автореферат диссертации по приборостроению, метрологии и информационно-измерительным приборам и системам, 05.11.14, диссертация на тему:Исследование и разработка метода ионно-плазменного распыления с напряжением смещения для получения высококачественных оптических покрытий

с,о

С?) О'З

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ Всероссийский научный центр " Государственны* оптически* институт им. С.И.Вавилова "

КН

Ю

На правах рукописи

МИХАЙЛОВ Анатолий Васильевич

ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА МЕТОДА И0НН0-ПЛАЗМЕНН0Г0 РАСПЫЛЕНИЯ С НАПРЯЖЕНИЕМ СМЕЩЕНИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННЫХ ОПТИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ

05.II.14 - технология приборостроения

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание учено* стегани кандидата технических наук

Санкт-Петербург - 1996

Работа выполнена в Научно-исследовательском институте физической оптики и оптики лазеров, информационных оптических систем Всероссийского научного центра " Государственных оптически! институт им.-С.И.Вавилова "

Научный руководитель

доктор технических наук профессор А.Ф.Перввев

Официальные оппоненты

доктор технических наук профессор З.С.Путилин

Ведущая организация

кандидат химических наук З.В.Широкшина

НПО " Геофизика "

Ьавдта состоится " 1996 г.

в 17 — часов на заседании специализированного совета К 105.01.03 во Всероссийском научном центре " Государственный оптический институт им.С.И.Вавилова 11

по адресу : 199034, Санкт-Летербург, В.О.,Биржевая линия д.12

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке института. Автореферат разослан » » ээб г.

Ученый секретарь специализированного Совета, кандидат химических наук

Л.А.Черезова

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Одним из наиболее перспективных направлений в оптической технологии, обеспечивающих создание внсоко -точных оптических элементов, является ионно-плазменный метод получения на поверхности деталей тонкослойных оптических покрытий. Особый интервс представляет способ нанесения оптических покрытий высокочастотным распылением со смещением напряжения. Суть метода в том, что в процессе ВЧ распыления материала на подложку подается некоторый потенциал в результате чего у её поверхности создается Ленгыюровскоэ темное пространства, в котором ионы плазмы ускоряются и бомбардируют подложку. Энергия ионов изменяется при изменении напряжения, приложенного к подложке, таким образом можно регулировать интенсивность ионной бомбардировки и подобрать режим нанесения пленки, обеспечивающий получение высококачественных покрытий, обладающих свойствами, близки -ми к свойствам материала в объеме.

До настоящего времени метод нанесения тонких пленок ВЧ-распы-лением с напряжением смещения использовался, главным образом , для повышения скорости напыления, степени чистоты и адгезии ме -таллических пленок к подложке. Причем потенциал, приложенный к подложке, не превышал 200 эВ, что составляло менее 20% от напряжения на мишени и не оказывало существенного влияния на физико-химические характеристики металлических покрытий. В этой связи представлялось интересным исследовать влияние величины напряжения смещения более 200 эВ на свойства диэлектрических покрытий из тугоплавких окислов. Предполагалось, что оксидные слои, получа -емые ВЧ распылением с напряжением смещения, будут обладать свойствами олизкими к свойствам монолита, что позволит использовать оксидные покрытия для защиты оптических деталей из химически нестойких стекол ( ТФ, ОФ, ФК, СТК и др.), а также для повышения поверхностной лучевой стойкости деталей из кварца в лазерных системах ИК диапазона ( 2,7 - 3,0 мкм ).

Таким образом, создание надежного технологического метода получения высококачественных оптических покрытий различного назначения является актуальной задачей.

Цель работы.

I. Исследование процесса ионно-плазменного нанесения диэлектри -ческих пленок с напряжением смещения, в том числе на детали слож-

ной конфигурации, величина которого варьируется от 20 до 90% о® величины напряжения на распыляемой шиш ни. Создание соответствующего оборудования для реализации данного процесса. 2. Исследование оптических и физ ико-хинич е ск их свойств полученных покрытий и возможности их использования для защиты нестойких оптических стекол, для создания плотных беспористых покрытий для лазерной техники, в тон числе работающих в области 2,7-3,0 шш. Научная новизна работы состоит в следующей:

1. Впервые проведено систематическое исследование процесса нанесения диэлектрических покрытий методой £4 распыления с напряжением смещения на оптические детали, в той числе сложной конфигурации.

