автореферат диссертации по электронике, 05.27.07, диссертация на тему:Исследование и разработка фотоэлектрических устройств для измерения параметров фотошаблонов и пленочных структур

Р Г 5 ОД 1 5 ОПТ 1305

На правах рукописи

Ухов Андрей Александрович

ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ФОТОШАБЛОНОВ И ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР

Специальность: 05.27.07 - Оборудование для производства электронной

техники

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Санкт-Петербург - 1995

Работа выполнена в Санкт-Петербургском государственно?, электротехническом университете имени В.И.Ульянова (Ленина).

Научный руководитель - доктор технических наук профессор Быстрое Ю.А.

Официальные оппоненты: Доктор физико-математических наук профессор Степанов А.И. Кандидат технических наук доцент Назаров О.В.

Ведущая организация - ВНИИ "Электрон".

Защита состоится ^уЦ 1995 г. в ¿О часов н£

заседании диссертационного совета К 063.36.09 Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета имени В.И.Ульяновг (Ленина) по адресу: 197376, Санкт-Петербург, ул. Проф. Попова, 5.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке университета

Автореферат разослан

1995 г

Ученый секретарь диссертационного совета

Смирнов Е.А,

Общая характеристика работы

Актуальность темы. На сегодняшний день микроэлектронное производство достигло уровня, когда лучшие серийные образцы имеют характерные размеры топологических элементов 0.6-0.8 мкм. Количество элементов на кристалле у современных высокопроизводительных микропроцессоров достигает 5-6 миллионов, а динамических запоминающих устройств превышает 16 миллионов. Одновременно с этим значительно возрастают затраты на всех стадиях производственного процесса, от разработки до выпуска серийной продукции. Определенного увеличения экономической эффективности с одновременным повышением надежности приборов можно достичь, проводя контроль па всех этапах технологического процесса. Среди параметров, подлежащих контролю основное место занимают геометрические размеры элементов, оптические и физические свойства пленочных структур, формирующих топологию мпкроэлектронных приборов.

Наряду с общими требованиями к контрольно-измерительному , рборудованию технологические процессы предъявляют особые требования к средствам контроля:

-скоротечность отдельных стадий, приводит к необходимости принятия решения о прекращении операции за доли секунды; -проведение большинства операций в вакуумных камерах при постоянном перемещении образцов в пространстве затрудняет контроль непосредственно в зоне операции п полностью исключает контактные методы измерений;

- групповой характер производства, при котором на одной полупроводниковой пластине одновременно формируется большое количество приборов требует разработки интегральных критериев оценки качества технологических процессов. В связи с этим продолжается поиск в направлении неконтактных методов диагностики и контроля, среди которых оптические методы заслуженно приобретают все большую значимость. Кроме того, предпочтение отдается быстродействующим системам с циклом измерения не более 1 с. Таким образом, задача создания контролыю-измернтельного оборудования, отвечающего современным требованиям микроэлектронного производства является одной из наиболее актуальных на пути повышения эффективности п надежности изделий электронной техники.

Данная диссертация посвящена разработке фотоэлектрических систем для измерения линейных размеров топологических элементов фотошаблонов, толщины и свойств пленочных покрытий микроэлектронных приборов. Разработанные устройства ориентированы как на межоперационный контроль, так и на контроль непосредственно в х аде технологического процесса.

1. Анализ предельных возможностей и путей снижения погрешностей фотоэлектрических методов измерений топологических элементов фотошаблонов интегральных схем, толщин и оптических свойств пленочных покрытий, применяемых в микроэлектронике.

2. Исследование возможностей применения новых классов твердотельных фотоприемников на основе приборов с зарядовой связью для расширения качественных ■ и функциональных возможностей фотоэлектрических методов измерений.

3. Разработка конструкций измерительных устройств на основе фотоэлектрических методов с широким использованием средств вычислительной техники.

1. Проанализированы основные характеристики приборов с зарядовой связью в свете их применения в качестве фотоприемников для фотоэлектрических систем контроля микроэлектронного производства, выявлены основные преимущества и недостатки данного класса приборов при использовании их в качестве элементов измерительных систем.

2. Разработаны алгоритмы измерений линейных размеров элементов топологии фотошаблонов, свободные от влияния свойств источника излучения и материала покрытия.

