автореферат диссертации по металлургии, 05.16.03, диссертация на тему:Физико-химические свойства систем Bi2O3-MenOm в твердом и жидком состояниях и разработка способов улучшения качества материалов на основе оксида висмута

1. ВВЕДЕНИЕ.

2. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА

2.1. Получение, применение и некоторые физико-химические свойства материалов на основе оксида висмута.

2.2. Диаграммы состояния в системах на основе оксида висмута.

2.3. Межфазное взаимодействие расплавов с твердыми телами

2.4. Вязкость и электропроводность расплавленных оксидов . 28 3. МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТОВ

3.1. Изучение межфазных взаимодействий в системах на основе оксида висмута.

3.2. Методика определения вязкости расплавов.

3.3. Методика измерения электропроводности.

3.4. Исследование фазовых равновесий в системах на основе оксида висмута.

3.5. Получение монокристаллов соединений на основе Bi203 и исследование их свойств.

4. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТОВ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

4.1. Фазовые равновесия в системах на основе оксида висмута . .51 Выводы к разделу 4.1.

4.2. Вязкость и электропроводность расплавов на основе Bi

4.2.1. Система Bi203-Cu0.

4.2.2. Системы Bi2OrMeO (Me = Mg, Са, Ва, Zn, Cd)

4.2.3. Системы Bi203-Me203 (Me = Ga, La, Fe).

4.2.4. Системы Bi203-Me02 (Me = Si, Ge, Sn, Ti).

4.2.5. Система Bi203-V

4.2.6. Некоторые закономерности вязкости и электропроводности жидких оксидов.

Выводы к разделу 4.2.

4.3. Межфазное взаимодействие расплавов на основе Bi2C>3 с металлами и оксидами

4.3.1. Контактное взаимодействие расплавов на основе Bi с твердыми металлами.

4.3.2. Контактное взаимодействие в системах на основе В120з с твердыми и жидкими металлами.

4.3.3. Некоторые закономерности капиллярных явлений в системах на основе Bi203.

Выводы к разделу 4.3.

4.4. Получение соединений на основе В12<Эз и исследование их свойств

4.4.1. Получение монокристаллов Bi^SiC^o и исследование их свойств.

4.4.2. Получение монокристаллов Bi4Ge3Oi2 и Bi^GeCbo и исследование их свойств.

4.4.3. Получение висмутсодержащих ВТСП-пленок.

Выводы к разделу 4.4.

Прогресс в различных областях науки и техники в первую очередь связан с использованием материалов, обладающих специфическими свойствами. Предъявляемые к ним требования ставят перед физико-химиками, технологами и материаловедами целый ряд задач, начинающийся с поиска нужного технике материала и завершающийся созданием и промышленным производством функционального элемента, входящего в то или иное устройство.

Существенный успех в этом направлении достигнут в связи с развитием методов получения монокристаллов различных оксидов, область применения которых достаточно обширна: лазерная связь; устройства скоростной фотозаписи информации в реальном масштабе времени; геофизика (у - каротаж скважин); ядерная медицина (позитронная и рентгеновская компьютерная томография); оптические запоминающие устройства, в том числе и голографи-ческие, для нового поколения ЭВМ с оптическими носителями информации и т.д. При анализе и совершенствовании процессов получения монокристаллов необходимы сведения о межфазном взаимодействии твердых и жидких фаз. Однако, до настоящего времени исследованиям таких взаимодействий в системах на основе оксида висмута не уделялось достаточного внимания.

Особую роль при получении материалов с наперед заданными свойствами играет жидкое состояние, поскольку от него во многом зависят служебные характеристики готовых изделий.

Вязкость и электропроводность, являющиеся структурно-чувствительными характеристиками жидкости, наряду с другими физико-химическими свойствами позволяют получить данные о строении и характере связей в расплаве. Несмотря на успехи в становлении теории жидкого состояния, многие вопросы остаются открытыми. Хотя для некоторых расплавов (особенно для чистых металлов) установлен ряд полуэмпирических соотношений и правил, многие из них являются дискуссионными. К ним можно отнести зависимость вязкости и электропроводности от температуры и состава расплавов. Если такие свойства для жидких металлов, солей и индивидуальных оксидов изучены достаточно хорошо, то для бинарных оксидов на основе Bi203 такие сведения получены только для некоторых систем.

