автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Реактивное ионно-плазменное травление пленок алюминия для производства микросхем

МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА. ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

На правах рукописи

Для служебного пользования экз.№_

• »У

ГУСЕВ АЛЕКСАНДР ВЛАДИМИРОВИЧ

РЕАКТИВНОЕ И0НН0-ПДАЗМЕНН0Е ТРАВЛЕНИЕ ПЛЕНОК Ь^ АЛЮМИНИЯ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ГЛИКР0СХЕ1Л г

По специальности 05.27.01 - Твердотельная

электроника, микроэлектроника.

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук.

Москва, 1990.

Работа выполнена в Московском ордена Трудового Красного Знамени институте электронной техники.

Научные руководители: - доктор физико-математических неук," профессор Вернер В.Д.

- кандидат технических наук, с.н.с. Киреев В.Ю.

Официальные оппоненты:- Неустроев С.А. д.т.н..профессор,

тэт

- Назаров Д.А. к.т.н., нач.отдела,

ниисвт.

Ведущая организация: Научно-исследовательский институт

физических^проблем. Защита состоится " /& " ** • '' на заседании специализированного совета Д.053.02.02 Московского института электронной твхники (Москва 103498).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ШЭТ. Автореферат разослан " " _199_/_г.

Уче1шй секретарь специализированного

совета <5

д.т.н. .профессор Л.А.Коледов

3

д

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Дальнейшее развитие технологии микроэлектроники направлено в первую очередь на повышение эф|>ективности применения интегральных микросхем за счет увеличения их быстродействия и степени интеграции. Это вызывает необходимость использования новых материалов, а следовательно, разработки и совершенствования новых технологических процессов.

Одним из основных технологических процессов при создании микросхем является процесс формирования межэлементной проводящей разводки и контактов. Требования, предъявляемые к проводящей разводке и контактам при создании сверхбольших интегральных схем (СБИС) (например, ДОЗУ информационной емкостью I Мегабит с минимальным размером элемента - 1,2 мкм, площадью кристалла - 65 мм2

£

и количеством элементов на кристалле - 10 ) по КЩЩ-технологии достаточно жесткие и часто противоречивые:

- высокая проводимость (удельное сопротивление менее 10 мкОм.см);

- хорошая адгезия к- полупроводникам и осажденным диэлектри- • ческим пленкам;

- низкоомный невыпрямлящий контакт с полупроводниками различных типов;

- технологичность, т.е. пригодность к про.'лшленним (.татодзм нанесения и формирования, их совместимость с другими технологическими операциями;

- устойчивость к электромиграции, коррозии, образованию нестабильных интерметаллических соединений меяду разшмя металлами и на границе с полупроводниками;

- гладкая поверхность, гомогенность состава, надежное по:;рн-

тие ступенек поверхностного рельефа;

- минимальное влияние на поверхностные свойства полупроводников в МДП-структурах, минимальная глубина контакта.

Алюминий удовлетворяет многим из перечисленных требований,' однако он глубоко внедряется в кремний, подвержен миграции, влияет на свойства МДЕ-структур и часто образует микротрещины на оту-пеньках рельефа. Поэтому при переходе от больших интегральных схем (БИС) к СБИС чистый алюминий в металлизации заменяется на его двойные и тройные сплавы (например, алюминий с кремнием, или алюминий с кремнием и медью -

Первые успешные процессы вакуумно-плазменного травления (ВПТ) алюминия выполнены в 1974-76гг. Однако толчок к ускоренному развитию технология сухого травления получила в середине восьмидесятых годов, когда появилась необходимость в получении межсоединений шириной менее 3 мкм. Между тем, вопросы эффективного использования рабочих газов, прецизионности, надежности, воспроизводимости и контролируемости процессов травления алюминия и особенно его сплавов продолжают вызывать серьезные затруднения в производстве микросхем и сейчас. Это связано как с характерными особенностями, отличающими процесс ВПТ алюминия и его сплавов от процессов ВПТ других материалов., использующихся в микроэлектронике, так и с отсутствием адекватной физико-химической модели, описывающей протекание реакций в плазме и на поверхности при травлении алюминия, с отсутствием критериев выбора оптимальных операционных параметров плазмы и, как следствие, неправильному их подбору.

