автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.05, диссертация на тему:Моделирование и анализ процессов формирования технологических слоев ИС в приборно-технологических САПР

ДЕРЯАВНИИ УМВЕРСИТЕТ "ЛЬВ1ВСЬКА ПОЛГТЁХЕПКА"

УДК 621.382.002

ИОДЕЛЮВАННЯ ТА АНАЯЗ ПР0ЦЕС1В ФОРМУВАННЯ ТЕХН0Л0Г1ЧНИХ ШАР! В 1С В ПРИЛАДО-ТЕИШОПЧНИХ САПР

Си0ц1альшсть: 05.Í3.05. - Сиатеми атомах изац!t ироектуванял

Аатороферат дисертацП на здобутгя наукового ступени в-акдидата техаРшкх наук

JlbBlB - .199S

ДисертаЩя е рукописом.

Робота виноват на кафедр1 "Скотеми автоматизовавого проекту-вання" Державного уШворсотету "Льв1вська пол1техн1кя".

Кауковий кер1втж : доктор техн1чниг паук, професор В.0.Новаль

НауяовкЯ консультант: кандидат тахн!чнкг наук, доцент П.П.Гранат

0ФШ1ЯН1 опоненти : доктор (Язико-математичних наук, професор Са^цышй Вадим Григорович кандидат техн1чних наук, додает Романипшн Юр1й Мгаййлойич

Проз1дне п1дпркЕкство : ВО "Пслярон", м.Льв!в

Захиот дисертацп в!дбудзться " <995 року в/

дин ю зас!данн1 спвц1ал!зоваЕо1 ради H04.CG.06 при Державному ун1персигот1 "Льв1вська нол!техн1ка" за адресов 290646, м.Льв1в-13, Еул. С.Бандери, 12.

3 дисертацюю шага ознайзмигксь в науково~техн1чн1й 010л1оте-Ц! ун1вероигбту за адресов: 290046, м.Лъв!в, вул.Професорська 1.

Автореферат розЮлаякй '<79*- " 1995 року.

Вчений секретер слец1ал1зовано! ради

к.т.н. ГЗ С.П.Ткачешсо

- 3 -

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

АктузлыЧсть проолоии. ПрОГраМЭ еЛ9КТрОН13ЭЦ11 НарОДЕОГО ГОСПОДар-

ства передбачае вирШення задач! створення сучасних засоб!в обчис-лввально! техн!ки та систем автоматиэованого проектування (САПР) з розвинутим праграмним забезпеченням для широкого насичення галузай народного господарства, науково-досл!дних та яонструкторсышх орга-и1зац1й. Системи автоматизованога проектування с особливо актуаль-ними при проектуванн! складнихоб-екпв, якими е м1кроелектронн! пристроГ, I в першу чергу нап1впров1днигсов! !нтегральн1 схеми (1С).

ТенденцП м1кром1н1атюризец11 породкуюгь проблема гов'язан! з! зменшенням гаометричних розм!р!а елементгв 1С 1 досягнення низько1 вартост! виготовлення кристал!в за рахунок 01льш як!енота проектування та знижання затрат на технолог!чну шдготовку виробницгва. ЗЬму на етапах проектування 1 технолог! чноГ пгдготовки виробницгва необлдно використовувати засоби САПР, особливо математичного кода-.люваяня.

Технологу виготовлення 1С пост1йно вдосконалюеться I на сьо-годн!шн!й день дозволила досягнути висою! степен! 1нтеград1'1 (порядку Ю'Мо'акпшних елемент!а на крисгал). В таких умовах а шикают ь нов! рроблеми при створенн! САПР нап!впров1дникових 1С.

1снувч! Шдгоди та катематичн! модел! опису ф!зичних процео1в в нап1впров1дншювих структурах 1 особливо при анал1з! технологи виготовлення 1С, не задоашаяюгь вимогам сьогодаишього часу. Ц1 модел! не враховуеть особливостей технол6г1чного серадовииз, проца-с!в в обладнан! та на повврхн! иремн1евих пластин I потребуюсь новях' п1дход!а до побудови алгоритма машинного моделювання, модиф!-кац! 1 !с я утих га розробки нових катематичних моделей. ■

Одн!ею з великих перешкод зб!льшвння стелен! !нтеграц11 е велика шюша Шжелементно! [золяцИ. Двовим1рне моделювання техноло-Пчних процес!в 1 вс1е! нап 1 варанIдниковаI' структури- дозволяс не лшга мдвивдгги точнЮть разрахунку них 1 дата контрольованих параметра ф!зично! структури, враховувати даошм!ря! ефекти для ощшеи характеристик ьиробу, ала й ефективно використовувати корисну шгащу кристалу, оцтималыИше розм!ствди кошкшанти 1С на рабочему под!.

Викпристаиня нових технолог!«, як1 забезпачуеть мал! глибини залятання р-п переход1в, вимагаюгь б!льш детального вивчекня ефек-т1в на поверни кристалу. та в технолопчцому обладнашш!. Шдвищги точн!сть моделшання та шгачити вплипи умов зовнИшього сервдошм$л. на параметр« 1С можлтаю лине при б!льш детальному розглнд! техполо-

г!чниг операЩй, розбитт! И на окрем! техшлог1чн! переходи.

В умовах оростаыня багатовар18Нтност! технолог1чних р1шень ускладлються математичн! модел1, шр утрудите, з використанням су-часних мавшнних рэсурс1в, побудову модэл1 всього технолопчного процесу сормування Еап!влров1днтово! 1С. Зняти цю проблему можнэ лише розробкою ефективнкх олгоритм!в моделхвання, окремих технологиям первход!в, операцш, типовш: груп операЩй 1 базових процесс ВШПТ0ВЛ8ЯЗЯ м!нроелектроняих пристро!в.

tío-roo аисерггацдпно! ровоти е розробка иатематичних моделей, методики та алглоригм!в кздеяпвання техволог!чнз:х процес!в виробниц-тр.з 1С, для задач автомагизовзшго проектуванкя нап 1 впроаJдкикових вира01в 1 сЩюш !х техыолоПчност! в рамках юнуших приладо-тех-шлоПчних САГО', як1 ор!ентован1 на п1дв;'денш р!вня виходу придат-них та зткекня соб!взртост1 м1кроалеатроняих пристроГв.

Дяя досягнення поставлено! мети необх1дно вир!шиги наступи!

задач!:

1. CTEopsírií об'едяаку модель об'сяту просатуЕанкя I продзсу вироб-нкцгва у ВИГЛЯД1 ¡ерарИчно! ф!зию-тахюлог1чно1 модэл1 1С.

2. Газробити алгоритма кодвлквання .технолоПчних пронес 1в, як! за-безпечувгь посл1довн1сть формуваняя в1дпов1дних областей иап1впро-

■ в1дникового кристалу 1 дозволяьть анал1зувати фазов! перетворевня в обладпанн!, кркстал! та на Епго.пояерхн!.

