+ — . К, =- 2 + _с_ С

~ 2 1 го 6 Л, 3 15 г0 Л, 12 Л, У

к- константа Больцмана, к = 1,38 х 10~23 Дж/К, Т- температура, К, г0 - радиус термализации электрона, см, F- напряженность электрического поля, В/см

Квантовый выход свободных носителей заряда, согласно Онзагеру, находится по следующей формуле

Ч = Чо <Р, (2)

Параметры щ и га индивидуальны для каждого вещества и зависят от длины волны экспонирующего излучения

В данной работе в качестве образца рассматривается органический фоторецептор с генерационным слоем на основе а-Бе, однако какого либо ограничения на используемые фотопроводники выражение (2) не содержит Это

ражение справедливо как для органических, так и для неорганических фотопроводников, для которых выполняется условие гс > г0 (для селена гс = 45 нм при комнатной температуре)

ЫС^о)

Од/О

Рис 1 График полевой зависимости квантового выхода свободных зарядов при различных, г о. Расчет проведен для с = <5,6 и Т = 298 К

Зная соответствующую зависимость радиуса термализации г0 от длины волны Л, можно найти квантовый выход свободных зарядов для любого фотопроводника

Для а-Бе зависимость радиуса термализации от длины волны можно описать эмпирической формулой

г0 = А ехр(ЬЛ),

(3)

где А и Ь - коэффициенты, А = 3,677 х 10"5см, Ь =-9,895 * 10~3 нм

Для процесса формирования СЭИ штриховой решетки на фоторецепторе, заряженном до поверхностного потенциала У0, величина Е: может быть найдена по формуле

АУ,

где

'о"

£а

— 1 + а

(4) (4а)

p(z) = "»*[*<<*-*)] ,

cosh(k d)

/=_!_

k ( £d | tanh(kd) ^ tanh(kl)

(46) (4b)

здесь / — толщина фоторецептора, с/ - толщина зоны проявления, с, - диэлектрические проницаемости фоторецептора и проявителя, к = 2лг / s, где s - ширина штриха изображения, z — координата (высота проявления), Уа, - напряжение смещения, Уж — остаточный потенциал В СЭИ решетки F0 относится к штрихам, Ух - к пробелам, AVC = V0 - Уж Величина V0 » Уж, поэтому для простоты принимается АУС = У0 Так как Fc„ и Уж- величины одного порядка, в дальнейшем вторым слагаемым в выражении (4) можно пренебречь.

Главная роль в выражении (4) отводится величине электростатического контраста Д Ус, который в нашем случае равен У0 - потенциалу зарядки фоторецептора Фоторецептор, СЭИ и зона проявления показаны на рис 2 Значение величины электростатического контраста зависит от многих факторов и, в первую очередь, определяется потенциалом зарядки фоторецептора, его чувствительностью и сообщенной ему экспозицией

Проявляющий электрод

Проявитель d ed

+++++ ++++++ 1 + + + + +

Фотопроводниковый слой F

X

www

роводящая подложка

Рис 2 Схематическое изображение системы фоторецептор - проявитель

Анализ работы фоторецепторов в условиях функционирования аппаратуры цифровой печати показывает, что длительность лазерного импульса приблизительно равняется 20 не, а время транспорта носителей заряда через слой фотопроводника толщиной 25 мкм оценивается в 10-100 мке

При условии, что все фотоиндуцированные носители заряда достигли поверхности фоторецептора, величину электростатического контраста в условиях работы цифровых аппаратов можно найти по формуле

ал1 е- tj x

AVC =-. (5)

££Q

где Ах - спектральный коэффициент поглощения, е - заряд электрона, е = 1,6Х10~19 Кп, Х- сообщенная экспозиция, фотон/см2, е - диэлектрическая постоянная слоя фотопроводника, е0 - фундаментальная диэлектрическая постоянная, е0 = 8,846* 10~14 Ф/см,

Количество квантов излучения, приходящихся на единицу площади, рассчитывается по формуле

Х=У-Л. (6)

h с

где Я - экспозиция, Дж/см2, Я - длина волны экспонирующего излучения, нм, h - постоянная Планка, h = 6,63 х 10"34 Джхс, с - скорость света в вакууме, с = 3,0х 1017 нм/с

Нетрудно увидеть, что количество квантов света прямо пропорционально длине волны излучения Надо отметить, что физический смысл имеют только те значения А Ус, которые находятся в диапазоне от 0 до У0

Подставляя (5), (6) в (4), получаем конечную формулу для нормальной составляющей электрического поля

Г: = (/о + p(z)fk) Ал letjH/2ÁS£o he, (7)

где г\ находится из (2) Следует подчеркнуть, что Fz прямо пропорционально поверхностному потенциалу V Fz~ Vid

На рис 3 изображены расчетные графики зависимости Fz от важнейших параметров Построение графиков проводилось по формуле (7) при следующих фиксированных параметрах, если сам параметр не является переменной величиной

Толщина фоторецептора / = 5x10"4 см

Толщина зоны проявления d= 10~3 см

Диэлектрическая проницаемость фотопроводника. е = 2,5 Диэлектрическая проницаемость проявителя ed = 5

Ширина штриха изображения s = 4*1(Г3 см

Потенциал зарядки фоторецептора V0 = 700 В

Экспозиция Н= 10~7 Дж/см2

Длина волны экспонирующего излучения X = 450 нм

Температура Т = 298 К

Квантовый выход образования пар щ = 0,13

Эти значения являются типичными для электрофотографических устройств

Я, нм В

Рис 3 Графики зависимости Ег от толщины фоторецептора (I), потенциала зарядки (Уа), длины волны экспонирующего излучения (X) и диэлектрической постоянной слоя (е) в случае селенового фотогенерационного слоя. Расчет произведен по формуле (7)

