автореферат диссертации по радиотехнике и связи, 05.12.10, диссертация на тему:Разработка рентгеновского микроанализатора для анализа легких элементов

ВВЕДЕНИЕ.

1. АППАРАТУРА И МЕТОДИКА ЛОКАЛЬНОГО РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНОГО

АНАЛИЗА ЛЁГКИХ ЭЛЕМЕНТОВ.

1.1. Основные представления о методе локального рентге-носпектрального электроннозоццового анализа

1.2. Особенности анализа лёгких элементов при возбуждении рентгеновского излучения электронным зондом

1.3. Загрязнение поверхности образца в электроннозодо-вых приборах и способы её очистки.

1.4. Спектрометры ультрамягкого рентгеновского излучения

1.5. Выводы.

2. ОБОСНОВАНИЕ СПОСОБА ОЧИСТКИ И ПРЕДОТВРАЩЕНИЯ ЗАГРЯЗНЕНИЙ ПОВЕРХНОСТИ ОБРАЗЦА И РЕНТГЕНООПТИЧЕСКОЙ СХЕМЫ

РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНОГО КАНАЛА.

2.1. Способ очистки поверхности образца с применением ионной пушки.

2.2. Рентгенооптическая схема спектрометра с дифракционной решёткой.

2.3. Расчёт спектральной отражательной способности плоского отражательного фильтра в фокусирующем спектрометре

2.4. Выводы.

3. МИКР0АНШЗАТ0Р ДЛЯ АНАЛИЗА ЛЁГКИХ ЭЛЕМЕНТОВ

3.1. Описание прибора

3.2. Спектрометр с дифракционной решёткой

3.2. Устройство ионного травления

4. МЕТОДИЧЕСКИЕ ВОПРОСЫ АНАЛИЗА ЛЁГКИХ ЭЛЕМЕНТОВ

4.1. Измерение интенсивности характеристического рентгеновского излучения при одновременном воздействии на образец электронного и ионного пучков.

4.2. Исследование оптимальных условий измерения характеристического рентгеновского излучения лёгких элементов

4.3. Рентгеноспектральный анализ лития .III

4.4. Выводы.

В последнее десятилетие родилось новое направление в науке о свойствах и строении твёрдых тел - изучение взаимосвязи макроскопических характеристик веществ с локальными неоднородностями вблизи поверхностей раздела и с элементным составом в субмикронных локальных областях. Развитие этого направления стало возможным благодаря появлению и широкому распространению новой аппаратуры и новых методов для локальных исследований: рентгеноспектра-льного электроннозондового микроанализа, спектроскопии оже-элек-тронов, вторично-ионной масс-спектрометрии и др. Эти методы нашли разнообразные области применения, например, без них невозможно интенсивное развитие электроники, разработка новых материалов, прогресс в металлургии. Информация,получаемая при локальных исследованиях, нужна как для решения фундаментальных и прикладных задач в физике твёрдого тела, биологии, минералогии и в других областях науки, так и для улучшения параметров технологического процесса в различных отраслях производства.

Среди всех методов количественного локального анализа определения элементного состава наиболее развит и получил наибольшее распостранение метод электроннозондового рентгеноспектрального микроанализа - рентгеновский микроанализ. С помощью этого метода принципиально возможно локальное определение концентрации любого элемента, начиная с лития. Рентгеновски® микроанализ был открыт Р.Кастеном (Франция) и И.Б.Боровским (СССР) в пятидесятых годах. Десятилетие спустя И.Б.Боровским и А.П.Лукирским были начаты работы в наиболее трудной области рентгеновского микроанализа - анализ легких элементов - от лития до кислорода. В этом ряду еще практически не освоен анализ бериллия и не определены возможности количественного анализа лития из-за отсутствия необходимой аппаратуры и. методики. Микроанализ лития необходим при: исследованиях в различных областях науки и техники. Это обусловлено тем, что литий широко применяется в современных материалах. Он легко сплавляется со всеми металлами. Техническое значение получили литийсодержащие сплавы на основе алюминия, магния, свинца, цинка, меда и кальция. Содержание лития в сплавах обычно невелико, однако добавка даже I% лития улучшает свойства основного металла, сообщая ему вязкость или твердость, увеличивая предел прочности или улучшая упругие свойства сплавов [36, 39]. При этом главным фактором, определяющим свойства^ является его микроструктура и, в том числе, неоднородность распределения в ней лития. Микроанализ лития представляет интерес; не только для металловедения. Важнейшая область применения лития - ядерная энергетика. "Литий и его соединения используются в атомной и военной технике, в силикатной, химической, текстиль-нойи пищевой промышленности, в электро- и холодильной технике, цветной и; черной металлургии, радиоэлектронике, оптике, сельском хозяйстве, медицине и в технике очистки газов. Ценные, в большинстве своем.уникальные,свойства лития и его соединений, наряду <е разнообразием областей их применения, делают литий по: значимости в современной технике одним из важнейших среди: редких элементов" [45],

