автореферат диссертации по машиностроению и машиноведению, 05.02.11, диссертация на тему:Разработка и исследование радиационного метода контроля на основе полупроводникового преобразователя жесткого тормозного излучения

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. МЕТОДЫ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЖЁСТКОГО ТОРМОЗНОГО

ИЗЛУЧЕНИЯ, ПРИМЕНЯЕМЫЕ В ИНТРОСКОПИИ.

§ I.I. Краткий обзор развития методов и средств визуализации изображений.II

§ 1.2. Люминесцентные преобразователи.

1.2.1. Флюороскопические экраны

1.2.2. Сцинтилляционные кристаллы

§ 1.3. Преобразователи, использующие явление внутреннего фотоэффекта.

1.3.1. Рентген-видикон

1.3.2. Преобразователи с косвенной модуляцией

1.3.3. Мозаичные полупроводниковые преобразователи

1.3.4. Преобразователи на основе комбинированных детекторов

§ 1.4. Сравнение чувствительности интроскопических систем.

Выводы к главе I.

ГЛАВА 2. РЕГИСТРАЦИЯ ЖЁСТКОГО ТОРМОЗНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

ПЛОСКИМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕМ ИЗ КРЕМНИЯ.

§ 2.1. Моделирование переноса быстрых заряженных частиц.

§ 2.2. Взаимодействие моноэнергетического гамма-излучения с плоским преобразователем из кремния

§ 2.3. Моделирование переноса гамма-квантов через вещество.

2.3.1. Спектры жесткого тормозного излучения по поглотителями из стали.

2.3.2. Энергетические факторы накопления для рентгеновского излучения.«

§ 2.4. Взаимодействие жесткого тормозного излучения, прошедшего поглотитель, с преобразователем из кремния.

Выводы к главе 2.

ГЛАВА 3. ПОВЫШЕНИЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

С ПОМОЩЬЮ УСИЛИВАЮЩИХ ЭКРАНОВ.

§ 3.1. Влияние передних усиливающих экранов на регистрацию моноэнергетического гамма-излучения

§ 3.2. Регистрация жесткого тормозного излучения преобразователем с передними и задними усиливающими экранами

§ 3.3. Боковые усиливающие экраны в мозаичном подупроводниковом преобразователе.

§ 3.4. Взаимное влияние детекторов и конструкция мозаичного преобразователя жесткого тормозного излучения

§ 3.5. Апертурные характеристики детекторов.

Выводы к главе

ГЛАВА 4. АНАЛИЗ РАБОТЫ ДЕТЕКТОРОВ И СРАВНЕНИЕ

С ЭКСПЕРИМЕНТАМИ.

§ 4.1. Эквивалентные схемы ВД1ДМ - и ЬЩД-структур с постоянным смещением.

§ 4.2. Импульсные и переходные характеристики детектора излучения на основе Щ1-структуры с постоянным смещением.

§ 4.3. Эквивалентная схема ВДЩМ-структуры с ВЧ смещением.

§ 4.4. Коэффициент усиления ЩПДМ-структуры с ВЧ смещением.

§ 4.5. Экспериментальные подтвервдения подученных результатов и практические рекомендации.

Выводы к главе 4.

Радиационная интроскопия является в настоящее время наиболее оперативным методом контроля, позволяющим получать изобра -жение дефекта непосредственно в момент просвечивания. Современное производство ставит перед интроскопией задачу обнаружения дефектов в изделиях большой толщины (до 40 см стали), которую можно решить, используя мощные источники жёсткого тормозного излучения, в частности бетатроны, микротроны или линейные ускорители. В то же время чувствительность существующих интроскопи-ческих систем оказывается в этом случае слишком низкой либо вследствие низкой эффективности регистрации жёсткого тормозного излучения ускорителя преобразователем, либо из-за больших по -терь информации при преобразовании сигнала в канале интроскопа. Таким образом, возникает проблема создания интроскопической системы нового типа на основе преобразователя, обладающего достаточно высокой эффективностью регистрации жёсткого тормозного излучения, и со значительно меньшими потерями информации в канале.