2. Разработано оборудование для нааесения оксидных покрытий на

дехали любой конфигурации и толщины на базе £4 электрода смеще -ния. Разработка защищена авторским свидетельством.

3. На базе ВЧ электрода смещения разработана конструкция специ -ального электрода для ионной обработки подложек и покрытии. Электрод может использоваться в любой вакуумной установке для освежения и активации поверхности стекла при нанесении защитных покрытий в едином технологическом цикле.

4. Получены пленки окислов II , 1а , А£ , показатель преломления которых практически равен показателю преломления испаряемого материала, обладающие высокой механической прочностью, химической стойкостью, пригодные для защиты нестойких оптических стекол разных марок.

5. Показана возможность использования полученных ионно-плазменным методом с напряжением смещения покрытий в лазерной технике, в частности, на основе пленок Та205 для лазеров, работающих в спектральной диапазоне 2,7 - 3,0 шеи.

Практическая значимость работы. Полученные в диссертации результаты позволили расширить воз -можности оптической технологии в плане нанесения оптических пленок высокого качества, свойства которых близки к свойствам мате -риала в обьёме.

Показана принципиальная возможность повышения химической ус -тойчивости силикатных ( ТФ-8, ТФ-Ю ), борно-свинцовых ( ОФ-3, ОФ-4, ОФ-5 ) и борно-лантановых ( СТК-3 ) стекол, относящихся к 1У - У1 группам химической устойчивости, по отношению к влажной атмосфере и пятнающим агентам, за счет совмещения ионной обрабог-

ки поверхности с последующим нанесением на них практически беспористых оксидов тугоплавких металлов.

Разработанн оборудование и технология получения оксидных покрытий, отличающихся высокими оптическими, механическими, хими -ческими свойствами и лучевой прочностью.

Получены беспористые покрытия для использования в элементах лазерных систем, работающих в спектральном диапазоне поглощения водм ( 2,7 - 3,0 мкм).

Отдельные результаты диссертационной работы использованы при проведении НИР и воили в научные отчеты, а также внедрены на УОМЗе (г.Екатериноург ), НПО "Геофизика" ( г.Москва ), в НИИ "Технического стекла" ( г.Москва ), использованы на ОПОП и в лаборатории ВНЦ "ГОИ им.С.И.Вавилова". Внедрение разработок подтверждено актами внедрения.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Исследование и разработка способа нанесения оптических покры -тий ВЧ распылением со смещением напряжения. Создание оборудова -ния для реализации разработанного способа нанесения покрытий.

2. Разработка специального устройства для нанесения оптических покрытий на детали сложной конфигурации ВЧ распылением со смеще -нием напряжения.

3. Исследование свойств тонких пленок окислов, полученных разработанным методом и возможность их практического использования для защиты нестойких оптических стекол.

Создание беспориетнх оптических покрытий на основе окислов Т с- , Та и других для лазервых систем,работающих в спек-

тральном диапазоне 2,7 - 3,0 мкм.

Личный вклад автора в представленную работу выразился :

- в проведении экспериментальных исследований,связанных с разработкой оборудования и технологии получения пленок окислов ВЧ распылением со смещением напряжения;

- в проведении подробного теоретичсо: .н и и экспериментального исследования оптических и физико-химических свойств полученных пленок окислов ;

г в анализе и ингерпритации полученных результатов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на Всесоюзном семинаре "Исследование условий получения и физических свойств тонких пленок" ( Киев, 1976 ), И Всесоюзной конфе -ренции "Оптика лазеров" ( Ленинград, 1983 ), отраслевых семинарах

"Ионная обработка оптических материалов, применяемых £ квантовой электронике" ( Москва, 1979, 1983 ), "Состояние и перспективы развития исследований и разработок в области оптических покрытий" ( Казань, 1981 ), "Прогрессивная технология-обработки нестойких стекол, кристаллов и керамики" ( Москва, 1984 ), 11 Технология изготовления прецизионных оптических элементов" ( Москва, 19§б, 1989 ) ( Санкт-Петербург, 1996 ).

