автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Исследование влияния конструкции и электрофизических параметров р-п-р-п структур на переходные процессы в быстродействующих тиристорах

ЕВВДЕЙИЕ. . .V.

ГЛАВА I. ДИНАМИКА ПРОЦЕССА ВКЛЮЧЕНИЯ ТИРИСТОРОВ С УСИЛИТЕЛЬНЫМ УПРАВЛЯЮЩИМ ЭЛЕКТРОДОМ И КОМБИНИРОВАННЫЙ СПОСОБ ВЫКЛЮЧЕНИЯ СИЛОВЫХ ТИРИСТОРОВ (Обзор литературы и постановка задачи)

1.1. Динамика образования начальной области включения и скорость распространения включенного состояния.

1.2. сИ/оЛ -стойкость и динамическая теплостойкость силовых тиристоров.

1.3. Комбинированный способ выключения силовых тиристоров.

1.4. Особенности конструкции комбинированно-выключаемых тиристоров

1.5. Выводы и постановка задачи.

ГЛАВА 2. ВЛИЯНИЕ КОНСТРУКЦИИ Р-П-Р-П СТРУКТУР СИЛОВЫХ

ШСТРОДЕЙСТВУЩИХ ТИРИСТОРОВ НА ПЕРЕХОДНЫЙ ПРОЦЕСС ВКЛЮЧЕНИЯ .V.

2.1. Динамика образования электронно-дырочной плазмы в мощных тиристорах при их включении и скорость распространения включенного состояния .•

2.2. Предельная оИ/сСЬ -стойкость силовых быстродействующих тиристоров с усилительным управляющим электродом.

2.3. Зависимость энергии потерь от длины периметра усилительного управляющего электрода при коротких импульсах нагрузочного тока.

2.4. Выводы

ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКЦИИ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ Р-П-Р-П СТРУКТУР СИЛОВЫХ БЫСТРОДЕЙСТВУЩИХ ТИРИСТОРОВ НА ПРОЦЕСС КОМБИНИРОВАННОГО ВЫКЛЮЧЕНИЯ

3.1. Методика и аппаратура исследований.

3.2. Исследование процесса комбинированного выключения р-п-р-п структур круглой формы

3.3. Исследование процесса комбинированного выключения р-п-р-п структур прямоугольной формы

3.4. Обсуздение результатов экспериментальных исследований

3.5. Выводы.

ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ПРОЦЕССА

КОМБИНИРОВАННОГО ВЫКЛЮЧЕНИЯ И РАСЧЕТ КОМБИНИРО-ВАШЮ-ВЫКЛЮЧАЕШХ ТИРИСТОРОВ

4.1. Модель процесса комбинированного выключения р-п-р-п структур круглой формы.

4.2. Модель процесса комбинированного выключения с учетом поверхностных и объемных утечек катодного перехода

4.3. Программная реализация моделей и расчет комбинированно-выключаемых тиристоров.

4.4. Выводы •.

ГЛАВА 5. РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИИ БЫСТРОДЕЙСТВУЩИХ ТИРИСТОРОВ С КОМЕШИРОВАННЫМ ВЫШНЕ

НИЕМ. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ РАЗРАБОТАННЫХ ПРИБОРОВ

5;1. Разработка конструкции прибора •.••.••••••.•.•

5.2. Исследование и разработка технологии

5.3. Исследование и основные параметры разработанных тиристоров

5.4. Выводы

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

Актуальность темы. Силовые быстродействующе тиристоры нашли широкое применение в преобразовательных устройствах различного назначения.

Развитие модуляторных устройств радиотехники и радиолокации, высокочастотных гидроаккустических комплексов, целого ряда аппаратуры специального назначения требует создания быстродействующих тиристорных ключей с высокой нагрузочной способностью на повышенных частотах, способных выдерживать нарастание анодного тока при включении со скоростью в несколько сотен и тысяч ампер за микросекунду.

Одним из эффективных направлений повышения (И/ей -стойкости тиристоров, а следовательно, и увеличения их нагрузочной способности в импульсных и высокочастотных режимах является создание разветвленных конструкций управляющих электродов в сочетании с принципом внутреннего усиления сигнала управления.

Однако, несмотря на то что имеется много работ, посвященных вопросам проектирования силовых быстродействующих тиристоров с высокими коммутационными и нагрузочными характеристиками, влияние конструкции усилительного управляющего электрода (УУЭ) на переходный процесс включения изучено недостаточно полно, что вызывает необходимость в проведении исследований динамики формирования электронно-дырочной плазмы при включении и процесса распространения включенного состояния, предельной йх/йХ -стой-кости силовых быстродействующих тиристоров с УУЭ и их работоспособности в импульсных режимах нагрузки.

Развитие преобразовательной техники требует также дальнейшего повышения быстродействия и расширения верхней границы диапазона рабочих частот.

Одним из перспективных методов уменьшения времени выключения, а следовательно расширения верхней границы диапазона рабочих частот силовых тиристоров (СТ) без ухудшения их остальных параметров, является способ комбинированного выключения. Суть его заключается в том, что одновременно с приложением к тиристору обратного напряжения в его цепь управления подается импульс обратного тока управляющего электрода.

