автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Неравновесные фазовые переходы, индуцированные ионной бомбардировкой, на примерер силикатных систем

На правах рукописи -

003067213 1

ЦЫРУЛЕВ Андрей Анатольевич

НЕРАВНОВЕСНЫЕ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ, ИНДУЦИРОВАННЫЕ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКОЙ, НА ПРИМЕРЕ СИЛИКАТНЫХ СИСТЕМ

О

Специальность: 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Ярославль - 2006

003067201

Работа выполнена в Институте микроэлектроники и информатики Российской Академии наук, г. Ярославль

Научный руководитель : кандидат физико-математических наук,

старший научный сотрудник, Кривелевич Сергей Александрович

Официальные оппоненты : доктор физико-математических наук,

ведущий научный сотрудник, Барабаненков Михаил Юрьевич

кандидат физико-математических наук, доцент,

Крылов Пётр Николаевич

Ведущая организация: Нижегородский государственный

университет им. Н.И. Лобачевского

Защита диссертации состоится " 18 "января 2007 г. в I £ часов на заседании диссертационного совета Д.002.204.01 в Физико-технологическом институте РАН, по адресу 117218, Москва, Нахимовский проспект, д.36, корп.1

С диссертацией можно познакомиться в библиотеке Физико-технологического института РАН

Автореферат разослан "/(Г" декабря 2006 г.

Ученый секретарь диссертационного Совета В.В. Въюрков

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Современная микроэлектроника предъявляет высокие требования к характеристикам элементов интегральных схем, и повышенное внимание уделяется методам их улучшения. Особую важность имеют технологии, позволяющие повысить надежность работы микросхем и улучшить их частотные характеристики. Одним из вариантов технологии, направленным на решение этой задачи, является технология «кремний на изоляторе» (КНИ) и, в частности, одно из её наиболее перспективных направлений - ионный синтез скрытых диэлектрических слоев. Хорошо известен и применяем в коммерческих целях вариант КНИ, предполагающий создание скрытого диэлектрического слоя путём высокоэнергетнческой имплантации ионов кислорода с энергией 180-200 кэВ в кремниевую подложку и последующей термообработки при высокой (>1300°С) температуре. Эта технология известна под названием SIMOX (separation by implanted oxygen) и достаточно хорошо изучена. Технология SIMOX наряду с преимуществами обладает некоторыми недостатками, основными из которых являются недостаточно высокое качество рабочего слоя и высокая стоимость получаемых изделий. В связи с этим возникает необходимость снижения дозы имплантации, длительности и температуры термообработки. Одним из вариантов решения стала разработка методов синтеза скрытого слоя диоксида кремния с дозами, значительно меньшими используемых в стандартном SIMOX-процессе. Однако уменьшение дозы имплантируемых ионов ведет к ухудшению диэлектрических характеристик скрытого слоя и требует повышения температуры и длительности термообработки. Другим решением стало создание диэлектрических слоев иного состава. В частности, в отличие от SIMOX-процесса, где синтезировался слой 5/0,, предпринимались попытки создания слоя Si}NA, так называемая технология SIMNI (separation by implanted nitrogen), и слоев Si,NyO., получаемых комбинированной имплантацией кислорода и азота. Синтез слоев нитрида и оксинитрида кремния позволил снизить дозу вводимой примеси и температуру термообработки, но низкие диэлектрические характеристики этих слоев при невысоком качестве рабочего слоя, обусловленном донорной активностью содержащегося в нём азота и присутствием включений диэлектрической фазы, стали препятствием на пути к практическому использованию. Эти причины обусловливают продолжающийся поиск решения задач, стоящих перед создателями скрытых диэлектрических слоев. Одним из новых технологических вариантов стал ионный синтез скрытых диэлектрических слоев комбинированного состава на основе силикатных стекол.

Цель работы состоит в теоретическом исследовании процесса перераспределения компонентов при синтезе скрытых диэлектрических слоёв комбинированного состава, получаемых с помощью последовательной ионной имплантации в кремний ионов кислорода и бора, в одном случае, и ионов кислорода и фосфора - в другом.

Для достижения поставленной цели в ходе работы решались следующие

задачи:

1. Разрабатывалась аналитическая модель перераспределения компонентов при синтезе скрытых диэлектрических слоев. В рамках этой задачи разрабатывался алгоритм определения функции плотности свободной энергии Гиббса как функции температуры и объёмной концентрации компонентов тройных систем 5/ - О - В и 5/ - О - Р.

2. Разрабатывался алгоритм численного решения квазилинейных уравнений параболического типа применительно к решаемой задаче моделирования.

3. Проводилось моделирование временной эволюции систем -О-В и .9/-0-Р в течение термообработки. В рамках этой задачи устанавливалась зависимость динамики системы 5?-О-В и 5(-0-Р от концентраций имплантированных компонентов и температуры стадии отжига.

Научная новизна работы заключается в том, что:

1. Разработан метод, позволяющий моделировать процессы перераспределения компонентов, протекающие при термообработке систем, полученных ионной имплантацией.

2. Разработан алгоритм определения функции плотности свободной энергии Гиббса как функции температуры и объёмной концентрации компонентов тройных систем 5; - О - В, 5/ - О - Р.

3. Разработан метод оценки кинетических коэффициентов в уравнениях, описывающих эволюцию рассматриваемых систем.

4. Разработан алгоритм численного решения квазилинейных уравнений параболического типа, возникающих в рассматриваемой задаче моделирования, обладающий безусловной устойчивостью по начальным данным и саморегуляризацией, связанной с переменным шагом по времени.

5. Определено стимулирующее влияние бора и фосфора на перераспределение кислорода при синтезе, протекающем при температурах более низких, чем используемые в БГМОХ - процессе.

6. Исследовано влияние исходных концентрации и температуры при ионном синтезе слоев комбинированного состава на вид формируемых распределений компонентов.

Практическая значимость работы

Полученные результаты моделирования временной эволюции систем 57-О-Д и Л'/'-О-Р в течение термообработки представляют интерес, поскольку рассматриваемые системы имеют перспективу широкого практического применения. Полученные результаты могут применяться при проектировании технологических процессов планарной технологии. Установленные зависимости являются основой для разработки новых технологических вариантов ионного синтеза скрытых слоев комбинированного состава. Разработанный метод моделирования представляет собой достаточно лёгкий и эффективный в использовании инструмент для определения параметров процесса при исследовании синтеза скрытых слоев. Достоверность полученных результатов моделирования подтверждена экспериментальными данными.

Положения, выносимые на защиту

1. Используемый алгоритм определения функции плотности свободной энергии систем, применим к силикатным системам находящимся в условиях ионного синтеза и позволяет эффективно решать задачи моделирования.

2. Предложенный алгоритм численного решения квазилинейных уравнений параболического типа, возникающих при моделировании, обладает безусловной устойчивостью по начальным данным и свойством саморегуляризации, обусловленным переменным шагом по времени.

3. В системе - О существует критическое значение объёмной концентрации кислорода, ниже которого, в данной области, формирование скрытого слоя не происходит. Указанное значение концентрации соответствует максимуму функции плотности свободной энергии.

4. В системах 5/ - О - В и 5/ - О - Р :

- скорость формирования скрытого слоя лимитируется скоростью диффузии кислорода в системе, полученной в результате имплантации;

- в результате термообработки происходит перераспределение кислорода и бора (кислорода и фосфора), в результате которого максимумы концентрационных профилей локализуются в одной области, а в области границ синтезируемого слоя наблюдается снижение концентрации бора (фосфора);

- при использовании, в качестве дополнительно имплантируемого к кислороду, компонента, как бора, так и фосфора, процесс ионного синтеза скрытого слоя происходит при более низких температурах по сравнению с классическим БГМОХ - процессом.

Апробация результатов.

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: Международных совещаниях "Радиационная физика твёрдого тела" (Севастополь, 2002 и 2003), Совещании по росту кристаллов, плёнок и дефектам структуры кремния "Кремний - 2002" (Новосибирск, 2002), Совещании "Кремний - 2004" (Иркутск, 2004), Международных конференциях "Микро - и наноэлектроника - 2003 (1СМ№-2003)" и "Микро - и наноэлектроника - 2005 (1СМЫЕ-2005)" (Звенигород, 2003 и 2005), XVI Международной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" (Звенигород, 2003), XVII Международном симпозиуме "Тонкие плёнки в электронике" (Москва, 2005).

