автореферат диссертации по приборостроению, метрологии и информационно-измерительным приборам и системам, 05.11.05, диссертация на тему:Измерители параметров МДП структур на несинусоидальном сигнале

Р Г Б ОД

1 5 ДЕК

На правах рукописи

ЧАЙКОВСКИЙ Виктор Михайлович

ИЗМЕРИТЕЛИ ПАРАМЕТРОВ МД П СТРУКТУР НА НЕСИНУСОИДАЛЬНОМ СИГНАЛЕ

Специальность 05.11.05 — «Приборы и методы измерения электрических и магнитных величин»

Авторефера1' диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

ПЕНЗА 1996

Р.абога выполнена па кафедре «Радиотехника» Пензенского государственного технического университета.

Научный руководитель — заслуженный деятель науки и техники РСФСР, академик МАИ, д. т. п., профессор Мартяшин А. И.

Официальные оппоненты: доктор технических ¡наук, профессор Михо-тин В. Д.; кандидат технических наук Блохин В. А.

Ведущее предприятие — НИИЭМП, г. Педаа.

Защита диссертации состоится в « часов, «/У» деккЪрЗ, 1996 г., на заседала»! диссертационного совета Д. 063.18.01 Пензенского государственного технического университета.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке, университета по .адресу: 440017, г. Пемза, ул. Красная, 40.

Автореферат разослан

1996 г.

Ученый секретарь диссертационного совета к. т. н., доцент

Ю. М. Крысиа

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность. Одним из важнейших направлений развития электронной техники является совершенствование технологии производства полупроводниковых приборов на основе структур металл - диэлектрик - полупроводник (МДП).

В основе современных методик измерения электрофизических параметров МДП структуры лежит ее представление электрической схемой- замещения в виде двухполюсной электрической цепи. Разработаны и применяются средства измерения} позволяющие, получать информацию о значениях параметров МДП структур в соответствии с одно-, двух- и трехэлементными схемами. Данные .средства имеют достаточно ' высокие метрологические характеристики, однако, измеряемые при этом параметры носят обобщенный характер. Например, измеряется результирующая емкость МДП структуры, образованная последовательным соединением емкости диэлектрика и емкости полупроводниковой части структуры. Для интерпретации результатов измерений по таким методикам применяется соответстйующая математическая обработка экспериментальных данных, причем чувствительность к изменению получаемых расчетным путем ... информативных электрофизических параметров МДП структур зачастую оказывается весьма низкой. Это заставляет предъявлять непомерно высокие требования к метрологическим характеристикам измерителей обобщенных параметров МДП структур, что ведет к их неоправданному усложнению и удорожанию.

Повысить -чувствительность к изменению информативных параметров можно путем использования более слощтой, например, четырехэлементной, схемы замещения МДП структуры.

Особенностью существующих измерителей параметров МДП структур является использование синусоидального тестового

воздействия. Обеспечение инвариантности преобразования параметров структур при измерении по сложной, например, трех-или четырехэлементной, схеме замещения достигается за счет измерения на различных частотах тестового сигнала с последующей математической обработкой экспериментальных данных. В силу сложности практической реализации и большой продолжительности процесса измерения такие методики пригодны лишь для проведения научных исследований и неприемлемы в промышленных условиях для массового контроля МДП структур в процессе их изготовления. Требованиям высокого быстродействия и простоты реализации отвечают преобразователи параметров многоэлементных двухполюсных цепей с несинусоидальным воздействием на измерительную схему. Инвариантность преобразования информативных параметров объектов с многоэлементной схемой замещения обеспечивается в таких преобразователях путем соответствующей обработки (в реальном масштабе времени) отсчетов мгновенных значений выходного напряжения измерительной схемы. Представляется целесообразным, учитывая достоинства данного метода, применить его для разработки преобразователей параметров МДП структур.

Аетор выражает благодарность А. В. Светлову за консультации.

Цель работы и задачи исследования.

1. На основе опыта построения преобразователей параметров многоэлементных двухполюсных электрических цепей разработать класс средств, позволяющих учесть специфичность свойств МДП структуры и осуществить измерение ее параметров при импульсном характере воздействия.

2. Выявить перспективные направления практической реализации данного подхода.