Публикации, но материалам диссертации опубликовано 18 печатных работ, получено I авторское свидетельство на .изобретение.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, трех глав,заключения, списка литературы и приложения. Основной материал изложен на /38 страницах, включая рисунков, & таблиц и списка литературы из на-

именований. В приложении представлены акты о внедрении и протокол испытаний.

КРАТКОЕ С0ДЕР1АНИК РАБОТЫ

Бо введении обосновывается актуальность темы диссертации, сформулированы цель, задачи, новизна исследований, кратко изложено основное содержание каждого раздела диссертации.

В первой главе , имеющей обзорный характер, проведен анализ отечественных и зарубежных литературных источников, посвященных способам получения оптических.покрытий, используемых для защиты нестойких оптических стекол. Проведена оценка влияния различных факторов на химическую стойкость оптических стекол. Подробно рассмотрены химические и физические методы защиты поверхности нестойких стекол. Рассмотрены теоретические основы и особенности метода ВЧ распыления диэлектрических оптических материалов , в тон числе с напряжением смещения.

Анализ литературных данных показал, что наиболее перепек -тивным является метод получения оптических покрытий ВЧ распыле -нием со смещением напряжения. Метод состоит в том, что в процессе ВЧ распыления на подложку подается некоторый потенциал, создающий над её поверхностью тёмное катодное пространство, в котором ионы плазмы ускоряются и бомбардируют подложку и, соответственно , растущую на ней в результате ВЧ распыления мишени пленку. Однако, все сведения, имеющиеся в литературе, говорят о том, что исполь -

зуемая величина напряжения сиецения составляет не оолее 200 эВ, что менее 20/6 от величины напряжения, подаваемого на распыляемую мишень, и используется, в основном, для повышения адгезии пленки к подложке и увеличения скорости осаждения. Следует отметить, что все данные в литературе относятся, в основном, к получению металлических пленок и вопрос нанесения диэлектрических покрытий на диэлектрические материалы изучен недостаточно. Более того , сведения об использовании напряжения смещения, величина которого более 200 зВ отсутствуют. В связи с этим представляло значительна интерес исследовать влияние величина напряжения смещения на свойства получаемых пленок окислов и использовать его для получения высококачественных оптических покрытий, свойства которых близки к свойствам материала в объема.

Во второй главе представлены методы исследования поверх -ности оптических материалов, оптических и эксплуатационных ха -рактеристик тонких пленок. Подробно рассмотрен эллипсометрический метод исследования поверхности оптических материалов после раз -личных видов обработки, а также для оценки толщины и показателя преломления наносимых тонких слоев. Метод позволяет наблюдать изменения толщины пленок до 0,07 I и, соответственно, вычислять значения показателя преломления и показателя поглощения слоев с достаточно высокой точностью.

Для определения П. и с/ прозрачных планок применялся спектрофотометрический метод, основанный на анализе спектральных зависимостей коэффициентов отражения ( пропускания ) системы прозрачная пленка на прозрачной подложке. Точность оценки коэффициентов отражения ( пропускания ) составляет 0,5 - 1,0 %.

При исследовании оптических постоянных поглощающих пленок ( для К ^ 0,02 ) применялся метод Валеева, основанный на изучении спектральной зависимости коэффициента пропускания пленки на прозрачной подложке.

Исследовалась микропористость тонких пленок, полученных в работе, методом МнПВО, для чего использовалась специально разработанная кювета, позволяющая проводить исследование влагосодер -жанщ пленок толщиной более 50 нм с точностью ± 1055 .

Механическая прочность и влагостойкость пленок оценивались по стандартным методикам.

В этой же главе подробно рассмотрен процесс БЧ распыления со смещением напряжения. Изучено влияние величины приложенного

к подложке потенциала смещения на процесс осаждения пленок окислов на детали из стекла, как плоские, так и сложной конфигурации В связи с этим была решена сложная задача подачи потенциала смещения на неплоские диэлектрические детали ( призмы, линзы и т.д.. На рис. I приведена схема установки для ВЧ распыления со смещением напряжения на детали сложной конфигурации, важнейший элементом данной схемы является сеточный электрод-смещения. Оптимальной конструкцией электрода является металлическая сетка,состав -ленная из металлических пластин шириной 4 мм, толщиной 0,5 мм , расстояние между пластинами 3 мы.

