автореферат диссертации по радиотехнике и связи, 05.12.20, диссертация на тему:Фотоструктурные превращения и деградационные процессы в фоточувствительных аморфных полупроводниках

УКРА'ГНСЬКА ДЕРЖАВНА АКАДЕМ1Я ЗВ'ЯЗКУ ím. О.С. Попова

л > '.'.с. w

"л Л

Урум Галина Днощлвна

УДК 621.391.28

ФОТОСТРУКТУРШ ПЕРЕТВОРЕННЯ ТА ДЕГРАДДЦШШ ПРОЦЕСИ У ФОТОЧУТЛИВИХ АМОРФНИХ НАШВГГРОВ1Д НИКАХ

05.12.20- оптоелектронш системи

АВТОРЕФЕРАТ дисертаци на здобуггя наукового ступеня кандидата техшчних наук

Одеса-1998

Дисертащя е рукопис.

Робота виконана в ГЕвденноукрашському державному педагопчш ушверситету ш. К.Д. Ушннського, Минстерства освпи Украши Науковий кер1вник доктор ф1зико-математичних наук, професор

Шв Арнольд Юхимович, ГИвденноукрашсы державний педагопчний ушверситетая im.К. Д. Ушш кого, завщуючий кафедрою теоретично! ф1зики Oфiцiйнi опоненти: доктор техшчних наук, професор

Мокрицький Вадим Анатолиевич, Одесы шштехшчний ушверситет, заввдуючнй кафедр мшроелегарошки;

кандидат фхзико-математических наук,

Ipxa Василий 1ванович, Украшська державна акаде

зв'язку iM. О. С. Попова, доцент кафедри ф1зики

Провщна установа Одесышй державний ушверситет im. 1.1. Мечшкова.

3ахист вщбудеться " $ п д?Х>а£/а' 1998р. о /о годиш на засща спещашзовано! ради Д 41.816.01 Украшсько! державно! академи зв'я ¡м. О.С. Попова за адресою: 270021, Одеса, вул. Кузнечна, 1.

3 дисертащею можна ознайомитись у б1блютещ Украшсько! держав академи зв'язку iM. О.С. Попова (270021, Одеса, вул. Кузнечна, 1)

Автореферат розюланий " /В " ¡WJ:j5/u9, 1998р.

Вчений секретар спещашзовано! вчено! ради

Тваницький А.М

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОШ

Актуальтсть теми. Створення оптоелекгрохших систем та фото-електрошшх пристрот вимагае виршення нових завдань матер1алознавства, Базов1 мaтepiaли, призначеш для забезпечення кошфетних функцшнальних властивостей пршгад1в (фоточуттш елементи, хвилеводи, голограф1чш системи та imu.), повИнш мати певну атомну та елекгронну структуру i достатню стабшьнють. Серед таких MarepianiB важливе мкце займають аморфш нашвпрош'дников1' та даелектричш шари, а також шари, ¡мплантоваш юнами та опромшен! радаащею низьких i середтх енерггй.

Широке застосування знайшли прилади на ochobí аморфного кремнпо (a-Si). Фотоелектронш прилади, яю одержано з викрристанням а-Si, мають ушкальш параметри фотопровщносп, оптичного поглинання та ¡нш. Проте, такг системи виявляються недостатньо стабшышми. Ввдомо, що мають мюце ефекти деградацн фотоелектронних систем, одержаних на ochobí a-Si, пщ даяниям свггла, невеликих теплових навантажень, а також у процеЫ природного старшня. Аналопчно поводять себе i деяга iraní натвпровщштода матер1али, що застосовуються в опто- та фотослектрошць Тому актуальним завданням е одержання таких матер!ал1в опто- i фотоелектрошки, яю мають bíotobúihí (})í3hko-xímí4hí параметри та необхадну структур ну стабшыпсть. Важливо встановити зaлeжнicть структурних i електронних характеристик вад способу одержання матер1алу, а також шляхи покращання цих характеристик, виявити мехашзми деградацп мaтepiaлiв i пристроГв.

3 ycix властивостей аморфних нашвпровдаиюв з тетраедричною координащею зв'язюв найбшьш варта уваги i'x висока фотопровщшсть, великий коефщент поглинання видимого свггла, а також, можливклъ одержання тонких гонвок велико! плоил, - все це обумовлюе можливклъ створення дешевих генератор1в фото-е.р.с., яга працюготь на сонячшй енергп. Новг аморфш Maiepiajin знаходять також широке застосування у внробництв1 тонкошнкових штегралытх екрашв та електро-фотограф1чних пристро'1'в.

