автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.06, диссертация на тему:Автоматизация непрерывного фотометрического контроля скорости осаждения и травления тонких диэлектрических пленок

На правах рукописи

Семенова Светлана Эрнстовна

Автоматизация непрерывного фотометрического контроля скорости осаждения и травления тонких диэлектрических пленок

Специальность 05.13.06 - Автоматизация и управление технологическими процессами и производствами (промышшнность)

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Рыбинск 2003

Работа выполнена в Рыбинской государственной авиационной технологической академии имени П. А. Соловьева.

Научный руководитель - доктор технических наук, профессор

Юдин Виктор Васильевич

Официальные оппоненты - доктор технических наук, профессор

Панфилов Юрий Васильевич, кандидат технических наук, старший научный сотрудник

С

Бочкарев Владимир Федорович Ведущая организация - ФГУП Рыбинский завод приборостроения

Защита состоится 17 декабря 2003 г. в 12 часов на заседании диссертационного совета К 212.210.01 в Рыбинской государственной авиационной технологической академии имени П. А. Соловьева по адресу 152934 г. Рыбинск Ярославской обл., ул. Пушкина, д. 53.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Рыбинской государственной авиационной технологической академии имени П. А. Соловьева

Автореферат разослан 14 ноября 2003 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

Общая характеристика работы

Актуальность темы. Широкое использование диэлектрических пленок в изделиях различных областей промышленности требует постоянного совершенствования процесса их формирования, повышения степени автоматизации, а также непрерывного контроля режимов технологического процесса и условий их реализации. В микроэлектронике и, в частности, в тонкопленочных технологиях, особое внимание уделяется получению тонких пленок с заданными свойствами.

Системный анализ технологического процесса получения диэлектрических слоев показывает, что скорость осаждения пленки оказывает большое влияние на структуру и воспроизводимость свойств пленок. Однако выбранные оптимальные режимы технологического процесса не остаются постоянными в течение времени осаждения покрытия. Поэтому необходим постоянный контроль скорости и поддержание ее на заданном уровне в течение всего времени нанесения пленки. Скорость травления позволяет получить информацию об основных свойствах и структуре пленок.

Наиболее распространенные в промышленности методы контроля скорости осаждения пленок (с использованием кварцевого пьезокристалла или ионизации потока паров осаждаемого материала) не обеспечивают необходимой точности, а в некоторых технологических процессах (осаждение пленок из газовой фазы, травление фоторезиста) не применимы. Таким образом, актуальными являются задачи разработки новых методов контроля скорости осаждения, средств автоматического контроля и стабилизации скорости осаждения. Успешное решение этих задач позволит повысить качество изделий, что, несомненно, будет содействовать ускорению прогресса в технологии микросхем.

Методы контроля процесса нанесения пленок в промышленных условиях должны удовлетворять ряду требований. Исходя из анализа основных методов контроля, можно сделать вывод, что наибольшему количеству требований удовлетворяет один из оптических методов - фотометрический. Но на данный момент он не позволяет осуществить непрерывный автоматический контроль скорости осаждения, т. к. сигнал фотометра является периодической функцией толщины. Это значительно ограничивает применимость фотометрического метода в системах автоматического управления про1^хсшц12Дучения пленок.

Таким образом, возникает необходимость обеспечения автоматизации непрерывного фотометрического контроля скорости при получении и травлении тонких диэлектрических пленок.

Цель работы - разработка и совершенствование метода непрерывного фотометрического контроля скорости осаждения и травления тонких диэлектрических пленок для обеспечения возможности его автоматизации.

Для достижения этой цели поставлены и решены следующие задачи:

- исследование методов измерения мгновенной частоты гармонического сигнала;

- исследование возможности применения методов измерения мгновенной частоты гармонического сигнала к сигналу фотометрического измерителя;

- разработка комбинированного метода измерения мгновенной частоты фотометрического сигнала, пропорциональной скорости осаждения, основанного на поочередном использовании методов двойного дифференцирования и временных интервалов;

- разработка в среде визуального моделирования Б1МиЬШК (МАТЪАВ) математической модели процесса контроля;

- разработка компьютерной системы для фотометрического контроля скорости осаждения и травления диэлектрических пленок;

- разработка частных алгоритмов и программ для ЭВМ.

Методы исследований. В работе использованы теоретические и экспериментальные методы исследований на основе системного анализа технологического процесса получения тонких пленок, физики и оптики тонких пленок, машинного и полунатурного моделирования.

Научная новизна

- доказана возможность применения методов измерения мгновенной частоты гармонического сигнала (метод двойного дифференцирования и метод временных интервалов) к реальному сигналу фотометрического измерителя;

- определены и исследованы области фотометрического сигнала, в котором каждый из методов дает допустимую методическую погрешность;

- предложен комбинированный метод, основанный на объединении двух методов, с целью минимизации методической погрешности и обеспечения непрерывного фотометрического контроля.

Практическая ценность

- разработаны алгоритмы и программное обеспечение для непрерывного контроля скорости осаждения диэлектрических пленок;

- разработан автоматизированный комплекс для непрерывного фотометрического контроля скорости осаждения и травления диэлектрических пленок.

Реализация результатов работы. Основные результаты работы использованы при разработке программного комплекса для непрерывного фотометрического контроля скорости осаждения и травления диэлектрических пленок на Рыбинском заводе приборостроения, а также в учебном процессе кафедры электротехники и промышленной электроники РГАТА им. П. А. Соловьева при обучении студентов.

В работе автор защищает:

- применение методов измерения мгновенной частоты гармонического сигнала к реальному фотометрическому сигналу;

- математическую модель контроля текущей скорости осаждения;

- реализацию модели, выполненную в среде визуального моделирования SIMULINK (MATLAB);

- компьютерную систему непрерывного автоматического контроля скорости осаждения и травления диэлектрических пленок фотометрическим методом.

Апробация. Основные научные положения и результаты диссертационной работы прошли апробацию в докладах на конференциях и симпозиумах: на XI Международной научно-технической конференции «Тонкие пленки в электронике», г. Йошкар-Ола, 2000 г.; на Международной научно-технической конференции «Измерение, контроль, автоматизация», г. Барнаул, 2000 г.; на VI, VIII, IX Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России», г. Москва, 2000 г., 2002 г., 2003 г., на 2-ой Всероссийской научно-технической конференции «Методы и средства измерений», г. Нижний Новгород, 2000 г.; на 12-ом Международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике», г. Харьков, 2001 г.; на второй областной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых вузов «Ярославский край. Наше общество в третьем тысячелетии», г. Ярославль, 2001 г.; на Всероссийской научно-технической конференции «Аэрокосмические технологии и образование на рубеже веков», г. Рыбинск, 2002 г; на Всероссий-

ской выставке научно-технического творчества молодежи НТТМ-2002, г. Москва, 2002 г.; на 3-й Международной конференции «Компьютерные методы и обратные задачи в неразрушающем контроле и диагностике», г. Москва, 2002 г.