Лнчный вклад автора:

- разработка, совместно с научным руководителем, теоретической модели, позволяющей описывать процессы, протекающие при термообработке систем, полученных ионной имплантацией;

- разработка, совместно с научным руководителем, алгоритма определения функции плотности свободной энергии Гиббса как функции температуры и объёмной концентрации тройных систем Я/ - О - В, - О - Р;

- разработка алгоритма численного решения квазилинейных уравнений

параболического типа, возникающих в рассматриваемой задаче моделирования, обладающего безусловной устойчивостью по начальным данным и саморегуляризацией, связанной с переменным шагом по времени;

- разработка программного обеспечения для реализации вычислительных алгоритмов, связанных с применением разработанной теоретической модели;

- моделирование, с использованием разработанного подхода, процессов перераспределения компонентов, протекающих при термообработке систем Si-O, Si-O-B, Si-O-P, полученных ионной имплантацией;

- анализ результатов, полученных в ходе моделирования.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 11 печатных работ, список которых приведён в конце автореферата.

Объем и структура диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем работы составляет 133 страницы, в том числе 118 страниц основного текста, 54 рисунка и список литературы из 114 наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении описывается тема работы, актуальность решаемой задачи, формулируются цели работы, даётся её структура и содержание.

В первой главе приводится аналитический обзор работ, посвященных ионному синтезу скрытых диэлектрических слоев. В данный момент хорошо известны технологии синтеза скрытых слоев диоксида (SIMOX), нитрида (SIMNI) и оксинитрида кремния. Наибольшее практическое применение из них имеет SIMOX - процесс, который, как указывалось выше, не свободен от недостатков. Это обусловлено рядом его характерных особенностей.

Применяемые при ионном синтезе дозы составляют порядка 1018 см'2 (SIMOX, SIMNI) и несколько меньше при формировании оксинитрида, при энергии имплантации 40-200 кэВ. С увеличением используемой в процессе энергии возрастает и величина дозы примеси. Снижение количества имплантируемой примеси - одна из задач, стоящих перед ионным синтезом. На данный момент разработаны варианты упомянутых технологий, позволяющие это делать. В частности, это имплантация в горячую подложку, имплантация с варьированием энергии ионов, синтез с помощью повторяющихся циклов имплантация - отжиг, стимулирование фазообразования предварительным созданием центров преципитации или дальнодействующим ионным облучением. Но окончательно данная задача не решена, поскольку дозы имплантации остаются достаточно высокими и, вместе с этим, качество формируемых скрытого и рабочего слоев при уменьшении доз снижается.

Вторым вопросом, стоящим перед ионным синтезом, является снижение температуры стадии отжига. Для SIMOX - процесса она составляет 1350 "С.

Термический отжиг при данной температуре проводится в течение нескольких часов и ведёт к значительным финансовым затратам и расходу материала рабочего слоя на термическое окисление. Снижение используемых доз реактивной примеси влечёт, как правило, увеличение указанной температуры стадии отжига. Таким образом, оптимизация параметров процесса ионного синтеза является важной задачей. При этом ясно, что наиболее эффективным способом оптимизации является теоретическое моделирование.

Моделированию процессов формирования структур, получаемых с помощью ионного синтеза, посвящено большое количество работ. Существующие модели формирования скрытого диоксида и нитрида кремния можно разделить на два вида. Один из них - это полуэмпирические модели. Недостатком, свойственным подобного типа моделям, является то, что их предсказательная сила ограничивается интервалом параметров процесса, для которых была установлена полуэмпирическая зависимость. Более перспективными были работы по созданию теории, основанные на использовании данных о кинетике зарождения и роста зародышей новой фазы. Но использование для описания процессов формирования скрытых слоёв такого подхода позволяет создавать модели, достаточно точно отражающие поведение реальных систем лишь тогда, когда можно рассматривать систему как дисперсную. Поэтому применение такого подхода представляется не совсем удачным при рассмотрении формирования сплошных скрытых аморфных слоёв. Положения теории образования и роста зародышей, главным образом, подходят для области формирования границ скрытого слоя или же для рассмотрения стадии существования дисперсной системы, предшествующей образованию непрерывного слоя. Кроме упомянутых недостатков, заключающихся в существовании пределов применимости теории, существуют и чисто технические трудности, касающиеся необходимости определения значительного количества кинетических коэффициентов, описывающих конкретную физическую систему.

Альтернативой описанным методам может быть модель, в основе которой лежит классическая теория фазовых переходов Гинзбурга-Ландау [1]. Модель предполагает, что для любой системы можно найти "параметр порядка", изменение которого отражает фазовый переход, претерпеваемый системой, и для которого справедливо релаксационное уравнение Халатникова - Ландау.

Во второй главе формулируется математическая задача и рассматриваются методы, применяемые в работе при определении функции плотности свободной энергии и решении системы релаксационных уравнений, описывающих физическую систему.

Рассматриваемая задача является достаточно сложной, поскольку предполагает описание эволюции многокомпонентных систем с дефектами. Поэтому возникает необходимость определения набора переменных, позволяющего полно и адекватно описать состояние облучаемой системы. Полагая, что длительность термообработки значительно превышает характерное время отжига большинства радиационных дефектов, влиянием последних можно пренебречь. Наиболее естественным в этом случае является

выбор в качестве переменных концентраций химических элементов, находящихся в определенных состояниях. Тогда динамика системы будет описываться системой релаксационных уравнений вида:

где с! концентрация атомов /-го компонента, находящихся в каком - либо из

возможных для данного компонента состоянии, / - время, у. - кинетическая

постоянная, ^ - функционал (2), аналогичный функционалу свободной энергии Гиббса.

\..1.Л<*У' (2)

где .- коэффициенты диффузии, V- объём, а функция с(с, м) на стадии

постимплантационного отжига представляет собой функцию плотности свободной энергии.

Применение выражений (1) и (2) для описания временной эволюции требует знания обо всех состояниях атомов всех компонентов, образующих систему, и предполагает возможность решения достаточно большого числа уравнений. В такой постановке задача является неразрешимой, и необходимы дополнительные упрощающие предположения. В частности:

- предполагается, что для каждого химического элемента существует полный дискретный набор состояний в данном материале;

- предполагается, что все атомы данного элемента, находящиеся в одном состоянии, считаются неразличимыми и характеризуются определенным значением концентрации в любой точке материала;

- предполагается, что если некоторый набор атомов входит в какое-то объединение, например, в состав какого-либо комплекса, то для этого комплекса существует ряд уравнений связи, определяемый составом комплекса и позволяющий уменьшить число переменных;

- предполагается, что отвечающий этим требованиям набор переменных образует пространство, в котором динамика рассматриваемой системы описывается некоторой траекторией. Движение по этой траектории, при отсутствии больших флуктуации в системе, соответствует переходу между состояниями неполного равновесия в направлении ближайшего локального равновесия.

Суммируя уравнения системы (1) по всем состояниям данного компонента и вычисляя вариационные производные с учетом (2), систему уравнений (1) можно свести к системе, число уравнений в которой совпадает с количеством компонентов:

, (3)

о! дп I

здесь ль - суммарные концентрации компонентов, д. - зависящие от суммарных концентраций коэффициенты диффузии, Г. - коэффициенты, также являющиеся функциями суммарных концентраций.

Основной задачей, которую необходимо решить при использовании уравнений вида (3), является задача определения вида функции плотности свободной энергии. В данной работе при решении этой задачи использовался феноменологический подход, основанный на анализе фазовых диаграмм. Преимущество данного подхода состоит в том, что он позволяет получать искомые выражения при минимальном количестве сведений о физической природе и составе моделируемой системы. При анализе твёрдых растворов можно ограничиться учётом лишь плотности свободной энергии смешения и рассматривать только конфигурационную часть энтропии [2]. Это приближение также использовалось в данной работе.

Решение системы уравнений в частных производных вида (3) с помощью аналитических и приближённо-аналитических методов представляет собой в общем случае сложную задачу. При произвольном выборе вида функции С более эффективным является применение численных методов. Исследование известных численных схем привело к необходимости разработки метода, обладающего лучшими характеристиками применительно к решаемой задаче. Разностная схема, с такими показателями, строилась для уравнения вида (3), с возмущающей функцией в виде степенного полинома. Используя разностную

аппроксимацию для членов

Эу

ду

и заменяя частную производную

д п

' на полную, а нелинейный член его приближением в виде разложения в Г (и * ), получили выражение для разностной

д!

ряд Тейлора схемы

с!п

и]

'.У +

{ \

-

и

к

'.У

п

к

<■7-1

А

откуда в первом приближении:

* + 1 (к = V"/,/

С

+ С

(5)

к обозначают

'.У ^ ' > У

В (4), (5) индекс I обозначает сорт компонента; индексы у и номер узла аппроксимирующей сетки, по координатным осям у и / соответственно; г - параметр схемы, представляющий собой сумму

; И - шаг по переменной у к

С 0 - сумма слагаемых из

множителей при п •

(4), не содержащих в качестве множителя п * .