13

'50 А

КГ

4=5

о

откачка

к Вч генератору

Рис. I Схема вакуумной камеры установки ЭВ-156 I - вакуумная камера, г - катушки Гельмгольца, 3 - мишень из распыляемого материала, 4 - анод системы поджига, 5 - ВЧ сеточный электрод-смещения, 6 - обрабатываемая деталь, 7 - держатель деталей, 8 - спираль катода системы поджига.

Пластины электрода-смещения должны быть выполнены из того же материала, что и материал распыляемой мишени. Эффективность ра -боты такого электрода- смещения не зависит от напряжения в пре -делах 1,0 - 7,0 кВ, плотности тока I - 4 мА / см2, массы ионов от ¿0 до 130 ат.единиц.

Изучено влияние различных факгиров на скорость осаждения пленок ВЧ распылением с напряжением смещения. В результате соз -дан новый метод получения тонких беспористых пленок - реактивное ВЧ распыление со смещением напряжения.

Рассмотрены вопросы подготовки поверхности оптических дета -лей перед нанесением покрытий с помощью ионной обработки. Уста -новлано, что при ионной бомбардировке стекла с энергией 0,5 -6,0 каВ качество исходной полированной поверхности сохраняется. На поверхности стекла ( в отличие от химического травления ) не образуется новых дефектов даже при сьеме поверхностного слоя глубиной до 20 мкм. Ионная обработка поверхности оптических материалов перед нанесением покрытий является эффективным способом повышения ка -чества получаемых покрытий как при нанесении защитных слоев, так и слоев специального назначения, и является необходимой составной частью технологического процесса.

В третьей главе приведены результаты исследования свойств пленок окислов, полученных реактивным ВЧ распылением с напряжением смещения. В работе били получены и исследованы пленки тугоплавких окислов Т I , Та , АЕ , .

Установлено, что подача на подлояку ВЧ напряжения смещения приводит к значительно^ росту скорости напыления пленок. Это объясняется тем, что подложки в процессе образования пленки направлено бомбардируются ионами кислорода, что повышает вероятность попадания на подложку и атомов металла. Кроме того, иони кисло -рода, интенсивно бомбардирующие подложку, усиливают окислений осаждаемой пленки, что позволяет получать пленки окислов стехи-ометрического состава с оптическими свойствами, близкими к оптическим свойствам материала в массе. Увеличение скорости осаждения пленок при ВЧ распылении с применением смещающего напряжения ха -рактерно для всех полученных слоев окислов. Однако, степень ува -личения скорости напыления для разных слоев окислов неодинакова, что, вероятно, связано с различной распылительной способностью материалов, используемых в качестве мишеней, а также со скоростью окисления и прочностью связи слоя с подложкой при бомбардировке

ионами ионизированного газа, ил«дувг сказать, что рост скорост

осаждения наблюдается лишь до определенного значения смещающего напряжения ( не болев 0,4 Усы /у ), затем скорость незначительно понижается, что связано с распылением осаждаемой пленки бомбардирующими ионами.

В таблице I приведены данные о свойствах пленок Т и 02 , Та205 , А&2°3 °2 ювдиной 0,2 - 0,22 мкм , полученные при различных значениях напряжения смещения. Воздействие напряжения смещения Vcм на оптические свойства и скорость осажде ния пленок исследовались при ]/0 = 1,6 - 1,8 кВ, Р = 3*4. 10 тор , где ]/0 - напряжение на мишени.

На рис. 2 представлены значения оптических постоянных пленки Т^02 полученной при Ы- 1,8 кВ, \/сц / у » 0,6 , Р = 4.10""^ тор , которые близки к оптическим постоянным рутила П и к пленок Т с 02 не зависят от их толщины в диапазоне о| = 0,7 - 2,2 мкм.

Рис. 2 Зависимость /1(1) и А ( 2 ) пленок Ть02 от длины волны.

