автореферат диссертации по машиностроению и машиноведению, 05.02.22, диссертация на тему:Научно-технические основы модернизации организационной структуры и технологических процессов для инновационного развития предприятия по производству электронных компонентов

кандидата технических наук
Яранцев, Николай Владимирович
город
Калуга
год
2011
специальность ВАК РФ
05.02.22
Диссертация по машиностроению и машиноведению на тему «Научно-технические основы модернизации организационной структуры и технологических процессов для инновационного развития предприятия по производству электронных компонентов»

Оглавление автор диссертации — кандидата технических наук Яранцев, Николай Владимирович

Введение.

ГЛАВА 1. Анализ современного состояния в сфере технологической модернизации радиоэлектронной отрасли.

1.1. Организационные и технические особенности развития предприятий и фирм радиоэлектроники: зарубежный и отечественный опыт.

1.2. Особенность технологической модернизации предприятий радиоэлектроники, включенных в перечень стратегических или имеющих государственный оборонный заказ.

1.3. Нематериальные активы отечественных предприятий радиоэлектроники - один из рычагов их технологической модернизации.

1.4. Анализ роли наукоемких технологий в инновационном развитии предприятий по производству электронных компонентов.

Выводы к главе 1.

ГЛАВА 2. Развитие научно-технических основ совершенствования организационной структуры предприятия по разработке и производству ЭКБ.

2.1. Методические подходы и характеристика региона со сосредоточением радиоэлектронного кластера.

2.2. Научно-технические основы разработки новой структуры построения и управления предприятием.

2.3. Модель построения и функционирования «сотовой» структуры инновационного холдинга по производству ЭКБ.

Выводы к главе 2.

ГЛАВА 3. Совершенствование организационного механизма повышения эффективности деятельности современных предприятий путем модернизации технологий производства ЭКБ.

3.1. Исследование возможности и путей модернизации технологий производственных участников холдинга «сотовой» структуры.

3.2. Модернизация технологии изготовления биметаллических материалов для глубокой вытяжки.

3.3. Совершенствование технологий холодного и горячего формования специальных композиционных материалов.

3.4. Практические результаты совершенствования технологий изготовления спецматериалов в деятельности инновационного холдинга

Выводы к главе 3.

Введение 2011 год, диссертация по машиностроению и машиноведению, Яранцев, Николай Владимирович

В настоящее время предприятия радиоэлектроники находятся в сложных условиях, продиктованных современной экономической ситуацией в Российской Федерации (РФ). С одной стороны, подавляющее большинство из них имеет государственный оборонный заказ на обеспечение систем вооружения, военной и специальной техники (ВВСТ), но с другой - этот заказ распределен неравномерно среди сохранившихся в рыночных условиях 373 предприятий и научных организаций радиоэлектроники и не является определяющим в их финансово-экономической деятельности.

В итоге прибыльными на сегодня являются порядка 60% промышленных предприятий и 70% научных организаций радиоэлектроники. Построенные и введенные в эксплуатацию во второй половине прошлого века предприятия радиоэлектроники умело извлекали максимум прибыли, используя масштабы и объемы производства радиоэлектронной продукции. Однако в условиях рынка, простое расширение производства (материальные активы) и эффективное управление финансовыми активами уже не дают прежнего результата. Назрела необходимость предприятиям, обладающим наукоемкими радиоэлектронными технологиями, в полной мере использовать и свои нематериальные активы. Для этого требуется постоянное повышение эффективности и скорости систем управления.

Надежды на то, что иностранные инвесторы придут на помощь, как это было в эпоху индустриализации, когда наша страна закупила современные заводы и технологии, обучила кадры и ликвидировала технологическое отставание от западной промышленности, пока призрачны. Построенные в РФ несколько предприятий по выпуску бытовой техники и электроники базируются на комплектующих фирм-инвесторов, которые производят и продают эту продукцию, несомненно, высокого качества, на территории России, вытесняя аналогичную отечественную продукцию, сохраняя за собой наукоемкие технологии ее производства.

Электронная компонентная база (ЭКБ) для ВВСТ априори не может развиваться по схеме такого инвестирования в силу того, что иностранные фирмы не заинтересованы в обеспечении национальной безопасности РФ. Поэтому отечественные навигационные и радиолокационные системы должны быть обеспечены сверхвысокочастотными (СВЧ) и квантовыми приборами, долговечность которых в значительной мере обеспечивается качеством ЭКБ: интегральных микросхем, источников электронов (катодов), лазерных диодов и специальных материалов (многокомпонентных металлических и композиционных).

