автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.05, диссертация на тему:Исполнительный орган системы управления технологической установки плазмохимической модификации поверхности полиолефиновых материалов

Введение

1. Системы управления технологией плазмохимической модификации поверхности полиолефиновых материалов

1.1 Основные физико-химические процессы, протекающие при воздействии плазмы на полиолефиновые материалы

1.1.1 Типы разрядов, применяемые для модифицирования полиолефинов

1.1.2 Основные химические реакции и технологические эффекты, возникающие при плазмохимической обработке

1.2 Требования к полупроводниковому исполнительному органу системы управления технологической установки плазмохимической модификации поверхности полиолефиновых материалов

1.2.1 Общие требования к полупроводниковым органам разрядно- импульсных технологических установок

1.2.2 Полупроводниковые устройства преобразования токов ультразвуковой частоты

1.3 Развитие техники плазмохимического модифицирования поверхности полиолефиновых материалов во второй половине XX века 30 Выводы по первой главе

2. Математическая модель плазмохимического активатора

2.1 Электрическое поле в разрядном промежутке плазмохимического активатора

2.1.1 Расчет напряженности в произвольной точке разрядного промежутка

2.1.2 Компьютерная модель поля в разрядном промежутке

2.2 Полупроводниковый исполнительный орган плазмохимического активатора на приборах MOSFET 48 2.2.1 SPICE модель силового MOSFET

Выводы по второй главе

3.Резонансные явления в ультразвуковом высоковольтном трансформаторе

3.1 Дискретно-распределенные параметры высоковольтной обмотки трансформатора

3.2 Передаточная функция ультразвукового высоковольтного трансформатора

3.3 Компьютерная модель ультразвукового высоковольтного трансформатора

3.4 Оптимизация параметров ультразвукового высоковольтного трансформатора

Выводы по третьей главе 73 4. Парарезонансные процессы в полупроводниковом исполнительном органе плазмохимического активатора

4.1 Структурная схема плазмохимического активатора

4.2 Комбинированный парарезонансный эффект 76 Выводы по четвертой главе 80 5 .Динамика процессов управления плазмохимическим активатором

5.1 Система частотно-импульсного управления процессом модифицирования поверхности полиолефиновых материалов

5.2 Исследование динамических процессов в плазмохимическом активаторе

Выводы по пятой главе 88 6. Разработка опытно-промышленного образца полупроводникового исполнительного органа плазмохимического активатора

6.1 Алгоритм машинного проектирования полупроводникового исполнительного органа плазмохимического активатора

6.2 Описание силовой части установки

6.3 Описание схемы управления

6.4 Описание плазмохимического активатора

6.5 Размещение и сборка полупроводникового исполнительного органа плазмохимического активатора

Выводы по шестой главе

Актуальность темы

Расширение знаний о химических реакциях в электрических разрядах и плазме привело к появлению такого нового направления как плазмохимия. Это в свою очередь дало толчок развитию прикладных исследований и возникновению плазмохимической технологии, обобщающей способы и процессы производства веществ и материалов, а также их обработки, протекающие при непосредственном взаимодействии вещества и плазмы, сопровождающиеся химическими превращениями.

В технологии используют, как правило, низкотемпературную плазму (степень ионизации менее 1%) электродуговых, высокочастотных и сверхвысокочастотных разрядов.

Для плазмохимической технологии характерны новые эффекты, связанные с электропроводностью плазмы, её чувствительностью к электромагнитным полям, неравновесностью, электромагнитным излучением, позволяющие осуществлять химические превращения с высокой энергетической эффективностью, получать вещества и материалы с уникальными свойствами.

В настоящее время плазмохимические технологии используются для получения газообразных и конденсированных веществ, вскрытия рудных минералов и концентратов, утилизации отходов. Быстрыми темпами развиваются плазмохимические технологии, связанные с улучшением свойств материалов путем травления, полимеризации, нанесения покрытий.

В последние 15-20 лет начался интенсивный процесс проникновения плазменных технологических процессов в технологию легкой и текстильной промышленности. Основу этого направления составляет модифицирование поверхностных свойств полимерных (пленочных или тканых) материалов путем обработки в плазме травящих или полимеризующих газов. Получаемые разнообразные технологические эффекты чаще всего связаны с приданием поверхностям гидрофильных или гидрофобных свойств.