Полученные пленки окислов характеризуются малым светорассе янием, что свидетельствует об их оптической однородности, отсут ствием поглощения в видимой и ближней ИК областях спектра, хоре

Таблица I

ч Показатель преломления ! Скорость осаждения ГЬ | £ / ИИН. - ! Рассеяние ! | %

по2 Та205 &его5 ТсОг Та205 А£а03 Т1 о2 Та205 иг 03 ¿¿02

0 2,46 2,03 1,72 1,44 18 50 60 180 0,30 0,05 0,08 0,02

0,г0 2,50 2,04 1,73 1,45 80 180 ПО 250 0,30 0,04 0,08 0,02

0,30 г ,57 2,04 1,74 1,46 ПО 250 180 400 0,35 0,03 0,07 0,03

0,35 2,58 2,06 1,74 1,46 120 470 190 350 0,37 0,03 0,06 0,03

0,40 2,60 2,04 1,74 1,46 130 440 170 320 0,40 0,03 0,06 0,03

0,45 2,63 2,02 1,7ч - 120 400 145 - 0,30 0,05 0,05 -

0,60 2,63 2,02 1,73 - НО 370 120 - 0,12 0,05 0,06 -

0,80 2,60 2,02 1,73 — 100 350 100 — 0,04 0,05 0,06 —

шей адгезией к подложке и могут оыгь использованы при создании оптических систем. Для всех полученных и исследованных пленок микропористость не была обнаружена.

Полученные пленки были использованы для защити- поверхности нестойких стекол от действия влажной атмосферы. Установлено, что при ионной бомбардировке ионами кислорода не происходит потемнения подложек из свинцовосодержащих стакол, так как интенсивная бомбардировка ионами рабочего гааа ( кислорода ) препятствует восстановлению свинца из окислов, содержащихся в стекле.

Были получены защитные пленки окислов Та , II , на деталях из стекол марки ФК, ОФ, ТК, СТК . Напыление защитных пленок осуществлялось как на установке ВЧ-2, так и на установке ЭВ - 156 , Использовались как свежеполированные образцы, так и образцы с различным сроком хранения в эксикаторе ( до 2-х лет ) и хранении при комнатной температуре в условиях нормальной влажности ( до I года ,).

Были проведены исследования по определению величины дефектного слоя, образовавшегося под воздействием влажной среды, в зависимости от срока хранения нестойких стекол, а также влиянию его на защитные свойства напыленных пленок. Показано, что даже свеже полированные образцы (3-5 часов после полировки ) имеют дефектный слой 700 - 1000 &, который оказывает достаточно сильное влияние на адгезию пленки к подложке и снижает её защитные свойства. Величина этого дефектного слоя зависит от состава стек ла, методики его полирования и условий окружающей среды.

Нанесение планок окислов на детали, утратившие свою прозрач ность из-за длительного хранения, осуществлялось после предварительного освежения поверхности детали ионной бомбардировкой в той же вакуумной камере. Установлено, что можно восстановить качество поверхности детали с различным сроком их хранения после механической обработки, если глубина разрушенного слоя не превышает 0,3 мкм.

Детали, защищенные пленкой АВ^О^ и Т, нанесенной на ионно-полировавные даверхности выдержали не более 21 дня испытаний в эксикаторе при 1= 25°С и 98$ относительной влажности, на образцах с защитной пленкой¿02 следы разрушения начинают появляться через 30-75 дней испытаний. Наилучшими защитными свойствами обладают пленки Та£05 , нанесенные на ионно-полирован ные поверхности нестойких стекол. Детали с защитным слоем Т^О^

выдержали испытания в сечение 3-10 месяцев. Наименьшая толщина защитной пленки должна быть не менее 700-800 £ .

В работе был предложен и реализован метод получения много -слойных защитных просветляющих покрытий, где первым слоем явля -лась пленка, полученная ВЧ распылением со смещением напряжения, нанесенная на ионно-полированную поверхность. Затем с учетом !Ъ и с! , полученной пленки проводился расчет защитного просветляющего покрытия, которое наносилось ЭЛИ или химическим методом из растворов.

На основе первого защитного слоя можно создавать любые просветляющие, ахроматические или лазерные покрытия на нестойких материалах, обеспечивая их высокие эксплуатационные качества.

С целью использования полученных по1фытий для элементов лазеров и приборов с применением лазеров было проведено исследование их лучевой прочности, а таблице с представлены результаты измерений лучевой прочности пленок Та205 толщиной 1100 8 (/!.= 2,06 ), полученные при различных напряжениях смещения ("чГ = 30 - 40 нсек ) на подложках из стекла л-8, обраоотанного по методу ГШП.