Полученная таким образом схема, в силу того, что является разновидностью явных двухслойных схем, имеющих для данного типа уравнений условную устойчивость, также является условно устойчивой по параметрам дискретизации. Но, в отличие от упомянутых выше алгоритмов, имеет масштабируемый шаг по переменной г , что даёт возможность оперировать параметрами дискретизации, обеспечивающими нахождение решения в пределах условной устойчивости. Преимущество такого способа

выбора шага по переменной / в том, что в данном случае выбирается его оптимальная величина г , позволяющая экономить машинное время и при этом сохранять сходимость решения. Кроме этого, полученный алгоритм обладает безусловной устойчивостью по начальным данным, что является значимым при анализе зависимости временной эволюции систем от начальных условий. Можно сказать, что алгоритм обладает свойством саморегуляризации, которое обусловлено присутствием параметра г , имеющего смысл времени релаксации.

В третьей главе предлагаемый подход применяется к расчёту динамики системы й" - О .

Энтальпии смешения для бинарных оксидных систем были представлены в виде:

-(б)

к=О

где x¡ - мольная доля /- го компонента, ¡¡Ак - зависящие от температуры

коэффициенты, подлежащие определению.

Для различных систем величины и количество отличных от нуля коэффициентов, в таком разложении, различны и, в общем случае, зависят от агрегатного состояния вещества. Выбор конкретного вида многочленов также определялся тем, что, во-первых, искомая функция должна быть гладкой и иметь непрерывную производную; во-вторых, она должна обращаться в нуль везде, где число компонентов системы становится меньше двух. Наконец, такой вид полиномов следует непосредственно из правила действующих масс, при этом часть членов соответствует реальным реакциям, а часть -промежуточным виртуальным реакциям. После этого, для бинарной системы, можно определить свободную молярную энергию смешения, добавив слагаемые с конфигурационной энтропией, что допустимо в подобных расчётах.

В качестве основного источника информации при вычислении коэффициентов полинома использовалась фазовая диаграмма бинарной системы ¿7-0. Для данной системы известны достоверные данные о существовании двух равновесных состояний. Одно из них располагается в области низкой концентрации кислорода и соответствует пределу растворимости кислорода в кремнии, и второе, соответствующее соединению 57'02, лежит в области высокой концентрации кислорода. То, что значения концентрации компонентов в этих состояниях сильно различаются, позволяет достигать того, что настраиваемая определением параметров модель успешно работает на всём исследуемом интервале концентраций и температур. Предварительно проведённый анализ показал, что при использовании, для оценки параметров функции свободной энергии, условий вида:

дСш(хпх2,Т)

= о , (7)

х-х

означающих существование в точке со значением равновесного или

метастабильного состояния, модель адекватно описывает характер концентрационной зависимости свободной энергии смешения компонентов в

- ti -

системе Si-О. После этого полученная функция была нормирована на стандартную энергию Гиббеа для реакции образования диоксида кремнии. Полученная функция показана на рис. ). Также в работе был определён вид функции для системы Si - О при различных температурах и проанализирована её температурная зависимость, Оценка кинетического коэффициента г., в

составе нелинейного члена была получена на основании анализа кинетики роста поверхностного окисла кремния.

С использованием полученных результатов, было выполнено моделирование динамики системы при различных исходных концентрациях кислорода и при различных температурах. Рассматривались концентрационные профили со стехиометрической и тремя значениями достехибметри ческой концентрации кислорода в максимуме

О, Д ж/моль

■ 2 Ю

Nioi, см*5 ^^^^

Рис. Г; функция свободной энергии смешения для системы Si-O

Рис. 2 Изменений концентрационных профилей кислорода, имплантированного и кремний, под Влиянием термообработки. Температура 1613 К. I - исходное распределение (концентрация в максимуме 3.2ЛО13 см '}. 2 - длительность термообработки / = .10мни . 3 - длительность термообработки 2 -;

На рис. 2 показан результат моделирования с использованием достехиометрической концентрации кислорода при температуре 1613 К. В ходе моделирования были подтверждены известные экспериментальные данные о существовании критического значения объёмной концентрации кислорода, ниже которой, в данной области, формирования скрытого слоя не происходит [3], которое определяется положением максимума функции плотности свободной энергии Гиббса. При моделировании температурной зависимости в расчётах использовались достехиометрические концентрации, превышающие установленное критическое значение. Рассматривалось поведение системы при температурах процесса 1613 К, 1623 К, 1633 -К.. Как установлено, вне зависимости от температуры процесса достижение стехиометрического соотношения в максимуме формируемого распределения определяется в первую очередь исходным уровнем насыщения реактивной примесью. Влияние температуры отжига, как показали расчёты, сказывается главным образом на скорости перераспределения кислорода.

Четвёртая глава посвящена моделированию динамики системы 5/-0-В в течение отжига.

В работе построение термодинамических функций тройных систем проводилось по следующему алгоритму. На первом этапе для получения функции свободной энергии смешения для тройной системы последовательно вычисляли все функции избыточной энтальпии вида (6), для всех бинарных систем, которые возможно выделить из состава рассматриваемой тройной системы. При определении функций для системы Я- В учитывалось, что в ней, при процессе ионного синтеза реализуемы два равновесных состояния. Первое из них соответствует кремнию, содержащему сравнительно низкую концентрацию бора (Ю20 -1021см"3). Второе располагается в области, где концентрации бора и кремния одного порядка и соответствует соединению 5,5/. Полученная функция была нормирована к стандартной энергии образования соединения 5,57, найденной по известным из литературы зависимостям [4],[5]. График полученной функции показан на рисунке 3. В качестве единственного равновесного состояния системы В-О рассматривалось соединение В303. График полученной функции показан на рис.4.

Далее в работе был найден вид полинома, представляющего собой модельную функцию для избыточной энтальпии смешения для трёхкомпонентной системы. Коэффициенты полинома определялись по известным данным о величине энтальпии смешения для псевдобинарной системы 5('02 - В202 [6] и значениям определённых функций бинарных систем. Общий вид избыточной энтальпии смешения:

где я-Дг) - коэффициенты, функции температуры; х,,х3,х3 - мольные доли.

Н„,(*1 ,х2,х,,Т) = х,х2х,/(х,,х,,х},Т) ,

(8) (9)

После этого функция свободной энергии для тройной системы была найдем как сумма функций энтальпий бинарных систем, избыточной энтальпии и члена с конфигурационной энтропией. Таким же образом был найден вид функции при различных температурах.

Затем, исходя из соотношений линейной неравновесной термодинамики, были определены недостающие коэффициенты пропорциональности г, для системы уравнений вида (3).

Полученные результаты были применены при расчёте динамики системы Si -О - В. Во всех расчётах концентрация кислорода в максимуме имплантацувдмното профиля была достехиометричегкая. Исходные профили концентрации кислорода и бора моделировались с помощью программы TRIM. Энергия имплантации во всех случаях была 100кэВ для ионов кислорода И !05 кjВ для ионов бора. Концентрационная зависимость коэффициента диффузии кислорода ii системе Si - SiO, аппроксимировалась линейной функцией по его значениям в Si и SiOl. Зависимостью от концентрации бора

I G, Дж/ см'1

NIB1, СМ'

Рис, 3. Функция свободной энергии Гиббса для системы Si - В при температуре 1500 К

> G, ДМ см'3

,- .о" N(oi- см"' , „J

NIS|. см'

Рис, 4. Функция свободной |Йсргии Гиббса для системы В -О при температуре 1500 А'

пренебрегали, поскольку его массовое содержание в рассматриваемой системе недостаточно велико для оказания существенного влияния. При расчёте также учитывалась концентрационная зависимость коэффициента диффузии бора в системе 5/-О-В от концентрации кислорода и, и бора и,. Его зависимость от концентрации кислорода п, представляет собой линейную аппроксимацию:

Дя(Г,/7,,л3)=А(7>з)+0,(7>з:и > (Ю)

где коэффициенты Д,(Г,п3) и Д ('/',п,) определялись по известным значениям коэффициентов диффузии бора в и АО,.

Один из результатов расчётов можно видеть на рис. 5. На рисунке заметно стягивание профиля кислорода, что можно расценивать как формирование скрытого слоя новой фазы. Также видно формирование сложного профиля бора, с чётко выраженными экстремумами. При этом основной максимум локализуется в области высокого содержания кислорода.