При анализе легких элементов, и в особенности лития, возникают три основные трудности^ Во-первых, характеристическое рентгеновское излучение легких элементов сильно поглощается в материале образца и: слое поверхностных загрязнений. Во-вторых, эффективность рентгеновских спектрометров в ультрамягкой обласзти относительно мала в микрозондовых приборах, где мал диаметр электронного пучка и низки величины электронного тока, а, соответственно, и интенсивность рентгеновского излучения; кроме того, интенсивность рентгеновского излучения легких элементов мала вследствии низкого выхода флуоресценции для них [8].

При рентгеноспектральном анализе легких элементов приходится сталкиваться с двумя конкурирующими процессами: для уменьшения поглощения излучения следует понижать энергию электронного пучка, чтобы приблизить к поверхности зону генерации излучения; однако, при понижении энергии электронов уменьшается число ионизаций, а, соответственно, количество возбужденных атомов, и,в результате, регистрируемая интенсивность излучения остается низкой. Поскольку последняя определяется не только энергией электронов, но и их количеством, то для повышения интенсивности увеличивают ток электронного пучка. При этом возникает новое противоречие: большой ток пучка вызывает более быстрый рост углеводородной пленки, полимеризованной под действием пучка, что, в конечном счете, приводит к увеличению поглощения генерируемого излучения.

При анализе лития встречается дополнительное препятствие, так как, в отличие от других легких элементов, он легко окисляется на воздухе. На поверхности лития или его сплавов образуется толстый слой оксида, сильно поглощающий К^- излучение: лития.

Первые наблюдения К-полосы лития в электроннозондовых приборах были выполнены в 1966 г. Фрэнксом и Линдсеем [71], а затем в 1980 г. А.Й.Козленковым [21]. Первые авторы для очистки образцов использовали лазер, А.Й.Козленков снимал верхний слой с образца с помощью резца во вспомогательной камере. В обоих случаях регистрируемая интенсивность со временем резко падала, что не позволило осуществить количественный рентгено-спектральный анализ лития.

В выпускаемых в настоящее время микроанализаторах, например КАМЕБАКС фирма Камека, Франция , применяются два метода снижения скорости образования загрязнений. Это охлаждаемая жидким азотом пластина, расположенная вблизи образца, и: поддув газа низкого давления в область, бомбардируемую электронным пучком [61] .Но оба эти метода лишь снижают скорость образования загрязнений, но не устраняют остаточный слой загрязнений и не позволяют очистить поверхность от слоя оксида. Поэтому они не подходят для измерения лития в чистом неокисз-ленном состоянии.

Применение этих методов снижения скорости образования загрязнений позволило проводить анализ углерода с пределом обнаружения до десятых долей процента [37 , 57 , 6 7 , 7б].

Методические исследования последних лет и возросший технический уровень аппаратуры для локальных рентгеноспектраль-ных исследований позволили расширить диапазон количественного рентгеновского микроанализа в сторону легких элементов. Но, несмотря на достигнутые результаты, в настоящее время выпускаемые промышленные микроанализаторы не имеют рентгено спектральных каналов и устройств очистки поверхности исследуемого образца, позволяющих регистрировать К - излучение лития.

Целью настоящей диссертационной работы являлось исследование возможности создания рентгеновского микроанализатора для качественного и количественного анализа легких элементов, начиная с- лития.

