автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.06, диссертация на тему:Контактный метод управления выращиванием монокристаллов германия по способу "Чохральского"

Введение

Глава 1 Методы управления диаметром слитка, выращиваемого по способу «Чохральского»

1.1 Оптические способы управления диаметром

1.2 Весовой способ управления диаметром

1.3 Косвенные способы управления диаметром

Глава 2 Общая математическая модель «контактного метода» определения площади выращиваемых слитков

2.1 Описание «контактного метода» замера текущей площади, выращиваемых слитков

2.2 Статическая математическая модель «контактного метода»

2.3 Анализ влияния аналогового привода подъема тигля в «контактном методе»

Глава 3 Определение точностных характеристик «контактного метода»

3.1 Определение основной ошибки в сигнале управления

3.2 Задание периода оценки сигнала управления

3.3 Определение рабочих параметров настройки «контактного метода»

3.4 Анализ ошибки в сигнале управления на конусной части слитка

3.5 Анализ ошибки в сигнале управления, за счет изменения высоты столбика мениска над расплавом

Глава 4 Система автоматического управления выращиванием монокристаллов германия на базе «контактного метода» с полной остановкой подъема тигля в моменты замыкания контактного датчика

4.1 Описание системы управления, с полной остановкой подъема тигля, в моменты замыкания контактного датчика

4.2 Алгоритмы и графики работы системы управления, с полной остановкой подъема тигля, в моменты замыкания контактного датчика

4.3 Техническая реализация контактного метода

Глава 5 Высокоточная система автоматического управления выращиванием монокристаллов германия на базе «улучшенного контактного метода»

5.1 Описание высокоточной системы управления

5.2 Описание технологических циклов работы высокоточной системы управления

5.3 Совмещение высокоточной системы управления и одновременного вытягивания монокристалла из фильеры, по способу Степанова

5.4 Особенности конструирования датчиков положения уровня расплава, для германия

Глава 6 Анализ динамических свойств системы автоматического управления выращиванием слитков на базе «контактного метода»

6.1 Зависимость диаметра вытягиваемого кристалла от скорости вытягивания и температуры

6.2 Выражение сигнала управления и ошибки

6.3 Математическая модель контура управления по скорости

6.4 Математическая модель контура управления по температуре

6.5 Анализ системы управления

6.6 Программное управление динамикой выращивания прямого и обратного конуса слитка 108 Основные результаты и выводы 112 Список литературы

Металлургия полупроводников является в современном мире одной из наиболее быстро развивающихся отраслей промышленности. Основными полупроводниковыми материалами, обеспечивающими опережающие темпы роста электронной промышленности, являются кремний, германий и арсенид галлия.

Метод Чохральского является основным методом выращивания монокристаллов кремния и германия и в последние годы получил широкое распространение в технологии монокристаллов, благодаря существенным преимуществам, а именно: а) отсутствия контакта между фронтом кристаллизации и контейнером; б) возможности получения монокристаллов заданной кристаллографической ориентации, с малыми отклонениями оси роста от этого направления; в) наличия высоких температурных градиентов в расплаве у фронта кристаллизации, обеспечивающих условия устойчивости гладкого фронта кристаллизации; г) достаточная простота получения монокристаллов больших размеров и пр.

Повышение требований к свойствам кристаллов, выращиваемых по способу Чохральского, вызывает необходимость полного исключения воздействия оператора на процесс выращивания монокристаллов, за счет его полной автоматизации на базе ЭВМ.

Если автоматизация поддержания таких параметров процесса выращивания монокристаллов, как скорости вытягивания и вращения затравки, скорости вращения тигля и температуры нагревателя осуществляется достаточно просто, то стабилизация заданной величины диаметра (площади) растущего кристалла является сложной задачей.

В металлургической промышленности получение высококачественных монокристаллов германия (направления "100", диаметр больше 100 мм, с дислокациями менее 1000 шт./см , без мало-угловых границ) невозможно без обеспечения стабильного диаметра слитка (с колебанием не более ±0,5 мм), что одновременно связано с обеспечением плоского фронта кристаллизации кристалла во время его роста и формированию минимальных напряжений в кристалле в процессе его последующего охлаждения.

До сих пор в России и за рубежом не были созданы достаточно надежные системы регулирования диаметра выращиваемых слитков (САРД) по способу Чохральского для материалов с температурой плавления меньше 1000 градусов Цельсия, обладающих низкой светимостью яркостного ореола вокруг мениска расплава, что затрудняет простое использование наиболее распространенных оптических способов контроля диаметра.

