автореферат диссертации по металлургии, 05.16.01, диссертация на тему:Получение и соединение индиевых контактов в изделиях микроэлектроники

ВВЕДЕНИЕ.

1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.

1.1. АНАЛИЗ МЕТОДОВ ФОРМИРОВАНИЯ СОЕДИНИТЕЛЬНЫХ ТОКОПРОВОДЯЩИХ МИКРОСТОЛБОВ ДЛЯ СБОРКИ ИС-ПОДЛОЖКА.

1.1.1. Формирование оловянно-свинцовых микростолбов.

1.1.1.1. Метод нанесения припоя с применением ультразвука без применения электрического тока.

1.1.1.2. Метод электроосаждения припоя.

1.1.1.3. Метод вакуумного напыления.

1.1.2. Формирование индиевых микростолбов.

1.1.2.1. Формирование индиевых столбов методом вакуумного напыления.

1.1.2.2. Формирование индиевых столбов методом двустадийного вакуумного напыления.

1.2. МЕТОДЫ И ПРОЦЕССЫ ДЛЯ СОЕДИНЕНИЯ ИС-ПОДЛОЖКА.

1.2.1. Метод соединения проволокой.

1.2.2. Автоматизированное соединение на ленточном носителе.

1.2.3. Метод перевернутого кристалла.

1.2.3.1. Процесс соединения с помощью токопроводящих столбиков.

1.2.3.2. Процесс соединения с помощью термокомпрессии.

1.2.3.3. Процесс термозвукового соединения.

1.2.3.4. Процесс соединения с помощью клеев (изотропных, анизотропных, непроводящих).

1.2.3.5. Соединение с помощью сварки давлением.

Во второй половине XX века в электронике сложилась устойчивая тенденция к уменьшению размеров элементов микросхем и увеличению числа контактных выводов (контактных площадок) на микросхему. Вследствие этого возникла необходимость в разработке новых технологий сборки микросхем с ответной частью (подложкой, многослойной печатной платой, гибким носителем и т. д.), так как осуществлять проводную разварку увеличивающего количества контактных площадок становилось все труднее и труднее. Для этого, исследовался целый класс материалов (припоев) для создания контактных столбиков (микростолбов, микросфер, соединительных столбов и т. д.) на контактных площадках либо микросхем, либо подложек, таких как золото, олово, свинец, индий, серебро, различные сплавы на их основе и др., а также способы получения контактных столбиков.

Одним из основных методов для сборки интегральных схем (ИС) стал метод перевернутого кристалла. Суть метода заключается в том, что ИС с уже сформированными контактными столбиками кладется на подложку в перевернутом виде, контактные площадки ИС совмещаются с контактными площадками подложки и происходит спайка. Принцип использования метода перевернутого кристалла (флип-чип метод) при гибридной сборке ИС и способ их присоединения к плате были запатентованы в США в 1961 г. [1].

В настоящее время сборки, полученные методом перевернутого кристалла, широко используются в часах, мобильных телефонах, переносных переговорных устройствах, дисководах, слуховых аппаратах, жидкокристаллических экранах, контроллерах автомобильных двигателей, компьютерах. Количество сборок, полученных методом перевернутого кристалла, достигло в 2002 году 1 млрд.

Инфракрасные фотоприемные устройства применяются в военной технике, строительстве, медицине, в устройствах по контролю за состоянием окружающей среды [2-4]. В основном это матрицы большого формата, для сборки которых со схемами считывания необходимо использовать метод перевернутого кристалла, так как требуется соединить каждый пиксель матрицы с соответствующим выводом схемы считывания [5].

На сегодняшний день в основном используются такие технологии для получения контактных микростолбов, как вакуумное напыление материала контактных столбиков; электрохимическое осаждение оловянно-свинцового припоя различного состава для сборки кристаллов с подложкой, как с применением ультразвукового оборудования, так и без него.

О российских разработках в этой области известнр мало. В последнее десятилетие в Новосибирске была разработана технология двустадийного вакуумного напыления индиевых микростолбов для сборки инфракрасных (ИК) фотоприемных устройств (ФПУ) на основе твердого раствора кадмия, ртути и теллура (КРТ) с мультиплексором [6].