Таким образом, разработка эффективного, прецизионного, надежного, воспроизводимого и контролируемого процесса ВПТ алюминия и его сплавов на основе исследования и моделирования физико-хими-

ческих реакций, протекающих при ВПТ, является актуальной и имеющей важное научно-техническое значение проблемой. Решение этой проблемы и является целью диссертационной работы.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ: разработка эффективного, прецизионного, надежного, воспроизводимо го и контролируемого процесса ВИТ алюминия и его сплавов на основе исследования и моделирования физико-химических реакций, протекающих при ВПТ.

Для достижения указанной цели потребовалось решить следугацие задачи:

- проанализировать обширный экспериментальный материал, наработанный в мировой практике к настоящему времени, по проблема ВПТ алюминия и особенно его сплавов через маскирующие покрытия;

- выделить основные механизм, по которым происходит удаление материалов сплавсл алюминия гг создание анизотропного профиля при ВПТ;

- построить физико-химическую и математическую модели наработки химически активных частиц в плазме(совместно с ИОФ АН СССР);

- по построенной математической модели рассчитать концентрацию атомарного хлора в плазме при ВПТ с различными операционными ' параметрами;

- исследовать спектральный состав плазмы и проверять справедливость проведенных расчетов;

- исследовать характеристики травления алюминия и его сплавов в многокомпонентных газовых смесях и установить связь между операционными и технологическими параметрами процесса ВПТ;

- разработать и экспериментально проверить методику для расчета оптимального диапазона температур пластин при проведении процесса ВПТ сплавов алюминия;

6 д

- рассчитать требования к важнейшим технологическим характеристикам процесса ВПТ алюминия и его сплавов под требуемые уровни интеграции;

- разработать эффективный, прецизионный технологический процесс ВПТ сплавов алюминия, внедрить его в производство, обеспечив его воспроизводимость и контролируемость.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА диссертационной работы заключается в:

- построении физико-химической феменологической модели генерации химически активных частиц в смесях активного галогеносо-держащего газа с инертным на основе конкуренции реакций диссоциативного прилипания и гарпунных реакций;

- обнаружении эффективного канала генерации атомарного хлора в объеме плазменного реактора при определенных значениях операционных параметров системы ВПТ;

- использовании канала гарпунных реакций для увеличения скоростей травления легирующих компонентов сплавов алюминия;

- формализации критериев выбора оптимальной температуры поверхности пластины при ВПТ сплавов алюминия через органические маски.

СТЕПЕНЬ ОБОСНОВАННОСТИ научных положений и выводов, сформулированных в диссертационной работе, подтверждена экспериментальными данными, полученными при исследовании спектрального состава плазмы и исследовании характеристик травления проводящих и полупроводниковых пленок.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ И РЕАЛИЗАЦИЯ РЕЗУЛЬТАТОВ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ. Разработан технологически процесс ВПТ сплавов алюминия через органические маски, без их предобработки, с анизотропным профилем травления, обеспечивающий удаление легирующих добавок

сплава со скоростями, равными скорости травления алюминия. Данный процесс более эффективно использует рабочую газовую смесь, а следовательно, более экономически выгоден и экономически безопасен. Составлены и применены методики для текущего операционного контроля. Разработанный процесс защищен двумя авторским свидетельствами. Опнтно-промншенная проверка показала, что использование данного технологического процесса при изготовлении изделия 132РУ6 на п/я Г-4749 позволяет повысить выход годных кристаллов с пластина на 9%.

