автореферат диссертации по химической технологии, 05.17.11, диссертация на тему:Технология и свойства тонкопленочных материалов ZrO2 - SiO2

ВВЕДЕНИЕ.

I СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ ПО ИССЛЕДОВАНИЮ

ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ.

1Л. Методы целенаправленного синтеза твердофазных веществ и материалов на их основе.

1.2. Характерные особенности тонкопленочного состояния вещества.

1.2Л. Физико-химические особенности тонкопленочного состояния.

1.2.2. Влияние поверхности подложки на свойства пленок.

1.2.3. Использование тонких пленок в современной технике.

1.3. Физико-химические особенности получения тонких пленок.

1.3.1. Физико-химические особенности метода получения пленок из ПОР.

1.4. Свойства соединений на основе БЮг и их пленок.

1.5. Свойства диоксида циркония, циркона и материалов на их основе.

1.6. Постановка задачи исследования.

II. ИСХОДНЫЕ ВЕЩЕСТВА. МЕТОДИКИ СИНТЕЗА И ИССЛЕДОВАНИЯ СВОЙСТВ МАТЕРИАЛОВ.

2.1. Исходные вещества для получения тонких пленок и подготовка подложек.

2.2. Методики синтеза тонких пленок из пленкообразующих растворов.

2.3. Методика термогравиметрического анализа тонких пленок и гидролизата ПОР.

2.4. Методика исследования вязкости ПОР.

2.5. Методика исследования электропроводности ПОР.

2.6. Методы спектрофотометрического анализа

2.7. Растровая электронная микроскопия.

2.8. Рентгенофазовый анализ.

2.9. Методы исследования физико-химических свойств пленок.54 2.9.1. Исследование оптических свойств пленок.

2.9.2. Адгезия пленок.

2.9.3. Исследование электрофизических свойств пленок.

III. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК ОКСИДОВ Si02, Zr02 И СИСТЕМЫ Si02—Zr02.

3.1. Исследование процессов, протекающих в пленкообразующих растворах.

3.2. Процессы, протекающие в тонком слое ПОР при 295 К и

330 К.

3.3. Процессы в ПОР при 330 К.

3.4. Физико-химические процессы формирования Zr02—Si02 при высоких температурах.

IV. ФАЗОВЫЙ СОСТАВ, СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ПЛЕНОК Zr02—Si

V. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ ЦИРКОНИЯ И КРЕМНИЯ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ

ВЫВОДЫ.

Развитие современной электронной техники, приборостроения, электротехнической и оптической промышленности неразрывно связано с исследованиями различных классов тонкопленочных материалов. Большое внимание при этом уделяется комплексному изучению силикатных материалов, а также тонких пленок тугоплавких оксидов.

Наиболее распространенными материалами, используемыми в полупроводниковой промышленности в настоящее время, являются кремний и его соединения, в первую очередь Si02 [1]. Широкое их применение обусловлено использованием в качестве подложек при производстве интерференционных покрытий, интегральных схем, защитных экранов и других устройств (рис.1). с 6000 -,

1993 1994 1995 1996

Щ Кремниевые пластины □ Подложки на основе оксида кремния Материалы для получения пленок

Рис. I Данные мирового рынка материалов полупроводниковой техники В современной технике, электротехнической и оптической промышленности, строительной индустрии тонкопленочные покрытия находят широкое применение в качестве светоперераспределяющих фильтров, задерживающих жесткую часть спектра ультрафиолетового излучения, защитных диэлектрических слоев, в производстве стекол. В соответствии с этим тонкие пленки как перспективные материалы должны обладать стабильностью свойств при жестких режимах эксплуатации, быть сравнительно дешевыми, технологичными. Из применяемых в настоящее время материалов этим требованиям наиболее полно удовлетворяют тонкие пленки диоксида циркония, получаемые из пленкообразующих растворов (ПОР). Однако при использовании пленок диоксида циркония необходимо считаться с возможностью протекания полиморфных превращений его модификаций, которое может привести к изменению характеристик материала в процессе его эксплуатации. Наиболее распространенный метод решения этой проблемы заключается в легировании диоксида циркония с целью стабилизирования кубической модификации последнего за счет образования твердых растворов.

С другой стороны, можно использовать один из принципов современного материаловедения, заключающийся в получении соединений, встречающихся в природе (т.н. принцип природного подобия) и позволяющий создавать материалы с требуемыми свойствами. Основным природным соединением циркония, обладающим к тому же рядом ценных свойств: высоким показателем преломления, химической и механической устойчивостью, является циркон Zr02*Si02. Таким образом, принимая во внимание в качестве критерия принцип природного подобия, для исследования была выбрана система диоксид циркония - диоксид кремния. При этом также учитывалось ожидаемое увеличение адгезии получаемых материалов к кремнийсодержа-щим подложкам.

Для успешного применения материалов на основе оксидов циркония и кремния и разработки технологии необходимо установить взаимосвязь между технологическими и целевыми свойствами, составом и условиями их получения. В отечественной и зарубежной литературе практически не описаны процессы, протекающие в ПОР на основе этанола, оксохлорида циркония и тетраэтоксисилана, не установлена связь состава с физико-химическими свойствами ПОР и пленок. Не изучены диаграммы состав - свойство для данной системы в тонкопленочном состоянии.

Для целенаправленного синтеза тонкопленочных материалов необходимо решить корреляционную задачу: физико-химические свойства — состав — структура — условия синтеза. Существенное значение при этом имеет также поиск недорогих, технологичных, экологически чистых методов синтеза.

Работа выполнена в рамках программы «Целенаправленный синтез неорганических веществ и материалов с заданными свойствами».

Цель работы: Разработка составов и технологии получения тонкопленочных материалов на основе оксидов циркония и кремния из пленкообразующих растворов (ПОР), установление взаимосвязи между составом, структурой, физико-химическими и эксплуатационными свойствами пленок и применение их в качестве защитных и светоперераспределяющих материалов.

Для достижения цели были поставлены следующие задачи:

Определить пленкообразующую способность спиртовых растворов на основе оксохлорида циркония и тетраэтоксисилана, а также временной интервал, в течение которого возможно получение тонких пленок с заданными свойствами.

Установить взаимосвязь между свойствами ПОР на основе тетраэтоксисилана и оксохлорида циркония и их пленкообразующей способностью, определить оптимальные условия получения тонкопленочных материалов Zr02 -Si02.

Изучить физико-химические процессы, протекающие при формировании пленок на основе оксидов циркония и кремния, разработать режимы термообработки.

Выявить влияние состава ПОР и условий получения на фазовый состав, структуру и свойства пленок Zr02 - Si02.

Разработать новые композиции и технологическую схему получения тонкопленочных материалов Zr02 - Si02 в качестве защитных и светоперераспределяющих покрытий.

I. Современное состояние проблемы по исследованию тонкопленочных материалов

1.1. Методы целенаправленного синтеза твердофазных веществ и материалов на их основе

В связи с ускорением темпов развития современной техники особую актуальность приобретают задачи комплексного исследования и направленного синтеза твердых веществ и материалов заданного состава и строения. При этом существенный вклад в развитие современной физической химии вносит изучение природы веществ в твердофазном состоянии, их структуры и стехиометрии; задачи, непосредственно связанные с получением веществ определенного состава, строения и свойств, использование их на практике. Для создания материалов с заданными свойствами необходимо использовать научный подход к описанию физико-химических процессов, протекающих в твердом веществе, как в процессе получения, так и при различных воздействиях на него внешних факторов [2-4]. Успешному решению этих задач способствуют успехи в развитии химии твердого тела, науки о твердых веществах и их реакциях, путях их получения и применения [5,6].