3. Разработаны методы контроля оптических и физических параметров полупроводниковых и диэлектрических пленок, являющихся частью многослойных пленочных структур.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Введение в телевизионную систему измерений линейных размеров, имеющую угловую апертуру аА и источник излучения с максимальной длиной волны- Яша,, устройства, создающего расфокусировку

являлось:

работы заключается в следующем:

изображения в пределах ±Х1П1ЛУ2зт2аА, позволяет определить положение истинного края элемента н измерить его размер.

2. Двумерная обработка дифракционной картины от элементов решеточных структур, путем усреднения сигнала по нескольким строкам вблизи положения максимума анализируемого порядка дифракции исключает влияние перекоса изображения дифракционной картины в плоскости фотоприемника.

3. Спектрофотометрический метод обеспечивает измерение толщин полупроводниковых и диэлектрических пленок, имеющих зависимость показателя преломления от воздействия внешних факторов, в процессе травления или осаждения. При этом, для получения данных как об оптической, так и' о физической толщине пленки требуется зафиксировать по крайней мере три экстремума коэффициента отражения или пропускания в наблюдаемом спектральном диапазоне.

Практическая ценность работы:

1. Разработаны программы обработки изображений топологии, фотошаблонов, позволяющие повысить точность и производительность .измерений размеров элементов фотошаблонов.

2. Изготовлен измерительный комплекс для размерного контроля элементов топологий фотошаблонов интегральных схем.

3. Созданы измерительные устройства для контроля процессов 'плазмохимнческого травления, позволяющие увеличить достоверность определения момента окончания травления.

4. Изготовлен лабораторный прибор для измерения физических параметров диэлектрических и полупроводниковых рленок, позволяющий существенно повысить производительность измерений.

5. Разработана конструкция универсального малогабаритного автоматизированного спектрофотометра имеющего перспективы для применения не только в мнкроэлектронном производстве, но и в других областях науки и техники.

Реализация результатов работы. Разработан ряд контрольно-измерительных устройств для измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых пленок, а 1аюке скорости их травления и осаждения. Приборы внедрены во ВНИИ 'Электрон" в технологию производства приборов с зарядовой связью. Разработан прибор для измерения физических параметров диэлектрических и полупроводниковых пленок. Разработанный в

рамках диссертационной работы спектрофотометр используется в качестве самостоятельного прибора на J'lO "Маяк" (г. Челябинск).

Апробапия. Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на:

1. Всесоюзной конференции "Автоматизация, интенсификация, интеграция процессов технологии микроэлектроники" (г. Ленинград,

. 1989 г.).

2. Семинаре "Опыт внедрения прогрессивных средств и методов размерного контроля" (г. Ленинград 1990 г. ).

3. Всесоюзной НТК "Актуальные проблемы электронного приборостроения" (г. Новосибирск, 1990 г.).

4. Второй международной НТК "Актуальные проблемы электронного приборостроения" (г. Новосибирск, 1994 г.).

5. Научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава Санкт-Петербургского электротехнического университета им, В.И.Ульянова (Ленина) (г. Санкт-Петербург, 1990-1995 гг.)

Публикации. По теме диссертации опубликовано 10 научных работ, из них 4 - материалы конференций.

Объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех" глав, заключения, списка литературы, включающего 94 наименования. Основная часть работы изложена на 180 страницах машинописного текста. Работа содержит 48 рисунков и 11 таблиц.

Основное содержание работы

Введещю. Обоснована актуальность темы, сформулированы цель и задачи исследований, определена научная новизна и практическая ценносп работы. Представлены основные положения, выносимые на защиту, приведена общая характеристика работы.

Первая глава посвящена анализу наиболее распространенных не сегодняшний день неконтактных методов измерений, применяемых l микроэлектронике. Проведено количественное и качественное сравненно параметров различного контрольно-измерительного оборудования как Отечественного, так и зарубежного производства. Выявлены современны« тенденции в разит ни средств и методов контроля, на основании чего

сформулированы основные требования, предъявляемые в современных условиях к такому оборудованию. На основании проведенного анализа обосновано преимущество фотоэлектрических средств контроля как по точности измерения, так и по функциональным возможностям.

Ва второц главе рассматриваются фотоэлектрические средства размерного контроля элементов фотошаблонов интегральных с*ем (ИС). Обоснован выбор телевизионных методов, как наиболее универсальных на сегодняшний день по своим функциональным возможностям н удовлетворяющих по точности и быстродействию.