НА ЗАЩИТУ ВЫНОСЯТСЯ:

- механизм гарпунных реакций генерации атомарного хлора как наиболее эффективный при создании плазм для ВПТ с повышенным содержанием ХАЧ;

- результаты расчета концентраций атомарного хлора в плазме молекулярного хлора с аргоном;

- результаты экспериментального исследования спектрального состава плазмы молекулярного хлора при разбавлении ее аргоном;

- экспериментальные зависимости характеристик ВПТ проводящих я полупроводниковых слоев от операционных параметров шгазменной системы, подтверждающие справедливость предложенных моделей;

- методика расчета оптимального диапазона температур поверхности ПЛАСТИНЫ прг! ТТГОВеТ^НУТН БПТ и его

вов через органические маски;

- экспериментальные данные, подтверждающие справедливость критериев выбора температуры поверхности пластины при HIT;

- технологический процесс ВПТ алюминия и его сплавов, обеспечивающий травление легирующих добавок сплава со скоростжг:, равными скорости травления алюминия, через органические маски без

их предобработки, с повышенной эффективностью и экологической безопасностью, с повышенной надежностью и стойкостью к коррозионному воздействию,атмосферы;

- методики контроля и диагностики состояния установок ВПТ алюминия и процессов травления.

АПРОБОЩЯ РАБОТЫ. Результаты диссертационной работы изложены в I обзоре по электронной технике, отчетах по НИР и ОКР, 4 научно-технических статьях, 2 авторских свидетельствах на изобретения. Основные положения диссертации обсуждались на совещаниях и семинарах ОНИД СПЫС ЬИЭТ, на научно-технических совещаниях и советах в НИИФП, НИИТТ, ПНЮ и КАИ.

ОБЪЕЛ И СТРУКТУРА ДИССЕРТАЦИИ. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, библиографии из 114 источников и приложение, содержащего акты подтверждающие внедрение разработанного технологического процесса на предприятиях электронной промышленности.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

ВВЕДЕНИЕ формулирует требования к проводящей разводке и контактам при создании СБИС и определяет место процессов вакуумно-плазменного травления в технологическом маршруте изготовления микросхем , обосновывает актуальность выбранной темы диссертационной работы.

ГЛАВА I представляет собой систематизированный анализ научно-технической литературы по проблеме сухого травления алюминия.

Показана необходимость использования вакуумно-плазменных методов обработки для травления проводящих слоев при производстве СБИС. Дана характеристика основных методов ВПТ алюмицкя: реактив-

ного ионно-лучевого травления (РИЛТ), плазменного травления (ПТ) и реактивного ионно-плазменного травления (РИПТ). Отмечены основные различия в механизмах процессов ПТ, РШ1Т, РИПТ, которые определяют различный вклад спонтанных (самопроизвольных) химических реакций с одной стороны, ионно-стамулированных химических реакций с другой, и физического распыления с третьей, в скорость травления материала. Приведены литературные данные, описывающие поведение основных технологических параметров плазменных процессов дай РИЛТ, ПТ и РИПТ. Так как травление пленок сплавов алюминия ооложняется присутствием на поверхности слоя естественного окисла и легирующих добавок в объеме пленки, наиболее перспективным для сухого травления сплавов алюминия является процесс РИПТ, обеспечивающий высокие скорости травления и необходимые селективности к подслою а маске. На основе изучения особенностей травления алюминия в плазме сделаны выводы о наиболее приемлемых материалах для конструктивного исполнения реакторов. Этими материалами являются алюминий, покрытый зенитным слоем окисла алюминия, и кварц. Для уплотнений можно использовать фторопласт и химически стойкую резину. Подчеркивается необходимость включения в состав установки для травления алюминия шлюзового устройства, препятствующего проникновению влаги из атмосферного воздуха в реактор.

Па основа достаточно полного экспериментального материала, опубликованного в работах отечественных и зарубежных авторов, анализируются различные составы плазменных смесей и их влияние пэ технологические характеристики процесса травления. Несмотря на то, что существует большое число газовых смесей для ПТ и РИПТ алюминия, все они мало эффективны для травления многокомпонентных сплавов алюминия. Легирующие компоненты сплавов, как правило, в

ю д

процессе травления полностью не удаляются. В этой главе таете приведены литературные данные, позволяющие сделать вывод о том, что для травления соответственно алюминия и таких легирующих добавок сплава как кремний необходимо наличие различных видов хлорсодер-' жэщих химически активных частиц (ХАЧ). Действительно, основной частицей, производящей травление алюминия, является молекулярный хлор, в то время как для травления кремния такой частицей является атомарный хлор. Однако в литературе отсутствуют сведения о том, как получать в требуемых соотношениях эти ХАЧ в зоне плазмы.