3. Вэзробнти 1 реал1сувати математичн! кодел1 авал!зу процзс!в га-зодинам!ки та термоданэМки в технолог!чноыу обладнанн1 для визна-чення вплив1в зовн!пшього середовищэ на поверхню кремн1евих пластин.

4. ЮзроОити 1 реал1зувати математичн! модел1 технолог!чних лроце-с!в дифузм, luiffloro легуванпя, окислання I росту еп!такс!йних шибок, як! враховувгь фазов! перетворення в кркстал! при проведеян! техно тог 1чких операцШ та проходаонн! всього маршруту формува1лш 1С.

5. ДослЮТги та проанал!зувати розроблен1 математичя1 модел1 з метою ощвди 1х ефэктивност! вигсористання, точност! та аденвзтност! в ироцас1 проектування 1С.

6. Створити програмт-методичний комплекс анал1зу дифуз!йних проце-с!в в придало-технолог1чних САПР на баз! !нформац!йного, магематич-ного, л!нги1стичиого | програкного забезпечення.

Нотоди досэт!джень включай,"ь методи системного вцзл1зу, апарат математкчно! статистики, мятематтяого моделювання, математи'шоГ ф!:нкн I обчислквально! математики, методи прикладного ! системного

- а -

програмуЕешш.

На ззкист гжнасгггыж НЗСГусш1 основы! ЛОЛОЖйНШТ:

1. йетодшса та алгоритма юделквашш процесса шгготовленяя 1С, пк! дозболяьтгь проводите д-зкомпозиц! я технолог!чаш процос1в, труп технолог! чти операдШ на окрем! операцП I переходи, струнтурувати математичн! моде л! з метою ефвк'гквюго модвлювания' та анал!зу про-цес!в в обладнанн!, па поверхн! та в середин! кремн!свик пластин.

2. Матвматичн! кода л! технологию« переход!в: "загонка через окисел пост1йно! товщини": "загонка з окислениям"; "форсаж"; "охолодквнпл": "вкгримка" та "Шдзагошш" дом!шок з тьердих дифу-зант!в при "форсаж!", шр дозволяв враховувати осойливост! техноло-Пчних р!1лень в процес! проектувашя 1С.

3. Матбматитаа кодаль окисления крошив з врагуазшмм витрат кисню, матьматична мадель зм1ни температурк в середа! дифуз!йш! труби при "форсак!", "охолодженн!" та "зитримц!" та матекатичнй мадель залежност! поверхнево! концентратI в1д втрат- газ!в-нос! 1в. кисню та газу-нос1я через даерело, в¥> дае можлизють зв'нзати контрольо-ван! параметру 10 з режимами виготовлення, процесами а обладнанн! та як!стю матер!эл!з.

4. Математична модель рельефу поверхн! для Шпсляряих та метал-окисел-кап1впров!дншс структур, яка вракоиуе зм!ну поверхн! кремщ-евих плзстин при проведенн! тбхколог!чюкз маршруту.

5. Праграшю-нвтодтниЯ ¡ммплекс модвптитт тоанолог!чншг щюцвсм» ииготовленял 1С "ПроМ1С-Т" Шрогрзмя Маделтеашш Тптегратьш« Схем - Технолог!«).

Наукльи ночидш {хлыщ;

1. На основ! системного пЦкоду запроионоаашй та разройлений алгоритм модилхваиня техиолог1чних ироцеыэ игготовдия.-я 1С, шадй в!д-р!знясться и!д юнуючих врахувантш лроцес!в в поладшэнн!.

2. .Чапро.пошеаьа ! рсароблыю <5юл!от^й мзтьыаткчлих моделей тех-нодотних пароход1п та система управл!пна. С1ба!отеною моделей, до. дозшлие ефектптю <1ориуватн посл1довно-непарернний пропое розра-хунку тешюлопчкого маршруту вигоювлмшя 1С.

3. Гозроблеп! та риаШзован! и ПКК "ПроМЮ-Т" иоь! д»руз!йи! математичн! моде л! ("заю.чка через о^исея поитШго! товщшга". ! "загонка з окисл<*лтяч"з, як!. дозйолит\ тдаиадт тпчають роорахунку йих!д-нигконтрольппаиих параметрП! технолог1*шаю процесу.

4. розроблен! та реял1зоиап1 математичн;; юдоль (Ш) оьисдошш кромШю з врахунчшшм нитрат иисии, ш йм!ии теимератури в гарадиг п! ди^узтю! тру«»! при -i.-jpf.iiГ1 ••, "пхояодтетт1 "витримц!" та ММ

валеявост! поверхнево1 концентрат I в!д витрат газ!в-нос!!в, кисню та грзу-ноо 1я через дазрело. Огриман! КСМ дозволили зв'язати хзрак-твркстики обладания I яроцеси в обладкаянЗ з вих1днями параметрами технолог! чшее опервШЙ.

5. Рйзроблеи! та роал1зсван! дафузтйн! матвматичШ модел! техяоло-Пчши перехода "форсая", "охолодаення" "вигримка" та "Шдззгошси" дом1гозк з тверда дифуззят1в при "форсаж!". ПЬОудован! кодел! перехода доееоляюгь шдвиздгги точнЮть модолшавня дифуз1йних процесс, сформувати ыатеыатичну модель повного циклу проведения дифузП при формуваш! Еап1впров!дникоэих 1С, зз'язати характеристики 1С з томперэтуриими провесами в обладнанн!, просл1дкувзти характер вшш-ву тежаолоПчнлг переходов из проф!л1 розшд!лу легунтш дом!шок в кристал!.'

6. Розроблена 1 резл!зованэ матемзткчяа модель рельефу повьрхн1 на-п1впров!днкково! структура, яка дозволяе в процэс1 проходження тех--нолоПчного маршруту визначати та енал1зувати зм!це}шя поверхи! плэстини в р!зних ЕаШвцров1диивових областях елеменпв 1С та п!д-випкги точнЮть разрахунку коктрольонаниж параметр1в ф!зично1 структури.

7. РЪзроблея! та резя1зован1. алгоритми для ефективного шдэлхваяня технолог!чних операщй, алгоритми розв'язку чиеельних задач дифузП та методика годелювання техяолоПчкого процэсу виготовления 1С, ко практично реал!зовапо в програмко-методичному комплекс! "ПроМЮ-Т".

Практична ции1сть роСотн :

1. РозроОлен! та ревизован! алгоритми моделлвання технолог!чних процес!в виготовления 1С, як! дозволяоть авэл!зувати процэси в об-ладненн!, на поверхн! 1 в середин! кремШевих пластин.

2. Рогроблена та рэал!зованз ОЮлЮгеда магемаитших моделей техно-лог!чних П8реход!в, ар зайззпечуе формування нових технолог!чних маршрут1в, ефективяо використовувати математичн! кодел! для забез-печення веобх1дш1 точност1 моделквання при заданих ресурсах обчис-лювально! техн1ки.

3. Иэзроблен! нов! та адаптован! в!дом! математичн! модел! техноло-г!чних переход!в ! операШЙ, як! описуеть ф!зичн1 процеси в кремш-евкх структурах, шр дозволяе оЩниги ефект!1вк!сть тохнолог1чних р!-шекь та забезпечити ФункШоиальпу в1мтвирюван!сть вироб!а.