Из графиков видно, что зависимость нормальной составляющей поля от некоторых параметров носит экстремальный характер, причем характерные пики наблюдались внутри интервала между граничными значениями переменных, поэтому можно предположить, что при оптимизации значения ряда параметров не будут лежать на границе интервала и равняться пороговым значениям

Список параметров, подлежащих оптимизации, и их пороговые значения Толщина фоторецептора 10~4 < / < 0,01 см

Толщина зоны проявления 10"3 < г/ < 0,1 см

Диэлектрическая проницаемость фотопроводника 0 < е <15 Диэлектрическая проницаемость проявителя е^ > 5

Ширина штриха изображения 10~3 <5<4х10~3см

Потенциал зарядки фоторецептора 0 < У0 < 1000 В

Экспозиция Н > 0 Дж/см2

Длина волны экспонирующего излучения 100 <Я < 1000 нм

Верхняя граница для ширины штриха обусловлена тем, что большинство современных цифровых аппаратов имеют разрешение не менее 600 dpi. Этому разрешению соответствует размер светового пятна 40 мкм Оптимизация дала следующие результаты Толщина фоторецептора / = 1,366x10-4 см

Толщина зоны проявления d= 10_3 см (порог),

Диэлектрическая проницаемость слоя е = 5,835

Диэлектрическая проницаемость проявителя е</ = 5 (порог ) Ширина штриха изображения s = 4*10 см (порог)

Потенциал зарядки фоторецептора V0 = 1000 В (порог)

Экспозиция- Н =6,52*10~5Дж/см2

Длина волны экспонирующего излучения Я = 545 нм

Ez = 7,423 *10s В/см Для сравнения, при значениях параметров, по которым строились графики, но при Н - 6,52x10-5 Дж/см2, величина Ег = 2,612*105 В/см, что почти в три раза меньше величины, полученной после оптимизации Пороговые значения, полученные для некоторых параметров, имеют тривиальные причины независимо от значений других параметров Va будет принимать максимальное, a d минимальное значение, так как это автоматически ведет к возрастанию Ez Минимальное значение ed определяет максимальную энергию куло-новского взаимодействия проявителя и СЭИ. Рабочие величины для этих параметров определяются характеристиками используемых в фоторецепторе материалов, например, их электрической прочностью

Данная оптимизация была проведена на примере фоторецептора (не важно однослойного или двухслойного), в котором фотогенерационную функцию выполняет слой аморфного селена При этом следует отметить, что общий вид зависимости выхода свободных носителей заряда от величины электрического поля для органических генерационных слоев тот же самый, что и для селена, так как для них гк > г0 Зная соответствующую зависимость величины радиуса термализации от длины волны, подобную оптимизацию можно провести для любого другого фотопроводника

Экспериментальные результаты

Для экспериментального подтверждения выражения (7) были измерены фотоиндуцированные разрядные кривые (ФИРК) образца двухслойного фоторецептора (см рис 5) с известными параметрами и проведено сравнение со значениями ФИРК, рассчитанными по (7) (описать образец, назвать вещества') Фотоиндуцированная разрядная кривая представляет собой зависимость поверхностного потенциала фоторецептора от экспозиции и является основным инструментом диагностики и исследования фоторецептора

xkxxVxx^yx^xxxxxxxxx«»«

- Транспортный слой {PC + DEH 30%)

- Генерационный слой (tf-Se)

- Электропроводный слой (1пгСМ (SnO?)

- Стеклянная подоожка

Рис 4 Структура образца органического двухслойного фоторецептора, изготовленного для проведения эксперимента

Измерения ФИРК производились на специальной установке Образец заряжался с помощью скоротрона, на сетку которого подавалось 600 В, и затем быстро перемещался в зону экспонирования Экспонирующим излучением являлся свет ксеноновой лампы прошедший через монохроматор Длина волны излучения на выходе из монохроматора Л = 450 нм Потенциал поверхности измерялся с помощью кольцевого электрода из тонкой посеребренной проволоки, соединенного с вольтметром и самописцем Электрод располагался на расстоянии 1 мм над поверхностью, спад потенциала регистрировался самописцем

Экспериментальная ФИРК, приведенная на рис 5, была получена при следующих параметрах

Толщина фоторецептора

Диэлектрическая проницаемость фотопроводника Потенциал зарядки фоторецептора Длина волны экспонирующего излучения Неизвестные параметры щ и Ах входят в (7) линейно и будут влиять лишь на масштаб графика функции вдоль оси абсцисс, а не на его характер Если подобрать эти параметры таким образом, чтобы их произведение было равно 0,128, расчетная ФИРК точно совпадает с экспериментально измеренной на большом интервале значений экспозиции (см рис. 5)

/ = 5 х 10~4 см, в ~ 2,5, У0 = 192 В, Л = 450 нм

Н, Дж/см2

Рис 5 Экспериментальная ФИРК (сплошная черная линия) и расчетные значения с шагом экспозиции АН = 1,5 х 10~7 Дж/см2( штрих) Различие на конечном участке кривой обусловлено остаточным потенциалом, не учитываемым в расчетах

Результаты сопоставления экспериментально измеренной и расчетной ФИРК позволяют утверждать, что выражение (11), связывающее поверхностный потенциал фоторецептора с экспозицией, достаточно хорошо согласуется с экспериментом и может быть применено для расчета электростатического контраста СЭИ, а также для оптимизации системы фоторецептор - проявитель в цифровых электрофотографических устройствах.