Публикации. По материалам работ опубликовано 12 печатных работ, из них 6 статей и 6 тезисов докладов.

Структура и объем работы. Работа состоит из введения, четырех основных разделов, заключения, списка литературы и приложений. Диссертация содержит 15 V страниц основного текста, список литературы из 102 источников, 76 рисунков и 4 таблицы.

Основное содержание работы Во введении обосновывается актуальность темы исследования, форму- (

лируются цели и основные задачи исследования, приводится краткое изложение работы, ее научная новизна, практическая ценность полученных результатов и основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе диссертации показано, что скорость осаждения является одним из основных параметров технологического процесса получения диэлектрических пленок, отвечающим за стабильность данного процесса, а также воспроизводимость свойств получаемых пленок (рисунок 1).

Рисунок 1 - Влияние скорости осаждения на свойства пленок

Проведен анализ состояния проблемы контроля скорости осаждения диэлектрических слоев, рассмотрены основные методы и устройства контроля скорости осаждения, проведен их сравнительный анализ, по результатам которого обоснован выбор фотометрического метода. Но существующие на данный момент фотометрические системы не могут быть использованы в качестве дат-

чиков в системах автоматического управления из-за невозможности непрерывного контроля скорости осаждения.

Уточнены направления исследований, позволяющие разработать метод непрерывного автоматического контроля скорости осаждения и травления диэлектрических пленок на основе фотометрического метода. Основная реализация метода должна быть выполнена в виде программы для ЭВМ таким образом, чтобы была возможность получения численной и визуальной информации о текущей скорости осаждения. Для взаимодействия установки напыления и персонального компьютера необходимо подключение аналого-цифрового преобразователя и разработка программного обеспечения для сопряжения его с компьютером. Компьютерная система должна иметь выходной сигнал, соответствующий измеренной скорости, для использования его в системе автоматического управления процессом нанесения.

Для достижения этой цели сформулированы следующие задачи:

- проведение анализа методов измерения мгновенной частоты инфраниз-кочастотного сигнала;

- исследование метода измерения скорости осаждения диэлектрических пленок (метод временных интервалов);

- исследование метода двойного дифференцирования для измерения скорости осаждения диэлектрических пленок;

- исследование методических погрешностей методов и определение допустимых границ их применения;

- разработка компьютерной системы контроля скорости осаждения диэлектрических пленок;

- проведение экспериментальных исследований разработанной системы.

Во второй главе рассмотрены математические модели процесса осаждения тонких пленок и методов контроля этого процесса. В качестве математической модели процесса использовано выражение, описывающее зависимость коэффициента отражения Я от времени для прозрачной подложки и пленки:

Л + соза(0 В + сова(0

4л

где А = Р1(п/,п„пт), В = р1{п/,п!,пт),(х{1) = — п/к^).

Здесь приняты следующие обозначения: пт, П/ и пг - соответственно показатели преломления внешней среды, пленки и подложки; к - толщина пленки; Х- длина волны фотометрического датчика.

С ростом (уменьшением) толщины пленки интенсивность отраженного (или прошедшего) света изменяется по периодическому закону, близкому к косинусои-дальному, за счет интерференционных эффектов, возникающих в системе пленка - подложка (рисунок 2). Задача измерения скорости осаждения пленки сводится к задаче измерения мгновенной частоты сигнала фотометрического измерителя.

оэ

02

Д

О 0 05 0 1 015 0.2 0 25 0 3 0 36 / -*■

Рисунок 2 - Общий вид фотометрического сигнала

Проведено исследование методов измерения мгновенной частоты гармонического сигнала: временных интервалов; фиксированных уровней; двойного интегрирования; двойного дифференцирования.

Рассмотрена возможность применения математических методов измерения мгновенной частоты гармонического сигнала к фотометрическому сигналу. Определено, что метод двойного интегрирования не может быть применен к реальным сигналам с изменяющейся мгновенной частотой, так как требует подбора постоянных интегрирования и начальной фазы для определенной частоты фотометрического сигнала. Применение метода фиксированных уровней затруднено в связи с необходимостью создания массива фиксированных уровней.

Показана возможность применения методов двойного дифференцирования и временных интервалов для измерения мгновенной частоты фотометрического сигнала, пропорциональной скорости осаждения диэлектрической пленки. Для метода двойного дифференцирования скорость вычисляется по соотношению

с/(0 =

I

<иг

Ш1п тах

-т

где

= («ш - л,) У("ж + п5 У, ятт =(п/~ П,пт )2/(я/ + «д„ )2.

В методе временных интервалов значение текущей скорости получено путем дифференцирования по времени значения толщины h(t), выраженного из (1)

А(0 =

X

4-к-п

(fc-l)-7t + arccos

( R(t)-B-A

4-к-п

к-к- arccos

1 -д(о

R(t) убывает R(t) возрастает

J J

1-Л(0

где к- номер полупериода сигнала Л (г).

Исследования показали, что метод двойного дифференцирования дает допустимую методическую погрешность (менее 20 %) в областях экстремумов коэффициента отражения, а метод временных интервалов дает допустимую методическую погрешность (около 5 %) в областях наибольшей скорости изменения коэффициента отражения. Предложено использовать метод двойного дифференцирования в областях, близких к экстремумам фотометрического сигнала, и метод временных интервалов на участках убывания и возрастания этого сигнала.

Третья глава посвящена разработке в среде визуального моделирования 81МиЬГМК (МАТЬАВ) комплексной модели (рисунок 3), отражающей процесс роста и травления диэлектрических пленок, работу фотометрического измерителя, а также реализующей комбинированный метод измерения.

Рисунок 3 - Модель фотометрического измерителя скорости осаждения

Здесь с помощью блока «form_H» формируется равномерно нарастающее значение, используемое в качестве толщины пленки. На основании этого по (1) формируется фотометрический сигнал (блок «Get R»). Далее с этим сигналом работают блоки метода мгновенного значения «Get h from R», метода двойного дифференцирования «Get U3» и другие. Значения скорости осаждения, полученные в модели методом временных интервалов и методом двойного дифференцирования, приведены на рисунках 4, 5.

