автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.07, диссертация на тему:Разработка моделей и алгоритмов управления технологическим процессом нанесения пленок в вакууме

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ Р Г Б ОЙНИВЕРСИГЕТ имени В.И.УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА)

2 7 ФЕВ Г 5

На правах рукописи

Шестопалов Михаил Юрьевич

РАЗРАБОТКА МОДЕЛЕЙ И АЛГОРИТМОВ УПРАВЛЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМ ПРОЦЕССОМ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ

Специальность: 05.13.07 - Автоматизация технологических процессов и производств

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Санкт-Петербург - 1995

Работа выполнена в Санкт-Петербургском государственном электро техническом университете имени В.И.Ульянова (Ленина*.- ! '

Научный руководитель -

доктор технических наук профессор Яковлев В.Б.

Официальные оппоненты:

доктор технических наук профессор Филаретов Г.Ф. кандидат технических наук доцент Барченко В.Т.

Ведущая организация - Всероссийский научный центр ГОИ им. С.И. Вавилова

Защита состоится "¿А." г<3. 1995 г. в час.

на заседании диссёртационного совета К 063.36.03 Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета имени В.И.Ульянова (Ленина) по адресу: 197376, Санкт-Петербург, ул. Проф. Попова, 5.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке университета

Автореферат разослан " " Ф( '-уУ^УЧ 1995 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

Кутузов 0.И.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Современная электронная промышленность использует широкий спектр сложных физико-химических процессов, среди которых видное место занимают процессы нанесения пленок в вакууме. К числу этих процессов относятся: термическое и ион-ио-плазменное напыление, магнетронное распыление, вакуумно-дуго-вое испарение и т.д. Среди них наиболее распространенным в настоящее время является процесс нанесения пленок и покрытий методом термического испарения в вакууме (ТИВ).

Большой практический и теоретический интерес к процессам цанного класса вызван прежде всего необходимостью исследования процесса нанесения пленок методом ТИВ как об"екта управление, автоматизации существующего парка установок термического нанесения плёнок, а также разработкой установок нового поколения, позволяющих на основе комплексной автоматизации всех этапов производственного цикла повысить в конечном итоге процент выхода-годных изделий и перейти к созданию новых видов микроэлектронных приборов.

Целью автоматизации процессов нанесения материалов на подложки методом ТИВ является, с одной стороны обеспечение воспроизводимости параметров, характеризующих макро-свойства полученной пленки, а с другой стороны, создание оптимальных условий для воздействия на микро-свойства формируемого покрытия с точки зрения его структурного совершенства. В настоящее время процессы нанесения пленок в вакууме являются слабо формализованными, а управление опирается в основном на опыт и знания технолога.

Существующие математические модели технологического процесса (ТП) на макро-уровне являются статическими, не отражают динамику развития процесса испарения, не учитывают распределенность молекулярного потока в пространстве. Существенным недостатком математических моделей на микро-уровне описания является отсутствие детальной разработки процессов роста пленки на подложке с позиций термодинамики.

Поэтому возникает задача формализации ТП в виде моделей.позволяющих исследовать процесс формирования пленки как на макро-, гак и на микро-уровне. А разработка соответствующих инструмен-

тальных средств моделирования позволит расширить возможности исследователя и проводить эксперименты в условиях, когда прямое наблюдение за ростом пленки затруднено вследствие отсутствия эффективных средств контроля параметров ТП.

Решение этой задачи позволит обеспечить адекватное описание процесса формирования структуры пленки на подложке как на макро-, гак и на микроуровне, сформировать на этой основе алгоритм! оптимального управления ростом пленки на подложке. Разработанные модели и алгоритмы могут быть положены в основу созданш автоматизированной системы управления ТП нанесения пленок ме^ тодом ТИВ.

Таким образом, решение данного комплекса задач, связанных I моделированием и управлением ТП нанесения пленок в вакууме явля ется актуальным как с научной, так и с практической точки эре ния.

Цель работы. Целью диссертационной работы является разработ ка математических моделей и алгоритмов управления процессом на несения пленок в вакууме с заданными макро- и микро-свойствами.

Достижение указанной цели предполагает решение следующих за

дач:

1. Проведение функционально-целевого анализа (ФЦА) процесс нанесения пленки в вакууме на базе термодинамического подхода обеспечение наблюдаемости и управляемости процесса.

2. Разработка статической модели для описания процесса расг ространения молекулярного потока от источника испарения до по; ложки для оптимизации конфигурации элементов испарительной си< темы.