В третьей главе оцениваются предельные характеристики электрофотографических фоторецепторов Анализ характеристик транспорта фотогенери-рованных носителей заряда через фоторецептор при экспонировании похво-лил оценить предельные значения разрешающей способности СЭИ и скорости работы фоторецптора

Для оценки разрешающей способности СЭИ было проведено экспериментальное измерение максимальной разрешающей способности электростатической зарядовой решетки, образованной внутри слоя фоторецептора В его качестве использовался слой ароматического полиимида (АПИ), допированного I-агрегатами цианиновых красителей Этот прозрачный слой обладает такими же транспортными характеристиками, как чистый АПИ. Более того, ^агрегаты значительно повышают светочувствительность слоя На рис 6 изображена структурная формула использованного красителя и .Г-агрегат.

Рис 6 Структурная формула цианинового красителя и схема строения У-агрегата (упаковка кирпичной кладкой)

./-агрегаты цианиновых красителей могут рассматриваться как нанокристал-лические структуры, занимающие промежуточное место между структурно упорядоченными кристаллами и отдельными органическими молекулами Под действием светового излучения .1-агрегаты генерируют носители заряда Кроме того Л-агрегаты имеют высокую нелинейную оптическую восприимчивость третьего порядка 2*3' Восприимчивость третьего порядка 1-агрегатов возрастает пропорционально величине 12,410где / - длина сопряжения ^агрегата (рис 6), и достигает крайне высокого значения = 2,7х1(Г13 Кл4 • м Дж'3 [ед СИ] Разрешающая способность электростатической зарядовой решетки в этом слое была проверена при использовании фоторефрактивного (ФР) эффекта ФР эффект возникает при интерференции двух лазерных лучей и состоит в обратимом образовании смещенной относительно светлых интерференционных полос зарядовой решетки Зарядовая решетка формируется в объеме как результат фотогенерации

носителей заряда в светлых интерференционных полосах и последующего разделения зарядов с захватом электронов на ловушках в области светлых полос и дрейфом дырок в область темных полос в направлении приложенного внешнего электрического поля В свою очередь зарядовая решетка создает в пространстве периодическое поле и, в результате электрооптического эффекта, основанного на нелинейной восприимчивости третьего порядка образуется фазовая дифракционная решетка с соответствующей модуляцией показателя преломления Ап Взаимодействие интерферирующих лазерных лучей с фазовой дифракционной решеткой сопровождается переносом энергии от одного луча другому и, как следствие, ослаблением первого луча и усилением второго Из двух лучей усиливается тот, который имеет больший угол падения Таким образом, перенос энергии от луча к лучу однозначно свидетельствует об образовании зарядовой решетки с известным расстоянием между заряженными плоскостями, которое непосредственно определяет разрешающую способность СЭИ Отличие от решетки на поверхности фоторецептора заключается в том, что на поверхности решетка образована зарядами одного знака, а в фоторефрактивном эксперименте - зарядами противоположных знаков Поверхностная решетка должна обладать большей устойчивостью, так как в этом случае отсутствует процесс рекомбинации зарядов Измерение характеристик фазовой дифракционной решетки, эквивалентной зарядовой решетке, позволяет судить о параметрах последней Для описания ФР эффекта был использован метод двулучевого смешивания, показанный на рис 7 Для измерений использовался Аг-Кг лазер с длинной волны 512 нм Линейно поляризованный лазерный луч расщеплялся с помощью призмы на два луча одинаковой интенсивности (луч 1 и луч 2), которые затем пересекались внутри слоя и образовывали интерференционную картину

Рис 7 Схематическое изображение механизма образования зарядовой решетки в слое АПИ, содержащего цианиновый краситель слой полимерной нанокомпозиции (1), электроды 1ТО (2), А1203 - барьерный слой (3) /■" - приложенное постоянное элек-

трическое поле Сплошные и пунктирные линии внутри полимерного слоя обозначают соответственно максимумы интерференционной решетки и фазовой дифракционной решетки Электроны захватываются ловушками в области светлых интерференционных полос, а дырки дрейфуют в область темных полос Переодическое поле /V направлено вдоль оси х, Л - период решетки, у/ - 2лйх/Л и Ах - фазовый и пространственный сдвиг между решетками.

Интенсивность каждого из лучей составляла 30 мВт/см2 Угол наклона образца ф = 45°, угол между лучами 2в= 15° Внешнее электрическое поле создавалось как с помощью зарядки поверхности коронным разрядом, так и при использовании образца с двумя прозрачными электродами 1ТО (1п20з, БпОг) и заключенным между ними активным полимерным слоем на основе 1-агрегатов карбоцианинового красителя с толщиной слоя около 3 мкм Период интерференционной решетки Л = У(2п бш^) = 1318 нм при Я= 512 нм (коэффициент преломления л» 1,5) На рис 8 показана временная зависимость интенсивности лучей 1 и 2, измеренная при комнатной температуре после включения внешнего поля F = 50 В/мкм в момент ( = 0. Когда оба луча включены, интенсивность луча 2 возрастает, а интенсивность луче 1 снижается приблизительно на одинаковую величину, свидетельствуя об образовании зарядовой решетки

Из этого следует, что экспериментально найденное значение разрешающей способности изображения Н= МЛ = 7,6 х 102мм~' при Я = 512 нм. Эта величина близка к расчетному предельному значению /?|,т = 4х102 тлГ1 или ~ 19000 ёр1

Для определения времени жизни зарядовой решетки потребовалось использование сразу трех лучей Помимо двух лучей с длиной волны 512 нм, формирующих зарядовую решетку, был введен измерительный луч 3 гелий-неонового лазера (Л = 633 нм), который был направлен в место их пересечения вдоль биссектрисы угла, образованного записывающими лучами Во избежание засветки интерференционной картины интенсивность луча была снижена до 0,02 мВт После прохождения образца интенсивность этого луча не изменялась при включении записывающих лучей 512 нм в отсутствие поля, также как и после включения постоянного внешнего поля ^ в отсутствие первого и второго лучей Когда и записывающие лучи 1 и 2, и электрическое поле включены, интенсивность луча 3 снижается из-за дифракции на зарядовой решетке. Исключение одного из трех условий образования зарядовой решетки — луча 1 или 2, поля приводит к исчезновению решетки и восстановлению прежней интенсивности луча 3 Время восстановления интенсивности луча 3 характеризует время жизни зарядовой решетки, которое составило около 10 с