К таким материалам, в частности, относится такой полупроводниковый материал, как германий, с температурой плавления 936 °С. Для германия сложным оказалось и применение весовых способов регулирования диаметра растущего слитка, в связи со сложностью точного взвешивания самого слитка в процессе роста или взвешивания убывающего расплава в тигле.

Цель данной работы

Целью работы является создание принципиально новых системы автоматического управления и контроля диаметра кристаллов, выращиваемых по способу Чохральского, позволяющих значительно улучшить качество кристаллов, для материалов с низкой температурой плавления, на основе нового "контактного" и "улучшенного контактного метода" определения площади слитка [33, 34].

Методы исследований

Результаты и выводы, представленные в диссертационной работе, обоснованы математически, с использованием аппарата теории функций, дифференциальных уравнений, экспериментальными исследованиями и моделированием на ЭВМ.

Научная новизна работы состоит в следующем:

- предложен и теоретически обоснован принципиально новый контактный метод определения текущей площади выращиваемых слитков, по способу Чохральского;

- разработана математическая модель контактного метода, позволяющая анализировать его характеристики;

- разработаны алгоритмы работы и структура систем управления, на базе контактного метода.

Практическая ценность и реализация работы:

- разработана методология и созданы оригинальные образцы систем управления выращиванием монокристаллов германия по контактному методу;

- разработаны алгоритмы и программное обеспечение систем управления выращиванием монокристаллов германия по контактному методу;

- разработана методика настройки контуров управления;

- внедрено в производство ФГУП «Германий» восемь промышленных установок для управления выращиванием монокристаллов германия на базе контактного метода.

На защиту автором выносятся следующие основные положения:

1) Теоретическая разработка контактного метода управления процессом выращивания монокристаллов.

2) Математическая модель контактного метода замера текущей площади выращиваемых слитков.

3) Результаты испытаний и внедрения в производство систем автоматического управления выращиванием слитков, на базе контактного метода.

Результаты работы обсуждались на научно-технических конференциях и семинарах:

- Научно-техническая конференция «Решетневские чтения» (май, 1996 г., Красноярск, САА);

- 4-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Перспективные материалы, технологии, конструкции» (28-29 мая, 1997 г., Красноярск);

- 6-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Перспективные материалы, технологии, конструкции, экономика», (25-27 мая, 2000 г., Красноярск);

- Научно-техническая конференция «Решетневские чтения» (11-14 ноября, 2002 г., Красноярск, СибГАУ);

- Региональная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Наука. Техника. Инновации» (5-8 декабря, 2002 г., Новосибирск.).

Содержание диссертации опубликовано в работах [33-39].

Основные результаты и выводы

1. Предложен и теоретически обоснован новый контактный метод определения текущей площади выращиваемых слитков по способу Чохральского.

2. Разработана математическая модель контактного метода, позволяющая анализировать его характеристики.

3. Разработаны алгоритмы работы, программное обеспечение и структура систем управления, реализующие контактный метод в промышленных установках для выращивания монокристаллов.

4. Произведен анализ динамических свойств и определены основные параметры настройки контуров системы управления, позволяющие стабилизировать диаметр растущего монокристалла, с погрешностью не более 0,2 мм.

5. Внедрено ^восемь промышленных установок, работающих на контактном методе и проведен анализ их производственной работы.

1. Автоматический контроль и регулирование температуры печей, для выращивания монокристаллов кремния. «Review Seint. lustrum, 1956, №27, стр. 656.

2. Абе Дзен, Эмон и др. Вопросы связанные с автоматическим регулированием в плавильной печи германия с точностью до 0,01%, «Хитати херон», 1958, т.40, №8, стр. 915-921.

3. Антонов П.И., Степанов А.В. "Изв. АН СССР, сер. физ.", 1969, т 33, №12, с 1980-1988.

4. Артышевский П.П., Кравецкий Д.Я., Затуловский JI.M. и др.- "Изв. АН СССР, сер. физ.", 1971 , т 35, № 3, с 469-472.

5. Артышевский П.П., Смелянский М.Я., Затуловский JI.M., Чайкин П.М.- "Изв. АН СССР, сер. физ.", 1972, т 36, №3, с 514-518.

6. Артышевский П.П., Кравецкий Д.Я., Затуловский JI.M. и др.- "Изв. АН СССР, сер. физ.", 1972, т 36, №3, с 519-521.