У даний час проводяться дослщження яга пов'язаш 3Í створенням конкретних опто-; i фотоелектронних систем, та направлеш на розробку загальних твердотшьних моделей, яга в подальшому можуть бути використаш для виршення конкретних завдань. У poGoTi реализовано другий 13 зазначених напрямюв та вирпнено деяю з вшцевказаних завдань на приклада a-Si.

Зв'язок робота з науковими програмами. планами, темами Робота- виконувалась за Планом науково-дослвдних робл, затвердженим Мшстерством ocbíth Украши (№ 01.87.0008419 вщ 10.01.90).

Мета работа: Мета робота полягала в розробщ структурних моделей фоточутливих. невпорядкованих нашвпровцщикових матср1ал1в та виявленш механшмш ix деградацп. завданы дослщження:

- на прикладд a-Si дослщити залежшсть фiзикo-xiмiчниx параметр1в фоточутливих невпорядкованих матер1алгв вщ засобу 1х одержання;, для цього розробиги модель a-Si, коли aмopфiзaцiя виникае внаслщок юнного бомбардування;

- дослщити i сшвставити pÍ3HÍ мехашзми виникнення розупорадкованих областей в нашвпровцщикових мат^алах, яю застосовуються для виршення завданнь опто-i фотоелектрошки;

- зхставити1 структур hí особливосп аморфних нашвпроводЕшюв, яю одержано pÍ3hhmh засобами;

- дослщитаг.мехашзми природно1 та вимушено! деградацп аморфних фоточутливих mapÍB a-Si;

- на основа розроблених моделей виявити можливосп спрямованого одержання фоточутливих аморфних нашвпровщникових mapÍB з заданимивластивостями.

Наукова новизна одержаних результата полягае в такому:

1. Розроблено метод комп'ютерного моделювання невпорядкованих нашвпровщникових uiapie, ям використовуються в опто- i фотоелекгронпц.

2. Розроблешш статистичну модель алмазопод^бного аморфного нашвпровадшка.

3. Показано,, що: мехашзми вимушено!" та природно! деградацп аморфних^ niapie нашвпровщнимв визначаються струкгурними особливостямш материалу i здшснюються у випшад дифузшно-контролкованих процессе чи ланцюгових реакцш.

4. Встановлено можливюгь регулювати концентрацш напружених зз'язив та- структурш параметри a-Si за допомогою радаацй тдпорогово! енерги.

5. Встановлено,. що зaлeжнicть вщ ¡нтенсивносп свггла процеЫв деградацп аморфних niapib a-Si змшюеться при 3pocraHHÍ поглинено! дози радади..

ГТрактичне значения одержаних результатов

Результата дослщжень дозволяють рекомендувати засоби одержання аморф1зованих i невпорядкованих нашвпровщпшв для опто-фотоелектрошки залежно вщ ix функционально!' poni при стпоренн1 прилада. Розкритгя MexaHi3MiB фотодеградацп та природою? деградаци фоточутливих аморфних наш'впроы'дшшв е теоретичною базою для гадвищення експлуатацшного ресурсу прилад1'в.

Особистий внесок здобувача

УЫ результата, що становлять основний з\н'ст дисертаци, автор' отримав самостийно. У працях, опублшованих у сш'вавторсга, автору належать таю результата:

1. Розроблено комп'ютерний метод моделювання невпорядкованих алмазопод1бних нашвпров^дниюв.

2. Проведено дослщження енергетично! стабшьносп модели a-Si та особливостей атомшга конфнуращй у цш модель

3. Проведено розрахунки парам CTpiß npoijccin, що контролюються дифуз^ею та пов'язаш з виникненням невпорядкованого стану Si внасладок ioHHoro бомбардування.

4. Проведено дослздження та в pядi випадюв знайдено ршення ганетичних р1внянь, що описують:

- формування аморфно! фази Si на основ! KBa3ixiMi4HHx реакцш;

- фотоструктурш перетворення в a-Si.

5. Дано штерпреташю основних результап'в розрахунюв.

Aпpoбaцiя результатов дисертацп. Результата дocлiджeнь: обговорювались на:

- Всесоюзних семшарах з комп'ютерного моделювання дефекпв у кристалах (Одеса, 1990, Одеса, 1992).

