автореферат диссертации по приборостроению, метрологии и информационно-измерительным приборам и системам, 05.11.16, диссертация на тему:Информационно-измерительная система для контроля микроструктуры и фазового состава тонкопленочных материалов

Введение

Глава 1. Состояние вопроса и задачи исследований

§1.1. Постановка задачи измерения параметров электронно-дифрак- 9 ционных картин

§1.2. Выбор приемно-измерительного устройства.

§1.3. Методы и средства измерения параметров тонких пленок на основании анализа электронно-дифракционных картин

§1.4. Анализ источников возникновения погрешностей измерения интенсивности рассеяния электронов. Статистика счета электронных импульсов

§1.5. Специфика проблем измерения и анализа параметров микроструктуры и фазового состава ориентированных мультислойных пленок Ленгмюра-Блоджетт

Глава 2. Разработка методов и средств машинного зрения для измерения и анализа параметров микроструктуры и фазового состава тонкопленочных материалов

§2.1. Общие сведения

§2.2 Предварительная обработка электронно-дифракционных картин

§2.3. Распознавание изображений объектов на электронно-дифракционной картине

§2.4. Измерение координат и интенсивностей электронно-дифракционных рефлексов 48 2.5. Аппаратное обеспечение системы измерения параметров электронно-дифракционных картин

ГЛАВА 3. Быстродействующая автоматизированная система электронно-счетного измерения интенсивности рассеяния электронов

§3.1. Статистическая модель электронно-счетного измерения интенсивности электронных потоков

§3.2.Электронно-счетное измерение с многоканальным накоплением

§3.3. Последовательная дискретная многопороговая система измерения интенсивности рассеяния электронов

Глава 4. Коррекция погрешности нелинейности при электронно-счетном измерении интенсивности рассеяния электронов

§4.1. Управление процессом электронно-счетных измерений в электронной дифрактометрии

§4.2. Погрешность нелинейности в сцинтилляционных счетчиках

§4.3. Программные средства коррекции погрешности нелинейности при электронно-счетном измерении интенсивности рассеяния электронов

§4.4. Влияние параметров сцинтилляционных импульсов на погрешность многоканального электронно-счетного измерения интенсивности рассеяния электронов 133 Заключение и общие выводы 141 Список основных работ, опубликованных по теме диссертации 144 Литература 147 Приложение

Актуальность работы.

Развитие технологии производства изделий микроэлектроники в направлении повышения степени интеграции создаваемых структур привело к тому, что традиционные методы перестали обеспечивать необходимую плотность упаковки элементов, так как эти методы подошли к своему теоретическому пределу по разрешающей способности. Развитие микроэлектронных технологий идет по пути поиска принципиально новых решений. В настоящее время сформировалось новое научное направление — молекулярная электроника. Базовыми компонентами изделий молекулярной электроники являются тонкопленочные материалы. Наиболее перспективной технологией их получения является технология Ленгмюра-Блоджетт (ЛБ).

В основу метода ЛБ положено свойство молекул определенного класса (амфифильных) образовывать мономолекулярные слои на границе раздела фаз газ/жидкость. Эти молекулы сложной структуры имеют области, притягивающиеся к жидкой фазе (гидрофильные) и отталкивающиеся от нее (гидрофобные). На границе раздела фаз газ/жидкость они ориентируются гидрофильной областью к поверхности жидкой фазы, а гидрофобной — от нее. Круг веществ, способных образовывать монослои на поверхности воды, очень широк и охватывает большое число разнообразных органических соединений: длинноцепо-чечные кислоты, спирты, амины, кетоны, фосфолипиды, порфирины, хлорофилл, полипептиды, полимеры и др.

Метод ЛБ позволяет комбинировать слои из молекул разного сорта и тем самым формировать системы сложной молекулярной архитектуры. Применение ЛБ пленок перспективно в различных областях, например, при создании фотолюминесцентных приборов, при изготовлении сенсоров, волноводов, фотолитографического резиста.

В частности, для изготовления сенсорных элементов изделий молекулярной электроники применяются ориентированные мультислойные пленки ди-пальмитоилфосфатидилхолин/холестерин (ДПФХ/холестерин) — аналоги клеточных мембран.