Таблица 2

\4м /V Лучевая 0 луча

прочность мм

0 0,17 0,8

0,2 0,30 II

0,25 0,40 п

0,3 0,55 н

0,35 0,57 н

0,4 0,55 11

Как отмечалось ранее, окисные пленки, полученные ВЧ распы -лением со смещением напряжения обладают высокой плотностью и полным отсутствием пор, показатель преломления пленок практически равен показателю преломления испаряемого материала. Это открывает возможность применения таких пленок в качестве тонкослойных систем для лазеров, работающих на спектральном диапазоне погло -щения воды ( 2,7 - .5,0 мкм ).

Было проведено исследование оораздов из кварца с пленкой Та205 толщиной 1000 - 2000 Я (/г = 2,06 ), нанесенной ВЧ распылением с напряжением смещения на ионно-полированные поверхности. В качестве эталона использовалось глухое медное зеркало на кварцевой подложке. Установлено, что покрытия Т&^О^ нанесенные на ионно-полированные поверхности ВЧ распылением с напряжением смещения по своей лучевой прочности превосходят медные покрытия более чем в три раза, что показывает перспективность применения пленок окислов, полученных разработанным методом, для создания интерференционных зеркал, делителей излучения, просветляющих покрытий для лазеров, работающих в диапазоне 2,7 - 3,0 мкм.

ВЫВОДЫ

1. Исследован процесс ВЧ распыления со смещением напряжения для получения пленок окислов на поверхности диэлектриков. Показана перспективность использования полученных пленок для создания оптических систем различного назначения.

2. Впервые исследовано влияние величины напряжения смещения подаваемого на подложку в процессе нанесения пленок, на оптические и эксплуатационные свойства пленок, получаемых ВЧ распылением с напряжением смещения. Установлено, что при высоких значениях напряжения смещения\см. / V 0,5 моано получить пленки со свойствами идентичными свойствам материала в массе.

3. Определена величина дефектного слоя, образующегося после механической полировки для стойких и нестойких оптических стекол, которую необходимо удалить ионной обработкой для получения качественных покрытий. Для стойких оптических материалов она составляет 0,02-0,1 ыкм. Для нестойких оптических стекол удалось восстановить качество полированной поверхности, если величина дефектного слоя не превышала 0,3 мкм.

Установлено, что толщина ¡защитной пленки на поверхноси нестойких оптических стекол должна быть не менее 700-800 £ .

5. Полученные пленки окислов Та , т1 , кЬ можно ис -пользовать для защиты нестойких оптических материалов. Наилучшими защитными свойствами обладают пленки Та^О^ нанесенные на ионш полированные поверхности.

6. Выяснено, что повышение величины напряжения смещения до величины Уем / V - при нанесении пленок Та205 позволяет

увеличить лучевую прочность покрытий в 3 раза.

7. Установлена перспективность применения пленок окислов, получаемых ВЧ распылением с напряжением смещения для создания оптических покрытий, используемых в элементах лазеров, работающих в диапазоне 2,7 - 3,0 мкм.

8. Разработано оборудование для реализации метода ВЧ распыления со смещением напряжения для получения пленок окислов на деталях любой конфигурации и толщины на базе ВЧ электрода-смещения, защищенного авторским свидетельством.

9. На основе ВЧ электрода-смещения разработана конструкция специального электрода для ионной обработки подложек и покрытий, который можно использовать на любой вакуумной установке для нанесения защитных просветляющих покрытий в едином технологическом цикле.

10. Разработан метод получения защитных просветляющих покрытий, где первым слоем являлась пленка, полученная ВЧ распыла -нием с напряжением смещения, нанесенная на ионно-полированную поверхность. Последующие слои просветляющего защитного покрытия наносятся либо ЭЖ, лиоо химическим методом иа раотворив.

Основные результаты диссертации опуоликованы в следующих работах:

1. иервеев а.ф.,Ильин В.В.,Михайлов A.B. "ионная полировка стекла " ими , iy/2, № 10, стр.4и-45

2. Михайлов A.b., иервеев А.Ф., Муранова Г.А., Ильин В.В. "Оптические свойства пленок Т1^, полученные высокочастотным реактивным распыление« со смещением напряжения" ОМП , 1975 , fe 3 , стр. 43-45

3. Первеев А.Ф., Ильин В.В., Михайлов А.и. " Устройство для обработки поверхности диэлектрических материалов " а.с. й 8IIQ0 от 2.08.74 г.