Основным материалом контактных микростолбов для сборки ИК фотоприемных устройств с мультиплексорами служит индий, так как он сохраняет свои свойства, в частности пластичность, при температуре жидкого азота, которая является рабочей температурой наибольшего количества ИК - ФПУ.

В табл.1 приведены механические свойства индия марки ИнОО чистотой 99,999% в зависимости от температуры испытания (скорость деформирования 0,023 с"1) [7].

Таблица 1

Механические свойства индия т ис 1 исп> ^ -196 -101 -58 -15 28 71

Св, МПа 13 13 6,4 .4,4 2,9 2,0

5,% 35 34 38 50 57 54

Основным технологическим процессом для изготовления индиевых микростолбов является напыление в вакууме. Данных о процессе электрохимического осаждения индия на контактные площадки ИС для последующей сборки ИС с подложкой нет ни в зарубежной, ни в отечественной литературе. Есть не опубликованные сведения о попытках проведения низкотемпературного (при комнатной температуре) процесса электрохимического осаждения индия, в результате которого на контактных площадках ИС образуется рыхлый слой кристаллического индия, не пригодный для создания надежного электрического контакта. Поэтому одна из частей настоящей работы посвящена разработке способа формирования индиевых микросфер (микростолбов) методом высокотемпературного электрохимического осаждения индия, на электрически изолированных контактных площадках ИК ФПУ для последующей его сборки со схемой считывания (мультиплексором), а также исследованию полученных микросфер.

При использовании разработанной технологии наблюдается существенная экономия индия, что дает хороший экономический эффект. Рыночная цена 0,5 кг индия марки ИнОО в 2004 году составляет 10000 рублей. Также отпадает необходимость в использовании дорогостоящего оборудования для вакуумного напыления.

В целом работа посвящена разработке и постановке базовой технологии пленарного монтажа методом перевернутого кристалла для сборки ИК ФПУ, с подложкой, в частности с контактными керамическими и сапфировыми растрами, с применением индия, исследованию процессов индирования контактных площадок микросхем и самих сборок. Составной частью в настоящую работу входит разработка технологии для изготовления соединительных индиевых столбов для сборки ИК ФПУ с мультиплексором.

Актуальность данной работы обусловлена ее востребованностью в технологическом процессе изготовления инфракрасных тепловизионных устройств на российской элементной и технологической базе.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ:

1. Исследован процесс лужения индием контактных площадок приемника ИК излучения различной площади. Разработан способ изготовления индиевых контактов на контактных площадках приемника ИК излучения площадью 300x400 мкм методом погружения кристалла в расплав.

2. Исследован процесс осаждения индия на контактные площадки приемника ИК излучения в расплаве ацетамида при температуре плавления индия и на основе этого разработан способ изготовления индиевых микррсфер на контактных площадках приемника ИК излучения площадью 19x16 мкм, расположенных на I фоточувствительном поле размером . 256x256 элементов, методом электрохимического осаждения.

3. Установлено, что при напряжении ~20-25 МПа относительное изменение высот ho/h индиевых контактов достигает 2-х для контактных площадок всех размеров, что позволяет получить надежное соединение индиевых контактов сваркой давлением.

4. Проведен расчет перепада температуры от приемника ИК излучения к сапфировой подложке для установления числа и площади контактных площадок, необходимых для эффективного отвода тепла от приемника ИК . излучения при работах режимах. Определено, что двадцати контактных площадок площадью 300x400 мкм достаточно для отведения тепла от приемника ИК излучения с перепадом температуры 0,5К. Получено экспериментальное подтверждение расчетных данных.

5. Проведены экспериментальные сборки приемников ИК излучения с предложенными сапфировыми подложками. Показано, что при использовании метода сварки давлением отсутствуют обрывы и короткие замыкания контактов.

6. Показано, что в процессе проведения термоциклических испытаний не происходит деградации и разрушения индиевых контактов, полученных методом сварки давлением. t

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Таким образом, основным преимуществом индия в качестве материала для изготовления токопроводящих столбов для сборки приемников ИК излучения является сохранение высокой пластичности при температуре жидкого азота, то есть при рабочей температуре охлаждаемых приемников ИК излучения.