О 005 01 015 02 025 03 035 0.4 045 0 6

Г -

Рисунок 4 - Значение скорости осаждения, полученное методом временных интервалов

О 005 01 015 0 2 0 25 0 3 0 35 0.1 045 05 t -

Рисунок 5 - Значение скорости, полученное методом двойного дифференцирования

На рисунке 6 представлено значение мгновенной частоты фотометрического сигнала, полученное путем переключения методов. Для наглядного представления о моменте переключения

15 1

V

05

R

L

0 005 01 015 0' 025 0 3 0 35 0.4 045 05 t -

Рисунок 6 - Результат, полученный комбинированным методом

на этом же рисунке приводится и сигнал фотометрического измерителя (косинусоида). В данном случае метод двойного дифференцирования работает на протяжении 27 % от полупериода, все остальное время используется метод временных интервалов. Методическая погрешность составляет 12 %.

С помощью модели доказана необходимость поочередного использования двух методов в зависимости от участков сигнала фотометрического измерителя.

Разработана компьютерная система для фотометрического контроля скорости осаждения. Проведен полунатурный эксперимент по контролю скорости осаждения пленки с использованием разработанного комплекса (рисунок 7).

Лазер

1,*

ЛИТП-1 АЦП

Рисунок 7 - Схема комплекса для полунатурного эксперимента

Промодулированный луч полупроводникового лазера направляется на подложку с нанесенным на нее диэлектрическим слоем с клиновидным профилем толщины. При этом подложка располагается на подвижном координатном столе, который с помощью электродвигателя РД-09 и винтовой пары перемещается в горизонтальном направлении. Скорость движения стола составляет 0,14 мм/с, что позволяет получить сигнал инфранизкой частоты. Отраженный от подложки луч попадает на фотоприемник. Сигнал с фотоприемника поступает на избирательный усилитель, настроенный на частоту модуляции лазерного излучения и входящий в состав лазерного измерителя толщины пленок ЛИТП-1, после чего преобразуется с помощью АЦП в числовую величину и записывается в СОМ-порт ЭВМ.

При сканировании лазерным лучом клиновидного профиля пленки на подложке сигнал фотометрического усилителя имеет такой же характер, как при реальном осаждении диэлектрической пленки.

Проведенный полунатурный эксперимент подтвердил сделанные ранее выводы о необходимости объединения метода двойного дифференцирования и метода временных интервалов для измерения текущей частоты фотометрического сигнала.

Показана возможность измерения скорости и момента окончания травления на примере травления фоторезиста в растворе гидроокиси калия. Для измерения скорости травления фоторезиста использовался тот же комплекс (рисунок 7), с тем отличием, что образец размещался не на подвижном столе, а погружался в стеклянную кювету с раствором проявителя. 1

Результаты полунатурного эксперимента подтверждены при получении тонкопленочных диэлектрических покрытий термическим вакуумным осаждением. Эксперимент проводился на установке электронно-лучевого и ионно-плазменного нанесения УВН-75Р-1. При этом на кремниевые подложки наносились пленки из электровакуумного стекла. При контроле термического ваку- I умного нанесения погрешность метода при измерении скорости осаждения составляет 16 %, что не превышает допустимого значения для данной задачи.

Таким образом, экспериментально доказано, что данная методика и раз- 1

работанная компьютерная фотометрическая система могут быть использованы в реальных условиях для контроля мгновенного значения скорости при получении пленок любым из способов, а также при травлении пленок. Кроме того, , данная система может использоваться в качестве датчика в автоматической системе управления скоростью осаждения диэлектрических пленок. I В четвертой главе приведено описание алгоритма для уменьшения ( влияния флуктуаций фотометрического сигнала на значение скорости осаждения. Кроме этого, в данном алгоритме присутствует возможность выявления нарушений в работе фотометрического канала. Используя подпрограмму уменьшения флуктуаций, удается получить стабильный сигнал с приемлемой за- >ч держкой (около 1 с при используемой частоте опроса СОМ-порта 10 Гц). '

Так как показатель преломления пленок зависит от технологических факторов, то для калибровки фотометрического измерителя скорости осаждения следует использовать не справочные данные по показателю преломления материалов, а результаты измерения показателя преломления слоев в данном технологическом процессе. Поэтому приведена методика измерения и измерены по-

казатели преломления и толщины напыляемых и стравливаемых диэлектрических слоев.

В заключении анализируются полученные результаты и приводятся общие выводы по работе:

1) На основе анализа основных методов контроля скорости осаждения и толщины диэлектрических пленок показано, что существенными достоинствами обладает фотометрический метод. Скорость осаждения в данном случае пропорциональна частоте инфранизкочастотного фотометрического сигнала, который является периодической функцией толщины пленки. Решение задачи непрерывного контроля скорости осаждения этим методом позволит автоматизировать сам метод и процесс получения (травления) диэлектрических пленок.

2) В результате анализа существующих методов измерения мгновенной частоты гармонического сигнала показана возможность применения метода двойного дифференцирования и метода временных интервалов к реальному инфранизкочастотному сигналу фотометрического измерителя.

3) Исследованы методические погрешности методов и определены области фотометрического сигнала, в которой каждый из методов (двойного дифференцирования и временных интервалов) дает минимальную погрешность.

4) Предложен комбинированный метод измерения мгновенной частоты фотометрического сигнала, основанный на объединении (поочередном использовании в зависимости от области сигнала) методов двойного дифференцирования и временных интервалов.

5) Разработана и исследована математическая модель контроля скорости осаждения диэлектрических пленок (81М1ЛЛ№С - МАТЬАВ). С помощью визуального моделирования подтверждена правильность теоретических предположений о целесообразности использования комбинированного метода измерения.

6) Разработаны алгоритмы и программное обеспечение компьютерной фотометрической системы, в том числе алгоритм и программа уменьшения влияния флуктуаций фотометрического сигнала на выходной сигнал системы.

7) Показано, что предложенная методика расчета хорошо работает с использованием разработанных комплексов для полунатурного эксперимента.

8) Экспериментально доказано, что разработанный метод может быть использован в реальных условиях для контроля мгновенного значения скорости осаждения и травления пленок.

9) Проведена метрологическая проработка компьютерной системы.

10) Разработанная компьютерная система для непрерывного фотометрического контроля скорости осаждения и травления диэлектрических пленок может быть использована в качестве датчика в автоматической системе управления скоростью осаждения диэлектрических пленок.

Система внедрена в промышленном производстве микросборок для процесса контроля травления фоторезиста.

Список публикаций по теме диссертации

1 Семенова С. Э. Применение математических методов измерения скорости осаждения диэлектрических пленок с помощью фотометрического измерителя толщин. // Измерение, контроль, автоматизация. Материалы международной научно-технической конференции «ИКИ-2000».- Барнаул, 2000. - С. 206.

2 Семенова С. Э., Юдин В. В., Семенов Э. И. Математические методы измерения скорости осаждения диэлектрических пленок // Тонкие пленки в электронике. Тезисы XI Международной научно-технической конференции. 2831 августа 2000 г., Йошкар-Ола: МарГТУ, 2000. - С. 36.

