автореферат диссертации по приборостроению, метрологии и информационно-измерительным приборам и системам, 05.11.07, диссертация на тему:Методы оптической поляриметрии для жидких и твердых сред

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОПТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ОБЪЕКТОВ.

1.1. Методы рассеяния света.

1.2. Абсорбционные методы исследований.

1.3. Методы оптической поляриметрии.

1.3.1. Эллипсометрии пропускания.

1.3.2. Отражательная эллипсометрия.

1.3.3. Матричные методы расчета и описания поляризационных эффектов.

2. ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКОЙ АНИЗОТРОПИИ ОБЪЕКТОВ.

2.1. Теория обобщенной эллипсометрии.

2.2. Определение матрицы отражения объекта, проявляющего свойства оптической анизотропии.

2.2.1. Определение нормированной матрицы отражения оптической системы с использованием статистического метода наименьших квадратов.

2.2.2. Исследование анизотропии слоев АЮаАБ.

2.3. Определение матрицы Джонса анизотропного объекта в проходящем свете.

2.3.1. Функция реакции азимута оптической системы.

2.3.2. Определение поляризационного отклика оптической системы.

2.3.3. Математическое моделирование линейной анизотропии и оптической активности.

3. ЭКСПРЕСС МЕТОД КОЛИЧЕСТВЕННОГО АНАЛИЗА МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ РАСТВОРОВ.

3.1. Определение концентраций многокомпонентных растворов средствами спектрополяриметрии.

3.2. Определение концентраций многокомпонентных растворов средствами спектрофотополяриметрии.

3.3. Применение спектрофотополяриметрии при исследовании двухкомпонентных систем.

4. ЭКСПРЕСС МЕТОД КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ УЛЬТРАТОНКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ.

4.1. Выбор модели отражательной системы.

4.2. Численное решение обратной задачи эллипсометрии.

4.3. Исследование ультратонких полупроводниковых слоев AlGaAs.

5. АППАРАТУРНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ.

5.1. Выбор схемы поляризационно-оптического комплекса.

5.2. Автоматизированный поляризационно-оптический измерительный комплекс.

5.2.1. Отличительные особенности.

5.2.2. Структура, основные модули.

5.2.3. Основные принципы работы.

5.2.4. Случайные погрешности измерений.

5.2.5. Устройство поляризационно-оптического комплекса.

5.3. Алгоритм поляриметрических измерений.

5.3.1. Первичная диагностика объекта исследования.

5.3.2. Режим измерений.

5.3.3. Обработка экспериментальных данных.

В последние десятилетия в науке и технике наметилась тенденция развития новых технологий и, как следствие, возникла дополнительная необходимость в усовершенствовании методов исследования и контроля. Как наиболее перспективные по ряду параметров, оптические методы и средства контроля обладают рядом преимуществ и успешно применяются в самых различных областях. Для большого перечня исследуемых материалов оптические неразрушающие методы контроля приобретают все большую актуальность, что диктует необходимость дальнейшего их аппаратурного и методического обеспечения. Широкие перспективы открываются в этой связи перед теми оптическими приборами, которые обладают универсальностью по отношению к объекту исследования.

Основой такого универсального подхода к объекту могут служить оптические методы, основанные на регистрации параметрой состояния поляризации излучения, прошедшего и (или) отраженного от объекта. Эти методы имеют ряд важных особенностей: неразрушающий, невозмущающий характер эллипсометрических измерений, что дает возможности проведения измерений не только in siti, но и in vivo; высокая чувствительность измерений; возможность проведения измерений в широком интервале температур, давлений, в агрессивных средах; возможность автоматизации и построения экспресс методов измерений.

Все это подчеркивает актуальность их применения в универсальных по отношению к объекту исследования измерительных комплексах. Базовым принципом таких комплексов может служить модульный принцип построения измерительной схемы прибора. В большинстве приборов, работающих по принципу регистрации изменения состояния поляризации излучения, используется конечный набор элементов, что позволяет составлять измерительный комплекс, способный работать с широким кругом объектов.