7. Асташкин С.А., Булатов Е.Д., Осико В.В. и др., Автоматизированное выращивание кристаллов по методу Чохральского с контролем диаметра по массе. В кн.: Труды Физического института Академии наук СССР, 1983, т. 147, с 43-52.

8. Бесекерский В.Н. и др., Проектирование следящих систем малой мощности, Судпромгиз, 1958, 300 с.

9. Бесступенчатый контроль электрической мощности и температуры. «Process control and auomation», 1960, №1, с 350.

10. Бронштейн И.К., Лебедев В.Д., Зуев В.Н. Весовая система автоматического регулирования диаметра монокристаллов выращиваемых методом Чохральского. В кн.: Научные труды Гиредмета, 1980, т. 95, с. 85-90.

11. Бурчас С.Ф., Кривошеин В.М., Стадник П.Е., Тиман Б.Л. Система автоматического управления диаметром выращиваемого кристалла -/Приборы и техника эксперимента. 1983, №6, с. 203.

12. Васильев Я.В. О типовых алгоритмах в методе весового контроля поперечного сечения монокристаллов.- В кн.: Материалы электронной техники. Сб. ст./АН СССР Сиб. отделение Ин-т. неорг. химии, Бурят, ин-т, естеств. наук. Новосибирск, 1983,ч.1, с. 143-149.

13. Варшавский О.Г., Синчук Б.И., Шендерович И.Л. Автоматизация некоторых процессов полупроводниковых материалов. Основы металлургии. Изд-во "Металлургия", 1973, т. 6.

14. Выращивание кристаллов кремния. Design News, 1960, февраль стр.13.

15. Зейнаков Д. А. Применение тепловых труб при выращивании монокристаллов. В кн.: Сб. науч. тр./Гиредмет М., 1988, с. 172.

16. Лебедев В.Л., Раскин И.Д. Исследование динамических характеристик основных параметров, воздействующих на рост кристалла методом Чохральского. В кн.: Научные труды Гиредмета, 1981, т. 105, с. 57-61.

17. Лейбович B.C. Автоматическое управление диаметром кристаллов в методе Чохральского. В кн.: Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1981, с. 108-121.

18. Лейбович B.C., Макеев Х.М., Шушков В. М. Структура и динамические характеристики САР радиуса полупроводниковых кристаллов, выращиваемых способом Чохральского.-/Цветные металлы, 1982, №8, с.56-58.

19. Любашин М.Д. и др. Об устойчивости поверхностей роста кристаллов германия, выращиваемых из расплава. В сб. Научные труды Гиредмета, т. 72, М.: отдел научно-технической информации подотрасли, 1977, с 194.

20. Маслов В.Н. Выращивание профильных полупроводниковых кристаллов. М.: Металлургия, 1977, 328 с.

21. Мацуаура Агати. Техника выращивания монокристаллов кремния. "Денки сикенсе ихо", 1958, т.22, №12, стр. 940-947.

22. Нашельский А.Я. Производство полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987, 334 с.

23. Научные труды Гиредмета, т.27, М.:Металлургия, 1969, 223 с.

24. Основы автоматического регулирования. Под. ред.В.В. Солодовниикикова, 3, Машгиз, 1959, 569 с.

25. Основы автоматического управления, том 3, под ред. Солодовникова В. В., М., Машгиз, 1963 г.

26. Отчет Гиредмет по научно-исследовательской теме: Разработка прибора прецизионного регулирования температуры с использованием светопровода, тема СКБРМ-1, Мосва, 1962 г., 257 с.

27. Патент 2337169 ФРГ, МКИВ01 J17/18, 1974.

28. Прецизионный контроль при выращивании монокристаллов германия, Electronics, октябрь 1956, с 274-275.

29. Пелевин О.В. Получение полупроводников (обзор литературы за 1970-1977 г) В сб. "Металлургия цветных и редких металлов", т. 11, (Итоги науки и техники ВИНИТИ АН СССР), М.: 1978, 103 с.

30. Саханский С.П., Подкопаев О.И., Петрик В.Ф. Патент 2128250 Россия от 27.03.99. (приоритет 16.01.97)

31. Саханский С.П., Подкопаев О.И., Петрик В.Ф., Лаптенок В.Д. Патент 2184803 Россия (приоритет 12.11.99)

32. Смирнов Б.В., Юшкин В.М. Пути и проблемы развития АСУ в производстве полупроводниковых материалов. /Цветные металлы, 1984, №3, с 62-с 64.

33. Система управления на магнитных усилителях для печей, используемых для получения полупроводниковых монокристаллов. Instrums and Control Sys, 1960, 33, 4, №4, стр. 623.