Развитие в последние годы упаковочной промышленности, вызвало интерес к упаковке из полиолефиновых материалов, которая была бы внешне привлекательна и несла в себе рекламную информацию. Производители упаковки столкнулись с очень серьезной проблемой. Полиолефиновые материалы характеризуются низкими значениями энергии поверхностного натяжения, а значит и плохой адгезией к красящим веществам. Возникла проблема нанесения красочного покрытия на поверхность полимерного материала.

Одним из способов повышения адгезии является обработка полиолефиновых материалов в низкотемпературной плазме. Этот способ является экологически чистым по сравнению с химическими способами повышения адгезии.

Широкое практическое применение плазмохимических процессов в упаковочной промышленности тормозится рядом причин, среди которых нужно отметить нехватку необходимого оборудования. Недостаточная изученность процессов, протекающих в системах электропитания плазмохимических модификаторов, не позволяет создавать устройства, удовлетворяющие всем требованиям обработки. Возникает необходимость создания элементов систем питания, которые помимо удовлетворения требований к качеству обработки, обладали бы низкой стоимостью, малыми массогабаритными показателями, высоким КПД.

По данным, размещенным в Internet, в настоящее время работы по созданию технологических установок плазмохимического модифицирования поверхности полиолефиновых материалов ведутся в фирмах производителях многих стран: Corotec Corparation (USA), Arcotec GMBH (Germany), Ming Tei. Ltd (China), AFS Corporation (Belgium), ОАО «КузнецкПолимерМаш» (Россия), ООО «МДМ-СИМВОЛ» (Россия), ООО «Коронатор» (Россия).

Среди отечественных и зарубежных специалистов работающих в области технологии плазмохимической модификации следует назвать - JI.C. Полака, А.Б. Гильмана, A.M. Пономарева, В.Н. Васильца, Mr. Н. Yasuda, Mr. М. Stobel, Mr. C.S. Lyons, Mr. K.L. Mittal, Mr. S. Wu, а в области создания полупроводниковых источников питания разрядных установок следует назвать С.В. Шапиро, Л.Э. Рогинскую, Т.П. Костюкову, А.И. Каяшева.

Цель работы

Целью диссертационной работы является развитие элементов теории ультразвукового полупроводникового исполнительного органа (ПИО) технологической установки модифицирования поверхности полиолефиновых материалов; изучение возникающих в ПИО специфических эффектов, в частности комбинированного (многопараметрического) резонансного эффекта; создание алгоритма машинного проектирования элементов ПИО; разработка и изготовление опытно-промышленного модуля ПИО для современных полиграфических производств.

Основные задачи исследования

Исходя из поставленной цели в работе решались следующие задачи:

• разработка математической модели разрядного промежутка технологической установки модифицирования поверхности полиолефиновых материалов;

• исследование динамики движения изотензионных поверхностей в разрядном промежутке при переменном напряжении питания;

• изучение и исследование резонансных эффектов в ультразвуковом высоковольтном трансформаторе;

• изучение и исследование многопараметрических резонансных эффектов в ПИО;

• разработка системы частотно-модуляционного управления ПИО;

• исследование динамики процессов в ПИО;

• разработка, изготовление и экспериментальное исследование модуля ПИО технологической установки модифицирования поверхности полиоле-финовых материалов.

Методы исследования

В работе были использованы следующие программные продукты MAPLE V5, MicroCap V 2.1.2. Применен метод расчета электрических полей с переменными граничными условиями, основанных на использовании метода зеркального изображения. Применены методы дискретной математики (разностные уравнения).

Научная новизна

1. Исследованы плазменные процессы в переменном электрическом поле ультразвуковой частоты, граничные условия которого определяются концентратором силовых линий и симметричной относительно него цилиндрической поверхностью. В частности установлено, что специфической особенностью такого поля является возникновение зоны встречно-ионизированного газа на изолированном диэлектриком цилиндрическом электроде.

2. Разработаны математическая и компьютерная модели плазменных процессов при модификации поверхности полиолефиновых материалов.

3. Выведены расчетные зависимости влияния этих процессов на выходные параметры ультразвукового полупроводникового преобразователя частоты.

4. Разработана математическая модель ультразвукового высоковольтного трансформатора как системы с дискретно-распределенными параметрами.