3 Юдин А. В., Семенова С. Э. Метод параметрической идентификации фотометрического датчика толщины пленок // Высокие технологии в промышленности России. Сборник докладов VI Международной научно-технической конференции. М.: ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2000. - С. 35 - 36.

4 Семенова С. Э., Юдин А. В. Анализ применимости математических методов для оценки скорости осаждения диэлектрических пленок. // Методы и средства измерений. Тезисы докладов второй всероссийской научно-технической конференции (Computer Based Conference). Октябрь 2000 г., Часть 2. Нижний Новгород, 2000. - С. 17.

5 Семенова С. Э. Методы контроля скорости осаждения тонких пленок в процессе их производства. // Вторая областная научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых вузов. - «Ярославский край. Наше общество в третьем тысячелетии». Материалы конференции. - Ярославль, 26-27 апреля 2001 г. - С. 21-24.

6 Семенов Э. И., Семенова С. Э. Комбинированная фотометрическая система измерения скорости осаждения и травления диэлектрических пленок // Тонкие пленки в электронике. Сборник докладов 12-го Международного симпозиума. - Харьков: ИПЦ "Контраст", 2001.- С. 336-338.

7 Юдин А. В., Семенова С. Э. Анализ точностных характеристик фотометрического датчика толщины пленок // Датчики и системы. - 2001. - № 11. - С. 44-46.

8 Семенова С. Э. О погрешностях фотометрического измерителя скорости напыления тонких пленок // Аэрокосмические технологии и образование на рубеже веков. Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции, часть 2.-Рыбинск: РГАТА, 2002 - С. 66-67.

9 Гусаров А. В., Семенова С. Э. Устройство сопряжения персонального компьютера с фотометрическим датчиком // Аэрокосмические технологии и образование на рубеже веков. Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции, часть 2.- Рыбинск: РГАТА, 2002,- С. 68.

10 Семенова С. Э., Семенов Э. И., Гусаров А. В. Компьютерная диагностика показателя преломления диэлектрических пленок в процессе их выращивания или нанесения // III Международная конференция «Компьютерные методы и обратные задачи в неразрушающем контроле и диагностике. Сборник тезисов, - М.: РОНКТД, 2002,- С. 31-32.

11 Семенова С. Э. Моделирование процесса роста или травления диэлектрических пленок и его контроля в системе MATLAB-SIMULINK // Высокие технологии в промышленности России. Сборник докладов VIII Международной научно-технической конференции, ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2002.

12 Семенова С. Э., Гусаров А. В., Семенов Э. И. Компьютерная система измерения скорости вакуумного нанесения тонких диэлектрических пленок // Высокие технологии в промышленности России. Сборник докладов IX Международной научно-технической конференции, ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2003. - С. 59 - 61.

»19047

Зав. РИО М А. Салкова

Подписано в печать 13.11 2003 г Формат 60x84 1/16. Уч -изд л 1. Тираж 100 Заказ 183.

Рыбинская государственная авиационная технологическая академия им. П.А Соловьева (РГАТА)

Адрес редакции. 152934, г. Рыбинск, ул Пушкина, 53 Отпечатано в множительной лаборатории РГАТА 152934, г. Рыбинск, ул. Пушкина, 53

ВВЕДЕНИЕ.

1 АНАЛИЗ ОСОБЕННОСТЕЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ОСАЖДЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК И ЕГО КОНТРОЛЯ.

1.1 Влияние скорости осаждения на свойства пленок.

1.2 Обзор методов нанесения тонких пленок в вакууме.

1.3 Обзор методов измерения скорости осаждения и их классификация.

1.3.1 Гравиметрический метод.

1.3.2 Метод измерения давления молекул пара.

1.3.3 Метод кварцевого резонатора.

1.3.4 Ультразвуковой метод.

1.3.5 Оптические методы.

1.3.5.1 Фотометрический метод.

1.3.5.2 Метод спектрофотометрии.

1.3.5.3 Эллипсометрический метод.

1.3.5.4 Интерференционный метод.

1.3.6 Резистивный метод.

1.3.7 Емкостный метод.

1.3.8 Ионизационный метод.

1.3.9 Метод электронно-эмиссионной спектроскопии.

1.4 Анализ методов контроля скорости осаждения и толщины пленок.

Выводы по первой главе и постановка задач исследований.

2 РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ФОТОМЕТРИЧЕСКОГО ИЗМЕРИТЕЛЯ.

2.1 Математическая модель процесса осаждения тонких пленок.

2.2 Математическая модель метода контроля процесса осаждения.

2.3 Анализ методов измерения мгновенной скорости осаждения диэлектрических пленок.

2.3.1 Методы измерения мгновенного значения частоты гармонического сигнала.

2.3.1.1 Метод временных интервалов.

2.3.1.2 Метод фиксированных уровней.

2.3.1.3 Метод двойного дифференцирования.

2.3.1.4 Метод двойного интегрирования.

2.3.2 Применение методов измерения мгновенного значения частоты к реальному сигналу фотометра.

2.4 источники погрешностей в фотометрических системах контроля скорости напыления тонких пленок.

2.5 Влияние отклонений показателей преломления на значение сигнала фотометрического измерителя.

Ф Выводы по второй главе

3 МОДЕЛИРОВАНИЕ АВТОМАТИЧЕСКОГО ФОТОМЕТРИЧЕСКОГО ИЗМЕРИТЕЛЯ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЙ ФОТОМЕТРИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ.

3 л моделирование автоматического фотометрического измерителя в среде MATLAB и синтез его оптимальной структуры.

3.2 Полунатурный эксперимент с использованием устройства сопряжения.

3.3 Полунатурный эксперимент с использованием промышленных модулей ICP DAS

3.4 Измерение скорости травления фоторезиста в растворе гидроокиси калия.

3.5 Описание установки для термического вакуумного испарения.

3.6 Применение фотометрического измерителя для автоматического контроля скорости осаждения в реальном процессе термовакуумного нанесения покрытия.

Выводы по третьей главе.

4 ПРОГРАММНАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ АВТОМАТИЧЕСКОГО ФОТОМЕТРИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ И МЕТРОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ФОТОМЕТРИЧЕСКОГО ИЗМЕРИТЕЛЯ.

4.1 Описание программной реализации метода расчета мгновенной скорости осаждения.

4.2 Метрологическое обеспечение исследований.

4.2.1 Методика и прибор для измерения показателя преломления и толщины пленок.

4.2.2 Измерение показателя преломления нанесенных пленок.

4.2.3 Исследование стабильности мощности лазера.

4.2.4 Определение длины волны полупроводникового лазера.

4 Выводы по четвертой главе.