Для учета влияния свойств оптической системы был проведен аналитический расчет значений распределения интенсивности сигнала в изображении края объекта. Во входной плоскости приемника оптическое изображение объекта измерения имеет пространственный спектр, зависящий от свойств источника информации (исследуемого объекта и источника излучения) н оптической системы. В результате предварительно) о преобразования непрерывного входного оптического сигнала часть информации (соответствующая высшим пространственным частотам) будет неизбежно потеряна. Вычисления производились для разных значений функции рассеяния, определяемой параметрами всего измерительного тракта, на основании того, что распределение освещенности в изображении

точки (отношение освещенности А(р) в точке с координатой р- фс* У к освещенности А в то .ке />=0) описывается функцией Бесселя первого рода первого порядка Jl{a)^.

где/ - фокусное расстояние обьекзива, /) - световой диаметр его входного зрачка, &А - аперзурный угол системы в пространстве изображений, к -длина волны, В результате было найдено, чго значение относительной

к р '1пр $¡11 сгд

77)= я "

интенснвности сигнала, соответствующее истинному положению края элемента не . зависит от расфокусировки, а также от характеристик объектива - апертуры и увеличения и будет иметь промежуточное значение между 50% и 25%. На него будут оказывать влияние различные факторы: способ и характер освещения, контраст элемента (оптические свойства слоев, образующих элемент), ширина измеряемого элемента. В процессе исследований было обнаружено, что в серии измерений минимальное среднеквадратичное отклонение результатов наблюдается при измерении размера объекта на уровне относительной интенсивности сигнала, соответствующей положению истинного края, на основании чего был сделан вывод, что введение в телевизионную систему измерений • линейных размеров, имеющую угловую апертуру аА и источник излучения с максимальной длиной волны Хтах устройства, создающего расфокусировку изображения за счет вибрации объекта измерения в пределах ±Хтм/2з)п2стА, позволяет с наибольшей точностью, по минимуму среднеквадратичного отклонения определить уровень относительной .интенсивности, соответствующий положению истинного края элемента и измерить его размер. Бее расчеты были подтверждены серией измерений на аттестованном эталонном фотошаблоне.

Выделение контуров на полутоновых изображениях с целью контроля топологии фотошаблонов и ИС распространено достаточно широко и наибольшее применение получило для автоматизированного выявления дефектов путем предварительного определения характеристик изображения контролируемого объекта. Было установлено, что наибольшей точности удается добиться при построении гистограммы с последующим расчетом значения порога. Подобный способ не только сокращает общее количество вычислений, но и позволяет существенно уменьшить влияние шумов. В результате исследований было обнаружено, что меняя уровень бинаризации изображения фотошаблона можно выявить некоторые дефекты, плохо поддающиеся идентификации при обычном визуальном контроле. Предложены алгоритмы выделения топологических элементов на изображениях фотошаблонов для дальнейшего автоматизированного поиска дефектов.

Был рассмотрен контроль размеров элементов топологии по тестовым дифракционным решеткам, введенным в ИС на стадии проектирования, как наиболее удобный для групповою контроля. В этом случае все процессы, связанные с ошибками в экспонировании, с недотравлением или перетравлен ием будут в равной мере сказываться как на элементах топологии, так и на элементах -тестовой решетки. При фотолитографии

период решетки выдерживается с очень высокой воспроизводимостью, а е. результате перетравлнвання или недотравливашш может измениться только ширина штрихов, а не шаг. Использование подобного метода контроля воспроизводимости травления по соотношению интенснвностей в дифракционных порядках позволяет получить высокую точность измерений усредненной ширины. Показано, что применение тестовой дифракционной решетки. с отношением ширины штриха к периоду, равным 0.25 даст наибольшую точность измерений геометрических размеров, и как следствие, наибольшую точность контроля воспроизводимости процесса травления. В процессе разработки измерительного комплекса было предложено использовать телевизионную камеру не только для измерений линейных размеров по изображению объекта по и по дифракционной картине. Поскольку ПЗС-фотоприемник регистрирует одновременно несколько дифракционных порядков, нет необходимости в создании системы -стабилизации выходной мощности лазера. Гигантский динамический диапазон чувствительности фотоприемника позволяет рассчитывать на возможность работы с тестовыми структурами, имеющими низкий контраст, практически неуловимый при визуальном контроле.