Классификация широкого набора возможных объектов исследования по их оптическим параметрам дает возможность построения универсального измерительного комплекса. Такой комплекс работает на основе единого обобщенного алгоритма, включающего в себя несколько методов измерений, выбираемых в зависимости от объекта исследования, его параметров.

Алгоритм, являясь основой методического обеспечения универсального измерительного комплекса, позволяет, таким образом, включать в исследования практически любой круг объектов, обладающий необходимыми параметрами для поляриметрических измерений без особой трансформации аппаратурного обеспечения.

В связи с этим целью диссертационной работы являлось создание общего алгоритма поляриметрических исследований и его методическое наполнение, т.е. разработка методов контроля широкого класса объектов. Общий алгоритм включает в себя все шаги по исследованию объекта от настройки прибора до получения готовых параметров, в том числе и упрощенные экспресс методы измерений.

Для достижения указанной цели в диссертации ставились следующие основные задачи:

- разработка метода оценки и расчета погрешностей измерений матрицы Джонса анизотропных объектов.

- разработка математических моделей обобщенной эллипсометрии, основанной на азимутальных измерениях, для одновременного определения параметров линейной анизотропии и оптической активности объектов.

- разработка метода оперативного контроля параметров полупроводниковых слоев гетероэпитаксиальных структур.

- разработка метода определения концентраций многокомпонентных растворов средствами спектрополяриметрии и спектрофотометрии. создание аппаратурного обеспечения для реализации разработанных методов оптической поляриметрии.

- разработка программного обеспечения управления поляризационно-оптическим измерительным комплексом и обработки результатов измерений объектов в поляризованном свете.

Диссертация состоит из пяти глав.

В первой главе рассмотрены особенности, недостатки и универсальные возможности оптических методов в исследовании объектов различной природы. Особое внимание уделено методам комбинационного рассеяния, спектрофотометрии и методам оптической поляриметрии, обсуждены механизмы явлений, которые лежат в основе этих методов, указаны области их практического применения. На основе приведенного анализа сделан вывод о предпочтительности выбора методов оптической поляриметрии в решении ряда исследовательских задач. Сделан вывод о необходимости разработки новых, отвечающих современным требованиям, методов оптической поляриметрии и соответствующего аппаратурного обеспечения для диагностики широкого класса объектов.

Во второй главе исследованы возможности методов оптической поляриметрии в изучении свойств анизотропных материалов. Рассмотрение данного вопроса проводилось с привлечением метода обобщенной эллипсометрии, который в сочетании с методами матричной алгебры позволяет эффективно решать исследовательские задачи различной сложности. В первой части главы рассмотрены возможности метода обобщенной эллипсометрии в определении матрицы отражения анизотропных объектов. Предложен метод оценки и расчета погрешностей анизотропных измерений, приведены результаты исследований анизотропии поверхностных слоев АЮаАя. Во второй части главы показано применение метода обобщенной эллипсометрии для определения поляризационных параметров недеполяризующей оптической системы на основе ее азимутального отклика. Выполнено математическое моделирование определения матрицы Джонса системы, проявляющей свойства линейной анизотропии и оптической активности, получены формулы для определения азимута оптической оси С2, линейного дихроизма (ке-к0), линейного двулучепреломления (пе — п0) и кругового двулучепреломления

Пц-П,).

Третья глава посвящена практическому применению спектрофотополяриметрического метода для количественного анализа многокомпонентных жидких растворов. Разработаны математические модели количественного анализа двух- и трехкомпонентных смесей, приведены результаты измерений концентраций смесей пищевого красителя К21958 и D-глюкозы.

В четвертой главе предложен эллипсометрический метод для исследования особенностей роста квантоворазмерных слоев полупроводниковых твердых растворов в гетероэпитаксиальных структурах. Приводятся результаты исследования геометрических параметров (толщина, планарность) и химического состава слоев ЛУЗ^-хАв в ОаАя - АЮаАБ - гетероструктурах, выращенных методом жидкофазной эпитаксии.