По сравнению с процессами вакуумного напыления индия, использование способа изготовления индиевых микросфер методом электрохимического осаждения позволяет уменьшить расход индия в сотни раз, не использовать дорогостоящего оборудования для напыления, не применять процесса оплавления столбов до сферической формы. При относительно большой площади контактных площадок с размерами сторон от 100 до 400 мкм для формирования индиевых контактов целесообразно использовать метод , погружения кристалла в расплав, в котором происходит смачивание контактных, площадок индием его удержание силами поверхностного натяжения.

Основными преимуществами метода перевернутого кристалла перед проволочным соединением являются возможность матричного расположения контактны* площадок (по сравнению с контактными площадками, расположенными по краю кристалла); малая протяженность межкомпонентных соединений, что сводит к минимуму величину их индуктивности, электросопротивления и емкости; хорошие высокочастотные характеристики; хороший теплоотвод; высокая надежность при использовании материалов заливки; более низкая стоимость.

Использование сварки давлением необходимо, когда предельная температура нагрева образцов невысока, или во избежание образования оксидной пленки на поверхности контактов при нагреве.

Следовательно, основные проблемы заключается в разработке конструктивно-технологических подходов к изготовлению индиевых контактов на контактных площадках приемника ИК излучения и подложки с последующей операцией сборки методом перевернутого кристалла, включающей совмещение контактных площадок приемника ИК излучения с контактными площадками подложки и сварки давлением.

Для решения таких задач необходимо разработать способ изготовления индиевых микросфер методами электрохимического, и химического осаждения для формирования индиевых контактов на контактных площадках

РОССИЙСКАЯ ГОСУДАРСТВЕН НАЯ БИБЛИОТЕКА приемника ИК излучения и подложки, провести исследования по деформированию индиевых полусфер сформированных на контактных г площадках приёмника ИК излучения для определения диапазона нагрузок требуемых для сварки давлением. Цровести сборку приемника ИК излучения с подложкой методом перевернутого кристалла с учетом особенностей такой сборки с применением нагрузки, определенной на предыдущем этапе. Провести исследование полученной сборки на предмет возможности отвода тепла от приемника ИК излучения через служебные контактные площадки при рабочих режимах. Провести термоциклические испытания сборок для определения надежности полученного сварного соединения.

2. РАЗРАБОТКА КОНТАКТОВ

СПОСОБОВ ФОРМИРОВАНИЯ ИНДИЕВЫХ

Основной особенностью метода перевернутого кристалла является то, что кремниевая ИС (приемник ИК излучения) размещается на подложке (керамика, сапфир и т.д.) с совмещением контактных площадок, а соединение между приемником ИК излучения и подложкой производится с использованием столбиков из легкоплавкого токопроводящего материала. В качестве материала токопроводящих столбиков был выбран индий, так как индий является материалом с низкой температурой плавления (~156°С) и сохраняет свои свойства, в частности пластичность, при криогенных температурах. В качестве фотоприемника, в нашем случае, используется приемник ИК излучения со сформированной на Si кристалле матрицей с фоточувствительными элементами на барьерах Шоттки из силицида платины с ПЗС регистрами, работающий при температуре 77-80 К. Область спектральной чувствительности 3-5 мкм, засветка фоточувствительных элементов производится с обратной стороны кристалла.

Для обеспечения работ по сборке приемника ИК излучения с подложкой методом перевернутого кристалла были разработаны и внедрены следующие технологические операции: операция нанесения пленочной системы Ti-Ni на алюминиевые контактные площадки фотоприемников, химическое травление этой системы с применением фотолитографической маски, способы формирования индиевых полусфер на контактных площадках приемника ИК излучения при электрохимическом осаждении индия или при погружении приемника ИК излучения (подложки) в расплав. Для совмещения контактных площадок подложки с контактными площадками приемнйка ИК излучения было разработано и изготовлено устройство, представляющее собой металлический шаблон с совмещенными между собой рамочными отверстиями с размерами подложки и фотоприемника.

Совмещение происходит по габаритным размерам приемника ИК излучения и подложки. Толщина шаблона выбрана с учетом того, что в процессе спаивания приемника: ИК излучения с подложкой суммарная высота индиевых столбов должна сократиться на треть.

2.1. Разработка способа формирования индиевых контактов на контактных площадках приемника ИК излучения площадью 300x400 мкм.

Индий на никелированные контактные площадки подложки и на контактные площадки приемника ИК излучения наносился методом погружения кристалла в расплав^ Поверхность расплава покрывалась слоем флюса - глицерин и < 5% соляной кислоты.