Создание силовых быстродействующих комбинированно-выключаемых тиристоров (КВТ) представляет собой достаточно сложную задачу. Экспериментальные и теоретические исследования влияния конструкции и электрофизических параметров р-п-р-п структур силовых быстродействующих тиристоров на процесс комбинированного выключения недостаточны для практического проектирования таких приборов. До сих пор в производстве отечественных КВТ не было.

Таким образом, проблема исследования влияния конструкции и электрофизических параметров р-п-р-п структур на переходные процессы в быстродействующих тиристорах является актуальной для развития силовой полупроводниковой электроники.

Научная новизна. Исследован процесс включения силовых быстродействующих тиристоров с 7ТЭ и установлена зависимость характеристик переходного процесса включения от параметров цепи управления, длины периметра разветвленного управляющего электрода, плотности тока во включенной области.

Исследован процесс комбинированного выключения силовых быстродействующих тиристоров и установлена зависимость времени выключения в комбинированном режиме от размеров элементарных катодных эмиттеров и их геометрии, времени жизни дырок в п-базе и амплитуды обратного тока управляющего электрода.

Разработана и исследована физико-математическая модель процесса комбинированного выключения быстродействующих тиристоров с учетом неконтролируемых поверхностных и объемных утечек катодного перехода. Установлена зависимость времени выключения в комбинированном режиме и сСиуас^ -стойкости от размеров технологических шунтов, диаметра элементарного катодного эмиттера и амплитуды обратного тока управляющего электрода.

Практическая ценность и реализация результатов. В результате проведенных исследований разработаны: конструкция и технология первого отечественного быстродействующего комбинированно' выключаемого тиристора типа ТЕК171 на средний ток в открытом состоянии 125, 160 А, повторяющееся напряжение 500-1200 В, время выключения 5-16 мкс, критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 200-500 В/мкс, критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии - 1250 А/мкс; модель и комплекс программ расчета времени выключения в комбинированном режиме; рекомендации по конструкции и технологии мощных быстродействующих тиристоров единой унифицированной серии штыревого и таблеточного исполнения.

С 1985 года на ПО "ТЭЗ имени М.Ж.Калинина" начато серийное производство тиристоров ТБК171.

Народнохозяйственный экономический эффект от внедрения результатов диссертационной работы в ПО "ТЭЗ имени М.И.Калинина" составляет в 1986 году 313,7 тыс.руб.

На зашту выносятся следующие основные положения:

I. Экспериментально установленные зависимости площади начальной области включения от амплитуды импульса тока управления в различные моменты времени в процессе включения, скорости распространения включенного состояния от плотности тока во включенной области, предельной (И/¿Л -стойкости и энергии потерь от длины периметра разветвленного управляющего электрода,

2, Результаты экспериментальных исследований процесса комбинированного выключения р-п-р-п структур быстродействующих тиристоров, показавшие, что время выключения в комбинированном режиме зависит от размеров элементарных катодных эмиттеров и их геометрии, времени жизни дырок в п-базе и амплитуды обратного тока управляющего электрода.

3, Физико-математическая модель процесса комбинированного выключения быстродействующих тиристоров с учетом неконтролируемых поверхностных и объемных утечек катодного перехода. Результаты расчетов зависимости времени выключения в комбинированном режиме и -стойкости от размеров технологических шунтов, диаметра элементарного катодного эмиттера и амплитуды обратного тока управляющего электрода,

4, Конструкция и технология изготовления силового быстродействующего комбинированно-выключаемого тиристора типа ТЕК171.

Агшобапия работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на 1У и У Международных конференциях по силовой электронике (г, Будапешт, 1981 г,, 1985 г.), У1 Международной научно-технической конференции по силовой преобразовательной технике (г. Бухарест, 1982 г.), Всесоюзных научно-технических семинарах и совещаниях по силовым полупроводниковым приборам (г. Запорожье, 1981 г.; г. Таллин, 1983 г., 1985 г.), Республиканских научно-технических конференциях, посвященных Дню радио (г. Таллин, 1981, 1983).

Публикации. Результаты диссертационной работы изложены в 14 статьях и тезисах.

ШВА I. ДИНАМИКА ПРОЦЕССА ВКЛЮЧЕНИЯ ТИРИСТОРОВ С УСИЛИТЕЛЬНЫМ УПРАВЛЯЮЩИМ ЭЛЕКТРОДОМ И КОМБИНИРОВАННЫЙ СПОСОБ ВЫКЛШЕНШ СИЛОВЫХ ТИРИСТОРОВ

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Методом электронно-оптической фотографии рекомбинацион-ного инфракрасного излучения исследованы динамика образования электронно-дырочной плазмы в мощных тиристорах при их включении и скорость распространения включенного состояния.

Показано, что характер процесса включения силовых быстродействующих тиристоров с протяженными управляющими электродами оцределяется отношением тока управления к статическому отпирающему току управления ♦ Установлена зависимость изменения площади НОВ от отношения от Для различных моментов времени.