с), им

Рис. 5. Изменение концентрационных профилей кислорода и бора, имплантированных в кремний, в результате термообработки. Температура отжига 1373 К . Длительность отжига /х 20 мин. 1 - исходное распределение кислорода (концентрация в максимуме 3.2-10"" см "'), 2 - исходное распределение бора (концентрация в максимуме 2.0• 1021 см'3), 3 - профиль кислорода после термообработки, 4 - профиль бора после термообработки, 5 - область локального минимума на профиле бора

Снижение концентрации бора в области рабочего слоя и её увеличение в слоях поверхностного и скрытого оксидов является результатом того, что во время термообработки в области с концентрацией кислорода, превышающей предел его растворимости в кремнии, в присутствии бора возникают термодинамические силы, стремящиеся уменьшить избыточную свободную энергию, связанную с присутствием фаз 5702 и Д/А -

Проведение серии расчетов позволило установить, что снижение исходного уровня кислорода приводит к увеличению скорости формирования структуры с резкими границами. Но вместе с этим при одинаковой продолжительности отжига концентрация в максимуме профиля ниже. Получаемое распределение кислорода имеет те же характерные особенности,

что и при синтезе скрытого слоя в двухШмпонентной системе .9/ - О, но в то же время его формирование происходит при более низкой температуре, что является положительным эффектом, вызванным присутствием в области реакции бора. Характерный вид распределения бора, при различных температурах, не претерпеваеч качественных изменений. Это связано с тем, что при изменении температуры процесса новых эффектов не возникает и её изменение влияет лишь на скорость протекания процесса.

Результаты моделирования подтверждаются экспериментальными данными,

В питой главе проведено моделирование динамики системы .V/ О-Р. Построение функции свободной энергии Гиббса для тройной системы я -О- Р осуществлялось но тому же алгоритму, что и для системы 5/ -О- В. Для построения искомого выражения были получены функции свободной энергии Гиббса бинарных систем Р-О и Л'-Р в дополнение к уже Найденной для системы к-О. При ионном синтезе для щ-Р реализуемы два равновесных состояния. I [ервое из них соответствует кремнию, содержащему концентрацию фосфора на уровне 10"° -■ 10;1 см~' Второе соответствует соединению 3:Р. Стандартная энергия образования этого соединения, использованная для нормировки функции свободной энергии Гиббса, известна из литературы [7].

Функция свободной энергии Гиббса для системы Р -О рассчитывалась по аналогии с системой В-О. Это является следствием того, что в обеих системах, при рассматриваемых температурах, не существуют области с низким содержанием кислорода. В качестве единственного равновесного состояния рассматривалось состояние, соответствующее соединению Р30,. Это сделано на основании того, что оксиды другого состава имеют значительно более низкую температуру плавления. Графики полученных функций Л" - Р, Р-0 показаны на рисунках б и 7.

Коэффициенты полинома (9) были определены, опираясь на известные данные о величине энтальпий для псевдобинарной системы .ЧЮ, - /уЛ и

нзт' аДж/см"

Рис. 6 Функция свободной энергии Гиббса для системы Si-I' при температуре 1300 Л'

О.ДжЯг*'5

Рис. 7. Функция свободной энергии ! иббса для системы Р -О. Температура 1500 А'

информацию Об определённых ранее функциях для систем Р~0И Si-.fi.. Коэффициенты пропорциональности Г, определялись так же, как и для системы Si-O-B.

Полученные результаты были использованы при расчёте динамики системы Si -О - Р. Профили концентрации кислорода и фосфора моделировались с помощью программы TRIM. Энергия имплантации во всех случаях была 100 кзЯ для ионов кислорода и 170 кэВ для ионов фосфора. При расчёта* для коэффициента диффузии кислорода учитывалась испймщованная ранее зависимость от концентрации кислорода в системе Si-SiO,\ его зависимостью от концентрации фосфора пренебрегали. Коэффициент диффузии фосфора в системе Si-O- Р рассматривался как функция концентрации кислорода л, и фосфора п,. Его зависимость от концентрации кислорода Щ предполагалась линейной и описывалась выражением, аналогичным (9| Значения коэффициентов диффузии определялись по известным значениям коэффициентов диффузии фосфора в Щ и Si()2.

Один из результатов проведённых расчётов можно видеть на рис. 8. Как можно заметить, изменения концентрационного профиля кислорода в результате термообработки имеют тот же характер, что и при формирований скрытого слоя и присутствии бора. На участке между скрытым слоем и поверхностным окислом концентрация кислорода заметно снижается по сравнению с исходным профилем. Профиль фосфора в результате непродолжительной термообработки приобретает сложную форму. Область наибольшей Концентрации локализуется в формируемом скрытом слое. При этом форма распределения в этой области становится достаточно Симметричной и подобной кислородному профилю за счёт смещения максимума распределения фосфора в направлении середины скрытого слоя. Кроме основного экстремума, на сформированном распределении фосфора наблюдается также два дополнительных максимума. Один из них, менее выраженный, расположен со стороны объёма подложки И существует лишь па начальной стадии отжига. В дальнейшем, в течение термообработки, наблюдается его деградация под действием диффузионных процессов. Второй

локальный максимум локализован в растущем слое термического окисла.

ё, нм

Рис. 8. Изменение концентрационных профилей кислорода и фосфора, имплантированных в кремний, в результате термообработки. Температура отжига 1373 Л'. Длительность отжига

1 = 20 мин .1 - исходное распределение кислорода (концентрация в максимуме 3.2 • 1022 см'1),

2 - исходное распределение фосфора (концентрация и максимуме 2.0 10'" с«"3), 3 - профиль кислорода после термообработки, 4 - профиль фосфора после термообработки

Из результатов, полученных в ходе расчётов, можно заключить, что получаемое распределение кислорода имеет те же характерные особенности, что и при синтезе скрытого слоя в двухкомпонентной системе 5/- О, но в то же время его формирование происходит при значительно более низкой температуре, что является результатом присутствия в области реакции фосфора. Характерный вид распределения фосфора при различных температурах не претерпевает качественных изменений.

В заключении главы проведён сравнительный анализ результатов моделирования для систем 5/-О- В и ¿7-О- Р. Из результатов моделирования следует, что изменения концентрационного профиля кислорода в результате термообработки, при обоих сортах стеклообразователя, имеют тот же характер, что и для формирования скрытого слоя БЮ, с помощью достехиометрических концентраций кислорода. Наблюдается формирование резких границ профиля кислорода, но происходит это при более низких температурах. Концентрация имплантированных компонентов обоих сортов в области локализации скрытого слоя увеличивается. На участке между ним и поверхностью концентрация кислорода значительно уменьшается, по сравнению с исходным профилем. Профили бора и фосфора в результате термообработки приобретают сложную форму с несколькими экстремумами. Сильная концентрационная зависимость коэффициента диффузии фосфора в кремнии приводит к диффузионному размытию его профиля в глубину образца. В целом скорость формирования всей структуры для обоих сортов примеси примерно одинакова, поскольку она, по-видимому, лимитируется главным образом диффузией кислорода.

Результаты моделирования подтверждаются экспериментальными

данными.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Предложена модель и разработан алгоритм решения нелинейных уравнений, возникающих в рамках данной модели и описывающих временную эволюцию силикатных систем.

2. Для системы Si-О установлено, что критическое значение объёмной концентрации кислорода, ниже которого, в данной области, формирование скрытого слоя не происходит, определяется максимумом функции плотности свободной энергии.

3. Установлено для систем Si-O-B и Si-O-Р, что:

- скорость формирования скрытого слоя лимитируется скоростью диффузии кислорода в системе, полученной в результате имплантации;

- в результате термообработки происходит перераспределение кислорода и бора (кислорода и фосфора), в результате которого максимумы концентрационных профилей локализуются в одной области, а в области границ синтезируемого слоя наблюдается снижение концентрации бора (фосфора);

- при использовании в качестве дополнительно имплантируемого к кислороду компонента, как бора, так и фосфора, процесс ионного синтеза скрытого слоя происходит при более низких температурах по сравнению с классическим SIMOX - процессом.

4. Появление локальных минимумов в окрестностях формирующихся границ раздела стекло - кремний обусловлено быстрым изменением избыточной энтальпии смешения в указанных областях.

5. Взаимодействие между атомами кислорода и бора (кислорода и фосфора) обусловливает локализацию максимумов концентрационных профилей в одной области.

Список цитируемой литературы

1. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Статистическая физика. -М.: Наука, 1976. Т. V., ч.1. - 584 с.

2. Суворов С.А., Сёмин Е.Г., Гусаров В.В. Фазовые диаграммы и термодинамика оксидных твёрдых растворов. -Л.:Из-во ЛГУ, 1986. - 140 с.

3. Ishimaru М., Tsunemori Т., Harada S., Arita М., Motooka Т. Microstructural evolution of oxygen implanted Silicon during annealing processes // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. - 1999. - №148. - Р. 311-316.