3'- Теоретически и экспериментально исследовать характеристики разработанных измерителей параметров МДП структур и выявить возможности их улучшения.

Методы исследования базируются на использовании теории электрических цепей, теории автоматического регулирования, тео- . рии графов; часть расчетов выполнена с использованием ЭВМ..

Научная новизна.

1. Обоснована возможность использования четырехэлемент-ной электрической схемы замещений МДП структуры при измерении ее параметров на импульсном сигнале.

2. Разработаны алгоритмы преобразования параметров МДП структуры в режимах заданного напряжения и заданного тока с компенсацией влияния емкости диэлектрика путем включения • пассивной компенсирующей величины параллельно МДП структуре или последовательно с образцовым сопротивлением, а также путем введения активной компенсирующей величины последовательно или параллельно с основным преобразованием. Разработаны алгоритмы структурной коррекции погрешности преобразования.

3. Разработан комплекс средств измерения на импульсном :игнале параметров МДП структуры: емкости диэлектрика, емкости полупроводника, емкости поверхностных состояний, посто-шной времени перезаряда поверхностных состояний, поверхностно потенциала, гистерезиса и зарядовой нестабильности.

Практическая ценность.

1. Теоретически и экспериментально доказана возможность [змерения параметров МДП структуры на импульсном сигнале в оответствии с четырехэлементной схемой замещения.

2. Разработаны алгоритмы преобразования и схемы преобра-ователей параметров МДП структуры, проведено их исследова-:ие, выработаны рекомендации по улучшению метрологических арактеристик преобразователей.

3. Разработан и совместно с Пензенским НИИ "Контрольприбор" изготовлен опытный образец преобразователя АМЦ 1597, позволяющего измерять С, - V характеристики МДП структур на импульсном сигнале по четырехэлементной схеме замещения с компенсацией влияния емкости диэлектрика.

Реализация результатов работы.

1. Измеритель С - в - V характеристик на нееинусоидаяьном токе внедрен в ПФ ВНИТИПрибор (г. Пенза).

2. Преобразователь параметров МДП структур АМЦ 1597 внедрен:

а) в составе установки АМЦ 1533 на ОМХЗ "Гиредмет" (г. Подольск);

б) в составе установки АМЦ 1540 и в составе характериографа АМЦ 1530 на Минском часовом заводе;

в) в составе установки АМЦ 1533 на предприятии п/я В749 (г. Ленинград).

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались на зональной школе-семинаре " Повышение эффективности автоматизированных средств восприятия и обработки информации" (г. Пенза, 1985), на семинаре "Методы и средства контроля и диагностики РЭА и ЭВА" (г. Пенза, 1982), на научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава Пензенского государственного технического университета (1979 - 1996), а также на промышленных, предприятиях при выполнении хоздоговорных НИР.

Публикации. По результатам исследований и разработок, выполненных в процессе работы над диссертацией, опубликована 21 печатная работа, в том числе 14 авторских свидетельств.

"Структура и объем диссертации. Работа состоит из введения, пяти глав, списка литературы (89 наименований), приложения и содержит 169 страницы машинописного текста, 47 рисунков.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении сформулированы основные задачи, решаемые в диссертации и обоснована их актуальность.

В первой главе дано краткое описание электрических схем замещения МДП структуры, применявшихся на разных этапах развития средств измерения ее параметров. Классическая методика предусматривает использование двухэлементной схемы замещения (рис. 1), где Сд - емкость диэлектрического слоя; С1 -емкость полупроводника. Более достоверно описать процессы в МДП структуре и повысить чувствительность к изменению ее электрофизических параметров позволяют схемы замещения с большим числом элементов. . *

Разработке средств измерения параметров МДП структуры на импульсном сигнале должен предшествовать этап определения электрической схемы замещения, позволяющей описать реакцию МДП структуры на импульсное воздействие. Для идентификации этой реакции разработан алгоритм регулирования настраиваемой модели МДП структуры и определены условия его реализуемости. Обоснована возможность использования 4-х элементной электрической схемы замещения МДП структуры (рис. 2), где Сд - емкость диэлектрика; С1 - емкость обедненного слоя полупроводника; Л и С2 - сопротивление и емкость, определяющие постоянную времени перезаряда поверхностных состояний. '■

Рис.1

О,

¿нь

И. Сг

ч=НР

Рис. 2

Экспериментальные исследования МДП структуры на основе кремния проводились с использованием импульсного напряжения прямоугольной формы с амплитудой 20 мВ и частотой повторения 500 Гц. Выбор значения частоты повторения импульсов определялся из условия практического завершения процесса перезаряда поверхностных состояний МДП структуры к моменту подачи следующего импульса.