Современные методы направленного синтеза веществ основываются на выводах, полученных из теорий, закономерностей и принципов химии твердого тела, включающих вопросы строения, структурно-химических превращений, реакционной способности, протекания твердофазных реакций, т.е. всех факторов, определяющих направление и результат физико-химических превращений.

Например, к направленному синтезу твердых веществ ведут некоторые следствия из остовной гипотезы Алесковского [7-9]. Природа вещества подложки, ее состав и энергетическое состояние определяют строение наращиваемого на ней вещества. Твердое тело, играющее роль подложки, рассматривают как макромолекулу, которая легко превращается в свободный радикал, это определяет протекание реакций. Зная мерность остова, набор функциональных групп и «свободных мест», которые несет на себе этот остов, нетрудно предсказать, при помощи каких реакций можно синтезировать на данной подложке требуемое вещество. В связи с этим Алесковским был предложен подход к получению твердых веществ путем химической сборки. Проведя ряд исследований актов химической сорбции то одних, то других веществ, химически конденсирующихся на подготовленной для этого поверхности твердого тела, можно монослой за монослоем осуществить химическую сборку твердых веществ. Причем строение таких веществ полностью отвечает запрограммированному. Химическая сборка от процессов химического осаждения и кристаллизации отличается тем, что можно получать вещества не только периодического строения, но и регулярно непериодического, а также, минуя высокие потенциальные барьеры, обусловленные зароды-шеобразованием и необходимостью разрыва очень прочных связей С-С, Si-0 и других, осуществлять фазовые переходы. Благодаря этому химическая сборка связана с термодинамическими условиями необычного фазового перехода, с условиями протекания химических реакций и поэтому осуществляется при сравнительно низких температурах и давлении. Синтезируемое этим методом вещество может иметь ту структуру, которая необходима. Алесков-ский, формулируя задачу управляемого на атомарном уровне синтеза простых и сложных твердых веществ заданного состава и строения, считает, что речь идет о химическом конструировании веществ из атомов или более сложных структурных единиц путем соединения их по заданной программе. Однако для этой цели можно использовать только необратимые химические реакции, что делает этот метод весьма ограниченным.

Предшествовали работам Алесковского работы Меррифельда [13,14], который в 1962 году опубликовал свой метод матричного синтеза на полимерах. Он впервые осуществил химическую сборку соответствующих структурных единиц на матрице, роль которой в его опытах играла поверхность ионита - синтетической смолы. Сущность матричного синтеза заключается в следующем. Полимер П-х реагирует с избытком аминокислоты Аь снабженной защитной группой 3:

П-х+А, -3-»П—А, — 3+х

При этом поверхность полимера-матрицы полностью насыщается структурными единицами А] -3, после этого отщепляют защитную группу и присоединяют новую аминокислоту. Этим методом синтеза было положено начало конструированию и сборке молекул любой сложности. Но для того, чтобы перейти к синтезу твердого тела, используют матрицу, как для закрепления исходного конца синтезируемой цепи, так и для сборки на ней структурных единиц в целые монослои, а затем в твердые структуры. Последняя задача может исходить из результатов изучения процессов эпитаксии.

При определенных условиях, изученных Палатником и многими другими исследователями [15-24], структура твердого тела может достраиваться не только своими, а и чужими структурными единицами, присоединенными к поверхности межатомными связями. Таким путем были синтезированы "многозонные" монокристаллические пленки, структура которых состояла из ряда чередующихся в заданном порядке зон разного состава, например: CdS, CdSe, ZnSe и т.п. Так как этот процесс управляется законом равновесия, то регулировка толщины отдельных зон с точностью до монослоя, очевидно, исключается. Тем не менее, данный синтез позволяет получать твердое вещество, представляющее собой не твердый раствор, а сложный многозонный халькогенид с запрограммированным порядком чередования зон.

В работах, предпринятых для обоснования предположения о существовании индивидуальных твердых соединений постоянного состава, была изучена природа различных поликремневых кислот [25-28]. В частности, были синтезированы аддукты поликремневой кислоты с гидросиликатами различных металлов. Однако ни одно их этих соединений также не может быть воспроизведено в данном процессе с точностью до монослоя.

Свойства твердых веществ во многом определяются состоянием поверхности. Меняя набор функциональных групп, можно управлять реакционной способностью вещества. Примерами таких воздействий являются реакции молекулярного наслаивания, которые изучены в совместных работах Алесковского и Кольцова, например, хемосорбция хлоридов на силикагеле [29-31]. Продукты конденсации поликремневой кислоты представляют собой полисиликаты, которые при нагревании легко гидролизуются парами воды, превращаясь в гидрополисиликаты. Все гидрополисиликаты вступают в реакции конденсации не обязательно того же фрагмента, который входит в их состав. На чередовании реакций поликонденсации и гидролиза, составляющих один цикл, основан синтез твердых веществ методом молекулярного наслаивания. На отдельных стадиях процесса наслаивания можно вводить различные элементы, тем самым появляется возможность направленно изменять физико-химические свойства вещества.

В последнее время у нас в стране и за рубежом все большее внимание исследователей привлекает синтез композиционных полимерных материалов методом межфазной поликонденсации на границе раздела двух несмеши-вающихся растворов [32-36]. Этот метод открывает новые возможности синтеза полимерных композиционных материалов (КМ) как органических, так и неорганических. Теоретические основы межфазной поликонденсации заключаются в том, что с точки зрения остовной гипотезы органические и неорганические полимеры относятся к твердым соединениям, построенным посредством межатомных связей. Кроме того, межфазная поликонденсация, происходящая на границе раздела несмешивающихся растворов, предполагает определенное ориентирование макромолекул образующегося полимера, которое зависит от растворимости полимера в полярном растворителе. Таким образом, появляется возможность осуществления химической сборки структурных единиц по заданной программе. При создании КМ с заданными физико-химическими и эксплуатационными свойствами важной задачей является регулирование молекулярной массы структурных единиц материала. В условиях получения КМ методом межфазной поликонденсации оказалось возможным регулировать молекулярную массу образующегося полимера, и продукт может быть выделен из зоны реакции в виде нити, пленки или порошка. Следовательно, метод может быть использован для получения КМ с целевыми свойствами.

Как общий путь синтеза твердых веществ, методы химической сборки, эпитаксии, межфазной конденсации открывают перспективы для направленного синтеза твердых веществ заданного состава и строения, определяющих комплекс необходимых свойств материалов.

В работах Третьякова [6,37,38] сформулированы химические принципы реакционной способности и синтеза твердых веществ, которые являются эффективной основой для создания твердофазных материалов с разнообразными функциональными свойствами. В качестве химических принципов рассматриваются следующие закономерности и приемы [39-41]:

- принцип периодичности изменения свойств твердофазных соединений элементов, расположенных в порядке возрастания атомного номера;

- принципы химического, термодинамического и структурного подобия;

- принцип непрерывности, соответствия и совместимости компонентов равновесной системы;

- принцип ограничения числа независимых параметров состояния в равновесной системе;

- принцип разупорядочения;

- принцип непостоянства состава твердофазных соединений;

- принцип фазового, химического и структурного усложнения;

- принцип одинакового эффекта различных физико-химических воздействий;

- принцип неравномерности объемных и поверхностных свойств;

- принцип метастабильного многообразия;

- принцип технологической простоты и экологической целесообразности;

- принцип природного подобия.

Рассмотренные принципы не исчерпывают всех возможностей использования химии твердых веществ в конструировании твердофазных материалов.