Интроскопические системы на основе флюороскопических экранов обладают низкой чувствительностью из-за малой толщины экранов. В этом плане они не могут конкурировать с системами на основе сцинтилляционных кристаллов, но большое число ступеней преобразования в канале телевизионного интроскопа со сцинтилля-ционным кристаллом приводит к резком/ снижению чувствительности. К недостаткам таких систем следует отнести также низкую надёж -ность и сложность в эксплуатации вакуумных передающих телеви -зионных трубок (суперортикона или изокона) и влияние наведённой радиации, засвечивающей кристалл в промежутке между импульсами излучения ускорителя. В то же время использование явления внутреннего фотоэффекта для регистрации жесткого тормозного излучения позволяет производить практически прямое преобразование энергии, поглощенной в преобразователе, в электрический сигнал. Это явление лежит в основе работы рентген-видикона, но его мишень также имеет низкую эффективность регистрации жёсткого тормозного излучения и подвержена воздействию наведённой радиации. Построение интроскопической системы с мозаичным полупроводниковым преобразователем на основе детекторов типа структур металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл (ЩПДМ) с высокочастотным (ВЧ) смещением позволяет получить высокую эффективность регистрации жёсткого тормозного излучения, дополнительное усиление сигнала до введения его в цепи памяти и сканирования, а также избавиться от влияния наведённой радиации путём очувствления структур на короткое время. Кроме того, такая система является безвакуумной, что выгодно отличает её от имеющихся ин-троскопических систем и соответствует современным тенденциям развития техники визуализации изображений.

Исследованию радиационного метода контроля с использованием полупроводникового преобразователя жёсткого тормозного излучения и посвящена настоящая диссертация.

В первой главе дан обзор и анализ существующих методов и средств преобразования жёсткого тормозного излучения, производится выбор типа детектора и полупроводникового материала, сравниваются чувствительности различных интроскопи-ческих систем.

Во второй главе моделируется перенос быстрых заряженных частиц и гамма-квантов и рассчитываются сигналы и шумы при регистрации жесткого гамма-излучения с учетом переноса заряженных частиц. Подучены спектры жесткого тормозного излучения за стальными поглотителями и энергетические факторы накопления. Рассчитаны зависимости сигнала, отношения сигнал/шум и контраста цри контроле жестким тормозным изучением от толщин поглотителя и преобразователя. По подученным данным определяется дефектоскопическая чувствительность метода.

В третьей главе проводятся расчеты влияния передних и боковых усиливающих экранов из свинца на величины сигнала, отношения сигнал/щум и контраста. Рассчитаны апертур-ные характеристики и взаимное влияние детекторов.

В четвертой главе разработан метод анализа быстрых релаксационных процессов установления равновесия между внешним полем и полем объемного заряда в полупроводнике. В результате подучены эквивалентные схемы детекторов с посто -янным и ВЧ смещением, а также импульсные и переходные характеристики ВД1-структуры с постоянным смещением. Подучено выражение для коэффициента усиления ЦЩЦМ-структуры с ВЧ смещением с учетом движения основных носителей, рекомбинации на границах и диффузионного расплывания сгустка избыточных носителей. В конце главы приводятся экспериментальные подтверждения полученных результатов и некоторые практические рекомендации.

В заключении суммируются основные результаты проделанной работы.

Список литературы содержит 130 наименований отечественных и зарубежных источников*

Приложения к диссертации содержат блок-схемы программ, таблицы спектров, результаты расчета поглощенной энергии и шумового фактора при взаимодействии гамма-излучения с кремниевым преобразователем, а также акт внедрения.

На защиту выносятся следующие положения.

1. Метод интроскопического контроля на основе твёрдотельного преобразователя, выполненного с использованием ВД1ДМ -структур с ВЧ смещением, при регистрации жесткого тормозного излучения с максимальной энергией 20-30 МэВ и мощностью дозы 3,0.10"^ Кл/кг.с (70 Р/мин) позволяет получать высокую надёжность и дефектоскопическую чувствительность, достигающую одного процента при контроле стальных поглотителей толщиной около 10 см.

2. Повышения чувствительности контроля можно достичь,применяя передние и боковые усиливающие экраны, эффективность которых растёт с увеличением толщины контролируемого поглотителя и максимальной энергии спектра жесткого тормозного излучения. Предложенная конструкция преобразователя сотового типа позволяет в несколько раз увеличить дефектоскопическую чувствительность при больших толщинах поглотителя и довести её до одного процента при контроле 30 см стали.

3. Выбор режима работы преобразователя следует производить с учётом того, что нижняя граница допустимых частот ВЧ смещения меняется пропорционально корню квадратному из амплитуды приложенного напряжения.

4. Учёт движения основных носителей заряда, рекомбинации на границах и расплывания сгустка избыточных носителей заряда приводит к уточнению оценки коэффициента усиления детектора на 30 %.