Метрологические характеристики преобразователя параметров МДП структуры во многом определяются первичным преобразователем (ПП), преобразующим эти параметры в активнью величины. В силу ряда достоинств, основным из которых является линейность преобразования, целесообразно использовать активный ПП на операционном усилителе (ОУ). Процесс преобразования в ПП параметров МДП структуры в зависимости от места включения - во входной цепи ОУ или в цепи отрицательной обратной связи - самой структуры и образцового двухполюсника может протекать либо в режиме заданного напряжения, либо в режиме заданного тока. При реализации режима заданного напряжения значения выходного напряжения ПП прямо пропорциональны параметрам МДП структуры, при реализации режима заданного тока - обратно пропорциональны.

В работе проведен анализ вида выходного напряжения ПП в режимах заданного напряжения или заданного тока, при резистивном или емкостном сопротивлении' образцового двухполюсника, при воздействии в виде скачка напряжения или линейно изменяющегося напряжения. Наиболее простая функциональная связь между значениями выходного напряжения ПП . и параметрами МДП структуры обеспечивается при использовании воздействия в виде скачка напряжения и0 и образцовой емкости Со:

- е. режиме заданного напряжения

ипп(0 « - и°СДС' е-* - Ц>СД<С'+С*> СоССд+С!) С0(Сд+С1+С2)

а = (Сд + С! + С2) / КС2(СД + СО ;

(1-е-);

- в режиме заданного тока

иПп<0 = - Мо _ ЦоС^А _ е-\.

а = (С^+СгУЯС^.

На основе анализа способов стабилизации режима ОУ по постоянному току при работе с емкостной обратной связью выбрано двухкаскадное построение схемы ПП.

Вторая глава посвящена разработке измерительных схем (ИС), преобразующих параметры МДП структуры с компенсацией влияния емкости диэлектрика.

Задача измерения параметров МДП структуры по четырехэле-ментной эквивалентной схеме вида рис. 2 в общем случае является некорректной. Однозначное определение параметров полупроводниковой части МДП структуры становится возможным при условии компенсации влияния емкости диэлектрика. Для получения информации о значении емкости диэлектрика проводится вспомогательное измерение с подачей на структуру напряжения смещения, вводящего ее в режим обогащения, когда емкость полупроводника становится очень большой, а результирующая емкость структуры, образованная последовательным соединением емкости диэлектрика и емкости полупроводниковой части структуры, фактически равна емкости диэлектрика. После вывода структуры из режима обогащения полученная информация о значении емкости диэлектрика может быть использована для раздельного преобразования остальных параметров структуры.

Компенсация влияния емкости диэлектрика (рис. 3) может эыть достигнута при преобразовании параметров МДП структуры з режимах заданного напряжения и заданного тока, путем вклю-$ения пассивной компенсирующей величины ( ПКВ ) параллель-то МДП структуре или последовательно с образцовым сопротив-[ением, а также путем введения активной компенсирующей »еличиНы ( АКВ ) последовательно или параллельно с основным

преобразованием. Для всех вариантов приведенной классификация разработаны представленные графами алгоритмы преобразования параметров МДП структур измерительными схемами с компенсацией влияния емкости диэлектрика. .

В результате исследования разработанных алгоритмов преобразования ИС с ПКВ показано, что наиболее эффективным является преобразование в режиме заданного напряжения с включением ПКВ последовательно с образцовым сопротивлением (алгоритм 111).

Рис 3

Анализ разработанных алгоритмов преобразования параметров МДП структуры ИС с АКВ показал, что наиболее эффективным является преобразование в режиме заданного тока с введением АКВ последовательно с основным преобразованием (алгоритм 001), а также преобразование в режиме заданного напряжения с введением АКВ параллельно (100) и последовательно (101) с основным преобразованием.

