автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Оперативный диагностический контроль и мониторинг технического состояния силовых полупроводниковых приборов в преобразовательных агрегатах

Введение

Глава 1. Современное состояние контроля параметров и эксплуатационной надежности силовых полупроводниковых приборов Ю

1.1 Характеристики преобразовательных агрегатов и параметры силовых полупроводниковых приборов

1.2. Специфика контроля параметров силовых полупроводниковых приборов

1.3 Отказы и эксплуатационная надежность силовых полупроводнико- 26 вых приборов

Глава 2. Разработка принципов оперативного диагностического контроля силовых полупроводниковых приборов.

2.1 Разработка метода контроля прямого проводящего состояния

2.2 Анализ точности метода контроля прямого проводящего состояния

2.3 Разработка метода контроля блокирующей способности

Глава 3. Комплекс оборудования оперативного диагностического контроля силовых полупроводниковых приборов

3.1 Прибор контроля силовых полупроводниковых приборов по совокупности параметров в прямом проводящем состоянии

3.2 Прибор контроля блокирующей способности силовых полупроводниковых приборов

3.3 Результаты практического применения комплекса оборудования оперативного диагностического контроля

Глава 4. Мониторинг состояния силовых полупроводниковых приборов в преобразовательных агрегатах в процессе эксплуатации

4.1 Математико-статистический анализ и прогнозирование состояния силовых полупроводниковых приборов

4.2 База данных безотказного состояния преобразовательных агрегатов

t

Силовые полупроводниковые приборы (СПП) являются основными функциональными элементами силовых преобразовательных агрегатов (ПА). Технические характеристики (параметры) СПП определяют надежность и эффективность ПА, которые применяются различных областях металлургической промышленности, электрифицированного городского и железнодорожного транспорта, электроэнергетики и т.д.

Количество СПП в ПА в перечисленных областях значительно, так например количество СПП в парках энергохозяйства ГУП "Мосгортранс", Московского метрополитена, ОАО "КРАЗ" составляют 15, 46 и 35 тысяч штук соответственно. Эксплуатирующиеся СПП имеют различную конструкцию (штыревую и таблеточную) на токи от 200А до 2000А и напряжение от 800В до 2500В.

Срок службы СПП ограничен. Показателем надежности, характеризую щим их срок службы (достижение СПП предельного состояния) в эксплуатации, является гамма(у)-процентный срок службы, достигающий 12 лет при у=90%.

В процессе эксплуатации ПА в СПП накапливаются деградационные состояния, связанные с ухудшением состояния полупроводниковой структуры и контактных соединений конструкции СПП. Следствием этого является деградация параметров СП, приводящая к снижению эксплуатационной надежности СПП, выходу их из строя и последующему отказу ПА, приводящему к перерывам в электроснабжении.

Поэтому решение проблем, связанных с оперативным обнаружением в процессе эксплуатации ПА ненадежных СПП, имеющих недопустимый уровень деградации параметров и мониторингом технического состояния СПП является условием позволяющим обеспечить безотказную работу ПА.

Деградация параметров СПП обуславливается как скрытыми дефектами производства и режимами эксплуатации, так и естественными физико-химическими процессами старения.

Режим эксплуатации СПП в основном определяется совокупностью параметров прямой и обратной вольт-амперной характеристик (ВАХ), тепловым сопротивлением и максимально допустимым током в проводящем состоянии.

В процессе производства качество СПП определяется при приемосдаточных испытаниях (100% контроль) и сводится к контролю импульсного прямого напряжения и импульсного обратного тока при импульсном обратном напряжении соответствующего напряжению класса при максимально допустимой температуре полупроводниковой структуры. Остальные из перечисленных параметров контролируются выборочно при периодических испытаниях, проводимых один раз в год на ограниченном объеме выборки из партии СПП составляющей 20шт. Такое положение обусловлено длительностью процесса контроля. Так, например, длительность процесса определения теплового сопротивления составляет не менее двух часов. Погрешность измерения теплового сопротивления в стандартах по методам измерения и испытаний СПП не регламентируется. Поэтому в эксплуатацию попадают СПП с не соответствующими установленным нормам параметрами.

Следует отметить, что параметры СПП таблеточной конструкции устанавливаются только при определенном усилии сжатия, которое зависит от площади полупроводниковой структуры.