34. Справочник по средствам автоматики. Под ред. В.Э. Низэ и И.В. Антика.-М., Энергоатомиздат, 1983, 504 с.

35. Степанов А.В. Авт. свид. №134402 «Бюлл. Изобр.», 1960, №24 , с 40.

36. Степанов А.В. Ж.Т. Ф., 1959, т 29, с 381-393.

37. Степанов А.В., Шах-Будагов A.JI. Ж Т. Ф., 1959, т 29, с 394-405.

38. Степанов А.В. Будущее металлообработки. JI. Лениздат, 1963, 131 с.

39. Материалы Первого совещания по получению монокристаллов способом Степанова и перспективы их применения в приборостроении (13-15 апреля, 1967 г.), изд. АН СССР. Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1968,212 с. с ил.

40. Полуавтоматическая печь для выращивания полупроводниковых кристаллов. Missiles and Rockets, 1960, февраль 29, стр. 62-63.

41. Степанов А.В.- "Изв. АН. СССР", сер. физ., 1969, т.ЗЗ, №12, с 1946-1953.

42. Татарченко В.А., Бренер Е.А. Изв. АН СССР, сер. физ., 1976, т. 40, №7, с.1456-1461.

43. Тоедзи Фукоми, Кадзуеки Хомма. Прецизионный автоматический регулятор для выращивания монокристаллов кремния. Токе дэнки дайгаку кэнюо хококу. Electr. Engng. Coll., 1958, №6, стр. 58-71 (Япония).

44. Тиман В.Л., Бурчас С.Ф. Выращивание кристаллов постоянного диаметра методом контроля уровня расплава.-ЛСристаллография, 1981, т. 26, №4, с 892894.

45. Теория следящих систем. Под ред. X. Джеймса, Н. Никольса, Р. Филипса, Изд. иностр. лит., 1951, 320 с.

46. Теория автоматического регулирования, 4.1. Теория линейных систем автоматического управления. Под ред. А.А. Воронова. М. Высш. школа, 1977, 303 с.

47. Теория автоматического регулирования. ч.2. Теория нелинейных и специальных систем автоматического управления. Под ред. А.А. Воронова, М., Высш. школа, 1977, 288 с.

48. Установка для получения металлов высокой частоты. Проспект фирмы «Кокусай» (Япония) 1960.

49. Управление печью для вытягивания кристаллов. Instrum. Pract., 1960, 14, №1, стр. 53.

50. Фукунда Ц., Ватанабе И., Накамура М. Технология выращивания монокристаллов GaP с управлением с помощью ЭВМ. Дэнси дайре, Electronic, Parts and Materials, Japan, 1981, vol 20, №5, p. 78-84, 117.

51. Хирано Сайдзе. Измерение температуры расплавленного кремния. Electronics, (Япония) 1961, 6, №5, стр. 542.

52. Честнат Г., Майер Р. Проектирование и расчет следящих систем и систем регулирования. Ч 1 и Ч 2, Госэнергоиздат, 1959, 182 с.

53. Шашков Ю.М. Выращивание монокристаллов методом вытягивания. М.: Металлургия, 1982, 310 с.

54. Шелкин Ю.Ф. Физика и химия обработки материалов. 1971, №3, с. 29-33.

55. Шендерович И.Л. Микропроцессорные АСУТП получения полупроводниковых материалов.- /Цветные металлы, 1984, №4, с 52-55.

56. Шендерович И.Л., Шубскиий Г.И., Сиваков М.А., Максимов Г.П., Туровский Б.М. Авторское свидетельство 599403 СССР,, кл. СЗО В15/26,1980 г.

57. Шендерович И.Л., Шубскиий Г.И. Принципы построения систем управления процессом выращивания монокристаллов методом Чохральского.-В сб. Научные труды Гиредмета, т. 78, М.: отдел научно-технической информации подотрасли, 1976, 162 с.

58. Шендерович И.Л., Шубскиий Г.И., Туровский Б.М.-В сб. Научные труды Гиредмета, т. 65, М.: отдел научно-технической информации подотрасли, 1975, с56-60.

59. Шубников А.В. М.: Изв. Акад. Наук, 1913, 819с.

60. Элементы систем автоматического управления и контроля. Подлесный Н.И., Рубанов В.Г., К., Вища школа, 1975, 272с.

61. Цивинский С.В., Степанов А.В. «Физика твердого тела», 1965, т.7, №1, стр. 194-199.