Таким образом, можно отметить, что методы направленного синтеза в своей основе уже имеют научное обоснование и заключаются:

- в установлении зависимостей между условиями синтеза, составом, структурой и свойствами вещества;

- в нахождении критериев управления процессами синтеза.

Однако для решения задач современной техники помимо направленного синтеза веществ заданного состава и строения необходимо создание материалов с определенным комплексом целевых свойств и осуществление возможности выхода на производственную технологию. Речь идет о взаимосвязи фундаментальной и прикладной химии с химическим материаловедением и различными технологиями, взаимосвязь эта может быть выражена формулой "превращения предмета исследования в предмет использования", причем под термином "предмет" надлежит понимать явления в большей мере, чем "свойства'. В связи с этим возникла необходимость расширения задач направленного синтеза и проведение целенаправленного синтеза веществ и материалов (ЦНС).

В настоящее время создается необходимая база в расширении задач направленного синтеза, и появилась возможность проведения целенаправленного синтеза веществ и материалов. На кафедре неорганической химии Томского университета проводятся исследования по созданию научных основ целенаправленного синтеза (ЦНС) веществ и материалов. В частности, предложен базовый алгоритм целенаправленного синтеза материалов с комплексом заданных целевых свойств [42,43], включающий:

- выбор целевых параметров (свойств, характеристик);

- прогнозирование (физико-химическое, конструкционное, технологическое, эксплуатационное);

- экономическую целесообразность; экологическую надежность; оптимизацию целевых параметров; направленный синтез; аттестационную оценку синтезируемых материалов на соответствие критерию цели; корректировку условий синтеза;

- создание банка инженерных методик и прикладных программ основных этапов синтеза, методов исследования и контроля; выход на производственную технологию (с учетом автоматизации, компьютерного управления, роботизации); расширение возможностей практической реализации разработки.

Проведем краткий анализ базового алгоритма ЦНС. Выбор целевых параметров осуществляется в результате анализа требований и задач целевого раздела науки и техники, включает сопоставительный анализ имеющихся разработок, проверку их технического уровня и соответствия мировым стандартам, оценку спроса, конкурентоспособности, рентабельности продукции. В результате накапливается банк физико-химических и целевых свойств материалов и составляющих их веществ.

Формирование банка целей является ключевым моментом, здесь важно создать адекватную возможностям производства и с учетом его развития перспективную систему целей, чтобы мобильно решать стоящие проблемы и конкурентоспособные задачи будущего.

На современном этапе выбор целевых параметров основывается на базе хозяйственных и коммерческих задач, теперь получают преимущества госзаказы, комплексные разработки, договора и коммерческие заказы. Для научной разработки основными остаются целевые и комплексные программы, которые ответвляются от национальных программ, достигают на конкурсной основе конкретного исполнителя, при этом предложенные исполнителем целевые характеристики разработки имеют определяющее значение, выдерживая конкурс.

В этом случае выявление и сопоставление альтернатив способствует быстрой реализации новых, лучших решений, а коллектив исполнителей обеспечивает приоритетность национальных задач.

За основу физико-химического прогноза берут электронное строение вещества и находят его взаимосвязь с физико-химическими свойствами.

Реальная электронная структура вещества может быть рассчитана, если есть выражения для реальной атомной структуры, известен ближний порядок координации структурных элементов.

При прогнозе композиционной структуры и ее свойств необходимо учитывать структурные фазовые превращения и с учетом этого прогнозировать либо стабильные, либо мобильные (неустойчивые) функционально-чувствительные композиционные структуры. Композиционное прогнозирование позволяет выбрать оптимальную композиционную структуру материала.

Технологическое прогнозирование позволяет найти критерии управления процессами получения материала и оптимизировать этот процесс [5].

Эксплуатационное прогнозирование показывает наиболее благоприятные условия эксплуатации изделий, учитывает химическую и физическую совместимость веществ, составляющих материал, позволяет регулировать процессы старения, срок службы и надежность изделий.

Экономическая целесообразность отталкивается от целей, задающихся на национальном уровне, здесь же выявляется приоритетность распределения национальных ресурсов, условия природопользования, основные параметры регулирования социально-экономических процессов (техническое перевооружение производства, доходы). Разработка экономически выгодной становится лишь в том случае, если затраты на нее не превышают экономию от ее применения.

Экологическая надежность является важным условием сохранения устойчивого экономического и социального развития.

Направленный синтез осуществляется после оптимизации целевых параметров и учитывает химические принципы конструирования материалов, включая физико-химический анализ, термодинамический и кинетический подход.

Аттестационная оценка важна как при контроле достигаемых целевых параметров, так и на наиболее ответственных технологических стадиях процесса получения материала. Это дает возможность своевременно вмешаться в технологический процесс, внести корректировки, либо снять изделие с технологического маршрута, если это экономически себя оправдывает.

Комплекс прогнозирования свойств и физико-химическая аттестация материалов позволяет дать практические рекомендации использования не только готового материала, но и возможного брака, тем самым расширяется область практического использования синтезируемых материалов.

Важной задачей является необходимость создания измерительно-вычислительных, роботизированных и экспрессных методов контроля основных параметров материала и условий протекания технологических процессов.

В структуре рассмотренного алгоритма для исследователя-материаловеда физико-химический блок является центральным. Реализация этой части алгоритма позволяет: провести исследование механизмов протекающих физико-химических процессов; осуществить установление корреляционных зависимостей между условиями синтеза, составом, структурой и свойствами составляющих материал веществ; выявить критерии управления процессом или отдельными стадиями, расширить область практической реализации синтезируемых материалов. Целенаправленный синтез представляет более высокий уровень осознанного получения веществ и материалов из них. В нем взаимопроникающе связаны химия, физика, математика, экономика, производственные задачи.

Предложенный алгоритм позволяет наметить генеральную линию получения материалов с заданными свойствами и не обязывает исследователя всецело следовать ему на практике. В рамках одной работы такой полный алгоритм осуществить трудно, поэтому в зависимости от конкретной задачи получения и физико-химического исследования тонкопленочных и дисперсных композиционных материалов, предложенный алгоритм может быть упрощен и для данной работы представлен в следующем виде:

1) анализ требований современной техники к тонкопленочным и дисперсным композиционным материалам;

2) определение целевых свойств и характеристик;

3) выбор веществ и метода их получения;

4) направленный синтез, включающий: исследование физико-химических процессов, протекающих во время получения и эксплуатации материалов; установление корреляционных зависимостей между условиями получения, составом, структурой и свойствами материалов; выявление критериев управления и корректирования условий синтеза.

5) определение других областей рационального использования материалов на основе изучаемой системы.

Таким образом, анализ имеющихся в литературе данных по получению веществ и материалов заданного состава, строения, а, следовательно, и свойств, позволил выбрать алгоритм целенаправленного синтеза и комплексного изучения тонкопленочных материалов, в соответствии с которым в дальнейшем были спланированы и проводились исследования.

ВЫВОДЫ

1. Комплексное физико-химическое исследование процессов, протекающих при получении тонких пленок на основе оксидов циркония и кремния из пленкообразующих растворов, позволило предложить и обосновать схематическую последовательность основных стадий получения тонких пленок: гидролиз и поликонденсация в ПОР; поликонденсация на подложке и удаление с ее поверхности низкомолекулярных продуктов; дегидратация гидроксидов и формирование оксидной пленки при термообработке.

2. Определены составы тонкопленочных материалов Zr02-Si02, имеющие хорошую адгезию к подложке, сохраняющие стабильные оптические и физико-химические свойства в широком интервале температур. Установлено, что пленки всех составов являются диэлектриками с высоким значением ширины запрещенной зоны (3,5-4 эВ).