Использование результатов фоторефрактивного эксперимента для расчета времени жизни г зарядовой решетки, созданной на поверхности полимерного слоя, носит оценочный характер, так как в первом случае решетка состоит из разноименных зарядов, а во втором - из одноименных Тем не менее, очевидно, что время жизни г решетки с одноименными зарядами больше, чем решетки с разноименными зарядами

Рис 8 Кинетика двулучевого смешивания при F = 50 В/мкм Луч 1 (1), луч 2 (2)

Электрические характеристики транспортного слоя позволяют также оценить максимально возможную скорость печати электрофотографических аппаратов. При вращении барабана время пролета зарядов через транспортный слой фоторецептора должно быть меньше, чем время поворота цилиндра от узла экспонирования до узла проявления íex->dev, <tr < 'ex-*iev, в противном случае скрытое электростатическое изображение не успеет сформироваться С другой стороны, время темнового спада потенциала г должно быть значительно больше времени поворота барабана от зоны экспонирования до зоны проявления, иначе будет потерян контраст электростатического изображения Последнее условие можно записать так г» 2fex_>dcv Таким образом, условие получения качественного изображения может быть выражено формулой

0,5 г » 2/ex^,ev > ítr (8)

Время 4x_Kjev ориентировочно составляет 0,2 от времени полного оборота фоторецептора, а т> 10 с, как говорилось выше Если за один полный оборот цилиндра создается одно изображение, скорость печати определяется выражением

«Г1 * (5/*)"', (9)

а максимально возможная скорость печати равна W,^ = (54Т1 Функционирующие в настоящее время фоторецепторы ориентировочно имеют следующие типичные параметры- поверхностный потенциал V=FL = 300 В, L = 20 мкм, ц = 10' 7 см2/(В с), что дает ^ = 0,13 с, и соответственно, W^ = 1,5 об/с = 5500 об/ч Современные электрофотографические печатные машины, например Indigo Platinum, работают со скоростью 4000 об/ч, и, как видно, есть возможность повысить это значение Приведенные результаты свидетельствуют, что пролетное время играет значительную роль в достижении максимальной разрешающей способности, и является решающим фактором в реализации максимальной скорости работы электрофотографических печатных машин

Кроме того, в работе было проведено исследование характеристик органических фотопроводников, обладающих фоторефрактивными свойствами, на основе комплекса рутений(Н) тетра-15-краун-5-фталоцианинат с двумя аксиально координированными молекулами триэтилендиамина [(К4Рс)11и(ТЕЕ)^ Интерес к этому материалу обусловлен его высокой для органических соединений фотоэлектрической чувствительностью в ИК-зоне — наиболее энергетически выгодной с точки зрения начального квантового выхода электрон-дырочных пар Исследование включало в себя измерение оптических спектров композитов, содержащих поли-винилкарбазол (ПВК) и комплексы Яи(11), исследование фотоэлектрических свойств данных композитов, нелинейных оптических свойств, фоторефрактивных свойств и дифракционная эффективность Для уменьшения энергетического барьера между транспортными центрами и комплексом Яи(П), а также для улучшения подвижности носителей зарядов часть образцов содержала ферроцен (Фц)

Путем аппроксимации уравнения Онзагера к измеренной полевой зависимости квантовой эффективности образования подвижных носителей заряда оценено, что квантовый выход электрон-дырочных пар в композите в присутствии ферроцена составляет <гь = 0,01 и около 0,001 в его отсутствие, в обоих композитах начальный радиус разделения зарядов в паре составляет г0 = 9,8 ангстрем

В композите из ПВК, ЯиРс(СО)(МеОН) (5 мае %) и Фц (20 мае %) коэффициент двухлучевого усиления при увеличении приложенного поля от 75 В/мкм до 166 В/мкм растет от Г = 30 см'1 до 90 см'1 Эта значения коэффициента усиления ограничены малым фазовым сдвигом между дифракционной и интерференционной решетками (Г~ бш^ Оценено, что при комнатной температуре фазовый сдвиг имеет небольшую величину, у/— — 4,3°, что связано, по-видимому, лишь с небольшим превышением дырочной подвижности над электронной Показано, что при поле ^ = 105 В/мкм увеличение отношения интенсивности накачивающего луча к сигнальному от 1 до 6 приводит к увеличению коэффициента двухлучевого усиления с Г- 40 до 75 см"1

В заключение необходимо отметить, что оценочные результаты, полученные в этой работе, справедливы для использованных типичных значений подвижности, электрического поля и прочих параметров Изменение этих параметров повлечет за собой изменение значений разрешающей способности и скорости печати, однако сам метод их оценки остается прежним и является универсальным

Выводы

1. Практически во всех фоторецепторах, используемых в настоящее время, свободные носители заряда образуются из изолированных электрон-дырочных пар в результате диссоциации этих пар в электрическом поле 2 Использование теоретических представлений о процессе генерации свободных носителей заряда позволяет комплексно оптимизировать основные параметры системы фоторецептор - проявитель толщина слоя фоторецептора,