Значительное внимание уделено анализу данных, касающихся проведению процессов ВПТ алюминия через маскирующие покрытия, как органические, так и неорганические. Результаты анализа доказывают, что для обеспечения анизотропии травления алюминия необходимо использование органических масок. Однако такие маски обладают невысокой плазмостойкостью. Используемые в настоящее время физико-химические обработки масок с целью повышения их плазмостойкости не могут полностью удовлетворить требованиям к процессу травления алюминия, так как эти обработки, во-первых, снижают анизотропию травления, а во-вторых, существенно удлиняют технологический цикл, приводя к увеличению вероятности загрязнения пластин.

Кроме того, экспериментальные данные свидетельствуют, что температура поверхности пластин при травлении алюминия оказывает определенное влияние на антикоррозионные свойства сформированных проводящих элементов. Однако, в литературе отсутствуют как физически обоснованная методика расчета ее оптимальных значений, так и вообще убедительные доказательства возможности проведения процессов ВПТ алюминия через незадубленные органические маски без коррозионного воздействия атмосферы на сформированные алюминиевые

элементы.

Таким образом, анализ научно-технической литературы показал, что процессы ВПТ алюминия изучены еще недостаточно, а существующие промышленные технологии вакуумно-плазмеиного травления сплавов алюминия не могут полностью удовлетворить требованиям производства СБИС.

Материалы обзорной главы позволили составить модельное лрец-ставление о механизме плазменного травленая алюминия и его сплавов, сформулировать цель и задачи диссертационной работы, решению которых посвящены последующие главы.

В ГЛАВЕ 2 описана физико-химическая феменологяческая модель процесса ВПТ алюминия и его сплавов в смеси хлор-аргон. Сформулированы основные теоретические положения, выносимые па защиту : механизм гарпунных реакций генерации атомарного хлора как наиболее эффективный при создании плазм для ВПТ с повышенным содержанием ХАЧ; результаты расчета концентраций атомарного хлора в плазме смеси молекулярного хлора с аргоном; критерии выбора температуры поверхности пластины прч проведении процессов ВПТ алюминия и его сплавов через органические маски.

Исхода из анализа «Тизяко-хголческих процессов, протекающих в плазме, сделано предположение, что веропектявпнм классом газовых смесей, в которых могут эйфэктгашо генерярпрчт*-с<! YA4, ялгт;.'. смеси инертных газов R с галогенами Xj^-FjK). Дело б ?с\-, что ис-за высокой скорости гарпунных реакций:

R*+X2^RXif+X , (I)

R*

где К - электронно-возбужденный атом инертного газа; К.; -

_ Q О

константа скорости реакции ( ~10 "см /с) и пссл-здугтцего перехода с вероятностью А = на разлетнкй терм идет эффектив-

нов разрушение молекулы галогена:

R+X+ hù. (2)

В тех условиях, когда скорость возбуждения атомов инертного газа выше скорости диссоциативного прилипания электронов ( е ):

Ха*ё^Х~-Х . (з)

а также скоростей иных процессов "наработки" химически активных частиц, разбавление галогена Хг инертным газом R. может привести к повышению концентрации ХАЧ. Концентрация ЗСАЧ в плазме газовой смеси при изменении ее состава будет определяться относительной эффективностью реакций (I) и (3).

Теоретический анализ изменения химического состава газовых смесей вида R+X* в плазме высоко частного (ВЧ) разряда с эффективной реакцией (I) выполнен на примере смеси Кинетическая

модель для расчета концентрации атомарного хлора в реакторе включает в себя 14 компонент: /{г, f\x, АХг, Аkl, /Ai Ci , Cil, СС С"С> ^ и электР0НЫ плазмы. Наряду с

балансовыми уравнениями для числа частиц решались балансовые уравнения для температур электронов и тяжелых частиц плазмы. При построении модели были сделаны следующие допущения:

- плотность мощности ВЧ разряда (удельный энерговклад) считалась постоянной;