При последовательном по отношению к основному преобразованию введении АКВ эффект компенсации достигается с использованием результата основного преобразования, а при параллельном - без его использования. Достоинством алгоритма (100) является то, что все операции, необходимые для компенсации влияния емкости диэлектрика, производятся только с напряжением

воздействия, т. е. процесс основного преобразования параметров МДП структуры не затрагивается. Для практической реализации преобразователя параметров МДП структур целесообразно использовать алгоритм (101) (рис 4), отличающийся простотой и обеспечивающий прямо пропорциональную зависимость выходных напряжений от информативных параметров: емкости полупроводника и емкости, связанной с поверхностными состояниями. Для компенсации влияния емкости диэлектрика вместо масштабирующего преобразователя с непрерывно изменяемым системой автоматического регулирования коэффициентом передачи может быть применен масштабирующий преобразователь с фиксированным значением коэффициента передачи, который устана-' вливается на первом этапе преобразования при нахождении МДП структуры в режиме обогащения. , *

1 1ЫР)

г0(р)-гд(р) гд(р)+гх(р)

иб(р)

-=о

Л1Др)

Рис. 4

Разработаны алгоритмы структурной коррекции погрешности преобразования. Наиболее эффективным является алгоритм,

основанный на подаче в выходной контур ИС корректирующего воздействия, формируемого с использованием напряжения, пропорционального току во входной цепи операционного усилителя, осуществляющего основное преобразование.

Третья глава посвящена разработке и исследованию измерительных преобразователей параметров МДП структур.

Разработана схема преобразователя параметров МДП структуры, реализующая алгоритм (101) компенсации влияния емкости диэлектрика и осуществляющая прямое преобразование выходного напряжения ИС. По команде блока управления источник напряжения воздействия вырабатывает двухполярное импульсное напряжение прямоугольной формы (типа "меандр") с периодом Т0, которое поступает на один из входов сумматора. На другой вход сумматора с выхода источника напряжения смещения поступает линейно изменяющееся в заданных пределах напряжение с периодом повторения, гораздо большим, нем То. Сумма напряжения воздействия и напряжения смещения подается на ИС, преобразующую параметры МДП структуры с компенсацией влияния емкости диэлектрика. При установке требуемого значения коэффициента передачи масштабирующего преобразователя в цепи положительной обратной связи выходное напряжение ИС не зависит от емкости диэлектрика:

= -е-); а-.1/1*0,.

»"О

Первым устройством выборки и хранения осуществляется фиксация значения выходного напряжения ИС в начальный момент времени, сразу после смены полярности напряжения воздействия. Это значение напряжения пропорционально емкости полупроводника С1. Второе устройство выборки и хранения фиксирует установившееся значение выходного напряжения ИС, пропорциональное сумме емкости полупроводника С1 и емкости поверхностных состояний С2. Напряжение, пропорциональное С2, получается при помощи вычитателя напряжений.

-13 -

Узел измерения постоянной времени формирует постоянное напряжение, пропорциональное постоянной времени экспоненциальной составляющей выходного напряжения ИС. Регистрирующее устройство фиксирует С - V характеристики МДП структуры как зависимости емкостей С1 и С2 от прикладываемого напряжения смещения.

Одним из самых "узких мест" подобных преобразователей является измерение начального значения возрастающего экспоненциально изменяющегося напряжения. В данном преобразователе начальное значение выходного напряжения ИС, фиксируемое устройством выборки и хранения, используется при определении не только значения емкости С1, но и всех остальных параметров МДП структуры. Проведенный анализ показывает, что при использовании устройства выборки и хранения с малой апертурной нестабильностью могут быть получены приемлемые значения погрешности преобразования параметров МДП структуры.

С целыо уменьшения влияния апертурной нестабильности предлагается для измерения начального значения возрастающего, экспоненциально изменяющегося напряжения использовать усреднение результатов измерений, полученных при подаче импульсной последовательности более" высокой частоты.