62. Юревич Е.И. Теория автоматического управления. JL, Энергия, 1975 г., 413с.

63. Bardsley W., Green G.W., Holliday С.Н., et al."Callium Arsenide and Related Componds, 1974," London-Bristal, 1975, 355-361.

64. Bardsley W., Cockayne В., Green G. W. et. al., "J. Grystal Growth", 1974, 24/25, 369-373.

65. Brissot J. J., Raynoud H. «Electrochem. Technol», 1963, v.l. p. 301.

66. Bardsley W., Green G.W., Holliday C.H., Hurle D.T., "J. Grystal Growth", 1972, 16, №3, 277-279.

67. Bardsley W., Cockayne В., Greer G.W. e.a. -"J.Cryst. Growth", 1974, v.24-25, p.369-373.

68. Birck M. Advances in the automation of the Czocnralski process for silicon crystals.-In:Semicond. Int., 82. Buton, 1982, p 25-28.

69. Birck H. Vollautomatiache Kristallrien-Anlage mit Rein-Digitale mese and Automatisierungstechn. INTERKAMA-Kongr., 1983. Berlin etc., 1983, s.367-376, Gil.-Bicliogr.:3 ref.

70. Blumberg H., Reiche P., Watringer W. A Czochralski crystal puller automated by the weighing metod.-Crystal Research and Technology. 1981, vol.10, №11, p.1323-1338.

71. Blumberg H., Reiche F. A Czochralski crystal puller automated by the weghing technigue. In: Eur. Meet. Cryst. Growth., 82: Mater. Electron. Prague, Aug, 23-28, 1982, Usti nad Labem, s.a., p.51-52.

72. Brown M., Powera J. Computer system tracks crystals to upgrade cuality control.-Chemical Processing, USA, 1983, vol.46, №9, p. 100-101.

73. By. Wilkes, B. Sc.Вытягивание 5-и кг монокристаллов германия, доклад на Лондонской конференции в мае 1959 г.

74. Czochralsk J.Z., Phys., Chem., 92, 219, (1917)85. "Circuits Manuf," 1973, 13, №4,19.

75. Chun Hun, Schriven L.E.-J. of Colloid and Interface Sci., 1969, v, 30, №3, p.323-333.

76. Davis E.T., Alllben W.B., W m(.Ueth F.H. Прецизионный регулятор температур для выращивания монокристаллов кремния. Electronics, февраль, 1957, стр. 164167.

77. Dijk H.J.A. van, Jochem C.M.G., Scholl G.J., et al. "J. Crystal Growth", 1974, 21, №2,310-312.

78. Emerson W. Применение высокочастотного нагрева в технологии получения монокристаллов по методу Чохральского. Semicoductor products, октябрь 1961, стр. 25-31.

79. Garther K.J. Ein Fernsehmebsystem rur Erfassung vov Wackstrumsparametern bei der Kristallruchtung aus der Schmel. 1981, 76 s. (Ber. Kernforkschungsanlage, Julich, № 173 0).-Bibliogr.41 Res.

80. Horner I. Измерительная аппаратура и системы контроля, используемые в металлургии. The Conadian Mining and Mtallurgical Bulletin, 159, 52, №571.

81. Hurle D. T. J.-J. Cryst. Growth, 1979, v 42, p.473-482.

82. Juhasz., Paitz J. Continuous Czochralski growth (CCC) of LiTa03 single rystals.-B кн.: 6-я Межд. конф. по росту кристаллов, Москва, 1980, т. 3, с. 131-132.

83. Karl I., Tanzez D. Possibilities of the automatization of crystal growing on the base of temperature field measuring.-In: Eur. Meet. Cryst. Growth., 82: Mater.Electron. Prague, Aug, 23-28, 1982, Usti nad Labem, s.a., p. 54-57.

84. Kenneth E. Domey. Computer Controlled Growth of Single-Crystal Ingots. IBM, 1971.96. "Laser Focus", 1973, 9, №4, 15-16.

85. Libsch J.F. Регулирование температуры при индукционном нагреве. Metal Progr., 1960, 3, 77, №3., стр. 94-98.

86. Lehovec К., Soled J., Koch R., Macdonald A. and Stearks C., Rev. Sci Instrum. 24, 652(1953)

87. Lorenzini R.E., Neff F.S., Blair D. I. An Overview of Silicon Crystal Growing Processes.Solid State Technology.

88. Lube E.L. The contemoporary situation and perspestivess of automatic crystal growth.- In: Eur. Meet. Cryst. Growth., 82: Mater. Electron. Prague, Aug, 23-28, 1982, Usti nad Labem, s.a., p.3-19.