Пленочное Ti-Ni покрытие алюминиевых контактных площадок приемника ИК излучения необходимо для обеспечения адгезии индия к металлу контактных площадок. Титан является адгезионным слоем для никеля. Никель является барьерно-адгезионным, так как он является адгезионным слоем для индия и служит барьером для диффузии атомов индия в нижние слои металлизации. На фазовой диаграмме индий-никель имеется области состава до 30% индия, образующаяся при температуре 156 °С. Указанные соотношения являются основой для выбора необходимой толщины слоя никеля и времени при проведении процесса сварки. На рис. 17 приведена последовательность операций для формирования индиевых полусфер.

Рис. 17. Последовательность операций для формирования индиевых полусфер на контактных площадках приемника ИК излучения: а - исходное состояние; б, в - напыление слоев Ti и Ni в одном вакуумном цикле; г -нанесение фоторезиста; д - травление Ni; е - снятие фоторезиста; ж -травление Ti; з - формирование индиевых полусфер. (1 - кремний, 2 -оксинитрид кремния, 3 - алюминий, 4 - титан, 5 - никель, 6 - фоторезист, 7 индий).

При нанесении на контактные площадки приемника ИК излучения пленочного покрытия состоящего из Ti-Ni, используются операции, относящиеся к обработке пластины: напыление пленки титана толщиной 800 А; напыление пленки никеля толщиной 1700 А; процесс фотолитографии по никелю, после которого никель остается только над контактными площадками; травление титана вне контактных площадок. Удаление никеля вне контактных площадок производится в разбавленной азотной кислоте (HNO3) в соотношении 1:3. Травление титана проводится в перекиси водорода (Н2О2) или в слабом растворе плавиковой кислоты (HF). Таким образом, последовательность слоев металлизации контактных площадок приемника ИК излучения следующая: алюминий, толщиной 1 мкм; титан, толщиной 800 А; никель, толщиной 1700 А.

После формирования Ni-металлизации на контактных площадках, пластина отдается на операцию резки для дальнейшего покристального индирования методом погружения кристалла в расплав. На рис. 18 приведены микрофотографии индиевой полусферы полученной методом погружения кристалла в расплав на контактной площадке приемника ИК излучения. Размер контактной площадки 300x400 мкм. а б

Рис. 18. Микрофотография индиевой полусферы: а - вид сверху; бвид сбоку.

На рис. 19 показана схема устройства для индирования контактных площадок приемника ИК излучения.

Процесс индирования методом погружения кристалла в расплав происходит следующим образом.

Рис. 19. Схема устройства для индирования контактных площадок методом погружения кристалла в расплав, где: 1-флюс, 2-ванна, 3-индий, 4-нагревательный элемент, 5-плитка, 6-регулятор температуры.

На нагреватель (4) устанавливается фторопластовая ванна (2) с индием (3), который покрыт флюсом (1) (5% раствор соляной кислоты (НС1) в глицерине). Ванна с индием нагребается до температуры 170-175 °С, то есть немного выше температуры плавления индия. Перед индированием проводится процесс декапирование (активации) поверхности никеля на контактных площадках в концентрированной соляной кислоте в течении 1-3 сек. Затем на кристалл наносится флюс того же состава, что и в ванне, после чего кристалл погружают в расплав индия на 5 секунд. Результат индирования можно наблюдать визуально. После погружения кристалла в расплав на всех контактных площадках приемника ИК излучения образуются блестящие индиевые полусферы, различающиеся по высоте не более, чем на 20-25 мкм, что важно при дальнейшем соединении с подложкой методом перевернутого кристалла, По окончании процесса кристаллы необходимо хорошо промыть в воде и высушить.

Контактные площадки на подложках (керамика, сапфир, и др.) проходят процесс индирования, аналогичный процессу индирования для контактных площадок приемников ИК излучения. Индирование контактных площадок методом погружения в расплав индия применимо для размеров сторон контактных площадок не менее 50 мкм.