Сложность молекулярной архитектуры приводит к снижению выхода годных ЛБ пленок до уровня единиц процентов. В сложных изделиях, в состав которых входят эти пленки, необходимо осуществлять стопроцентный контроль их микроструктуры и фазового состава с тем, чтобы исключить применение некачественных пленок на последующих стадиях технологического процесса. В связи с этим остро стоит проблема создания эффективной системы не-разрушающего контроля микроструктуры и фазового состава получаемых ЛБ пленок. Причем контроль должен осуществляться на ранних стадиях технологического процесса и выбраковывать все некачественные структуры, что позволит на порядок повысить выход годных изделий, содержащих ЛБ пленки.

Информационно-измерительная система, применяемая для осуществления разбраковки ЛБ пленок, должна обладать чувствительностью в определении мольных соотношений концентраций компонент пленок на уровне десятых долей процента, осуществлять контроль на локальных участках порядка единиц микрометров и иметь разрешение не более единиц нанометров. Время проведения операции контроля должно быть в пределах единиц секунд, и должно выполняться условие сохранения объекта для дальнейшего применения в технологическом процессе изготовления сложных изделий молекулярной электроники.

Электронная и рентгеновская спектрометрия позволяет получить информацию о количественном и качественном химическом составе веществ, заряд-ности атомов, толщине пленок. Эти данные являются интегральными, то есть спектрограмма не несет информации о структурных соотношениях атомов различных компонент.

Рентгеновская и электронная микроскопии позволяют получать информацию об атомной структуре веществ, но их разрешающая способность по 5 межплоскостным расстояниям недостаточна для решения задач контроля сложных тонкопленочных материалов.

Требованиям технологического процесса по точности, локальности и разрешающей способности удовлетворяют только дифракционные методы контроля. Общим условием дифракции волн любой природы является соизмеримость длины волны с расстоянием между рассеивающими центрами. Этим условиям удовлетворяют нейтронное, рентгеновское и электронное излучения. Информативность дифракционной картины — ее контрастность — определяется энергией рассеянного излучения, накопленного в элементах приемно-измерительного устройства за время экспозиции. Поэтому чем больше мощность рассеянного излучения, тем меньше времени требуется для получения дифракционной картины необходимой контрастности. Мощность рассеянного электронного излучения превышает мощность рассеянного рентгеновского и нейтронного излучений примерно на шесть порядков. В результате там, где для получения нормально экспонируемой рентгенограммы или нейтронограммы необходимы часы, для получения электронограммы достаточно нескольких секунд.

В то же время большая энергия взаимодействия электронов с веществом создает и проблемы. Многоволновое рассеяние и неупругие столкновения накладывают на информативные электронно-дифракционные рефлексы сильный фон. В результате резко повышается динамический диапазон регистрируемого приемно-измерительным устройством сигнала. Это приводит к снижению точности структурных определений и росту затрат времени на их проведение.

В связи с этим возникает проблема быстрого и точного измерения и обработки распределения интенсивности в электронно-дифракционной картине. Для решения этой проблемы необходимы инструментальные аналитические средства, позволяющие в течение нескольких секунд, с точностью до единиц процентов, в динамическом диапазоне интенсивности на уровне трех-четырех порядков измерять и обрабатывать электронно-дифракционные картины. 6

Цель работы.

Целью диссертационной работы является разработка информационно-измерительной системы для исследования тонкопленочных материалов сложной молекулярной архитектуры (ЛБ пленки, аморфные слои) средствами электронной дифрактометрии, а также методик и алгоритмов, позволяющих измерять распределение интенсивности рассеяния электронов, решать задачи обработки, распознавания объектов и анализа электронно-дифракционных картин с точностью и быстродействием, удовлетворяющими современным требованиям.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Метод автоматического формирования структурного описания электронно-дифракционных картин в виде координат и интенсивностей их рефлексов. Метод основан на том, что подсчет количества растровых элементов, принадлежащих вершине рефлекса, суммирование их интенсивностей и суммирование их координат осуществляются одновременно с распознаванием рефлексов и их вершин.

2. Метод распознавания изображений объектов, позволяющий осуществлять это распознавание одновременно с процессом считывания распределения интенсивностей рассеяния электронов в электронно-дифракционной картине. Метод основан на анализе матрицы градиентов яркости между сканируемым элементом и соседними с ним по восьми направлениям. Применение метода позволяет распознавать изображения объектов с большими градиентами яркости на неравномерном фоне, в частности, электронно-дифракционные рефлексы.

3. Обоснование необходимости применения метода электронно-счетной регистрации электронно-дифракционных картин при решении задач контроля тонкопленочных материалов. Применение многоканальной системы электронно-счетного измерения интенсивности рассеяния электронов обеспечивает сокращение времени регистрации электронно-дифракционных картин до приемлемого уровня без ущерба для точности измерений.