5. Изучены особенности резонансных процессов в высоковольтном ультразвуковом трансформаторе. Получена целевая функция оптимизации такого трансформатора, обеспечивающая минимизацию вносимых им погрешностей в кривую питающего плазмохимический активатор напряжения.

6. Изучено явление стабилизации параметров ПИО - триггерный эффект, вызванный комбинированным (многопараметрическим) резонансом.

Практическая ценность

1. Определена оптимальная конфигурация ультразвукового высоковольтного трансформатора ПИО с учетом дискретно-распределенных параметров высоковольтной обмотки трансформатора.

2. Разработаны основные соотношения необходимые для компьютерного проектирования ПИО.

3. Разработаны ПИО на основе приборов MOSFET (HEXFET).

4. Изготовлены и апробированы в производственных условиях ПИО технологической установки модифицирования поверхности полиолефиновых материалов.

5. Произведены исследования по обработке поверхности полиолефиновых материалов, подтвердивших высокое качество обработки.

6. Разработан оригинальный емкостной накопитель энергии, защищенный патентом РФ.

На защиту выносится

1. Компьютерная модель динамики изотензионных поверхностей в разрядном промежутке.

2. Математическая модель ультразвукового высоковольтного трансформатора как системы с дискретно-распределенными параметрами.

3. Обоснование выбора критериев для оптимизации геометрических размеров ультразвукового высоковольтного трансформатора с учетом дискретно-распределенных параметров высоковольтной обмотки.

4. Исследование многопараметрического резонансного эффекта в ПИО технологической установки модифицирования поверхности полиолефиновых материалов.

5. Разработка, исследование и внедрение в производство промышлен-но-экспериментальных модулей ПИО технологической установки модифицирования поверхности полиолефиновых материалов.

Реализация результатов работы

Результаты работы внедрены в виде промышленно-экпериментальных разработок на технологической установке модифицирования поверхности полиолефиновых материалов на полиграфическом предприятии НПФ «МДМ» г.Уфа, типографии «Гарант-Принт» г. Ижевск.

Апробация работы

Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на международных, всероссийских, республиканских научно-практических конференциях: на IV Международной конференции «Электротехника, электромеханика и электротехнологии» в 2000 г. (Россия, г.Клязьма); Республиканской научно - практической конференции молодых ученых «Молодые ученые - новому тысячелетию» в 2000 г. (г.Уфа); на III Российской научно - технической конференции «Энергосбережение в городском хозяйстве, энергетике, промышленности» в 2001 г. (г.Ульяновск). 8

Публикации

По теме диссертации опубликовано 6 научных трудов, в том числе 3 статьи, 2 тезиса докладов и 1 патент РФ.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, шести разделов, основных выводов и приложений. Диссертационная работа изложена 119 страниц машинописного текста, содержит 60 рисунков. Библиографический список использованной литературы содержит 120 наименований.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ

1. Установлена необходимость создания специальных электронных систем плазмохимической модификации поверхности полиолефиновых материалов.

2. Установлено, что особенностью электронных (полупроводниковых) систем питания технологических установок плазмохимической модификации поверхности полиолефиновых материалов является нелинейный активно-емкостной характер нагрузки, а также необходимость в токах ультразвуковой частоты.

3. Показано, что поле барьерного разряда плазмохимического активатора обладает осевой цилиндрической симметрией, что позволяет использовать для его математического моделирования метод зеркального изображения, совмещенный с динамикой перемещения высоковольтного электрода вдоль изотензионных поверхностей.

4. На основе разработанной теории плазмохимического активатора, установлено, что динамика развития бегущего барьерного разряда приводит к возникновению зоны встречно-ионизированного газа, которая является основным фактором плазмохимического воздействия на полиолефиновых материалов.

5. Анализ ионизационных процессов в плазмохимическом активаторе позволил рассчитать нелинейную зависимость емкости этого активатора от действующего значения напряжения на нем. Эта зависимость носит параболический характер.

6. Показано, что в высоковольтной обмотке высоковольтного трансформатора, вследствие существенного влияния межвитковых емкостей, возникает дискретно-распределенная система резонансных контуров.

7. Расчет процессов в этой системе возможен с применением теории импульсных цепей, при этом возникает 3 группы контуров: межвитковые, межслойные, межсекционные.