В эксплуатации это усилие обеспечивается прижимным устройством в системе «СПП-охладитель». Усталостные явления, наблюдаемые в элементах конструкции, приводят к снижению заданного усилия в системе «СПП-охладитель», что обуславливает рост прямого падения напряжения и теплового сопротивления, следствием этого является перегрев полупроводниковой структуры и последующий выход из строя СПП.

Использование стандартных методов и устройств для контроля качества СПП в условиях эксплуатации СПП в ПА не представляется возможным из за длительности процесса контроля, связанной с нагревом СПП до максимальной температуры полупроводниковой структуры, необходимости демонтажа СПП и больших массо-габаритных показателей этих устройств.

Для решения проблемы оперативной диагностики СПП в ПА необходимы нестандартные методологические подходы и на их основе разработка специального оборудования соответствующего условиям эксплуатации СПП с минимальным демонтажем ПА и с минимальными затратами времени. При этом оборудование должно иметь минимальные массо-габаритные показатели.

Мониторинг технического состояния СПП в ПА может быть реализован на основе разработки метода математико-статистического анализа и прогнозирования их состояния в процессе эксплуатации. Частично в этом вопросе проводились работы в ВНИИЖТ, ЛИИЖТ, которые касались разработки устройств контроля теплового сопротивления СПП штыревой конструкции (тип BJ1200) . Указанные устройства не дают информации о качестве СПП в целом, имеют невысокую точность, могут использоваться только для качественной оценки их состояния и не пригодны для приборов таблеточной конструкции.

Целью настоящей работы является создание нового вида оборудования -комплекса оперативного диагностического контроля состояния СПП штыревой и таблеточной конструкции и разработка метода математико-статистического анализа и прогнозирования их состояния в процессе эксплуатации. Для достижения поставленной цели необходимо решение следующих задач:

- экспериментально определить характер деградации СПП, приводящий к их параметрическим и катастрофическим отказам в ПА и на этой основе определить наиболее информативные характеристики СПП;

- разработать методы оперативного диагностического контроля СПП;

- разработать оптимальные схемотехнические решения для создания комплекса диагностического оборудования;

- разработать методологические положения для анализа и прогнозирования состояния СПП в ПА.

При решении указанных задач использовались современные методы, позволяющие определить распределение температуры в полупроводниковой структуре, методы математико-статистического моделирования физических процессов, протекающих в СПП, и обработки массивов данных технического состояния СПП в ПА.

В качестве объекта исследования выбраны типы СПП, эксплуатируемые в электроснабжении городского наземного транспорта, метрополитена, питания электролизных ванн (производство алюминия), систем возбуждения гидроагрегатов ГЭС, систем бесперебойного питания АЭС.

Положения выносимые на защиту:

1. Разработанный метод диагностики СПП на основе контроля температуры полупроводниковой структуры как интегрального показателя качества в прямом проводящем состоянии, обеспечивающий оперативное выявление деградацион-ных состояний СПП, включающих ухудшение качества контактных соединений элементов СПП, а также системы "СПП-охладитель" для приборов таблеточной конструкции;

2. Разработанный метод диагностики СПП в закрытом состоянии на основе ма-тематико-статистической модели взаимосвязи обратного тока при максимально допустимой температуре полупроводниковой структуры и при температуре окружающей среды, позволяющий значительно сократить время контроля соответствия СПП классу по напряжению, а также обнаружению СПП с аномальным характером обратной ВАХ, связанными с нестабильностью обратного тока;

3. Принципы построения комплекса диагностического оборудования, которые позволяют проводить оперативную диагностику СПП в условиях эксплуатации ПА, без демонтажа СПП из ПА;

4. Разработанный метод анализа и прогнозирования состояния СПП, базирующийся на результатах оперативного контроля информативных параметров и скорости их деградации в процессе эксплуатации, предоставляющий возможность определять оптимальные сроки профилактического обслуживания СПП в ПА и условия надежной работы ПА в процессе длительной эксплуатации.

5. Разработанный на основании указанных методов комплекс оборудования оперативного диагностического контроля СПП в процессе эксплуатации ПА, состоящий из двух частей - прибора оперативной диагностики СПП (ПДСПП) в прямом проводящем состоянии и прибора оперативного контроля СПП (ПКСПП) в обратном непроводящем состоянии.