Большой интерес к материалам на основе оксида висмута связан с применением их в оптоэлектронике. Тем не менее, многие вопросы в технологии получения монокристаллов соединений на основе BiaCb требуют своего разрешения. Так, например, строгая стехиометрия выращенных монокристаллов и отсутствие примесей других оксидных фаз, значительно влияющих на выходные сцинтилляционные параметры, до настоящего времени являются проблематичными.

Из-за высокой концентрации собственных дефектов в кристаллах Bi4Ge3Oi2 и Bii2Ge02o для заметного изменения их свойств необходимо вводить в больших количествах легирующие добавки. В свою очередь, значительное увеличение концентрации легирующей примеси затрудняет получение однородных кристаллов, В ряде случаев для придания кристаллам определенных параметров проводят отжиг либо в кислороде, либо в вакууме. Тем не менее, и в этом случае не всегда удается получить материал с улучшенными характеристиками. Поэтому актуальной задачей является изучение влияния среды термообработки кристаллов на основе Bi203 на их свойства.

Межфазные взаимодействия, играющие огромную роль в гетерогенных процессах, изучены в основном с участием металлических расплавов, контактирующих с твердыми металлами и оксидами. Что касается сведений о процессах, протекающих на границах раздела расплав Bi203-Men0m - твердый металл (оксид), то таких данных в литературе, за исключением отдельных работ, нет. Поскольку эта информация необходима при выращивании монокристаллов, то для систем, характеризующихся сильным межчастичным взаимодействием, актуальной задачей является комплексное изучение различных явлений взаимодействия твердое - жидкое, когда одна из фаз является оксидным материалом.

Цель работы состояла в изучении физико-химических свойств систем В12Оз-МепОт в твердом и жидком состояниях и разработке способов улучшения качества материалов на основе оксида висмута. Для достижения поставленной цели необходимо было решить ряд задач:

- уточнить фазовые равновесия в системах Bi2C>3-CuO, Bi203-Ca0, ВьОз-ZnO, Bi203-Cd0 и Bi203-Sn02;

- выявить новые и уточнить известные закономерности вязкости и электропроводности расплавов Bi203-Men0m (Me - Си, Mg, Са, Ва, Ga, La, Sn, V, Fe, Zn, Cd, Si, Ge, Ti) в зависимости от температуры и состава расплавов;

- установить физико-химические закономерности смачивания и контактного взаимодействия в системах Bi203-Men0m (Me - Си, Са, Ва, Zn, Cd, Ga, La, Si, Ge, Ti, Fe) с металлами и оксидами;

- исследовать пути повышения качества монокристаллов Bi4Ge3Oi2 , Bij2Ge02o и Bij2Si02o и разработать новый технологический процесс термического отжига германатов висмута в контролируемой атмосфере (Bi203, Sb203, Sb2Os, V205, CdO);

- исследовать возможность использования CuO в качестве буферного слоя при получении пленок ВТСП на основе системы Bi-Ca-Sr-Cu-O.

Работа выполнена в соответствии с научными направлениями Красноярской Государственной академии цветных металлов и золота и Института металлургии УрО РАН и отражена в Координационных планах АН РФ по направлению 2.26 - "Физико-химические основы металлургических процессов".

Научная новизна работы состоит в том, что впервые изучены закономерности вязкости и электропроводности расплавов Bi203-Me„0m (Me - Си, Mg, Са, Ва, Ga, La, Sn, V, Fe) в зависимости от температуры и состава расплавов. Для систем Bi203-Men0m (Me - Zn, Cd, Si, Ge, Ti) такие данные уточнены, расширены и дополнены. Показано, что в расплавах Bi203-Cd0 значительная доля тока переносится теми же частицами, которые определяют вязкость, тогда как для других исследованных систем характерно существенное различие транспорта частиц, определяющих вязкость и электропроводность.