2.2. Разработка способа формирования индиевых контактов на контактных площадках приемника ИК излучения площадью

300x400 мкм

Основными отличиями сборки приемников ИК излучения с мультиплексорами от выше описанных процессов сборки являются размер контактной площадки, количество контактных площадок и их расположение на кристалле (мультиплексоре). В нашем случае в одном кремниевом кристалле совмещены приемник ИК излучения и схема обработки информации. Поэтому сапфировая подложка исполняет роль держателя для кремниевого кристалла, и служит переходником от охлаждаемого элемента криостата к кремниевому кристаллу. Когда приемник ИК излучения сформирован на одном кристалле (например, CdHgTe - KPT), а схема считывания (как правило, кремниевая ИС) на другом, возникает необходимость их объединения. Многоэлементные приемники ИК излучения имеют разрешение 64x64, 128x128, 256x256 и более элементов. При этом размер сторон контактных площадок составляет 10-20 мкм при матричном расположении контактных площадок. Основным материалом контактных микростолбов для сборки ИК фотоприемников с мультиплексорами служит индий, так как он сохраняет свои свойства, в частности пластичность, при температуре жидкого азота (77 К), которая является рабочей температурой наибольшего количества ФПУ. Основным технологическим процессом для изготовления индиевых микростолбов является напыление в вакууме. Известно, что процесс электрохимического осаждения металла имеет такие основные преимущества перед процессом напыления в вакууме как: уменыцение расхода металла в сотни раз, отсутствие необходимости использования дорогостоящего .оборудования для напыления в вакууме, уменьшение трудоемкости за счет снижения числа фотолитографических операций. 1 ' 1 ' • «

Данный раздел посвящен разработке процесса электрохимического осаждения индия на контактные площадки ИС площадью 19x16 мкм, результатом которого стали контактные индиевые микросферы, с высотой, достаточной для надежного соединения ИС с подложкой.

При ^ попытках проведения низкотемпературного (при комнатной температуре) процесса электрохимического осаждения индия, на контактных площадках ИС образуется рыхлый слой кристаллического индия, не пригодный для создания надежного электрического контакта. При использовании метода погружения кристалла в расплав не происходит индирования всех контактных площадок, так как из-за небольшого размера контактной площадки никель не смачивается индием. К тому же высоты такого индиевого контакта недостаточно для надежного контакта.

Поэтому за основу метода был выбран способ электрохимического осаждения шариков индия из высокотемпературного безводного электролита (ацетамида - CH3CONH2), который использовался для выявления дефектов окисла на кремниевой пластине [54]. В сосуд помещался электролит, на дно -навеска индия, служащая анодом от которого выводился электрод к источнику тока. Сосуд помещался на нагреватель. При достижении в ванне температуры, равной или большей температуры плавления индия, в электролит погружалась исследуема^ пластина с подведенным к ней отрицательным потенциалом. В местах дефектов окисла осаждались шарики индия, с диаметром, зависящим от величины дефекта. Этот подход к формированию индиевых сфер при электрохимическом осаждении индия при температуре выше температуры плавления индия и был использован при формировании индиевых микросфер на контактных площадках ИС.

2.2.1. Отработка режимов электрохимического осаждения индия на контактные площадки ИС

Контакт к кристаллу подводился через лицевую сторону, покрытую титаном, с,помощью никелевой скобы. При таком способе контактирования в электролит погружалась только часть кристалла, во избежание осаждения индия на* никелевую скобу. В результате на контактных площадках приемника ИК излучения площадью 19x16 мкм, погруженных в электролит, сформировались блестящие . индиевые микросферы. При изучении полученных микросфер замечено, что высота микросфер зависит от расстояния от контактной площадки до индия на дне ванны. Для получения равномерного покрытия индием всех контактных площадок, необходимо поместить кристалл параллельно поверхности расплавленного индия. При таком решении возникает проблема контакта к кристаллу, так как кристалл будет погружен в электролит целиком и станет невозможен контакт к лицевой стороне. Для соблюдения параллельности между кристаллом и индием на дне ванны был разработан кристаллодержатель. Контакт из никеля подводился к обратной стороне кристалла помещенного в кристаллодержатель. После такого , способа контактирования ухудшилась однородность покрытия индием контактных площадок. Для стабилизации электрического контакта проводилось напыление слоя титана толщиной 400А на обратную сторону кристалла. Потенциал к слою титана, сформированному на обратной стороне кристалла, подводился через фторопластовую крышку посредством Ni проволоки диаметром 0.8 мм, покрытой полиимидным лаком, за исключением области контактирования. При проведении экспериментов было замечено, что поверхность кристалла нуждается в дополнительной обработке, так как индий осаждался не только на Ni контактные площадки, но и на Tj. Предполагалось, что индий осаждается на титан из-за не полного удаления никеля из областей вне контактных площадок, то есть фактически индий осаждается на островки никеля расположенные на слое титана. В табл. 2 приведены способы обработки поверхности кристалла.