Широкое использование диэлектрических пленок в изделиях различных областей промышленности требует постоянного совершенствования процесса их формирования, повышения степени автоматизации, а также непрерывного контроля режимов технологического процесса и условий их реализации. В микроэлектронике и, в частности, в тонкопленочных технологиях, особое внимание уделяется получению тонких пленок с заданными свойствами.

Системный анализ технологического процесса получения диэлектрических слоев показывает, что скорость осаждения пленки оказывает большое влияние на структуру, электрофизические свойства и стабильность самих пленок, поэтому необходим контроль скорости и поддержание ее на заданном уровне. Однако выбранные оптимальные режимы и условия технологического процесса не остаются постоянными в течение времени осаждения покрытия из-за действия различных возмущений. Воспроизводимость свойств диэлектрических слоев может быть обеспечена стабилизацией параметров технологического процесса, в частности, скорости осаждения, в течение всего времени нанесения пленки. Скорость травления позволяет получить информацию об основных свойствах и структуре пленок.

Наиболее широко распространенные в промышленности методы контроля скорости осаждения пленок (с использованием кварцевого пьезокри-сталла или ионизации потока паров осаждаемого материала) не обеспечивают необходимой точности, а в некоторых технологических процессах (осаждение пленок из газовой фазы, травление фоторезиста) вообще не применимы. Таким образом, актуальными являются задачи разработки новых методов контроля скорости осаждения, средств автоматического контроля, стабилизации скорости осаждения покрытий, успешное решение которых позволит повысить качество изделий, что, несомненно, будет содействовать ускорению прогресса в технологии микросхем.

Методы, которые предполагается использовать для контроля процесса нанесения пленок в промышленных условиях, должны удовлетворять ряду основных требований. Исходя из анализа методов контроля (микровзвешивания, кварцевого, ионизационного, ультразвукового, резистивного, емкостных, оптических, электронно-эмиссионной спектроскопии) можно сделать вывод, что наибольшему количеству требований удовлетворяет один из оптических методов - фотометрический. Этот метод обладает двумя недостатками: не позволяет непрерывно контролировать скорость осаждения и имеет ограничение в максимальной контролируемой толщине сильно поглощающих пленок. Первый недостаток является наиболее серьезным, он значительно ограничивает применимость фотометрического метода в технологии микросхем и заставляет исследователей применять комбинированную систему контроля, состоящую из фотометрического измерителя толщины и кварцевого измерителя скорости осаждения пленок. Применение в промышленных условиях этой схемы затруднено в виду ее сложности и довольно высоких требований к квалификации оператора.

Таким образом, может быть поставлена задача обеспечения автоматизации непрерывного фотометрического контроля при получении и травлении тонких диэлектрических пленок.

Цель работы - разработка и совершенствование метода непрерывного фотометрического контроля скорости осаждения и травления тонких диэлектрических пленок для обеспечения возможности его автоматизации.

Методы исследований

В работе использованы теоретические и экспериментальные методы исследований на основе системного анализа технологического процесса получения тонких пленок, физики и оптики тонких пленок, машинного и полунатурного моделирования.

Экспериментальная часть работы выполнялась в лабораториях Рыбинской государственной авиационной технологической академии.

Научная новизна работы

1 Доказана возможность применения методов измерения мгновенной частоты гармонического сигнала (метод двойного дифференцирования и метод временных интервалов) к реальному сигналу фотометрического измерителя.

2 Определены и исследованы области фотометрического сигнала, в котором каждый из методов дает допустимую методическую погрешность.

3 Предложен комбинированный метод, основанный на объединения двух методов с целью минимизации методической погрешности и обеспечения непрерывного фотометрического контроля.

Практическая ценность работы

1 Разработаны алгоритмы и программное обеспечение для непрерывного контроля скорости осаждения диэлектрических пленок

2 Разработан автоматизированный комплекс для непрерывного фотометрического контроля скорости осаждения и травления диэлектрических пленок.

Достоверность результатов

Достоверность результатов диссертационных исследований подтверждена данными теоретических расчетов и экспериментальными исследованиями разработанных методов фотометрического контроля скорости осаждения тонких пленок.

Апробация

Материалы диссертационной работы прошли апробацию в докладах на конференциях и симпозиумах: на XI Международной научно-технической конференции «Тонкие пленки в электронике», г. Йошкар-Ола, 2000 г.; на Международной научно-технической конференции «Измерение, контроль, автоматизация», г. Барнаул, 2000 г.; на VI, VIII, IX Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России», г. Москва, 2000 г., 2002 г., 2003 г., на 2-ой Всероссийской научно-технической конференции «Методы и средства измерений», г. Нижний Новгород, 2000 г.; на 12-ом Международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике», г. Харьков, 2001 г.; на второй областной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых вузов «Ярославский край. Наше общество в третьем тысячелетии», г. Ярославль, 2001 г.; на Всероссийской научно-технической конференции «Аэрокосмические технологии и образование на рубеже веков», г. Рыбинск, 2002 г.; на Всероссийской выставке научно-технического творчества молодежи НТТМ-2002, г. Москва, 2002 г; на 3-й Международной конференции «Компьютерные методы и обратные задачи в не-разрушающем контроле и диагностике», г. Москва, 2002 г.

Публикации

По материалам работ опубликовано 12 печатных работ, из них 6 статей и 6 тезисов докладов.

Вклад автора

Диссертационная работа представляет собой обобщение результатов исследований, полученных автором лично и совместно с сотрудниками РГАТА Юдиным В. В., Семеновым Э. И., Гусаровым А. В., Юдиным А. В. и другими.

На разных этапах отдельные проблемы и результаты работы обсуждались с Маниным А. В., Вершининым В. А, Морозовым М. П.

В проведенных экспериментальных исследованиях использовались программные разработки Ломанова А. Н. и Павлова А. А.

Автор благодарит всех отмеченных выше за советы и помощь в работе.

В первой главе диссертации проведен анализ состояния проблемы контроля скорости осаждения диэлектрических слоев. Показано, что скорость осаждения является одним из основных параметров технологического процесса получения пленок, отвечающим за стабильность данного процесса, а также воспроизводимость свойств получаемых пленок. Рассмотрены основные методы и устройства контроля скорости осаждения, проведен их сравнительный анализ и обоснован выбор фотометрического метода. Уточнены направления исследований, позволяющие разработать метод непрерывного автоматического контроля скорости осаждения и травления диэлектрических пленок на основе фотометрического метода.

Во второй главе рассмотрены математические модели процесса осаждения тонких пленок и методов контроля этого процесса, проведено исследование методов измерения мгновенной частоты гармонического сигнала - метод временных интервалов; фиксированных уровней; двойного интегрирования; двойного дифференцирования. Показана возможность применения методов двойного дифференцирования и временных интервалов к реальному сигналу фотометрического измерителя, определены области этого сигнала, где каждый из методов дает минимальную методическую погрешность. На основе дальнейших исследований сформулировано предположение о целесообразности использования метода двойного дифференцирования в областях, близких к экстремумам фотометрического сигнала и метода временных интервалов на участках равномерного убывания и возрастания этого сигнала.