4. Стромберг А.Г., Семченко Д.П. Физическая химия. - М.: Высшая школа, 1988,- 141 с.

5. Пригожин И., Кондепуди Д. Современная термодинамика. От тепловых двигателей до диссипативных структур - М.: Мир, 2002.- 461 с.

6. Baret G., Madar R., Bernard С. Silica-based Oxide Systems. Experimental and Calculated Phase Equilibria in Silicon, Boron, Phosphorus, Germanium, and Arsenic Oxide Mixtures // J. Electrochem. Soc. - 1991. - V.138. №9. - P. 28302835.

7. Равдель A.A., Пономаревская A.M. Краткий справочник физико-химических величин. -JL: Химия, 1983. - 232 с.

Перечень работ, опубликованных по теме диссертации

1.Кривелевич С.А., Денисенко Ю.И., Маковийчук М.И., Паршин Е.О., Цырулев A.A. Ионно - синтезированные силикатные слои - новое направление КНИ - технологии // Радиационная физика твёрдого тела: Тр. XIII международного совещания, Севастополь, 1 - 6 июля, 20.02. - С. 315 - 319.

2. Кривелевич С.А., Цырулев A.A. Расчет функции свободной энергии и моделирование эволюции системы кремний - имплантированный кислород И Кремний - 2002: Тез. док. совещания по росту кристаллов, плёнок и дефектам структуры кремния, Новосибирск, 9 - 12 июля 2002 г.Новосибирск, 2002 - С. 86.

3. Кривелевич С.А., Цырулев A.A. Моделирование ионного синтеза скрытых диэлектрических слоев // Взаимодействие ионов с поверхностью: Сб. материалов XVI международной конференции, Звенигород, 25 - 29 августа 2003 г. - 2003. Т.2. - С. 94-97.

4. Krivelevich S., Buchin Е, Denisenko Yu., Tsyrulev A. Ion synthesys of silicate glasses - simulation, process engineering and applied aspects // Micro - and nanoelectronics - 2003 (ICMNE-2003): Abs. Int. conf., Russia, Moscow -Zvenigorod, 6-10 October 2003.-PI - 16.

5. Кривелевич С.А., Цырулев A.A. Моделирование ионного синтеза слоев диоксида кремния в рамках теории Гинзбурга - Ландау // Радиационная физика твёрдого тела: Тр. XIII международного совещания, Севастополь, 30 июня - 5 июля 2003 г. - С. 393 - 397.

6. Бучин Э.Ю., Денисенко Ю.И., Кривелевич С.А., Паршин Е.О., Цырулев A.A. Диффузия бора и фосфора в слоях кремния, обогащённых имплантированных кислородом // "Кремний - 2004": Тез. док. Иркутск, Листвянка, 5-9 июля 2004 г. - Иркутск, 2004. - С. 93.

7. Кривелевич С.А., Бачурин В.И., Цырулев A.A. Моделирование ионного синтеза скрытых диэлектрических слоёв // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2004.-№ 5.- С. 40-43.

8. Krivelevich S.A., Denisenko Yu. I., Tsyrulev A.A. Ionic synthesis of silica -based glasses: prospect, simulation and applied aspects // Proceedings of SPIE - May 2004.-V. 5401 - P. 119-128.

9. Кривелевич C.A., Цырулев A.A. Моделирование синтеза скрытых диэлектрических слоёв сложного состава, получаемых с помощью ионной имплантации // Вестник Нижегородского университета. Серия "Физика твёрдого тела". - Вып. I (8). - 2005. - С. 91- 96.

10. Кривелевич С.А., Цырулев A.A. Моделирование формирования скрытых слоёв комбинированного состава // Тонкие плёнки в электронике: материалы XVII международного симпозиума, Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2005, 810 сентября, С.393-397.

11. Krivelevich S.A., Tsyrulev A.A. Simulation of ion - beam synthesis of silica -based compounds// Micro - and nanoelectronics - 2005 (ICMNE-2005): Abs. Int. conf., Russia, Moscow - Zvenigorod, 3-7 October 2005.- PI - 49.

Отпечатано на ризографе

Ярославский государственный университет 150000 Ярославль, ул. Советская, 14.

Введение

Глава I. Ионный синтез скрытых диэлектрических слоев в кремнии.

1.1 Экспериментальное создание скрытых диэлектрических слоёв

1.1.1 Синтез скрытых слоёв с использованием имплантации кислорода

1.1.2 Синтез скрытых слоёв с использованием имплантации азота

1.1.3 Синтез скрытых слоёв с использованием комбинированной имплантации азота и кислорода

1.2 Моделирование синтеза диэлектрического слоя для двойных систем на основе зародышеобразования

1.3 Теоретические модели синтеза скрытого слоя для тройных систем

1.4 Теория фазовых переходов Гинзбурга - Ландау 29 1. 5 Выводы по главе I

Глава II. Обоснование применяемых методов исследования

2.1 Постановка задачи

2.2 Методы оценки параметров

2.3 Методы численного решения уравнений

2.4 Выводы по главе II

Глава III. Моделирование синтеза скрытых слоёв диоксида кремния

3.1 Редукция числа переменных.

3.2 Построение функции плотности свободной энергии Гиббса системы Si-О

3.3 Определение параметров функции плотности свободной энергии Гиббса системы Si -О

3.4 Моделирование динамики системы 57 - О при термообработке. Концентрационная зависимость

3.5 Моделирование динамики системы Si -О при термообработке. Температурная зависимость

3.6 Выводы по главе III

Глава IV. Моделирование процесса массопереноса, при высокотемпературной термообработке, в системе Si-О-В

4.1 Определение параметров функции плотности свободной энергии системы Si-О-В

4.2 Моделирование динамики системы Si -О-В при термообработке. Концентрационная зависимость

4.3 Моделирование динамики системы Si -О-В при термообработке. Температурная зависимость

4.4 Выводы по главе IV

Глава V. Моделирование процесса массопереноса, при высокотемпературной термообработке, в системе Si-0-P

5.1 Определение параметров функции плотности свободной энергии системы Si-0-P

5.2 Моделирование динамики системы Si-O-Р при термообработке. Концентрационная зависимость

5.3 Моделирование динамики системы Si-O-Р при термообработке. Температурная зависимость

5.4 Сравнение результатов моделирования динамики систем Si-О-В и Si-0-P

5.5 Выводы по главе V 117 Основные результаты и выводы 119 Литература

Актуальность темы. Современная микроэлектроника предъявляет высокие требования к характеристикам элементов интегральных схем, и повышенное внимание уделяется методам их улучшения. Особую важность имеют технологии, позволяющие повысить надежность работы микросхем и улучшить их частотные характеристики [1]. Одним из вариантов технологии, направленным на решение этой задачи, является технология «кремний на изоляторе» (КНИ) [2] и, в частности, одно из её наиболее перспективных направлений - ионный синтез скрытых диэлектрических слоев. Хорошо известен и применяем в коммерческих целях вариант КНИ, предполагающий создание скрытого диэлектрического слоя путём высокоэнергетической имплантации ионов кислорода с энергией 180-200 кэВ в кремниевую подложку и последующей термообработки при высокой (>1300°С) температуре [3-6]. Эта технология известна под названием SIMOX (separation by implanted oxygen) и достаточно хорошо изучена. Технология SIMOX наряду с преимуществами обладает некоторыми недостатками, основными из которых являются недостаточно высокое качество рабочего слоя и высокая стоимость получаемых изделий [1,2]. В связи с этим возникает необходимость снижения дозы имплантации [2], длительности и температуры термообработки [7]. Одним из вариантов решения стала разработка методов синтеза скрытого слоя диоксида кремния с дозами, значительно меньшими используемых в стандартном SIMOX-процессе [8]. Однако уменьшение дозы имплантируемых ионов ведет к ухудшению диэлектрических характеристик скрытого слоя и требует повышения температуры и длительности термообработки. Другим решением стало создание диэлектрических слоев иного состава. В частности, в отличие от SIMOX-процесса, где синтезировался слой Si02, предпринимались попытки создания слоя Si3NA, так называемая технология SIMNI (separation by implanted nitrogen) [9], и слоев SixNyOz [10], получаемых комбинированной имплантацией кислорода и азота. Синтез слоев нитрида и оксинитрида кремния позволил снизить дозу вводимой примеси и температуру термообработки [8], но низкие диэлектрические характеристики этих слоев при невысоком качестве рабочего слоя, обусловленном донорной активностью содержащегося в нём азота [1] и присутствием включений диэлектрической фазы [2], стали препятствием на пути к практическому использованию. Эти причины обусловливают продолжающийся поиск решения задач, стоящих перед создателями скрытых диэлектрических слоев. Одним из новых технологических вариантов стал ионный синтез скрытых диэлектрических слоев комбинированного состава на основе силикатных стекол.