Экспериментально установлены для современных отечественных быстродействующих тиристоров зависимость СРВС от плотности тока во включенной области и значения критической плотности тока, при которой включенная область устойчива. Получено, что значения максимальной СРВС и критической плотности тока составляют 0,055-0,085 мм/мкс и 30-70 А/см^ соответственно.

2. Экспериментально исследованы предельная -стойкость отечественных силовых быстродействующих тиристоров с УУЭ и зависимость энергии потерь от длины периметра УУЭ при коротких импульсах нагрузочного тока.

Получено, что критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии на I см длины периметра разветвленного управляющего электрода достигает примерно 1600 А/мкс в режиме одиночных импульсов и уменьшается с ростом количества импульсов.

Критическое значение энергии потерь на I см длины периметра разветвленного управляющего электрода достигает примерно 4 Дж.

3. Экспериментально исследован процесс комбинированного выключения р-п-р-п структур быстродействующих тиристоров с различными размерами элементарных катодных эмиттеров прямоугольной и круглой формы.

Показано, что уменьшение времени выключения tye-A с ростом амплитуды тока Jag. происходит до тех пор, пока при определенном значении тока Ids- > равного 1а е- . обратное напряжение на периферии катодного перехода не достигнет значения напряжения пробоя. При этом, чем меньше диаметр структуры J)з (для р-п-р-п структур круглой формы) или ширина структуры 6 (для р-п-р-п структур прямоугольной форяы), тем больше значение , что обусловлено соответствующим уменьшением сопротивления растекания р-базы.

Установлено, что с ростом времени жизни дырок Тр время выключения | увеличивается, причем тем быстрее, чем больше диаметр структуры -0э (для р-п-р-п структур круглой формы) или ширина структуры 6 (для р-п-р-п структур прямоугольной формы) . При малых D3 ( Ъэ* X мм) время выключения tc^G-A близко к времени жизни дырок £р .

4. Эффективность комбинированного способа выключения, для характеристики которой предложен коэффициент , равный отношению времени выключения при Jrg- = 0 к времени выключения при Jug- = JftQ- , для р-п-р-п структур круглой формы с уменьшением диаметра структуры возрастает сильнее, чем для р-п-р-п структур прямоугольной формы с шириной полосы, равной Da.

На основе расчетов активных площадей тиристоров с круглой и прямоугольной формой элементарных катодных эмиттеров при одинаковом общем диаметре тиристорного элемента и коэффициенте Kg-A = показано преимущество варианта с круглой формой катодного эмиттера (реальное исполнение - в форде правильных шестиугольников).

5. Разработана и исследована физико-математическая модель процесса комбинированного выключения быстродействующих тиристоров с учетом неконтролируемых поверхностных и объемных утечек катодного перехода, позволяющая рассчитать время выключения структур круглой формы комбинированным способом при воздействии обратного тока управляющего электрода на процесс выключения на этапе нарастания анодного напряжения.

6. Выполнен расчет зависимости времени выключения в комбинированном режиме и зС" —стойкости от размеров технологических шунтов, диаметра элементарного катодного эмиттера и амплитуды обратного тока управляющего электрода.

Показано, что -стойкость возрастает с уменьшением диаметра структуры, с ростом диаметра технологического шунта и амплитуды импульса обратного тока lR.Gr. Причем, на

-стойкость тиристора воздействие амплитуды импульса обратного тока управляющего электрода оказывает более сильное влияние, чем увеличение диаметра технологического шунта.

7. На основе проведенных исследований разработаны и внедрены рекомендации по конструкции и технологии мощных быстродействующих тиристоров единой унифицированной серии штыревого и таблеточного исполнения, модель и комплекс программ расчета времени выключения в комбинированном режиме ж разработан первый отечественный быстродействующий комбинированно-выключаемый тиристор типа ТЕК17Г.

Приведены основные результаты разработки конструкции и технологии быстродействующего комбинированно-выключаемого тиристора типа ТЕК171 на средний ток в открытом состоянии 125, 160 А, повторяющееся напряжение 500-1200 В, время выключения 5-16 мкс, критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 200-500 В/мкс, 1фитическая скорость нарастания тока в открытом состоянии - 1250 А/мкс.

Результаты диссертации изложены в следующих работах:

Г. Разработка безиндуктивных шунтов и компенсированных делителей напряжения: Отчет / Таллинский электротехнический завод ш.М,И.Калинина; Г^А.Ашкинази, Т.Х.Клеесмент, А,М.Ковров, О.К.Тоомла, Г.К.Тоомсоо. № Б277519, ВНТИЦ. Таллин, 1973.

2. Ковров A.M., Рухамкин В.М., Якивчик Н.й. Учет сопротивления металлизации электродов в тиристорах при их проектировании // Электротехн.пром-сть. Оер. Преобразоват. техника. 1980. Вып. 4(123). С. 11-12.