По материалам диссертации опубликовано 15 работ в центральной печати, подучено 2 авторских свидетельства на изобретения и положительное решение по заявке на авторское свидетельство. Материалы диссертации докладывались на региональной научно-практической конференции "Молодые учёные и специалисты - народному хозяйству", г.Томск, 1977 г., на второй республиканской научно-технической конференции "Новые физические методы и средства контроля промышленных изделий", г.Минск, 1978 г., на девятой Всесоюзной научно-технической конференции " Неразрушагацие физические методы и средства контроля", г.Минск, 1981 г., на секции полупроводниковых первичных преобразователей седьмого Всесоюзного семинара по оптическим и электрооптическим методам и средствам передачи, преобразования, переработки и хранения информации, г.Москва, 1981 г., на третьем и четвертом Всесоюзных совещаниях по применению ускорителей заряженных частиц в народном хозяйстве, г.Ленинград, 1979 и 1982 гг. и на втором Совещании "Подупроводниковые детекторы ядерного излучения на широкозонных материалах", г.Новосибирск, 1983 г.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Проведены расчёты средней поглощенной энергии и шумово -го фактора для различных толщин преобразователя из кремния при регистрации жесткого гамма-излучения различных энергий. Получе -ны спектры и энергетические факторы накопления для жесткого тормозного излучения за стальными поглотителями различных толщин.

2. Рассчитаны зависимости сигнала, отношения сигнал/щум и контраста от толщины стального поглотителя для различных толщин преобразователя при контроле жестким тормозным излучением. При мощности экспозиционной дозы 4,3ЛО"4 Кл/кг.с (100 Р/мин), времени накопления 0,04 с, площади детектора 0,1 см2 и толщине преобразователя I см получены значения дефектоскопической чувстви -тельности от 0,65 % при контроле 10 см поглотителя до 3 % при просвечивании 30 см стали.

3. Показано, что оптимальная толщина переднего усиливагаце -го экрана из свинца возрастает от 2,2 до 3 мм при увеличении максимальной энергии жесткого тормозного излучения от 20 до 30 МэВ и практически не зависит от толщин кремния и стального поглотителя.

4. Показано, что эффективность оптимального переднего усиливающего экрана растёт при увеличении максимальной энергии жёсткого тормозного излучения, уменьшении слоя кремния и увеличении толщины стали, изменяясь от 1,1 до 1,7 при возрастании слоя поглотителя от 2,5 до 30 см, максимальной энергии спектра 30 МэВ и I см кремния.

5. Показано, что для цилиндрического детектора диаметром

3 мм с образующей, ориентированной параллельно переносу излучения и равной I см, оптимальная толщина боковых усиливающих экранов из свинца растёт от 0,3 до 0,4 мм при увеличении толщины стального поглотителя от 2,5 до 30 см и максимальной энергии спектра тормозного излучения 20-30 МэВ. Эффективность оптимального бокового усиливающего экрана возрастает от 1,2 до 1,65 при увеличении слоя стали от 2,5 до 30 см, максимальной энергии излучения 30 МэВ и тех же размерах детектора.

6. Рассчитано взаимное влияние детекторов и их апертурные характеристики. Предложена конструкция преобразователя, включающая передние и боковые усиливающие экраны и позволяющая повысить дефектоскопическую чувствительность в 2,7 раза при контроле стального поглотителя толщиной 30 см.

7. Проведён анализ быстрых релаксационных процессов уста -новления равновесия между внешним полем и полем объёмного заряда в полупроводнике, в результате которого получены эквиватент-ная схема ЩПДМ-структуры с постоянным смещением, пределы применимости эквивалентной схемы, импульсные и переходные характеристики детектора излучения на основе ВДПДМ-структуры. Установлена зависимость инерционности такого детектора от степени обеднения полупроводника.

8. Показано, что движение основных носителей в полупроводнике под действием ВЧ напряжения подчиняется уравнению Риккати с одним параметром, характеризующим влияние поля объёмного заряда. Подучены решения этого уравнения для различных значений параметра, из которых следует увеличение инерционности ВДПДМ -структуры при уменьшении амплитуды ВЧ напряжения и возможность работы на частотах более 2,5 МГц при амплитуде ВЧ напряжения 100 В для структур на основе кремния р-типа с удельным сопротивлением 10^ Ом.см и толщиной в направлении приложения поля 3 мм. Получено уточнённое выражение для коэффициента усиления детектора с учётом рекомбинации на границах, диффузионного рас -плывания сгустка избыточных носителей и движения основных носителей.

Исследованный метод может использоваться для контроля жестким тормозным излучением изделий большой толщины. Методика расчёта сигнала и шумов применима для расчёта любых цреобразо -вателей излучения, в том числе с усиливающими экранами, и позволяет проводить оптимизацию с целью получения максимальной чувствительности.