4. РозроОлвШ ефективн! алгоритми иоделывання техиолоПчяих иерехо-д!п, опорацШ, шзр!в та ваього маршруту пиготовлепня 1С, як! забн:г-печум'Ь новтапкв Формування 1ип1впровТдяшюв1Гх структур ! оц'нку характеристик вироО!в на |Н:шях оп'.чиШ Иного, м!юпорац!й'оп1 1

заклотного тестових кштрал1в.

5. Йэзроблена матекатична модель зм!ни рельефу говерхШ наШвпро-Ыдшкових структур в процас1 формувашш компонент ¡в 1С дозволила точнШв роярахувати коитрольовэн! характеристики щшстро!з. 6.. Реал1зовано I досл1д«епо метод сшнчешшх р1зниць для одновим!р-них та метод su 1 вша вапрямк!в для двовш1рних задач двфузНЬгих працэс1в у кремШевих структурах.

7. Розроблений ПМК "ПроЩС-Т", який об'еднуе катекатичн! мадел!, методику I алгоритм техяолоПчного проектувания 1С.

Peani зац!я результат о poaornt. 'ГйОрвТИЧН! 1 ПраКТИЧН! р&ЗУЛЬ-i-ати дисертаШйно! робота використовувалися а с ум 1с них науково-дос-л!дних та проектно-'-ксшструкторсышх работах,, щр проводиться в АТ "Родон" (м.1ваво~Фракк!вськ), СКТБ "0р1зон" (мЛвано-Фраптс1вськ), ВО "Полярой" (м.Льв!и), а також в навчальному процас! кафедри САПР по курсах "Тытегрован! САПР великих иггеградьшк схем" та "Азтома-тизован! систеия технолог!чшГ п1дготоаки виробяицгва".

А»1(х»яц1я ровоти. 0СНОВП1 положения I результат!! дисертаШЙ-но! роботи допои!дались ! обговорввались'на: ШадархавнШ нзуково-т oral та} Я кокфвренцП- " '\Цосв!д розробни та застосуззння прилэдо-техволоПчних САПР в ¡лкроелектронИд!" (лгоий 1993,1995р., Льз1в); ВсасошнШ наряд!-семинар! "Высокие тйуиологш в проектировашяя тихничаских устройств и автомат изированкых систем" (верасань 1993р., Dopoula); Наукозо-техи1чи!й етн^еранцП "Машинное тоделкро-вание и обеспечение надежности электронных устройств" свересонъ 19ЭЗр., Бардянськ); Мздержавта 'наукпво-тйиичнШ конфвренцП "Сучпси! проблема! розробки ! виробнгаггва радювлектроптк заспб!в та Шдготовки lfi.miepmix кадр!в" (лития 1994р, Льв!в); конференциях I CRMlnapax щгафесорсько'-викладацьюге складу Дараавного ушворси-тету "ЛьШнська пол!техн!ка" в 1992 - 1996 рр.

В порпому обияз! дисертацгйна робатз дошш1далась на кафелр! "Систими айтомати'^оаашго ировктування" Державного ушверсотету "ЛьШосьрл пол1тохи1ка".

Основаt шложшшя I результата дисвртацшю! роботи в!добра»ен! в чотирнздцяти друковаи« пряия*.

сппжчура та ixjevmt. Дисортац! йна робота заЯыае 160 сто-рЖик мошисописною тексту, ! складпеться 1з встуиу, п'яти розд|-л1в,' заключения, списку .Иторатури тя додатк!л. Гвботя Шстюь 73 рисунки, 24 таблиц. Б1бл1ограф1чниЧ стояк скпадаеться |з Юг назв.

3J.HCT РОБОГИ

у г_хг;уп1 сиклвдаиа оагальаэ характеристика роооти, обгрунтова-ш актуальнГсть та ванлиз1сть пигвеь, кк! розглядавгься в дисерта-ШйаШ робот!, визвачена мета I вадач! дослизконня, сформулъовая1 ооеобл! науков! положения, як! виносяться на захист та практична ц!нн1сть робота.

с первому роад1д1 дроведеаий авалГз технолог!чяих 'задач на во!х р1Бнтс I стад!ях проеетувавня нап1впров1даиков1в: Шегральних схем, визяачея! основа! степи технолопчкого цроектувашм, що доз-воляе соказати !ь- м1сцв в ¡зэгаяьнШ структур! та обгрунтувати необ-х!дн!с?ъ гобудови автоматизоБаноI сястеми экал!зу I оц!нки техноло-Пчеос?! пристроШ.

Запродоювава та обгрувтовава методика 1ерарх1чного Шдяоду до задач технолог!чкого нрозЕтуваняя 1С, яна вшначае отопи розробки маршруту технэлоПчвого процесу, розбиття Но го на твхнолоПчъЧ ша-ри, ояерац!! ! переходи.

Розробяанз та розвинуга яаскр!»на ф!зшга-техшлог1чиа модель 1С, яю доззоляе розраховузгти конструкторс ыл-текш дог!че 1 та функцЮнашИ пчракетой олемэнтЮ 1 виробу в Шлому.

ГозроблэпиЯ олторхты моделюввнйя твхволог1чних процэс!в на ос-коз! бззовиз каро!рут1в формузапня нап 1 в проз 1 днн-шеих структур i рэ-яим!в проведения спремии технолог1чних оперэцШ та пэреход!в, особ-ливостями яин с авал!з процес!в в технолог!чяому обладнанн! та в вап1впров1дпяаовойу кристая!. Особлив !стп цього алгоритму е враху-вакня основних ствд!й формування нзп1впроз1дяиково I структури з анализом фа зобик норвтворень в кристал! 1 технолоПчному обладнзн-н1, да дозволяв функЩонально зв'язати контроляш! параметра 1С з рэгихэми вж'-отовлевня, параметрами облэднанвя 1 як! сто використаних катор!ал!в.

ЗапропоЕована I розробяека структура 01бл!отеки математичшп моделей технолог!чких пероход!в, яке об'пднуе мат&матичн! методи. (ск1ячонних р!зяиаь, к1нцевих елвкент!в, граничних елемент1в, Монте-Карло), шдел!, початков! I межов! умови, то дозаоляе ефективно формузати технолоПчн! маршруты, анал!зувати необхгди! ефекти (кластершэцП дом!шок, ирисиорення коеф!Шеята дифузН в окисному серэдоввц!. азаемодП дом1иок р!зного типу через електростатичпий потенц1ал, видавлвння Оази фосфором ем1терно1 облает!, звужепня ширкни заборонено! зони при високих концентраШях дом!шок та !н.), керувэти точп!стю обчиелгаальнот процесу, нарощувзти функШональн!