Основными проблемами, возникающими при разработке процесса электрохимического осаждения индия, являются: неоднородность тока, проходящего через- кристалл; отсутствие индиевого контакта (дефектная структура приведена на рис, 20); осаждение индия на слой титана, являющийся проводником тока ко всем контактным площадкам (вид поверхности показан на рис. 21); неоднородность осаждения (рис. 22).

1. M. Weissenstern and G.A.S. Wingrove, "Semiconductor device assembly with true metallurgical bonds", U.S. Patent 3256465, June 14,1966.

2. C. A. Kukkonen, S.D. Gunapala, S.V. Bandara, J.K. Liu, J. Llorens, "Commercialization of quantum well infrared photodetectOr QWIP focal plane arrays", Proc. SPIE Vol. 3698, p. 706, 1999.

3. S.D. Gunapala, et alr, "640x486 long-wavelength two-color GaAs/AlGaAs quantum wpll infrared photodetector (QWIP) focal plane array camera", IEEE Trans. Electron Devices 47 (2000), p. 963.

4. J. Jiang, C. Jelen, M. Razeghi, G.J. Brown, "High detectivity GalnAs-InP quantum-well infrared photodetectors grown on Si substrates", IEEE Photonics Technol. Lett. 14 (2002), p. 372.

5. А.Г. КЛименко, В.Г. Войнов, A.P. Новоселов, Т.Н. Недосекина, В.В. Васильев, Т.И. Захарьяш, В.Н. Овсюк, "Особо пластичные индиевые микростолбы для матричных ФПУ на CdHgTe", Автометрия, №4, 1998, стр. 105-112.

6. М.Е. Дриц, П.Б. Будберг, Н.Т. Кузнецов, "Свойства элементов", Справочник, под общей редакцией М.Е. Дрица, 2-ое изд. перераб. и доп. -М.: Металлургия, 1997. -Кн; 1, стр. 216-222.

7. Р.А. Totta, R.P. Sopher, "SLT device metallurgy and its monolithic extension", IBM. J. Res. Dev., 13,226,1969.

8. L.S. Goldman, "Geometric optimization of controlled collapse interconnections", IBM. J. Res. Dev., 13,251,1969.

9. K.C. Norris, А.Н. Landzberg, "Reliability of controlled collapse interconnections", IBM: J, Res. Dev., 13,266,1969.

10. E.J. Vardaman et al., Worldwide developments in flip chip interconnect, Tech-Search International Inc., Austin, Texas, USA, 1994.

11. D.S. Patterson, P. Elenius, J.A. Leal, "Wafer bumping technology a comparative analysis for solder deposition processes and assembly considerations", Proc. INTERPACIC97 EEP-Vol. 19-1, 337-51, 1997.

12. E.K. Yung et al., "Electroplated solder joints for flip-chip applications", IEEE Trans. On Сотр. Hybrids, Manuf. Technol., 14,549,1991.

13. J. Saloneri, J. Salmi, "A flip chip process based on electroplated solder bumps", Physica Scripta. Vol. T54, 23, pp. 220-3, 1994.

14. J.F. Kuhmann et al., IEEE Photon. Techn. Lett. 8,1665, 1996.

15. G. Humipston et al., Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. A 395, 375, 1997.

16. M. Tooper et al., Proc. Int. Conf. on High Density Packaging and Multichip Modules, Denver, USA, Apr. 6-9,1999.

17. A. Soper et al., Microelectron. Reliability, 37, 1783,1997.

18. M. Inaba, N. Iwase, S. Hirata, M. Gbnda, and Y. Imati, "Direct formation of solder bump on Al pad using ultrasonic soldering" (in Japanese), Trans. Inst. Electron: Inform. Сощтип. Eng., vol. J70-C, no. 11, pp. 1466-1472,1987.