Научная новизна:

1. Исследована взаимосвязь основных параметров СПП - температуры полупроводниковой структуры и предельно допустимого прямого тока в переходном тепловом режиме. Установлено, что взаимосвязь параметров СПП в прямом проводящем состоянии характеризуется обратной зависимостью температуры полупроводниковой структуры и среднего прямого тока через постоянный коэффициент равный произведению максимально допустимых значений прямого тока и температуры полупроводниковой структуры, который имеет постоянное значение для каждого типа СПП. На этой основе разработан метод оперативной диагностики СПП в прямом проводящем состоянии, который основывается на определении температуры полупроводниковой структуры СПП, в переходном тепловом режиме, с помощью термочувствительного параметра - прямое падение напряжения на начальном участке прямой ВАХ.

2. Разработан метод оперативной диагностики СПП в обратном непроводящем состоянии, базирующиеся на экспериментальных и математико-статистических исследованиях взаимосвязи повторяющегося импульсного обратного тока при максимально допустимой температуре структуры и постоянного обратного тока при температуре окружающей среды при напряжении равном напряжению класса. Показано, что постоянный ток в закрытом состоянии при температуре окружающей среды отражает не только соответствие (не соответствие) СПП установленному классу по напряжению но и характеризует стабильность обратной ВАХ.

3. Разработан метод математико-статистического анализа и прогнозирования состояния СПП в ПА в процессе эксплуатации, позволяющий определить скорость деградации информативных параметров СПП и на этой основе устанавливать оптимальный регламент проведения профилактического обслуживания, в течение которого обеспечивается безотказная эксплуатация ПА, а также определять наиболее вероятное количество СПП, деградация которых достигнет предельного уровня в межрегламентный период.

Результатом работы является разработанный в процессе работы комплекс диагностического оборудования. Комплекс состоит из двух приборов, предназначенных для контроля СПП в проводящем состоянии и для контроля блокирующей способности в закрытом состоянии.

Комплекс диагностического контроля СПП с 1995г. используется в энергохозяйстве ГУП «Мосгортранс», метод анализа и прогнозирования состояния СПП используется с 2000г. Результатом использования является безотказная работа СПП в межрегламентный период профилактического обслуживания ПА и поддержание парка ПА на заданном уровне надежности в течение срока службы и за его пределами (Прил. 1).

Прибор оперативного контроля блокирующей способности СПП в закрытом состоянии с 2001г. используется для обслуживания ПА систем возбуждения Саяно-Шушенской ГЭС и с 2004Г( Прил.2), по предложению ОАО «Росэнергоатом», для контроля СПП АБП-1500 АЭС (Прил. 3). С 2006г. комплекс диагностического оборудования используется при профилактическом обслуживании ПА питания электролизных ванн ОАО «Краз».

Основные результаты, представленные в диссертации, были опубликованы в следующих работах:

1. Ручкина Л.Г., Семенов Г.М., Сухов. А.В. Оперативный контроль силовых диодов в выпрямительных агрегатах тяговых подстанций по параметрам обратной вольт-амперной характеристики., Сб. науч. тр. пятой межвузовской научно-методической конференции «Актуальные проблемы и перспективы развития железнодорожного транспорта» - М.:, 2000. ч.2, с.9.

2. Семенов, А.В. Сухов, О.Б. Фадеева. Оперативная система обеспечения высоконадежной эксплуатации выпрямителей тяговых подстанций городского электротранспорта., Материалы докладов международного научно-технического семинара «Применение силовой электроники в электротехнике». -М.: 2000. с.151.

3. Ручкина Л.Г., Семенов Г.М., Сухов. А.В. Обеспечение безотказной эксплуатации выпрямителей тяговых подстанций электротранспорта. - / Сб. науч. статей. Энергосберегающие технологии на железнодорожном транспорте. -Саратов: 2001

4. Афанасьев М.Ф., Трегубенко М.Г., Семенов Г.М., Сухов А.В., Фадеева О.Б. Силовые полупроводниковые преобразователи: оперативная система обеспечения безотказной эксплуатации(по опыту МОСГОРТРАНСА) // • Вестник городского электрического транспорта. - 2000. №3(36), с.27.