толщина зоны проявления, диэлектрическая постоянная проявителя, ширина штриха изображения, потенциал зарядки фоторецептора, экспозиция, длина волны экспонирующего излучения 3 Фундаментальные процессы, протекающие в фоторецепторе, - фотогенерация носителей заряда и их подвижность - определяют его основные параметры и предельные характеристики разрешающую способность, скорость работы, спектральный диапазон чувствительности, время жизни СЭИ 4. Анализ расчетных и экспериментальных результатов, приведенных в работе, показывает, что рабочие характеристики современных электрофотографических аппаратов ниже предельных значений и имеется возможность их существенного улучшения (за счет использования более мощных источников экспонирования, наноразмерных частиц тонера и т д )

Публикации по теме диссертационной работы

1 Коннов Ф Ю, Чуркин А В, Ванников А В, Оптимизация рабочих характеристик электрофотографических фоторецепторов // Известия вузов. Проблемы полиграфии и издательского дела. - 2005 -№2 -С 25-35 (0,5/0,63)

2 Ванников А В, Коннов Ф Ю, Сосновый М А, Гришина А Д., Предельные характеристики электрофотографических фоторецепторов // Известия вузов. Проблемы полиграфии и издательского дела - 2006 - № 3 -С 3-11 (0,2/0,5)

3 Vannikov А V, Konnov F Yu. Optimization of Electrophotographic Photoreceptors // The International Conference "Printing Technology SPb'06" Conference proceedings book-2006-p 215-217(0,25/0,35)

4 Коннов ФЮ Использование полимерных фоторефрактивных материалов для оценки характеристик скрытого электростатического изображения // Вестник МГУП-2006-№6-С 112-115(0,13)

5 Vannikov А V, Konnov F Yu. Optimization of electrophotographic photoreceptors // Advances in Printing and Media Technology - 2007 - Vol ХХХП1 - p 161 - 167 (0,2/0,38)

6 AD Gnshina, F Yu. Konnov, Yu.G Gorbunova, Yu Yu Enakieva, L Ya. Pereshivko, T V Krivenko, V V Savel'ev, A V Vannikov, and A Yu. Tsivadze Photorefractive IR-Range Compositeson the Basis of Poly(vinyl carbazole)and Ruthenium(II) Tetra-15-Crown-5-Phthalocyanines // Russian Journal of Physical Chemistry A - 2007 -Vol 81- No 6-p 982 - 989(0,15/0,43)

7 A V Vannikov, A D Gnshrna, Yu.G Gorbunova, F Yu. Konnov, Yu-Yu. Enakieva, L Ya Pereshivko, T V Krivenko, V V Savel'ev and A Yu. Tsivadze Photorefractive Ir-Range Composites on the Basis of Poly(vinyl Carbazole) and Ruthenium(II) Tetra-15-Crown-5-Phthalocyamnes // Материалы IV Российско-Французского симпозиума «Супрамолекулярные системы в химии и биологии»-2007-T 5-С 45(0,1/0,43)

Подписано в печать 09 10 07

Формат 60x84/16 Печ л 1.00 Тираж ЮОэкз Заказ № 316/265 Отпечатано в РИО Московского государственного университета печати 127550, Москва, ул Прянишникова, 2а

Оглавление.

Введение.

Глава 1. Оптимизация параметров системы фоторецептор - проявитель.

1.1. Основные принципы электрофотографического способа печати.

1.1.1 Стадии электрофотографического процесса.

1.1.2. Основные принципы эффекта фотопроводимости.

1.1.3. Требования к фотопроводникам, используемым 19 в фоторецепторах.

1.1.4. Виды фотопроводников, используемых 21 в фоторецепторах.

1.2. Анализ параметров системы фоторецептор - проявитель.

1.2.1 Уравнение проявления.

1.2.2. Определение нормальной составляющей поля СЭИ.

1.2.3. Фотогенерация свободных носителей заряда.

1.3. Построение теоретической модели системы фоторецептор - прояви- 30 тель и оптимизация ее параметров.

1.3.1 Обоснование выбора модели и критерия оптимизации.

1.3.2 Анализ параметров модели и выбор граничных значений 37 оптимизации.

1.3.3 Результаты оптимизации и их обсуждение.

Выводы по главе 1.

Глава 2. Методика проведения эксперимента

2.1 Изготовление образцов и методика измерений.

2.2. Анализ экспериментальных данных и их сопоставление с расчетными 49 значениями.

Выводы по главе 2.

Глава 3. Предельные характеристики электрофотографических фоторецепторов

3.1 Оценка предельных значений некоторых важнейших характеристик 53 фоторецепторов.

3.1.1 Определение теоретически предельной разрешающей 53 способности фоторецептора

3.1.2 Экспериментальное измерение разрешающей способности 59 и времени жизни зарядовой решетки в органических фотопроводниках.

3.2 Исследование характеристик органических фотопроводников, обла- 65 дающих фоторефрактивными свойствами в ИК-диапазоне.

3.1.1 Цели и объекты исследования.

3.1.2 Экспериментальные результаты и их обсуждение.

Выводы по главе 3.

Электрофотография - это метод получения изображения, основанный на фотоэлектрических явлениях в высокоомных полупроводниках и на взаимодействии электростатических зарядов в диэлектрических средах. Суть метода состоит в образовании электростатического рельефа на поверхности заряженного слоя фотопроводника под воздействием излучения и последующем проявлении полученного электростатического изображения заряженными частицами пигментного порошка - тонера.

В отличие от других технологий получения изображения электрофотография имеет ряд преимуществ, важнейшие из которых заключаются в стоимости, качестве и оперативности. Практически во всех копировальных аппаратах используется принцип электрофотографии. В офисных и настольных компьютерных системах электрофотография является основным способом печати, а разнообразные электрофотографические устройства -копиры, факсимильные аппараты, принтеры - занимают неотъемлемую часть в повседневной жизни. Обладая способностью реализовать принцип «печати по требованию», цифровые печатные машины, также использующие электрофотографический метод печатания, существенно повлияли на развитие как оперативной малотиражной печати, так и полиграфической отрасли в целом.