3. Разработка динамической модели и алгоритма программно] управления нанесением покрытий с равномерным распределением то. щины пленки по поверхности подложки.

4. разработка термодинамической модели процесса нанесен! пленки на микро-уровне для оптимизации условий формирования внутренней структуры.

5. Разработка автоматизированной системы контроля и управл ния ТП нанесения пленок в вакууме.

Методы исследования. Для решения поставленных задач в рабо использованы методы термодинамики, статистической физики, теор вероятностей, теории автоматического управления, методы модел рования сложных систем и вычислительной математики.

Научная новизна. В ходе .диссертационной работы были получены ¡ледующие новые научные результаты:

1. Обобщенная процедура формирования вектора управляемых и • сонтролируемых координат на базе функционально-целевого и термо-денамического анализа.

2. Статическая модель процесса распространения молекулярного гатока ог источника испарения к подложке для оптимизации относительного расположения испарителя и подложки с целью обеспечения завномерности нанесения покрытий.

3. Динамическая модель процесса нанесения покрытий с равномерным распределением толщины пленки по поверхности подложки, учитывающая характеристики процесса испарения и распределенность юлекулярного потока, в пространстве.

4. Алгоритм программного управления ТП с целью получения эавномерно распределённой по площади подложки толщины пленки.

5. Термодинамическая модель процесса роста пленки на подножке для оптимизации условий формирования внутренней структуры членки на основе энтропийного подхода.

Практическая ценность работы. Практическая значимость Полуниных результатов состоит в следующем:

- разработаны инструментальные средства моделирования процесса' распространения молекулярного потока от источника испаре-тя до подложки для оценки геометрических характеристик распределения корпускул в пространстве;

- разработаны инструментальные средства моделирования про- . цесса нанесений пленки с равномерным распределением ее толщины 10 поверхности подложки:

- разработаны инструментальные средства моделирования ТП для эптимизации условий формирования совершенной внутренней структуры пленки;

- разработаны автоматизированные лазерные устройства контроля температуры подложки и скорости испарения материала;

- разработана подсистема сбора, обработки информации, организации и хранении данных о ходе ТП;

- разработана система управления ТП нанесения пленок.

Реализация результатов работьЕ Теоретические и практические

результаты использовались в восьми научно-исследовательских работах. проводимых на кафедре АПУ и в УНЛ АТК МЭП в СПб ГЭТУ 6 1986-1994 гг. Результаты работы были использованы при разработке

встраиваемой микропроцессорной системы управления вакуумным уни' версальным постои ВУП-5, при создании ряда установок ВУП-5М I ВУН-б на ПО "Электрон" (г.Сумы,Украина), при проектировании сис темы нанесения пленок и покрытий на основе ВУП-5 в НИИ АР (г Димитровград, Россия), при реализации системы управления уста нозкой для создания интерференционных фильтров в НПО "Электрон (г.Санкт-Петербург, Россия).

Результаты диссертационной работы положены в основу метода ческого обеспечена дисциплины "Автоматизация производства элект ронных приборов" в С-Пб ГЭТУ имени В.И.Ульянова (Ленина).

Апробация работы. Основные положения диссертации докладыва лись на семинаре "Опыт внедрения прогрессивных методов и средст размерного контроля" (Ленинград, 1987 г., 1990 г.). Первой Все союзной конференции "Автоматизация, интенсификация, интеграци процессов технологии микроэлектроники" (Ленинград, 1989 г.) Всесоюзной научно-технической конференции "Контроль и управлени в современном производстве" (Ереван, 1988 г.), Второй Всесоюзно научно-технической конференции молодых ученых и специалистов международным участием "Контроль, управление и автоматизация современном производстве" (Минск, 1990г.), Второй Межреспубли канской научной конференции "Методы и средства управления техно логическими процессами"(Саранск, 1991 г.), X научной конференци "Планирование и автоматизация эксперимента в научных исследова ниях" (Москва, 1992 г.), семинаре "Автоматизированная техника" Университете Карлсруэ ( ФРГ,Карлсруэ, 1993 г.), научно-техничес кой конференции "Вакуумная наука и техника" (Гурзуф. 1994 г.).