молливосг! програмно-методичною комплексу. Система унрзвл!ння 616-лютекоо моделей визначае метода розв'язку I м!рп1сть задач!, пра-вилыпсть Ешсористання мо долей. щр доясгиэть ф!зшсу процесу, авто-матичну генерац!в ефектизних шлях!з проведения розрахунк1в, по дае змогу при задапШ точпост! ыодолнвання, оптимально використати ра-сурса обчислюзалыю! тега!ки ! час розв'язку задач!.

другии раапхд приев'ячений розробц! иатематичиих моделей днфу-з1йних процес!в в якому розглянут! та адэптозан! Феноменологiта1 кодел! дифуз!йних процес!в з нап!впров1дншсових структурах, як1 дозволяють сформувати основы! групп матемзтичпкх моделей в б!бл!о-тец! матемагютих моделей техпологГчяих переад!в на ф!зичссму р!в-н1. Досл!джеао та »«значено м!сцэ вююриставня цих моделей при фор-муванн! р!зних дифуз!йши областей в крьмн!евизс пластинах, побудо-иэпо евр!стичн! правила врахуаания ефект!в кластсфизацП ! взас.чэ-д! I домИпок через електростатичшзй потенц!ал при шделшаш! б!ш-лярних техволоПчи-я прошс!з.

Лдаптован! в!дом! чисельн! дифузШ! модел! ("загонка", "роз-гонка-, -розгонлз з окислешшм" I "розгошса п!д окислом пост!йно! товвдпш"! та розроблен! нов! ("загонка через окисел' пост!йда! тов-ицппг, "загонка з огшсленням-э. В загальноау вшадау поз! дк*.уз1йя! матемзтичя1 мэдэл! (ММ) описусться иастушюв сисгояаю диференШаяь-ши р1внянь:

££. = hül ♦ _£_fD ь-2Е.}. при С<х.уд) * к^ог;

¿Н. ffx 1 дх > Ду I ~3у J

fr: а

сН.

таар C(x,y,i i о Rsv; ес2з

з но чат ко вою умовою

ссх.у.т » ссх.уэ ' c3i

та мездвшш умоваии дня "загонки" з окислениям

V^sh az "Л 3 • П1Ш С<Х.У.Ь) SiOz-Газ' I 0<y<W;

С 13

l1d fh -SS-ch-o—ll , Ud . [h*L-ch-o

>4 l dx a-Jj «Л. 11 l Oy öyJJ'

' при c(x,y,t) « sio2-газ 1 ч s у < lv

dCCLx ,y.O ,,

-----^ 0, при 0 < у i" l-y

dccx.0,0 „ , - ,

3y--------при 0 < i S L.x

---------(__ = (1, при 0 < X < 1.x

«-gi.y.o

«Ы

НПИ C(S,y,t) « Sir«-St

(4) <5> (6) C7) (8) (9)

f?12¿JLái r¡cc, -с, ./тз. при C(x.y.t) « sioj-sí ; (10)

o \r Jcy. JSi A

cc - «c 3, при С(х,УЛ) « S102-S1; (11)

«?>; l Si le* r

§S.c.Ii£iP = -V cc .-*c 3. при CU,y, 1) « Site-Si. (12)

ox JS; Jo« r

„и o - коЕцэятрац1я дон 1 ¡aiii; x ! у - просторов! коордиаати: Еоеф!ц!ент дифуаП в скисл!; ds.- коефШ1евт дафузИ в кремнИ; Rema~ класть окислу; rsi~ область нромл!ю; м - електротно-активна концектраЩя дои1шки; константа касоаерешсу на границ! газ-ог.исол кг.емя!с; т, - коеф1ц1еит масояереяосу па границ! розд1яу stoa-si; m- р1вк>Баянкй коеф1ц!ект сегрегацИ; lx - максимальна величина координатя X; - максшлалыга величина координата У;

шаерхнвва яонцеятрвШя дом1ини на поверхн! sio^; w - п!в дираки вшю; v** - иввдаТсть окисданнп крокн!ю; clo„>cJo„- кон-цзктраШя домизки на границ! sio^-sí s окисл!, 8 cjs. ,cisl- в кремни, з1даоз5дою; « «= 0.44.

Для "Daпзкки" через ожзел кост!йно! товащви мзгов! умови (11 - 12) в;дсутк1.

Гюбудован! Ш доаводаш врахувати фэзов! зеретворзн-

кя ез поверхн! I в середин! иаастш, 01льш точно описати дифуз!йн! процэси ври формувзпя! 1С, в!добраз;тгк 1 пояснкти зм!ну золежност! харэкторйстиз: ф! едино! структура в!д особливостей технолог!чних р!-еонь.

Проведав! експйркиэитаяыи досл1даеявя дифуз1йних технолоПч-пкх перэлодзв ••завантажеЕня", "фпрсаку", "охолодаояня" i "витрим-ки', як1 показали характер зм!ки температуря в ро(5оч1й зон! технологично го оЗладнакак. 3 отрикашк результат!в сл!дус, шр зм!ну температуря в дафуз1йн!й кеч! при "Щорсах!" та "охояоджеян!" можиа впрохскг-иувати иаступкими сп!вв1даойенняда:

Т, сьз « Т. + 3-Sl£Li21LL , яхпр 0 < t < и /з; (13)

T(ct3 « Трг , япщо u/3 s i < и ; (14)

Тохсо » Трг - (15)

до ?=,Трг,То* - температуря "завангавензя", принесу та "вивантажен-ня" в!дпов!дю; Т{ с ta .Тожсо - закони зм!ии температури при "фор-caxt" та "охолодаэшИ"; tr, te - час "«тсрсажу" та "охолодження"; i - б!кучо значения часу.

СпркмаШ апроксимацП дозволили иобудувати математичл! модил! технолоНчша прроход!а "«форсажу, "околодхйинн" "втримпи" та •'!!1д:мтош:и" домПюк з творллх ди>5узант!и щи! "iJupcaTti". В InofiTHo-

- íí •

му середовиж1 кокнз ММ опиоуегься д^аролц^'льиам ршишним:

* 4 «в> з гшчзтеовнми умовами для розпэд!лу темнаратури та концйитраш î :

С(х,у,0)=С(х,у), (17)

Т(х,у,0)=Т(х,у). (IS) та мажовики умовами:

v(C -C,), ори О s У s w; (19)

jcm^il, о. при Vf < У £ s; (20)

ЩША-L 0 dy при Q < < L : A ' (21)

dy u* при 0 < X < v< (22)

T(0,y,t) » fty.t). при О < У < Ly ' (£3)

tl ¿'.) П ах ' при О < У L , (24)

де fCy.ij - затон SM {ни теииератури. на аов&рхн! иласшш при проведена! в1дпов1дного технологичного Пврзходу ("форсажу, "лхшюдчген-

НЯ" , "ВИТрИМШ" ) .