Актуальность исследования. Высокие темпы развития рынка оперативной полиграфии и персонализированной печатной продукции в последнее десятилетие определяют стабильный высокий интерес к электрофотографическим печатающим устройствам во всем мире. Как известно, ключевую роль в электрофотографическом процессе играет скрытое электростатическое изображение (СЭИ), образованное на поверхности фоторецептора. Ввиду того, что электрофотографический процесс является многопараметрическим, встает вопрос об оптимизации этих параметров с целью наиболее полной реализации возможностей электрофотографии и получения изображения максимально высокого качества.

Известна работа [36], в которой оптимизировался весь электрографический процесс, начиная от стадии экспонирования фоторецептора и кончая получением тонерного изображения. К сожалению, полученные результаты получились малоинформативными. Во-первых, зависимость эффективности образования свободных носителей заряда из фотогенериро-ванных электрон-дырочных пар от величины электрического поля бралась в виде степенной функции, что соответствует только небольшому участку полной зависимости. Во-вторых, объединение при оптимизации абсолютно разнородных по природе процессов образования скрытого электростатического изображения (СЭИ) и тонерного проявления привело к тому, что оптимизированные значения параметров, в основном, совпадали с заданными граничными значениями этих параметров.

В настоящее время свойства скрытого изображения и механизм его образования в неорганических фотопроводниках хорошо изучены и были описаны в работах [36], [37], [66] и др.

Однако, в последнее время широкое распространение получили двухслойные органические фоторецепторы, имеющие целый ряд преимуществ (относительная легкость изготовления, эластичность, высокий квантовый выход, возможность варьирования отдельных характеристик в широких пределах, не затрагивая остальные и др.) по сравнению с неорганическими фоторецепторами, но при этом электронные процессы в органических фотопроводниках существенно отличаются от аналогичных процессов в неорганических фотопроводниках.

Поэтому исследования, направленные на расширение существующих методов оптимизации параметров электрофотографического фоторецептора с учетом свойств новейших материалов являются актуальными для конструирования новых фоторецепторов с заранее заданными параметрами.

Цель диссертационной работы. Целью данной работы является оптимизация параметров фоторецептора в процессе образования СЭИ для получения максимальной величины проявляющего поля как основного параметра, определяющего качество конечного тонерного изображения, а также количественная оценка предельных значений характеристик электрофотографического метода. При этом основное внимание уделяется рассмотрению и учету зависимости квантового выхода генерации свободных * носителей заряда от величины электрического поля, изменяющейся в максимально широких пределах.

Данная цель достигается решением следующих задач:

1. Создание математической модели проявляющего поля.

- Определение параметров системы фоторецептор - проявитель, влияющих на величину нормальной составляющей проявляющего поля.

- Нахождение математической зависимости нормальной составляющей проявляющего поля от найденных параметров.

- Анализ степени влияния каждого параметра на величину проявляющего поля.

- Определение граничных условий для каждого параметра.

- Максимизация величины нормальной составляющей проявляющего поля с учетом выбранных граничных условий.

2. Экспериментальная проверка модели.

- Изготовление образцов двухслойного фоторецептора.

- Измерение фотоиндуцированных разрядных кривых образца и сравнение с расчетной зависимостью.

3. Определение предельных значений характеристик фоторецепторов.

- Анализ связи характеристик двухслойных фоторецепторов с физико-химическими процессами, определяющими работу фоторецептора.

- Расчет предельных значений характеристик фоторецепторов и экспериментальная проверка расчетных значений.

Научная новизна работы заключается в следующем:

Оптимизированы рабочие параметры электрофотографических фоторецепторов с учетом специфической для органических систем зависимости эффективности фотогенерации свободных носителей заряда в генерационном слое фоторецептора от величины электрического поля.

На основе анализа физико-химических процессов определены предельные характеристики электрофотографического метода печати: разрешающая способность изображения, время жизни скрытого электростатического изображения, скорость печати электрофотографическим методом.

Практическая ценность. Разработанная в диссертации методика оптимизации позволяет еще на этапе проектирования определять основные характеристики фоторецептора. Проведенная оценка предельных характеристик электрофотографии как метода печати позволяет очертить границу его применения и обозначить дальнейшие перспективы развития.

Публикации. По тематике работы опубликованы 7 научных статей, включая тезисы докладов на трех международных научно-технических конференциях.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на трех международных конференциях: "Printing Technology SPb'06", 33rd International Research Conference "Advances in Printing and Media Technology" IAIGAI Leipzig 2006, IV Российско-Французский симпозиум «Супра-молекулярные системы в химии и биологии», конференциях молодых ученых МГУП, заседаниях кафедры Техника и технологии цифровой печати МГУП, семинарах лаборатории «Электронные и фотонные процессы в полимерных наноматериалах» ИФХЭ РАН.

Положения, выносимые на защиту

1. Квантовый выход образования в транспортном слое фоторецептора свободных носителей заряда и его зависимость от величины электрического поля являются основными параметрами, определяющими характеристики скрытого электростатического изображения на фоторецепторе.

2. Анализ физико-химических процессов, протекающих в фоторецепторе при его работе, дает возможность оптимизировать характеристики фоторецептора с целью получения максимальных значений определенных параметров скрытого электростатического изображения.

3. Определение предельных характеристик скрытого электростатического изображения позволяет заключить, что существует возможность существенного улучшения таких характеристик, как передача мелких деталей при печати и скорость получения электрофотографических изображений.