Публикации. Основное содержание диссертации отражено в пяти статьях и восьми тезисах докладов на конференциях.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит иа введения, четырех глав, заключения, списка литературы, включающего 95 наименований, четырех приложений. Основная часть работь изложена на 129 страницах машинописного текста.'Работа содержит 2 таблицы, 25 рисунков.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении дана общая характеристика исследуемой проблем! обосновывается необходимость изучения процессов, происходя^ при нанесении пленок в вакууме, целесообразность разработ]

системы управления для данного класса ТП. Показана актуальность и практическая значимость цели и задач,, поставленных в диссертационной работе. Дана краткая аннотация глав диссертации. Обосновывается структура работы.

В первой главе рассмотрены технологии нанесения пленок методом ТИВ. Проанализированы различные типы процессов, составляющих класс ТП нанесения пленок методой ТИВ: резистивное, индукционное, электронно-лучевое, лазерное, "взрывное". Выделены основные стадии, присущие процессам данного класса. Сюда отнесены: стадия подготовки технологического процесса,, стадия роста пленки, стадия ее контроля. Определено приоритетное влияние на качество получаемой пленки второй стадии.

Выявлены особенности процессов нанесения пленок методом ТИВ, оказывающие влияние на выбор класса моделей и построения систеиы управления. К числу основных следует отнести:

1) сложность физико-химических процессов, протекающих в ходе ТП роста пленки;

2)'нестационарность, обусловленная изменением статических и. динамических характеристик процесса, связанных с вариацией массы и теплоемкости напыляемого материала;

3) стохастичность и распределенность параметров молекулярного потока в пространстве рабочего объема:

4) высокая чувствительность процессов к изменениям химического состава газа, давления в рабочем объеме.

Анализ литературы выявил, что исследования в данной предметной области для получения математических моделей и алгоритмов управления неизбежно связаны с экспериментом, что в свою очередь влечет создание автоматизированной системы проведения исследований и экспериментов. Разработка такой системы создает фундамент для достижения следующих основных целей:'

1. Разработка математических моделей ТП нанесения пленок методом ТИВ,- дающих адекватное представление о процессе формирования структуры пленки на подложке как на макро-, так и на микро-уровнях.

2. Разработка системы автоматизированного проектирования и моделирования процесса нанесения Пленок в вакууме.

3. Разработка системы управления ТП.

В диссертации предлагается осуществить на основе системного подхода декомпозицию ТП на две подсистемы и представить общую

модель процесса в виде двух каскадно-соединеных моделей

№ щ

-^

Рис. 1. Каскадное соединение моделей процесса

На рис. 1: М1 - модель подсистемы "процесс", М2 - модел* подсистемы "качество",! ХСО] ~ множество входов, - множестве реализуемых показателей качества, [У^)}" множество выходов (контролируемых состояний физических координат).

Из рис. 1 видно, что представленная декомпозиция ТП позволяет говорить о Динамическом управлении ТП, если будет определе1 вектор УШ, связывающий физически измеряемые параметры процесс, с вектором показателей качества и множества управляющих коорди' нат.

Вторая глава посвящена структурному моделированию ТП нанесе ния пленок методом ТИВ и разработке статических и динамически: моделей ТП на макро-уровне.

Проведенные исследования ТП позволили определить, что иссле дуемые процессы нанесения реализуют следующие функции: испарени вещества с испарителя, перенос молекулярного потока от испарите ля к подложке, конденсация вещества на подложке, анергообеспече ние, утилизация побочных веществ и энергопотоков. Проведенный н этой основе функционально-целевой анализ позволил осуществит декомпозицию ТП и на баае термодинамического подхода сформиро вать вектор управляемых и контролируемых параметров процесса.

Дальнейшая работа была направлена на получение обобщенны моделей ТП нанесения пленок в вакууме, отражающих как статичес кие, так и динамические свойства процесса.

Статическая модель ГЦ нанесения пленок в вакууме методом ТИ сформирована на основе закона Ламберта-Кнудсена для поверхнос! ного источника:

О1 =--ц -- со&Усоь 0 ,

I

где Зс - испускающая площадь поверхностного источника, поток частиц, нормальный к поверхности конденсации точечно] источника, Ц - расстояние от источника до подложки, У - уг<

между направлением излучения и нормалью к подложке, © - угол между направлением излучения и нормалью к поверхности источника.

На базе (1) разработана математическая модель для оптимизации относительного расположения испарителя и подложки в зависимости от геометрических параметров молекулярного потока. В основу модели положена идея декомпозиции поверхности подложки и источника испарения на сектора и взаимный пересчет влияния каждого сектора источника на сектор подложки. Модель позволяет:

1. Осуществлять иммитационное моделирование диаграммы направленности источников испарения различной конфигурации.