В результате исследований было обнаружено, что двумерная обработка дифракционной картины, получаемой при измерении линейных размеров элементов решеточных структур позволяет путем усреднения сигнала по нескольким строкам вблизи положения максимума первого порядка дифракции существенно снизить влияние как "геометрических", так и внешних шумов фотоприемника и избавиться от влияния перекоса изображения дифракционной картины в плоскости фотоприемника, что особенно важно в промышленных автоматизированные, контрольно-измерительных системах при отсутствии точного позиционирования объекта измерения.

Была разработана конструкция прибора для измерения линейных размеров, обеспечивающего два режима работы: измерение линейных размеров одиночных элементов фотоэлектрическим 'методом; измерение усредненных размеров тестовых решеточных структур дифракционном методом.

В третьей главе рассматривается интерференционный метод контроля толщины диэлектрических и полупроводниковых пленок в ходе проведения технологических процессов. Контроль толщины удаляемого или наносимого слоя может осуществляться по положению экстремумов функции интенсивности /(0 отраженного от пленки лазерного излучения. Подсчет

числа N экстремумов при известных длинах волн "к излучения лазера и показателя преломления п материала пленки позволяет оценить изменение толщины:

Момент окончания травления легко идентифицируется по точке на кривой /(0, где осцилляции интенсивности прекращаются. Погрешности измерения толщины удаленной пленки зависит в данном случае от точности, с которой удается зафиксировать положения экстремумов. 'Гогаа, если применить дифференцирование кривой 1(\) и вести расчет текущего значения глубины но числу пройденных экстремумов и уже известной из предыдущего временного интервала между экстремумами скорости травления, то с ростом контролируемой глубины травления относительная погрешность измерений будет уменьшаться. Кроме того, при• толщинах," обеспечивающих появление нескольких экстремумов зависимости Т(1) возникает возможность более точного определения положения экстремумов за счет применения статистических методов обработки сигнала, что в конечном счете повышает абсолютную точность измерений.

Рассмотрены конструкции приборов ■ с использованием полупроводниковых и тазовых лазеров в качестве источников излучения. Разработанные устройства обработки информации позволяют фиксировать момент времени удаления контролируемого слоя, когда функция Ш) перестает изменяться (слон на непрозрачной подложке), либо начинает осциллировать с другой амплитудой и частотой, что соответствует началу удаления нижележащего прозрачного слоя.

Фиксация момента окончания травления в общем случае возможна всегда, если удаляемый и нижележащий слои отличаются друг от друга хотя бы по одному из параметров: показателю преломления или скорости травления. В первом случае достижение нижележащего слоя сопровождается изменением размаха колебаний интенсивности отраженной оптической волны, во втором - изменением ее периода. При групповой технологии лазерная система кон (роля момента окончания травления в одной локальной точке не может дать полностью достоверной информации о результате травления но реактору в нелом из-за неравномерности скорости травления в радиальном направлении.''Интегральные данные о процессе в целом могут быть получены спектрометрически, путем наблюдения эмиссионных линий излучения веществ, образующих пленку, а также газов, составляющих активную среду. Проведенные исследования показали, что совмещение е енинем комплексе дьух систем контроля, предназначенных дпя измерения различных параметров процесса плазмо-химнчекото травления, особенно в

условиях, когда сигнал по одному из каналов может отсутствовать, или иметь недостаточный уровень, позволяет- с наибольшей достоверностью определять момент окончания травления.

Основное внимание уделено анализу точности измерений и принципиальным недостаткам, в случае использования одноволнового метода контроля. На основе анализа метрологических характеристик метода было предложено для каких технологических процессов использование данного измерительного оборудования является наиболее предпочтительным.

В результате исследований было найдено, что метод контроля толщины пленки в процессе травления или нанесения на одной длине волны имеет ряд принципиальных ограничений. На основе анализа недостатков, присущих методу, предложены пути повышения точности измерений за счет использования нескольких длин волн, в связи с чем более универсальным н эффективным признано применение спектральных методов.

Четвертая глава посвящена исследованию спектральных методов измерения физических параметров диэлектрических к полупроводниковых пленок и пленочных структур.

Задача технологических измерений параметров пленок и пленочных структур в большинстве практических задач сводится к определению толщины одиночной пленки на подложке, либо последней пленки в слоистой структуре, сформированной на предыдущих этапах. На этапе отработки технологии, и особенно для исследования процессов, происходящих в пленках с течением времени необходимо проведение множества измерений на одних и тех же образцах, что требует применения неразрушающих методов контроля основных физических параметров: толщины пленки с1, показателя преломления и его дисперсии п(Х), ширины запрещенной зоны Е0, коэффициента поглощения а(к).