- электроны плазмы, производящие возбуждение, диссоциацию и ионизацию атомов и молекул, имели максвелловское распределение по энергиям;

- уход атомов хлора из объеме плазмы определялся только процессом диффузии. Гибель атомов хлора в реакциях типа

ое*се+м—С4+М , (4)

была несущественна по сравнению о их диффузионным выносом. М -либо молекула 1л.2 » либо атом Аг ;

- атомы хлора, достигающие поверхностей, ограничивающих плазму, гибли на них с вероятностью равной единице и в дальнейшем не учитывались. Вкладом реакции

М +С£ стенк£ С-&2. ^

в концентрацию молекулярного хлора в плазме пренебрегали.

Для решения большого числа балансовых уравнений и уравнения энергобаланса использовалась модернизированная программа Р1А8ЕЯ, разработанная в институте общей физики АН СССР (ИОФ АН). На рис.1 приведены результаты расчетов концентрации атомарного хлора в зависимости от оостава смеси А? ♦ (/С^ при различных давлениях и постоянном энерговкладе, соответствующем мощности, обычно использующейся в процессах ВПТ сплавов алюминия.

,5

1°° *Аг,/о

Рис.1. Зависимости концентраций хлора (П^) ог процентного содержания аргона () в плазме А^Иг ПР'Л М°Щ~ ности 0,1 Вт/см^ и давлениях: 1-1 Па; 2 - 2,15 Па; 3 - 4,3 Па; 4 - 21,75 Па; 5 - 43 Па.

В этой же главе проведены расчеты температурных характеристик процессов ВПТ алюминия и его сшивов. Выведена формула для вычисления минимальной температуры поверхности пластины при травлении, при которой не происходит переосаждения хлорида алюминия:

т ЦТИ0-»_ , (6)

,с ЛШЧдОс-^Р-^-^тр

где [)с - расход рабочей смеси в см^/мин при атмосферном давлении; Р - рабочее давление а реакторе в Па; К - площадь обрабатываемой (вскрываемой) поверхности алюминия в см2; Утр- скорость травления слоя алюминия в см/мин. То - в К. Таким образом, для того, чтобы после проведения процесса ВПТ алюминия сформированные проводящие элементы сохраняли антикоррозийные свойства, температура поверхности пластин при травлении должна находиться в диапазоне:

То<Т<Т^ , (7)

где "Тд- температура деструкции маски.

ГЛАВА 3 посвящена экспериментальной проверке выдвинутых теоретических положений, а также экспериментальному изучению многокомпонентных газовых смесей для травления сплавов алюминия. Приводится описаниг установки РИПТ алюминия, на которой проводились исследования, анализировались связи операционных параметров с технологическими характеристиками травления алюминия.

Для проверки справедливости расчетов концентраций атомарного хлора по предложенной в главе 2 математической модели, исследовался спектральный состав плазмы молекулярного хлора с аргоном. С помощью монохроматора Мс Ре^БОЛ регистрировались спектры испускания атомарного хлора б возбужденных состояниях. Для восстановления концентрации атомарного хлора в основном состоянии при-

менялась актинометрическая методика, разработанная в Институте нефетхимического синтеза АН СССР. К исследуемой газовой смеси добавлялся в небольших количествах газ актиномер (криптон) с известным спектром и константами возбуждения. Предполагалось, что излучающие состояния криптона и хлора возбуждаются прямым электронным ударом из основных состояний. Ввиду того, что данные газы имеют очень близкие потенциалы возбуждения, в создании возбужденных состояний принимают участие одни и те же группы электронов, а следовательно, константы возбуждения излучающих состояний будут одинаковым образом зависеть от параметров разряда. Для определения концентраций хлора (П^) при различных операционных параметрах разряда применялась формула:

где - измеренные интенсивности излучения хлора (на длине

волны А = 754,6 нм) и криптона (на длине волны Л = 760,1 нм); Пкг - концентрация криптона в основном состоянии; К - константа. Результаты обработки экспериментальных данных в соответствии с этой формулой качественно подтверждают зввисимости, полученные на основе математической модели.