Метод получения эквивалентной схемы ЩПДМ-структуры и рассмотрения динамики образования обеднённой зоны может быть использован в изучении быстрых релаксационных процессов в полупроводниках при различных импульсных воздействиях.

Дальнейшее усовершенствование метода контроля с исполь -зованием полупроводникового преобразователя лежит на пути разработки детекторов на основе новых полупроводниковых материалов с большим эффективным атомным номером и плотностью, увеличения разрешающей способности за счёт миниатюризации детекторов и систем сканирования (специализированные микросхемы) , применения методов апертурной коррекции, а также сочетания полупроводникового преобразователя с ЭВМ, снабженной специальными алгоритмами обработки информации.

Автор благодарит кандидата технических наук, доцента В.С.Мелихова за полезные обсуждения, постоянную поддержку и внимание к работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данной работе была поставлена задача: определить предельные возможности метода интроскопического контроля жестким тормозным излучением поглотителей больших толщин с применением полупроводникового преобразователя на основе ЦЦВДМ-1структур с ВЧ смещением, оценить преимущества данного метода, исследовать пути повышения чувствительности метода с помощью усиливающих экранов, провести анализ процессов, происходящих в детекторах под действием излучения и электрического поля, с целью определения режимов работы структур ЩПДМ.

1. Добромыслов В,А., Румянцев С.В. Радиационная интроскопия. -M.S Атомиздат, 1972. - 352 с.

2. Варбанский A.M. Телевидение. М. : Связь, 1973. - 464 с.

3. Зворыкин В.К., Мортон Д.А. Телевидение. М.: Изд-во иностр. лит., 1956. - 784 с.

4. Роуз А. Зрение человека и электронное зрение. М.: Мир, 1977. - 216 с.

5. Золотарёв В.Ф. Безвакуумные аналоги телевизионных трубок. -М.з Энергия, 1972. 216 с.

6. Полупроводниковые формирователи сигналов изображения / Под ред. П.Йесперса и др. М.: Мир, 1979. - 576 с.

7. Сангстер, Тир. "Пожарные цепочки". Зарубежная радиоэлектроника, X97I, № 10, с.116-125.

8. ЛоуСе W.S., SmithG.Е. Charge CoupCed Semiconductor devices,-Mi System Jechn.J., 1970,v.49,/Tj,p. 587-593. . .

9. Моди H., Пол В., Джой M. Медицинские гамма-камеры. Обзор. -ТИИЭР, 1970, т.58, № 2, с.41-70.ю. Parker R. Р., Gunnersen Е. М.,Ufanktincj. 3.L.,

10. Etiti R-.Л Semiconductor Gamma Camera with

11. Quantitative Output. In : Medical Radioisotope

12. Scintigraphy: IЛЕЯ Sijтр.(Saliburcj).Vienna,I969,u.l ,p. 71-85.1.. Mc Cready.tf.R.,Parker RA,&unnersen E.M.,ElUsR.,MossE.,

13. Gore Uf.G.f$ett J. CCinicaC tests on a Prototype

14. Semiconductor 9 am ma Camera, -(ftrit. J Radiol., 1971, V, 44, VJ/7, p. 58 -62.

15. Петушков А.А. Полупроводниковые детекторы адерных излучений в медицине и биологии. М.: Медицина, 1976. - 152 с.

16. Owen R.S., dwcock M.L. One and Two Dimensional Position Sensing Semiconductor DetectorsrIEEE Утопе. Kuct. Set., /968, v. MS -15 ,ff3,p. 290-303.

17. Адаменко A.A., Валевич М.И. Радиационный неразрушающий контроль сварных соединений. Киев:. Техника, 1981.- 160 с.

18. Дцаменко А.А., Валевич М.И., Шалдерван П.И. Радиометричес -кий дефектоскоп для непрерывного визуального контроля материалов и изделий. Изв.вузов. Приборостроение, 1979, т.22, № 5, с.66-70.

19. ГР 74048070; Инв. $ Б 338773. Томск, 1974. - 163 с.

20. Горбунов В.И., Мелихов B.C. Полупроводниковые детекторы жёсткого тормозного излучения в дефектоскопии / При участии И.М.рубиновича/. Дефектоскопия, 1978, № 2, с.28-36.

21. Положительное решение по заявке 3530932/18-09. Способ компенсации неравномерности видеосигнала матричного фотоприёмника / Н.Ю. Герасёнов, И.М.Г^бинович.

22. Герасёнов Н.Ю., Рубинович Й.М. Отношение сигнал/шум на выходе интроскопа с мозаичным полупроводниковым преобразователем жесткого тормозного издучения и цифровой обработкой информации. Дефектоскопия, 1983, № I, с.69-77.

23. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1982. -376 с.

24. Ильина М.А., Гурвич A.M. Эксплуатационные свойства люминесцентных экранов для рентгеноскопии. Заводская лаборатория, 1964, т.30, № 5, с.580-584.

25. Иванов В.И. ftypc дозиметрии. 3-е изд., перераб. и доп. -М.: Атомиздат, 1978. - 392 с.

26. Гурвич A.M., Катомина Р.В. О выборе светосостава для рентгеновских экранов. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1961, т.25, № 4, с.506-508.

27. Гурвич A.M. Рентгенолюминофоры и рентгеновские экраны. -М.: Атомиздат, 1976. 152 с.

28. Холмшоу. Методы визуализации рентгеновского и гамма-издуче-ния. В кн.: Методы неразрушагацих испытаний: Физическиеосновы, практические применения, перспективы развития / Под ред. Р.Шарпа. М.: Мир, 1972, гл.8, с.261-287.

29. Wgcherley J.R.,Shemmans M.J. Fluoroscopy with а Marconi 12in. Image dmpliftez at 15 MeV and 18 MeV. -dppl. Mater. Res., 1966, p. 195-199.

30. Vincent <3J.,Shemmans M. J.(Fluoroscopy urith a Marconi 12 in.I mage ^Amplifier at Energies up to 5МеУ.-Лрре. Mater.Res.,1966,v.5} /S3,p. 172-180.

31. Rosed.Fke Sensitivity Performance of the Human Eye on an (Absolute Scale. J. Opt. Soc. dim., №8, V. 38, tf2, p. 196-205.

32. Sturm R.E., Morgan R. H. Screen Intensification Sgsterns and <f/teir Limitations .-dmЛ Roentgenol. Rod. (Ther., Ш, v. 62f X5, p. 617- 634.

33. Fowler F.F.Jhe Fundamental Limits of Information Content in Solid Stale Image Intensifying Panels Compared with Other Intensifying Systems.-3rit. J. Radiol., I960, v. , Уд90у p. 352 337. ■

34. Воробьёв A.A., Горбунов В.Й., Воробьев В.Д., Титов Г.В. Бетатронная дефектоскопия материалов и изделий. М.: Атом-издат, 1965. - 180 с.

35. Егоров Ю.А. Сцинтилляционный метод спектрометрии гамма-из -дучения и быстрых нейтронов. М.: Госатомиздат, 1963. -308 с.

36. Polanshy £>.,Criscuolo E.L.Characteristics of a Closed Link Television X- Roy Inspection System. - Monde s tr. (Testing, 1956, v. ,JV3, p. 18 -<?/.

37. Эйнгер, Дэвис. Эффективность регистрации гамма-лучей и пространственное разрешение йодистого натрия. Приборы длянаучных исследований, 1964, № 6, с.37-42.

38. ЗаЦцман Г.И., Свирякин Д.И., Шпагин А.П. Оценка свойств некоторых сцинтилляторов как преобразователей гамма-изображения в видимое. ПТЭ, 1966, № 6, с.90-93.

39. Горбунов В.И., Шпагин А.П. Исследование характеристик радиационных интроскопов. В кн.: Электронные ускорители: Труды У1 Межвузовской конференции по электронным ускорителям. Томск, 21-26 февраля 1966 г. М.: Энергия, 1968, с.569-576.

40. Забродский В,А., Недавний О.И. Влияние рассеянного излуче -ния на изображение дефекта при интроскопии высокоэнергети -ческим тормозным излучением. Дефектоскопия, 1978, № 3,с.35-42.

41. Бьгоб Р. Фотопроводимость твёрдых тел. М.: Изд-во иностр. лит., 1962. - 560 с.

42. Быков Р.Е., Коркунов Ю.Ф. Телевидение в медицине и биологии. Л.: Энергия. Ленингр. отд -ние, 1968. - 224 с.

43. Малахов И.К. Применение гамма-дучей и ультразвука в телевидении. Техника кино и телевидения, 1961, № 7, с.76-83. .

44. Левин, Фейнголд. Система видения миллиметрового диапазона для работы в любых метеорологических условиях. Электроника, 1970, т.43, № 17, с.16-23.

45. Полупроводниковые детекторы в дозиметрии ионизирующих излучений / Кронгауз А.Н., Ляпидевский В.К., Мандельцвайг Ю.Б.,

46. Подгорный В.Н.; Под ред. докт.техн.наук В.К.Ляпидевского. -М.: Атомиэдат, 1973. 180 с.