- Польсько-украшському семшар! з оптоелектронки (Закопане, 1994)

- Пекар)вськш МЬкнароднш конфсренци з ^¡зики нашвпровщниюв (Одеса, 1994).

- NATO Advanced Research Workshop on Computer Modelling of Electronic and Atomic Processes in Solids (Вроцлав, 1996).

- Мджнародному ceMi'iiapi "Комп'ютерне моделювання дефеклв у натвпровщниках"(С-Петербург, 1997).

Публ^кацп. За матер1алами дисертащйшн робота опубликовано 9 наукових праць.

Структура i: обсяг роботи. Робота складаеться 3Í вступу, чотирьох глав та bhchobkíb. Загальний обсяг дисертацн 134 с. тексту, вюпочаючи 28 с. шострацш, список лггературних джерел 11с.(118 наймснувань).

ОСНОВНИЙ 3MICT РОБОТИ

У Bcmii шдкреслено актуальшсть роботи, сформульовано мету та ochobhí завдань, атакож положения, що винесено на захист.

У роздшг Г наведено огляд сучасних уявлень про структуру та 4>Í3H4HÍ властивосп аморфних алмазопод1бних нашвпровщниюв.

В)'дм1чено, що ochobhí характеристики аморфного стану Si вивчено в даний час досить детально. a-Si е модельним аморфним нашвпровщником, вивчення якого дозволяе отримувати шформащю про фiзикo-xiмiчнi властивоеп ¡шпих' розупорядкованих тетраедричних натвпровщникових структур. Анагпз лиературних даних показуе, що при теоретичних дослвдкеннях аморфних натвпрошдниюв не завжди враховуеться метод íx одержання, а вадповдаю, не виявлено i структурш особливосп, що залежать вщ умов виробництва в1дпов!дних MorepianiB. Зокрема, не враховуеться р1зниця шивками a-Si, виробленими в умовах вакуумного осаджування та. шляхом юнного бомбардування. Разом з тим, tí та iiiiui шнвки суттево вццизняються характером дефектних конф!гурацш, особливосгями xi итогах зв'язмв, протйсанням дифузшних npouecÍB та гаш. Тому актуальним питаниям е з'ясування особливостей аморфних фоточутливих MaxepiaiiiB, одержаних у pÍ3Hnx умовах. У ганщ глави сформульоваш завданы дисертацй'.

У роздш II обговорюеться запропонована i розроблена в дисертацн нова модель аморфного стану тетраедричних нашвпровщнигав на приклада a-Si (модель випадкових атомних скупчень - МВАС). Описано характеры особливосп таког аморфно! фази, яка виникае внаслщок локального вибуху при гальмувалш ¿мплантованих íohíb. Застосовано спсщ'ально розроблений метод комп'ютерного моделювання. Комп'ютерне моделювання враховуе реальну ситуацно шляхом задания координат aTOMÍB за допомогою генератора випадкових чисел (розвпорядковаш обласп вмщуюгь. вщ 500 до 1200 aTOMÍB). При будуванш MOfleni було зроблено таи припущення:

1. Елекгрони адоабатично "шдстроюються" до розупорядковано!' системи aTOMÍB i спочатку зв'язують ix в pÍ3HÍ, можливо несприятлив1 з енергетично! точки зору, конфи-урацн.

2. Густина розупорядковано1 фази в1др1'зняеться вщ густини монокристала не бшын нш на 2%.

3. Атоми можуть розташовуватись на вщсташ 0,8а<11<1,5а, де а -м!жатомна вщстань в щеальнш регштщ.

4. Куга м1ж зв'язками початково припускаються довитъними.

Оскшьки розглядаються тетраедричш структури, кожний атом "зв'язуеться" з чотирма найближчими суа'дами (рис.1).

На рис.1 наведено приклад зв'язання атом1в.Подат номери атомш одного неправильного тетраедра з нентральним атомом 5. Це вщповщае першому рядку таблиц!. У таблиц! шюструються випадки, яга вщповадають виникненню ненасичених зв'язив. Наведено два випадки: коли атом 5 мае вЫ насичеш зв'язки (другий рядок) та коли, принайм1, один зв'язок атома 5, - ненасичений (третШ рядок). Таким чином, у модел1 присутш вузли з 1, 2, та 3 незкомпенсованими електронами, а також м1жвузловинш атоми.