8. Решение систем разностных уравнений, указанных в п.7 контуров, позволило установить, что ультразвуковой высоковольтный трансформатор описывается биквадратной передаточной функцией.

9. Установлено, что основным параметром, характеризующим степень искажения напряжения на выходе, является вторая резонансная частота а>2 . При проектировании ультразвукового высоковольтного трансформатора в качестве целевой функции оптимизации следует принять эту частоту.

Ю.Компьютерный анализ передаточной функции ультразвукового высоковольтного трансформатора показывает, что его расчет можно осуществить путем применения Г-П-образной схемы замещения.

11.Показано, что взаимное влияние процессов Г-П-образной схеме замещения трансформатора и нелинейной зависимости емкости активатора приводит к возникновению сложного комбинированного параметрического резонанса.

Комбинированный параметрический резонанс порождает во первых триггерный эффект в системе, во вторых стабилизацию напряжения на нагрузке и как следствие на всех других элементах ПИО.

13.Установлено, что для использования современных полевых транзисторов серии MOSFET при нелинейной резонансной емкостной нагрузке и ультразвуковом частотном диапазоне наилучшей является полумостовая схема инвертирования.

14.Установлено, что для управления параметрами плазмохимического активатора (мощность, напряжение) наилучшим является частотно-модуляционный метод, который реализуется с помощью стандартных драйверов серии IR215Х.

15. Показано, что при оптимальном выборе параметров ультразвукового высоковольтного трансформатора, искажения кривой выходного напряжения, при питании его напряжением типа «меандр» представляют собой затухающие синусоидальные колебания, амплитудные значения которых не превышают 3-^7% от действующего значения выходного напряжения.

1. Алексанян А.А., Бальян Р.Х., Сивернс М.А. и др. Мощные транзисторные устройства повышенной частоты. JL: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1989. - 176 с.

2. Анго А. Математика для электро- и радиотехников. М.: Наука. 1965.-780 е., ил.

3. Бальян P. X. Трансформаторы для радиоэлектроники. М.: Сов. радио, 1971.-720 е.: ил.

4. Бальян P. X., Обрусник В.П. Оптимальное проектирование силовых высокочастотных ферромагнитных устройств. Том. ин-т автоматизир. систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Изд-во Том. ун-та., 1987. -164 е.: ил.

5. Батищев Д. И. Методы оптимального проектирования.: Учеб. пособие для вузов. М.: Радио и связь, 1984. - 248 е.: ил.

6. Белов Г.А. Высокочастотные тиристорно-транзисторные преобразователи постоянного напряжения. -М.: Энергоатомиздат, 1987. 120 е.: ил.

7. Бессонов Л.А. Теоретические основы электротехники: Электромагнитное поле. Учебник для студентов вузов 7-е изд., перераб. и доп. - М.: Высш. школа, 1978. - 231 е.: ил.

8. Богородицкий Н.П., Пасынков В.В., Тареев Б.М. Электротехнические материалы: учебник для ВУЗов 7-е изд-е перераб. и доп. - Л.: Энергоатомиздат. . Ленингр. отд-ние, 1985. - 306 е.: ил.

9. Булатов О.Г., Царенко А.И., Воронин А.А. Источники питания для установок ионно-плазменного нанесения покрытий. // Электротехника, 1983, №3-с. 8-11.

10. З.Булатов О.Г., Царенко А.И., Поляков В. Д. Тиристорно-конденсаторные источники питания для электротехнологии. М.: Энергоатомиздат, 1988. 276 е.: ил.

11. Бут Д.А. Основы электромеханики: Учебное пособие. М.: изд-во МАИ, 1996.-468 е.: ил.

12. Бычкова Липинска Л. Анализ работы преобразовательного трансформатора. // Техническая электродинамика 1994. №1. с.58-63.

13. Вдовин С.С., Зирка С.Е. Расчет формы импульса в импульсном трансформаторе без ферромагнитного сердечника // Изв. вузов MB и ССО СССР. Радиоэлектроника. 1987, Т.29, №5 с.89-90.

14. Вдовин С.С., Зирка С.Е. Упрощенные схемы замещения импульсного трансформатора без ферромагнитного сердечника // Электричество 1986. №8. с. 69-79.

15. Вдовин С.С. Проектирование импульсных трансформаторов. 2-е изд., перераб. и доп. Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1991. - 208 е., ил.