Окончательный вывод об эффективности механизма гарпунных реакций для "наработки" атомарного хлора долэется по данным о скорости травления поли- 31, механизм травления которого считается хорошо изученным. Данные по травлению алюминия, окиола алюминия, поликристаллического кремния, приведенные в этой главе, позволили сделать следующие выводы и заключения:

- путем введения аргона в хлорсодержащую смесь можно управлять соотношением скоростей травления основного материала сплава

16 д

(алюминия) и легирупцей добавки (например, кремния);

- газовая смесь для ВПТ сплавов алюминия должна быть многокомпонентной, с обязательным присутствием молекулярного хлора, ер-гона и, по крайней мере, одного галогеносодеркащего реагента из ряда:

- наиболее целесообразным является использование многостадийных процессов ВПТ сплавов алюминия;

- возможно существенное снижение неравномерности травления по пластине путем регулирования времени прохождения границы раздела слоев "окисел алюминия-алюминий".

Исследовалось влияние температуры поверхности пластины при ВПТ сплавов алюминия на коррозийную стойкость алюминиевых шин после развакуумирования реактора. После травления в плазме четурх-хлористого углерода и азота при различных значениях температур поверхности, пластины помещались в атмосферу влажного азота. Результаты последующего контроля с достаточной точностью показали соответствие температуры То . вычисленной по формуле (6) с критической температурой.при повышении которой коррозионное воздействие влажного азота на алюминиевые шины на наблюдается. Исследования проводилис как для процесса ВПТ с групповой обработкой, так и для процесса РИПТ с индивидуальной обработкой пластин.

ГЛАВА 4. Выдвинутые в диссертационной работе положения послужили основой для разработки технологического процесса ВПТ сплавов алюминия, которой посвящена данная глава.

Сначала проведен расчет требований к важнейшим технологическим характеристикам процесса ВПТ сплавов алюминия под изделия СБИС уровня ДОЗУ IM. В соответствии с расчетом, селективность травления к фосфороселикатному стеклу должна быть 5,8; селек-

тивность к фоторезистивной маске V 4,3; показатель анизотропии } 14. Для обеспечения данных характеристик разработан пятистадий-ный процесс РИПТ. Приводится полное описание режимов проведения каждой стадии с необходимыми пояснениями и хронограмма всего процесса.

Для контроля полноты стравливания пленок сплава алюминия и скорости его травления используется лазерный рефлектометр. Этот же прибор применяется в контрольных циклах для определения прогрева пластины в результата воздействия плазмы. В этом случав на самопишущем приборе регистрируется изменение интерференционной картины отраженного луча лазере от нижней и верхней поверхностей стеклянной пластины (иммитатора).

В данной главе предложена и реализована методика контроля процесса и установки ВПТ алюминия, основанная на сравнении зависимостей изменения давления в реакторе от времени ( полученных в текущих и эталонном циклах травления. Под эталонным циклом травления понимается цикл ВПТ пленок алюминия при оптимальных (заданных) параметрах процесса и характеристиках узлов и систем установки. Предложенная методика может быть использована для диагностики, контроля и отладки процессов ВПТ пленок алюминия, контроля состояния узлов и систем любых установок, оснащенных датчиками давления типа "баратрон", "механотрон", ВД-1, ВД-2.

В заключении приведены основные результаты, полученные в диссертационной работы.

ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ.

I. На основании теоретических и экспериментальных исследований процессов ЗПТ пленок алюминия разработан надежный технологический процесс РИПТ пленок алюминия через органические маски, без их предобработки, с анизотропным профилем травления, обеспе-

чивающий удаление легирующих добавок пленок со скоростями, равными скорости травления алюминия. Данный процесс более эффективно использует рабочую газовую смесь, а следовательно, более экономически выгоден и экологически безопасен. Разработанный процесс защищен двумя авторскими свидетельствами: А 1375041, 1986г.; № (положительное решение по заявке № 4677744125,1989г.).

2. Выделены основные химически активные частицы, ответственные за удаление компонентов пленок алюминия и построены модели

их наработки в гиазме при ВПТ.