Третья глава посвящена разработке в среде визуального моделирования SIMULINK (MATLAB) комплексной модели, отражающей процесс роста и травления диэлектрических пленок, работу фотометрического измерителя, а также реализующей комбинированный метод измерения, основанный на объединении методов двойного дифференцирования и метода временных интервалов. Доказана необходимость поочередного использования двух методов, в зависимости от участков сигнала фотометрического измерителя. Разработана компьютерная система для фотометрического контроля скорости осаждения, включающая в себя фотометрический усилитель ЛИТП-1, модули ICP DAS серии 1-7000 и персональный компьютер. Проведен полунатурный эксперимент по контролю скорости осаждения пленки с использованием специального комплекса, имитирующего процесс нанесения, подтверждающий сделанные ранее выводы. Показана возможность измерения скорости и момента окончания травления на примере травления фоторезиста в растворе гидроокиси калия. Результаты полунатурного эксперимента подтверждены при получении тонкопленочных диэлектрических покрытий в установке для термовакуумного нанесения.

В четвертой главе приведено описание алгоритма для уменьшения влияния флуктуаций фотометрического сигнала на значение скорости осаждения и содержащего функцию выявления нарушений в работе фотометрического канала, с помощью которого удается получить стабильный сигнал с приемлемой задержкой (около 1 с при используемой частоте опроса СОМ-порта 10 Гц). С целью уменьшение методической погрешности приведена методика измерения и измерены показатели преломления и толщины напыляемых и стравливаемых диэлектрических слоев. Разработана методика измерения длины волны полупроводникового лазера. С помощью разработанной компьютерной фотометрической системы исследована стабильность мощности полупроводникового лазера.

В заключении анализируются полученные результаты и приводятся общие выводы по работе.

В результате проведенных исследований сформулированы основные положения, которые автор выносит на защиту:

1. Применение методов измерения мгновенной частоты гармонического сигнала к реальному фотометрическому сигналу

2. Математическую модель контроля текущей скорости осаждения.

3. Реализацию модели, выполненную в среде визуального моделирования SIMULINK (MATLAB)

4. Компьютерную систему непрерывного фотометрического контроля скорости осаждения и травления тонких диэлектрических пленок.

Выводы по четвертой главе

1. Разработаны алгоритмы и программное обеспечение компьютерной фотометрической системы, в том числе алгоритм и программа уменьшения влияния флуктуаций фотометрического сигнала.

2. Измерены показатели преломления и толщины напыляемых и стравливаемых диэлектрических слоев для обеспечения необходимой точности работы компьютерной фотометрической системы.

3. Разработана методика и измерена длина волны полупроводникового лазера.

4. Исследована временная стабильность мощности полупроводникового лазера

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведенная научная и практическая работы показали возможность создания компьютерной фотометрической системы для непрерывного контроля скорости осаждения и толщины тонких диэлектрических пленок.

В процессе выполнения работы были получены следующие основные результаты:

1 На основе анализа основных методов контроля скорости осаждения и толщины диэлектрических пленок показано, что существенными достоинствами обладает фотометрический метод. Скорость осаждения в данном случае пропорциональна частоте инфранизкочастотного фотометрического сигнала, который является периодической функцией толщины пленки. Решение задачи непрерывного контроля скорости осаждения этим методом позволит автоматизировать сам метод и процесс получения (травления) диэлектрических пленок.

2 В результате анализа существующих методов измерения мгновенной частоты гармонического сигнала показана возможность применения метода двойного дифференцирования и метода временных интервалов к реальному сигналу фотометрического измерителя.

3 Исследованы методические погрешности методов и определены области фотометрического сигнала, в которой каждый из методов (метод двойного дифференцирования, метод временных интервалов) дает минимальную методическую погрешность.

4 Предложен комбинированный метод измерения мгновенной частоты фотометрического сигнала, основанный на объединении (поочередном использовании в зависимости от области сигнала) методов двойного дифференцирования и временных интервалов.

5 Разработана и исследована математическая модель контроля скорости осаждения диэлектрических пленок (SIMULINK - MATLAB). С помощью визуального моделирования подтверждена правильность теоретических предположений о целесообразности использования комбинированного метода измерения.

6 Разработаны алгоритмы и программное обеспечение компьютерной фотометрической системы, в том числе алгоритм и программа уменьшения влияния флуктуаций фотометрического сигнала на выходной сигнал системы.

7 Показано, что предложенная методика расчета хорошо работает с использованием разработанных комплексов для полунатурного эксперимента.

8 Экспериментально доказано, что данная методика может быть использована в реальных условиях для контроля текущего значения скорости осаждения и травлении пленок.

9 Проведена метрологическая проработка компьютерной системы.

10 Разработанная компьютерная система для непрерывного контроля скорости осаждения и травления диэлектрических пленок может быть использована в качестве датчика в автоматической системе управления скоростью осаждения диэлектрических пленок.

1. Thoni W. Нанесение оптических покрытий: контроль и автоматизация процессов (Deposition of Optical Coatings: Process Control and Automation). -Liechtenstein: Balzers Aktiengesellschaft, 1981. 24 c.

2. Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. Л. Майссела, Р. Глэн-га. Пер. с англ. под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. М.: Сов. радио, 1977.-Т. 1.-664 с. -Т. 2.-768 с.

3. Мартиросян А. М., Грабин В. В, Гречанюк Н. И., Трофименко А. А. и др. Влияние скорости конденсации на структуру покрытий из стабилизированного диоксида циркония // Проблемы спец. электрометаллургии. -1987. -№ 2.-С. 47-51.

4. Слуцкая В. В. Тонкие пленки в технике сверхвысоких частот. М.: Советское радио, 1967. - 456 с.

5. Popova L. I. Refractive Index of Evaporated SiO Layers // Comptes rendus de l'Academie bulgare des Sciences. 1972. -25. -№ 3. - P. 305 -308.

6. Lewis B. The Deposition of Alumina, Silica and Magnesia Films by Electron Bombardment Evaporation // Microelectronics and Reliability. 1964. - 3. -№ 2. - P. 109- 120.

7. Метфессель С. Тонкие пленки, их изготовление и измерение. М. - Л. -Госэнергоиздат, 1963. -273 с.

8. Данилин Б. С. Получение тонкопленочных элементов микросхем. — М.: Энергия, 1977. 136 с.