16. Вентильные преобразователи переменной структуры /Тонкаль В.Е., Руденко B.C., Жуйков В.Я. и др.; Отв. ред. Шидловский А.К.; АН УССР. Ин-т электродинамики. Киев: Наук, думка, 1989. - 336 е.: ил.

17. Верещагин И.П. Коронный разряд в аппаратах электронно-ионной технологии. М.: Энергоатомиздат, 1985. 160с. ил.

18. Войценя B.C., Гужова С.К., Титов В.И. Воздействие низкотемпературной плазмы и электромагнитного излучения на материалы. М.: Энергоатомиздат, 1991.- 224 с.: ил.

19. Воробьев Г.А. Физика диэлектриков. Область токов сильных полей. Томск, изд-во ТГУ, 1977. 262 е.: ил.

20. Высоковольтные электротехнологии: Учеб. пособие по курсу "Основы электротехнологии" под редакцией И.П. Верещагина. М.: изд-во МЭИ. 1999.-188 е.: ил.

21. Высокочастотные транзисторные преобразователи / Э.М. Ромаш, Ю.И. Драбович, Н.Н. Шевченко, П.Н. Юрченко. М.: Радио и связь, 1988. -288с.: ил.

22. Галанов В.И. Современные мощные полупроводниковые приборы и их функциональные возможности // Электротехника 1998, №3, с. 14-20.

23. Гинзбург Л.Д. Высоковольтные трансформаторы с эпоксидной изоляцией. Л.: Энергия, 1978. - 192 е.: ил.

24. Гильман А.Б. Плазмохимическая модификация поверхности полимерных материалов Школа по плазмохимии для молодых ученых России и стран СНГ //http://www.indi.ru/private/plasma99/Lections/Gilman lection.html.

25. Гончаров А.Ю. Российская элементная база модулей электропитания. Живая электроника России. 1999, №1, с. 35-40.

26. Гончаров А.Ю. Схемотехника и процессы в промышленно производимых транзисторных преобразователях электроэнергии. Отечественная энергетическая электроника: проблемы, тенденции, достижения.// Электроника, наука, технология, бизнес №№2-4, 1998 г.

27. Гончаров А.Ю., Усач В.И. Российские модули электропитания / http ://www.aeps.ru/articles/ar5 .htm.31 .Горбань А.П. Электромагнитный расчет обмоток трансформаторов и реакторов. Киев.: Техшка, 1968. - 62 е.: ил.

28. Дунаев С.А. Парарезонансный высокочастотный полупроводниковый озонатор с широтно-импульсным регулированием. автореферат диссертации - Уфа 2000. - 16 с.

29. Ельчанинов А.С. Трансформаторные схемы питания наносекунд-ных импульсных генераторов // Физика и техника мощных импульсных систем // Под. ред. Е.П. Велихова, М.: Энергоатомиздат, 1986. 230 е.: ил.

30. Жарков Ф.Г., Соколов В.А. Цепи с переменными параметрами. М.: Энергия, 1976. 224 е.: ил.35.3ирка С.Е. Схемы замещения импульсного трансформатора без ферромагнитного сердечника//Радиотехника 1985. №10. с. 86-89.

31. Зб.Зирка С.Е. К расчету оптимальных конструктивных параметров мощного высоковольтного импульсного трансформатора // Электротехника 1988. №10. с. 72-76.

32. Источники вторичного электропитания / В.А. Головацкий, Г.Н. Гу-лякович, Ю.И. Конев и др. Под редакцией Ю.И. Конева: 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Радио и связь, 1990. - 280 е.: ил.

33. Источники вторичного электропитания: Учебное пособие/ В.Г. Гусев; Уфимск. гос. авиац. техн. ун-т. Уфа, 2000 - 119 е.: ил.

34. Каганов З.Г. Теоретические основы техники высокого напряжения (электрические поля в высоковольтных установках). Учебное пособие. УАИ Уфа, 1977.-74с.: ил.

35. Калантаров П.Л., Цейтлин JI.A. Расчет индуктивностей. Л.: Энергия, 1970.-415 е.: ил.

36. Кини, Ральф и др. Принятие решений при многих критериях: предподчтение и замещение. Пер. с англ. Подиновского В. В. и др. Под редакцией Шахнова И. Ф. - М.: Радио и связь, 1981. - 623 е.: ил.