3. Ковров A.M., Румма К.Я., Рухамкин В.М. Динамика образования начальной области включения в мощных тиристорах // Изв. АН ЭССР. Физика. Математика. 1981. Т.30. № I. С. 47-51.

4. Featured of & ate Current Jnternat Amplification in

Power Thyristors? in Circuity with Different Load CkaractmiticS /KRumftictj £ Generale, fl.Kovro i/, У.Ышкм// H th Power Eíectron¿c¿ Conference. Budapest, 19-2H OkUtr M1. Budapest, mi. 10 p.

5. Профиль концентрации в диффузионных р-п-р-п структурах силовых быстродействующих тиристоров / В.Д.Граужинис, А.М.Ковров, В.М.Рухамкин, В.А.Сучков // Современные методы и устройства радиоэлектронного оборудования: Тез.докл.Респ.науч.-техн. конф., посвящ* дню радио. Таллин, 1981. С. 51.

6. Особенности топологии структур силовых тиристоров с комбинированным выключением / В.А.Битков, В.Д.Граужинис, А.М.Ковров, В.М.Рухамкин // Повышение параметров силовых полупроводниковых приборов на основе новых конструктивных решений и методов изготовления: Тез. докл. Все союз. науч.-техн. семинара'. Запорожье, 1981. С.79-80.

7. Программная реализация и исследование модели времени выключения КВТ / П.Т.Дермеижи, А.М.Ковров, В.Г.Пономарев, С.М.Шабанов, А.М.Шилов // Тез. докл. У Все союз, совещания по автоматизации проектирования электротехнических устройств.' Таллин, 1983. 0,101-102.

8. Ковров A.M., Оруаас Я.А. Нагружаемость тиристоров с комбинированным выключением // Тез.докл. Респ.науч.-техн.конф., посвящ. дню радио. Таллин, 1983. С.40-42.

9. Исследование процесса комбинированного выключения в быстродействующих тиристорах / С.В.Генералов, П.Г.Дерменжи, А.М.Ковров, В.Г.Пономарев, В.М.Рухамкин // Электротехн.пром-сть. Сер. Преобразоват. техника. 1983. Вып. 11(157). С.1-3.

10. Предельная dijdt -стойкость силовых быстродействующих тиристоров с усилительным управляющим электродом / П.Г.Дерменжи, А,М.Ковров, В.Д.Рудько, В.М.Рухамкин // Электротехн.пром-сть. Сер. Преобразоват. техника, 1984. Вып. 10(168). С.1-3.

11. Комбинированное выключение р-п-р-п структур круглой формы / П.Г.Дерменжи, А.М.Ковров, В.Г.Пономарев, В.М.Рухамкин // Радиотехника и электроника. 1985. Т.30. & 8. C.I663-I665.

12. Gate, assisted turn- off tkyristorg —new с о ftp onentg in power eEectrofli,<!$/ S.freneraiov, A. Kovro\/f К. Яу-Ша.^. Ru.lta.m-kLn?P Saks //5 th Power Electronics Conference, Budapest, 21-25 OkUer f9SS, Section 7, Paper 7.6. Budapest, W5. 3p.

13. Исследование методом вычислительного эксперимента процесса выключения КВТ / П.Г.Дерменжи, А.М,Ковров, В,Г.Пономарев, С.М.Шабанов, А.М.Шилов //Силовые полупроводниковые приборы: Сб.статей НИИ ПО "ТЭЗ им.М;И.Калинина". Таллин: Валгус, 1986.

С. 24-28.

14. Измерение скорости распространения включенного состояния в тиристорах типа ТБ-400 / А.Г.Круузинг, А.М.Ковров,

В.Е.Челноков, А.0.Хунт // Методы и аппаратура исследования и измерения силовых полупроводниковых приборов: Сб.статей НИИ ПО "ТЭЗ им.М. И.Калинина", Таллин: Валгус, 1986. С. 22-26.

15. Дерменжи П.Г., Ковров А.М., Свирин A.B. Эффективность процесса комбинированного выключения р-п-р-п структур прямоугольной и круглой формы // Технология силовых полупроводниковых приборов: Сб.статей НИИ ПО "ТЭЗ им,М.И.Калинина". Таллин: Валгус, 1986. С. 100-104.

1. Hubner K., Melehy M., Biesele H.L. Uniform Turn-On in Four-Lauer Diodes // HE Trans, on El. Dev. 1961. Vol. ED-8.1. No. 11. P. 461-464.

2. Mapham N. Overcoming Turn-On Effects in Controlled Silicon Sectifiers // Electronics. 1962. Bd. 35. S. 50-51«

3. Longini E.L., Melngailis J. Gated Turn-On of Foui>-Layer Switch // IEEE Trans, on El. Dev. 1963* Vol. ED-10. No. 3» P. 178-185.