Для соответствия предприятия по производству ЭКБ современному уровню рыночных отношений требуется новая организация его структуры и системы управления на базе технологической модернизации, включающей ликвидацию неэффективных производственно-технологических ресурсов, разработку и освоение высокотехнологичных материалов и изделий на их основе, создаваемых в т.ч. на правах государственно-частного партнерства, сохранение, переобучение и подготовку высококвалифицированного кадрового потенциала. Исследования в этом направлении являются актуальными.

Степень изученности проблемы. Анализ современной отечественной и зарубежной литературы показывает, что предложены и апробированы несколько схем организации производства: иерархическая структура (Б. Зло-бин, С. Глазьев), чисто рыночная (С. Шаталин, JI. Абалкин) и сетевая (R. Sato, С. Jarillo, W. Powell).

Преимуществом иерархической структуры является четкая система подчинения и обмена информацией, а это обеспечивает хороший механизм организации массового производства и распределения ресурсов. Однако в отечественной радиоэлектронике таких производств (кроме государственных) практически нет. Рыночная структура, в подавляющем большинстве, не обеспечивает на достаточном уровне стимулирование обучения, обмен «ноу-хау». Сетевая структура в этом плане имеет явные преимущества, поскольку лишена таких недостатков, так как в ее основе лежит взаимное согласие всех участников отказываться от ориентации на преследование собственных целей в ущерб интересам других членов сети. Важным достоинством сети является взаимодополняемость и приспособляемость ее участников. В условиях нестабильности отечественного рынка для реализации сетевой организации производства пока не созданы конкретные формы и условия для ее реализации.

Исходя из народнохозяйственной значимости и потребности в дальнейшем развитии организационно-экономических механизмов управления рыночной деятельностью предприятий радиоэлектроники в условиях нестабильной рыночной среды, целью настоящей работы является разработка научно-технических основ создания и функционирования инновационного предприятия по производству электронных компонентов.

Для достижения этой цели в работе поставлены и решены следующие задачи:

1. Определение основных проблем модернизации предприятий по производству электронных компонентов и изыскание основ создания оптимальных структур и организации производства, обеспечивающих его инновационное развитие.

2. Формирование набора показателей и видов работ для подбора участников «сотовой» структуры предприятия по производству электронных компонентов, реализуемой на единой промышленной площади (промплощадке).

3. Исследование способов получения бездефектных биметаллических и многослойных лент, прецизионных и высокостабильных композиционных материалов, как основы модернизации ЭКБ, и организация их производства на фирмах-участниках «сотовой» структуры, сосредоточенных на общей промплощадке холдинга.

4. Разработка научно-технических основ построения и функционирования новой структуры инновационного предприятия (холдинга) по производству электронных компонентов, включающей элементы как иерархической, так и сетевой структур.

Объектом исследования являются предприятия радиоэлектронного профиля Калужского региона, работающие в условиях рынка.

Предметом исследования являются организационно-управленческие структуры предприятий радиоэлектроники и особенности модернизации технологических процессов в них, обеспечивающих инновационное развитие.

Методическая основа исследований: в процессе исследования использованы методы системного анализа, имитационного моделирования, теории вероятности, прогнозирования, электронной микроскопии, химического и спектрального анализа, микрорентгенанализа. Фактологическую базу составили выполненные автором исследования по созданию и совершенствованию структуры производства и технологий изготовления многослойных и многокомпонентных материалов, как металлических, так и металлооксидных композиционных, способов организации их серийного изготовления.

Достоверность и обоснованность исследований обеспечивается формулированием и детальным обоснованием всех рабочих гипотез и схем, технологических режимов, получением основанных на них результатов с использованием строгого математического аппарата и информационных технологий для обработки данных, сравнением их с результатами практического освоения, с данными исследований других авторов.

Личный вклад автора. Результаты, составляющие основное содержание работы, получены автором самостоятельно. Автором выполнены также лично все теоретические и экспериментальные работы по созданию и реализации новой «сотовой» структуры предприятия по производству основных электронных компонентов, основанной на разработанных им лично или под его непосредственным руководством наукоемких технологических процессах производства многослойных металлических и композиционных материалов для радиоэлектроники. Результаты, полученные в соавторстве, отмечены соответствующими ссылками.