В пятой главе обсуждаются вопросы разработки и создания автоматизированного поляризационно-оптического измерительного комплекса для реализации представленных в диссертации методов исследования объектов в поляризованном свете. Приведен общий алгоритм поляриметрических исследований, включающий в себя все шаги по исследованию объекта от настройки прибора до получения готовых параметров: программное обеспечение управления комплексом, пакет программ для обработки результатов измерений, программы расчета параметров исследуемых объектов на основе разработанных методов.

В заключении сформулированы основные выводы, полученные в результате настоящего исследования.

Научная новизна полученных в диссертационной работе результатов состоит в следующем:

- разработан метод и метрологическое обеспечение эллипсометрических измерений матрицы Джонса анизотропных объектов.

- разработана математическая модель для одновременного определения параметров линейной анизотропии и оптической активности объектов с помощью метода, основанного на азимутальных измерениях.

- разработан метод контроля толщины, планарности, состава о ультратонких 500 А) слоев в А1хОа1.хА8-гетероструктурах с высоким содержанием А1 (х>0,7). Показано, что для диапазона толщин твердого о раствора 250.750 А состав и толщина слоя однозначно определяются значениями эллипсометрических углов ¥ и А, измеренными при фиксированных экспериментальных условиях. предложен спектрофотополяриметрический метод определения концентраций многокомпонентных растворов, основанный на одновременной регистрации поглощения и оптического вращения исследуемого объекта.

- разработан метод корректировки временного дрейфа спектральных зависимостей измеряемых параметров в электронном тракте прибора

На защиту выносятся следующие основные положения диссертационной работы:

1. обобщенный алгоритм проведения поляриметрических исследований, построенный на использовании комплекса аппаратурного и методического обеспечения, обладающего возможностью дальнейшего расширения, позволяет осуществлять диагностирование любого объекта, пригодного по своим параметрам для поляриметрических исследований.

2. метод анализа сред, проявляющих свойства линейной анизотропии и оптической активности, позволяет посредством измерений азимута поляризации излучения одновременно определять их характеристики: линейное двулучепреломление, линейный дихроизм, оптическую активность.

3. метод эллипсометрического контроля параметров поверхностных слоев позволяет свести задачу определения толщины, химического состава, планарности полупроводниковых слоев гетероструктур к экспресс методу с применением номограмм, связывающих эллипсометрические углы Т и Ас двумя параметрами системы: толщиной исследуемого слоя и толщиной слоя окисла либо химическим составом слоя и его толщиной.

4. метод оценки и расчета погрешности измерений матрицы отражения анизотропных объектов методом обобщенной эллипсометрии.

5. метод количественного анализа жидких оптически прозрачных сред. Показано, что одновременная регистрация светопоглощения и оптической активности, дающая независимую информацию об объекте, является более эффективной, чем обычная спектрополяриметрия, и приводит к уменьшению погрешности определения концентраций многокомпонентных растворов.

6. для снижения уровня систематических погрешностей измерений предложен метод корректировки временного дрейфа спектральных зависимостей измеряемых параметров в электронном тракте прибора.

Основные результаты диссертационной работы можно свести к следующему:

1. Предложен метод оценки и расчета погрешностей измерений матрицы Джонса анизотропных объектов.

2. Предложен метод анализа анизотропных сред, основанный на азимутальных измерениях. Выполнено математическое моделирование для одновременного определения параметров линейной анизотропии и оптической активности объектов.

3. Разработан эллипсометрический метод оперативного контроля состава, толщины, планарности поверхностных полупроводниковых слоев в АЮаАв - гетероструктурах.

4. Предложен и теоретически обоснован спектрофотополяриметрический метод количественного анализа состава многокомпонентных смесей. Разработаны математические модели для определения концентраций для двух- и трехкомпонентных растворов.

5. Для реализации разработанных методов исследования объектов в поляризованном свете создан автоматизированный поляризационно-оптический измерительный комплекс.