Яки-р дифуз1йй цроцзса при "mrpre/ni", "ispeas!" та "ог.н:а-Дйвнн!" проходить в описшму сэрвдог.йц1 I товздша окислу, при тому, зростас з часом, то ИМ пписуюгься нпстунноа системою доф&рон-Шальних р!штнь:

^ÍF^ - à Ь } ' 2f '

* 4 Ь при и.у) - к., ; (25)

3 ючаичшвши умовами дли роапод|лу температура то колщатрв-

ЩГ:

й(х,у,0)*=С(х,у), (27)

Kx.y.OH'fx.y). (28)

та мьжоыйш умипами:

.ЩЪ!iL?., v^-c ), upii 0 s y s L ; (-¿ы

(30)

(31)

(32)

(33)

,(34) (35)

.^Е'Уг-Р^-у^СС,^- «С^э.при С(Х.УИ-) е 5102-Б1. (37)

У вкладку коли дифуз!йи! процэси при "вигримц1"» "форсаж!" та "охоЛ0дз8нн1" проходить в окйсеому сервдовищ! ! товщина окислу не вм1кзагься б процос! перерозпод!лу дом1вок, то Ш описуюгься системою Д!!|)сренц1алыик р!внянь (25 -26) з шчатковики ума вами (27 -28) I мевозиш ушваш (29 - 35).

Для розв'язку однов»м!рних да?уз!йних задач використовуетьсп метод скЛнчекниг р!зниць, а для розз'язку систеш л!н!йних алгеб-ра!чвих р!внянь (СЛАР) - котод прогонки. Юзв'язок дзовим!рних ди-фуз!Янлх задач проводиться методом ел!шиз нзщ>ямк1в, який дае мок-лив!сть: проводок розрахунки з ншмальнши витратами оперативно! пан'кт! ЕОМ; використовувзти програмну базу для одновкм!рного розб'язку.

1Ъзроблвн1 Ш пероходив дозволять с£ормувати ко дел ь швного циклу проведення да$уз!йних процесс при формуваня! натвпров1дни-кових пршад!в, зв'язати характеристики 1С з температурными процэ-саш в оОладнани!. просл1дкуБати характер вплизу твхнолоПчних пе-регод!в на профШ розпад!лу легуючих дом!шок в кристал! та п!даи-Е5ГГИ точн1сть моделдваяня дафуз!йяих процзс!в за рахунок визначення б!льш точного значения креф1ЩеЕта дифузН.

Доведен! експериментолья! досл!давгаю для визначення залвх-еост! поверхнэвого опору в!д вктрат газ1в-кос1!в, гасни та газу-нос!я через даорела. По результатах авал!зу експеримонтальних даних розроблена математичаа модель розрагушу поверхневоГ концентрат! легуэтих дом!шок бору I фосфору при пикористанн! твердих та р!дких дафуззнпв.

Огримана залеаяПсть поаерхнево! концопграцп дом!шки с* в!д параметр!в технолог!чюго обладшпяя мае настушгкй вигляд:

°> при О < х < ьх;

0, при 0 < X < ;

Т(0,УЛ) » гсу.и, при О < у <

Щ^ЛЛ]*, о, при О < у < ьу;

ЫС1ох-С1%1У,гО. при С(х,у,1 ) е £103-31;

ьсс^-с^^по. при С(х,у,ь) ^ экл-а;

а/-/- чг I» л -V

с* = дсг_н* дсо2» йсда (30)

да лсо2- коеф!ц!снт, який врахозус зм!ну повврхпвво! концентрат I в!д витрат кионю; - концентрац1я домипси, яка випаравуегься з дзерела; лсг_н - коеф!ц!ент вшшву витрат газу-кос!я (азоту чи яр-гону) на поверхвеву ганцентраШю дом!шки; йс - коеф!ц!ент вшгиву витрат газу-нос1я через р1даэ джэрвло на с*.

Побудован! впрокскмэц!йн! залэжност1 зв'язуюгь процвси впро-вадяення дом!иок з режимами проведения технслоПчно! операцП, параметрами обладвання та як!стю дифузапт!в. Це дало- можлив!сть пояс нити I оц1ниги зм1ну властивостей нап1впров!дпиЕових областей в залежност! в!д пронес!в газодотам!ки в обладавши I фззових пэрег-ворень на новерхн! пластин.

в траггьому розд1л! розглянут I мат8У.атичн1 вдел! тегнолог!ч-ия операд1й, як! т!сно дов'язан! з дафуз1йними процееами.

Досл!даен1 та розроблен!: математичяа модель окисления кремн!ю з врахуванням витрат кисюо уоз; модель окислепня тонких вар!в крем-н!ю; чисольно-анал!тична модель нарощення еп!такс!йних пл1вок. Основою для першо! ММ окисления е загально в!дома модель Д1ла-Гроува. Вшшв витрат кисню враховуеться присгюренням обо сеов!льй8нням л1-н!йно1 (В/А) та парабол!чно1 (В) констант пвидкост1 оккслення:

В = сВ\*о, (39)

В/А = св/А)4* о, (40)

де сВ). , сВ/А). - власн! значения парабол!чно! та л1п!йно! констант окисления яремн!ю; а - коефЩ!ент, який враховув вилка витрат чо7 на л1н!йну та параболту константи окисления (коефШ!ент а отриш-еий на основ! експерименталышх досл!дяень).

Мзтемзтотлгз модель ояислення тонких шар!в нремн!в будуеться аналог1чним чином, тобто за основу Сереться модель Д1ла-Гроува, а вшшз ефекту прискорення л1н!йно! швидкост1 на початковШ стад!! окисления враховуеться виразом:

В/А = СВ/А);* В, (41)

де е - коеф!Ц!ент прискорення л!н1йно! шзвдюст! огаслешот на по-чатковому етап1 нроцесу.

Чисельно-знзл1тична модель нарощення еп!такс!йяих шивок, яка враяовуе три основн1 ф1зита1 процеси автолегування, дифузш з еп1-таксШгого шару в Шдмадку та дифуз1в з Шдкладки в еп!такс!йийй шар. В ц!й модел! нроф1л! автолегування 1 дифузП з еп!такс1йного шару в п!дяладку розраховуигься на основ! анал1тичних вираз!в, а проф!ль дифузп з Шдкладки в еШтакс !йяий шар - чисельн'им методом (метод ск!нчешптх ргзниць).

йзроблен! математичн! «адел! забвзпечуюгь покращення точност! вих!дних нонтральованих параметра технологиям операщй при зяач-й!Й еконоыП ресурсу ЕОМ.

Дцаятован1 та досл1даен1 модел!: двовишрного анал!зу окисления та афект!в, ю проходять п1д Штридною маскою; нарощааня еШтак-с1Йикх шПвок, як1 дозволять врахавувати процьси в кристал! 1 Еа вгшорхн! пластини, конструкц!ю реактора-та взэешд!ю реагент!в в обладавши;- Юнш! ШплантацИ {нодвШно-спарена гаус!ана та ШРСОН-1V) для аиалюу процес1в в одно- та двошарових структурах для впрсвадження легуючих дом!шок бору, фосфору, сурьми Гмкш'яку.

Розроблен! ефективн! алгоригми анал1зу процос!в окисления, юнш Г шплантащ I та еп1такс!Ин^.го варощення. як! доззоляоть оптимально використрвуватн машишЛ ресурс и га формувати мзтемзтичя! модел! у вигляд! бюлютеки моделей а врахуваяням особливостей технологи 1 складиост! розв'зку.