Одним из путей улучшения метрологических характеристик преобразователя параметров МДП структуры является замена непосредственного измерения начального значения экспоненциального напряжения его вычислением по значениям отсчетов в другие моменты времени. Еще одна возможность улучшения метрологических характеристик заключается в использовании комбинированного преобразования - сочетания уравновешивания одной составляющей выходного напряжения измерительной схемы с прямым преобразованием другой составляющей. Это позволяет вместо возрастающей экспоненты получить спадающую экспоненту, начальное значение которой может быть измерено более простыми средствами, например, при помощи пикового детектора. При этом необходимо^ для процедуры уравновешивания компенсирую-

щее напряжение целесообразно сформировать из напряжения воздействия. В работе приводится схема преобразователя, осуществляющего такое преобразование. Проведен анализ влияния на погрешность преобразования параметров МДП структуры неточности регулирования коэффициента передачи масштабирующего преобразователя, формирующего компенсирующее воздействие.

Предложена методика устранения влияния сетевой помехи на процесс преобразования, проведен анализ зависимости степени подавления сетевой помехи от влияния различных факторов.

Четвертая глава посвящена разработке средств измерения параметров поверхности полупроводника МДП структуры.

Разработаны структуры преобразователей постоянной времени перезаряда поверхностных состояний МДП структуры.

Разработано устройство для измерения поверхностного потенциала МДП структуры, т. е. потенциала, под которым находится полупроводниковая часть структуры при воздействии на нее напряжения смещения. В качестве основы для построения данного устройства использована измерительная схема,. реализующая алгоритм "100" компенсации влияния емкости диэлектрика. Применение этого устройства позволит измерять зависимости параметров МДП структуры от поверхностного потенциала, приложенного непосредственно к полупроводниковой части структуры.

Разработано цифровое устройство для измерения гистерезиса и зарядовой нестабильности МДП структуры. Гистерезис - сдвиг вдоль оси напряжения между С - V зависимостями, измеренными-при прямом и обратном направлениях изменения напряжения смещения. Гистерезис обусловлен появлением внутри структуры под действием напряжения смещения встроенного заряда,'значение которого определяется поляризационными свойствами структуры. Поляризационные процессы приводят к зарядовой неста бильности МДП структуры, проявляющейся в искажении формы С - V зависимости и смещении ее вдоль оси напряжения. В разработанном устройстве операции запоминания и хранения аналоговых величин заменены на соответствующие опфации с кодами.

V15 -

Это позволяет' устранить какие-либо ограничения, накладываемые на продолжительность процесса измерения.

Пятая глава посвящена практической реализации преобразователей параметров МДП структур и их экспериментальным исследованиям.

Наличие в схеме преобразователя контура положительной обратной связи оказывает существенное влияние на устойчивость измерительной схемы 'преобразователя. Анализ устойчивости измерительной схемы, проведенный с помощью критерия Гурвица, показал, что при установке значения коэффициента передачи цепи положительной обратной связи меньше требуемого, т. е. при недокомпенсации влияния емкости диэлектрика, измерительная схема преобразователя функционирует устойчиво. Потеря устойчивости возможна при перекомпенсации. Определены границы области устойчивости. Установлено, что требования к точности регулирования коэффициента передачи цепи положительной обратной связи возрастают по мере приближения в процессе измерения С - V характеристик к режиму обогащения, т. е. по мере роста значения емкости полупроводника. Особенно актуальным это замечание является при исследовании МДП структур с толстым слоем диэлектрика, т. е. с малой емкостью диэлектрика.

Разработана схема компаратора с компенсацией сетевой помехи для точной установки коэффициента передачи цепи положительной обратной связи.

Логическим завершением проведенных исследований является создание совместно с Пензенским НИИ "Контрольприбор" опытного образца преобразователя параметров МДП структур АМЦ 1597.

Структурная схема преобразователя АМЦ 1597 приведена на рис. 5, где

ФОН - формирователь опорного напряжения ("меандр" с амплитудой 20 мВ и частотой 500 Гц);

ОГ - опорный генератор;

ОУ - операционный усилитель, на входе которого включена

МДП структура, а в цепи отрицательной обратной связи -

опорный конденсатор Со;

БСД - блок синхронных детекторов;

ВУ1 и ВУ2 - вычитающие усилители;

SAI и SA2 - переключатели;

К - компаратор;

МУ - масштабирующий усилитель. Í

ФОН -rfl

МДП структура

с. __ис

■~1 I

Со

ЧЬ

Л -II——1 | ^Р к.

Ib R с2 -HHibyV-

"X

SA1

МП

ВУ1

ог

БСД

ВУ2

_rt£

|SA2

МУ

■Выход

Рис.5.