В соответствии с поставленной целью основными задачами работы являются: теоретические и экспериментальные исследования по созданию рентгеноспектрального канала микроанализатора, эффективно работающего в диапазоне длин волн от 4 до 27 нм; изучение влияния загрязнения поверхности образца под воздействием электронного пучка в вакууме Па на интенсивность регистрируемого длинноволнового рентгеновского излучения; разработка способа, устраняющего влияние, загрязнения поверхности- на результаты измерения интенсивности длинноволнотаго рентгеновского излучения; исследование оптимальных условий измерения интенсивности рентгеновского характеристического излучения легких элементов^ изучение возможности локального рентгеноспектрального микроанализа лития с помощью разработанного прибора.

В результате исследований, проведенных в диссертационной работе, получены новые научные результаты, позволившие сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту:

1. Способ рентгеноспектрального анализа, основанный на одновременном воздействии электронного и ионного пучков в исследуемой точке образца с; плотностью ионного тока не менее 3 мкА/см^, устраняет влияние поверхностных загрязнений на воспроизводимость измерений интенсивности длинноволнового рентгеновского излучения в рентгеновском микроанализаторе с: давлением остаточных га

-Я -4 зов в объеме камеры образцов 10 -10 Па.

2. Применение в рентгеновском микроанализаторе общего назначения спектрометра с; дифракционной решеткой и устройства ионного травления для очистки поверхности исследуемого образца в процессе измерения позволяет расширить диапазон анализируемых элементов до лития и обеспечивает определение, содержания лития в литий-магниевых сплавах с чувствительностью и пределом обнаружения до десятых долей процента.

Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения, списка использованной литературы и приложения.

4.4. Выводы

1. При изменении плотности тока электронного зонда от 10"^ до 10"^ А/см^ скорость роста поверхностных загрязнений пропорциональна плотности тока; при значениях плотности тока больших 10"^ А/см** скорость роста поверхностных загрязнений практически постоянна, и её значение определяется вакуумными условиями в камере образцов.

2. При одновременном воздействии на образец электронного и ионного пучков для предотвращения поверхностных загрязнений достаточна плотность ионного тока 3 10"^ мА/см^ в вакууме 10"^ -- ИГ4 Па.

3. При бомбардировке образца ионным пучком заметно увеличивается интенсивность фона в спектрометре с дифракционной решёткой. Интенсивность фона прямо пропорциональна ионному току и не зависит от энергии ионов в пределах от 2 до 10 кэВ.

4. Одновременное воздействие на образец электронного и ионного пучков является эффективным средством предотвращения поверхностных загрязнений, влияющих на интенсивность длинноволнового рентгеновского излучения.

5. Экспериментально изучена зависимость интенсивности ультрамягкого рентгеновского излучения от энергии и угла падения электронов на образец в пределах от 0 до 85°, в широком диапазоне атомных номеров и массовых коэффициентов поглощения аналитических линий. Результаты исследования показали целесообразность применения в конструкции рентгеновского микроанализатора для анализа лёгких элементов наклонного падения электронного пучка на образец.

6. В литий-магниевых сплавах с содержанием лития от б до 11% аналитическая чувствительность рентгеноспектрального анализа с доверительной вероятностью 99% составила 0,4%, а предел обнаружения - 0,2%.

5. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В соответствии с конечной целью диссертации - разработкой рентгеновского микроанализатора с возможностью анализа легких элементов, начиная с лития - решены все поставленные задачи и получены следующие результаты:

1. Создан первый отечественный промышленный рентгеновский микроанализатор для анализа элементов от лития до урана.

2. Разработан способ рентгеноспектрального анализа легких элементов, основанный на одновременном воздействии на поверхность образца электронного и.ионного пучков. Этот способ позволяет получать воспроизводимые результаты измерений интенсивности длинноволнового рентгеновского излучения с давлением остаточных гао л зов в объеме камеры образцов 10 ° - 10 Па.

3. Теоретически и экспериментально обоснована новая рент-генооптическая схема фокусирующего рентгеновского спектрометра с дифракционной решеткой с улучшенными параметрами и создана конструкция спектрометра для применения в электроннозондовом рентгеновском микроанализаторе общего назначения.