У пoчaткoвiй стад» нобудови МВАС система е надто нер1вноважною. Тому на наступит стадо здшснюеться й релаксащя. Вщбуваеться "перезв'язування" атом]'в та перех)'д до нових тишв пбридизацн, як1 забезпечують необх1дну енергетичну стабшыпсть розупорядкованого стану. Було застосовано один з вар1'анпв методу молекулярно! динампси з наш'вемшричними потенщалами. Згщно з методом центральних кшцевих р1зниць

*^(Г. + АГ) = *'(0 + ^(/ + Д//2), (1)

У^(/ + Д//2) = У5(/-А//2) + Айя'-,^'(0, (2)

де А/ - крок ¡нтегрування, х, -координата атом1в, у,.-швидюсть атом1в, FJ.-сили.

До здшснення процедури релаксацн кути лстотно вир1зняються вщ тетраедричних. Пгсля релаксацн залишаються лише кути в обмежених

границях: 109° ±аде а - 5°. а е середне значения розподшу купв. У ход! релаксацп, коли проводиться "перезв'язування" атомов, ми шдходимо все ближче до вдеально! реиптки. Питания полягае в тому, на якому етат слщ зупинитися для того, щоб одержати реальну аморфну структуру та той схупшь нер1вноважносп системи, який ш ввдповщае. У даному випадку визначенля параметр1в Л,а полягае в тому, щоб функци рад1ального розподшу аттанв (ФРРА) вадповщала тШ, яка експериментально одержуеться. Для р1зних параметр1в моделювання обчислення ФРРА проводилось за допомогою стандартних алгоршшв так, щоб ФРРА, яку обчислено, як можна краще наближалась до експериментально!.

Використання потенщалу Вебера-Стсллтгера, при комп'ютерному моделюванш, призвело до задовшьних результате щодо виду ФРРА. Загальну структуру розупорядковано! облает зпдно .з МВАС видно на рис.2.

пЗ (%) п5(%)

70 50 30 10

3 4 5 Ш N

Рис.2 Рис.3

Структура розупорядковано! области Залежшсть густини п-членних у МВАС кшець в1д po3M¡pÍB розупоряд-

кованих областей

Модель аморфного стану, яку розроблено, пояснюе особливосп електронно! структури a-Si, який одержан при юнному бомбарду ваши, встановлюе залежшсть густини n-членних кшець вщ po3MÍpÍB розупорядкова!жх областей, що показано на рис. 3. Ордината зл!ва вщповщае дол1 3-членних кшець, справа - 5-членних кшець, N - кшьюсть aTOMÍB у кластера У заключали глави за допомогою розроблено! модели а-Si дано штерпретацйо нового явища - тимчасово збуджено! дифузп [1].

У роздто» Ш наведено дослщження KBa3ixÍMÍ4HHx реакцш, яю призводять до аморф!зацп тетраедричних нашвпровадншав. Коагулящйний мехашзм aмopфiзaцií можна представите ланцюгом взаемозв'язаних KBa3Íx¡MÍ4HHx реакцш М1'ж точковими дефектами та !х комплексами.

з

WJ+D+-^WJ+lj^ 3 де Z)+ - рухомий монодефекг; W¡ - HepyxoMi дефекта! кластери, яга складаються з j монодефекпв; X¡ - константа швидкосп реакцш. Вщповвдна система кшетичних р1внянь мае вигляд:

(d/8t)D+ =Dd,V2D+ +a0(d/dt)<t>-(d/dt)Y,jWjl (4)

(d/dt)W2 =ÁlD2 -á2D+W2

......................................................................................(5)

(d/dtWj = ^j_lD+Wj_1 -ÁjD+Wj,j > 2 з початковими умовами

D+(r, 0) = 0 Wj(r,0) = 0J>2 (6)

Dd, - коефйцент дифузп (припускаемо, що bíh не залежить ввд дози); W¡

- об'емш концентрацп вщповщних дефекгаих кластеров; t - час опромпповання; а0 дае кшькють елементарних дефект!в на одиницю потужносп дози (д/ 8t)Ф; г - вщстань В1д центра кластера.