Выводы по главе 3

1. Были оценены предельные значения разрешающей способности и скорости работы органического фоторецептора с типичными параметрами. При этом оценочные данные предельной разрешающей способности совпали с экспериментально измеренным периодом зарядовой решетки в слое фото-рефрактивного полимерного композита, близкого по составу к используемому в фоторецепторах.

2. Показано, что в композитах из ПВК и КиРс(СО)(МеОН) за фотоэлектрическую чувствительность при 1064 нм, нелинейно-оптические и, следовательно, фоторефрактивные свойства ответственны супрамолекулярные ансамбли комплексов 11и(П).

3. Путем аппроксимации уравнения Онзагера к измеренной полевой зависимости квантовой эффективности образования подвижных носителей заряда оценено, что квантовый выход электрон - дырочных пар в композите в присутствии ферроцена составляет щ - 0,01 и около 0,001 в его отсутствие, в обоих композитах начальный радиус разделения зарядов в паре составляет г0= 9.8 ангстрем.

4. В композите из ПВК, ЯиРс(СО)(МеОН) (5 мас.%) и Фц (20 мас.%) коэффициент двухлучевого усиления при увеличении приложенного поля от 75 В/мкм до 166 В/мкм растет от Г = 30 см'1 до 90 см"1. Эти значения коэффициента усиления ограничены малым фазовым сдвигом между дифракционной и интерференционной решетками (Г~ бш^). Оценено, что при комнатной температуре фазовый сдвиг имеет небольшую величину, у/ = -4.3°, что связано, по-видимому, лишь с небольшим превышением дырочной подвижности над электронной. Измерено при поле Е0= 105 В/мкм, что увеличение отношения интенсивности накачивающего луча к сигнальному от 1 до 6 приводит к увеличению коэффициента двухлучевого усиления от Г= 40 до 75 см"'.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

По результатам работы можно сделать следующие обобщенные выводы:

1. Практически во всех фоторецепторах, используемых в настоящее время, свободные носители заряда образуются из изолированных электрон-дырочных пар в результате диссоциации этих пар в электрическом поле.

2. Использование теоретических представлений о процессе генерации свободных носителей заряда позволяет комплексно оптимизировать основные параметры системы фоторецептор - проявитель: толщина слоя фоторецептора, толщина зоны проявления, диэлектрическая постоянная проявителя, ширина штриха изображения, потенциал зарядки фоторецептора, экспозиция, длина волны экспонирующего излучения.

3. Фундаментальные процессы, протекающие в фоторецепторе, - фотогенерация носителей заряда и их подвижность - определяют его основные параметры и предельные характеристики: разрешающую способность, скорость работы, спектральный диапазон чувствительности, время жизни СЭИ.

4. Анализ расчетных и экспериментальных результатов, приведенных в работе, показывает, что рабочие характеристики современных электрофотографических аппаратов ниже предельных значений и имеется возможность их существенного улучшения (за счет использования более мощных источников экспонирования, наноразмерных частиц тонера и т.д.).

1. Ackley at al. Пат. США 6 180 305

2. Bockrath М., Hone J., Zettl A., McEuen P.L., Rinzler A.G. and Smalley R.E.2000 Phys. Rev. В 61 - R10606

3. Borsenberger P.M., Gruenbaum W.T., Magin E.H. // Phys. Status Solidi В -1995-v. 190-p. 555-559.

4. Borsenberger P.M., Gruenbaum W.T., Magin E.H. // Physica В 1996 -v. 228-p. 226-229.

5. Borsenberger P.M., Magin E.H., Van der Auweraer M., De Schryver F.C. // Phys. Status Solidi A 1993 - v. 140 - p. 9-28.

6. Borsenberger P.M., Weiss D.S. Organic Photoreceptors for Imaging Systems New York: Marcel Dekker, 1998, - 468 p.

7. Carlson Ch. Пат. США 2 221 776

8. Carlson Ch. Пат. США 2 297 691

9. Enakieva Yu.Yu., Gorbunova Yu.G., Sakharov S.G., and Tsivadze A. Yu. // Zh. Neorg. Khim 2002 - 47 - p. 966

10. Frankevich E., Yusuke N., Akihiko F., Masanori O., and Katsumi Y. // Physical Review В 2002 - v. 66 - p. 155203

11. Galmiche L., Mentec A., Pondaven A., and L'Her M., // New J. Chem.2001 -25 (11)-p. 1148

12. Heun S., Borsenberger P.M. // Chem. Phys. 1995 - v. 200 - p. 245-249.

13. Hortke J L and Regensburger P J // Phys Rev A 139 - p. 970

14. Jeadev S., Damodar M. // J. of Imaging Science and Technology 1996 -V. 40-N4.-P. 327-331.

15. Kong J., Yenilmez E., Tombier T.W., Kim W., Dai H., Laughlin R.B., Liu L., Jayanthi C.S. and Wu S.U. // Phys. Rev. Lett. 87 - p. 106806

16. Kryukov A.Y., Saidov A.C., Vannikov A.V. // Thin Solid Films 1992 -v.209 - No 1 - p. 84-86.

17. Lampert M.A. and Mark P. // Current Injection in Solids 1970 - New York Academic

18. Liang W., Bockrath M., Bozovic D., Hafner J.H., Tinkham M. and Park H. // Nature-411 p. 665

19. Licea-Jimenes L., Grishina A.D., Pereshivko L.Ya., Krivenko T.V., Savelyev V.V., Rychwalski R.W. and Vannikov A.V. // Carbon 2006 - 44 - p. 113