4. Создано устройство ионного травления для очистки поверхности исследуемого образца ионным пучком непосредственно в камере образцов рентгеновского микроанализатора.

5. На образцах литий-магниевого сплава измерены интенсивности К-полосы лития и проведен статистический анализ измерений. Впервые определены чувствительность и предел обнаружения лития в сплавах методом электроннозондового рентгеноспектрального анализа.

6. Изучено влияние поверхностных загрязнений, образующихся под воздействием электронного пучка в вакууме 10"®- 10""^ IIa, на интенсивность регистрируемого длинноволнового рентгеновского излучения.

7. На основе анализа оптимальных условий возбуждения длинноволнового рентгеновского излучения рекомендовано применение в конструкции рентгеновского микроанализатора для анализа легких элементов наклонного падения электронного пучка на образец.

Автор выражает глубокую благодарность Н.И.Комяку, А.В.Рудневу и А.С.Кузинцу за постоянную поддержку, помощь в работе и многократные обсуждения.

1. Айбунд М.Р., Демина Т.В., Залесская Е.А. и др. Спиральные каналовые электронные умножители. -"Электронная техника". Сер.4, 1975, вып.9, с.46-48.

2. Бажин А.И., Козель В.В., Лабзин В.Г., Рыжов В.Н., Сту-пак В.А., Филиппов Е.И. Оптическое излучение над поверхностью металлов при бомбардировке ионами инертных газов, Депонент ВИНИТИ за № 400-78, - 43 с.

3. Барченко В.Т., Потсар A.A. а.с. 681476 (СССР). Катодный узел газоразрядных устройств. Опубл. в Б.И. 25.08.79, №31.

4. Батырев В.А. Рентгеноспектральный электроннозондовый микроанализ. М.: Металлургия, 1982.-151 с.

5. Бернер А.И., Гимельфарб Ф.А., Ухорская Т.А. Прогнозирование предела обнаружения элементов в микрорентгеноспектральном анализе. Журн.анал.хим., 1979, т.34, вып.1, с.10-19.

6. Блохин М.А. Физика рентгеновских лучей. М.: ГИТТЛ, 1957, с.220-250.

7. Бодуленко А.П., Беликова Г.С., Гильварг А.Б., Злотин A.M. Исследование рентгеноспектральных характеристик фокусирующих кристалл-анализаторов на микроанализаторе МАР-2. Зав.лаб., 1979, т.45, № 9, с.827.

8. Боровский И.Б., Водоватов Ф.Ф., Шуков A.A., Черепин В.Т. Локальные методы анализа материалов. М.: Металлургия, 1976.с.109-236.

9. Боровский И.Б., Лукирский А.П. Метод дифференциальных отражательных фильтров.- Опт.и спектр.,1968, т.24,вып.2, с.267-271.

10. Брытов И.А. Развитие методов ультрамягкой рентгеновской спектроскопии применительно к изучению энергетической структуры переходных металлов 1У периода и их соединений с кислородом, азотом и:углеродом.- канд.диссертация.- Л.: ЛГУ, 1969,- 154 с.

11. Вандер А. Ионная пушка для послойного стравливания поверхности образца в спектрометре Оже-электронов. В сб.: Аппаратура и методы рентгеновского анализа. - Л.: Машиностроение, 1981, вып.25, с.30-33.

12. Венер Г. Распыление ионами и анализ поверхности. В кн.: Методы анализа поверхности. - М.: Мир, 1979, с.23-31.

13. Горн Л.С., Хазанов Б.И. Спектрометрия ионизирующих излучений на космических аппаратах. М.: Атомиздат, 1979, с.133-139.

14. Гоулдстейн Дж., Яковиц X. Специальные методы рентгеновского анализа образцов. В кн.: Практическая растровая электронная микроскопия. - М.: Мир, 1978, с.478-492.

15. Зимкина Т.М., Фомичев В.А. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. Л.: ЛГУ, 1971, - 132 с.16. йоши А., Дэвис Л., Палмберг П. Электронная Оже-спектро-скопия. В кн.: Методы анализа поверхности. - М.: Мир, 1979, с.216-220.