4. Gerlach W. Thyristor mit Querfeld Emitter // Z. angew.Phys., 1965. Bd. 17. No.5. S. 396-400.

5. S, Ikeda S., Araki T. The Di/dt Capability of Thyristors // Proc. IEEE. 1967. Vol. 55. No.8. P. 1301-1305.

6. Расчет силовых полупроводниковых приборов / П.Г.Дерменжи,

7. B.А.Кузьмин, Н.Н.Крюкова, В.И.Мамонов; Под ред. В.А.Кузьмина. М.: Энергия, 1980. 184 о.: ил.

8. Грехов Й.В., Крюкова Н.Н. О включении тиристора с поперечным полем в эмиттере // Шз. и техн. полупроводников^ 1969. Т.З.1. C. 221-225.

9. Экспериментальные исследования включения тиристоров с регенеративным управлением / Г.А.Ашкинази, А.М.Ковров, В;Л.Кузьмин, В.М.Рухамкин, К.Я.Румма, Э.Т.Унт // Радиотехника и электроника. 1976. T.2I. * 4. G.907. Деп. в ВИНИТИ 24.11.75, Ш 3361-75. 10 с.

10. Арро И., Ашкинази Г., Румма К. Новая методика и аппаратура для исследования начального этапа процесса включения р-п-р-пструктур // Изв. АН ЭССР. Физика, Математика, 1972, Т.21.1. В 2. С. 169-173.

11. Ашкинази Г.А., Румма К. Я. Исследование начальной области включения в силовых тиристорах // Электротехн. пром-сть. Сер. Преобразоват.техника. 1975. Вып. 4(63). С. 3-5.

12. Ашкинази Г.А. , Румма К.Я. К вопросу формирования начальной области включения в тиристорных структурах большой площади// Физ. и техн. полупроводников. 1976. Т.10. J§ 3. С. 615.

13. Mapham IT. The rating of silicon-controlled rectifiers when switching into high currents // IEEE Trans. Communication and Electronics. 1964. Vol. 83. Ho. 9. P. 515-519.

14. Исследование процесса включения р-п-р-п структуры с помощью регистрации рекомбинационного излучения / Э.Ф.Бурцев, И.В.Грехов, Н.Н.Крюкова, В.Г.Сергеев // Физ, и техн.полу-проводников. 1969. Т.З. & II. С. 1638-1645.

15. Somos J#, Piccone D.E. Plasaa spread in high-power thyris-tors under dymanic and static conditions // IEEE Trans. Electron Devices. 1970. Yol. ED-17. No* 9» P. 680-687.

16. Дерменжи П.Т., Евсеев Ю.А. К вопросу о включении р-п-р-п структур большой площади током управления // Радиотехника и электроника. 1970. Т. 15. № 8. С. I478-I480.

17. Грехов Н.В., Сергеев В.Г. О распространении включенного состояния в р-п-р-п структуре // Физ. и техн. полупроводников. 1970. Т. 4. В 7. С. 1397-1399.

18. Грехов И;В., Левинштейн М.Ё., Сергеев В.Г. Исследование распространения включенного состояния вдоль р-п-р-п структуры// Физ. и техн. полупроводников. 1970. Т. 4. I II. C.2I49-2I56.

19. Грехов Й.В., Левинштейн М.Е., Сергеев В.Г. 0 механизме распространения включенного состояния в р-п-р-п структуре // Физ. и техн. полупроводников. 1972. Т. 6. Л 9. С. I829-I83I.

20. Неодномерные процессы в р-п-р-п структуре при включении током управления / Н.П.Молибог, А.Н.Невзоров, В.А.Злобин, Н.Н.Седов, В.Е.Челноков, Н.И.Якивчик // Радиотехника и электроника. 1973. Т. 18. Л 3. С. 605-616.

21. Ymasaki Н. Experimental observation of the lateral plasma propagation in a thyristor // IEEE Trans. Electron Devices« 1975. Vol. ED-22. P* 65-70.

22. Euhl H.J. Spreading velocity of the active area boundary in a thyristor // IEEE Trans, Electron Devices. 1970. Vol.1. ED—17. No. 9. P. 672-681.

23. Strack H. Experimentelle Untersuchung des Einflusses der Kurzischlussemitterdimensionierung auf Zündverhalten von Thyristoren // Simens Eorsch. u. Entwickl. 1976. B, 5. Ко. 1. S. 5.

24. Установление стационарного состояния при включении высоковольтных р-п-р-п структур большой площади / Э.Ф.Бурцев,

25. B.А.Злобин, В.А.1фзъмин, С.А.Колтунов, Ю.М.Локтаев, Е.К.0р-нат // Радиотехника и электроника. 1981. Т.26. № 6. С. 1328--1330.

26. Bergman G.D. The gate-triggered turn-on process in thyris-tors // Solid State Electronics. 1965. Vol. 8. P. 757-765.

27. Грехов И.В., Левинштейн M.E., Уваров А.И. Простая модель распространения включенного состояния вдоль р-п-р-п структуры // Физ. и техн. полупроводников. 1971. Т. 5. J£ 6.1. C. IIII-III5.

28. Дерменжи П.Г. Исследование неодномерных физических процессов при включении р-п-р-п структур большой площади по управляющему электроду: Дне. канд. физ.-мат.наук. М., ВЭИ им. В.И.Ленина, 1971.