3. Растворы на основе оксохлорида циркония и тетраэтоксисилана приобретают пленкообразующую способность после 2-7 суток с момента приготовления. Пленкообразующая способность изученных растворов обусловлена образованием коллоидных частиц полисилоксанов и тетрамерного гидроксо-комплекса циркония. С увеличением соотношения оксохлорид циркония / тетраэтоксисилан в ПОР продолжительность рабочего периода значительно возрастает.

4. Пленки на основе оксидов циркония и кремния с требуемыми эксплуатационными характеристиками могут быть получены из ПОР с концентрацией (тетраэтоксисилан + оксохлорид циркония) 0,3-0,6 М. Максимальный показатель преломления имеют пленки, полученные из ПОР с Т=293-295 К при скорости вращения центрифуги 2000-3000 мин

5. Формирование пленок в процессе термообработки протекает через ряд последовательных стадий. При этом удаляется адсорбированная вода, и разлагаются с образованием оксидов продукты гидролиза ПОР: полисилоксаны и гидроксид циркония. Оптимальный режим термообработки состоит из двух стадий: термостатирования при 330 К (15 мин) и последующего обжига при 870 К (40 мин).

6. В зависимости от условий получения структура пленок может быть как аморфной, так и поликристаллической, и определяется, в основном, режимом термообработки и природой подложки. Увеличение температуры обжига приводит к уплотнению пленки и способствует образованию поликристаллической структуры. Влияние подложки на упорядоченность структуры пленок заключается в сорбции продуктов гидролиза на гидроксильных группах поверхности подложки.

7. В составе полученных пленок диоксид кремния находится в рентгеноа-морфной форме, диоксид циркония представлен в основном кубической и тетрагональной модификациями. В пленках с содержанием Zr02 40-85% обнаружено образование циркона, содержание которого определяется соотношением оксохлорид циркония / тетраэтоксисилан в ПОР, достигая максимума при молярном соотношении 1:1, температурой обжига и толщиной пленки.

8. Влияние толщины пленок на оптические характеристики проявляется в увеличении показателя преломления пленок толщиной 80-100 нм и менее, что обусловлено стабилизацией высокотемпературных модификаций оксида циркония.

9. Разработанные тонкопленочные материалы могут быть использованы при производстве безозоновых медицинских и бытовых приборов, а также в качестве диэлектрических покрытий, имеющих высокую термическую и химическую стойкость.

1. Макушкин М.В. Конверсия как мера повышения конкурентоспособности РЭП США // Зарубежная электронная техника, 1995. № 2-3. - С.5.

2. Помогайло А.Д. Гибридные полимер-неорганические нанокомпозиты // Успехи химии, 2000. Т. 69. - Вып. 1. - С.60-89.

3. Сайфулин Р.С. Композиционные покрытия и материалы. М.: Химия, 1977.-272 с.

4. Сайфулин Р.С. Неорганические композиционные материалы. М.: Химия, 1983.-280 с.

5. Козик В.В. Химия твердых веществ. Томск.: изд-во ТГУ, 1985. 125 с.

6. Третьяков Ю.Д., Лепис X. Химия и технология твердофазных материалов. М.: Наука, 1985.- 198 с.

7. Современные композиционные материалы / Под ред. JI. Браутмана, Р. Крока. Пер. с англ. под ред. Светлова И.Д. М.: Мир, 1979. 672 с.

8. Соколовская Е.М., Гузей JI.C. Физико-химия композиционных материалов. М.: МГУ, 1976. 256 с.

9. Легасов В.А. Некоторые задачи современной химии // ЖНХ, 1986. Т. 31. -Вып. 11. - С.2732-2739.

10. Ю.Алесковский В. Б. Принципиальные условия синтеза твердых соединений постоянного состава // В сб. Направленный синтез твердых веществ. Межвузовский сборник / Под ред. В.Б. Алесковского. Л.: ЛГУ, 1987. -Вып. 2. С.3-6.

11. Алесковский В. Б. Стехиометрия и синтез твердых соединений. Л.: Наука, 1976.- 140 с.

12. Алесковский: В.Б. Химия твердых веществ. М.: Высшая школа, 1978. -252 с.

13. Весса B.C. Успехи синтеза пептидов на полимерах // Успехи химии, 1968. Т. 37. - Вып. 2. - С.446-455.

14. Меррифельд Р.Б. Химия полипептидов М.: Мир, 1977. 153 с.

15. Палатник JI.C. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. 320 с.

16. Палатник JI.C. Поры в пленках. М.: Энергоиздат, 1982. 215 с.

17. Палатник Л.С., Папиров И.Н. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971. -480 с.

18. Палатник Л.С., Сорокин В.К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. М.: Энергия, 1973. - 295 с.

19. Данков П.Д. Кристаллохимический механизм взаимодействия поверхности кристалла с чужеродными элементарными частицами // Физическая химия, 1946. Т. 20. - Вып. 7. - С.853-867.

20. Семилетов С.А. Электрофизические исследования структуры тонких слоев сульфида, селенида и теллурида кадмия. // Кристаллография, 1956. -T.I. Вып. 3.-С.306-310.

21. Дерягин Б.В., Кротова Н.А. Адгезия. М., 1948. 66 с.

22. Александров Л.Н. Кинетика образования и структура твердых слоев. Новосибирск: Наука, 1972. 227 с.

23. Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич А.В. Эпитаксиальные пленки соединений A11 BIV. Л.: ЛГУ, 1978. 156 с.

24. Осаждение из газовой фазы / Под ред. К. Пауэлла, Дж. Оксли, Дж. Брюгера. М.: Атомиздат, 1970. 472 с.

25. Фест У.М., Стил С.Р., Риди Д.У. Получение пленок химическим осаждением из паровой фазы // В кн.: Физика тонких пленок / Под ред. Г. Хасса, Р.Э. Крокэ. М.: Мир, 1972.-Т. 5. -С.245-314.

26. Душина А.П., Алесковский В.Б. Силикагель неорганический катион. Л.: Госхимиздат, 1963.-91 с.

27. Липень Л.Н. Поверхностные соединения и поверхностные химические реакции // Успехи химии, 1940. Вып. 5. - Т. 9. - С.533-549.

28. Танабе К.И. Твердые кислоты и основания. М.: Мир , 1973 183 с.

29. Кольцов С.И. Химические превращения на поверхности твердых веществ. Л.: ЛГУ, 1984.- 176 с.

30. Сыркова О.В., Цветкова В.К. Получение композиционных материалов методом межфазной поликонденсации // Направленный синтез твердых веществ. Межвузовский сборник / Под ред. В.Б .Алесковского. Л.: ЛГУ, 1987.-Вып. 2. С.133-141.

31. Соколов Л.Б. Основы синтеза полимеров методом поликонденсации. М.: Наука, 1979.-С. 185.

32. Смирнов В.М. Химическая сборка путь направленного синтеза гетерогенных катализаторов // Направленный синтез твердых веществ. Межвузовский сборник / Под ред. В.Б. Алесковского. Л.: ЛГУ, 1983. -Вып. 1. - С.90-93.

33. Mjrgan P.W., Rvolek S.L. // J. Polymer seimi., 1959. V.40. - P.229.

34. Weetall N.N. Jmmobilised Biochemistry and Affinity Chromatography. New York, 1974.-p. 12-14.

35. Третьяков Ю.Д. Химические принципы конструирования твердофазных материалов // Известия СО АН СССР. Серия химических наук. -Новосибирск: Наука, 1982. - Вып. 6. - № 14. - С. 16-22.

36. Третьяков Ю.Д., Метлин Ю.Н. Керамика материал будущего. М.: Наука, 1987.- 175 с.