16. Казаков Л.В., Эдельштейн Г.Б. Устройство для измерения зависимости интенсивности рентгеновского излучения от угла падения электронов на образец. ПТЭ, 1980, № 5, с.224.

17. Козленков А.И. Принцип скрещенной оптики в спектрометрах скользящего падения.- Опт. и спектр., 1979, т.46, вып.З,с.579-585.

18. Козленков А.И. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия и локальный анализ легких элементов с возбуждением излучения электронным микрозондом.- Опт. и спектр., 1980, т.48, вып.2, с.390-397.

19. Козленков А.И., Белов Ю.И. Простой метод коррекции астигматизма в спектрометрах скользящего падения.- Опт. и спектр., 1977, т.42, вып.З, с.567-569.

20. Козленков А.И., Белов Ю.И., Богданов В.Г. Монохрома-тор скользящего падения с компенсацией астигматизма и кривизны спектральных линий.- Письма в ЗШ, 1979, т.5, № 6, с.363-367.

21. Козленков А.И., Белов Ю.И., Богданов В.Г. Применение вторично-электронных умножителей в качестве детекторов ультрамягкого излучения в рентгеновских микроанализаторах. ПТЭ,1976, № I, с.202-205.

22. Козленков А.И., Богданов В.Г., Белов Ю.И. Спектрометр с дифракционной решеткой для анализа легких элементов в микро-зондовых приборах.- ПТЭ, 1976, № 5, с.261-264.

23. Козленков А.И., Миркин А.Е., Боровский И.Б. Рентгеновский микроанализ малых содержаний бериллия в сплавах методом отражательных фильтров. В сб.: Аппаратура и методы рентгеновского анализа. JI.: Машиностроение, 1971, вып.9, с.222-227.

24. Козленков А.И., Руднев A.B., Богданов В.Г., Казаков Л.В. A.c. 991272 (СССР). Фокусирующий спектрометр ультрамягкого рентгеновского излучения. Опубл. в Б.И. 23.01.83, № 3.

25. Крамер Г. Математические методы статистики. М.: Мир, 1975, с.494-498.

26. Лукирский А.П. Развитие методов ультрамягкой рентгеновской спектроскопии и исследование различных спектров. Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. - Л.: ЛГУ, 1964, - 214 с.

27. Лукирский А.П., Брытов И.А., Комяк Н.И. Рентгеновский спектрометр монохроматор РСМ-500.- В сб.: Аппаратура и методы рентгеновского анализа.- Л.: Машиностроение, 1967, вып.2, с.4-19.

28. Лукирский А.П., Савинов Е.П., Ершов O.A., Шепелев Ю.Ф.о

29. Коэффициенты отражения излучения с длиной волны от 23,6 до 113 А для ряда элементов и веществ и определение показателя преломления и коэффициента поглощения. Опт. и спектр., 1964, т.16, вып.2, с.310-319.

30. Мак-Хью И.А. Вторично-ионная масс-спектрометрия.- В кн.: Методы анализа поверхности. М.: Мир, 1979, с.324-327.

31. Миркин А.Е., Козленков А.И. Применение метода отражательных фильтров к анализу легких элементов с соседними атомными номерами.- В сб.: Аппаратура и методы рентгеновского анализа. Л.: Машиностроение, 1971, вып.9, с.214-221.

32. Пейсахсон И.В. Оптика спектральных приборов.- Л.: Машиностроение, 1975, с.209-213.

33. Плющев В.Е., Степин Б.Д. Химия и технология соединения лития, рубидия и цезия.- М.: Химия, 1970, с.17-18.

34. Пул Д., Мартин П. Аппаратура и экспериментальная техника рентгеновского микроанализа.- В сб.: Электроннозондовый микроанализ.- М.: Мир, 1974, с.41-42.

35. Рид С. Электронно-зондовый микроанализv-,M.: Мир, 1979, с.95-96.

36. Роберж Дж., Касерио М. Основы органической химии.- М.: Мир, 1978, с.94.

37. Савинов Е.П., Лукирский А.П. Эффективность ВЭУ с фотокатодами Ац , At , Ni , Li F , tta Гг , $г К , Cs У , KCf , BeOов области длин волн 75-300 А.- Опт. и спектр., 1967, т.23, вып.2, с.303-307.