9. Пирс К., Адаме А., Кац Л., Цай Дж., Сейдел Т., Макгиллис Д. Технология СБИС / Под ред. С. Зи. Пер. с англ. В. Н. Лейкина, под ред. Ю. Д. Чистякова, В. Б. Петрова, Б. Л. Эйдельмана. М.: Мир, 1986. - Т .1. - 404 с. -Т.2.-453 с.

10. Панфилов Ю. В., Рябов В. Т., Цветков Ю. Б. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы. М.: Радио и связь, 1988.-320 с.

11. Белянин А. Ф. Получение пленок A1N (обзор) // Тонкие пленки в электронике. Материалы 7 международного симпозиума. Йошкар-Ола, 1996. С. 167-212.

12. Ковалев JI. К., Панфилов Ю. В. Методы нанесения тонких пленок в вакууме // Справочник. Инженерный журнал.- № 3 1997 - С. 20-28.

13. Демидов Ф. П., Лоскутов А. И., Ершов В. К. Применение пьезокварцевого микровзвешивания при изготовлении тонкопленочных структур / М.: ЭП, №11 1989.

14. Беденко В. В., Беляков А. И., Майоров А. А., Мирошкин С. И., Одиноков ^ В. В., Рагузин В. Д. Электронно-лучевая вакуумная установка «Электроника ТМ-1205» / Электронная промышленность,- №5 1991.

15. Хэмфилл Р. Б. Датчик толщины, измеряющий скорость поверхностной волны, для тонких пленок, полученных методом напыления / Пер. В. В.

16. Булычев. М.: Всесоюзный центр переводов научно-технической литературы и документации, 1978.

17. Черняев В. Н., Обичкин Ю. Г., Семенов Э. И. Непрерывный контроль толщины и скорости осаждения и травления диэлектрических и полупроводниковых пленок / ПТЭ, № 6. 1974.

18. Физика тонких пленок / Под ред. Г. Хасса и Р. Э. Туна. Пер. с англ. под ред. В. Б. Сандомирского. М.: Мир, 1968. - Т. 1.-331 с.

19. Пленочная микроэлектроника / Под ред. Холлэнда JI. Пер с англ. под ред. М. И. Елинсона. М.: "Мир", 1968. - 366 с.

20. Тематическая подборка "Методы и аппаратура контроля толщины и скорости напыления тонких пленок" 250-3-82

21. Холин А. А., Бруснецов Ю.А. Система управления вакуумным напылением. / Труды ТГТУ, 2001, № ю, с. 183-185.

22. Х.-И. Зигмунд. Новые измерительные приборы и микропроцессорное управление для напылительных и распылительных установок. — Ганау: Лейбольд-Хереус ГМБХ, 1980.

23. Pelletier Е. Controle optique pendant la preparation cfempilement de couches minces dielectriques // Le vide. 1972. - № 157. - p. 1-9.

24. Колгин Е. А., Кораблев Ю. А., Ухов А. А. Автоматизированный спектрофотометр для контроля процесса осаждения диэлектрических покрытий. // Сборник научных трудов, вып. 419, Ленинград, 1990.

25. Резвый Р. Р., Финарев М. С. Определение толщины диэлектрической пленки методом эллипсометрии. Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, вып. 2, 1979 С. 58 - 64

26. Демидов Ф. П., Аммосова Л. М. Датчики оперативного технологического контроля процессов нанесения и травления пленок. // Электронная промышленность, 1991, №7 С. 20-26.

27. Сокол В. А., Сухоруков С. С., Тельнов В. М., Хомяков В. И., Чукарев С. В. Система лазерного контроля процессов плазмохимического травления. // Электронная промышленность, №1 1989.- С. 57.

28. Зеркаль Н. М. Устройство контроля толщины и показателя преломления прозрачных пленок в процессе выращивания. // Электронная промышленность, №1 1989,- С. 50.

29. Раков А. В. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур. М.: Советское радио, 1975. - 174 с.

30. Орликовский А. А., Руденко К. В. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть III. // Микроэлектроника, 2001, том 30, № 5, с. 323-344.

31. Dalton Т., Conner W., Sawin Н. Interferometric Real-Time Measurement of uniformity for Plasma Etching // J. Electrochem. Soc. 1994. V. 141. № 7. P. 1893-1899.

32. Tepermeister I., Conner W. Т., Alzaben Т., Barnard H., Gehlert K., Scipione D. In situ monitoring of product wafers. // Solid State Technol. 1996. V. 39. №3. P. 63-68.

33. Wong К., Boning D. S., Sawin H. H„ Butler S. W., Sachs E. M. Endpoint prediction for polisilicon plasma etch via optical emission interferometry // J. Vac. Sci. Technol. A. 1997. V. 15. № 3. P. 1403-1408.

34. Данилин Б. С. Вакуумная техника в производстве интегральных схем / Под ред. Р. А. Нилендера. М.: Энергия, 1972. - 256 с.

35. Данилин Б. С., Кузнецов М. Н. Статические и динамические характеристики термических испарителей // Электронная техника,- Серия 6 Микро-электроника-1971- вып.2 С. 70-74.

36. Мовчан Б. А., Малашенко И. С. Жаростойкие покрытия, осаждаемые в вакууме — Киев: Наукова думка, 1983.-232 с.

37. Глудкин О. П., Густов А. Е. Устройства и методы фотометрического контроля в технологии производства ИС. — М.: Радио и связь, 1981. 112 с.

38. Орликовский А. А., Руденко К. В. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть I. // Микроэлектроника, 2001, Т. 30, № 2, с. 85-105.

39. Орликовский А. А., Руденко К. В. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть II. // Микроэлектроника, 2001, Т. 30, № 3, с. 163-182.

40. Орликовский А. А., Руденко К. В. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть IV. // Микроэлектроника, 2001, Т. 30, № 6, с. 403-433.

41. Сергеев, Тарасов и др. Доработка ионно-плазменной установки УРМЗ.279.014 системами контроля парциального давления газов в разрядной камере и толщины получаемых диэлектрических пленок // Харьков, 1980, 16 с.

42. Пронюг В. Г. и др. Контроль толщин покрытий / Рига: ЛатНИИНТИ, 1988.-39 с.

43. Пленки и покрытия '98: Труды 5-й международной конференции «Пленки и покрытия '98», 23-25 октября 1998 г. // Под ред. В. С. Клубникина. -СПб., 1998.-504 с.

44. Павлова В. Т. Оптика тонких пленок и технология их нанесения. Часть I: Оптика тонких пленок. 1986. - 110 с.

45. Павлова В. Т. Оптика тонких пленок и технология их нанесения. Часть II: Способы нанесения оптических покрытий. 1988. - 82 с.

46. Сергеева А. И. Разработка и исследование исходных средств измерений толщины свободных пленок: Автореферат дисс. . к. т. н. (05.11.01) / НИИ метрологии им. Д. И. Менделеева. Л.: 1986 - 22 с.