37. Takakashi Т., Yamomoto О. e.a.g. // Electrochem Soc. V.120. - № 10. -P.1654.

38. Горощенко О.Г. Физико-химический анализ гомогенных и гетерогенных систем. Киев.: Наукова думка, 1977. 490 с.

39. Киреев В.А. Методы расчета в термодинамике химических реакций. М.: Химия, 1970.-520 с.

40. Козик В.В. Получение и исследование свойств металлоксидных композиционных материалов // Тезисы докладов научной конференции. Рациональное использование природных ресурсов Сибири. Томск: изд-во ТГУ, 1989.-С.66.

41. Козик В.В., Борило Л.П. Спецпрактикум. Химия твердых веществ и неорганические материалы / Методические рекомендации. Томск: изд-во ТГУ, 1987.-26 с.

42. Анацкая Н.И., Осадчев JI.A., Савельев С.П. и др. Пленки оксидов и их соединения в планарных оптических устройствах // Обз. по электронной технике. Сер. 6. Материалы, 1983. Вып. 5 (968). - С.35-40.

43. Бургер Г. А., Донован М.С. Основы технологии кремниевых схем. М.: Мир, 1969.-147 с.

44. Хауфф К. Реакции в твердых телах и на поверхности / Пер. с нем. под ред. А.Б. Шехтер. М.: Мир, 1963. Т. 2. - 277 с.

45. Шварц Н., Берри Р.У. Тонкопленочные элементы и схемы // В кн.: Физика тонких пленок. М.: Мир, 1967. С.320-328.

46. Серебренников В.В., Якунина Г.М., Козик З.В., Сергеев А.Н. Редкоземельные элементы и их соединения в электронной технике. Томск.: изд-во ТГУ, 1979. 142 с.

47. Кирсанова Т.С. Формирование тонких пленок. Д., 1983. 72 с.

48. Крылова Т. М. Интерференционные покрытия. Д.: Машиностроение, 1973. -С.214.

49. Трусов Л.И., Холмянский В.А. Островковые металлические пленки. М.: Металлургия, 1973.-321 с.

50. Дерягин Б.В., Федосеев Д.В. Эпитаксиальный синтез алмаза в метастабильной области // Успехи химии, 1970. Т. 39. - Вып. 9. -С.1661-1671.

51. Филлипс Дж. Химия и физика границ раздела твердых тел // В кн.: Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. М: Мир, 1982. С.59-70.

52. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции. М.: Химия, 1978. 356 с.

53. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела / Под ред. Волькенштейна. М.: Мир, 1980. 488 с.

54. Будников П.П., Глинстинг A.M. Реакции в смесях твердых веществ. М.: Стройиздат, 1963. 236 с.

55. Старшинов И.П. Требования к процессам очистки кремниевых пластин // Электронная промышленность, 1983.-Вып. 10(127).- С.ЗЗ.

56. Абэ Харухико. Поверхностная обработка полупроводников и материалов с помощью плазмы // Kinzoki., 1978. V.48. - № 3. - Р.26.

57. Полянин К.П., Макарчук В.А., Бодрова В.И. Очистка поверхности кремниевых пластин растворами на основе перекиси водорода. М.: Труды МИЭТ, 1974.-Вып. 40. С.148-156.

58. Починко Е.Л., Ионова Н.Н., Александрова JI.K. Очистка поверхности деталей электронной техники // Зарубежная электронная техника, 1975. -№ 5(101). -С.3-33.

59. Парриш П. Обработка поверхности с целью улучшения свойств материалов // В кн.: Обработка поверхности и надежность материалов. М.: Мир, 1985.-С.8-19.

60. Бочканс П.Я., Витела И.А., Лукманис Л. А. Адсорбция органических растворителей на поверхности кремния. // Изв. АН Латв. ССР. Сер. физ. техн. наук, 1978.-№ 3. С. 18-22.

61. Глазов В.М., Дьяконов В. А. Десорбция некоторых органических растворителей с поверхности полированного кремния // Электронная техника. Сер. 7. Технология организации производства и оборудование, 1973. Вып. 4 (56). - С.32-37.

62. Чистяков Ю.Д., Райкова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979. 408 с.

63. Точицкий Э.И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок. -Минск: Наука и техника, 1976. 376 с.

64. Drago S.R., Vogel G.C., Needham Т.Е. // J. Amer. Chem. Soc., 1971. V.93. -P.6014.

65. Маделунг О. Теория твердого тела / пер. с нем. под ред. А.И. Ансельма. -М.: Наука, 1980.-416 с.

66. Иевлев В.М., Трусов Л.И., Холмянский В.А. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1982. 248 с.

67. Майер К. Физико-химическая кристаллография. М.: Металлургия, 1972. -480 с.

68. Дистлер Г.И., Власов В.П., Герасимов Ю.М. и др. Декорирование поверхности твердых тел. М.: Наука, 1975. 112 с.

69. Дистлер Г.И. // В кн.: Рост кристаллов. Т. IX. Ереван: Изд-во Ереванского гос. ун-та, 1975. С.47-62.

70. Разуваев Г.А., Грибов В.Г., Домрачев Г.А., Саламатин Б.А.

71. Металл органические соединения в электронике. М.: Наука, 1972. 476 с.

72. Борисенко A.M., Новиков В. В, Приходько Н.Е. и др. Тонкие неорганические пленки в микроэлектронике. JL: Наука, 1972. 114 с.

73. Борисенко А.И., Николаева JI.B. Тонкослойные стеклоэмалевые и стеклокерамические покрытия. JL: Наука, 1972. 156 с.

74. Физика тонких пленок / Под ред. Г. Хасса, Р.Э. Туна. Пер. с англ. под ред. В.Б. Сандоморского. М.: Мир, 1972. Т. 5. - С. 104-111.

75. Штреккельмахер В.Э. Пленочная микроэлектроника /Под ред. Л. Холленда. Пер. с англ. под ред. М.И. Елипсона. М.: Мир, 1968. С.258.

76. Берри Р., Холл П., Гаррис М. Тонкопленочная технология. М.: Энергия, 1972.-305 с.

77. Alt L.L., Samuel W.L., Laendled К.W. // J. Electrochem. Soc., 1964. V. 111. - № 5. - P.465.

78. Ligenza J.R. Oxidation of silicon by high pressure steam. // J. Electrochem. Soc., 1962. V.109. - № 2. - P.73.

79. Hiroshi Utsugi et al. // J. Chem. Soc. Jap., Chem. and Indus. Chem., 1980.-V.4.-P. 537-544.81 .Minza Y., Tanaka S., Matukura Y., Jsafime H. Silicon Dioxide Films Doped with Phosphores.//J. Electrochem. Soc, 1986. V.l 13. - № 4. - P.339

80. А.С. № 1261519 СССР. Способ изготовления отражающего покрытия для источников света / Козик В.В., Дмитриева О.А., Борило Л.П., Коротченко А.А. Приор, от 2.01.85.

81. Физика тонких пленок / Пер. с англ. под ред. А.Г. Ждана. М.: Мир, 1978. -360с.

82. Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. М.: Мир, 1986. -440 с.

83. Desu Seshu. Decomposition chemistky of tetraethoxysilane // J. Amer. Ceram. Soc., 1989.-V. 72.-№9.- P. 1615-1621.

84. Технология тонких пленок: Справ. // под ред. Майссела Л., Глэнга Р. М.: Сов. радио, 1977. Т. 2. - С.768.

85. Суйковская Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок. Л.: Химия, 1971. -200 с.8 8. Heavens O.S. Optical Properties of Thin Solid Films. London, 1955. P.27-31.