47. Прикладная спектрометрия с полупроводниковыми детекторами / Балдин С.А., Вартанов Н.А., Ерыхайлов Ю.В., Иоаннесянц Л.М., Матвеев В.В., Сельдяков Ю.П. М.: Атомиздат, 1974. - 320 с.

48. Mayer J., Gossick Use of du -Ge $roaddrea(Carrier as dEpha -ParticEe Spectrometer. -Rev.Sctlnstrum., 1956, v. 27 7 AT 6, p. Ш -Ш.

49. Акимов Ю.К., Калинин А.И., Кущнирук В.Ф., Юнгклауссен X. Полупров одниковые детекторы ядерных частиц и их применение

50. Под ред. канд.физ.-мат. наук Ю.К.Акимова. М.: Атомиздат, 1967. - 256 с.

51. Дирнли Дж., Нортроп Д. Полупроводниковые счётчики ядерных излучений. М.: Мир, 1966. - 360 с.

52. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников, М.: Наука, 1971. - 480 с.

53. Martin cF. Uf. IntegratedЕ and df/dx Semiconductor ParticEe /Detectors Made 6y Ion Implantation. -tfucE. Inst rum. Meth .,1969, v.72, tf 2,p. 223-225.

54. Легирование полупроводников ионным внедрением: Сборник статей / Пер. под ред. В.С.Вавилова, B.M.ItyceBa. М.: Мир, 1971. - 532 с.

55. Set carz Е., Chwaszczeurska3.t Stapa М., Szymczak М., <7ysJ, Surface Carrier Lithium drifted SiCicon Юе tec tor with Evaporated Guard Ring.-NucC. Instzum. Meth.,1970, i/.77/l,p.21-28.

56. PeEE £ M. Ion £)rift in an n-p Junction- J. Qpp€. PhtfS., I960, tr. 31,j/t2, p. 291-302.

57. Роуз А. Основы теории фотоцроводимости. М.: Мир, 1966. -192 с.

58. Eddoiis &V., Wright Н.С. Photocurrent &ain ina. c. c&Lased Photoconductors. $ri t. J. dpp£, Phys., 196b, v. /, tftl, p, №9 -1457.

59. Соммерс. Демодуляция широкополосных слабых оптических сигналов при помощи полупроводников. ТИИЭР, 1963, т.51 , № I, с.179-185.

60. Соммерс, Тейч. Демодуляция широкополосных слабых оптичес -ких сигналов при помощи полупроводников. Часть.П: анализ работы детектора на фотосопротивлении. ТИИЭР, 1964, т.52, & 2, с.150-159. .

61. Соммерс мл., Гетчелл. Демодуляция широкополосных слабых оптических сигналов при помощи полупроводников. Часть Ш: экспериментальное исследование приёмников излучения на фотосопротивлении. ТИИЭР, 1966, т.54, Г» II, с.58-75.

62. Мендел JI. Флуктуации изображения в многокаскадных усилите -лях яркости. В кн.: Каскадные электронно-оптические пре образователи и их применение: Сборник статей. М.: Мир, 1965, с.233-239.

63. Шпагин А.П. Разработка и исследование радиационного телевизионного интроскопа: Дис. на соиск.учён. степени кацц.техн. наук. Томск, 1967. - 208 с.

64. Mann H. H.R., Sherman I. S. OBseri/ations on the Energy Resolution of GermaniumiDetectors for 0,1-10 Me V Gamma-Rays.-IEEETrans. MucE. Sci., 1966, tr.JVS-13, Jf3,p. 252 264.

65. Meyer 0., Lanymann H.J. HersteEEuno und Untcrsuchuny von dicken oasisfreien OBerEachen Sperrschicht -ZahEern -NucE.Instrum. Meth.,1966, v.39,Nl,p. 119 -12%.

66. Sher d.H. Carrier (Trapping in Ge(Li)^Detectors. -IEEE frans. NucE. Sci., 1971, tr. WS -16 , Ml,p. 175-183.

67. Henck R., Gutknecht Ю., Siffert P.,Z)eLaet L ., Schoenmaekers W. frapp Lay Effects In Ge (Li)сdetectors and Search for a Correlation with Characteristics Measured on the P-fype CrystaEs-IEEE Jrans. NucE. Sci., 1970, и, JVS-179M3-,tp. 149-159.

68. Ван дер Зил А. Флуктуации в радиотехнике и физике. М.; Л.: Госэнергоиздат, 1958. - 296 с.

69. Ван дер Зил А. Шум (источники, описание, измерение). М.: Сов.радио, 1973. - 228 с.

70. Кольчужкин A.M., Учайкин В.В. К расчёту выявляемости дефектов в сцинтилляционной гамма-дефектоскопии. Дефектоскопия,1969, № I, с.86-94.