Научная новизна. В диссертации разработаны научно-технические основы построения и функционирования инновационного предприятия по производству электронных компонентов в общей системе смешанной экономики и в условиях нестабильных рыночных отношений. Их суть заключается в следующем:

- «сотовая» структура построения и размещения производства нового типа должна строиться на базовом предприятии, имеющем значительные размеры основных производственных площадей и запасы энергетических мощностей, вырабатываемых во вспомогательных цехах, а также эффективные и оптимизированные службы маркетинга, снабжения и продаж, которые становятся общими для всех участников такого холдинга, причем все его участники - независимые акционерные общества, специализирующиеся на тех видах работ, которые для них являются ключевыми в обеспечении конкурентных преимуществ;

- для стратегического развития и управления все предприятия холдинга, возглавляемого высшим менеджментом, включены в сетевую схему организации производства и должны обладать значительными нематериальными активами (патенты, технологии, «ноу-хау» и их носители - разработчики), а в составе независимых акционерных обществ необходимо наличие научно1 инновационного центра (НИЦ), научно-образовательного центра (НОЦ), а также объединенного научно-технического совета (НТС) в качестве рекомендательного органа;

- с целью обеспечения инновационного развития холдинга «сотовой» структуры, его производственные участники должны иметь, как правило, материальные активы (здания и сооружения), для развития на их основе креативных технологий, и новые или модернизированные технологии своего основного производства, в данном случае - для изготовления спецматериалов на базе имеющихся там нематериальных активов, причем доля затрат по НИОКР в себестоимости новой продукции на ее создание должна быть не ниже 10%;

- предложены новые технологические режимы и технические решения по изготовлению высококачественных многослойных металлических и композиционных материалов, полученных классическими методами холодного и горячего плакирования, прецизионной вакуумной порошковой металлургии, освоенные серийно в производстве участников «сотовой» структуры и используемые в качестве исходного материала при изготовлении электронных -компонентов базового предприятия созданного холдинга.

Основные результаты, выносимые на защиту:

1. «Сотовая» структура построения и функционирования нового предприятия по производству электронных компонентов (инновационного холдинга).

2. Модель управления инновационным предприятием, сочетающая механизмы иерархической и сетевой структур в виде семиячеистых сот.

3. Экспериментальные результаты и расчетные данные, технологические особенности получения многослойных, многокомпонентных металлических и композиционных материалов, необходимых для изготовления электронных компонентов.

Практическая значимость результатов проведенных исследований заключается в разработке научно-технических основ построения инновационного предприятия по производству ЭКБ, включающего ее основное производство и сосредоточенные вокруг него в виде «сотовой» структуры, на единой промплощадке с общим энергообеспечением, общим подразделением снабжения, продаж и маркетинга, акционерные общества, обеспечивающие его полную потребность в полуфабрикатах и вспомогательных материалах, выпускаемых ими по новым наукоемким технологиям, разработанным в т.ч. под руководством автора и при его непосредственном участии. Разработанные научно-технические основы создания инновационного предприятия можно адаптировать и для других наукоемких производств в РФ.

Реализация и внедрение результатов исследований. Результаты исследований внедрены и используются в открытом акционерном обществе «Восход - Калужский радиоламповый завод», на промплощадке которого в виде «сотовой» структуры функционируют в составе инновационного холдинга с

2010 года независимые акционерные общества — его производственные и научные участники.

Апробация результатов исследования. Основные результаты исследований докладывались на 5 Международных конференциях, в том числе «Физика электронных материалов» (Калуга, 2008), «Межфазная релаксация в полиматериалах (Москва, 2001), «Тонкие пленки в электронике» (Харьков, 2001), «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (Москва, 2008), «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 2003) и 10 Всероссийских и региональных научно-технических конференциях, в том числе «Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении» (Москва, 2000, 2001, 2004), «Наукоемкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в ВУЗе» (Москва, 2006-2009), «Наноинженерия» (Москва, 2008) и др.

Публикации. По теме исследований опубликованы 23 печатные работы общим объемом 7,8 п.л., из них 8 статей опубликованы в изданиях, рекомендованных ВАК РФ для публикации материалов по специальности диссертации.

Структура работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, общих выводов, списка литературы из 107 наименований и приложения.

Заключение диссертация на тему "Научно-технические основы модернизации организационной структуры и технологических процессов для инновационного развития предприятия по производству электронных компонентов"

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Установлено, что одним из путей модернизации предприятий и технологий радиоэлектронной отрасли в современных условиях является создание инновационных холдингов, организованных в виде «сотовой» структуры. Ячейки «сотовой» структуры, независимые акционерные общества среднего и малого бизнеса, такого холдинга, размещенные на территории базового предприятия, обычно известного и устойчивого в условиях рынка, используют в своей научно-производственной деятельности его материальные и нематериальные активы и действуют на рынке в общих интересах холдинга.

2. На примере модернизации организационной структуры и технологических процессов отечественного предприятия по производству ЭКБ показано, что необходимым условием успешного функционирования созданного холдинга является превышение стоимости его нематериальных активов (технологии, изобретения, патенты, «ноу-хау и т.д.) над материальными, а достаточным - когда вложения в НИОКР составляют не менее 10% в себестоимости новой продукции. Причем, обязательными ячейками «сотовой» структуры должны быть научно-инновационный центр, функционирующий на правах государственно-частного партнерства, и научно-образовательный центр, созданный совместно с техническим вузом.