2. На стадии проектирования установки рассчитывать концентрацию вещества в различных точках подложки.

3. Рассчитывать место установки датчиков для оценки скорости испарения вещества.

Если выбрать в качестве переменных состояния скорость ускорёние^а(1,х)испарения материала, то динамическая модель ТП нанесения пленок в вакууме методом ТИВ примет вид:

^^а,*)^^/*) (2)

% а д> с^х)- ^ ^ еь-*) ,

где ЧЧ , Тэ ~ постоянные времени испарения, К - коэффициент пропорциональности, X - координата пространства, Ри Оь-'й) - мощность испарения, % - запаздывание.

Особенностью разработанных моделей является учет распределенности молекулярного потока в пространстве и динамики процесса испарения, что позволяет использовать полученные модели для задач улучшения степени равномерности толщины пленки по площади подложки.

Третья глава посвящена моделированию и управлению процессом роста пленки с равномерным распределением ее толщины, а также оптимизации условий формирования внутренней структуры покрытия на основе созданной для этой цели термодинамической модели нанесения пленок в вакууме.

Для решения задачи нанесений пленки с равномерным распределением толщины покрытия по поверхности подложек динамическая модель ТП (2) записывается в форме пространства состояний, причем в ней дополнительно учтены скорости орбитального и планетарного

вращения подложки:

♦ вздурись-*),

где

Л-

-1 " 0

"о 1 и

ТУ(,Х~-'$С-0.) - функция распределения толщины слоя на подложке с учетом относительного движений испарителя и подложки, представленная в виде:

^сгёлгл __^____

где X ~ координаты фиксированной точки подложки; Я - расстояние от источника испарения до подложке; Я - радиус орбитального вращения подложки; - радиус подложки; а) - частота планетарного вращения подложки; и)*. - частота орбитального вращения подложки. Граничные условия представлены как

-м

1=0,1,2... ,

V - скорость

где. Т - период орбитального вращения, испарения (конденсации).

Целью управления является минимизация степени неравномерности распределения толщины пленки по поверхности подложки, т.е. минимизация функционала вида: Т Та

от Гг

О М

где

уа,х>

1 О О 4

вектор задания (скорость и ускорение конденсации).

При такой постановке задачи оптимальная программа управления процессом нанесения пленок в вакууме может быть определена на основе следующей системы уравнений, представляющих собой необходимые условия оптимальности процесса:

[1ст,х>-20 -\7(т,х)1

где в= СХа-^ОС4^ -- площадь подложки, .ДСгЦХ)- множитель Лагранжа.

Разработанная динамическая модель и алгоритм управления положены в основу созданных инструментальных средств моделирования, позволяющих исследовать влияние различных параметров на равномерность наносимой по площади подложки пленки в иммитацион-ном режиме.

Экспериментальное моделирование показало, что наибольшее влияние на равномерность нанесения пленок методом ХИВ оказывают постоянные времени IV . Та .которые связаны со свойствами испаряемого материала - теплоемкостью и массой испаряемого вещества.

Однако разработанные модели не позволяют исследовать процесс формирования внутренней структуры пленки, решать задачу достижения требуемых микро-состояний системы.

Проведенные исследования выявили, что механизм роста слоя на подложке определяется свободной энергией слоя Е , которая может быть выражена как: -

где * Е ^, Е а - соответственно энергии свободных поверхностей

подложки и растущей пленки, Е^ - энергия межфазной связи, Е^ -энергия, характеризующая ослабление межфазной связи вследствии несоответствия параметров кристаллических решеток пленки и подложки.

Процессы тепло- и массопереноса, присущие данному классу ТП, описываются с позиций феноменологической термодинамики.

Это позволяет сформировать математическую модель,связывающую между собой термодинамические макропараметры, где состояния подсистем определяются через химический потенциал Цч ) и температуру ( Т ), характеризующие процессы тепло- и массопереноса, а статистические свойства микросостояний охарактеризованы через распределение координат и импульсов, являющихся случайными величинами.

Модель представлена на рис. 2 в виде графа, где, Т4, ,Т^, 1ц-температуры подсистем; - химические потенциалы

подсистем; ¿а, ¿3, ¿4- потоки энтропии между подсистемами;

т3.т4- потоки массообмена между подсистемами; СЦ^а... ... а Удельные теплопроводности между фазами; .. ^ • удельные теплоемкости фаз;а^1£...С1^зг|- скорость массообмена межд; фазами; - удельная емкость фазы; О. у щд--.

... СС^й^- феноменологические коэффициенты Онзагера.