Уточнены фазовые равновесия в системах Bi2C>3-CuO, Bi203-Mg0, Bi203-CaO, Bi203-Zn0, Bi203-Cd0 и Bi203-Sn02.

Измерена плотность кристаллов Bi4Ge30i2, Bii2Ge02o и Bi12SiO20. При этом установлено, что данная величина зависит от условий роста.

Впервые исследовано контактное взаимодействие расплавов Bi203-Men0m (Me - Са, Ga, La, Fe, Si, Ge, Ti) с Pt и Bi203-Ge02 с Pd в зависимости от температуры.

Впервые изучено смачивание Pt расплавами Bi203-Men0m (Me - Си, Ва, Cd, Zn, Ga, La, Fe, Si, Ge, Ti) в зависимости от состава расплавов. Установлено, что высокая степень смачиваемости Pt и Pd расплавами на основе Bi203 реализуется за счет химического взаимодействия расплав-подложка.

Впервые определено поверхностное натяжение расплавов Bi203-Ga203 . Определена работа адгезии Wa в системе Pt - (Bi203-Ga203 ).

Впервые изучено контактное взаимодействие в системах на основе Bi203 с твердыми и жидкими оксидами. Найдено, что растекание Bi203 по твердой поверхности Si02 происходит с большой скоростью, и значение конечного краевого угла смачивания уже при температуре плавления Bi203 стремится к нулю. Установлено, что В203 по Bi4Si30i2 и B112S1O20 в зависимости от температуры растекается в течение 60-180 мин. Данное явление было связано с большой вязкостью В203.

Впервые определено влияние среды термического отжига (Bi203, Sb203, Sb205, V2O5, CdO) на свойства кристаллов Bi4Ge30i2 и Bii2Ge02o- Даны практические рекомендации по отжигу этих кристаллов.

Показана возможность использования СиО в качестве буферного слоя при получении высокотемпературных сверхпроводящих пленок на основе системы Bi-Ca-Sr-Cu-O.

Экспериментальные данные по исследованию физико-химических особенностей выращивания монокристаллов соединений на основе оксида висмута внедрены на ГП "Германий" (ожидаемый экономический эффект составил 12,3 млн.руб.).

Выводы к разделу 4.4.

1. Определена плотность кристаллов германатов (со структурой силленита и эвлитина) и силиката висмута, выращенных методом Чохральского с весовым методом контроля диаметра растущего слитка, по поперечным и продольным разрезам. Установлено, что для Bi]2Si02o плотность по длине слитка законоЛ мерно понижается от начала слитка к концу и меняется от 9,220 до 9,162 г/см . Данное явление было связано с частичной диссоциацией соединения в расплаве и последующим испарением оксида висмута, что обусловило, в конечном итоге, нарушение стехиометрии выращенных кристаллов.

2. Найдено, что выращенные кристаллы Bii2Si02o в поперечном сечении имеют включения второй фазы, идентифицированные как оксид висмута, расположенные симметрично на периферии слитка. С учетом установленной закономерности рекомендовано производить резку таким образом, чтобы исключить эти области в готовой продукции.

3. Отмечено, что для кристаллов Bi4Ge30]2 и Bi]2Ge02o характерно уменьшение плотности к концу слитка. В поперечном сечении Bi4Ge3Oi2 плотность в центре кристалла выше. С учетом того, что давление паров Bi203 при температурах плавления Bi4Ge30i2 и Bi12Ge02o выше давления паров Ge02, сделано заключение, что полученные зависимости d = f[l) и d = f(D) можно объяснить тем, что расплавы, из которых осуществляют выращивание монокристаллов, обедняются оксидом висмута.

4. Оценены концентрации структурных точечных дефектов в выращенных слитках силиката и германатов висмута. На основании проделанных расчетов предположено, что точечные дефекты структуры в Bi4Ge3Oi2 , Bii2Ge02o и Bii2Si02o представляют собой вакансии Bi203.