4. Наличие положительной корреляции между мощностью регистрируемого излучения и электрическим зарядом, переносимым среднестатистическим выходным импульсом детектора электронов, определяющее погрешность нелинейности измерений в области слабых интенсивностей. Методика автоматической коррекции этой погрешности нелинейности.

Выражаю благодарность научному консультанту к. т. н., профессору Юркову Н. К. за содействие в подготовке диссертационной работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Обоснован метод структурного описания электронно-дифракционной картины в виде координат и интенсивностей рефлексов. Доказано, что сравнение таких описаний электронно-дифракционных картин контролируемого образца и эталонного позволяет достоверно и быстро проводить структурные определения для объектов сложной молекулярной архитектуры (ЛБ пленки, аморфные слои).

2. Разработан метод измерения координат и интенсивностей электронно-дифракционных рефлексов, в котором подсчет количества растровых элементов вершин рефлексов, суммирование их координат и суммирование их интенсивностей осуществляется одновременно с процессом распознавания рефлексов и их вершин, после чего на основании полученных данных вычисляются координаты центров тяжести вершин рефлексов и их средние интенсивности. Эти параметры и считаются соответственно координатами и интенсивностями рефлексов.

3. Разработан метод распознавания объектов, имеющих большие градиенты яркости на неравномерном фоне, обеспечивающий распознавание одновременно с их считыванием. Классификация растровых элементов при этом осуществляется на основании анализа градиентов яркости между сканируемым элементом и соседними с ним по восьми направлениям. Применение метода позволяет распознавать электронно-дифракционные рефлексы.

4. Доказано, что применение системы, осуществляющей параллельное электронно-счетное измерение суммарной частоты импульсов, полученных в результате сравнения выходного сигнала детектора электронов с набором пороговых уровней позволяет сократить время регистрации электронно-дифракционных картин с единиц часов до единиц секунд, что приемлемо при проведении структурных определений для тонкопленочных объектов сложной молекулярной архитектуры.

5. Установлено наличие положительной корреляции между мощностью регистрируемого излучения и электрическим зарядом, переносимым среднестатистическим выходным импульсом детектора электронов, определяющее погрешность нелинейности измерений в области слабых интенсивностей.

6. Разработана методика автоматической коррекции погрешности нелинейности регистрации электронно-дифракционных картин, в которой каждый отсчет экспериментальной интенсивности рассеяния электронов преобразуется корректировочной функцией, полученной в ходе предварительных градуи-ровочных измерений.

7. Разработан, сконструирован, изготовлен и внедрен комплекс аппаратных и программных средств для исследования тонкопленочных объектов сложной молекулярной архитектуры методом электронной дифрактометрии. Комплекс осуществляет точное измерение распределения интенсивности рассеяния электронов одновременно с обработкой электронно-дифракционных картин.

8. Разработана, сконструирована, изготовлена и внедрена многоканальная измерительная система, в которой интенсивность рассеяния электронов измеряется как суммарная частота импульсов, полученных в результате сравнения выходного сигнала детектора электронов с набором пороговых уровней. В системе осуществляется автоматическая коррекция экспериментальных интенсивностей функцией, полученной в результате предварительных гра-дуировочных измерений.

9. Разработана и экспериментально проверена методика неразрушающего контроля ориентированных мультислойных пленок ДПФХ/холестерин, полученных по ЛБ технологии. Ее применение в технологическом процессе изготовления сенсорных элементов изделий молекулярной электроники позволит увеличить выход годных изделий на 20 — 40%, сэкономить материалы и снизить трудозатраты.

Опытные образцы системы автоматизированной регистрации электронно-дифракционных картин, разработанные, сконструированные и изготовленные автором, применяются в научных исследованиях лаборатории электронографии Института кристаллографии РАН (г. Москва), в научных исследованиях и в учебном процессе кафедры физики СПбЭТУ (г. Санкт-Петербург).

1. ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

2. Положительное решение от 27. 2. 1992 по заявке в 06 К9/00 N 4891118 от 17. 12. 1990. Устройство для селекции изображений. / А. Л. Држевецкий, В. Н. Контишев, А. В. Григорьев, А. Г.Царев.

3. Патент 1837335 РФ. в 06 К 9/00. Устройство для селекции изображений. / А. Л. Држевецкий, В. Н. Контишев, А. В. Григорьев, А. Г. Царев. // Выдан 19. 08. 1993 г. / БИ, 1993, N 32.