Цель работы состоит в теоретическом исследовании процесса перераспределения компонентов при синтезе скрытых диэлектрических слоев комбинированного состава, получаемых с помощью последовательной ионной имплантации в кремний ионов кислорода и бора, в одном случае, и ионов кислорода и фосфора - в другом.

Для достижения поставленной цели в ходе работы решались следующие задачи:

1. Разрабатывалась аналитическая модель перераспределения компонентов при синтезе скрытых диэлектрических слоев. В рамках этой задачи разрабатывался алгоритм определения функции плотности свободной энергии Гиббса как функции температуры и объёмной концентрации компонентов тройных систем Si -О-В и Si-О-Р.

2. Разрабатывался алгоритм численного решения квазилинейных уравнений параболического типа применительно к решаемой задаче моделирования.

3. Проводилось моделирование временной эволюции систем Si-О-В и Si-O-Р в течение термообработки. В рамках этой задачи устанавливалась зависимость динамики системы Si-О-В и Si-O-Р от концентраций имплантированных компонентов и температуры стадии отжига.

Научная новизна результатов заключается в том, что:

1. Разработан метод, позволяющий моделировать процессы перераспределения компонентов, протекающие при термообработке систем, полученных ионной имплантацией.

2. Разработан алгоритм определения функции плотности свободной энергии Гиббса как функции температуры и объёмной концентрации компонентов тройных систем Si-0-B, Si-O-Р.

3. Разработан метод оценки кинетических коэффициентов в уравнениях, описывающих эволюцию рассматриваемых систем.

4. Разработан алгоритм численного решения квазилинейных уравнений параболического типа, возникающих в рассматриваемой задаче моделирования, обладающий безусловной устойчивостью по начальным данным и саморегуляризацией, связанной с переменным шагом по времени.

5. Определено стимулирующее влияние бора и фосфора на перераспределение кислорода при синтезе, протекающем при температурах более низких, чем используемые в SIMOX - процессе.

6. Исследовано влияние исходных концентрации и температуры при ионном синтезе слоев комбинированного состава на вид формируемых распределений компонентов.

Практическая значимость работы состоит в том, что результаты моделирования временной эволюции систем Si-О- В и Si-O-Р в течение термообработки представляют интерес, поскольку рассматриваемые системы имеют перспективу широкого практического применения. Полученные результаты могут применяться при проектировании технологических процессов планарной технологии. Установленные зависимости являются основой для разработки новых технологических вариантов ионного синтеза скрытых слоев комбинированного состава.

Разработанный метод моделирования представляет собой достаточно лёгкий и эффективный в использовании инструмент для определения параметров процесса при исследовании синтеза скрытых слоев.

Достоверность полученных результатов моделирования подтверждена экспериментальными данными.

Положения, выносимые на защиту

1. Используемый алгоритм определения функции плотности свободной энергии систем применим к силикатным системам, находящимся в условиях ионного синтеза, и позволяет эффективно решать задачи моделирования.

2. Предложенный алгоритм численного решения квазилинейных уравнений параболического типа, возникающих при моделировании, обладает безусловной устойчивостью по начальным данным и свойством саморегуляризации, обусловленным переменным шагом по времени.

3. В системе 5/-О существует критическое значение объёмной концентрации кислорода, ниже которого, в данной области, формирование скрытого слоя не происходит. Указанное значение концентрации соответствует максимуму функции плотности свободной энергии.

4. В системах Si-О-В и Si-0-P:

- скорость формирования скрытого слоя лимитируется скоростью диффузии кислорода, в системе полученной в результате имплантации;

- в результате термообработки происходит перераспределение кислорода и бора (кислорода и фосфора), в результате которого максимумы концентрационных профилей локализуются в одной области, а в области границ синтезируемого слоя наблюдается снижение концентрации бора (фосфора); при использовании, в качестве дополнительно имплантируемого к кислороду, компонента, как бора, так и фосфора, процесс ионного синтеза скрытого слоя происходит при более низких температурах по сравнению с классическим SIMOX - процессом.

Апробация результатов. Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: Международных совещаниях "Радиационная физика твёрдого тела" (Севастополь, 2002 и 2003), Совещании по росту кристаллов, плёнок и дефектам структуры кремния "Кремний - 2002" (Новосибирск, 2002), Совещании "Кремний - 2004" (Иркутск, 2004), Международных конференциях "Микро- и наноэлектроника - 2003 (ICMNE-2003)" и "Микро- и наноэлектроника -2005 (ICMNE-2005)", (Звенигород, 2003 и 2005), XVI международной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" (Звенигород, 2003), XVII международном симпозиуме "Тонкие плёнки в электронике" (Москва, 2005). Личный вклад автора;

- разработка, совместно с научным руководителем, теоретической модели, позволяющей описывать процессы, протекающие при термообработке систем, полученных ионной имплантацией;

- разработка, совместно с научным руководителем, алгоритма определения функции плотности свободной энергии Гиббса как функции температуры и объёмной концентрации тройных систем Si-О-В, Si-O-Р;

- разработка алгоритма численного решения квазилинейных уравнений параболического типа, возникающих в рассматриваемой задаче моделирования, обладающего безусловной устойчивостью по начальным данным и саморегуляризацией, связанной с переменным шагом по времени;

- разработка программного обеспечения для реализации вычислительных алгоритмов связанных с применением разработанной теоретической модели;

- моделирование, с использованием разработанного подхода, процессов перераспределения компонентов, протекающих при термообработке систем Si - О, Si-О-В, Si-O-Р, полученных ионной имплантацией;

- анализ результатов, полученных в ходе моделирования.

Публикация результатов работы. По теме диссертации опубликовано 11 печатных работ.

Структура и объём работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка использованной литературы. Общий объём работы составляет 133 страницы, в том числе основной текст 118 страниц, 54 рисунка и список литературы из 114 наименований.

Выводы:

1. В данной работе предложена модель и разработан алгоритм решения нелинейных уравнений, возникающих в рамках данной модели и описывающих временную эволюцию силикатных систем. Метод может быть распространен на системы, число компонент в которых больше трёх.

2. Возможность снижения температуры по сравнению с SIMOX -процессом обусловлена понижением температуры течения по сравнению с чистым диоксидом кремния, что подтверждается результатами моделирования.

3. Появление локальных максимумов в окрестностях формирующихся границ раздела стекло - кремний происходит в результате диффузионных процессов, возникающих под действием термодинамических сил, связанных с увеличением плотности свободной энергии смешения в указанных областях, которое обусловлено присутствием оксидов компонентов кремния и бора (кремния и фосфора).

4. Взаимодействие между атомами кислорода и бора (кислорода и фосфора) обусловливает локализацию максимумов концентрационных профилей в одной области.

5. Полученные результаты согласуются с экспериментальными данными известными из литературы.

1. Вяткин А.Ф., Старков В.В. Разработка физических основ элементов технологии КНИ-структур, формируемых ионной имплантацией кислорода в кремний // Проблемы микроэлектроники. Труды ФТИАН. 1994. №7. С.3-23.

2. Kwang S. S., Futami Т., Ohki У. Concentration of neutral oxygen vacancies in buried oxide formed by implantation of oxygen // J. Appl. Phys. 1998. V.83. №4. P.2357-2361.

3. Mrstik B.J., McMarr P.J., Hughes H.L., Anc M.J., Krull W.A. Improvement in electrical properties of buried SiCb layers by high-temperature oxidation // J.Appl.Phys.Lett. 1995. V.67. №22. P.3283-3288.

4. Jastrzebski L., Ipri A.C. The effect of 1300-1380°C anneal temperatures and material contamination on the characteristics of CMOS/SIMOX devices//IEE Electron Device Letter. 1988. V.9, №3. P. 151-153.

5. Кривелевич С.А., Маковийчук М.И., Паршин E.O. Ионный синтез структур кремний-на-изоляторе. Современное состояние, новые подходы и перспективы // Микроэлектроника. 1999. Т. 28. №5. С. 363-369.

6. Lizong Z., Diantong L., Zhonglie W., Bei Z., Hemment P.L.F. SOI structures prodused by oxygen ion implantation and their annealing behavior // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1991. №55. P. 754-757.

7. Kajiyama K. Buried-oxide layer formation by high-dose oxygen-ion implantation into Si wafers: SIMOX (separation by implanted oxygen) // Applied Surface Science. 1995. №85. P. 259-264.