6. Разработан метод корректировки временного дрейфа спектральных зависимостей измеряемых параметров в электронном тракте поляризационно-оптического комплекса.

7. Разработан обобщенный алгоритм поляриметрических исследований, реализованный в виде программного обеспечения к автоматизированному поляризационно-оптическому измерительному комплексу и включающий в себя все шаги по исследованию объекта от настройки измерительного комплекса до получения готовых параметров, представляющих интерес для исследователя.

8. Создан пакет программ для обработки и интерпретации результатов исследований, в том числе: программы по первичной обработке данных измерений (сглаживание, вычитание "нулевого" спектра, коррекция теплового дрейфа), программы для оценки и расчета погрешностей измерений анизотропных объектов, расчета характеристик объектов, проявляющих свойства линейной анизотропии и оптической активности, расчета концентраций компонентов смесей, определения параметров поверхностных полупроводниковых слоев.

Список научных трудов по теме диссертации:

- С.А. Алексеев, В.Т. Прокопенко, Фен Ли Шуан, И.А. Скороходова, М.В. Сухорукова. Определение концентраций многокомпонентных растворов средствами поляриметрии. - Труды международной конференции "Прикладная оптика - 96", 17-20 сентября 1996, г. Санкт-Петербург (Россия).

- С.А. Алексеев, В.Т. Прокопенко, Фен Ли Шуан, И.А. Скороходова, М.В. Сухорукова. Определение концентраций многокомпонентных растворов средствами поляриметрии. - Оптический журнал, 1997, т. 64, в. 8, с. 46-48.

- М.В. Сухорукова, И.А. Скороходова, В.П. Хвостиков. Исследование ультратонких слоев АЮаАв методом эллипсометрии. - ФТП, 2000, т. 34, в. 1, с. 57-61.

- В.Т. Прокопенко, М.В. Сухорукова, И.А. Скороходова. Экспресс-методика контроля тонкослойных полупроводниковых структур методом эллипсометрии. - Сборник научных трудов молодых ученых и специалистов СПбГИТМО (ТУ), 2000, в. 1, ч. 1, с. 44-47.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. - Тучин В.В., Приезжев A.B. и Шубочкин Л.П. Лазерная диагностика вбиологии и медицине. М., 1989.

2. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. - М.: Наука, 1973.

3. Рассеяние света в твердых телах. Под ред. Кардоны М. - М.: Мир, вып.4,1986.

4. Фрайфелдер Д. Физическая биохимия. - М.: Мир, 1980.

5. Гризодуб А.И., Георгиевский В.П. Спектрофотометрический анализ вконтроле качества многокомпонентных лекарственных средств. М., 1988.

6. Вергейчик E.H. и др. - Фармация, 1983, в. 6, с. 72-74.

7. Середенко М.М. Определение спектральных характеристикпоглощения и рассеяния пигментов в средней ИК области спектра. -Опт. и спектр., 1994, т. 76, в.З, с. 468-470.

8. Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. - М.: Мир,1981.

9. Изотова В.Ф., Максимова И.Л. Исследование анизотропии роговойоболочки глаза. Опт. и спектр., 1996, т. 81, в.6, с. 1003.

10. Прищепов A.C. Поляризационные методы исследования в биологии имедицине. Минск, 1988.

11. Алексеев С.А., Прокопенко В.Т., Фен Ли Шуан, Скороходова И.А.,

12. Сухорукова М.В. Определение концентраций многокомпонентных растворов средствами поляриметрии. Опт. журнал, 1997, т.64, в. 8, с. 46-48.

13. Громов В.К. Введение в эллипсометрию. - Л., 1986.

14. Горшков М.М. Эллипсометрия. - М., 1974.

15. Эллипсометрия. Теория, методы, приложения. Под ред. Свиташева К.К.- Новосибирск: Наука, 1991.

16. Мамедов Н.Т., Мустафаев Ф.А. Эллипсометрическое исследованиедиэлектрической проницаемости TISe. Опт. и спектр., 1990, т. 68, в.5, с. 1200.