29. Дерменжи П.Г., Евсеев Ю.А. Распространение включенного состояния в р-п-р-п структурах // Физ. и техн. полупроводников. 1973. Т. 7. В 2. С. 360-364.

30. Уваров А.И. Критический заряд включения тиристора // Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов: Сб.статей. Л.: Наука, 1969. С. I5I-I6I.

31. Уваров А.И. Условие включения тиристора посредством кратковременных токов управления // Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов: Сб.статей. Л.: Наука, 1969. С. 194-201.

32. Hauser J.E. IEEE Trans. Electron Dev. ED-11. 238 (1964).

33. Исследование причин отказов тиристоров при работе в импульсном режиме / Ш.Д.Бурханов, А.М.Баширов, В.В.Гаршенин и др. // Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. М.: Связь, 1970. Вып. 6. С. 145-157.

34. Jsephs Н.С. Analysis of Second Breakdown on Transistors Using a Simple Model // IEEE Trans. Electron Devices. 1966. Vol. 13. No. 11. P. 778-787.

35. Кордингли Б.В. Аккустический метод изучения процесса включения тиристора и di/dt- стойкости // ТИИЭР. 1970. Т. 58. № 2. С. 87-88.

36. Cordingley B.Y. Improving tbe Tum-on Performance of Higb. Power Thyristars // J. of Sciense and Techn. 1971. Vol.38. Жо. 1. P. 2-7.

37. Бардин B.M, Надежность силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1978. 96 е.: ил.45. JEDES. SS-397. 1972.46# Ikeda A. et aj. The current pulse ratings of thyristors // IEEE Trans. Electr. Dev. 1970. Vol. 17. Ho. 9. P. 690.

38. Piccone D., Somos I. Accelerated life tests for determining the life expectancy of a thyristor due to di/dt failure // IEEE Conf. See. 7 th Ann.Meet, Ind. Appl. Soc. 1972. New York. H.Y., 1972. P. 469.

39. Somos I. Current Conditions for Meaningful di/dt Test // World Electrotechnical Congress. Moscow, June 21-25, 1977. Section 5A. Paper 50# M., 1977* 8 p.

40. Долгих В.А. и др. Контроль стойкости тиристоров к процессу включения // Электронная техника. Сер. 4. Электровак. и газоразр. приборы. 1979. Вып. 5. С. 59-65.

41. Ашкинази Г.А. Исследование быстродействия диффузионных р-п-р-п структур большой площади и разработка силовых высокочастотных тиристоров: Дис. . канд. техн. наук. М., ВЭИ им. В.И.Ленина, 1968.

42. Грей Д. Кремниевый управляемый вентиль повышенной надежности // Электроника (пер. с англ.). 1968. № 20. С. 25-30.

43. Грей Д. Тиристоры с регенеративным управляющим электродом // Электроника. 1971. № 10. С. 572-578.

44. Sentry , Moyson^J. The amplifying gatetbyristors // 1Ж&-PGED Meeting in Washington D.C. Oct. 1967. Paper 19.1.

45. Кузьмин В.Л., Рухамкин В.М., Тоомла O.K. Силовые быстродействующие тиристоры с высокими коммутационными и нагрузочными характеристиками // Электротехника. 1984. № 3. С. 2-5.

46. Voss P. The turn-on of thyristors with internal gate current amplification // IEEE IAS Meeting Power Semiconductor Com* aitее. Oct. 1974. Pittsburg Ea., USA.

47. A.Kovrov, V.Euhamkin, К.Ешата // 3rd Power Conference. Budapest, Okt. 1977. Section 5. Paper 5.1. Budapest,1977. 11 p.

48. Особенности различных схем внутреннего усиления тока управления в мощных тиристорах / С.В.Генералов, А.М.Ковров,

49. B.М.Рухамкин, Н.И.Якивчик // Электротехн.пром-сть. Сер. Преобразоват. техника. 1979. Вып. 8(115). С. 3-6.

50. Лабунцов В.А., Тутов Н.М. Динамические режимы эксплуатации мощных тиристоров. М.: Энергия. 1977. 192 е.: ил.

51. Чесноков Ю.А. Неоднозначность переходного теплового импеданса мощных высоковольтных тиристоров // Силовые полупроводниковые приборы и преобразовательные устройства: Сб.статей. Саранск* 1980. С. 75-81.

52. Глушков Е.Ф., Кузьмин А.И. Переходные вольтамперные характеристики распространения включенного состояния силовыхтиристоров и их нагрузочная способность // Электротехн. пром-сть. Сер. Преобразоват. техника. 1981. Вып. 8(136). С. 7-8.

53. Крогерис А.Ф., Рашевиц К.К., Шинка Я.К. Экспериментальное исследование динамических вольтамперных характеристик включающегося тиристора // Изв. АН Латв.ССР. Сер. Физич. и техн. наук. 1980. 15, С. 86-94.