5. Впервые определено влияние среды термического отжига (Bi203, Sb203, Sb205, CdO и V205) на свойства кристаллов Bi4Ge3Oi2 и Bii2GeO20. На основании проделанных экспериментов даны следующие рекомендации:

- отжиг Bi4Ge30i2 в присутствии Bi203 проводить при Т > 973 К ;

- отжиг Bi12GeO20 в атмосфере паров Bi203 проводить в интервале температур 873-1073 К;

- ввиду термической нестойкости Sb2Os и близости влияния Sb203 и Sb2Os на свойства германатов висмута - использовать при отжиге Sb203 ;

- отжиг Bi4Ge30i2 в присутствии Sb203 или CdO проводить при Т > 873 К ;

- отжиг германосилленита в атмосфере паров Sb203 или CdO проводить при температурах до 973 К ;

- поскольку отжиг в данных атмосферах приводит к изменению только в поверхностных слоях, то нецелесообразно осуществлять отжиг объемных кристаллов Bi4Ge30i2 и Bi12Ge02o. Термообработка в контролируемой атмосфере будет сильнее сказываться на свойствах германатов висмута при использовании тонких пластин.

Следует также отметить нецелесообразность отжига указанных кристаллов в присутствии V205 при температурах 773-1073 К.

6. Экспериментальные данные по исследованию физико-химических особенностей выращивания монокристаллов соединений на основе оксида висмута внедрены на ГП "Германий" (ожидаемый экономический эффект составил 12,3 млн. руб.).

7. Показана возможность использования CuO в качестве буферного слоя при получении высокотемпературных сверхпроводящих пленок на основе системы Bi-Ca-Sr-Cu-O.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Методом дифференциально-термического анализа уточнены фазовые диаграммы систем Bi203 - CuO, Bi203 - MgO, Bi203 - CaO и Bi203 -Sn02. Установлено, что в системе Bi203 -CuO единственное соединение Bi2Cu04 плавится при температуре 1148±5 К, а при 1103 К происходит его полиморфное превращение. Отмечено, что в системе Bi203 - MgO до 20 мол.% второго компонента преобладают тепловые эффекты, свойственные чистому оксиду висмута. Положение эвтектики соответствует <1,2 мол.% MgO.

2. Вибрационным методом измерена вязкость, а мостом переменного тока - электропроводность расплавов Bi203-Men0m (Me - Си, Mg, Са, Ва, Zn, Cd, Ga, La, Fe, Si, Ge, Sn, Ti, V) в зависимости от температуры и состава расплавов. Установлено, что температурная зависимость вязкости большинства изученных систем не описывается экспоненциальным уравнением r| = rj0 exp (Е^/ RT) во всем исследованном интервале температур и составов расплавов. В этом случае можно выделить низко- и высокотемпературные участки, для которых это уравнение справедливо. Исключение составляют расплавы Bi203- СаО, Bi203 + 10 мол.% ВаО и Bi4Ge30i2, для которых экспоненциальное уравнение описывает экспериментальные значения вязкости во всем исследованном интервале температур.

Показано, что только добавки MgO и CdO в Bi203 снижают вязкость расплавов, в то время как для других изученных систем отмечено либо увеличение вязкости при увеличении содержания второго компонента (Bi203-La203, Bi203-Ge02, Bi203-Si02> Bi203-Ti02), либо появление экстремумов. Отмечено, что для систем Bi203-Fe203 и Bi203-V205 экстремумы на изотермах вязкости соответствуют составам химических соединений Bi40Fe2O63, BiV04 и 7Bi203-V205 соответственно.