17. Велинова ЮГ., Косарев А.И. Определение структурных и оптическихпараметров аморфного гидрогенизированного кремния методом эллипсометрии. Опт. и спектр., 1990, т. 69, в.5, с. 1082.

18. Naciri А.Е., Johann L., Kleim R., Sieskind M., Amann M. Spectroscopicellipsometry of anisotropic materials: Application to the optical constants of Hgl2. Appl. optics, 1999, v. 38, n. 4, p. 647-654.

19. Maracas G.N., Kuo C.H., Anand S., Droopad R. Temperature-dependentpsevdodielectric functions of GaAs determined by spectroscopic ellipsometry. J. Appl. Phys., 1995, v. 77, n. 4, p. 1701-1704.

20. Burkhard H., Dinges H.W., Kuphal E. Optical properties of InixGaxPiyAsy,

21. P, GaAs and GaP determined by ellipsometry. J. Appl. Phys., 1982, v. 53, n. l,p. 655-662.29.- Витлина Р.З. Отражение электромагнитных волн от поверхности с мелким случайным рельефом. Опт. и спектр., 1992, т. 72, в.4, с. 660.

22. Углов А.А., Волков А.А. Исследование кинетики роста окисныхпленок. Опт. и спектр., 1990, т. 68, в.З, с. 640.

23. Григорьева Т.И. Эллипсометрическое определение толщины иоптических постоянных пленок титана с учетом поверхностного окисления. Новосибирск, 1985.

24. Amiotti М., Landgren G. Ellipsometric determination of thickness andrefractive index at 1.3, 1.55, 1.7 jum for Ini.xGaxPi.yAsy films on InP. J. Appl. Phys., 1993, v. 73, n.6, p. 2965-2971.

25. Углов A.A., Волков А.А. Исследование пленок на основе Zr02 методомэллипсометрии. Опт. журнал, 1998, т. 65, в.2, с. 640.

26. Шептунов О.А., Абаев М.И. Решение обратной задачи эллипсометриидля неоднородного диэлектрического слоя на известной подложке с использованием второго приближения теории возмущения. Опт. и спектр., 1996, т. 80, в.6, с. 979.

27. Lee J., Collins R.W. Reall-time characterisation on transparent substrates byrotating-compensator multichannel ellipsometry. Appl. optics, 1998, v. 37, n.19, p. 4230-4238.

28. Almeida L.A., Johnson J.N., Benson J.D., Dinan J.H., Johs B.A. Automatedcompositional control of HgixCdxTe during MBE, using in situ spectroscopic ellipsometry. J. of electr. mat., 1998, v. 27, n.6, p. 500-503.

29. Ларионов B.P., Минтаиров A.M., Смекалин K.E., Хвостиков В.П.

30. Исследование распределение состава и электрофизических параметров AlGaAs слоев и квантово-размерных гетероструктур методом комбинационного рассеяния света. - Электрон, техн., серия Материалы, 1991, т. 258, в.4, с. 38-43.

31. Сухорукова М.В., Скороходова И.А., Хвостиков В.П. Исследованиеультратонких полупроводниковых слоев AlGaAs методом эллипсометрии. ФТП, 2000, т. 34, в. 1, с. 57-61.

32. Лонский Э.С. Локальные эллипсометрические измерения. - В кн. 21],стр. 138-147.45.- Abeles F. Recherches sur la propagation des ondes electromagnetiques sinusoidal dans les mililux stratifies. Ann. Phys. (Paris), 1950, v. 5, p. 596.

33. Berreman D.W. Optics in stratified and anisotropic media: 4x4 - matrixformulation. J. Opt. Soc. Am., 1972, v. 62, p. 502-510.

34. Lu S.-Y., Chipman R.A. Homogeneous and inhomogeneous Jones matrices.- J. Opt. Soc. Am. A, 1994, v. 11, n.2, p. 766-773.