47. Современные методы управления объемными и поверхностными свойствами тонких пленок: Тематический сборник научных трудов Лит. ССР / Каунасский политехнический институт им. Антанаса Снечкуса. Вильнюс: Б. П., 1985.- 152 с.

48. Rinshofer Н. W. Observations on the measurement of the actual serface temperature // Vacuum. 1980. - № 2. - P. 77-79.

49. Дэшман С. Научные основы вакуумной техники. М.: Изд-во иностр. лит., 1964.-715 с.

50. Коваленко В. Ф. Теплофизические процессы и электровакуумные приборы. — М.: Советское радио, 1975. 216 с.

51. Труды Украинского вакуумного общества: Т. 3. Харьков, 1997. - 550 с.

52. Никитин М. М. Технология и оборудование вакуумного напыления. М.: Металлургия, 1992. - 112 с.

53. Костржицкий А. И., Лебединский О. В. Многокомпонентные вакуумные покрытия. М.: Машиностроение, 1987. - 208 с.

54. Мищенко В. П., Осечков П. П., Новиченко Л. Ф. Весовой измеритель толщины и скорости роста покрытий // Проблемы спец. электрометаллургии. 1986,-№4.-С. 51-55.

55. А. с. 182340 СССР, МКИ GO lb 7/06. Способ измерения толщины и скорости нанесения пленок / В. В. Устинов, Н. М. Григорьева, А. А. Гришин и др. (СССР). -№ 1002173/25-28; заявл. 03.04.65; опубл. 25.05.66, бюл. № И.-2с.

56. Ляпахин А. Б., Пьянков Б. Л., Горбачев Д. Б. Прибор для контроля толщины и скорости осаждения пленок при вакуумном испарении // Оптико-механическая промышленность, 1988. № 1. - С. 29-30.

57. Сокол В. А., Сухоруков С. С., Тельнов В. М. и др. Система лазерного контроля процессов плазмохимического травления // Электронная промышленность. -1989. № 1. - С. 57.

58. Буйко Л. Д., Дудич В. М., Калошкин Э. П., Колешко В. М., Лашицкий Э. К. Интерференционный метод измерения скорости травления диэлектрических пленок // Приборы и техника эксперимента. 1973. - № 2. - С. 240-241.

59. А. с. 890760 СССР, МКИ С23С 13/08. Устройство для контроля скорости осаждения и толщины пленок / В. А. Тучин, Н. Т. Ключник, А. И. Гуровfr (СССР). 13.05.80.

60. Оптический контроль в производстве тонких пленок в вакууме: Проспект фирмы Leybold-Heraeus, 1977. 6 с.

61. Process-Photometer OMS-2000. Leybold-Heraeus: Hanau, 1979. - 8 c. (Проспект фирмы Leybold-Heraeus).

62. Information neue Produkte: UNI VEX 450 Universelle Experimentiranlage. -Koln, 1981. - 4 s. (Проспект фирмы Leybold-Heraeus).

63. ЛЕИБОЛЬД АГ. Спектр производства / Проспект фирмы к международной выставке «Электротехнология» в г. Москве. Ханау. - Лейбольд АГ, 1990. - 130 с.

64. High-Vacuum Process System ВАК 600 for Production of Thin Films in the Optical and Electronics Industries. Liechtenstein: Balzers, 1982. -8 s. (Проспект фирмы Balzers).

65. Hochvakuum-Prozess-System ВАК 760 zur Herstellung Dunner Schichten fur die Optik und Elektronik. Liechtenstein: Balzers, 1986. - 12 s. (Проспект фирмы Balzers).

66. Проспект фирмы АЛЬКАТЕЛЬ для выставки «ЭЛЕКТРОНМАШ-82». -Париж: АЛЬКАТЕЛЬ, 1982. 8 с.

67. Фотоэлектрический контрольный измеритель толщины пленки серии ОРМ-6. Токио: СИНКУ КИКАЙ КОГИО КО., ЛТД, 1982. - 4 с. (Проспект фирмы SHINKU KIKAI KOGIO КО., LTD).

68. Измеритель толщины покрытий // Высшая школа России: Каталог научно-технических достижений. Машиностроение. Выпуск 1. Москва, Госкомитет Российской Федерации по высшему образованию, 1994.- с. 34.

69. Coating thinkness meter // Higher School of Russia: Catalog of scientific and technological advances. Machine building. Issue 1, Moscow, The State committee of the Russian Federation on higher education, 1994. p. 31.

70. Беламенков H. P., Карасев В. Б., Путилин Э. С., Финин П. Н. Влияние взаимного наполнения элементов вакуумной установки на распределение коэффициентов отражения градиентного зеркала. // Приборостроение, 2003. Том 46. -№ 8.

71. Семенова С. Э., Юдин В. В., Семенов Э. И. Математические методы измерения скорости осаждения диэлектрических пленок // Тонкие пленки в электронике. Тезисы XI Международной научно-технической конференции. 28-31 августа 2000 г., Йошкар-Ола, 2000. С. 36.

72. Дьяконов В. MATHCAD 8/2000: специальный справочник СПб: Питер, 2000.-592 с.

73. Гультяев А. Визуальное моделирование в среде MATLAB: учебный курс- СПб: Питер, 2000. 432 с.

74. Дьяконов В. Simulink 4. Специальный справочник. СПб: Питер, 2002. -528 с.

75. Холин А. А., Бруснецов Ю. А. Система управления вакуумным напылением.//Труды ТГТУ. 2001, № 10, с. 183-185.

76. Юдин А. В., Семенова С. Э. Анализ точностных характеристик фотометрического датчика толщины пленок // Датчики и системы. 2001. - № 11.- С. 44-46.

77. Новиков Ю. В., Калашников О. А., Гуляев С. Э. Разработка устройства сопряжения для персонального компьютера типа IBM PC. Под общ. ред. Новикова Ю. Д. Практ. пособие М.: ЭКОМ, 1997 - 224 с.

78. Abeles F. // Comptes Rendus des Seances de l'Academie des Sciences.- Paris, 1949. V. 228.-P. 553.

79. Ruis-Urbieta M., Sparrow E. M., Eckert E. R. G. // J. Opt. Soc. of America. -1971. -61. -P. 351-359.

80. Pliskin W. A., Esch R. P. // J. of Appl. Phys. 1968. - V. 36. - № 6. - P. 2011.

81. Черняев В. Н., Обичкин Ю. Г., Семенов Э. И. Прибор для измерения показателя преломления тонких диэлектрических пленок // Оптико-механическая промышленность. 1975. - № 12. - С. 38 - 40.

82. Краткий справочник физико-химических величин. Под ред. К. П. Мищенко и А. А. Равделя.-JL: Химия, 1972.-200 с.