Процесс распространения электромагнитной волны в изотропной слоистой среде состоит из последовательного чередования актов расщепления волны на отраженную и преломленную на границах слоев и набегов фаз этих волн при распространении от одной границы до другой. Для нахождения значений наиряженностей Е и Н электромагнитного поля на границе раздела _/ и /+1 слоев в рассматриваемой структуре вводится понятие матрицы интерференции:

где

е ' ' соэ-

/ N,е~а' ^

Я

2л N. (1

У 2к N,<1 -БЮ---

Л^ Л 2 л а

N1 = Н, СОБ

агсБШ

«Л,

п)-п+1к - показатель преломления у среды многослойной структуры, <1 -толщина ] слоя, а - коэффициент поглощения материала } слоя, Л - длина волны падающего излучения, 0 - угол падения излучения.

Тогда для произвольной среды, имеющей N слоев, при условии однородности каждого из слоев выполняется условие: •

= м Р'гР

Н'- р Н'' р п0

где Л/ - произведение матриц интерференции всех слоев, в порядке и* следование

М- П А/ .

В случае, если физические константы материалов пленок известны и не зависят от параметров технологического процесса, можно заранее рассчитать спектральные зависимости энергетических коэффициентов отражения и пропускания К и Т д/гя всех стадий процесса и затем, для каждой последующей наносимой пленки добиваться наибольшею соответствия теоретических и практических значений К и Т, которые определяются через элементы матрицы Шц-мы в соответствии с выражениями:

л =

(т +т п, 1«,-\т +т и. |

\ II 12 5 / ' \ 21 22 5 /

[т +т п< ) п, -нот +т ) \ 11 12 у I I у 21 п й )

Т= -

4 п,пв

1т +т п. I п,+\т +т щ I

\ И 12 / - \ 21 п )

ще щ - показатель преломления окружающей среды, п5 - показатель преломления подложки. Воспользовавшись данными выражениями можно получить значения коэффициентов отражения и пропускания с достаточно высокой точностью, однако решение обратной задачи имеет целый рад ограничений, основное из которых - потеря информации о фазе сигнала при непосредственных измерениях значений Я и Т. Кроме того, наличие в структуре более пяти слоев может существенно сократить спектральный диапазон измерений (например в случае • интерференционных фильтров с полосой пропускания 5-10 нм) и, как следствие привести к существенным ошибкам измерений.

Для определения параметров <1, п, а, полученных пленок, приняв во внимание, что в данном случае анализу' будет подвергаться единственная пленка на прозрачной подложке, что предполагает проведение измерений "на просвет" коэффициента пропускания системы пленка-подложка было решено уравнение для Т. Поиск значений оптических и электрических констант только в точках экстремумов существенно ограничивает возможности измерения пленок во всем рабочем диапазоне длин волн излучения. Для преодоления данного ограничения можно принять функции значений максимумов (Гм) и минимумов (7"т) непрерывными. Значения функций Т.л и Тт для всех длин волн мозуг быть получены путем аппроксимаций значений экстремумов. Воспользовавшись линейной

аппроксимацией, по зависимости - ф1 а Л у от Ли можно найти оптическую

ширину запрещенной зоны £0рт-

На основании сведений, полученных по известным зарубежный аналогам, а также исходя из потребностей микроэлектронного производства,

бьши сформулированы требования к спектральным устройствам контроля Спектрометры, используемые в измерительных системах электронно«' промышленности имеют ряд особенностей, основная' из которых ■ необходимость получения результата за возможно более короткий отрезок времени. Данное обстоятельство особенно важно для контрольно-измерительных систем быстротекущих технологических процессов. Вместе с тем, точность подобных приборов (спектральное и амплитудное разрешение) для многих применений может быть относительнр невысокой. Таким образом, при разработке спектрофотометра для промышленного производства изделий электронной техники основное внимание было уделено повышению быстродействия. Приведена конструкция и анализ метрологических характеристик малогабаритного автоматизированного спектрофотометра, разработанного для лабораторного и промышленного контроля параметров пленок. Обоснована необходимость текущего контроля основных физических параметров диэлектрических и полупроводниковых пленок, ввиду их сильной зависимости от параметров технологического процесса и как следствие, существенного влияния на точность измерения оптической толщины пленок. Рассмотрены варианты измерительных устройств для лабораторного и промышленного контроля с использованием спектральных методов.