Преобразователь АМЦ 1597 предназначен для исследования МДП структур в соответствии с 4-х элементной схемой замещения и обеспечивает измерение зависимостей от напряжения, т. е. С - V характеристик:

- емкости диэлектрика; ..

- высокочастотной и низкочастотной емкостей МДП структуры (так называемые классические характеристики);

г емкости обедненного слоя полупроводника;

-17- емкости поверхностных состояний.

По сравнению с классической методикой, предусматривающей измерение полной емкости структуры, образованной последовательным соединением емкости диэлектрика и емкости полупроводниковой части структуры, разработанный преобразователь имеет значительно более высокую чувствительность к изменению емкости полупроводника и емкости поверхностных состояний. К тому же С - V характеристики получаются непосредственно в процессе измерения (в реальном масштабе времени), а не в результате выполнения вычислительных процедур, как в классической методике.

Таким образом, разработанный преобразователь может использоваться для экспрессного контроля характеристик МДП структур ^а разных стадиях технологического процесса их изготовления. При участии автора также был разработан преобразователь АМЦ 1598, позволяющий измерять 1/С — V характеристики МДП структур. /

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

1. С целью идентификации реакции МДП структуры на импульсное воздействие разработан алгоритм регулирования настраиваемой модели МДП структуры и определены условия его реализуемости. Обоснована возможность использования 4-х элементной электрической схемы замещения МДП структуры. 2. На основе проведенного анализа выбрано двухкаскадное построение схемы первичного преобразователя параметров МДП структуры в активные величины. Разработаны алгоритмы преобразования параметров МДП структуры в режимах заданного напряжения и заданного тока с компенсацией влияния емкости диэлектрика путем' включения пассивной компенсирующей величины параллельно МДП структуре или последовательно с образцовым сопротивлением, а также путем введения активной компенсирующей величины последовательно или параллельно с основным преобразованием. Разработаны алгоритмы структурной коррекции погрешности преобразования.

3. Разработаны схемы измерителей параметров МДП структуры с прямым преобразованием, а также с компенсацией одной составляющей и прямым преобразованием другой составляющей выходного напряжения измерительной схемы.

4. Исследованы причины возникновения погрешностей измерения и выработаны рекомендации по улучшению метрологичег ских характеристик измерителей. Проанализированы возможности ослабления влияния сетевой помехи на процесс измерения параметров МДП структуры. Разработана схема измерителя с компенсацией влияния сетевой помехи. :

5. Разработаны схемы преобразователей параметров поверхности полупроводника МДП структуры в постоянные напряжения.

6. Предложена методика оценки влияния неточности установки коэффициента передачи цепи положительной обратной связи как на устойчивость измерительной схемы, так и на погрешность преобразования параметров МДП структуры. Разработана схема компаратора для точной установки коэффициента передачи цепи положительной обратной связи с компенсацией влияния сетевой помехи.

7. Разработан и совместно . с Пензенским НИИ "Контрольприбор" изготовлен опытный образец преобразователя АМЦ 1597, позволяющего измерять С - V характеристики МДП структур на импульсном сигнале по четырехэлементной схеме замещения с компенсацией влияния емкости диэлектрика.

Основное содержание диссертационной работы отражено в следующих публикациях.

1. Чайковский В.М. Выбор первичного преобразователя при измерении параметров МДП структур на импульсном сигнале // Электронная техника. - Серия 2. Полупроводниковые приборы. - М.: ЦНИИЭлекгроника, 1987. - Вып. 1 (186). - С. 55 - 58.

2. Чайковский В.М. Измерение? параметров МДП структуры с компенсацией влияния емкости диэлектрика // Приборы и техника эксперимента. - 1987. - N 3. - С. 187 - 189.

- 193. Чайковский В.М. Компенсация влияния емкости диэлектрика при измерении параметров МДП структур / Пенз. политехи, ин-т. - Пенза, 1985. - 10 с. - Деп. в ЦНЙИТЭЙприборостроешш, N 3019 пр - 85 Деп.

4. Чайковсюш В.М. Обеспечение устойчивости при измерении параметров МДП структур с компенсацией влияния емкости диэлектрика / Пенз. политехи, ин-т. - Пенза, 1985. - 8 с.-. Деп. в ЦНИИТЭИпрнборостроения, N 2980 пр - 35 Деп.