ц чоткжугючу роддча проведани досл!джоцня точност! чисель-наго роза'язку р!вняння дкфузП в залбжност! в1д кроку но кшрдина-тI, крону по часу та впрокримацИ ксефПИснта дн!уз!1 в просторов!Я обдаст!. На осиои! цровадених модальних ешшримшгНв розроблон! скрази для розрахунку краку по часу та координат! в заяехност! в!д необидно! точност! чисельнош розв'язку та витрат машинного ресурсу.

Юзроблена ма'Гематична модель рельефу цовархн! нан!вприв1дяи-5.030! структур», яка иобудована иа основ! припущення, шр рельеф на-п!влрой!дциково1 структура'зм!нветьси лише п!д час приведшая тех-полог!чвих операШй окисления, травления, та Юнно! ИшлаитацИ I в га!й загальна'товиина этравладаго кремнШ нк.' для кохно! облает! еизначаеться виразам:

п ь к

Д-> п.й.к - к!дьк1сть технолог1чких опьраЩй окисладня, травления та Юнио! !мнлаптаци в тегснолоИчкому маршрут 1 виготовлвшш нашввро-й!дникоео! структури; с)02 - тошщпю 21, иьа виграчаеться на утви-рзкня засы при 1-му окислена!; - товщииа кримнИи, шр зтравли-еться при ^ — 1лу трашшяи; с1(1Г - таадаа иремн!»), яка розпк/шеться при ггровадошП 1-1 !кдлантацп.

Приведена 15.1 дозволяй в иродас! ироходкешш технолог!чшго каршруту визкачати та вналлэувати занцення юворхн! яластипи в р!з-, ша лаШвпройЦшикових областях елвм&нпв 1С та и!дввднтк точн!сть роорвзгунву коптродьованш; параметр!в ф!зичво! структур«.

Проведено досл!дження впливу ефект!в прискорэняп кооф!ц!ента дифуз!! в окисюку середови^! (дом!шка бор та фосфор), прискорення коеф1ц!ента дифузП олектричним полем, яке вргаикае в середин! на-н!впров!дниково! структури при наявност! домнюк р!зного типу про-в!днос?1, кластеризацП дом1шок та видавлення бази фосфорним ем!т-терон на шгеГднГ параметр« в реальних пашвпровцщшпвиз: вира баг (К1021ХА8). Оц!нена в!даосна похибка порохованого вих!дного контро-льовакого параметре, по вшлкяс за рахунок не врахувэння того чи 1ншого ефекту.

Досл!даена ! пор!вняпа гочн!сть кових дифузШшх технолог!чних опврац!й з 1 снуючими. Огримзн! результати показуюгь, ио розробляи! математичн! модел] давфуз11 дозволяоть шдвиаити точгИсть вих!дш« контролюваних параметра технолоПчних оперзцШ та в б!лшШ н!р! вивчити ф1зичн! процеси, ял! проходять при цга гехнолог!чшге опэра-

ц!ях.

п'я-гия розд1л приев-ячэяий розробш лрограмио-методкчного комплексу (ГМК) "ПроЩС-Т" Саго арх!тектури та Шдсистем, визначепо особливост1.побудови ! функШонування комплексу та його склэдових частин. Запропонована структура дозволила ефективно роал!зузати розроблену методику, алгоритм?! та модел! анал'юу даф.уз!йних пропе-с!в при насяр!зному проектуванн! 1С.

Визначен! фуякцИ базового, загэльносистемного та спеШал1зо-вавого програмного забозпечення (КЗ) ПМК. РозроблениЙ спец1ал!зова-ний мон!тор, який регламентус госл!довн!сть функц1онування комплексу, формус схему р!шенпя задач, вгоначае дерево зикористаняя 616-л!отеки математичякх моделей технолог1чнкх переход1п, забэзпечус ефвктивву д!алогову вззешд!ю з користувачем 1 гаректне редагування та збареження !нформаи!1. Спец!ал!зоване ИЗ дозволпе вшюристовуяа-ти р!зн! математичн! методи, поеднувати модел! р!зно1 математично! склздност I, ефективно використопувати ресурс ЕОМ, поповшпззти БММТП нов им и евр1атичш1ми правилами I математичниш моделями.

Сформозано осяовп! задач! !нформац!йного забезлечення ПМК. Спроектовано ! ггрогрзмго розл1зовано оператгашу базу даних, ад за-бсзпэчус ефективне використання оперативно! пам'ят! обчислюзальяо1 техн!ки, П1видку взаемод!в погюту прикладник прогрям (ШТГ1) з базою дяпих (БД) на зг>вн!ии!х яос!ях, усуноння педол!к!в обмеженост! ресурсу обчиелгаалыю! т«)хн!ни. Система уир:тп1нни ВЦ дозволила структурувати окрем! прогрпчн! модул!, дишяиИнувати пронеси прог-рамупаиия на р!зних мончх чдажот р.'влч, гмбэкпочити одоотгазн!сть рГаш ПГС1 по входу i ппчояу, мюр.тшгн однотшиу 1/«!0Л0г!г роботи

pt3SKX програн1ст1в при розробщ одн1е! системи.

Розраблана щюблвмш-ор!ентовака шва- 1ШК, шш за допокогов запрошновашя сценарПв забезпечуе шввдку взаемодИи з користува-чеы, Шдказку та навчапня в процес! р!шааня задач!, аобудоау оетй-кальких маршрут! в анал!зу дифузШшх процес!в при проектуванн1 1С. Структура сценарии вх!дно! шви дозволяе навчати студент!в t молода спец1ал!ст!в, провести ¡итсиф!кац!ю тшових ! базових ТП, фэр-иу ват и необх!дау тоцолог1Е) J ф!зичну. структуру кристалу, визндчати кригкчш облает! авал1зу кап 1 внров 1 дникоеого кристалу, анал!зувати рвзультати моделшання I ефектианють використания ыатештичного епарату.

п додо-гкых приведен! виведашш: основних сп1вв1дношень для розв'язку система л!н!йшх алгебра!чних р!внянь методом прогонки при шэжових уыовах паршого роду; вкразу для електростатичного по-тенц!алу, виходячи з уиов квазнюйтральнэст! та к£аз1р!вноваги; основних сп!вв!дношень для двовим!рного чнеельного моделшання дифу-з1йш1х процвс!в та иирази для врахування впливу зовнШшього середо-евдз ed швидк1сть окисл0шш.

ОСНОВЩ РЕЗУЛЬТАТ« РОБОТИ

¿.Вэзроблвний алгоритм ыодолввання технолог! чшаг опершей фар^у-езння нап1вирав1дншово1 струкгури, яккй дозволяв {ушщ! овально ць'язйти характеристики Иггегральних exea з рехшами технолог!чиого процвсу, параметрами обладания та иатер1ая!в. 2.3апроповована I реал!зовава бюлютека иатемзтичних моделей тех-налоПчних переход!в на основ! разроблених иетод!в, математичних шделей та алгоритм!в анал1зу формуотих операцш, яка дозволяе ефактивно генерувати та проектуввти технолог!та! маршрута, як lena та к|лшсш ощншати основа! характеристики технолог1чност! кои-струкцИ, адаптуватись до Ювуючих нромислових САПР ТП.