1. Проведен анализ различных методов измерений линейных размеров элементов фотошаблонов и параметров пленок и пленочных структур, позволившие выбрать наиболее эффективные и быстродействующие методы.

2. Разработана методика и программное обеспечение, позволяющие определить положение края измеряемою элемента в его изображении независимо от свойств оптической системы и объекта измерения и с минимальными ошибками проводить выделение границ элементов фотошаблонов для последующего автоматизированного выявления дефектов топологии.

3. Изготовлен измерительный комплекс для измерения линейных размеров элементов фбтошабленов по телевизионному изображению н анализу дифракционной картины от тестовой решеточной структуры.

4. Создан ряд измерительных, устройств для контроля процессов плазмохимическою травления, позволяющих учесть особенности большинства проводимых операции.

5. Выполнены исследования, на основании которых получена методика определения физических параметров диэлектрических. и полупроводниковых пленок п пленочных структур.

6. Изготовлен прибор дгся измерения физических параметров диэлектрических и полупроводниковых пленок с учетом потребностей современного микроэлектронного производства.

7. Осуществлена разработка универсального малогабаритного автоматизированного спектрофотометра, работающего в диапазоне длин волн 250-1000. нм.

Основные результаты по теме диссертационной работы опубликованы в следующих работах:

1. Автоматизированное устройство контроля толщины и скорости осаждения диэлектрических пленок / Колпш Е.А., Павлов A.A., Ухов A.A., Кораблев Ю.А. // Тезисы докладов 1-й Всесоюзной конференции "Автоматизация, интенсификация, интеграция процессов технолопш микроэлектроники".- JI.- 1989.- С. 59-61.

2. Колшн Е.А., Кораблев Ю.А... Ухов A.A. Контроль и управление глубиной ионного травления с использованием ПЗС-спектрофотометраУ/ Материалы семинара "Опыт внедрения прогрессивных средств и методов размерного контроля".- 19-20 апр,- Ленинград.- 1990.- С. 75-77.

3. Колпш Е.А., Ухов A.A. Малогабаритный ПЗС-спектрометр для контроля процессов осаждения диэлектрических и полупроводниковых пленок // Тезисы докладов Всесоюзной НТК "Актуальные проблемы электронного приборостроения".- Новосибирск.- 1990.- С.117.

4. Колпш Е.А., Кораблев Ю.А., Ухов A.A. Автоматизированный спектрофотометр для контроля процесса осаждения диэлектрических покрытий И Известия ЛЭТИ.- 1990.- Вып. 419 - С. 48-52.

5. Разработка лазерного интерференционного измерителя скорости травления и нанесения оптически-прозрачных пленок / Колпш Е.А., Смирнов Е.А., Сазанов А.П., Ухов A.A. // Лазерная техника. Сборник аннотационных отчетов за 1991 г.- СПбГУ, НИИФ.- 1992,- С. 32.

)■ Ухов A.A. Устройство для исследования и контроля параметров диэлектрических пленочных структур // Электронные приборы. Межвузовский сборник научных трудов,- Рязанский РТИ,- 1992.- С. 6064. "

Ухов A.A. Автоматизированное фотоэлектронное устройство для управления операцией формирования фотокатода ФЭУ // Известия СПбГЭТУ,- 1993.- Вып. 455.- С. 29-32.

8, Колгин Е.А., Смирнов Е.А., Ухов A.A. Разработка лазерного устройства контроля температуры II Сборник ашготационных отчетов по программе "Лазеры н их новые применения в народном хозяйстве и научных исследованиях".- РЦЛФ.- 1994.- С. 10.

9. Автоматизированное устройство для экспресс контроля оптических констант пленок/ Быстров Ю.А., Колгин Е.А., Сазанов А.П., УховА.А.// Труды второй международной НТК "Актуальные проблемы электронного приборостроения",- Новосибирск,- 1994.- Т. 1,- С. 87-89.

И). Колгин Е.А., Ухов A.A. Применение многоканального спектрофотометра с ПЗС-фотоприемником в системах активного контроля технологических процессов осаждения и травления пленок // Вакуумная техника и технология,- 1994,- Т4.- №2,- С. 2-4.

Подписано в печать 07.07.95 Формат 60*84/16 Печать офсетная. Печатный лист 1,0. Тираж 100 экз. Заказ №118

Ротапринт МГП "Поликом" 193376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5