3. Доказано, что основой модернизации отечественных технологий производства специальных материалов для ЭКБ является разработка прецизионных режимов их получения с сохранением классических технологий базового оборудования горячего и холодного плакирования, а также вакуумной порошковой металлургии. Как правило, эти материалы должны быть в значительной степени востребованы в производстве базового предприятия.

4. Показано, что важнейшими технологиями, разработанными и освоенными с участием автора на предприятиях-участниках «сотовой» структуры, являются:

- технология холодного плакирования биметаллических лент Al-Fe для глубокой вытяжки деталей ЭКБ;

- технология термообработки трехкомпонентного пакета с прослойкой А1 для получения бездефектной ленты медь-серебро для производства различных катодов;

- технология получения нанодисперсных порошков интерметаллида палладия для изготовления вторичноэмиссионных катодов методами вакуумной порошковой металлургии для СВЧ-приборов;

- технологии горячего и холодного плакирования и формования серии многослойных и многокомпонентных специальных материалов для производства изделий отечественной ЭКБ.

5. Установлено, что реализованные на базе материальных активов (помещений) научных и производственных участников холдинга креативные технологии являются надежным финансовым источником его инновационного развития.

6. Показано, что гексагональная ячеистая сотовая структура силицена (аналога графена) наиболее наглядно и доступно иллюстрирует модель построения предлагаемого инновационного холдинга, поскольку кремний — основа современной радиоэлектроники.

7. Практическая реализация проблемы модернизации предприятий радиоэлектронной отрасли осуществлена на примере инновационного холдинга ОАО «Восход»-КРЛЗ в городе Калуге. Там производственные участники холдинга (ОАО «Восход»-КРЛЗ, ОАО «Биметалл», ОАО «КБ «Сектор», ЗАО «Аметист-Стан», ООО «Аметист-М», ООО «Эколюм-Восход», ЗАО «Пожарная микроэлектроника») заполнили полностью семиячеистую «сотовую» структуру производства и семиячеистая «сотовая» структура научных его участников (ОАО «Научно-инновационный центр компонентов радиоэлектроники «Восход» имени А.И. Шокина», ООО «Научно-образовательный центр «Вакуумная и микросистемная техника для радиоэлектроники», ЗАО «Фотодиод «ФД», ООО «Конструкторское бюро микроэлектроники») также близка к завершению.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В конце прошлого века радиоэлектронная отрасль страны находилась на подъеме. Это касается и отечественной ЭКБ. Считалось, что дальнейшее повышение эффективности радиоэлектронной отрасли может быть реализовано путем создания научно-производственных и производственных объединений (НПО и ПО). За рубежом это было реализовано в виде холдингов.

В сфере производства отечественной ЭКБ успешно функционировало НПО «Элма» (генеральный директор, член-корреспондент РАН Б.Г. Грибов), включавшее в себя НИИ, КБ и заводы городов Зеленограда, Калуги и Ставрополя, где и работал, в свое время, автор данной диссертации. В этом НПО были сосредоточены не только разработка и производство спектра номенклатуры отечественной ЭКБ, но и изготовление технологического, контрольно-измерительного оборудования. Основные из «20 ключей» Кобаяси, рекламируемой сегодня системы 20 японских направлений построения производства, там были реализованы.

Последующие события, произошедшие в нашей стране, всем известны и здесь не место их комментировать. В результате этих событий только часть, как было показано в данной работе, отечественных предприятий по производству ЭКБ сохранилась. Однако в условиях рыночных реформ выжили только те, которые оптимизировали свою энергетику, номенклатуру производства, реализовали программы энерго- и ресурсосбережения, обеспечили надежность поставки и требуемое качество ЭКБ.

Большая часть предприятий по производству ЭКБ сохранилась в виде малых предприятий, отделившихся в свое время от крупных отечественных заводов радиоэлектронного профиля. Но в отличие от знаменитой нидерландской компании NXP, отделившейся от фирмы Royal Phylips Electronics, объем продаж которой за 3 года после выделения составил около 4 млрд долларов США, отечественные выделившиеся предприятия представляют собой лишь фирмы с малой номенклатурой ЭКБ, незначительными объемами производства, т.е. они не получили широкого развития. Однако есть и один общий параметр, который характерен для отечественных и зарубежных (КГХР, например) малых компаний: значительные нематериальные активы (технологии, патенты, «ноу-хау» и их носители - высококвалифицированные специалисты).