4. А. Л. Држевецкий, А. В. Григорьев. Способ распознавания перекрывающихся микродефектов. // Цифровые модели в проектировании и производстве РЭС: Межвуз. сб. науч. тр. Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 1993.

5. Држевецкий А. Л., Григорьев А. В. Способ предварительной обработки электронограмм // Цифровые модели в проектировании и производстве РЭС: Межвуз. сб. науч. тр. Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 1994. -Вып. 5.-С. 138-140.

6. Држевецкий А. Л., Григорьев А. В., Орехов С. В. Быстродействующий дискретный тракт регистрации корпускулярных потоков // Методы и средства оценки и повышения надёжности приборов, устройств и систем:

7. Тез. докл. международной НТК. Пенза, 1995.

8. A. JI. Држевецкий, А. В. Григорьев. Автоматизированная система оптического допускового контроля печатных плат и фотошаблонов. // "Метрология" (прил. к ж. "Измерительная техника"), 1995, вып. 4, с. И . 18.

9. Ю.Орехова Л. Л., Орехов С. В., Григорьев А. В. "Electron Diffraction Study of Langmuir-Blodgett Lipid Films", Abstracts of the 7th Int. Symposium on Nondestructive Characterization of Materials, Prague, Czech Republic, 1995

10. А. В. Григорьев, А. Л. Држевецкий, С. В. Орехов. Последовательная дискретная многопороговая автоматизированная система регистрации электронно-дифракционных картин. // Измерительная техника. 1996. -N5. -С. 16.

11. А. Л. Држевецкий, А. В. Григорьев, С. В. Орехов. Дискретный измеритель интенсивности рассеяния электронов. // Цифровые модели в проектировании и производстве РЭС: Межвуз. сб. науч. тр. Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 1996. - Вып. 7.

12. Ю. Я. Томашпольский. Пленочные сегнетоэлектрики. М. "Радио и связь", 1984.

13. Б. К. П. Хорн. Зрение роботов. М. Мир, 1989.

14. В. В. Клечковская, Е. В. Ракова, А. А. Тихонова, A. JI. Толстихина. Электронография как метод исследования поверхностных слоев и тонких пленок. // Итоги науки и техники. Пучки заряженных частиц и твердое тело. 1990. — т.З.

15. Каули Дж. Физика дифракции. — М.: Мир, 1979.

16. Reflection High Energy Electron Diffraction / Ed. by Larsen P. K. and Dob-son P. J. New York — London, Plenum Press. — 1988.

17. Aggarwal J. K., Duda R. O., Rozenfeld A. (eds). Computer Methods in Image Analysis, IEEE Press, New York, 1977.

18. Вергасов В. JI. Отображение электронным волновым полем структуры кристалла и методы ее идентификации // В сб.: Методы структурного анализа, серия Проблемы современной кристаллографии т. 1 // Отв. ред. Вайнштейн Б. К.—М., Наука, —1989.

19. Практические методы в электронной микроскопии / под ред. О. М. Глоэра. — Л.: Машиностроение, 1980.

20. Орехова Л. Л. Получение и структурное исследование липидных пленок Ленгмюра-Блоджетт. // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук // М., Изд-во Института биоорганической химии РАН, 1997.

21. Орехова Jl. Л., Орехов С. В., Григорьев А. В. "Electron Diffraction Study of Langmuir-Blodgett Lipid Films", Abstracts of the 7th Int. Symposium on Nondestructive Characterization of Materials, Prague, Czech Republic, 1995.

22. Germer L, Storks K., J.Chem. Phys/ 1938, 6, 280

23. А. Л. Држевецкий, А. В. Григорьев. Автоматизированная система оптического допускового контроля печатных плат и фотошаблонов. // "Метрология" (прил. к ж. "Измерительная техника"), 1995, вып. 4, с. 11 . 18.

24. Клечковская В. В., Удалова В. В. Определение атомной структуры кристаллов электронографическим методом // в сб.: Методы структурного анализа. Серия: Проблемы современной кристаллографии. Т. 1 / Отв. ред. Вайнштейн Б. К. — М: Изд-во Наука, 1989.

25. Вайнштейн Б. К., Лобачев А. Н. Об установлении характера рассеяния электронов (динамического или кинематического) при электронографических структурных исследованиях. // Кристаллография. — 1956. — 1. — №4.