Анал1з р1шень кшетичних р1внянь показав, що у випадку nponeciB аморф1зацп, ям дифузшно контролюються, юнцева структура атомно! та елекгронно! шдсистем мае там особливосп:

- концентращя напружених зв'язюв незначна в nopiBMimi з МВАС;

- формування розупорядковано! облает! (РО) залежить вщ napaMeTpiB дифузн та визначаеться мехашзмами радаацшно-стимульовано1 дифузп;

- аншлящя визначае кшцевий розподш дефект по РО i, нарепгп, структуру РО.

У роздmi IV дано феноменолопчне описания фотоструктурних перетворень в a-Si для виявлення характерних залежностей MexaHÍ3MÍB деградацп втд штенсивносп та шших умов опромшювання. Розглядаеться трьохрхвнева енергетична модель дефекгаих конфпурацш. KÍHeTH4HÍ р1вня1шя записан} при таких припущеннях:

а) ochobhí ctpyktyphi перетворення зумовлеш переходом системи внаслщок електрон-атомних взаемодш у найбшып енергетично випдш конф1гураци;

б) мае míchc також спонтанний розпад дефектно! конфигураци внасладок теплових флуктуацш;

в) вщбуваеться перехщ бшьш стабшьних конфп-уращй у менш стабшь-hí, але з малою ймов1'ршстю.

Для дефектных конфпурацш 3 тишв маемо:

Г dN dt dN

dt fil^i + «12^2 + «31^3

dt

diУ dt

— = ctnNl - fi2N2 + a,2N3 (7)

3- = auN,+az¡N2-

де N, - концентрацш дефекпв i-го типу, коефщента ау - ümobíphoctí переходу з дефектного стану i у стан j. atj в загальному випадку е функцшми штенсивностт свила I.

У подальшому було дослщжено результата, що вщповщають рхзним залежностям цих кoeфiцieнтiв вщ штенсивносп свила I, тобто p¿3hhm типам KBa3ÍxÍMÍ4HHx реакцш.

Рйыення системи (7) Nt = Ctea'' + Сгеа{ + Съеа/ м1ститьуco6iпараметри: a,хх=а+в,

3 аЬ —+с 3

" = А + Рг +А , в = А/?3 +Д2/З3 +А/?2-«31«13 -«23«32 -«12«21 с=Р\РгРъ ~аъ\апРг ~а-паъ2р\ ~а\га2\Ръ ■

Коефцценга С, визначаються з граничних умов: JV, (0) = Ní0 ; N2(0) = JV20 ; tf3(0) = N30

Розглянуто pÍ3HÍ типи KBa3ÍxÍMÍ4ifflx реакцш, яи визначають залежшсгь ефекту фотодеградацп a-Si вщ штенсивносп опромшювання. Наприклад, у стацюнарному випадку, яйцо припустити:

n, . \ р= / , . \ i ,1<J ><}

одержуемо для доз, при яких фотострукгурний ефект (ФСБ) насичуегься:

ЛГ,=/ JV2=/0-4 N3=I0-6

3 проведеного анатзу зроблено висновки:

- Залежшсть фотоструктурного ефекту (ФСБ) вщ штенсивносп опромшення визначаеться типом структурного дефекту, юнетика якого визначае ФСБ.

- PÍ3hhm дозам опромшення вщповщають pí3hí залежносп ФСБ вщ штенсивносп свила.

Анашз експериментальних даних пщтверджуе, що процеси деградацп a-Si можуть бути обумовлеш не тшьки Mirpaniero водню [2], а

також фотоструктурними перствореннями в результат! електрон-атомних взаемодш.

Залежшсть ефекгу фотодеградацп a-Si вщ ¡нтенсивносп свшга за законом Io'6 [3] е лише частковим випадком проявления певних мехашзм1в деградаци матер1алу. У загальному випадку кожнш доз1 опромшювання в]'дпов1дае свш закон Ia.

ОСНОВШ РЕЗУЛЬТАТИ ТА ВИСНОВКИ

Сучасш модел1' аморфних фоточутливих нап^впроввдниюв не завжди вщкшдають експериментальним даним. Не береться до уваги, що для одного i того ж нашвпровщника можливий Ha6ip аморфних сташв, яга вь1р13няготься М1'ж собою особливостями мнсроструктури, ступенем стабшьносп, "спектром" дефекта тощо. Усе це важливо враховувати при craopeHHi оптоелекгронних фотоелекгричних пpилaдiв (голограф1чних систем, диспле!в велико! площини, принпипово нових оптоелекгронних систем).