86. Vetrone Jim, Chung Yip-Wah. Осаждение из паров металлорганических соединений моно- и поликристаллических пленок Sn02 // J. Vac. Sci. and Technol. A., 1991. V.9. -№ 6. - P.3041-3047.

87. Александров А.И., Осико B.B., Прохоров M.A., Татаринцев В.М. Новый метод получения тугоплавких монокристаллов и плавленых керамических материалов // Вестн. АН СССР, 1973. Т. 12. - С.29-39.

88. Кэмпбелл Дж. Осаждение тонких пленок химическими методами // В кн.: Технология тонких пленок. М.: Сов. Радио, 1977. С.461-490.92.0дынец Л.Л., Орлов В.М. Анодные оксидные пленки. Л.: Наука, 1990. -200 с.

89. Введенский В.Д., Рязанкин В.П., Салищев Г.С. Современные установки для нанесения оптических покрытий в вакууме методами термического испарения // ОМП, 1987. № 9. - С.47-54.

90. Данилин Б.С. Вакуумное нанесение тонких пленок. М.: Энергия, 1967. -312 с.

91. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М.: Энергоиздат, 1989. 327 с.

92. Mazdiyasni K.S., Polloff R.T., Smith // J. Amer. Ceram. Soc., 1969. V.52. -P.523.

93. Гребенщиков И.В., Власов А.Г., Непорент B.C., Суйковская H.B. Просветление оптики. М.-Л.: ГТТИ, 1946. С.45-52.

94. Пащенко А.А., Воронков Н.Г. Кремнеорганические защитные покрытия. Киев: Техника, 1969.-251 с.

95. Петрова В.З., Панова З.В., Кандыба П.Е. и др. Исследование механизма ионного синтеза стекловидных пленок // Электронная техника. Сер.6. Материалы, 1979.-Т. 12(137). С.109-116.

96. Aelion В., Loebel A. Hydrolysis of Ethyl Silicate // J. Amer. Chem. Soc., 1950.-V.72.-P.705.

97. Андрианов К.А. Кремнийорганические соединения. M.: Госхимиздат, 1955.-487 с.

98. Андрианов К.А. Полимеры с неорганическими главными цепями молекул. М.: Изд-во АН СССР, 1962. 326 с.

99. Hyde I.E., Methylisloxones. Патент США № 2462540. 22.11.1949.

100. Воронков М.Г., Жагата Л.А. // Изв. АН Латв. ССР. Серия химич., 1967. -№ 4. С.452.

101. Андреева О.П., Тихонова О.В. Исследования процессов структурообразования при гидролизе ТЭС различной степени полимеризации // Прикладная химия, 1983. -№ 2. С. 1631- 1633.

102. Андрианов К.А., Соколова И.Н. Термоокислительная деструкция полиорганосилоксанов // Химическая промышленность, 1955. № 6. -С.329-335.

103. Аппен А.А. Химия стекла. М.: Химия, 1970. 251 с.

104. Горшков B.C., Савельев В.Г., Федоров Н.Ф. Физическая химия силикатов и других тугоплавких соединений. М.: Высшая школа, 1988. -340 с.

105. Кутолин С.А., Нейч А.И. Физическая химия цветного стекла. М.: Стройиздат., 1988. 294 с.

106. Оптические свойства полупроводников. Справочник / Гавриленко В.И., Грехов А.Ш., Корбутян Я.В. и др. Киев: Наукова думка, 1987. С.473-503.

107. Frederikson L.D., HausenD.M. //Analyt. Chem., 1963. V.35. -№ 7. -P.818.

108. Macchecney В.//J. Electrochem. Soc., 1968. V.l 15. - № 1.-P.52.

109. Smith P.L., Taylor N.W. // J. Amer. Ceramic Soc., 1961. V.23. - № 4. -P. 193.

110. Knobbe E.T., Dunn D., Fugua P.D., Nishida F. Laser Behavior and Photostability Characteristics of Organic Dye Doped Silicate Gel Materials // Appl. Opt., 1990.-V. 29.-№ 18.-P. 2729-2733.

111. Sanchez C., In M. Molecular Design of Alkoxide Precursor for the Synthesis of Hybrid Organic-Inorganic Gels // J. Non-Cryst. Solids., 1992. V. 147&148. -P. 1-12.

112. Hinsch A. Organic Fluorescent Dyes in Organically Modified Al203-Si02 or Ti02-Si02 Coatings with Varying Polymethacrylate Content // J. Non-Cryst. Solids, 1992. V.147&148. - P. 478-482.

113. Ocana M., Levy D., Serna C.J. Preparation and Optical Properties of Spherical Metal Oxide Particles Containing Fluorescent Dyes // J. Non-Cryst. Solids., 1992.-V. 147&148.-P. 622-626.

114. Hou L., Schmidt H. Effect of Additives on the Photostability of Sol-Gel Derived Organic-Inorganic Photochromic Coatings // J. Mater. Sci. Lett., 1997. -V. 16.-P. 415-416.

115. Avnir D., Levy D., Reisfeld R. The Nature of the Silica Cage as Reflected by Spectral Changes and Enhanced Photostability of Trapped Rhodamine 6G // J. Phys. Chem., 1984. V. 88. - P. 5956-5959.

116. Avnir D., Kaufman V.R., Reisfeld R. Organic Fluorescent Dyes Trapped in Silica and Silica-Titania Thin Films by the Sol-Gel Method //J. Non-Cryst. Solids, 1985. V. 74. - P. 395-406.

117. Fournier Т., Tran-Thi T.-H., Sanchez С. Charge Transfer Dynamics of Porphyrin-Phthalocyanine Heteridemers in Hybrid Sol-Gel Films // Chem. Phys. Lett., 1993. V. 208. - P. 101-105.

118. De Matteis F., Prosposito P., Sarcinelli F. et al. Silica-Based Sol-Gel Films Optically Functionalized Through Doping with Organic Molecules // J. Non-Cryst. Solids, 1999. V. 245. - P. 15-19.

119. Salin F., Le Saux G., Georges P.et al. Efficient Tunable Solid-State Laser near 630 nm Using Sulforhodamine 640- Doped Silica Gel // Opt. Lett., 1989. -V. 14.-P. 785-787.

120. Canva M., Georges P., Brun A. et al. Impregnated Si02 Gels Used ad Dye Laser Matrix Hosts // J. Non-Ciyst. Solids, 1992. V. 147&148. - P. 636-640.

121. Jager S. Dye-Metal Oxide Composite Thin Films for Decorative Applications//Thin Solid Films, 1996.-V. 286.-P. 154-158.

122. Brinker C. J.,Sherer G.W. Sol- Gel-Glass: Gelation and Gel Structure //J. Non-Cryst. Solids, 1985.-V. 70.-P. 301-322.

123. Diaz-Flores L.L. Perez-Bueno J.J. Vorobiev Y.V. et al. The Effect of Ball Milling Dispersion on the Optical Properties of Organic Dyes Trapped in Silica Films by Sol- Gel Method // Mater. Lett., 2000. V. 42. - P. 25-32.

124. Blumental W. The chemical behavior of zirconium. New York: Van Nostrand Co, 1958. 342 p.

125. Duwez P.S., Brown FN., Odell F. The zirconia yttria system. //J. Electrochem. Soc., 1951.-V. 98.-P. 356-362.

126. Lefewre J. Some structural modification of fluorite phases in systems, based on Zr02 or Hf02. // Ann. chim., 1963. T. 8. - P. 117-149.