3. По построенной математической модели расчитаны концентрации атомарного хлора в плазме при ВПТ с различными операционными параметрами и справедливость расчетов подтверждена рядом экспери- ' ментов.

4. Установлена взаимосвязь между операционными и технологическими параметрами процессов РИПТ алюминия с целью оптимизации технологических условий.

5. Разработаны научно-обоснованные технологические рекомендации по проведению процессов ВПТ пленок алюминия и обеспечения да воспроизводимости и стабильности.

6. Результ,"и работы опробованы и внедрены в виде технологических процессов РИПТ пленок алюминия на предприятиях: ШИТТ (в серийном производстве изделия 132 РУ6 увеличен объем т - кристаллов с пластины на 9$), НИИФП (увеличение процента выхода годных элементов интегральных схем в 1,3 раза), Государственном институте прикладной оптики (мелкосерийное производство шкроэлект-ронной аппаратуры).

РАБОТЫ, ОПУБЛИКОВАННЫЕ ПО ТИЛЕ ДИССЕРТАЦИИ.

1. Гусев A.B., Киреев В.Ю. Формирование элементов мегабитовых ДОЗУ. ч.2 Травление алюминия и его сплавов: Обзоры по электронной технике. Сер.З, Микроэлектроника. М.:ЦНИИ "Электроника", 1988, вып.3(1360), 64с.

2. A.C. Js I37504I СССР, МКИ H0I Ь 21/306. Способ плазмохимичес-кого травления пленок алюминия через органические маски/ Г.Г.Бажанова, А.В.Гусев, В.Ю.Киреев, М.А.Косых (СССР). -

Л 4092141/24-25; Заявлено 17.07.86 (ДСП).

3. Решение о выдаче A.C. от 08.09.89. Способ вакуумного плазменного травления пленок сплавов алюминия/ Э.М.Врублевский,

A.В.Гусев, Б.С.Данилин, А.Г.Жидков, В.Ю.Киреев, И.В.Новиков,

B.Г.Ястребов (СССР). - № 4677744/25; Заявлено 11.04.89(ДСП).

4. Разработка и внедрение процесса реактивно-ионного травления . слоев А£/£><- в производство СБИС на установках "Лада-36-I" с целью повышения прецизионности операции. Отчет по ОКР (ДСП).-й ГР6005608/У-35944, M.:1987.-178с.

5. Врублевский Э.М., Гусев A.B.,'Киреев В.Ю. Устройство для контроля и диагностики состояния процесса и оборудования плазмо-химического травления пленок алюминия // Электронная техника. Сер.З, МикроэлектроникаМ.: ЩШ"Электроника"; 1988.-Вып.4 (128).-с.74-75.

6. Релаксационные процессы и скорость травления монокремния в смеси Агйг/ Э.М.Врублевский, А.В.Гусев, А.Г.Еидков, В.Ю.Киреев, И.В.Новиков, С.И.Лковленко// Краткие сообщения по физике, <ЭД АН СССР.-IS89.-Вып.10.-с.3-4.

7. Химический состав и скорости травления монокремния в плазме бинарной смеси Аг Э.М.Врублевский, А.В.Гусев, А.Г.Жид-

ков, В.Ю.Киреев, И.В.Новиков, С.И.Яковленко // Химия высоких анергий. - 1990.-Том 24 ,-Х 4 . с.356 - 361 .

8. Реагентосберегапцие процессы в вакуумно-плазменном травлении /Э.М.Врублевокий, А.В.Гусев, А.Г.Жидков, В.Ю.Киреев, И.В.Новиков, С.И.Яковленко// Сборник научных трудов. Физико-химические процессы в микроэлектронике. МИТХТ им.Ломоносова,Москве.-1990.-

с.305-317.

9. Разработка макета стенда для диагностики и аттестации установки плаэмохимического травления. Отчет по НИР(ДСП).-йГР 8003170/Ф-35854.М.:1990.-96с.

Заказ I тираж 100 объем 0,8 уч.изд-я 3-н И392/ДСП.Бесплатно.

Отпечатано на множительном уч-ке 25 ( МИЭТ ).