26. Вайнштейн Б. К. Эмпирический закон рассеяния в структурной электронографии // Кристаллография. — 1961. — 6. — №6.

27. П. А. Стоянов. Тенденции развития приборов электронной микроскопии. Изв. АН СССР, серия физическая, 1983 г., т. 47, №6.

28. К. О. Багдыкьянц, А. Г. Алексеев // Бюлл. АН СССР, 23, 1958, с. 766.

29. N. R. Rajopadhye, N. К. Raja. New Method for Directly Monitoring the Electron-Beam Intensity Profile in a Scanning Electron Mycroscope. // Review of Scientific Instruments, v. 60, iss.8, 1989, pp. 2650-2652.

30. M. Y. Yen, T. W. Haas. Dynamics of Reflection High-Energy Electron-Diffraction Intensity Oscillations During Molecular-Beam Epitaxial-Growth of GaAs on (111)B GaAs Substrates. // Appl. Phys. Lett., v. 56, iss. 25,1990, pp. 2533-2535.

31. M. P. Айбунд, Б. В. Поленов. Вторично-электронные умножители открытого типа и их применение. // М. 1981.

32. P. Chen, К. С. Rajkumar, Madhukar. Relation between High-Energy Electron-Diffraction Specular Beam-Intensity and the Surfase Atomic Structure/surfase morphology of GaAs (lll)B. // J. of Vacuum Sci. & Technol. В., v. 9, iss. 4, 1991, pp. 2312-2316.

33. M. P. Seash. Channal Electron Multipliers — Quantitative Intensity Measurement-Efficiency, Gain, Linearity and Bias Effects. // J. of Electron Spectroscopy & Related Phenomena, v. 50, iss. 1-2, 1990, pp. 137-157.

34. Ю. P. Носов, В. А. Шилин. Основы физики приборов с зарядовой связью.//М., 1986, с. 25-30.

35. Y. L. Shan, J. Н. Lu, Q. Н. Liu S. M. Cai. Single-Board Computer Low-Energy Electron Diffraction Measurement Apparatus. // J. of Vacuum Sci. & Technol. A-Vacuum Surface & Films, v. 7, iss. 4, 1989, pp. 2814-2817.

36. S. Lennander // Arkiv. fys., 8, 1954, p. 551.

37. S. Takagi, T. Suzuki. // Acta Cristallogr., 8, 1995, p. 441.

38. H. Pfister. // Z. Naturforsch. a, 12, 1957, p. 217.

39. A. M. Тютиков, А. И. Ефремов. // ДАН АН СССР, 118, 1958, с. 286. 3 5. А. М. Тютиков, А. И. Ефремов. // ПТЭ №1,1962, с. 154.

40. А. М. Тютиков, А. И. Ефремов. // Изв. АН СССР, серия физ., 26, 1962, с. 1390.

41. А. Г. Алексеев, Е. В. Зеленская. // Оптико-механическая промышленность, 10, 1963, с. 38.

42. А. Б. Костин, Т. А. Филимонова. Фотоэлементы и фотоэлектронные умножители для нано- и субнаносекундных измерений. // Итоги науки и техники. Электроника и ее применение, 1983.

43. В. К. Ляпидевский. Методы детектирования излучения. // М., 1987, с.50.52.

44. А. Г. Берковский, В. А. Гаванин, И. Н. Зайдель. // Вакуумные фотоэлектронные приборы. М. 1988.

45. А. В. Гулаков, С. А. Холондырев. Одноэлектронные фотоприемники. М. 1986.

46. С. W. Grigson. //Nature, 192,1961, p. 647.

47. С. W. Grigson. // J. Phys. Soc. Japan 17, Suppl. В. 11, 1962, p.298.

48. C. W. Grigson. // J. Electron. Control, 12, 1962, p. 209.

49. C. W. Grigson, W. C.Denbigh, W. C. Nixon // International Conference on Electron Mycroscopy, Philodelphia, JJ7, Academic Press Inc., New York, 1962.

50. P Goodman. // J. Phys. Soc. Japan 17, Suppl. В 11, 1962, p. 294.

51. H. A. Raether. // J. Phys. Soc. Japan 17, Suppl. В. 11, 1962, p. 61.

52. M. Horstmann, G. Meyer. // Z. Physik, 159,1960, p. 563.

53. K. Brack. // Z. Naturforsch., 17,1962,1066.

54. S. Goldsztaub, C. Burggraf. //J. Microscopie, 2, 1963, p. 573.

55. А.с. 1269215 СССР. Н 01 J 37/00. Способ измерения интенсивности рассеяния электронов при электронографических исследованиях. / В. В. Голубков // Выдано 07.11.1986г. / БИ, 1986, №41.