3. Найдено, что в изученных интервалах температур для расплавов Bi203-MgO (кроме расплава, содержащего 25 мол.% MgO), Bi203-Cd0 (14,3 и 20 мол.% CdO), Bi203-La203 (15 и 20 мол.% La203), Bi203-Fe203 (5 и 10 мол.%

Fe203), Bi203-V205 (12,5 и 50 мол.% V205) температурная зависимость электропроводности описывается экспоненциальным уравнением эе =ae0exp(-E^/RT). Для остальных систем, как и в случае вязкости, на зависимостях In se = f(l/T) отмечены низко- и высокотемпературные участки.

Констатировано, что разные оксиды по-разному влияют на проводимость исследованных расплавов: Ge02, Sn02, Ti02 и Fe203 понижают электропроводность, MgO - повышает, а в ряде случаев наблюдаются экстремумы. Показано, что, как и в случае вязкости, для систем Bi203-Fe203 и Bi203-V205 минимумы на изотермах электропроводности соответствуют соединениям Bi4oFe2063 и BiV04, а для системы Bi203-Ga203 минимум ае отвечает эвтектическому составу.

Установлено, что в расплавах Bi203-Cd0 значительная доля тока переносится теми же частицами, которые определяют вязкость, в то время как для других исследованных систем характерно существенное различие транспорта частиц, определяющих вязкость и электропроводность.

4. Методом лежащей капли исследовано контактное взаимодействие расплавов Bi203-Men0m (Me - Са, Ga, La, Fe, Si, Ge, Ti) с Pt и Bi203-Ge02 с Pd в зависимости от температуры. Показано, что значения краевых углов смачивания в этих системах закономерно уменьшаются с ростом температуры по линейному закону.

Изучено смачивание Pt расплавами Bi203-Men0m (Me - Си, Ва, Zn, Cd, Ga, La, Fe, Si, Ge, Ti) в зависимости от состава расплавов.

Установлено, что высокая степень смачиваемости Pt и Pd расплавами на основе Bi203 реализуется за счет химического взаимодействия расплав-подложка. Низкие значения краевых углов смачивания Pt и Pd исследованными расплавами обусловлены окислением платины и палладия растворенным в расплаве кислородом 02, а также ионами кислорода, с образованием при этом соответствующих оксидов Pt и Pd.

На основании установленной закономерности смачивания Pt расплавами Bi203-Ge02 для уменьшения растворения платинового тигля предложено перед загрузкой шихты либо проводить твердофазный синтез, либо вместо порошкообразной смеси вести загрузку плавленного материала.

5. Изучено контактное взаимодействие в системах на основе Bi203 с твердыми и жидкими оксидами. Найдено, что растекание Bi203 по твердой поверхности Si02 протекает с большой скоростью, и значение конечного краевого угла смачивания уже при температуре плавления Bi203 стремится к нулю. Практически за это же время Bi12SiO20 при своей температуре плавления растекается по Si02 и Bi4Si3Oi2. Показано, что расплав Na2B407 при своей температуре плавления хорошо смачивает поверхности монокристаллических подложек Bi4Ge30i2 , Bii2GeO20 и Bii2SiO20. Установлено, что растекание В203 по Bi4Si30]2 и Bii2SiO20 в зависимости от температуры происходит в течение 60-180 мин. Такое медленное растекание было связано с большой вязкостью оксида бора.

6. Определена плотность кристаллов германатов (со структурой силленита и эвлитина) и силиката висмута, выращенных методом Чохральского с весовым методом контроля диаметра растущего слитка, по поперечным и продольным разрезам. Установлено, что плотность кристаллов Bi4Ge30J2 , Bii2GeO20 и BiJ2Si02o закономерно понижается от начала к концу слитка. Данное явление было связано с частичной диссоциацией соединений в жидком состоянии и последующим испарением оксида висмута, что обусловило, в конечном итоге, нарушение стехиометрии выращенных кристаллов. Найдено, что в поперечном сечении кристаллы Bit2Si02o имеют включения второй фазы, идентифицированные как оксид висмута, расположенные симметрично на периферии слитка. С учетом установленной закономерности рекомендовано производить резку таким образом, чтобы исключить эти области в готовой продукции.