8. Данилин А.Б., Мордкович B.H. Физические проблемы создания КНИ-структур методом реактивной ионной имплантации: Препринт. Черноголовка. 1989. 35 с.

9. Nesbit L., Stiffler S., Slisser G., Vinton H. Formation of silicon-on-insulator structures by implanted nitrogen // J. Electrochem. Soc., Solid State Science and Technology. 1985. V. 132. №11. P.2713-2721.

10. П.Маркевич В.П., Мурин Л.И., Lindstrem J.L., Suezawa М. Начальные стадии преципитации кислорода в кремнии: влияние водорода // ФТП. 2000. Т.34. №9. С.1039-1045.

11. Yupu Li,Marsh C.D., Nejim A., Chater R.J., Kilner J.A., Hemment P.L.F. SIMOX: processing, layer parameters design, and defects control // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1995. №99. P. 479-483.

12. Scanlon P.S., Hemment P.L.F., Reeson K.J. Oxygen rich SIMOX // Semicond. Sci. Technol. 1991. V.6. №8. P. 730-735.

13. M.Danilin A.B. The part player by the radiation defects and surface in ion beam synthesis of new phase buried layers with substoichiometric doses in silicon // J. Moscow Phys. Soc. 1993. №3. P. 221-225.

14. Stoemenos J. Structural defects in SIMOX // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1996. №112. P. 206-213.

15. Namavar F., Cortesi E., Kalkhoran N.M., Manke J.M., Bushman B. // Proc.1990 IEEE SOS/SOI Tech. Conf. Key West. FL. 1990. P.49.

16. Allen L.P., Smick Т.Н., Ryding G. SIMOX Research, Development and Manufacturing // Electronic Materials. 1996. V.25. №1. P.93-97.

17. Hatzopoulos N., Siapkas D.I, Hemment P.L.F. Oxide growth, refractive index, and composition depth profiles of structures formed by 2 MeV oxygen implantation into silicon // J. Appl. Phys. 1995. №77. P. 577-586.

18. Kajiyama K., Yoneda Т., Fujiokf Y., Kido Y. Si-0 bond formation by oxygen implantation into silicon // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1993. №121. P. 197-202.

19. Gupta G.K., Yadav A.D., Gundu Rao Т.К., Dubey S.K. Structural studies of 20keV oxygen-implanted silicon // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1997. №168. P. 315-318.

20. Nakashima S., Izumi K. SIMOX wafers with low dislocation density produced by a 100 mA-class high-current oxygen implanter // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1991. №55. P. 847-851.

21. Margail J., Lamure J.M., Papon A.M. Defects in SIMOX structures: some process dependence // Mater.Sci.Eng. B.1992. №12. P. 27-36.

22. Рудаков В.И., Денисенко Ю.И., Мочалов Б.В. Низкотемпературный отжиг SIMOX-структур в неоднородном температурном поле // Микроэлектроника. 2000. Т.29. №5. С. 367-373.

23. Браун М., Долмер Д., Талвей А. Реакции твёрдых тел. М.: Мир, 1984. 359 с.

24. Reiss S., Heinig К.Н. Ostwald ripening during ion beam synthesis a computer simulation for ingomogeneous systems // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B.1994. №84. P. 229-233.

25. Reiss S., Heinig K.H. Computer simulation of mechanisms of the SIMOX process //Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1995. №102. P. 256-260.

26. Stoemeons J., Reeson K.J., Robinson A.K., Hemment P.L.F. Dislocation formation related with high oxygen dose implantation in silicon // J. Appl. Phis. 1991. №69. P. 793-802.

27. Nakashima S., Izumi K. Analysis of buried oxide layer formation and mechanism of threading dislocation generation in the substoichiometric oxygen dose region//J. Mater. Res. 1996. V.8. №3. P. 523-528.

28. Кривелевич C.A., Маковийчук М.И., Рекшинский В.А., Рудаков В.И., Симакин С.Г. Формирование 8Ю2-слоя в кремнии,имплантированном кислородом // Высокочистые вещества. 1993. №6. С. 133-138.

29. Margail J., Stoemenos J., Jaussaud С., Bruel M. Study of silicon-on-insulator structures formed by low dose oxygen and nitrogen implantation //Mat. Sci. Eng. B. 1992. №12. P. 67-71.

30. Grean G.M., Lynch S., Greef R., Stoemenos J., Rossow U., Richter W. Study of buried oxide layer formation in the substoichiometric oxygen SIMOX processes // Mater. Res. Soc. 1992. №235. P. 139-144.

31. Aspar В., Guilhalmanc C., Pudda C., Garcia A., Papon A.M., Auberton-Herve A.J., Lamure J.M. Buried oxide layers formed by low dose SIMOX processes // Microelectronic Engineering. 1995. №28 . P. 411-414.

32. Сугано Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику. М.: Мир, 1988. 320 с.

33. Li Y., Kilner J.A., Robinson А.К., Hemment P.L.F., Marsh C.D. Analysis of thin-film silicon-on-insulator structures formed by low-energy oxygen ion implantation//J. Appl. Phis. 1991. №70. P. 3605-3612.

34. Вяткин А.Ф. Твердофазный эпитаксиальный рост кремния // Поверхность. 1991. №4. С. 5-26.

35. Hatzopoulos N., Chater R.J., Bussmann U., Hemment P.L.F., Kilner A. The effect of dose and temperature on the as-implanted microstructure of oxygen implanted silicon//Mat. Sci. Engi.1992. В12. P. 37-40.

36. Van Ommen A.H. New trends in SIMOX // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1989. №39. P. 194-202.

37. Романюк Б.Н., Попов В.Г., Прокофьев А.Ю., Лисовский И.П., Мельник В.И., Богданов Е.И. Процессы формирования скрытых диэлектрических слоев в Si при имплантации ионов N+ и 0+ // УФЖ. 1992. Т.37. №3. С. 78-84.

38. Bachurin V.I., Churilov А.В., Potapov E.V., Smirnov V.K., Makarov V.V., Danilin A.B. Formation of thin silicon nitride layers on Si by low energy N+ ion bombardment // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1999. №147. P. 316-319.

39. Грибковский P.B., Комаров Ф.Ф., Котов E.B., Новиков А.В., Самойлюк Т.Т. Кинетика накопления азота в кремнии при создании скрытых изолирующих слоев высокоинтенсивным ионным облучением // Микроэлектроника. 1989. Т. 18. №3. С. 247-251.

40. Комаров Ф.Ф., Комаров А.Ф., Петров С.А. Формирование скрытых изолирующих слоев нитрида кремния в кремнии при высокоэнергетической интенсивной имплантации азота // Микроэлектроника. 2002. Т.31. №5. С.361-366.

41. Грибковский В.В., Грибковский Р.В., Комаров Ф.Ф., Литвинович Г.В, Новиков А.П. Получение скрытых слоев Si3N4 при высокоинтенсивной ионной имплантации и быстром термическом отжиге // ЖПС. 1990. Т.53. №4. С.628-632.

42. Комаров Ф.Ф., Новиков А.П., Петров С.А. Структура слоев Si3N4 синтезированных в кремнии имплантацией ионов азота в самоотжиговом режиме // Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1990. №2. С.110-112.

43. Reiss S., Weber R. Experimental study and modeling of structure formation in buried layers at ion beam synthesis // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1994. №89. P. 337-341.

44. Качурин Г.А., Тысченко И.Е., Тийс С.А., Плотников А.Е. Влияние конкурирующих центров преципитации на распределениеимплантируемого азота в Si при формировании захороненных слоёв // ФТП. 1995. Т.29. №3. С. 495-499.

45. Danilin А.В., Drakin К.А., Malinin А.А., Mordkovich V.N., Petrov A.F., Vyletalina O.I. Behavior of implanted nitrogen in Si with the buried layer of Si02 precipitates // Solid State Phenomena. 1991. V.19. №20. P. 405410.

46. Демидов E.C., Марков K.A., Карзанов В.В. Различие в сопротивлении обогащённых азотом кремниевых слоёв как результат эффекта дальнодействия ионной имплантации // ФТП. 2000. №34, С. 170-174.

47. Демидов Е.С., Карзанов В.В., Лобанов Д.А., Марков К.А., Сдобняков

48. B.В. Дальнодействующее влияние облучения ионами аргона на синтез стехиометрической фазы нитрида кремния в слоях SixNy сформированных ионной имплантацией // ФТП. 2001. Т. 35. №1.1. C.21-24.

49. Li Y., Kilner J.A. A semi-empirical model to predict the layer parameters of (SIMOX) structures // Materials Science and Engineering. 1992. В12. P. 77-81.

50. Бенсон С. Основы химической кинетики. М.: Мир, 1964. 603 с.