37. Колпчахьян П.Г, Зарифьян А.А., Никитенко А.Г., Хоменко Б.И. Математическое моделирование процессов в полупроводниковых преобразователях.// Изв. высш. учебн. заведений. Электромеханика, 1997.- №4-5- с.50-52.

38. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: Наука, 1968. - 720 е.: ил.

39. Костюкова Т.П. Многокритериальная оптимизация и проектирование индуктивных элементов вторичных источников питания. Электротехника, 1997, №10, с. 25-27.

40. Костюкова Т.П. Моделирование и принятие технических решений при разработке преобразователей параметров электроэнергии. Уфа, 1999. -220 е., ил.

41. Лебедев Ю.А. Введение в плазмохимию // Школа по плазмохимии для молодых ученых России и стран СНГ //http ://www.indi.ru/private/plasma99/Lections/Lebedev 1 .html

42. Липин Ю.В., Рогачев А.В., Харитонов В.В. Вакуумная металлизация полимерных материалов. Л.: Химия, 1987. - 252 е.: ил.

43. Липковский К.А. Трансформаторно-ключевые исполнительные структуры преобразователей напряжения. Киев: Наук, думка, 1983. - 216 с.

44. Мак-Таггард Л. Плазмохимические реакции в электрических разрядах. М.: - Энергоатомиздат - 256 е.: ил.

45. Манзон Б.М. Maple V Power Edition // М.: Филинъ, 1998. 240 е.:ил.

46. Мануковский Ю.М., Пузаков А.В. Широкорегулируемые автономные транзисторные преобразователи частоты. Кишинев "Штиинца", 1990.-152 е.: ил.

47. М. Херхагер, X. Партолль. Mathcad 2000: полное руководство: Пер. с нем. К.: Издательская группа BHV, 2000. - 416 е.: ил.

48. Патент Российской Федерации №2130685 Емкостной накопитель / Т.П. Костюкова, Л.Э. Рогинская, А.Г. Саенко. Опубл. в бюл. №14 20.05.99.

49. Паширнов А.Г., Фролов А.Н. Моделирование динамических характеристик импульсных преобразователей напряжения // Электротехника 1993, №11, с. 58-63.

50. Плазмохимические технологии / В.Д. Пархоменко, П.И. Сорока, Ю.И. Краснокутский и др. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1991. -392 с. -(Низкотемпературная плазма. Т.4).

51. Прохоров Г.В., Леденев М.А. Пакет символьных вычислений Maple V // М.: Петит, 1997. 200 е.: ил.

52. Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1992. - 592 е.,ил.

53. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования Micro-Cap V. М.: Солон - 1997. -273 е.: ил.

54. Расчет электромагнитных элементов источников вторичного электропитания / А.Н. Горский, Ю.С. Русин, Н.Р. Иванов, Л.А. Сергеева М.: Радио и связь, - 1988 - 176 е.: ил.

55. Резвых К.А. Расчет электростатических полей в аппаратуре высокого напряжения. М.: Энергия, 1967. - 120 е.: ил.

56. Рогинская Л.Э., Костюкова Т.П. Расчет специальных трансформаторов полупроводниковых преобразователей: Учебное пособие. Уфа: УАИ, 1986.-80 е.: ил.

57. Розенблат М.А. Магнитные элементы автоматики и вычислительной техники 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Наука, 1974. - 768 е.: ил.

58. Ромаш Э.М. Транзисторные преобразователи в устройствах радиоэлектронной аппаратуры. -М.: Энергия, 1975. 176 е.: ил.

59. Русин Ю.С. Трансформаторы звуковой и ультразвуковой частоты. JL: Энергия, 1973. 152 е.: ил.

60. Саенко А.Г. Расчет параметров ультразвукового трансформатора системы активации полиолефиновых материалов // Сборник научных трудов УТИС. Уфа: УТИС, 2001. с. 55-56.

61. Сергеев Б.С. Схемотехника функциональных узлов источников вторичного электропитания; Справочник. М.: Радио и связь, 1992. - 224 с.

62. Системы управления с тиристорными преобразователями частоты для электротехнологии / С.В. Шапиро, Ю.М. Зимин, А.В. Иванов; Под ред. С.В. Шапиро. -М.: Энергоатомиздат, 1989. 168 е.: ил.