89. Pheifer D.E., Johnson T.L. Microprocessor-controlled crystal growt.-In.: Proc. Joint Automat. Charlottesille, Va, June, 17-19, 1981, N.,Y., 1961, Yol.l, wa-5C/l-WA5C/4.

90. Martin E.P., WittA.F. "J. Electrochem.soc.," 1979, V. 126, №2, p284-287.

91. Moller H.-ZBI. Min, 1925, 131 c.

92. Pesanrer Ralph G., Patzner Eugene J., Poponiak Michael R. Пат.США, кл. 250217 (HOI J39/12 G01 n 21/26) №3493770, заявл 1.03.66, опубл 3.02.70.

93. Pruett H.D., lien S.-Y. "J. Electrochem.soc.," 1974, V. 121, №6,p822-826.

94. Roth L. and Taylor W.E., Proc. Inst. Radio Engrs., N.Y. 40, 1338 (1952)

95. Reichard Thomas E. Пат.США, кл. 250-222R (BOl D9/00) №3740563, заявл 25.06.71, опубл 19.06.73.

96. Steiningrer. J.Reed T.B.-"J. Cryst. Growth", 1974, V13/4, p. 106-112.

97. Steiningrer. J. Strauss A.J.-"J. Cryst. Growth", 1974, VI3/4, p.657-662.

98. Schmidt F., Voszka R. Phantom controlled automatic Czochralski growth appparatuss.-Crystal Research and Technology. 1981, vol.10, №11, p. kl27-kl28.

99. SurekT.J. Appl. Phys, 1976, v.47, №10, p.4384-4393

100. Teal G.K. and Little J.B., Phys., Rev., 78, 647 (1950)

101. Teal G.K., Sparks M. and Buehler E., Proc. Inst. Radio Engrs., N. Y. 40, 906 (1952)

102. Vojdani S., Dabiri A.E., Ashoori H.-J. Cryst. Growth, 1974, 24/25, p.374-375.

103. Velhoff W. "Ber. Kernforschungsanlage Julich", 1975, № conf 18,1-58.

104. Watanabe M., Ushizaka J., Wasnizuka S., Kokubun Y. Japanese Journal of Applied Physics, 1983, vol.22, suppl. 1, p. 427-430.- Bibliogr.:7 ref.

105. Woodside N.Y. Контроль температуры при индукционном нагреве токами высокой частоты. Review Pablished by Lepel High Freguency Laboratories inc, 1960, т. 1, № 3.1П1 iini1. НА ИЗОБРЕТЕНИЕ2128250

106. На основании Шштюго закона Российской Федерации, и клеш tore а дглгпше 34 октября 1992 го-дз, российским згетстсом no aarcimst и товарным знакам выдан настоящий патент-на изобретение

107. СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО.1. ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ1. Штс1ггооблал4тел(л10:iToGgdaftcmfeunoe nfrefafrwtmte mWsftf>taim&по заг.аке № $7101248,.яата песгугденм; 16.01.97

108. Приоритет от 16,01.97 Автор(ы) изобретения:

109. СйхапскпА Cefteti $La$M$ni, ЯШопаМ Олег ШапоЫ^ Flmftnlc1. ЗЗлдЬтпЬ 0ehpOiiii

110. JavcitT действует на accft территории Российской Федерации а течение 24 лет с 16 яширя J997 г. при услоишс сшзйзремсцкой, уплати пошлины за поддержание патента о силе

111. Зарсгисгрировац в Государственном реестре изобретен^/ Российской Федерацииг J^1.Ai&ttfMя п3 г?1. Ж:53i2i-i!2,!• !,»•) «• >« «Л > > Ol19. RU (it) 2128250 аз) CI51. б С 30 В 15/20, 15/22, 15/26

112. РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО по ПАТЕНТАМ и ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ12. ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк патенту Российской Федерации122. 16.01.9721. 97101248/25 (46) 27.03.99 Б к) Л. № 9 (72) Саханскин С.П., Подкопаев ОЛЬ, Петрик В.Ф.71. (73) Государственное предприятие ТерманнА'*

113. SXI 599403 A, 19S0. S1J 1(16763 Д1, 1993. SU J527331 А1, 1989. RU 94035234 Л J, 1996. ЕР 0310454 А2, 1989. VS 5176787 А, 1993.93. 660027 Красноярск, Транспортный пр> д, I, ГП "Германий"