У зв'язку з цим було проведено дослщження двох протилежних моделей aмopфiзaцii тетраедричних нашвпровщниюв, виявлено струкгурш особливосп аморфного стану в обох випадках, особливосп процесс деградацн таких структур. У результат! дослщжень, що проводились, були зроблеш тага висновки:

1. Аморфну фазу a-Si, що отримуеться внаслвдок ¡онного бомбардування, можна описати за допомогою м одел i випадкових атомних скупчень, яка характеризуемся широким набором структурних та електронних дефекпв i наявнютю велико! концентрацн напружених зв'язюв.

2. У МВАС виникають n-члешп полтонн з п = 3, 4, 5, 6, 7, причому, розподш по n-членних пол^онах у розупорядкованш обласп залежить вщ п po3MÍpÍB. Модель Micnm> у co6i вузли з одним, двома i трьома незкомпенсованими електронами, що поясшое, зокрема, необхйцпсть бшыно! кшькосп aTOMÍB N i F для компенсацп ненасичених зв'язгав в а-SÍ, шж це випливае з експериментальних результате по ЕПР. МВАС також приводить до наявносп м1жвузловшших ато\пв, яи вщсутш у класичних моделях.

3. Дослщжено також модель аморф{заци кремнно, що е наслщком KBa3ÍxÍMÍ4HHx реакцш мж дефектами. У цьому випадку структура аморфно! фази характеризуешься комплексуванням точкових дефекпв (виникненням вакансшних та м1жвузловинних комплека'в). На остаточну структуру аморфно! фази визначний вплив здшсшое ашплящя дефекпв протилежного знаку. Концентрац¿я напружених зв'язив незначна в пор^внянш з МВАС.

4. У дифyзiйнiй MOfleni аморф1заци враховуеться рухливгсть дефекпв р!зного типу, nepepi3n ix створення й атпляцп. Цх параметри

визначають pi3Hi закони розподалу дефекпв по розупорядкованих областях.

5. Аморфна фаза, яка вщповщае MB АС, е бшын нер1вноважною у пор1внянш з "дифузшною" аморфною фазою. Для Hei характерш специф!чш процеси деградацй, що йдуть по типу ланцюгових реакщй. 1снують способи змшення концентрацй напружених зв'язюв за допомогою низькоенергшно! рад1ацн, що дае можливкггь створення багатошарових структур з р1зною аморфною фазою.

6. Виникнення розупорядкованих структур, що вщповщае MB АС, мае мгсце при сполущ р1знорщних структур у багатошарових системах електротки. Щ розупорядковаш перехщш шари визначають старшня приладав та в багатьох випадках природу вибухових шум1в.

СПИСОК ОПУБЛ1КОВАНИХ ПРАЦЬ 3 ТЕМИ ДИСЕРТАЦН

1. Shakhovtsov V.I., Britavskaya Е.Р., Urum G.D. Dosimetry of low intensive laser radiation on the basis of subthreshold mechanisms of radiation induced defect creation // Proceedings of Poland - Ukrain optoelectronic seminar-Wroclaw.- 1994. - P.44-48.

2. Kiv A. E. Britavskaya E.P., Urum G.D. Electron lattice interactions in semiconductors // Proceedings of Polish - Ukrainian Seminar on optoelectronics. - Zakopane.- 1994. - P.51-54.

3. Бритавська О.П., Ив А.Ю., Ковальчук B.B., Урум Г.Д., Числов В.В. Невпорядкована фаза на поверхш нашвпровщниюв // Укр.ф1з. журнал. -1995.-В. 40.- N 7. - С.698-701.

4. Бритавская Е.П., Урум Г.Д., Числов В.В. Модель фотостимулированных структурных превращений в аморфных материалах // Фотоэлектроника. -1996.- В.6. - С.44-46.

5. .Ржепецкий В.П., Урум Г.Д., Числов В.В. Эксплуатационный отжиг у -облученных микросхем // Фотоэлектроника.-1996,- В.6. - С.46-48.

6. Kovalchuk V.V., Kutsenko L.Yu., Polozovskaya 1.А., Urum G.D. Cluster Model in Surface Science in Computer Modelling of Electronic and Solids II Ed. Roderick Tennyson and Arnold Kiv. -NATO ASI Series.-3. High Technology.-1996,-V. 22. - P.61-68.