35. Lecourt В., Blaudez D., Turlet J.-M. Specific approach of generalizedellipsometry for the determination of weak in-plane anisotropy: application to Langmuir-Blodgett ultrathin films. J. Opt. Soc. Am. A, 1998, v. 15, n.10, p. 2769-2782.

36. Schubert M. Generalized ellipsometry and complex optical systems. - Thin

37. Solid Films, 1998, v. 313-314, p. 323-332.

38. Jellison G.E., Modine Jr. and F.A., Boatner L.A. Measurement of the opticalfunctions of uniaxial materials by two-modulator generalized ellipsometry: rutile (ТЮ2). Optics Letters, 1997, v. 22, n.23, p. 1808-1810.

39. Thompson D.W., DeVries M.J., Tiwald Т.Е., Woollam J.A. Determinationof optical anisotropy in calcite from ultraviolet to mid-infrared by generalized ellipsometry. Thin Solid Films, 1998, v. 313-314, p. 341-346.

40. Elman J.F., Greener J., Herzinger C.M., Johs B. Characterization ofbiaxially-stretched plastic films by generalized ellipsometry. Thin Solid Films, 1998, v. 313-314, p. 814-818.

41. Thompson D.W., DeVries M.J., Tiwald Т.Е., Woollam J.A. Determinationof optical anisotropy in calcite from ultraviolet to mid-infrared by generalized ellipsometry. Thin Solid Films, 1998, v. 313-314, p. 341-346.

42. Lecourt В., Blaudez D., Turlet J.M. Anisotropy in Langmuir-Blodgett filmsstudied by generalized spectroscopic ellipsometry. Thin Solid Films, 1998, v. 313-314, p. 790-794.

43. Jellison G.E., Modine Jr. and F.A. Two-modulator generalized ellipsometry:experiment and calibration. Applied Optics, 1997, v. 36, n.31, p. 81848189.

44. Jellison G.E., Modine Jr. and F.A. Two-modulator generalized ellipsometry:theory. Applied Optics, 1997, v. 36, n.31, p. 8190-8198.

45. Schubert M. Polarization-dependent optical parameters of arbitrarilyanisotropic homogeneous layered systems. Physical Review B, 1996, v. 53, n.8, p. 4265-4274.

46. Семененко А.И., Миронов Ф.С. Эллипсометрия анизотропных сред.

47. ФТТ, 1976, т. 18, в.11, с. 3511-3513.61.- Тронин А.Ю. Оптимизация методики эллипсометрического определения матрицы отражения анизотропной среды. Кристаллография, 1989, т. 34, в.2, с. 383.

48. Швец В.А. О возможности определения комплексных коэффициентовотражения методом эллипсометрии. Опт. и спектр., 1983, т. 55, в.З, с. 558.

49. Хасанов Т. Определение линейного дихроизма и двулучепреломленияпри наличии оптической активности в плоскопараллельной пластинке из одноосного кристалла. В кн. 21., с. 98.

50. Hamilton W. Statistics in physical science. - New York, 1964.

51. Azzam R. Generalized ellipsometry based on azimuth measurements alone.

52. J. Opt. Soc. Am., 1978, v. 68, n.4, p. 514-518.71.- Jones R.C. A new calculus for the treatment of optical systems. VII. Properties of the N-matrices. J. Opt. Soc. Am., 1948, v. 38, p. 671-685.

53. Кей Д., Леби Т. Таблицы физических и химических постоянных. - М.,1962.

54. Досон Р., Эллиот Д. Справочник биохимика. - М.: Мир, 1991.

55. Терентьев А.П., Потапов В.М., Новикова И.С., Демьянович В.М.

56. Спектрополяриметрический анализ: боргидридно-поляриметрическое определение сахорозы и глюкозы при совместном присутствии. -Журнал аналит. химии, 1968, т. 23, в.2, с. 278-281.

57. Терентьев А.П., Потапов В.М., Новикова И.С., Демьянович В.М.