3.Гозроблец! та досл!дген! ыатекатк'чя! модел! дафуз!Шш: процес1в, окисления креЖв, 1ошо1 !мплавтац!1 та еп!такс!йного нарощььня в одно- i дворлы 1 рному наближеннях. Залропонован! модел! доэволяюгь враховувати процеси в пристал! I на иовергн! пластюш; ефокти п1д н!традною масков та прискореяня процос!в для окисления тонких окис-л!в; ковструкц!» реактора та взаемодив рвагетчв в обладшшн!; враховувати фазой! переходи на повбрхн! ! в т!л! нап!варов1дииха; шг-рерозпод!л легувдих дом!шок в нап!виров1дйикових структурах.

4.Проведен! експериментальн) досл!даення технолог! чшге онэраШИ та

пореход!в «завантаженвя», «форсану», «отолодавзня» I «витримки», пр дозволило зв'язати характеристики 1С з темперагуряши лроцэсами в сбладнанн!; ощниги характер вшшву технолоПчних перехода яа про-ф1лТ розпод1лу легуичих доШшок з кристал!: побудувати зэлегност1 поззрхневопэ опору в!д виграт газ!в-нос!!в, киев» та гззу-нос!я. б.Розроблена матемятична модель рельефу поверхн! нап!впров!днико-во1 структури, яка дозволяс в процес! проходання техаолоПчного маршруту визначати та анал!зувати змШекня поверхн1 пластини в р!з-яих нап!впров!дшшзвих областях елемевт!в 1С та п!двищтги точп1сть розрахунку контрольованих параметра ф!зично! структур«.

6.Розроблеп! ефективш алгоритма моделнвайня дифуз1йних процес!в, окислепня, !онно! 1шлантацН, ея1токс IИного нарощэння в одно- ! двовям!рному наблмженнях.

7.Проведено досл!дяення точност! чисельпого розв'язну р!вняння дифузП. Кэ основ! отримвних результат 1в резроблои! матенатичн! ви-рази для розрахунку крону по часу та координат! в залекност! в!д необидно I точност! чисельного розв'язку та ресурс!в ЕСМ.

ГОШКАЦП ПО ГЕЯ ДКСЕРТАЩйНЭ! .РОБОТЙ

1. Гранат П.П., Теслдс В.М. Иэделпвання технолоПчних процес!в па-п!зпров!дникових !ктегрэльшх схем на баз! ПЕШ.'/' Теор!я 1 проек-тування нап!впров1дю5кових та рад!оелэктронних пристро!в. ВЮник ЛШ н°272.-Льв1в: "Вша школа", 1993 р. - с.13-21.

В дан!й публ!кац11 Теслту В.М. налэжигь теоретична то практична . розробяя алгоритму модэлнваиня технолоПчних процес!в пира б-ницгва 1С, який враховуе ф!зичн! пронеси в н8п1впров1дниковому кристал!, на його поверхн! та в обладнанн1.

2. Гранат П.П., К!селичник И.Д., Теслга В.М. .Чодел! дифуз!йннх процесс в нап!впров!дяинових структурах.// Рад!отехн!чний - вчора, сьогодн1, завтра... .Зб!рншс праць сп!вроб!тник!в та зипускнин^в РТФ, ЛП1.-Льв1в: "Вша школа", 1992 р. - с.81-86.

У вказэн!й робот! Теслшу В.М. валешггь форяал!зац!я та практична реал!зац1я одновгаирних математичних моделей дифуз!йаих тех-нолоПчних переход1в ("загонка", •■розгонка","розгонка" з окислениям та "розгонка" П1д окислом пост1Яно! товпшни)

3. Коваль В.О.,Гранат П.П..Теслхк В.Н. Автоматизированная система технологического проектирования полупроводниковых ИС. // В сб. Техника, экономика. Сер. Автоматизация проектирования, вып. 2-3. -М.: Яздгво тт, 1094 г.-ст.98-105.

В приведений робот 1 Теслш В.И. розробив структуру б!бл1отеки математичних моделей технолопчних переход!в 1 скстеми керування ШМТП та рвал!зував алгоритм й методику технолоПчнош ыоделювання 1С.

4. Гранат П.П., Теслж B.U., Романко В.О. Розробка математичних моделей анал!зу дафуз1йних процес!в в нап!впров1дникових структурах. // Сучасн! проблеми автоматизовано! розробки 1 виробництва радЮ-елактронних зас,об!в та Шдготовки 1нженерних кадр!в: Матер1али Шжпародно! НТК (лотиЯ 1994 р. с.Славсько), Льв1в: ДУ "ЛП", 1S94 р.-с.56-59.

В статт! Теслюу B.U. наложить формал1зац1я та роал1зац!я на ЕШ математичних моделей дифуз1йши процвс!в. нк! використовуюгься у виробництв! 1С.

Ь. Теслщ B.U. Задач! технолог!чного анал!зу в цикл1 васкр!зьних САПР ЫС.// Сучысн! проблеми автоматизовано! розробки I виробництва рад!облсктрйшшх sücoöIb та шдготовки 1нхенерпих кадр1в: Цатер!али Минародно1 НТО (лзи'ИЙ 1994 р. с.Славсько), Льв!в: ДО "ЛП". 1S34 р.-с.87-89.

Тйслшэм D.U. ышшчан! основн!. задач!, як! вшшеамь при ьна-л!з! технолог!чного процаеу виготовлення 1С в цикл! носкр!зьних САПР

6.Гранат Г1.П., Тьслик В.II., Шзар A.B. Цатеиатична модель $орму-вагшя ен1таяс!йшх шарПз. // Сучасн! проблеми автоматизовано! роз-роОки 1 виробництва рад1оел0Ктродних засоб!в та Шдготобки шиенор-ш» 1шдр!в: Ызтер!али Ш»нарадио! НТК (литий 199-1 р. с.Славсько), Льв!в: ДУ "ЛП", 1994 р.-с.90-92.

В дакШ статт! Теслш D.U. пров!в матойатнчну 'формал1зац1в ьадач! Зориуйанця еп!такс1Яшх шар!в ! реал!зував на ЕСМ.

7. Коваль В.О., Гранат П.П., Теслш U.U. Методика моделивання.тех-шшг!чних прочее!в вирооницгва 1С.//Дэсыд розробки Г застосуванп» приивдо-гехнолопчиих. САПР в м1кроолектров!ц!: Тсзи допов!дей НТК (лигий 1993 р.), Льа1ь: ВО -Пиляроп",' 1993 р.-с.20. '

В ц!й роосчч Теслюкои B.U. теоретично розроблеш! методика т-далмшнля техно юпчких процас1в вирабнипува 1С та ОМлЮтека математичних цоделоИ ехнолог!чьих переход!п.