Как было показано в данной работе, проблему модернизации отечественной радиоэлектронной отрасли можно решить созданием в каждом регионе, имеющем на своей территории радиоэлектронный кластер, инновационного холдинга. Такой холдинг создается в виде «сотовой» структуры на промплощадке базового предприятия по производству ЭКБ. Ячейки «сотовой» структуры - это сосредоточенные на этой промплощадке независимые акционерные общества (средние и малые предприятия) по разработке, производству отдельных видов ЭКБ и специальных материалов. Организационная структура такого холдинга - сетевая, с элементами иерархической схемы управления: высший менеджмент и объединенный научно-технический совет. Если решения научно-технического совета носят рекомендательный характер для научных и производственных участников «сотовой» структуры холдинга, то решения высшего менеджмента обязательны для всех.

Поэтому к составу высшего менеджмента предъявляются весьма жесткие требования. В реализованном, по результатам данных исследований, инновационном холдинге ОАО «Восход»-КРЛЗ три высших менеджера: бизнесмен высокой квалификации, специалист по организации производства, разработке и внедрению наукоемких технологий, и третий - ученый в области создания ЭКБ. С целью исключения реализации ошибочных решений, в работе высшего менеджмента используется право «вето»: если даже один член высшего менеджмента против того или иного решения - оно не принимается к практическому использованию.

Научно-техническими основами модернизации организационной структуры и технологических процессов, с целью инновационного развития отечественного холдинга, являются:

- нематериальные активы участников «сотовой» структуры холдинга (технологии, технологическая документация, патенты «ноу-хау» и т.д.) в денежном выражении должны превышать стоимость материальных активов, как правило, в несколько раз;

- материальные активы (здания, сооружения, энергоресурсы) базового предприятия должны быть достаточными для размещения и обеспечения энергетикой всех научных и производственных участников «сотовой» структуры холдинга, а материальные активы в виде зданий и иного, высвобожденные научными и производственными участниками в результате их перемещения на базовое предприятие, должны быть пригодными для развития в них креативных технологий (торгового, спортивного, туристического и гостиничного бизнесов);

- инновационное развитие холдинга по производству отечественной ЭКБ, как правило, обеспечивается внедрением новых разработок и реализацией имеющихся нематериальных активов, где важнейшую роль играют научные участники «сотовой» структуры, такие как НИЦ, работающий на правах государственно-частного партнерства, и НОЦ - в вопросах подготовки и переподготовки кадров из состава работников холдинга для повышения эффективности освоения новых технологий производства ЭКБ, и расширением спектра креативных технологий;

- основная форма взаимодействия участников «сотовой» структуры -договорные отношения, нацеленные на разработку и производство конкурентоспособной ЭКБ и спецматериалов, ставящие общие интересы холдинга выше своих отдельных интересов.

Библиография Яранцев, Николай Владимирович, диссертация по теме Организация производства (по отраслям)

1. Проблемы управления и развития. Современность и история // Электронная промышленность. 2009. № 3. 64 с.

2. Реутов А.П. Академик Борис Васильевич Пункин и радиолокационные информационно-управляющие системы // Наукоемкие технологии. 2002. № 4. С. 5-7.

3. Создание наукоемкой высокотехнологичной техники / В.В. Абанин и др. // Наукоемкие технологии. 2001. Т. 2, № 5. С. 22-35.

4. Овсиенко О. Опыт будущего от компании КХР: когда рождается новое качество // Электроника. НТБ. 2010. № 7. С. 58-64.

5. Дислокация предприятий и организаций. М.: ЦНИИ «Электроника», 2011.

6. Минаев В. Технологическая модернизация основа повышения конкурентоспособности радиоэлектронной промышленности // Электроника. НТБ. 2010. № 7. С. 14-19.

7. Павлюк М. Технологическая модернизация — основа повышения конкурентоспособности радиоэлектронной промышленности // Живая электроника России. Отраслевой деловой ежегодник. М.: ИД «Электроника», 2011. С.36-41.

8. Шмаков Н.В. Государственно-частное партнерство в модернизации отечественной радиоэлектроники // Вакуумная, плазменная и твердотельная электроника. 2010. Т. 1, № 2. С. 6-8.

9. Рождественский А.Е. Сколько стоит интеллектуальная собственность или нематериальные активы стоимость, философия, практика // Наукоемкие технологии. 2001. Т. 2, № 4. С. 67-71.

10. Рождественский А.Е. Нематериальные активы, как финансовый инструмент // Наукоемкие технологии. 2001. Т. 2, № 5. С. 73-76.

11. Аверичев И. Как подсчитать будущие затраты // Бухгалтерия. 2011. Март. С. 78-81.

12. Дмитревский М. Земные отблески космических успехов // Наука и жизнь. 2011. №8. С. 11-13.

13. Баженов М.Ф., Карпачев Д.Г., Миллер СМ. Прокат из тяжелых цветных металлов: Справочник. М.: Металлургия, 1973. 424 с.