19. M. Inaba, K, Yamakama, N. Iwase, "Solder bump formation using electroless plating and ultrasonic Soldering", IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology, vol. 13, По. 1, March, 1990.

20. T. Kawanobe, K. Miyamoto, Y. Inaba, "Solder bump fabrication byi ,electrochemical method for flip-chip interconnection", IEEE publication CHI 6717/0000 (1981), pp. 149-155.

21. D. Yap, P.H. Lawyer, "Method for manufacturing precision electroplated solder bumps", U.S. Patent 6387793 Bl, May 14,2002.

22. W.R. Imler, et al., "Precision flip-chip solder interconnections for optical packaging'', IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology, vol., 15, no. 6, pp. 977-981, 1992.

23. M. Cassia, "The challenge of hybridization", Nuclear Instrument Method, A465: 195-199, 2000.

24. H.JI. Глинка* "Общая химия", Госхимиздат, Москва, 1958, стр. 631-632.

25. G. Ziegler, М. Bruder, J. Wendler, Н. Maier, "Second generation FPA's with MCT sensor array in hybrid approach", SPIE, 1735,1992, p. 151.

26. А.Г. Клименко, В.Г. Войнов, A.P. Новоселов, "Устройство и метод измерения пластической деформации образцов микронных размеров", Приборы и техника эксперимента, № 6,1996, стр. 119-121.

27. И.М. Строиман, "Холодная сварка металлов", Л.: Машиностроение, 1985, стр.38.

28. К. Могэб, Д. Фрейзер, У, Фичтнер, JI. Парильо, Р. Маркус, Р. Стейдел, У. Бертрем, "Технология СБИС", Кн, 2, пер. с англ./под редакцией С. Зи. М.: Мир, 1986,Л1-72 стр.

29. Y.N Kim, j Н. Choi, K.S. Choi, et al., "New reflow process for indium bump", Proc. SPIE, 1997,3061, p. 60.

30. Т. Кащо, M. Saga, A. Kawahara, et al., "Development of MBE grown HgCdTe 64x64 FPA for long wavelength IR detection", Proc. SPIE, 1993,2020, p. 41.

31. S. Cole, A.F.W. Willoughby, M. Brown, "The mechanical properties of CdxHgi xTe", J. Cryst. Growth, 1982, 59, p. 370.

32. В.Г. Войнов, А,Г. Клименко, Т.Н. Недосекина, А.Р. Новоселов, "Пластические свойства индиевых микростолбов. Проблема контактирования на КРТ", Автометрия, 1996, № 4, стр. 126.

33. А.Г. Клименко, Т.Н. Недосекина, и др. "Индиевые микростолбы для холодной сварки инфракрасных фотоприемных устройств при минимальных давлениях", Наука производству, 2001, №12 (50).

34. А.Р. Youmans, k.E. Rose, W.F. Greeneman, "A multichip package utilizing In-Cu flip-chip bonding", ТИИЭР № 9,1969,149-157 стр.

35. D.R. Olsen, H.M. Berg, "Properties of die bond alloys relating to thermal fatigue", Proc. 27th Electronic Components Conf., p. 193,1977.

36. J.W. Stafford, "The implications of destructive wire bond pull and ball bond shear testing op gold ball-wedge wire bond reliability", Semicond. Int., p. 82, May, 1982. ,

37. A. Keizer,' D. Brown, "Bonding systems for microinterconnect tape technology'4, Solid State Technology, p. 59, Мат., 1978.

38. R. L. Cain, "Beam tape carriers a design guide", Solid State Technol., p. 53, Mar., 1978.

39. D. Patterson et al. "The Nordic Electronics packaging guideline. Chapter: B. Flip-Chip", 2000, pp. 1-30.

40. J.H. Lau, C. Chang, "Characterisation of underfill materials for functional solder bumped flip chips, on board applications", IEEE Trans. Components Packag. Technol., Part A 22 (1999), p. 111.1. V ,

41. T-Y. Lee, M. Mahalingan, "Thermal limits of flip chip package -experimentally validated, CFD supported case studies", IEEE Transaction on Components, Packaging, and Manufacturing Technology Part B, Vol. 20, No 1, pp. 94-103, Feb. 1997.