7. Оценены концентрации структурных точечных дефектов в выращенных слитках силиката и германатов висмута. На основании проделанных расчетов предположено, что точечные дефекты структуры в Bi4Ge30]2 , Bi)2GeO20 и Bii2Si02o представляют собой вакансии Bi203.

8. Определено влияние среды термического отжига (Bi203, Sb203j Sb205, CdO и V2O5) на свойства кристаллов Bi4Ge30i2 и Bii2Ge02o- На основании проделанных экспериментов даны практические рекомендации по отжигу этих кристаллов.

9. Экспериментальные данные по исследованию физико-химических особенностей выращивания монокристаллов соединений на основе оксида висмута внедрены на ГП "Германий" (ожидаемый экономический эффект составил 12,3 млн. руб.).

10. Показана возможность использования СиО в качестве буферного слоя при получении высокотемпературных сверхпроводящих пленок на основе системы Bi-Ca-Sr-Cu-O.

1. Maeda H.f Tanaka Y., Fukutomi M. et al. A new high-T0 oxide superconductor without a rare earth element // Jap. J. Appl. Phys.- 1988.- V. 27, N 2,- P. L209-L210.

2. Третьяков Ю.Д. Химия и технология ВТСП основные направления развития // ЖВХО.- 1989.- Т. 34, N 4.- С. 436-445.

3. Huang T.W., Wu N.C., Hung М.Р. et al. Reproducibility of Tc in a Bi2Sr2CaCu208 superconductor // J. Mat. Science.- 1989.- V.24, N 7.- P. 2319-2323.

4. Холькин А.И., Адрианова Т.Н., Задонская H.B. и др. Получение высокотемпературных сверхпроводящих материалов с применением экстракции//Докл. АН СССР.- 1990.- Т.312, N3.- С. 663-667.

5. Kholkin A.I., Adrianova T.N., Zadonskaya N.V. Preparation high temperature superconducting compounds by extraction // MASHTBC90: Mater. Sci. High Technol.: Int. Symp., Dresden, Apr. 24-27, 1990: Collect. Abstr. V.I.Dresden, s.a.- P.75-76.

6. Huang Y.T., Liu R.S., Wu P.T. Growth of Bi- Ca- Sr- Си- О epitaxial layer by liquid phase epitaxial process // Physica C.- 1988.- V.156, N 1,- P. 197-199.

7. Булышев Ю.С., Кузнецова Г.А., Парфенов Ю.В. и др. Синтез и свойства монокристаллов В^г2СаСи208 // СФХТ.- 1990.- Т. 3, N 11.- С. 2529-2537.

8. Bode J., Preisler Б. Preparation of single phase 2212 bismuth strontium calcium cuprate by melt processing // Solid State Communs.- 1989.- V.7, N 5.-P.453-458.

9. Pinol S., Fortcuberta J., Miravitlles C. High temperature superconductor composites by a modified Bridgman method // J. Cryst. Growth.- 1990,- V.100, N1-2.-P. 286-292.

10. Gazit D., Feigelson R.S. Laser-heated pedestal growth of high T0 Bi- Sr-Ca- Си- О superconducting fibers // J. Cryst. Growth.-1988.- V.91.- P.318-330.

11. Шнейдер А.Г., Селявко А.И., Бабкина Л.С. Последовательность образования гфисталлических фаз в системе Bi2Sr2CaCu208 при твердофазном синтезе из стеклообразного состояния и при кристаллизации из рас-плава//СФХТ.-1991.- T.4.N3.- С. 594-597.

12. Буш А.А., Дубенко И.С., Мросг С.Э. и др. Рентгеновские исследования, химический состав и магнитные свойства системы Bi203- SrO- СаО-Си01+х//СФХТ.-1990.- T.3,N3.- С. 432-441.

13. Третьяков Ю.Д., Оськина Т.Е., Путшгев В.И. Проблемы синтеза и термообработки висмут- стронций- кальциевых сверхпроводящих купра-тов // ЖНХ.- 1990.-Т. 35, N7.-С. 1635-1644.