4. Первеев А.Ф., Черезова Л.А.,Михайлов A.B. "Получение гонких пленок огаолов методом реактивного высокочастотного распы-хения со смещением напряжения " ОМП , 1977 ,62 , стр.68-69

5. Михайлов A.B.Черезова Л.А. "Защитные покрытия,наносимые ¿етодом ВЧ распыления со смещением напряжения" Сб.тезисов докла-юв Всесоюзной конференции "Совершенствование технологии изготов-иения оптических покрытий", Москва, ЦНИИ Информации, 1977, стр.39

6. Первеев А.Ф., Черезова Л.А.,Михайлов A.B. "Защита опти-

ческих деталей из нестойких стекол марки ОФ с помощью тонкой пленки пятиокиси тантала" 0М11 , 1978, fe I, стр.26-27

7. Михайлов A.B. , Егоров П.П. "Нанесение покрытий на ионно-полированные подложки. Защитные покрытия." Сб.тезисов докладов отраслевого семинара "Ионная обработка оптических мате риалов, применяемых в квантовой электронике", Москва, ЦНИИ Информации, 1979, стр.16

8. Егоров П.П.,Муранова Г.А., Михайлов A.B.,Бакатова O.A. "Методика ионной обработки подложек и покрытий на установках резистивного и электронно-лучевого аанвоения покрытий". Сб.тезисов докладов сеыинара"Состояние и перспективы развития исследова и разработок в ооласти оптических покрытий" Москва, ЦНИИ Информации , 1981 , часть П, стр.39

9. Михайлов A.B., Калугин Ф.Й., Егоров П.П. " Ионное поли -рование деталей из нестойких оптических материалов перед нанесением покрытий" Сб.тезисов докладов П отраслевого семинара "Ионна обработка оптических материалов и создание высокоточных оптичес ких элементов " , Москва, ЦНИИ Информации , 1983 , стр.46

10. Ильин В.В., Михайлов A.B., Морозов В.В. "Исследование оптических свойств призменных делителей лазерного излучения на НПВО " Сб.тезисов докладов 1У всесоюзной конференции "Оптика лазеров " Ленинград, 1984 , стр.280

11. Михайлов А.В..Калугин Ф.И.,Первеев А.Ф.,Фоломеев A.B., Егоров П.П., Петров А.Ф. "Применение ионной обработки для восста новления поверхности деталей из нестойких оптических стекол" Сб.тезисов докладов семинара "Прогрессивная технология обработки нестойких стекол,кристаллов и керамики" Москва,ЦНИИ Информации, 1984, стр.121-122

12. Михайлов A.B., Калугин Ф.й. "влияние ионной обработки поверхности деталей на эксплуатационные свойства вакуумных покрытий " Сб.тезисов докладов семинара "Совершенствование производства оптических покрытий" Москва, ЦНИИ Информации , 1985, стр.53

13. Миллер й.'Г., Михайлов а.В. "Устройство-для ионной обрабо: ки оптических материалов и покрытий" Сб.тезисов докладов семинар. "Технология изготовления прецизионных оптических элементов", Москва , ЦНИИ Информации , 1986 , стр.10

14. Михайлов A.B. "Методы защиты нестойких стекол с применением ионной обработки " сб.тезисов докладов семинара "Технология изготовления прецизионных оптических элементов" Москва ,

ЦНИИ Информации , 1989 , стр. 85-86

15. Михайлов A.B. " Получение высококачественных оптических покрытий методом ВЧ распыления с напряжением смещения " Сб.тезисов докладов Всероссийского семинара "Технология изготовления прецизионных оптических элементов " Санкт-Петербург , НТЦ Информатика , 1996 , стр. 62-63

16. Клеевкова I.B., Михайлов A.B., Кузнецов С.М. "Влияние способов обработки на гигроскопичность щелочно-галоидных кристаллов" Сб. тезисов докладов отраслевого семинара "Прогрессивная технология обработки нестойких стекол, кристаллов и керамики" Москва, ЦНИИ Информации , 1984, стр.108-110

Подписано к печати . Формат 60x84/16. Печать офсетная.

Усл. печ. л. . Уч.-изд.л. . Тираж 50 экз. Заказ /¿¿3 Тип. ГОИ. Бесплатно.