5. Афанасьев М.Ф., Семенов Г.М., Сухов А.В., Трегубенко М.Г., Фадеева О.Б. Силовые полупроводниковые преобразователи: оперативная система обеспечения безотказной эксплуатации // Энергоменеджер. - 2001.№21. - с. 18. 6. Полинок Н.П., Семенов Г.М., Сухов А.В. Оперативная диагностическая система обеспечения безотказной эксплуатации силовых полупроводниковых преобразователей VIII Симпозиум «Электротехника 2010» - М.: ВЭИ, 2005.с 105.

Заключение

1. Ефремов И.С. и др. Технические средства городского электрического транспорта. М.: Транспорт, 1985.

2. Быков Е.И. и др. Электро снабжение метрополитенов. М.: Транспорт, 1977.

3. Ефремов И.С., Лаптева Т.И. Надежность тяговых подстанций городского транспорта. М.: Транспорт, 1975.

4. Абрамович М.И. и др. Диоды и тиристоры в преобразовательных установках. М.: Энергоатомиздат, 1992.

5. Бардин В.М. Надежность силовых полупроводниковых приборов. М.:Энергия, 1978.

6. ТУ 16-729.028-76 Приборы полупроводниковые. Мощные диоды серии В иВЛ.

7. ТУ 16-729.220-79 Приборы полупроводниковые. Диоды серий Д иДЛ.

8. ТУ 16-529.903-74 Приборы полупроводниковые. Диоды таблеточные на токи 320. 1600А.

9. ГОСТ 20859.1-79 (СТ СЭВ 1135-78) Приборы полупроводниковые силовые единой унифицированной серии. Общие технические условия. -М.: Изд-во стандартов, 1985.

10. Ю.ГОСТ 10662-69 Вентили силовые полупроводниковые кремниевые неуправляемые. М.: Изд-во стандартов, 1970.

11. И.ГОСТ 24461-80 (СТ СЭВ 1656-79) Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний. М.: Изд-во стандартов, 1981.

12. Семенов Г.М., Вятич Л. А. Зависимость величины теплового сопротивления силовых полупроводниковых вентилей от условий ирежима измерения //Электротехническая промышленность. Сер. Преобразовательная техника Москва, 1973 - вып. 11

13. Зотов А.К., Ковбаса Б.А. Контроль выпрямителей // Электрическая и тепловая тяга. 1985. №5.

14. Соболев Ю.В., Бобров В.Г. Совершенствовать техническую диагностику выпрямителей тяговых подстанций // Электрическая и тепловая тяга. -1976.№12.

15. Семенов Г.М., Михеева Н.И. О точности оперативного контроля качества контактных соединений силовых полупроводниковых приборов // Дефектоскопия. 1982. №2.

16. Горюнов Н.Н. Свойства полупрводниковых приборов при длительной эксплуатации и хранении. М.: Энергия. 1975.

17. Горюнов Н.Н. и др. Наблюдение тепловых полей в полупроводниковых приборах // ПТЭ. 1969.№4.

18. Бабиков Ю.Ф. и др. Регистрация тепловых полей в полупроводниковых приборах при помощи фотоэмульсии // ПТЭ. 1968.№1.

19. Семенов Г.М., Вятич JI.A. и др. Обнаружение дефектов р-п-р-n структур регистрацией тепловых полей // Дефектоскопия -1971.№1.

20. Евсеев Ю.А., Конюхов А.В. и др. Метод измерения времени жизни в широкой базе многослойных структур. М.: Преобразовательная техника. Вып.3.1971.

21. Исследование функциональной связи статических и динамических характеристик тиристоров.Отчет о НИР №5027-01. ВЭИ им. Ленина, 1969.

22. Кузьмин В.А., Сенаторов К.Я. Четырехслойные полупроводниковые приборы М.: Энергия, 1967.

23. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем -М.; Госэнергоиздат, 1963.

24. Филипов А.Г. Использование полупроводниковых приборов в узлах электронной аппаратуры. М.; Госэнергоиздат, 1963г.

25. Конюхов А.И., Чесноков Ю.А. Разработка метода экспресс-контроля тепловых сопротивлений тиристоров // Преобразовательная техника. -1970. №5.

26. Зуев А.Н., Тоди А.В., Семенов Г.М., Рабинерсон А.Н. Способ измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов. Авт.свид. №274233 кл.21д, 11/02.1970г.

27. Богословский А.С. Измерение температуры электронно-дырочного перехода мощных кремниевых вентилей // Измерительная техника -1965. №6.