14. Фетисов А.В.,Фотиев А.А. Особенности синтеза (Bi.PtyjSrjCajCusO в больших объемах //СФХТ.- 1993.- Т.6, N 7.- С. 1522-1528.

15. Оськина Т.Е., Казин П.Е., Третьяков Ю.Д. и др. Синтез висмутовых сверхпроводящих купратов методом предварительного отжига прекурсоров //СФХТ.- 1992.- Т.5, N 7.- С. 1298-1305.

16. Аксенова Т.Д., Братухин П.В., Шавкин С.В. и др. Особенности формирования кристаллографической текстуры в образцах Bi(2212)- керамики, полученных методом зонной плавки // СФХТ.- 1993.- Т.6, N 9.- С. 1909-1916.

17. Антипов Е.В., Лыкова Л.Н., Ковба Л.М. Кристаллохимия сверхпроводящих оксидов // ЖВХО.- 1989.- Т.34, N 4.- С.458-466.

18. Аввакумов Е.Г. Механохимический синтез висмутсодержащих оксидных соединений // Висмутовые соединения и материалы: Матер, научн,-практич. конф.: Коктебель Челябинск.- 1992.- С. 15-17.

19. Осипян В.Г., Савченко Л.М., Авакян П.Б. и др. Висмутсодержащие сегнетоэлектрики перспективные материалы для электронной техники / Висмутовые соединения и материалы: Матер, научи.- пракгич. конф.: Коктебель - Челябинск.- 1992.- С. 113-117.

20. Осипян В.Г. Висмутсодержащие сегнетоэлектрические соединения со слоистой перовскитоподобной структурой / Структура и свойства сегне-тоэлектриков,- Рига: ЛГУ им. П.Стучки.-1983.- С. 3-30.

21. Исупов В.А. Некоторые проблемы кристаллохимии сегнетоэлек-триков со слоистой перовскитоподобной структурой / Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики.- Калинин.-1980.- С. 12-18.

22. Kikuchi Т., Watanabe A., Uchida К. A family of mixed layer type bismuth compounds // Mater. Res. Bull.-1977.- V. 12, N 3.- P. 299-304.

23. Багиев В.Э., Зейналлы А.Х., Скориков В.М. и др. Исследование локальных уровней в ВшТЮго // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1981.-Т. 17, N1.-С. 741-743.

24. Ковтонюк Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник диэлектрик.- М.: Энергия, 1976.- 183 с.

25. Петров М.И., Степанов С.И., Хоменко А.В. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации.- Л.: Наука, 1983.- 226 с.

26. Малиновский В.К. Гудаев О.А., Гусев В.А. и др. Фотоиндуциро-ванные явления в силленитах.- Новосибирск: Наука, 1990.- 160 с.

27. Aldrich R.E., Hou SXM Harvill M.L. Electrical and optical properties of BiuSiO» //J. Appl. Phys. 1971,- V. 42, N I. - P. 493-494.

28. Abrachams S.C., Jamieson P.B., Bernstein I.L. Crystal structure of piezoelectric bismuth germanium oxide ВЬгСеОго // J. Chem. Phys. 1967.- V. 47, N 10.- P.4034-4041.

29. Сафронов Г.М., Батог B.H., Красилов Ю.И. и др. Некоторые физико-химические свойства силикатов и германатов висмута силленит типа // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. - 1970.- Т. 6, N 2.- С. 284-288.

30. Сперанская Е.И., Аршакуни А.А. Система окись висмута двуокись германия //ЖНХ.-1964.- Т. 9, Вып. 2.- С. 414-421.

31. Куэьминов Ю.С., Лившиц М.Г., Сальников В.Д. Выращивание и физико-химические свойства соединений BiuGeOw и Bi^GeCU)* // Кристаллография.- 1969,- Т. 14, Вып. 2.- С. 363-365.

32. Сперанская Е.И., Скориков В.М. К вопросу о силленит фазе // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.-1967.- Т.З, N 2.- С. 345-350.