54. Крогерис А.Ф., Рашевиц К.К., Шинка Я.К. Упрощенная модель расчета динамических вольтамперных характеристик включения тиристора // Изв. АН Латв.ССР. Сер. Физич. и техн. наук.1980. Л 2. С. 84-92.

55. Синегуб Г.А. Исследование надежности силовых тиристоров и разработка методов отбраковки потенциально ненадежных приборов: Дис. канд. техн. наук. М., ВЭИ им. В.И.Ленина,1981.

56. Грехов И,В., Коротков C.B., Яковчук H.C. Исследование мощных быстродействующих тиристоров в нетиповых импульсных режимах // Электротехника. № I. 1985. С. 16-18.

57. Исследование высоковольтных импульсных тиристоров / Д.В.Андреев, Э.Ф.Бурцев, А.Н.Думаневич, Ю.А.Евсеев // Электротехн. пром-сть. Сер. Преобразоват. техника. 1983. Вып. 12(158).1. С. 1-4.

58. Экспериментальные исследования импульсных режимов работы высоковольтных частотных тиристоров: Отчет о НИР / Ленинградских политехнический институт им. М.И.Калинина; К.Н.Ва-серина, В.П.Лунин, В.П.Ананьев. Инв. Ш 0284.0054819. Ленинград, 1983. 68 е.: ил.

59. Грехов И.В. Состояние и перспективы развития сильноточной электроники на основе кремния // Полупроводниковые гетеро-структуры: Материалы У Все союз , координационного совещания

60. АН СССР. Таллин, 1979. С. 16-19.

61. Четырехслойные полупроводниковые приборы / Ф.Джентри, Ф.Гутцвиллер, Н.Голоньяк, Э. фон Застров; Пер. под ред. Туркевича В.М. М.: Мир, 1967. 456 е.: ил.

62. Кузьмин В.А., Сенаторов К.Я. Четырехслойные полупроводниковые приборы. М.: Энергия, 1967.

63. Кузьмин В.А. Тиристоры малой и средней мощности. М.: Советское радио. 1971. 184 е.: ил.

64. Челноков В.Е., Евсеев Ю.А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия. 1973. 280 с.: ил.

65. High-voltage high-power gate-assisted turn-off thyristor for high fregnency use / I.Shimizu, H.Oka, S.Funakawa, 6.Gamo, Т. Tida, A.Kawakami // IEEE Trans. Electron Devices. 1976. Vol. 23. No. 8* P. 883-887.

66. Быстродействующий прибор ключевого типа комбинированно-выключаемый тиристор / Р.Э.Аязян, О.Г.Булатов, Й.В.Грехов,

67. B.А.Лабунцов, И.А.Линийчук, С.В.Одынь, А.И.Паламарчук,

68. C.В.Шендерей // Электричество. 1977. Ш 10. С. 82-84.

69. Herlet A., Voss P. State of the art in power semiconductor devices // Conf. Sec. Pap. IEEE/IAS Int. Semicond. Power Convert. Conf. Lake Buena Viste, FLA, 1977. Kew York. H.Y., 1977. P. 7-24.

70. Тучкевич B.M. Перспективы развития мощных высоковольтных тиристоров и некоторые новые приборы для сильноточной электроники // Всемирн. электротехн. конгресс. Москва, 21-25 июня; 1977* Секц. 5А. № 41. М., 1977.

71. Булатов О.Г., Грехов И.В., Линийчук И.А. Комбинированно-выключаемый тиристор // Электротехникам 1978. Л 6. 0. 19-22.

72. Дерменжи П.Г. Переходный процесс в тиристорах при их выключении комбинированным способом // Радиотехника и электроника. 1983. Т. 28. № I. С. 173-180.

73. Грехов И.В., Горбатюк A.B., Костина JT.C. 0 возможности повышения быстродействия мощных тиристоров при их выключении // Радиотехника и электроника. 1979. Т. 24. № 3. С. 606-614.

74. Рабкин П.Б. Моделирование переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах: Дис. канд. техн. наук. I., ФТИ им. А.Ф^Иоффе АН СССР, 1984.92» Самарский A.A. Вычислительный эксперимент в задачах технологии // Вестник АН СССР, 1984. № 3. С. 77-88.

75. Earl S.Schlegel and Derrick J. Page. Gate assisted turn-off thyristor with cathode shunts and dynamic gate // Int. Electron Dev. Meet., Washington D.C., 1976, Techn. dlg.,

76. Kew York, 1976. P. 487-490.

77. Сакс П.Г. Быстродействующий тиристор с комбинированным выключением: Автореф. дис. канд. техн. наук. М,, МЭИ, 1984.

78. Ginshach К.-Н. und Silber D. Thxristoren-Schlüsselhauele-mente der Energietechnik // Elektrische Energ. Technik. 1978. B. 23- Ко. 2. 8 . 48-51.

79. Thyristoren: Lieferprogramm 1977 / AEG-Telefunken. Glöckner K. und Fiillmann M. Steuerstromverstärkung in Thyristoren mit Querfeldemitter // Elektrotechn. Z. 1978.1. Bd. 30. Ко. 12.