5. Исследование и разработка прибора контроля параметров многоэлементных схем для пьезо- и полупроводниковых материалов и структур на их основе: Отчет о НИР / Пенз. политехн. ин-т.; Н. рук. Б.В. Цыпин; Отв. исп. В.М. Чайковский. - 83-005; N ГР 01.83.0004769. - Пенза, 1984.

6. Чайковский В.М. Особенности построения измерительной схемы п-ри измерении параметров МДП структур на несинусоидальном токе // Повышение эффективности автоматизированных средств восприятия и обработки информации: Тез. докл. зональной школы-семинара. - Пенза, 1985. - С. 69, 70.

7. Гаевский Ю.С., Светлов А.В., Чайковский В.М. Комплекс для измерения параметров полупроводниковых материалов и МДП структур // Технический прогресс в атомной промышленности. - Серия: Организация производства и прогрессивная технология в приборостроении. - 1990. - Вып. 7-8. - С. 62.

8. А. с. 898342 СССР. Измеритель сопротивления кондукто-метрического датчика / Е.Д. Абросимов, А.Й. Мартяшин, А.В. Светлов, Б.В. Цыпин, В.М. Чайковский // Б. И., 1982. - N 2. - С. 202, 203.

9. А. с. 898611 СССР. Преобразователь параметров трехэлементных двухполюсных цепей в код / А.И. Мартяшин, А.В. Светлов, Б.В. Цыпин, В.М: Чайковский // Б. И., 1982. - N 2. - С. 256, 257.

10. А. с. 905885 СССР. Устройство для измерения электрофизических параметров МДП структур / А.И. Мартяшин, В.Ф. Рыжов, ,А.А. Мельников, А.В. Светлов, Б.В. Цыпин, В.М. Чайковский // Б. И., 1982. - N 6. - С. 236.

11. А. с. 924635 СССР. Измеритель электрофизических характеристик МДП структур / А.И. Мартяшин, A.B. Светлов, Б.В. Цыпин, В.М. Чайковский // Б. И., 1982. - N 16. - С. 213, 214.

12. А. с. 938199 СССР. Преобразователь параметров четырех-элементных двухполюсников в напряжение / А.И. Мартяшин, В.М. Чайковский, П.П. Чураков // Б, И., 1982. - N 23. - С. 237.

13. А. с. 938201 СССР. Преобразователь параметров электрометрического датчика / А.И. Мартяшин, В.М. Чайковский, П.П. Чураков // Б. И., 1982. - N 23. - С. 237.

14. А. с. 960662 СССР. Преобразователь параметров трехэлементных двухполюсников в напряжение / А.И. Мартяшин, Б.В. Цыпин, В.М. Чайковский // Б. И., 1982. - N 35. - С. 170.

15. А. с. 1000946 СССР. Устройство для измерения C-G-V характеристик МДП структур / Ю.С. Гаевский, А.И. Мартяшин, A.B. Светлов, Б.В. Цыпин, В.М. Чайковский // Б. И., 1983. - N 8. - С. 188, 189.

16. А. с. 1026095 СССР. Измеритель электрофизических параметров МДП структур. ./ Ю.С. Гаевский, А.И. Мартяшин, A.B. Светлов, Б.В. Цыпин, В.М. Чайковский // Б. И., 1983. -N 24. - С. 140.

17. А. с. 1087922 СССР. Преобразователь параметров пассивных двухполюсников / А.И. Мартяшин, Б.В. Цыпин, В.М. Чайковский и Б. И., 1984. - N 15. - С. 161. 18. А. с. 1093991 СССР. Измеритель параметров пассивных двухполюсников / А. И. Мартяшин, Б,В. Цыпин, В.М. Чайковский, A.A. Булютин // Б. И,, 1984. - N 19. - С. 143.

18. А. С. 1093991 СССР. Измеритель параметров пассивных двухполюсников / А. И. Мартяшин, Б, В. Цыпин, В. М. Чайковский, А. А. Булютин // Б. И., 1984. - №19. - С. 143.

19. А с. 1120356 СССР. Масштабный усилитель / А.И. Мартяшин, Б.В. Цыпин, В.М. Чайковский, A.A. Булютин // Б. И., 1984. - N 39. - С. 155. 1