0. Гранат П.П., Нроцик A.C., Теслш B.Ii. Программно-методический комплекс) моделирования технолог!чиских процессов производства КС.// Високие технологии в проектировании технических устройств и автома-, тизироваиннх систем:. Тез. докл. Вевроскаскоа совв,»гшм-семинар (сентябть 1993 г.),. Вороне»: ВЛИ, 1993 г.-с.Эй.

В даних тезах Теслиюм В.М. розроблона структура ПМН "ПроШС-Т" та розроблен! 1 реал!зовап! на електронпо-обчислпзэльнМ машин! математичн1 ¡отдел! терм!чного окисления, дифузи, еп1такс!!.

9. Монастырский Л.С., Кокодыняк A.C., Теслпс В.Н. Двухмерное моделирование разгонки гонно-имплантированной примеси в кремниевых ШС. // Высокие технологии в проектировании технических устройств и автоматизированных систем: Тез. докл. Всеросийское совещоние-семинар (сентябть 1993 г.), Воронеж: ВПИ, 1993 г.-с.65.

В цих тезах Теслхку В.М. належигь розробка даовим!рно! мятема-тично! мздел! "розгонки" та алгоритму розрахунку но ЕОМ.

10. Гранат II.П., Теслга В.Н., Процик A.C. Система технологического моделирования полупроводниковых КС. // Машинное моделирование и обеспечение надежности электронных устройств: Тез. докл. НТК (сентябрь 1993 г.), Бердянск: а*Ш, 1993 г.-с.140.

У вказанШ робот! Теслгау В.М. налезть розробка та практична реал!зац!я вх!дно1 мови для 1Щ "ПроЮС-Т".

И.Теслхи В.М. ДифузШна натематична модель впровадаення дом1шок. // Досв!д розробки 1 застосувапня приладо-технолог!чних САПР в м!к-роелектрон!ц!: Тез. доп. НТК (летий 1995р. с.Славсько), Льв!в: ВО "Полярон", 1995р.-с.49

У цих тезах Тес.лга B.W. розробив та роал!зував на ЕОМ матема-тичну ¡лодель "загонки" з окислениям з врзхуванням ф1зичних процзс!в в кристал! та на йэго поверхн!.

12. Теслкк В.М., Пастернак В.В., Насипзйко 0.ML Математична ¡лодель окисления кремн!ю з врахуванням витрат кисню. // Досв!д розробки ! застосування приладо-твхнологМяих САПР в м1кроелектрон!ц1: Тез. доп. НТК (летий 1995р. с.Славсько), Льв!в: ВО "Полярон", 1995р.-с.41

В даних тезах Теслкку В.М. наложить проведения експеримэнталь-них досл!дяеннь пов'язоних з залеяш!ств товдини окислу в1д витрат кисню ! розробка мзтематично! модел! окисления кремн1в, яка врэхо-вуе витрати кисню.

13. Теслюк В.Н., Пастернак В.В., ТЪманко В.О. Двовим!рне моделпван-ня дифуз!йних процес1в. // Досв1д розробки 1 застосування приладо-технолоПчних САПР » м1кроелектрон!ц!: Тез. доп. НТК (люгий 1995р. с.Славсько), Льв!в: ВО "Полярон", 1995р.-с.67.

В цих тезах Теслтеу B.W. належить побудова двовим1рних матема-тичних моделей дифу:Ш та рг>лл!зяц!я на ЕОМ, базуючись но метод! змШних 1гапрямк!в.

14.. Но нал ь В.О., Гранат П.П., Тс^лм: В.М. Матвматичн! модел! техно

лоНчник переход!в "охолодження" та "форсажу". // Дрсв!д розробки I застосуванвя пршхадо- технолог!чних САПР в-м1кроэлоктронЩ1: Тез. доц. НТК (лшгий 1995р. с.Славсыю), Льв1в: ВО "Шлярон". 1995р.-

В даних тезах Теслшу В.и. наложить проведения екснерименталь-ш:х досл1дженнь пов'язаних з визначенням характеру зм!ни температуря в дифуз!йн1й труб! п!д час проведенвя дифуз!йних техшлогчних опврацШ, шбудова математичю! модел1 зм!ни температури в дифуз!й-н!й' печ! та розробка 1 реал!зац1я на ЕОМ математичних моделей "охолодження" й "форсажу". •

Осооислмй оиасок автора В ОТрИМЭНН! ' НЗУКОВИХ результат!В шлягае в тому, шр положеикя, як! складашгь суть дисертацп були сфорыульаваи! 1 вирШеи! ним самост!йно:

1) Анал1з технолоПчних задач в процес! проектувавшя напIворов 1дни-кових 1С £9);

2) Розроблений алгоритм моделюаання технолоПчних процес!в I проведена структуризащя математичних моделей с 3,7);

3) Розроблен! математичн! модел! технолоНчних перехода в процес! ДИфузП дом!шок (2,8,11,13,14);

4) Вэзроблен1 модел! терм1чного окисления, росту еп1такс!йних ша-р!в, !онного легування та рельефу нап!впров!дниково! структури (5,10,121;

Ь) Розроблена арх!токтура I осиовн! нринципи та етапи програмно! реал!зац!I ГМК "ПроШС-Т" (1,3,4,61.

ZI -

Abstract.

Teslyuk V. M. Simulation and analysis of formation processes of 1С technological layers In device-technological CAD systems. Dissertation paper for fulfillment of the scientific degree of technical science candidate according to speciality 05.13.05 -Design Automation Systems. State University "L'VlVSKa

FolttechnlKa". Lviv, 1995.

In this dissertation paper the following things are defended; the methodles and algorithm of simulation of the 1С production technological routes; the mathematical models of diffusion and oxidation technological operations; the mathematical model of semiconductor structure relief and the models of the processes in equi pment•

The was established that; 1) developed mathematical models of technological operations allow to improve the calculation accuracy of the output controlled parameters; 2) offered and performed methodles, algorithm of simulation of the 1С production technological routes and algorithms of technological operations simulation allow to organize the calculation process more efficiently; 3) program - methodical complex ProMIC-T is developed and performed.

Аннотация.

Теслга В.H. Моделирование и анализ процессов формирования технологических слоев ИС в приборно-технологических САПР. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.13.05 - Системы автоматизации проектирования. Госуниверситет "Львивська политехника", г.Львов, 1995 г.

В диссертационной работе защищается: методика и алгоритм моделирования технологических маршрутов изготовления ИС ; математические модели технологических операций даффузии и окисления; математическая модель рельефа полупроводниковой структуры и модели процессов в оборудовании.

Установлено, что 1) разработанные математические модели технологических операций позволяют повисеть точность расчета выходных контролируемых параметров; Z) предложенные и реализованные методика, алгоритм моделирования технологических маршрутов изготовления ИС и алгоритмы моделирования технологических операций даст возможность эффективно организовать процесс вычислений; 3) разработан и реализован ПШ( "ГТрсИИС-Т".

. Ключов! слова: САПР, ГШ. алгоритм, точнГсть, модель, дифузГя.