Разработанное Математическое описание позволило создать инструментальные средства, моделирующее процессы роста пленки и отражающие механизм перераспределения потоков теплоты, и массы, связывая .' эти параметры с распределением координат и импульсов частиц. Имитационное моделирование проводилось для процесса нанесения алюминия на поверхность стекла, что позволило осуществить сравнительный анализ с реальным процессом и доказать адекватность разработанной модели.

Четвертая глава посвящена разработке автоматизированной системы контроля и управления ТП, ее аппаратному и программному оснащению, позволяющему решать весь комплекс задач по моделированию, контролю и управлению процессом нанесения пленок в вакууме.

В ней представлены разработанные алгоритмическое и программное обеспечение следующих подсистем: моделирования ТП нанесения пленок в вакууме; сбора, обработки и хранения данных; контроля и управления процессом (рис. 3).

Аппаратное оснащение комплекса включает в себя технологическую установку и средства автоматизации, реализованные в виде

Рис. ¿.Модель срормиробанир /межи на лосЬгамсхе

Пультабый режим

А В тома та. чески, а режим

Управление Т/7

Рас. 3. Структура прагАа/чм#030 обеспечения АСУ ТЦ

двухуровневой вычислительной системы. На верхнем уровне используется IBM PC/AT. реализующая моделирование ТП и хранение информации в больших объемах. На нижнем уровне - микропроцессорная система ПАРМ (МЭК - 8085) или "Орион - 4", реализующая функции сбора и обработки информации.

Аппаратное обеспечение нижнего уровня АСУ ТП нанесения пленок в вакууме включает приборный интерфейс, обеспечивающий связь технологической установки ВУП-5 с микро-ЭВМ, и автоматизированные средства контроля параметров ТП - температуры подложек и скорости испарения материала.

В основу разработанного лазерного устройства контроля температуры подложек положен способ отклонения угла дифракции при нагреве подложки-свидетеля, на которую наносится дифракционная решетка, созданная в виде фазового профиля. Основным достоинством реализованного устройства является его простота и малая чувствительность к перекосам и вибрациям за счет применения симметричных источников. Точность измерения в ходе исследований составляла Iе С в диапазоне температур +20 - +400°С.

В основу разработанного лазерного устройства контроля скорости испарения материала положен способ расчета толщины пленки напыляемой на свидетель при изменяющейся прозрачности системы пленка-подложка. Основными достоинствами реализованного устройства является его простота и высокая чувствительность к контролируемому параметру. Эксперименты показывают, что точность измерения скорости испарения при нанесении пленок порядка 100 А составляет ЮЖ. Разработанный способ контроля применим только при наныление оптически прозрачных материалов.

В заключении приведены основные результаты диссертационной работы, а также сведения об их практическом использовании и апробации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

К числу основных результатов работы следует отнести:

1. Методику проектирования системы управления ТП нанесения пленок в вакууме, включающую этапы разработки оптимальной пространственной конфигурации системы формирования покрытий, синтеза программы управления ростом пленки с равномерным распределением толщины по поверхности подложки, создания технологических условий- для обеспечения совершенства внутренней структуры пленки.

2. Комплекс статических и динамических моделей процесса нанесения пленки с совершенной внутренней структурой на поверхность подложки.

3. Алгоритм программного управления процессом нанесения покрытия в вакууме с равномерным распределением толщины щенки на поверхности подложки.

4. Инструментальные средства для выбора оптимального расположения подколпачных устройств, исследования влияния на равномерность нанесения покрытий различных технологических факторов; оценки эффективности воздействий на макро-уровне с точки зрения формирования внутренней структуры пленки.

5. Автоматизированное лазерное устройство контроля температуры подложки. Точность контроля температуры подложек в,диапазоне температур +20 - + 400°С составляет 1°С.

6. Автоматизированное лазерное устройство контроля скорости испарения вещества для оптически прозрачных материалов,оТочность контроля скорости испарения при нанесении пленки 100 А составляет 10%.

7. Функциональную, техническую, алгоритмическую и программную структуры автоматизированной системы для решения задач моделирования, контроля и управления ТП нанесения пленок в вакууме.

8. Автоматизированную систему управления ТП нанесения пленок в вакууме методом ТИВ.

ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Опыт проектирования системы управления и контроля технологического процесса напыления тонких пленок/ Ю.А.Кораблев, 0.В. Назаров, А.С.Скоробогатый, М.Ю.Шестопалов // Материалы семинара "Опыт внедрения прогрессивных методов и средств размерного контроля". 22-23 мая 1987 г.- Ленинград. 1987, С.54-59. .