63. Тиристорные и магнито-тиристорные агрегаты питания электро-фильтов очистки газа/ Шапиро С.В., Серебряков А.С., Пантелеев В.И. М.: Энергия, 1978. - 112 е.: ил.

64. Тиристорные преобразователи частоты / А.К. Белкин, Т.П. Костюкова, Л.Э. Рогинская, А.А. Шуляк. М.: Энергоатомиздат, 2000. - 263 е.: ил.

65. Ткачев А.Н., Гудков Д.О. Моделирование переходных и установившихся процессов в электрических цепях с нелинейными индуктивными элементами методом переменных состояний.// Изв. высш. учебн. заведений. Электромеханика, 1997. - №6. - с.З - 8.

66. Транзисторные генераторы гармонических колебаний в ключевом режиме / В.Б. Козырев, В.Г. Лаврушенков, В.П. Леонов и др.: Под ред. И.А. Попова. М.: Радио и связь, 1985. - 192 е.: ил.

67. Физическая химия барьерного разряда / В.Г. Самойлович, В.И. Гибалов, К.В. Козлов. 1989. - 174 е.: ил.

68. Фишлер Я.Л. Трансформаторное оборудование для преобразовательных установок. М.: Энергоатомиздат. 1989. 319 е.: ил.

69. Фолкенберри Л.М. Справочное пособие по ремонту электрических и электронных систем. Пер: с англ. М.: Энергоатомиздат, 1989. - 416 е.: ил.

70. Характеристики кристаллов МОП транзисторов третьего поколения (HEXFET III). // Силовые полупроводниковые приборы IR. Книга по применению. Воронеж 1995. с. 312-322.

71. Х.Ясуда. Полимеризация в плазме. М.: Мир, 1988. 374 е.: ил.

72. Четти П. Проектирование ключевых источников электропитания: Пер. с англ. М.: Энергоатомиздат, 1990. - 240 е.: ил.

73. Шапиро С.В. Резонансные явления в высоковольтном трансформаторе питания озонатора повышенной частоты // Сборник "Управляемые электрические цепи и электромагнитные поля". Уфа: УГАТУ, 1997. с. 89-96.

74. Шапиро С.В., Саенко А.Г. Резонансные явления в источнике питания активатора полимерных материалов // Сборник научных трудов «Электротехнические комплексы и системы». Уфа: УГАТУ, 2001. с.66-70.

75. Электрический разряд в электротехнологических установках., сб. статей под редакцией Бондалетова В.Н. Чебоксары.-1971 г. - 54 с.

76. Электроразрядные процессы: теория, эксперимент, практика/ Сб. науч.трудов/Ред.кол.: Г.А.Гулый (отв. ред.) и др. Киев: Наук, думка, 1984. -148 е.: ил.

77. Электрофизические процессы в энергетических и технологических установках высокого напряжения / Межвузовский тематический сборник №27, Москва. 1984. 115 е.: ил.

78. Эраносян С.А. Сетевые блоки питания с высокочастотными преобразователями. -Л.: Энергоатомиздат, Ленингр. отд-ние, 1991.- 176 е.: ил.

79. B.R. Pelly. Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs. //http://www.irf.com/technical-info/appotes/an944/an-944.htm.

80. B.R. Pelly. Что нужно делать и чего нельзя делать, используя мощные МОП транзисторы. // Силовые полупроводниковые приборы IR. Книга по применению. Воронеж 1995. с. 115-123.

81. Choosing the Correct Dropping Resistor Value for the IR2151/IR2152/IR2155 Control Ics. // DT-94-10A Control Integrated Circuit De-singers' Manuals. 1996. CI 11-C114.

82. D. Grant. HEXFET III: новое поколение мощных МОП транзисторов. // Силовые полупроводниковые приборы IR. Книга по применению. Воронеж 1995. с. 332-350.

83. D. Grant. Применение HEXFET III в ШИМ-инверторах для приводов двигателей и систем бесперебойного питания. // Силовые полупроводниковые приборы IR. Книга по применению. Воронеж 1995. с. 351-368.

84. Electronic Ballasts Using the Cost-Saving IR215X Drivers.// AN-995A Control Integrated Circuit Desingers' Manuals. 1996. C59-C68.