127. Lin Tsu-Hsiang, Yu H.S. Phase equilibria of systems У20з Zr02. // Kuei Suan Yen Hsueh Pao, 1965. - V. 1. - P.22-29.

128. Mazdiyasni K.S., Lynch C.T., Smith J.S. Cubic phase stabilisation of translucent yttria-zirconia at very low temperatures. // J . Amer. Ceram. Soc., 1967.-V. 50.-P. 532-537.

129. Noguchi Т., Mizuno M., Jamada Т. Liquides curve of the zirconium-yttrium oxide system as measured by a solar furnace. // Bull. Chem. Soc. Jap., 1971. -V. 43.-P. 2610-2616.

130. Scott H.G. Phase relationships in the zirconia-yttria system. // J. Mater. Sci., 1975.-V.10.-P. 1527-1535.

131. Srivastava K.K., Patil R.N., Chroudhary C.B. et al. Revised phase diagram of the system zirconium oxide (Zr02 YO1.5). // J • Brit. Ceram. Soc., 1977. -V. 73.-P. 85-91.

132. Stelle D., Fender B. The structure of cubic Zr02 YOi)5 solid solutions by neutron scattering. // J . Phys. C: Solid State Phys., 1974. - V. 7. - P. 1-11.

133. Stubican V.S., Hink R.S., Ray S,P. Phase equilibria and ordering in system Zr02 Y203. // J . Amer. Ceram. Soc., 1978.-V. 61.-P. 17-21.

134. Глушкова В.Б., Осико B.B., Щербакова Л.Г. и др. Исследование особенностей твердых растворов в системе Zr02 Y203 в монокристаллическом состоянии. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1977.-Т. 13. -С.2197-2201.

135. Глазачев B.C., Лукин Е.С., Балашев В.А., Боровкова Л.Б. Механизм образования твердых растворов в системах Y203 НГО2 и Y203 - Zr02. //Изв АН СССР. Неорг. материалы, 1977.-Т. 13. - С.1814-1816.

136. Горелов В.П., Пальгуев С.Ф. Проверка модели кислородных вакансий для твердых растворов в системе Zr02 Y203. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1977.-Т. 13. -С.181-182.

137. Фань Фу-кан, Кузнецов А.К., Келлер Э.К. Фазовые соотношения в системе Y203 Zr02. // Сообщ. 1. О существовании цирконата иттрия и его физико-химических свойствах / Изв. АН СССР. ОХН, 1962. - С. 11411146.

138. Фань Фу-кан, Кузнецов А.К., Келлер Э.К. Фазовые соотношения в системе Y203 Zr02. // Сообщ. 2. Твердые растворы / Изв. АН СССР. ОХН, 1963. - С.601-610.

139. Стрекаловский В.Н., Макурин Ю.Н., Вовкотруб Э.Г. Изучение фазовых превращений, дефектности в системе Zr02 Y2O3 методом комбинационного рассеяния // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1983. -Т. 19. - С.925-929.

140. Gland R., Wajda Е. S. Технология получения полупроводниковых пленок // Conf. AIME Met. Soc., 1961. V. 15. - 27р.

141. Gregor L.V., в кн.: Physics of Thin Films, Hass G., Thun R.E., ets. V. 3, Acad. Press., New York, 1966. P. 131; русский перевод: Физика тонких пленок. М.: Мир, 1968. - Т. 3. - С.135-172.

142. Ploetz С. L., Miccigrosso А. Т., Osica L. М., Jacoby W. R. Dysprosium ceramics. //J. Amer. Ceram. Soc., 1960. -V. 63. P. 154-159.

143. Post H.W., Hofrichter C.H. Silico-orgahic compounds the preparation. // J. Org. Chem., 1940. № 5. P.52.

144. Scott H. G. On the continuous transition between two structure types in the zirconia-gadolinia system. // J . Mater. Sci., 1978. V. 13. - P. 1592-1593.

145. Thornber M. R., Devan D. J. Mixed oxides of the type M02 (fluorite) -M2Os. // J . Solid State Chem., 1970. V. 1. - P. 536-545.

146. Глушкова В.Б. Фазовые переходы в окислах циркония, гафния и редкоземельных элементов: Дисс. . д-ра хим. наук. Л.: ИХС АН СССР, 1972.

147. Глушкова В.Б., Сазонова Л.В. Влияние добавок редкоземельных окислов на полиморфизм двуокиси циркония. // В кн.: Химия высокотемпературных материалов. Л.: Наука, 1967. С.83-90.

148. Welsh Е.В., брит. пат. 345167, 27.09.29.

149. Comstock G. J., пат. США 1826456, 06.10.31.

150. Comstock G. J., пат. США 1826457, 06.10.31.

151. Sanders Р. Е., пат. США 2567162, 04.09.51.

152. Hathaway A. J., пат. США 2678887, 18.05.54.

153. Пат. № 685725 (США), 1901.

154. Рутман Д.С., Торопов Ю.С., Плинер С.Ю. и др. Высокоогнеупорные материалы из диоксида циркония. М.: Металлургия, 1985. 136 с.

155. Козик В.В., Скорик Н.А., Борило Л.П., Дюков В.В. Синтез и свойства пленок оксидов циркония, ниобия и тантала. // ЖНХ, 1995. Т. 40. - № 10- С.1596-1598.

156. Козик В.В., Шульпеков A.M., Борило Л.П. Фазовый состав и свойства пленок диоксида циркония, легированного оксидами трехвалентных элементов // Неорган, материалы, 1999. Т. 35. - № 3. - С.346-347.

157. Казаченок Е.А., Богомазова Н.В., Жарский И.М. Влияние условий термообработки на свойства пленок Si02, полученных из растворов тетраэтоксисилана//ЖПХ, 1999.-Т. 72.-Вып. 10. С. 1595-1599.

158. Торопов Н.А., Барзаковский В.П., Лапин В.В. Диаграммы состояния силикатных систем. Вып. 1. Двойные системы. М.: Наука, 1965.

159. Мазель Е.З., Пресс Ф.П. Планарная технология кремниевых приборов. М.: Энергия, 1974.-383 с.

160. Sost P., Plocker Р., герм.пат. 285981, 01.02.44.

161. Clark G. L., Reynolds D. Н. // Ind. Eng. Chem., 1937. V.29. - P.711-715.

162. Аввакумов Е.Г., Чижевская C.B., Стоянов Е.С. и др. Влияние природы компонентов механически активизированной смеси оксидов циркония и кремния на твердофазный синтез циркона // ЖПХ, 1999. Т. 72. - Вып. 9.- С.1420-1424.

163. Eberchard Е. Zirkon Hydrozirkon Zr(OH)4 in system Zr02 Si02 - H20 // Fortsch. der Miner. Kristallogr. und Petrogr., 1961. - B.39. - H.2. - S. 340.

164. Butterman W.C., Forster W.R. // Amer. Miner., 1967. V.52. - №5-6. -P.880.

165. А. с. 1171442 СССР, МКИ C04B 33/24. Керамическая масса для изготовления химически стойких изделий / М.Р. Перума, Ю.Я. Эйдус, У.Я. Содмалис, И.А. Ашманис, А.Н. Жунда. Заявлено 29.11.83, опубл. 07.08.85, бюл. №29.

166. Le Bris H. et al. Technologie du generateude 99mTc, Elumatic III du Comissariat a l'energie atomique France // Int. J. Radiat. and Isotop., 1982. -V.33. -№10. P. 821-826.

167. Садамори X., Тикадзава А., Окамура С., Нода Т. Патент Японии, 1983. № 56-106306.

168. Kundu Debtosh, Biswas Prasants К., Ganguli Dibyendi. Sol-gel preparation of wavelength-selective reflecting coatings in the system Zr02 Si02 // J. Non-cryst. Solid, 1989.- 110.-№ l.-P. 13-16.