58. Спектрополяриметрический анализ: Определение глюкозы и фруктозы при совместном присутствии. Журнал аналит. химии, 1968, т. 23, в.5, с. 771-774.

59. Nguyen N.V., Pellegrino J.G., Amirtharaj P.M., Seiler D.G. Interfaceroughness of short-period AlAs/GaAs superlattices studies by spectroscopic ellipsometry. J. Appl. Phys., 1993, v. 73, n.ll, p. 7739-7745.

60. Ashokan R., Singh R., Gapal V., Anandan M. Structural characterization ofphotochemically grown silicon dioxide by ellipsometry and infrared studies. J. Appl. Phys., 1993, v. 73, n.8, p. 3943-3950.

61. Lee H., Klein M.V., Aspnes D.E. Optical study of an

62. A^Ga^ )0 5 In0 5P/GaAs semiconductor alloys by spectroscopicellipsometry. J. Appl. Phys., 1993, v. 73, n.l, p.

63. Ozanyan K.B., Hunden O., Fimland B.O. Dielectric response induced by intersubband transitions in quantum wells: Transmission ellipsometry studies at Brewster angle. J. Appl. Phys., 1994, v. 75, n.10, p. 5347.

64. Lin C.-H., Meese J.M. Optical properties of bulk AlxGaixAs. - J. Appl.

65. Lin C.-H., Meese J.M., Chang Y.-C. Optical properties of GaAs/AlxGaixAsmultiple quantum wells versus electric field including excitor transition broadening effects in optical modulators. J. Appl. Phys., 1994, v. 75, n.5, p. 2618-2627.

66. Garbuzov D.Z., Evtikhiev V.P., Katsavets N.I., Komissarov A.B. Study ofradiative recombination efficiency in 28-180 A wide AlGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy. - J. Appl. Phys., 1994, v. 75, n.8, p. 4152-4155.

67. Peresi L., Guzzi M. Photoluminescence of AlxGai.xAs alloys. - J. Appl.

68. Phys., 1994, v. 75, n.10, p. 4779-4842.

69. Kaufman R.G., Hulse G.R., Vezzetti D.J. Measurement of the refractiveindex of AlxGaixAs and the mode indices of guided modes by a grating coupling technique. J. Appl. Phys., 1994, v. 75, n.12, p. 8053-8059.

70. Shin J.-H., Lee Y.-H. Optical dispersion of AlxGaixAs at crystal growthtemperature. J. Appl. Phys., 1994, v. 76, n.12, p. 8048-8050.

71. Den R. J., Emanuel M.A. Measurement of the refractive index of AlxGaixAsand the mode indices of guided modes by a grating coupling technique. J. Appl. Phys., 1995, v. 77, n.9, p. 4667-4672.

72. Порус Г.Б., Лымарь Г.Ф., Резвый P.P. Эллипсометриягетероэпитаксиальных структур в системе GaAs Gai.xAlxAs. -Электрон, техн., серия Полупроводниковые приборы, 1989, в.6 (203), с. 27-33.

73. Андреев В.М., Ларионов В.Р., Минтаиров A.M. Исследованиераспределения состава в гетероструктурах с квантово-размерными слоями методом комбинационного рассеяния света. Письма в ЖТФ, 1990, т. 16, в.9.

74. Дмитрук Н.Л., Антонюк В.Н. - Поверхность. Физика, химия, механика.1985, в.12, с. 49-53.

75. Яковлев В.А. Применение эллипсометрии анизотропных сред кисследованию поверхностных пленок на кристаллах. Поверхность. Физика, химия, механика. 1986, в.1, с. 23-28.

76. Hange P.S. Optical properties of AlxGaixAs. Generalized rotatingcompensator ellipsometry Surface Sci., 1976, v. 56, n.6, p. 148-160.

77. Демьянович В.А. Справочник по программированию. - М.: Наука, 1986.

78. Тойбузд П. Оценка точности результатов измерений. Под ред. Сычева

79. Е.И. М.: Энергоатомиздат, 1988.