7. Гохман A.P., Поляк З.Б., Урум Г.Д. Влияние кристаллической текстуры и напряженных состояний состояний на фоточувствительные свойства поликристаллических пленок PbS // Поверхность. -1998,- N 4. - С.51-54.

8. Britavskaya Е.Р., Chislov V.V., Urum G.D., Zakharchenko I.G. The model of high sensitive detector of ionizing radiation // Труды 16 Пекаровского Международной Совещания по теории полупроводников. -Донецк. -1994. — С.77-78

9. Britavskaya Е.Р., Chislov V.V., Kovalchuk V.V., Urum G.D. Sutface disordered phase in semiconductors // Труды 16 Пекаровского

Междунарошй Совещания по теории полупроводников. -Донецк. -1994. - С.78-80.

Цитована лггература:

1. Chason Е., Picraux S.T. Ion beams in silicon processing and characterization // J. Appl. Phys. -1997.-V.31-N 10. - P.6513-6561.

2. Петухов А.Г., Радчик A.B., Фойгель М.Г. О природе фотоиндуцированной перестройки дефектов в аморфном гидрированном кремнии // Письма в ЖЭТФ -1985,- Т.41,- Вып.12. - С. 502-505.

3. Stutzmann М., Jackson W., Tsai С. Light-induced metastable defects in hydrogenated amorphous silicon: A systematic study // Phys. Rev. -1985.-V 2.-N 1.-P.23-47.

Урум Г.Д. Фотострукгурт перетворення та деградацшш процеси у фоточутливих аморфних нагпвировщниках. - Рукопис.

Дисертащя на здобуття наукового ступеня кандидата техшчних наук за спещалыпстю 05.12.20 - оптослектрошп системи. Украшська державна академш зв'язку ím. О.С. Попова, Державний Ком1тет зв'язку Укра'ши, Одеса, 1998.

У дисертацп методом комп'ютерного моделювшшя дослщжено альтернативш модел1 aмopфiзoвaнoгo алмазопод1бного нашвпровщника на пpиклaдi a-Si. Перша модель вщповщае аморфнш фаз i, що виникае внаслщок ioHHoi ¿мплантацп, друга - внаслщок вакуумного осаждування. Показано, що CTpyiaypHi та елекгронш характеристики аморфного Haniß проводника íctotho визначаються способом його одержання. Досл1джено деградацшш процеси в аморфних нашвпровщниках, ям е базовими матер1алами опто- i фотоелектрошки. Зроблено ствставлення з вщомими експериментальними результатами.

Kin040BÍ слова: аморфна фаза, 1онна ¡мплантац(я, аморф13ований кремюи, фотоструктурн1 перетворення, деградация MaTepiariiB.

Урум Г.Д. Фотоструктурные превращения и деградационные процессы в фоточувствительных аморфных полупроводниках.- Рукопись

Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.12.20 - оптоэлектронные системы. - Украинская государственная академия связи им. A.C. Попова, Госкомитет связи Украины, Одесса, 1998.

В диссертации методом компьютерного моделирования исследованы модели аморфизированного алмазоподобного полупроводника на примере a-Si. Первая модель соответствует аморфной фазе, возникающей при

ионной имплантации, вторая - при вакуумном осаждении. Показано, что структурные и электронные характеристики аморфного полупроводника существенно определяются способом его получения. Исследованы деградационные процессы в аморфных полупроводниках, являющихся базовыми материалами опто- и фотоэлектроники. Проведено сопоставление с известными экспериментальными данными.

Ключевые слова: аморфная фаза, ионная имплантация, аморфизированный кремний, фотоструктурные превращения, деградация материалов.

Urum G.D. Photostructural transitions and degradation processes in photosensitive amorphous semiconductors. - Manuscript.

Thesis for a candidate's degree by speciality 05.12.20 - Optoelectronic systems. - The Ukrainian State Academy of Communications. State Committee of Communications of Ukraine, Odessa, 1998.

The models of amorphized diamond like semiconductors (for example aSi) were investigated by computer modelling method. The first model corresponds to amorphous phase arised as a result of ion implantation. The second model corresponds to vacuum precipition. It is shown that structural and electronic properties of amorphous semiconductors depend on the way of their obtaining. The degradation processes in amorphous semiconductors which are the based materials of opto-and photoelectronics are investigated. There is a comparison with experimental data.

Key words: amorphous phase, ion implantation, amorphized silicon, photostructural transitions, degradation of materials.