85. IR2155. Self Oscillating Half Bridge Driver. // Control Integrated Circuit Desingers* Manuals. - 1996. B199-B204.

86. K. Teasdale. Введение в качество и надежность МОП транзисторов. // Силовые полупроводниковые приборы IR. Книга по применению. Воронеж 1995. с. 424-447.

87. Keeping the Bootstrap Capacitor Charged in Buck Converters. // DT-94-1A Control Integrated Circuit Desingers' Manuals. 1996. C97-C98.

88. Laszlo Kiraly. Решение проблем помехоустойчивости мощных высокочастотных ИС, управляющих мощными каскадами. // Силовые полупроводниковые приборы IR. Книга по применению. Воронеж 1995. с. 6-9.

89. Laszlo Kiraly. Простое управление верхним уровнем обеспечивает быстрое переключение и продолжительное время включения. // Силовые полупроводниковые приборы IR. Книга по применению. Воронеж 1995. с. 19-20.

90. Low Gate Charge HEXFETs Simplify Gate Drive and Lower Cost. // DT-94-7A Control Integrated Circuit Desingers' Manuals. 1996. C101-C104.

91. Maximizing the Latch Immunity of the IR2151 and IR2152 in Ballast Applications. // DT-94-9A Control Integrated Circuit Desingers' Manuals. 1996. C105-C110.

92. Plasma Surface Modification of Polymers. Relevance to Adhesion. Eds.M. Strobel, C.S. Lyons, K.L. Mittal. The Netherlands: VSP BV. 1984.

93. P. Wood. МОП транзисторы улучшают КПД и удлиняют срок службы электронных балластов для освещения. // Силовые полупроводниковые приборы IR. Книга по применению. Воронеж 1995. с. 393-402.

94. P. Wood. Многовыходной, автономный, импульсный источник питания на МОП транзисторах. // Силовые полупроводниковые приборы IR. Книга по применению. Воронеж 1995. с. 244-253.

95. P. Wood. Применение экономичного драйвера IR2155 в электронных балластах. // Силовые полупроводниковые приборы IR. Книга по применению. Воронеж 1995. с. 592-603.

96. R. Pearce, S. Brown, D. Grant. Измерение характеристик МОП транзистора. // Силовые полупроводниковые приборы IR. Книга по применению. Воронеж 1995. с. 273-283.

97. S. Clemente, B.R. Pelly, A. Isidori. Понимание работы МОП транзистора с гексагональной структурой (МОП ПТ ГС) в режиме переключения. // Силовые полупроводниковые приборы IR. Книга по применению. Воронеж 1995.-е. 195-215.

98. S. Clemente, B.R. Pelly, R. Puttonsha. Current Ratings of Power Semiconductors. // http://www.irf.com/technical-info/appotes/an949/an-949.htm.

99. S. Clemente. Application Characterization of IGBTs. // AN-990 Control Integrated Circuit Desingers' Manuals. 1996. C41-C58.

100. S. Clemente. Gate Drive Characteristics and Requirements for Power HEXFETs.//AN-937A. Control Integrated Circuit Desingers' Manuals.-1996. C1-C8.

101. S. Clemente. ESD Testing of MOS Gated Power Transistors.// http://wvm.irf.com/technical-info/appotes/an986/an-986.htm

102. S. Clemente, A. Dubhashi. HV Floating MOS-Gate Driver Integrated Circuit. // AN-978B Control Integrated Circuit Desingers' Manuals. 1996. C9-C20.

103. S. Clemente, A. Dubhashi, B.Pelly. IGBT Characteristics. // AN-978B Control Integrated Circuit Desingers' Manuals. 1996. C21-C32.

104. S. Malouyans. Компьютерные модели SPICE для силовых МОП транзисторов. // Силовые полупроводниковые приборы IR. Книга по применению. Воронеж 1995. с. 403-410.

105. Simple Electronic Ballast Using IR2151/52/55 Control ICs. // DT-94-3A Control Integrated Circuit Desingers' Manuals. 1996. C99-C100.

106. Simple High Side Drive Provides Fast Switching and Continuous On-Time. / DT-92-4A Control Integrated Circuit Desingers' Manuals. 1996. C83-C84.114

107. Solving Noise Problem In High Power, High Freqency Control 1С Driven Power Stages. // DT-92-1B Control Integrated Circuit Desingers' Manuals. -1996. C69-C72.