28. Абдулаев А.А. Определение температуры р-n перехода // За технический прогресс. 1965.№11.

29. Бунько В.а., Итин А.В Способ определения температуры кристалла тиристора.,Авт.свид.кл.21д,11/02, №274235.

30. Ефремов И.С. и др. Способ непрерывного измерения температуры р-п перехода выпрямителя., Авт.свид.кл.21д,11/02, №275236.

31. Челноков В.Е. Метод измерения температуры р-n перехода мощных кремниевых вентилей // Электричество. 1963 .№3.

32. Tserng H.Q. Plumlee Н.К. Temperature measurement of as. operating triacs using a gate trigger current technique. The forward voltage technique to measure junction temperatures of ac. operating triacs. IEEE. Trans. Electron Devices, 1970, v 17, №9.

33. Громов B.C. Измерение температуры в тиристорах. Информ. Справ. Листок №001111(ин-т Электроника), 1975.

34. Громов B.C. Измерение температуры в тиристорах. Информ. Справ. Листок № 001111(ин-т "Электроника"), 1971. Обзоры по электронной технике, вып. 8 (239).

35. Улановский Э.Н., Андреев Э.В. способ определения максимальной разности температур между р-n переходом и корпусом полупроводникового прибора. Авт.свид.кл.21д, 11/02, № 274234.

36. Petez A. Step-like shifts in the voltage-current characteristics of power thyristors and their effect on transient thermal impedance determinations. IEEE Trans. Electron Devices., № 5, 1969.

37. Семенов Г.М., Конюхов A.B. Особенности определения тепловых параметров силовых тиристоров, изготовленных из Si-пластин болыдтх диаметров. Исследование, разработка и внедрение силовых полупроводниковых преобразовательных устройств. Киев. 1970.

38. Каталог 05.04.34-78 Диоды лавинные типов ВЛ10, ВЛ25, ВЛ50, ВЛ200, ВЛ320. -М.: Информэлектро. 1979.

39. Каталог 05.04.10-79. Диоды штыревые серии ДЛ,- М.: Информэлектро 1982.

40. ГОСТ24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний М.: Издательство стандартов 1981.

41. Ефремов И.С. и др. Термическое сопротивление силовых кремниевых вентилей // Электричество. 1965. №2.

42. Крачевский М.Э, Нейгауз Л.М Измерение теплового сопротивления полупроводниковых диодов // Обмен опытом в электронной промышленности. 1967. вып.4.

43. Марченко А. А., Шифрин-Крыжаловский Ю.А. Способ измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов. Авт.свид.кл.21А, 11/02, М172373.

44. Иванов В.И. Тепловые характеристики мощных полупроводниковых вентилей // Вестник Всесоюзного НИИ железнодорожного транспорта . -1966. №6.

45. Калниболотский Ю.М. К вопросу об исследовании температурного режима германиевых и кремниевых вентилей // Известия ВУЗов. Энергетика. 1964. №11.

46. Беспалов Н. Н. и др. Диагностика силовых полупроводниковых приборов . Аппаратура и методы // Новости электротехники. 2002.№1(13).

47. Беспалов Н. Н. и др. «АДИП» решает задачу технической диагностики преобразователей //Новости электротехники. 2001.№6(12).

48. Беспалов Н. Н., Голембиовский Ю. М., Трофимов Н. В. Исследование ВАХ силовых полупроводниковых приборов в состоянии низкой проводимости и требования к испытательной аппаратуре // Силовая электроника. 2004.№ 1.

49. Булкин А.Д., Якивчик Н.И. Технология и оборудование производства силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергоатомиздат, 1984.

50. Джентри Ф.Е., Управляемые полупроводниковые вентили. М.: Мир, 1967.

51. Н о w а г d В. Т., D о d s о n G. A., Electron Devices Meeting, Washington, D. С., 1960.

52. Peck D. S. in Semiconductor Reliability ed. by Shwop J. E. and Sullivan H. J., Engineering Publishers, Elizabeth, N. J., 1961.

53. Green W. B, AIEE Trans., 54(1), 186 (May 1961).

54. Базы данных. Модели, разработка, реализация: Учебник/ Т.С. Карпова -СП.: Питер, 2001.

55. Базы данных. Разработка и управление Хансен Г., Хансен Дж. М.: Бином, 2000.