56. Gregory R. L. The Intelligent Eye, McGraw-Hill Book Co., New York,1970.

57. Hamming R. W., Numerical Methods for Scientists and Engineers, McGraw-Hill Book Co., New York, 1962.

58. А. С. Авилов, P. M. Имамов, 3. Г. Пинскер. Состояние и перспективы прецизионной структурной электронографии. // Изв. АН СССР, серия физическая, 1980, т. 44, №6.

59. А. В. Григорьев. Метод анализа интерференционных и дифракционных изображений. // В сб.: Технологии и системы обработки информации и управления — Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 1999, №2.

60. С. С. Ветохин, И. Р. Гулаков, А. Н. Перцев, И. В. Резников. Одноэлек-тронные фотоприемники. М.: Атомиздат, 1979.

61. Transparant properties of GaAs of tained from photoemission measurements//Phys. Rev.—1969.

62. Stocker B. J. AES and LEED study of the activation of GaAs-CsO negetive electron affinity surfaces // Surface Science. — 1975.

63. Pollehn H. К., Image Intensifies // Applied Optics and Optical Engineering / Acad. Press. — 1980, v. 6.

64. Шелевой К. Д., Веников А. А. Дифференциальный дискриминатор-счетчик импульсов. // Приборы и техника эксперимента, 1984, №5.

65. Зюзин Ю. Н., Курбасов В. В. Исследование временных характеристик ФЭУ-130 в режиме счета фотонов. // Приборы и техника эксперимента — 1984 — №4.

66. Электронограф малоугловой регистрирующий ЭМР-102. ЦФ 1.720.048. // Техническое описание. — Украина, Сумы, ПО «Электрон», 1985.

67. Д. М. Хейкер. Рентгеновская дифрактометрия монокристаллов.

68. В. К. Ляпидевский. Методы детектирования излучения. — М., 1987.

69. А. Г. Берковский, В. А. Гаванин, И. Н. Зайдель. Вакуумные фотоэлектронные приборы. — М., 1988.

70. Држевецкий A. JL, Григорьев А. В. Способ предварительной обработки электронограмм // Цифровые модели в проектировании и производстве РЭС: Межвуз. сб. науч. тр. Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 1994. - Вып. 5. - С. 138-140.

71. Патент 1837335 РФ. G 06 К 9/00. Устройство для селекции изображений. / A. JI. Држевецкий, В. Н. Контишев, А. В. Григорьев, А. Г. Царев. // Выдан 19. 08.1993 г./БИ, 1993, N32.

72. Положительное решение от 27. 2. 1992 по заявке G 06 К9/00 N 4891118 от 17. 12. 1990. Устройство для селекции изображений. / А. Л. Држевецкий, В. Н. Контишев, А. В. Григорьев, А. Г.Царев.

73. А. с. 1674185 СССР С 06К9/00. Устройство для кодирования изображений объектов. А. Л. Држевецкий и др. — опубл. в Б. И. — №32.

74. А. С. Рошаль. Моделирование заряженных пучков. — М., Атомиздат,1979.

75. Л. 3. Румшинский. Элементы теории вероятностей. М. Наука, 1970.

76. Electron Microscope СМ-30 // Guide Manual, v.7.

77. А. В. Григорьев, А. Л. Држевецкий, С. В. Орехов. Последовательная дискретная многопороговая автоматизированная система регистрации электронно-дифракционных картин. // Измерительная техника. 1996. - N5. - С. 16.

78. А.с. 1269215 СССР. H 01 J 37/00. Способ измерения интенсивности рассеяния электронов при электронографических исследованиях. / В. В. Голубков // Выдано 07.11.1986г. / БИ, 1986, №41.

79. С. А. Гантман, Ю. М. Передрей, Н. Г. Усанкин. Управление качеством изделий в приборостроении статистическими методами. — Пенза: Пенз. политехи. ин-т, 1980.

80. В. Я. Баннов, А. В. Блинов, Ю. А. Сильвеструк. Статистический контроль качества изготовления деталей конструкций РЭС / Под ред. Н. К. Юркова / Пенза, ППИ, 1991г.

81. Б. К. Вайнштейн. Структурная электронография. — М., Изд-во АН СССР, 1956.