71. Katz L., Penfotd Л. S. flange-Energy Relation for Electrons and the Determination of Seta-Rag End Poin t Energies 6g Absorption. - Rev. Mod. Phgs.,

72. Воробьёв А. А., Кононов Б.А. Проховдение электронов.через вещество. Томск: йзд-во Томск. ун-та, 1966. - 178 с.

73. Аккерман А.Ф., Никитушев Ю.М., Ботвин В.А. Решение методом Монте-Карло задач переноса быстрых электронов в веществе. -Алма-Ата: Изд-во "Наука" Казахской ССР, 1972. 164 с.

74. Goudsmit S., Sounder son O.L. Muttipte Scattering of Etectrons.-Phgs. Rev., 194-0, v. 57p. 24 -29.

75. Goudsmit S. ,Saunderson J.L. MuttLpk Scattering of Etectrons.I. -Phgs.Rev., 1940, v. 58,tfl,p. 36-42.

76. Afigam J3.P., Sundaresan M.K.,Wu T-Y. J-freorg of Muttipte Scattering -. Second (Лот dtpproximation and Corrections to Mo tic re's Work.-Phgs. Ret/., 1959,if. 115 , , p. 491-502.

77. Marion O.cM.9 Zimmerman S.dt. Muttipte Scattering of Charged Partictes-Nuct. In strum .Meth., 1967, V. 51 p. 93 -101.80. (fiethe H.dt. Motiere's cTheorg of Muttipte Scattering. -Phgs. Rev., 1953, ir.89, //6,p. 1256-1266.

78. Leiss J E,, Penner S., RoSinson C. S. Range Straggling of Htyh -Energg Etectrons in Сагбоп. -Phgs.Rev., 1957, v. 107, л/6, p. 154-4 -1548.

79. Perkins J. F. Monte С art о Cat си tat ion of (Transportof Jast Etectrons.-Phys. Rev, 1962, v. 126, ss5,p.t78l4784.

80. J~rump О.О., Wright fid., Cearke d.M. tDistriSution of Ionization in Materials Irradiated 6у Jiuv and Jhree МШоп ~Mt Cathode Rays. -J.dppB. Phys., v. 21,

81. Sternheimer FL.M. Ohe density Effect for the Ionization loss in Ifarious Mater iats.-Phys, Rev., 1952, v.88, Я4, p. 851-859.

82. Stemheimer R.M. Jhe Energy loss of a Sast Charged Particle 6y Cerenkov Radiation. -Phys. Rev., 1953, V.9t,JT2, p 256-265.

83. JeEdman О. Range of 1-lOkeV Electrons in So fids. -Phys. Rev., 1950, V. 117, ЛГ2, p. U55-459.

84. Альфа- , бета- и гамма-спектроскопия. Вып.I / Под ред. К.Зигбана. М.: Атомиздат, 1969. - 568 с.

85. Стародубцев С.В., Романов A.M. Взаимодействие гамма-излучения с веществом: Часть I. Источники гамма-излучения и элементарные процессы взаимодействия гамма-лучей с веществом.-Ташкент: Изд-во "Наука" Узбекской ССР, 1964. 252 с.

86. Сторм Э., Исраэль X. Сечения взаимодействия гамма-излуче -ния: Справочник. М.: Атомиздат, 1973. - 256 с.

87. Росси Б. Частицы больших энергий. ГИТТЛ, 1955. - 636 с.

88. Stearns М. Mean Square dn^es of JSremsstrahZung, and Pair Production. -Pfiys. Rev., /049, ir. 76\ at6,p. 836 839.

89. Аккерман А.Ф., Ботвин В.А., Чернов Г.Я. Вторичные излучения из плоской мишени, облученной высокоэнергетичными J' -квантами. Алма-Ата, 1976. - 24 с. - (Препринт / Институт физики высоких энергий Академии наук Казахской ССР: ИФВЭ-28 -76 ). .

90. ФаноУ., Спенсер Л., Бергер М. Перенос гамма-излучения. М.: Госатомиздат, 1963. 284 с.

91. Кольчужкин A.M.Учайкин В.В. Введение в теорию прохождения частиц через вещество. М.: Атомиздат, 1978. - 256 с.

92. Гольдштейн Г. Основы защиты реакторов. М.: Госатомиздат, 196I. - 344 с.

93. Кузнецов В.Б. Исследование переноса тормозного излучения с энергией 1-30 МэВ: Дис. на соиск. учён, степени кацц. физ.-мат. наук. Томск, 1965. - 139 с.