169. А.И. Свиридова, H.B. Суйковская // ЖПХ, 1962. T.35. - C.280.

170. Щербакова JI.Г., Глушкова В.Б., Сапожников Р.А. Получение твердых растворов на основе Zr02 и НЮ2 и изучение процесса их кристаллизации. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1977. Т. 13. - С.674-677.

171. Павлова Г.С., Марчева Е.В., Малофеева Г.И., Золотов Ю.А. Избирательность смешанных гидроксидов как сорбентов. // ЖНХ, 1982. -Т. 27.-Вып. 12.-С.3153-3157.

172. Демиденко Л.М. Высокоогнеупорные защитные покрытия. М.: Металлургия, 1979. 216 с.

173. Feldman L., Mayer J. Fundamentals of surface and thin film analysis.-London: Elsevier Publishing Co., 1986.- 344 p.

174. Иванов Ю.Ф., Пауль A.B., Конева H.A. и др. Стабилизация высокотемпературной модификации диоксида циркония // Стекло и керамика, 2001. №9. - С. 22-23.

175. Гороновский И.Т., Назаренко Ю.П., Некряч Е.Ф. Краткий справочник по химии. Киев: Наукова Думка, 1987. 827 с.

176. Фиалко М.Б. Неизотермическая кинетика в термической анализе. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1981. 106 с.

177. Накамото К. ИК-спектры и спектры КР неорганических и координационных соединений. М.: Мир, 1991. С.287-297.

178. Казицина Л.А., Куплетская Н.Б. Применение УФ -, ИК-и ЯМР спектроскопии в органической химии. М.: Высшая школа, 1971.-241 с.

179. Беллами JI. Новые данные по ИК-спектрам сложных молекул. М.: Мир, 1971.-С. 190-195.

180. Bertobuzza A., Fagrano Е. Raman and infrared spectra on silica gel evolving toward glass // J. Non cryst. Solids. - 1982.- V, 48. - № 1. - P. 117128.

181. Martinez J.R., Ruiz F., Vorobiev Y.V. et al. Infrared Spectroscopy Analysis of the Local Atomic Structure in Silica Prepared by Sol-Gel // J. Chem. Phys. 1998. V. 109. P. 7511-7514.

182. Липсон Г., Стипл Г. Интерпретация порошковых рентгенограмм. М.: Мир, 1972.-215 с.

183. Ковба Л.М., Трунов В.К. Рентгенофазовый анализ. М.: МГУ, 1976. -232 с.

184. American Society for Testing Materials Inorganic Plain Cards. Philadelfia, 1946-1969.

185. Аканов A.B. Алгоритмы и программы для численного решения некоторых задач эллипсометрии. Новосибирск: Наука, 1980. С. 192.

186. Зимон А.Д. Адгезия пленок и покрытий. М.: Химия, 1977. 345с.

187. Воронков М.Г, Милешкевич В.П., Южелевский Ю.А. Силоксановая связь. Новосибирск: Наука, 1976. - 410 с.

188. Новоселова Н.А., Ли Н.И., Сорокина В.В., Анохина Л.Б. Особенности пленкообразования продуктов гидролиза ТЭС // Прикладная химия. № 8. - 1982.-С.1862-1863.

189. Расторгуев Ю.Я., Рябенко Е.А., Кузнецов А.И. и др. О гидролитической конденсации тетраэтоксисилаиа (ТЭОС) // Журнал прикладной химии. №1. - 1983. - С.233-236.

190. Тихонова О.В., Андреева Е.П. Исследование процессов гидролиза этоксисиланов //Прикладная химия. № 1.- 1983.- С.145-152.

191. Химия и технология редких и рассеянных элементов, ч.Нпод ред. К.А. Большакова. Изд. 2-е, перераб. и доп.-М.: Высшая школа, 1976.-С.295.

192. Борило Л.П. Дисс. . канд. хим. наук. Томск, ТГУ. 1992. - 155 с.

193. Hubnerk. Chemical bound and properties of Si02 and it's interfaces- New York.: Pergamon.- P.l 11.

194. Harrison W.A. Ciracis Bond-orbital model // Phys. Rev. В.- 1974,- № 4.-P.1516-1527.

195. Sugaro Т., Suzuka T. Calanlation of the energy levels at Si02-Si interface // Jap. J. Appl. Phys., 1973.-V.12.-№1.-P. 75-81.

196. Панасюк Г.П., Амбарцумян С.Г., Будова Г.П. и др. Формирование структуры аморфного кремнезема при гидролизе тетраэтоксисилана с последующей термообработкой // Неорг. материалы. Т. 24.- №5.-1988.-С.775-783.

197. Брук М.А., Павлов С.А. Полимеризация на поверхности твердых тел.-М.: Химия, 1990.-С.55-57.

198. Химия и технология редких и рассеянных элементов, ч.П / под ред. К.А. Большакова. Изд. 2-е, перераб. и доп.- М.: Высшая школа, 1976.-С.295.

199. О.В.Турецкова, Р.В.Грязнов, А.М.Шульпеков, Л.П.Борило. Изучение физико-химических процессов формирования пленок оксида циркония и оксида кремния из пленкообразующих растворов // Деп. в ВИНИТИ № 97-В00 от 19.01.2000

200. Борило Л.П., Шульпеков A.M., Турецкова О.В., Грязнов Р.В. Синтез и свойства пленок на основе двойных оксидов циркония и кобальта // Деп. в ВИНИТИ № 96-В00 от 19.01.2000

201. Грязнов Р.В. Получение и изучение свойств тонкопленочных материалов на основе оксидов циркония и кремния // Сб. науч. тр. / Всероссийская научно-техническая конференция / Отв. ред. Стацура В.В. Красноярск: ГАЦМиЗ, 2000. - С. 96-98.

202. Грязнов Р.В., Борило Л.П. Получение и изучение свойств тонких прозрачных пленок Si02-Zr02 // Сб. материалов1. U V-» 1региональной научно-практическои конференции

203. Полифункциональные химические материалы и технологии" / под ред. Ю.Г. Слижова. Томск: Изд-во Томского гос. ун-та, 2000. - С. 40-41.

204. Грязнов Р.В. Синтез и изучение свойств тонких прозрачных пленок Si02 —Zr02 // Тез. докл. XXXVIII Международной научной конференции «Студент и научно-технический прогресс».- Новосибирск: Изд-во Новосибирского гос. ун-та, 2000.-С.151.

205. Грязнов Р.В., Борило Л.П., Козик В.В., Мальчик А.Г. Физико-химическое изучение процессов формирования пленок Ta2Os и Si02-Ta205 из пленкообразующих растворов // ЖПХ, 2001. Т. 74. - Вып. 1. - С. 18-21.

206. Грязнов Р.В., Борило Л.П., Козик В.В., Шульпеков A.M. Тонкопленочные материалы на основе Si02 и Zr02 , полученные из растворов // Неорг. материалы, 2001. Т. 37.- № 7.- С.828-831.

207. Грязнов Р.В., Шульпеков A.M., Борило Л.П. Технология получения энергосберегающих покрытий на основе оксидов циркония и кремния // Сб. статей / VI международная научно-практическая конференция «СТТ'2000».-Томск: Изд-во ТПУ, 2000. С. 359-361.

208. NaviasL. пат. США 2515790, 18.07.50.

209. Maloney W.T., пат США 2427799, 23.09.47.

210. Kistter S.S., пат США, 2696451, 07.12.54.

211. Грязнов Р.В., Борило Л.П. Процессы формирования тонких пленок Zr02 Si02 из растворов при высоких температурах // Вопросы химии и химического материаловедения. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2002. С. 8-12.