42. C. Bash, R. Blanco, "Improving heat transfer from a flip-chip package", Hewlett-Packard Journal, 121-5, Aug. 1997.

43. J.H. Lau, "Flip chip technology", McGraw-Hill, p. 137,1995.

44. N. Ahmed, J.J. Stivak, "Characterization of gold-gold thermocompression bonding", Solid State Technology, p. 25, Nov., 1975.

45. R.L. Williams, "Alloy bonded indium bumps and methods of processing same", US patent 4930001, May 29,1990.г,

46. H. Yatsuda, Т. Eimura, "Interconnection of gold-gold thermosonic face-down bonding", ISHM Nordic, p. 154,1996.

47. H. Yatsuda, T. Horishima, T. Eimura, T. Ooiwa, "Miniaturized SAW filters using a flip-chip technique", IEEE Transactions on Ultrasonic, Ferroelectrics, and Frequency Control, Vol. 43, No 1, p. 125, Jan. 1996.

48. О. Rusanen, J. Lenkkeri, "Reliability issues of replacing solder with conductive adhesives in power module", IEEE Transaction on Components, Packaging, and Manufacturing Technology-Part B, Vol. 18, No. 2, May 1996, p. 320-325.

49. R. Aschenbrenner, R. Miessner, H. Reichl, "Adhesive flip chip bonding on flexible substrate", Proceeding of the first IEEE International Symposium on Polymeric Electronics Packaging, October 26-30,1997, Norrkoping, Sweden, p. 8693. ,

50. C.M. Гуревич, "Справочник по сварке цветных металлов", Киев, «Наукова думка», 1981, стр. 189-191.

51. К, Пирс, А. Адаме, Л. КаЦ, Дж. Цай, Т. Сейдел, Д. Макгиллис, "Технология СБИС", Кн. 1, пер. с англ./под редакцией С. Зи. М.: Мир, 1986, стр. 102-103.

52. Черный Б.И., Чмыр Ю.Г., "Выявление дефектов окисной пленки на полупроводниковой пластине электрохимическим осаждением шариков индия", Электронная техника, серия 2, полупроводниковые приборы, 9 (81), 1973 г., стр. 93-?7.

53. J. Jiang et al., "Fabrication of indium bumps for hybrid infrared focal plane array applications", Infrared Physics arid Technology, 45, pp. 143-151,2004.

54. Я.Б. Фридман, "Механические свойства металлов", изд. 3-е перераб. и доп. В двух Частях. Часть вторая. "Механические испытания. Конструкционная прочность", М.: Машиностроение, 1974, стр. 43-46.

55. W.S. Chan, "Focal plane architecture", Opt. Eng. 20, pp. 574-578,1981.

56. J.P. Rode, "HgCdTe hybrid focal plane", Infrared Physics 24, pp. 443-453, 1984.

57. C.T. Elliott, N.T. Gordon, "Infrared detectors", in Handbook on Semiconductors, Vol. 4, pp. 841-936, edited by C. Hilsum, North-Holland, Amsterdam, 1993.

58. M. Kimata, N. Tubouehi, "Charge transfer devices", in Infrared Photon Detectors, pp. 99-144, edited by A. Rogalski, SPIE Optical Engineering Press, Bellingham; 1995.

59. А. Рогальскйй, "Инфракрасные детекторы", Новосибирск: Наука, 2003, стр. 51-54.

60. J.T. Longo, D.T. Cheung, A.M. Andrews, C.C. Wang and J.M. Tracy, "Infrared focal planes in intrinsic semiconductors", IEEE Trans. Electr. Dev. ED-25, pp. 213-232, 1978.

61. D.Hi Pommerening, D.D. Enders and Т.Е. Meinhardt, "Hybrid silicon focal plane array development: an uptake", Proc. SPIE 267,23-30,1981.

62. В.И. Золотарев, H.C. Кузнецов, «Приемник излучения», Пат. РФ №2138099, от 22.06.98.

63. D.A, Scribner, MR. Kruer, J.M. Killiany, "Infrared focal plane array technology'*, Proc. IEEE 79, pp. 66-85,1991.

64. Физические величины: Справочник. Под редакцией И.С. Григорьева, М.; Энергоатомиздат, 1991.

65. Пехови*ч А.И., Жидких В.М., «Расчеты теплового режима твердых тел», JI ; Энергия, 1976, стр. 101-104.