14. О новом методе увеличения температуры образования интерметалли-да в алюминированном железе / JI.E. Гришмановский и др. // Электронная техника. Сер. 14. Материалы. 1970. Вып. 3. С. 7-12.

15. Толстых С.Д. Отработка на технологичность конструкций блоков РЭС: Учебное пособие. М.: МИРЭА, 1998, 36 с.

16. Бром А.Е., Колобов A.A., Омельченко И.Н. Интегрированная поддержка жизненного цикла наукоёмкой продукции: Учебник / Под ред. A.A. Колобова. М.: Изд-во МГТУ им. М.Э. Баумана, 2008.296 с.

17. Шутеев В.А. Основы и перспективы применения информационных интеллектуальных систем для поддержки производства наукоёмких изделий // Специальная техника. 2009. №4. С. 43-59.

18. Формирование сегнетоэлектрических наноструктур для нового поколения устройств микроэлектроники наноэлектроники / К.А. Воро-тилов и др. // Наноматериалы и наноструктуры. 2010. № 1.С. 45-53.

19. Аминов С.И. Комментарий к годовому отчету ОАО «Концерн ПВО «Алмаз-Антей» за 2009 год // Экспорт вооружений. 2010. № 4. С. 2-10.

20. Реутов А.П. Радиопромышленность // Наукоёмкие технологии. 2006. Т. 7., №7-8. С. 9-36.

21. Норенков И.П., Кузьмик П.К. Информационная поддержка наукоёмких изделий. CLAS-технологии. М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2002. 320 с.

22. Проектирование автоматизированных участков и цехов / Под ред. Ю.М. Соломенцева. М.: Высшая школа, 2000. 272 с.

23. Юдельсон А.И. Калуга коллекционирует мировые бренды // Промышленник России. 2009. № 8. С. 40-41.

24. Стешенко В. Разработка и производство специализированной ЭКБ для космических применений: текущее состояние и перспективы развития // Компоненты и технологии. 2010. № 12. С. 122-128.

25. Шокин A.A. Министр невероятной промышленности СССР. М.: Техносфера, 2007. 456 с.

26. Степаничев И.В., Хохлов Н.И., Щвец JIM. Боевой модуль «Бихча» -оружие 21-го века // Арсенал. 2011. № 1. (25). С. 58-60.

27. Комов А.Н. Репортаж из лаборатории MGLAB. Xilinx: от теории к практике // Компоненты и технологии. 2011. № 4. С. 16-18.

28. Пахолков Р.Ю., Гончарик A.C. Новая электроника России своими руками — рецепты для малых и средних компаний электронной отрасли // Живая электроника России, 2011. С. 24-29.

29. Группа компаний «Планар»: от комплектующих до готового проекта // Полупроводниковая светотехника. 2011. № 2. С. 39.

30. Чанов JI.C, Фомичев В.А. Компания «Радиант-Элком»: качество, надежность, совершенствование // Электронные компоненты, 2011. №3. С. 6-8.

31. Дьяконов В.А. Многовариантное моделирование силовых устройств в MATLAB+Simulink // Силовая электроника. 2011. № 1. С. 84-95.

32. Новости мира электроники // Вестник электроники. 2010. № 4. С. 7.

33. Энсерпо Томас. Новые ядра и технологии это будет захватывающая гонка // Новости электроники. 2011. № 2. С. 3-4.

34. Василенков H.A. Корпусная продукция для изделий микроэлектроники // Петербургский журнал электроники. 2010. № 2 (63). С. 51-54.

35. Задорожный A.A. ЗБ-разработка теплоотводящих систем // Полупроводниковая светотехника. 2010. №4. С. 38-40.

36. Прокатка металлических порошков / Г.А. Виноградов и др.. М.: Металлургия, 1969. 382 с.

37. Целиков А.И. Теория расчета усилий в прокатных станах. М.: Метал-лургиздат, 1962. 387 с.

38. Старостин В.В. Материалы и методы нанотехнологии: Учебное пособие / Под. общ. ред. JI.H. Патрикеева. М.: БИНОМ, 2008. 431 с.

39. Рыжонков Д.И., Левина В.В., Дзидзигури Э.Л. Наноматериалы: Учебное пособие. М.: БИНОМ, 2008. 365 с.

40. Хыбемяги А.И., Лернер П.С. Выдавливание точных заготовок деталей штампов и пресс-форм. М.: Машиностроение, 1986. 152 с.

41. Гуляев А.П. Металловедение. М.: Металлургия, 1977. 646 с.

42. Бокштейн Б.С. Диффузия в металлах. М.: Металлургия, 1978. 248 с.

43. Черепнин Б.Г. Вакуумные свойства материалов для электронных приборов. М.: Советское радио, 1966. 350 с.