38. Топорков С.А. Методы рентгеновского микроанализа налегкие элементы.- В сб.: Аппаратура и методы рентгеновского анализа.- Л.: Машиностроение, 1969, вып.5, с.154-161.

39. Фалалеев JI.B., Цейтлин А.Б. Подавление диффузии масляного пара из механических насосов потоком воздуха.- Депонент ВИНИТИ за № 4753-72, 25 с.

40. Физический энциклопедический словарь.- М, 1962, т.2, с.606-607.

41. Фомичев В.А., Лукирский А.П. Коэффициенты поглощенияалюминия в области ультрамягкого рентгеновского излучения с длионой волны от 23,6 до 410 А.- Опт. и спектр., 1967, т.22, вып.5, с.796-799.

42. Чернобережский Ю.М., Янклович А.И., Кузьмина Т.А., Соловьев A.M., Топорков С.А. Получение пленочных органических анализаторов ультрамягкой области рентгеновского спектра.- Вестник ЛГУ, сер.физ.хим., 1970, № 4, вып.1, с.163-165.

43. Швейцер И.Г., Мазурицкий М.И. Система фотокатод ВЭУ--6 для регистрации длинноволнового рентгеновского излучения.-Депонент ВИНИТИ за № 1812-80, - 26 с.

44. Эдельштейн Г.В., Казаков Л.В., Щемелев В.Н. Зависимость интенсивности характеристического рентгеновского излучения от угла падения электронов на массивные мишени.- Письма в ЖТФ, 1980, т.6, с.489-492.

45. Baner В., Speidel R. Herabsetzung der Kontaminationsrateim STEM bei einem Druck von 10"^ Torr. Optik, 1977, v.48,. Nr. 2, S. 237-246.

46. Bertin E.P. Principle and practice of X-ray spectrometric analysis, Plenum Press, New York, 1970, p. 679.

47. Bolon R.B., Lifshin E. The use of Monte Carlo calculations for quantitative analysis at non-normal electrone beam in cidence. 8th Nation. Conf. Electron Probe Analysis, N.Orleans, Louis, 1973, p. 310-312.

48. Borile P., Garulli A. Modifications to an electron microprobe to aid in the determination of low atomic number elements. X-Ray Spectrom., 1978, v.7, No.3, p. 124-131.

49. Borovsky I.B. et al. Adaptation de mirois reflecteurs a' une microsonde pour I' analyse des elements légers. J.microsc., 1969, v.8, No. 8, p. 927-932.

50. Burek A.J., Barrus D.M., Blake R.L. Spectrometric properties of crystals for X-ray astronomy. Astrophys. J., 1974,v. 191, No. 2, part 1, p. 533-543.

51. Campbell A.J., Gibbons R. Specimen contamination in the electron microprobe. in: The Electron Microprobe, T.D.Mc Kin-ley, K.P.J. Heinrick and D.B. Wittry, Ed., 1966, p.75-82.

52. Castaing R., Descamps J. Sur la contamination des échantillons dans le microanalyseur a sonde électronique. Comp. Rend., 1954, 238, p. 1506-1508.

53. Charles M.W. Optimization of multilayer soap crystals for ultrasoft X-ray diffraction. J.Appl.Phys., 1971, v.42, p. 3329-3356.

54. Colby J.W., Y/ise W.N., Conley D.K. Quantitative microprobe analysis by means of target current measurements. in: Advances in X-Ray Analysis (newkirk J.B., Mallett G.R. eds), Plenum Press, New-York, 1967, 10, p. 447-461.

55. Date G., Hakajima Y., Ohmori Y., Shiraiwa T., Pujino U. A compact grating monochromator. Proc 6th. Int. Conf. on X-Ray Optics and Microanalysis, Univ. Tokyo Press, Tokyo, 1972,p. 333-343.

56. Dhariwal R.S., Pitch R.K. In situ ion etching in a scanning electron microscope. J. Mater. Sci, 1977, v.12, Ho.6,p. 1225-1232.