56. Базы данных: проектирование, реализация и сопровождение Коннолли Т. и др. М.: Диалектика, 2000.

57. Разработка защищенных приложений в среде Visual Basic Чепмен Д. -М.: Вильяме, 2002.58.0бработка баз данных на Visual Basic 6 Мак-Манус Дж.П. М.: Вильяме, 2002.

58. Андреев А. М., Кантонистов Ю. А., Березкин Д. В., ODB-Text -объектно-ориентированная база данных // Мир ПК. 1997. № 08.

59. Database Security (Acm Press Books) Silva Castano, Maria Garza Fugini, Giancarlo Ma : Prentice Hall 1994

60. VBA 6.3. Справочник Штайнер Г. Лаборатория Базовых Знаний ISBN: 593208-127-9 Дата выпуска: 2002

61. Руководство разработчика баз данных на Visual Basic 6 Дженнингс Р. Издательство: Вильяме Дата выпуска: 1998

62. Visual Basic 6. Введение в программирование баз данных Коннэлл Дж. Издательство: ДМК Дата выпуска: 200064.0бработка баз данных на Visual Basic 6 Мак-Манус Дж.П. Издательство: Вильяме

63. Алгоритмы и структуры данных Вирт Н. Издательство: Невский Диалект Дата выпуска: 2001

64. Структуры данных и алгоритмы Ахо А., Хопкрофта Дж., Ульмана Д. Издательство: Вильяме Дата выпуска: 2000

65. Хомоненко А.Д. и др. Базы данных. Издание 2 М.: КОРОНАпринт. 2002

66. Ульянов С.В. Прогнозирование надежности невостанавливаемых объектов длительного функционирования с учетом производственных дефектов и режимов эксплуатации // Стандарты и качество. 2000. №11.

67. Жуков Н.П., Майникова Н.Ф., Рогов И.В. Анализ погрешностей измерения теплофизических характеристик материалов при импульсном тепловом воздействии от линейного источника // Вестник ТГТУ. 2003. том 9.

68. Н.П. Жуков, Ю.Л. Муромцев, Н.Ф. Майникова, И.В. Рогов Определение теплофизических свойств материалов неразрушающим способом // Вестник ТГТУ. 2002. том8.

69. Ефимова М.Р. и др. Общая теория статистики М.: Инфра-М. 2002.

70. Калинина В.Н., Панкин В.Ф. Математическая статистика М.: Высшая школа. 2001.

71. Сулицкий В.Н. Методы статистического анализа в управлении М.: Дело. 2002.

72. Афанасьев М.Ф., Семенов Г.М., Сухов А.В., Трегубенко М.Г., Фадеева О.Б. Силовые полупроводниковые преобразователи: оперативная система обеспечения безотказной эксплуатации // Энергоменеджер. 2001.№21. -с.18.

73. Полинок Н.П., Семенов Г.М., Сухов А.В. Оперативная диагностическая система обеспечения безотказной эксплуатации силовых полупроводниковых преобразователей VIII Симпозиум «Электротехника 2010» М.: ВЭИ, 2005. с 105.1. УТВЕРЖДАЮ»1. АКТ

74. Приборы 11ЭДСПП и I1KCI1П в полном объеме обеспечивают контроль состояния СПИ в KB и обнаружение потенциально ненадежных СПП, подлежащих замене.

75. Применение указанных приборов при профилактическом обслуживании KB позволяет поддерживать надежность парка KB на заданном уровне в течение срока службы и за его пределами.

76. ЛШТТре ryoci i ко Ю.Д. Плевако

77. Начальник технического отдела1. УТВЕРЖДАЮ»

78. Зам.главного инженера ОАО «Саяно-Шушенская ГЭС1. П.С. Непорожнего»1. Ж О пл jux.1. Е.И.Шерварли— ■»■ о И/ (»""'■'/ч/д v2006г.1. АКТ

79. Применение прибора ПКСПП обеспечивает как надежную эксплуатацию преобразователен, так и продление сроков их службы.

80. Начальник электротехнической лаборатории1. А.В. Матвиенко.

81. Руководитель группы возбуждения1. Н.П. Поленок.1. Утверждаю

82. Первый заместитель Генерального директора

83. НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАКЛЮЧЕНИЕпо эксплуатации силовых полупроводниковых приборов типов Т500, Т143-500, Т143-630, Т253-1000, Т453-10001. АБП АЭС