2. Анализ и синтез системы управления ТП нанесения тонких пленок/ Ю.А.Кораблев, О.В.Назаров, A.C. Скоробогатый, М.Ю. Шесто-палов // Изв. Ленингр. электротехн. ин-та им.В.И.Ульянова {Ленина): Сб.науч.тр. - 1988 Г.. ВЫП. 399, С.37-41.

3. Кораблев Ю.А., Шестопалов М.Ю. Разработка системы управления технологическим процессом нанесения вещества в вакууме на базе микро-ЭВМ // Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. "Контроль и управление в современном производстве". 10-12 ноября

- 151988 Г. - Ереван. 1988. С. 161-162.

4. Бесконтактное устройство контроля температуры подложек, находящихся на подвижном подложкодержателе/ В.А.Ершов, A.C. Ско-робогатый, О.М.Шалашев, М.Ю.Шестопалов// Тез. докл. Всесоюз. конф. "Автоматизация, интенсификация, интеграция процессов технологии микроэлектроники". 22-24 ноября 1989 г. - Ленинград, 1989, Ч. 1, С. 27-28.

5. Шестопалов М.Ю. САПР алгоритмов управления ТП нанесения вещества в вакууме // Тез. докл. Всесоюз. конф. "Автоматизация, интенсификация, интеграция процессов технологии микроэлектроники", 22- 24 ноября 1989 г. - Ленинград, 1989, Ч. 1, С.97-98.

6. Скоробогатый А.С., Шалашев 0.И., Шестопалов М.Ю. Лазерное устройство контроля скорости напыления пленок // Материалы семинара "Опыт внедрения прогрессивных методов и средств размерного контроля", 19-20 апреля 1990 г.- Ленинград, 1990, С.72-74.

7. Шалашев О.М., Шестопалов М.Ю. Неконтактное устройство контроля температуры подложки для вакуумной установки напыления // Изв. Ленинградского электротехнического института им.В.И.Ульянова (Ленина) : Сб. науч. тр. - 1990 г. Вып. 419, С. 52-56.

8. Шалашев О.М., Шестопалов М.Ю. Контроль и управление технологическим процессом напыления тонких пленок в вакууме // Тез. докл. Второй Всесоюзн. науч.-технич. конфр. молодых ученых и специалистов с международным участием "Контроль, управление и автоматизация в современном производстве", 16-18 октября 1990 г, - Минск. 1990. С. 91.

9. Автоматизированный комплекс электронно-ионной и вакуумных технологий/ Ю.А.Кораблев, О.В.Назаров. М.Ю.Шестопалов, В.Б.Яковлев// Тез. докл. Второй Межреспубликанской науч. конф. "Методы и средства управления технологическими процессами", 23-25 мая, 1991 г. - Саранск, 1991, С.30-31.

10. Шестопалов М.Ю. Математическое обеспечение системы управления технологическим процессом нанесения тонких пленок в вакууме // Тез. докл. Второй Межреспубликанской науч. конф. "Методы и средства управления технологическими процессами", 23-25 мая, 1991 г.- Саранск, 1991, С.28-29.

11. Методические указания к лабораторным работам по дисциплине: "Автоматизированное управление в технических системах" /Сост.: Ю.А. Кораблев. Н.Н.Кузьмин, В.Л.Литвинов, О.В.Назаров, М.Ю.Шестопалов; ЭТИ. - С.-Пб., 1992 г. - 32 с.

12. Кораблев Ю.А.. Назаров 0.В., Щестопалов Н.Ю. Автоматизированный комплекс для исследования вакуумных технологий //Тезисы докладов X научной конференции "Планирование и автоматизация эксперимента в~ научных исследованиях", октябрь 1992 г. - Москва, 1992, С. 68-69.

13. Автоматизированная система исследования и идентификации вакуумных технологических процессов/Ю.А.Кораблев, А.В.Муравьев, О.В.Назаров. М.Ю.Шестопалов// Тезисы докладов научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов "Вакуумная наука и техника", октябрь 1994 г. - Гурзуф, 1994, С. 170..

Подп. в печать 04.02.9f Формат 60x84 1/1J5. Офсетная печать. Печ.л. 1.0; уч.-изд. л. 1,0. Тираж 100 экз. Зак. N13

Ротапринт МГП "Полисом" 197376, Санкт-Петербург, ул. Проф. Попова, 5