80. Silicon Thyristors. Fast Thyristors > 30 A: Data Book 1979/80/Siemens.

81. Frequenz-Thyristoren: Lieferprogramm 1981 / AEG-Tele-funken.

82. Тиристор ГАТТ для частоты 15 кГц: Информационный лист / ЧКД Прага. 1982.

83. Тиристоры быстродействующие комбинированно-выключаемые типов TEKI7I-I25, TEKI7I-I60: Отраслевой каталог №

84. II.14.5 / Информэлектро. 1985.

85. Ковров А.М;, Руша К.Я., Рухамкин В.М. Динамика образования начальной области включения в мощных тиристорах // Изв.

86. АН ЭССР. Физика. Математика. 1981. Т. 30. & I. С. 47-51.

87. Румма К.Я. Разработка методов, аппаратуры и исследование неодномерных электрофизических процессов в силовых кремниевых полупроводниковых приборах путем регистрации рекомбина-ционного излучения: Дис. канд. техн. наук. М., ВЭИ имени1. B.И.Ленина, 1980.

88. Исследование высоковольтных импульсных тиристоров / Д.В.Андреев, Э.Ф.Бурцев, А^Н.Думаневич, Ю.А.Евсеев, В.А.Иванов, Ю;А.Кондаков // Электротехн. пром-сть. Сер. Преобразоват. техника. 1983. Вып. 12(158). С. 1-4.

89. Особенности включения тиристоров с разветвленным электродом управления / П.Г.Дерменжи, В.В.Шмелев, М.Ю.Лебедев,

90. Н.Г.Пономарева // Электротехн.пром-сть. Сер. Преобразоват. техника. 1979. Вып. 4(111). С. 1-4.

91. Ковров A.M., Рухамкин В.М., Якивчик Н.И. Учет сопротивления металлизации управляющих электродов при проектировании мощных тиристоров // Электротехн, пром-сть. Сер. Преобра-| зоват, техника. 1980. ВЫп. 4(123). С. II-I2.

92. НО. Мейнке X. и Гундлах Ф. Радиотехнический справочник. Т. I. Госэнергоиздат, I960.

93. Hit Калантаров П.Л., Цейтлин Л.А. Расчет индуктивностей. Л. : Энергия, 1970, С. I07-II3.

94. Грехов И.В., Линийчук И.А. Тиристоры, выключаемые током управления. I.: Энергоиздат, 1982.

95. Тоомсалу Т.А. Итеративная графическая система проектирования фотошаблонов СПП // Итеративная технология в САПР: Тез. докл. 17 Всесоюз. совещания по автоматизации проектирования электротехнических устройств. Таллин, 1981.

96. Кузьмин В.Л, Математические модели силовых быстродействующих тиристоров для автоматизированного проектирования // Электротехника. 1978. Л 7, С. 2-5.

97. Градштейн И.С., Рыжик й.М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений, М,: Госиздат физ. мат. лит-ры, 1963.

98. Система разделения времени ЕС ЭВМ: Справочное пособие. М.: Финансы и статистика, 1982.

99. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: Наука, 1970.

100. Григоренко В.П., Кузьмин В.Л., Базанов О.В. Автоматизация расчета силовых полупроводниковых приборов // Электротехника. 1984. В 7. С. 29-32.

101. Зумберов В.В., Ханстин Р.В., Юрченко Ю.Н. Усовершенствование диффузионных процессов для снижения разброса параметров тиристоров // Электротехн. пром-сть. Сер. Преобразоват. техника. 1978. Вып. 4(99). С. 3-4.

102. Смирнов В.И., Курцин В.М., Емельянов А.Л. Получение омических контактов методом электронно-лучевого напыления алюминия // Электротехн. пром-сть. Сер. Преобразоват. техника. 1979. Вып. 7(114). С. 5-6.

103. Ковнер В.И., Агаларзаде П.С. Струйное травление фаски силовых полупроводниковых приборов Электротехн. пром-сть. Озр. Преобразовать, техника. 1979. Вып. 1(108). С. 3-4.

104. Мальшев В.А. Измерение удельного сопротивления полупроводниковых материалов методом сопротивления растекания // Обзоры по электронной технике. 1974. Вып. 6(204).

105. Настоящий акт составлен в том, что на Ш "ТЭЗ гм. М.И.Калинина*' осуществлено шедрение результатов диссертационной работы Коврова А.М., заключающихся в:

106. Разработке быстродействующего кшбинированно-выключаемого тиристора типа ТЕК171, а также модели и комплекса программ рае* чета времени выключения тиристора в комбинированном режиме;

107. Разработке рекомендаций по конструкции и технологии мощных быстродействующих тиристоров единой унифицированной серш штыревого и таблеточного исполнения.

108. Суммарный экономический эффект от внедрения результатов диссертационной работы Коврова А.М. составляет в Х985 г. 22,6 тыс.руб и в 1986 г, 3X3,7 тыс.руб.

109. Начальник СШБ, к.т.н. Главный конструктор СП1. Начальник1. О.К.Тошла З^Н.Полшевская