51. Буренков А.Ф, Комаров Ф.Ф, Федотов С.А. Отжиг скрытых нитридных слоёв в кремнии с применением фрактальной модели // Поверхность Физ. Хим. Мех. 1990. №8. С. 5-7.

52. Комаров А.Ф, Комаров Ф.Ф, Федотов С.А. Моделирование одновременного процесса формирования силицидов и скрытых изолирующих слоёв в режиме высокоинтенсивной ионной имплантации //ЖТФ. 1994. Т.64. №9. С. 136-143.

53. Barabanenkov M.Yu, Borun A.F, Danilin А.В, Mordkovich V.N. A model of ion synthesis of buried dielectric layers in silicon // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1991. №58. P. 179-186.

54. Barabanenkov M.Yu, Borun A.F, Danilin A.B. Heterogeneous processes of new phase growth in the system of various sinks: ion-beam synthesis of silicon oxynitride // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1992. №66. P. 352-356.

55. Barabanenkov M.Yu. The spatial location of the intermediate new phase precipitate layer during SOI structure fabrication // Modeling Simul. Mater. Sci. Eng. 1993. №1. P. 613-618.

56. Barabanenkov M.Yu, Agafonov Yu.A, Mordkovich V.N, Pustovit A.N, Vyatkin A.F, Zinenko V.I. Polienergy ion beam synthesis of buried oxynitride layer in silicon // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 2000. №171. P. 301-308.

57. Лифшиц E.M, Питаевский Л.П. Теоретическая физика. Физическая кинетика. М.: Наука, 1979. Т. X. 527 с.

58. Ландау Л.Д, Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Статистическая физика. М.: Наука, 1976. Т. V. 4.1. 584 с.

59. Лифшиц Е.М, Питаевский Л.П. Теоретическая физика. Теория конденсированного состояния. М.: Наука, 1978. Т. IX. 448 с.

60. Кривелевич С.А, Денисенко Ю.И, Маковийчук М.И, Паршин Е.О, Цырулев А.А. Ионно синтезированные слои - новое направление КНИ - технологии // Труды XII Международного совещания

61. Радиационная физика твёрдого тела" Севастополь. 1 - 6 июля. 2002. С.315- 319.

62. Krivelevich S.A., Denisenko Yu.I., Tsyrulev A.A. Ionic synthesis of silica based glasses: prospect, simulation and applied aspects // Proceedings of SPIE. 2004. V.5401.P.119-128.

63. Кривелевич С.А. О выборе параметров порядка при описании дальнодействующего влияния ионной имплантации // Вестник ННГУ. Физика твёрдого тела. 2003. вып. 1(6). С. 144-151

64. Гилмор Р. Прикладная теория катастроф. М.: Мир, 1984. Кн.2. 285 с.

65. Суворов С.А., Сёмин Е.Г., Гусаров В.В. Фазовые диаграммы и термодинамика оксидных твёрдых растворов. Л.: ЛГУ, 1986. 140 с.

66. Урусов B.C. Теория изоморфной смесимости. М.: Наука, 1977. 252 с.

67. Урусов B.C. Расчёты термодинамических свойств существенно ионных растворов замещения (изоморфных смесей) // Проблема изоморфных замещений атомов в кристаллах. М.: Металлургия, 1971.С. 62-164

68. Саксена С. Термодинамика твёрдых растворов породообразующих минералов. М.: Металлургия, 1975. 208 с.

69. Аллахвердов Г.Р. Расчёт термодинамических функций образования твёрдых растворов//Ж.Физ.Хим. 1980. Т.54. №3. С. 617-621.

70. Воронин Г.Ф.Расчёты термодинамических свойств сплавов с использованием диаграмм фазовых состояний. // Математические проблемы фазовых равновесий. Новосибирск.: НГУ, 1983. С. 5-40

71. Бард И. Нелинейное оценивание параметров. М.: Наука, 1979. 350 с.

72. Эйкхофф П. Основы идентификации систем управления. М.: Наука,1975. 685 с.

73. Воронин Г.Ф., Дегтярёв С.А. Расчёт термодинамических свойств сплавов по калориметрическим данным и диаграммам состояний // Ж.Физ.Хим. 1981. Т.55. №3. С. 607-611

74. Гейдерих В.А., Куценок Б.А. К аппроксимации зависимости химических потенциалов от состава твёрдого раствора // Математические вопросы химической термодитнамики. Новосибирск.: НГУ, 1984. С. 87-92

75. Глазов М.В. О концентрационной зависимости химических потенциалов в двухкомпонентных системах // Ж.Физ.Хим. 1983. Т.57. №2. С. 489-491

76. Предводителев А.А., Тяпунина Н.А., Зиненкова Г.М., Бушуева Г.В. Физика кристаллов с дефектами. М.: Мир, 1986. 240 с.

77. Воронин Г.Ф. Основы термодинамики. М.: Мир, 1987. 192 с.

78. Пригожин И., Кондепуди Д. Современная термодинамика. От тепловых двигателей до диссипативных структур. М.: Мир, 2002. 461с.

79. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. СПб.: Лань, 2003. 832 с.

80. Канторович Л.В., Крылов В.И. Приближённые методы высшего анализа. М.-Л. Физматгиз, 1962. 708 с.

81. Вержбицкий В.М. Основы численных методов. М.: Высшая школа, 2002. 840 с.

82. Крылов В.И., Бобков В.В., Монастырный П.И. Вычислительные методы. М.: Высшая школа, 1977. Т.2. 722 с.

83. Березин И.С., Жидков Н.П. Методы вычислений. М.:Физматгиз, 1962. Т. 1.483 с.

84. Стромберг А.Г., Семченко Д.П. Физическая химия. М.: Высшая школа, 1988. 141 с.

85. Герасимов Я.И., Гейдерих В.А. Термодинамика растворов. М.: Изд-во МГУ, 1980. 184 с.

86. Кривелевич С.А., Цырулев А.А. Моделирование ионного синтеза слоёв диоксида кремния в рамках теории Гинзбурга Ландау //

87. Труды XIII международного совещания "Радиационная физика твёрдого тела" Севастополь. 30 июня - 5 июля. 2003. С. 393 - 397

88. Шоу Д., Сволин Р., Брайс Дж. и др. Атомная диффузия в полупроводниках. М.: Мир, 1975. 684 с.

89. Равдель А.А., Пономаревская A.M. Краткий справочник физико-химических величин. Л.: Химия, 1983. 232 с.

90. Химическая энциклопедия. М.: Советская энциклопедия, 1990. Т.2. 671 с.

91. Takakuwa Y., Ishida F., Kawawa Т. Time evolution of interface roughness during thermal oxidation on Si (001) // Applied Surface Science. 190. 2002. P. 20-25

92. Ю2.Кривелевич С.А., Бачурин В.И., Цырулев А.А. Моделирование ионного синтеза скрытых диэлектрических слоёв // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. №5. С. 40-45

93. Бор. Получение, структура и свойства. (Материалы IV международного симпозиума по бору.). М.: Наука, 1974. 266 с.

94. Baret G., Madar R., Bernard С. Silica-based Oxide Systems. Experimental and Calculated Phase Equilibria in Silicon, Boron, Phosphorus, Germanium, and Arsenic Oxide Mixtures // J. Electrochem. Soc. 1991. V.138. №9. P. 2830-2835.

95. Химическая энциклопедия. M.: Советская энциклопедия, 1988. Т.1. 623 с.

96. Александров О.В. Моделирование концентрационной зависимости диффузии бора в кремнии // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 3. С. 270 -273.

97. Федотов Я.Э. Кремниевые планарные транзисторы. М.: Советское радио, 1973. 336 с.

98. Александров О.В., Афонин Н.Н. Влияние окислительных сред на диффузионно сегрегационное перераспределение бора в системетермический диоксид кремния кремний // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып.5. С.57-63.

99. Krivelevich S., Buchin Е., Denisenko Yu., Selikov R. Diffusion and phase formation in ternary silicate systems framed by an ion bombardment // Abs. ICMNE, 2005, October 3 th 7 th, Moscow, Zvenigorod, P.03-12.

100. Химическая энциклопедия. M.: Большая российская энциклопедия. 1998. Т.5. 783 с.

101. Александров О. В. Модель высоко- и низко температурной диффузии фосфора в кремнии по дуальному парному механизму // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 11. С. 1289-1298.

102. Александров О. В., Афонин Н. Н. Неравновесная сегрегация фосфора в системе диоксид кремния кремний // ФТП. 1998. Т. 32. №1. С.19 - 22.

103. Павлушин Н.М. Химическая технология стекла и ситаллов. Учебник для ВТУзов. М.: Высшая школа, 1983. 421 с.