57. Dick C.E., Lucas A.C., Motz J.M., Placions R.C. and Sparrow J.H. Large-angle K X-ray production by electrons. J.Appl. Phys., 1973, v.44, Ho. 2, p.815.

58. Duerr J.S., Ogilvie R.E. Electron grobe microdetermination. of carbon in ferrous alloys. Anal. Chem., 1972, v.44, p.2361-2367.

59. Pitting H.J. Transmission, energy distribution and SE excitation of fast electrons in thin solid films. Phys. stat. sol. (a), 1974, v.26, p.525-535.

60. Fourie J.T. High contamination rates from strongly absorbed hydrocarbon molecules and suggested solution. Optik, 1978, v.52, No.1, p.91-95.

61. Pranks A. 1TPL X-ray gratings and their application. Proc. 6th. Intern. Conference on X-Ray Optics and Microanalysis. Univ. of Tokyo Press, 1972, p.57-62.

62. Pranks A., Lindsey K. Electrone probe microanalysis of the low atomic number elements with NPL X-ray gratings.in: The Electron Microprobe, T.D. McKinley, K.F.J.Hein-rick and D.B. Wittry, Ed., 1966, p.83-92.

63. Hagemann H.-J., Gudat W., Kunz C. Optical constants from the far infrared to the X-ray region: Mg, Al, Cu, Ag, Au, Bi, C and A1203. DESY SR - 74/47, 1974.

64. Harsdorff M., Adam R.W. On the application of turbomolecular pumps in electron microscopes, Vacuum, 1972, v.22, p.55-59.

65. Kohlhaas V.E., Scheiding P. Der ITachweis von Kohlenstoff mit der Elektronenmikrosonde. Arch. Eisenhuttenwesen,1969, 40, S. 47-51.

66. Konuma Hiroyoshi. Rate of carbon contamination on Al targets in a high vacuum electron excitation X-ray tube. Jap. J. Appl. Phys., 1979, v.18, No.2, p.357-362.

67. Kozlenkov A.I., Belov Yu.I. Electron microprobe determination of beryllium with the use of a diffraction grating mo-nochromator. Microchimica Acta (Wien), 1982, 11, p.159-167.

68. Kunz C. Optical absorption of metals in the X-UV range. -J.Physique, Colloque C4, Suppl. Jffo.10, 1971, p.180-185.

69. Landron C. Trace detection in surface microanalysis. -Vacuum, 1981, v.31, No.7, p. 291-295.

70. Nicholson J.B., Hasler M.F. A blazed-grating scanning spectrometer for ultrasoft X-rays suitable for use in an electron microprobe. Adv. X-ray analysis, 1966,v.9,p.420-429.

71. Nicholson J.B., Neuhaus H., Hasler M.F. New spectrometers and accessories for the electron microprobe. Proc.5th. Int. Congress on X-Ray Optics and Microanalysis, SpringerVerlag, Berlin-Heidelberg-New York, 1969, p. 269-273.

72. Mathewson A.G. The surface cleanliness of 316L+N stainless steel studied by SIMS and AES. Vacuum, 1974, v.24, No.10, p. 505-509.

73. Morita E., Takayanagi K., Kobayshi K, Yagi K., Honjo G.

74. An ion-sputtering gun to clean crystal surfaces in-situ in an ultra-high-vacuum electron microscope. Jap. J.Appl. Phys., 1980, v.19, No.10, p.1981-1994.

75. Okajima J. Estimation of sputttering rate by bombardment with argon gas ions. J.Appl.Phys., 1980, v.51, No.1, p. 715-717.

76. Reimer L. Contrast in the different modes of SEM. Scanning electron microscopy: systems and application, Institute of Physics, London, 1973, p.120-125.

77. Roboutch B.V., Cicerehia A. X-ray mass absorption coefficients and absorption edges for the first 92 elements in the range 0.01 to 200 A of wavelength, i.e. 62 eV to 1.24 MeV of photon energy. Com. Naz. Energ. Nucl. Cent. Frascati, 1980, No. 55, p. 98.

78. Rudermann I.W., Ness K.I., Lindsay J.C. Analyzer crystals for X-ray spectroscopy in region 25 100 A. - Appl.Phys. Lett, 1965, v.7, p. 17-19.