44. Лившиц Б.Г., Крапошин B.C., Линецкий Я.Л. Физические свойства металлов и сплавов. М.: Металлургия, 1980. 320 с.

45. Колачев Б.А., Елагин В.И., Ливанов В.А. Металловедение и термическая обработка цветных металлов и сплавов. М.: Изд-во МИСиС, 2001.416 с.

46. Берштейн М.Л., Займовский В.А. Механические свойства металлов. М.: Металлургия, 1979.495 с.

47. Гельман A.C. Основы сварки давлением. М.: Машиностроение, 1970. 312 с.

48. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Кн. 1. Общая технология / И.Я. Козырь и др. М.: Высшая школа, 1989.223 с.

49. Миначев В.Е. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Кн. 6. Нанесение пленок в вакууме. М.: Высшая школа, 1989. 110 с.

50. Фейтл Армии. Технологии сборки. Эффективный теплоотвод с помощью керамических подложек // Полупроводниковая светотехника.2010. № 5 (7). С. 30.

51. Кондратюк Р.И. Выбор низкотемпературных сплавов для решения специальных задач в производстве электронных изделий // Силовая электроника. 2010. № 5 (28). С. 96-99.

52. Шостаковский П.И. Термоэлектрические источники альтернативного электропитания // Компоненты и технологии. 2010. № 12 (113).

53. Сангалли Уолтер. Россия занимает приоритетную позицию в нашей региональной стратегии // Новости электроники. 2010. № 5 (85). С. 3-4.

54. Мыльниченко А. Керамические радиаторы для светодиодов // Электронные компоненты и системы. 2010. № 4 (152). С. 35-37.

55. Арефин Махоммед. Развитая логика управления повышает эффективность управления возобновленных источников энергии // Электронные компоненты. 2009. № 6. С. 32-34.

56. Макушин М.А. Мировой рынок электроники. Некоторые тенденции и проблемы // Электроника. НТБ. 2010. № 6. С. 116-124.

57. Чижиков Ю.В. Экологическое сопровождение проектов: Учебное пособие. М.: Изд-во МГТУ им. Баумана, 2010. 308 с.

58. Специализация российских производителей электронных компонентов и модулей по области применения // Живая электроника России.2011. С. 82.

59. Бермин Е.В., Сейдман JI.A. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии. М.: Техносфера, 2010. 528 с.

60. Половинкин А.И. Основы инженерного творчества. М.: Машиностроение, 1988. 285 с.

61. Reifer D.J. Software Failure Modes and Effects Analysis // IEEE Transactions on Reliability. 1979. V. 28, № 3. P. 247-249.

62. Кочетков Е.П. Управляйте не браком, а его причинами // Управление производством. 2009. № 3-4. С. 39-43.

63. Расширенное совещание руководителей предприятий радиоэлектронной промышленности // Электроника. НТБ. 2009. № 3. С. 4-8.

64. Минаев E.H. Радиоэлектронные технологии: состояние и перспективы развития // Электронная промышленность. 2009. Вып. 3. С. 55-64.

65. Коржавый А.Л., Марин В.Л., Яранцев Н.В. Технологии горячего и холодного плакирования в приборостроении // Наукоемкие технологии. 2003. Т. 4, № 2. С. 26-37.

66. Ультразвук в технологиях получения многослойных материалов и наноструктур / Н.В. Яранцев и др. // Наукоемкие технологии. 2009. Т. 10, №5. С. 60-64.

67. Новые технологии получения композиционных материалов, обеспечивающих повышенный ресурс / Н.В. Яранцев и др. //Наукоемкие технологии. 2008. Т. 9, № 10. С. 4-9.

68. Коржавый А.П., Марин В.Л., Яранцев Н.В. Перспективные ленточные металлические материалы для электронной техники // Наукоемкие технологии. 2001. Т. 2, № 4. С. 50-56.

69. Физико-технический способ совершенствования композиционных лент для катодов мощных вакуумных приборов / Н.В. Яранцев и др. // Наукоемкие технологии. 2009. Т. 10, № 25. С. 19-22.

70. Марин В.Л., Яранцев Н.В., Чистяков Г.А. Физико-технологические основы и механизмы, организации производства многослойных металлических и многокомпонентных композиционных материалов // Наукоемкие технологии. 2010. Т. 11, № 11. С. 9-14.

71. Физические основы и технологические особенности получения мелкодисперсных порошков высокой чистоты / Н.В. Яранцев и др. // Наукоемкие технологии. 2010. Т. 11, № 11. С. 15-17.

72. Чернов Н.К., Пономарев В.А., Яранцев Н.В. Совершенствование технологии изготовления медно-серебряных биметаллов, используемых в изделиях электронной техники // Наукоемкие технологии. 2009. Т. 10, №5. С.23-26.