94. White G.R.&he Penetration and diffusion of Co Gamma -Rays in Water Using Sphericae Geometryr Phys. Rev., /950, v. 80, sf2, p. 154- -156.

95. Кимель Л.P. Определение фактора накопления в барьерной геометрии. Атомная энергия, 1963, т.14, вып.З, с.315-316.

96. Schijf LJ.Energy-dnyte £)istri6ution of (Thin Jar yet <%remsstrah£ung. -Phys. Rev., /951,v. 83, Я 2, p. 252 255.

97. Янкелевич Ю.Б. Исследование многократного рассеяния гамма-излучения с энергией 100-1000 кэВ: Дис. на соиск. учён, степени канд. физ.-мат» наук. Томск, 1965. - 103 с.

98. Якобсон А. М., Джгалян К. М. Экспериментальное определение контраста рентгеновского изображения дефектов в изделиях. -Заводская лаборатория, 1963, т.29, № 7, с.811-813.

99. Шпагин А.П., Выстропов В.И. К расчёту контраста рентгеновского изображения. Дефектоскопия, 1972, № 3, с.118-122.

100. Шпагин А.П., Рубинович И.М. Энергетические факторы накоп -ления для рентгеновского излучения. Заводская лаборато -рия, 1982, т.48, №7, с.49-51.

101. Машкович В.П. Защита от ионизирующих излучений: Сцравоч -ник. 3-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергоатомиздат, 1982. - 296 с. .

102. Орлов А.Н. Расчёт влияния рассеянного излучения на чувствительность радиографического метода. В кн.: Гамма-дефек -тоскопия металлов. М.: Изд-во АН СССР, 1955, с.22-53.

103. НО. Голиков Е.Г., Зольников П.П., Q/ханова К.А. Характеристики излучения, отражённого свинцовыми экранами при бетатронографии. Дефектоскопия,1974, № 2, с.97-100.

104. Румянцев С.В. Радиационная дефектоскопия. 2-е изд.,пере-раб. и доп. - М.:Атомиздат,1974. - 512 с.

105. Копелиович М.Х.,Якобсон A.M. Металлическая пластина в качестве электронного преобразователя гамма (рентгеновских) изображений. В кн.:Интроскопия. М.: Изд-во ЦНИИ ТЭИ приборостроения, 1967, вып.I , с.54-61.

106. ИЗ. Огееп £).Z,Xiktas UJ.Z Лп Image IntensLfLer fi/Se with. High Sain /or I MeV Photons. Mater. Evaluation, /954, v. 22, fsTIO, p. 465- 470.

107. Мелихов B.C.,Рубинович И.М. Эффективность усиливающих экранов в мозаичном полупроводниковом преобразователе и апертур-ные характеристики датчиков. -Дефектоскопия,1982, № 12,с.54-60.

108. А.с. 766467 (СССР). Мозаичный преобразователь жесткого ионизирующего излучения / В.С.Мелихов,И.М.Рубинович.-Опубл. в1. Б.И.,1982, № 43 .

109. А.с.1005225 (СССР).Мозаичный преобразователь жесткого ионизирующего излучения / Н.Ю.Герасенов, В.С.Мелихов, И.М.Рубинович.

110. Рыбкин С.М. 0 так называемом "вторичном" и "сквозном" фототоке в полупроводниках. ЖТФЛ956, т.26, вып.Ц, с.2439-2447.

111. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -М.; Физматгиз, 1963. 496 с.

112. Ковтонюк Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник-диэлектрик. М.: Энергия, 1976. - 184 с.

113. Heiman J. P. On the determination of Minority Carrier Lifetime from the (Transient Response of an MOS Capacitor. -IEEE Jrans. Electron {Devices, 1967, v. ЕЮ-lb, /Ml, p 781 -784.

114. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. 3-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергия, 1973. -608 с.

115. Горбачёв В.В., Гохфельд Ю.И. Импеданс ЩПДМ-структуры. -Радиотехника и электроника, 1973, т.18, вып.9, с.1986-1988.

116. Мелихов B.C., Рубинович И.М. Фотоэлектрические свойства ЩПДМ-структур с высокочастотным смещением. Томск, 1980.29 с. - Рукопись представлена Томск, политехи, ин-том им. С.М.Кирова. Деп. в ВДИИ "Электроника" 3 февраля 1981 г.,

117. ДЭ-3125. Реф.: МРС ВИШ "Техника, технология, экономика" , Сер. " ЭР " , 1981, № 24.

118. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике: Для научных работников и инженеров. 4-е изд. - М.: Наука, 1977. -832 с.

119. Камке Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям. 5-е стереотип, изд. - М.: Наука, 1976. - 576 с.