20. Martel R., Schmidt T., Shea H.R., Hertel T. and Avouris P. // Appl. Phys. Lett.- 1998-v.73-p. 2447

21. Mozumder A // J. Chem. Phys. 1974, 1974a - 60 - 4300, 4305

22. Novikov S.V. // Proc. SPIE 2000 - v. 4104 - p. 84-91.

23. Novikov S.V. // Proceedings of the 15th International Conference on Digital Printing Technologies 1999 - p. 683-688.

24. Novikov S.V. and Vannikov A.V. // J. Phys. Chem., 1995, v. 99, p. 1457314574.

25. Novikov S.V., Dunlap D.H., Kenkre V.M. // Proc. SPIE 1998 - v. 3471 -p. 181-186.

26. Novikov S.V., Dunlap D.H., Kenkre V.M., Parris P.E., Vannikov A.V. // Phys. Rev. Lett. 1998 - v. 81 - p. 4472-4475.

27. Pai D.M. and EnckR.C. //Phys. Rev. 1975 - Vol. B 12, - p. 5168

28. Pai M. at al. naT. CI1IA 6 027 848

29. Park J.Y., Rosenblatt S., Yaish Y., Sazonova V, Üstünel H, Braig S, Arias T A, Brouwer P W and McEuen P L 2004 Nano Lett. 4 - p. 517

30. Pavlisko J. at al. Пат. США 5 232 800

31. Rajagopal R., Chen J. and Liu H. // Appl. Phys. Lett.- 2003 83 - p. 2928

32. Galmiche L., Mentec A., Pondaven A., and L'Her M. // New J. Chem. -2001 -25(11)-p. 1148.

33. Saito R., Fujita M., Dresselhaus G. and Dresselhaus M.S. // Appl. Phys. Lett.-60-p. 2204

34. Scharfe M. at al. Пат. США 6 245 475

35. Scharfe M. Electrophotography principles and optimization Letchwort Press - 1984-200 p.

36. Schein L. Electrophotography and development physics Morgan Hill California: Laplacian Press - 1996 - 355 p.

37. Scher H. and Montroll E.W. // Phys. Rev. 1975 - В12 - p. 2455

38. Sinicropi J.A., Cowdery-Corvan J.R., Magin E.H., Borsenberger P.M. // Chem. Phys. 1997 - v. 218 - p. 331-336.

39. Sugiuchi M., Nishizawa N. J. Imag. Sei. Technol. 1993 - v. 37 - p. 245249.

40. Tameev A.R., Ilyina I.G., Kozlov A.A., Vannikov A.V., Butin K.P., Mik-halev O.V. // Synth. Metals-2001 v. 121 - No. 1-3 - p. 1423-1424.

41. Tameev A.R., Kozlov A.A., Vannikov A.V. Chem. Phys. Lett. 1998 -v. 294-No.6-p. 605-610.

42. Tameev A.R., Kozlov A.A., Vannikov A.V., Lunina E.V., Berendyaev V.l., Kotov B.V. // Polymer International 1998 - v. 47 - No.2 - p. 198-202.

43. Tsivadze A.Yu., // Usp. Khim. 2004 - 73 (1) - p. 6

44. Vannikov A.V., Grishina A.D., Gorbunova Yu. G., et al. // Dokl. Akad. Nauk -2005 403 (4) - p. 489 Dokl. Phys. Chem. - 2005 - 403 (2) - p. 137.

45. Vannikov A., Grishina A., Shapiro B. et.al., Photorefractive Polyimides Containing J-Aggregates of Thiacarbocyanine Dye // Nonlinear Optics 2002 -29-No 1 -pp.7-18.

46. Vannikov A.V., Grishina A.D., Pereshivko L.Ya., Krivenko T.V., Rychwalski R.W., // International Conference on Digital Printing Technologies. Vancouver, Canada. Proceedings of NIP16 2000 - p. 141-144

47. Vannikov A.V., Konnov F.Yu. Optimization of Electrophotographic Photoreceptors // The International Conference "Printing Technology SPb'06". Conference proceedings book 2006 - p. 215 - 217

48. Vannikov A.V., Konnov F.Yu. Optimization of electrophotographic photoreceptors // Advances in Printing and Media Technology 2007 - Vol. XXXIII - p. 161-167

49. Yang R. at al. Пат. США 5 567 559

50. Yang R. at al. Пат. США 6 068 958

51. Yao Z, Kane С L and Dekker С // Phys. Rev. Lett. 84 - p. 2941

52. Yoshitomi T. at al. Пат. США 4 764 448

53. Авилов Г.В. Органическая электрофотографическая пленка М.: Искусство-1985 - 128 с.

54. Ванников А. В., Уарова Р. М. Электрофотография. Уч. пособие. М.: МГУП, 2000,- 127 с.

55. Ванников A.B., Гришина А.Д., Новиков C.B. // Усп. химии 1994 - т. 63 - № 2 - С. 103-123

56. Ванников A.B., Коннов Ф.Ю., Сосновый М.А., Гришина А.Д., Предельные характеристики электрофотографических фоторецепторов // Известия вузов. Проблемы полиграфии и издательского дела. 2006 - № 3. - С. 3 - 11.

57. Ванников A.B., Тамеев А.Р., Козлов A.A. // Высокомолек. соед. 1998 -т.40 - № 7 - С. 1164-1168.

58. Гренишин С.Г. Электрофотографический процесс М.: Наука - 1970 -376 с.

59. Коннов Ф.Ю. Использование полимерных фоторефрактивных материалов для оценки характеристик скрытого электростатического изображения // Вестник МГУП 2006-№ 6-С. 112-115

60. Уарова Р. М., Ванников А. В. Основы электрографии. Уч. пособие. М.: МГУП- 1999- 132 с.

61. Харин О., Сувейздис Э. Современная электрофотография. М.: МГУП, 2002,-316 с.

62. Харин О., Сувейздис Э. Электрофотография для цифровой печати М.: МГУП - 1999-438 с.

63. Шафферт Р. Электрофотография М.: Мир - 1968 - 448 с.