73. Ультразвук в технологиях получения многослойных материалов и наноструктур / Н.В. Яранцев и др. // Физика электронных материалов: Материалы Международной конференции. Калуга, 2008. Т. 1. С. 156-158.

74. Новая технология получения композиционных лент с нанопорошком Pd5Ba / Н.В. Яранцев и др. // Наноинженерия: Сборник трудов первой Школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению. М., 2008. С.26-27.

75. Некоторые проблемы создания многослойных структур, эксплуатируемых в условиях воздействия ионной бомбардировки / Н.В. Яранцев и др. // Межфазная релаксация в полиматериалах: Материалы Международной научно-технической конференции. М., 2001. С.244-246.

76. Техника получения наноматериалов для радиоэлектроники / Н.В. Яранцев и др. // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения: Материалы VI Международной научнотехнической конференции. М., 2008. С. 181-188.

77. Коржавый А.П., Бондаренко Г.Г., Яранцев Н.В. Перспективные металлические материалы для газовых лазеров // Тонкие пленки в электронике: Труды 12-го Международного симпозиума. Харьков, 2001.С. 298-304.

78. Некоторые особенности электрофизических параметров планарных сандвич-структур / Н.В. Яранцев и др. // Радиационная физика твердого тела: Труды XIII Международного совещания. Севастополь, 2003. С.349-355.

79. Яранцев Н.В. Особенности применения ультразвука в технологии получения многослойных материалов с минимальной техногенной нагрузкой на биосферу // Труды II областной студенческой научной конференции. Калуга. 2007. Вып. 2, ч. 3. С. 88-89.

80. Герасимова Г. Экономика в измерении иррациональных ценностей //Промышленник России. 2009. № 8. С. 17-23.

81. Юдельсон А. Калуга коллекционирует мировые бренды // Промышленник России. 2009. № 8. С. 40-41.

82. Авдонин Б.Н., Шульгин Е.И. Государственное регулирование исследований и разработок радиоэлектронных компонентов промышленного назначения // Технологическое оборудование и материалы. 1997. Т. 8-9. С. 30.

83. Гриненко А.П., Смирнов Ю.Н. Анализ современного состояния разработок изделий микроэлектроники в России и за рубежом // // Технологическое оборудование и материалы. 1997. Т. 8-9. С. 35-39.

84. Аверичев И. Как подсчитать будущие затраты // Бухгалтерия. 2011. Март. С. 78-81.

85. Филиппова О.Н. Оценка уровня управления маркетингом на промышленном предприятии // Управление персоналом. 2007. № 3. С. 47-53.

86. Новиков А. Построение эффективных производств в условиях кризиса // Технологии в электронной промышленности. 2010. № 1. С. 4-7.

87. Макаров C.B. Новые методы управления современным предприятием // Экология и охрана труда. 2009. № 4. С. 12-24.

88. Кремниевый аналог графена // Наука и жизнь. 2011. № 6. С. 23.

89. Дмитриева С.И. Модель инновационного процесса в промышленном холдинге // Наукоемкие технологии. 2009. № 3. С. 50-53.

90. РСПП: поиска антикризисных технологий // Промышленник России. 2008. № 12. С. 6-8.

91. Климовский М. Новые возможности Pulsonix v6 // Технологии в электронной промышленности. 2010. № 2. С. 62-68.

92. ЮО.Сафонов А., Сафонов JL Прямоугольные энергетические соединители

93. Технологии в электронной промышленности. 2010. № 4. С. 44.

94. Фейтл А. Эффективный теплоотвод с помощью керамических подложек // Технологии в электронной промышленности. 2010. № 5. С. 4649.

95. Фикс А., Церер П. NanoFlux флюс с нанохимически активными металлическими соединениями для дисперсионной стабилизации мягких припоев // Технологии в электронной промышленности. 2010. № 6. С. 17-21.

96. Bolgov I.S., Korzhavyi А.Р. Promising directions of development of tape metallic materials for electronics // Journal of Advanced Materials. 1994. V. 1(14). P. 350-352.

97. Дефекты и физические свойства многокомпонентных электронных материалов / Под ред. К.Г. Никифорова. Калуга: Изд-во КГПУ им. К.Э. Циолковского, 1999. 210 с.

98. Электронная отрасль и военная доктрина России // Электронная промышленность. 1993. № 11-12. С. 2-4. Юб.Ребров С.И. Основные тенденции и перспективы развития СВЧ-электроники на 1994-1996 г.г. // Электронная промышленность. 1993. №11-12. С. 5-8.

99. Ю7.Кобаяси И. 20 ключей к совершенствованию бизнеса. 3-е издание. М.: Изд-во РИА «Стандарт и качество», 2010,248 с.