33. Levin Е.М., Roth R.S. Polimorphizm of bismuth sesquioxide. 1. Pure BuO*// J. Res. Nat. Bur. Stand.- 1964.-V. 68A,N2.-P. 189-195.

34. Huignard J .P. Phase conjugate wavefront generation via real-time holography in BiuSiCto crystals if Opt. Lett.- 1979.- V.4, N I.- P.21-23.

35. Александров K.C., Анистратов A.T., Грехов Ю.Н. и др. Оптические свойства монокристаллов BiizGeO» , легированных алюминием и бором // Автометрия.- 1980.- N 1.- С. 99-101.

36. Lenzo P.L. Light- and electronic- field- dependent oscillation of spacecharge- limited current in BitzGeO» // J. Appl. Phys.- 1973,- V. 43, N 3.-P. 1107-1112.

37. Захаров И.С., Акинфиев П.П., Петухов П.А. и др. Определение некоторых электрофизических параметров кристаллов германата висмута // Изв. вузов. Физика.- 1978.- N 3.- С. 121-124.

38. Hou SX., Lauer R.B., Aldrich R.E. Transport process of photoinduced carries in BiiiSiO» //J. Appl. Phys.-1973.- V. 44, N 6.- P. 2652-2658.

39. Реза А .А., Сенулене Д.Б., Беляев B.A. и др. Оптические свойства монокристаллов Bii2SiOa> // Письма в ЖТФ.- 1979.- Т. 5, Вып. 5.- С. 465-469.

40. Peltier М., Micheron F. Volume hologram recording and charge transfer process in ВЬгвеОго H J. Appl. Phys.-1977.- V.48, N 9.- P. 3683-3690.

41. Сперанская Е.И., Скориков B.M., Сафронов Г.М. и др. Система BisO* SiOi // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1968,- Т.4, N 8.- С. 1374-1375.

42. Сорокин Б.П., Нуриев Э.И., Четвергов Н.А. и др. Физические свойства германоэвлитина Bu(Ge04)? / Новые материалы для радио-, оп-то- и акустоэлектроники: Межвуз. сб. Красноярск: изд. КГУ, 1982.- С. 123-127.

43. Гармаш В.М. Голубович Г.К., Кудрявцева А.П. и др. Твердофазный синтез шихты для выращивания сцинтилляционных монокристаллов германата висмута / Висмутовые соединения и материалы: Матер, научно-практич. конф.: Коктебель-Челябинск,- 1992.- С.117-118.

44. Takagi К., Fukazawa Т. Effect of the shape of BUGejOu single crystals and on melt flow patterns //J. Cryst. Growth.- 1986.- V. 76.- P. 328-338.

45. Чижов B.A. Скориков B.M., Егорьппева A3. Новый подход в методе выращивания монокристаллов BuGejOi2 и новое их качество / Висмутовые соединения и материалы: Матер, научно-практич. конф.: Коктебель-Челябинск.- 1992.- С, 108-110.

46. Van Hoof L.A.H., Bart els. The perfection of bridgman-grown Bi^GesOu crystals // Mater. Res. Bull.- 1985.-V.20,N 1.-P. 79-83.

47. Каминский А.А., Саркисов С.Э., Майер А.А. и др. Выращивание и спектрально-люминесцентные свойства гексагональных кристаллов BhGejO» Nd5+ // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1983.- Т. 19, N 7.-С. 1148-1157.

48. Мечев В.В., Шиманский А.Ф. Корягина Т.Н. и др. Выращивание и оптические свойства монокристаллов твердых растворов со структурой силленита / Новые материалы для радио-, опто- и акустоэлектроники: Межвуз. сб. Красноярск: изд. КГУ, 1982.- С. 88-95.

49. Литвин Б.Н., Шалдин Ю.В., Питовранова И.Е. Синтез и электрооптические свойства монокристаллов Si- силленита // Кристаллография.-1968.- Т. 13, Вып. 5.- С. 1106-1108.

50. Sveshtarov Р.К., Gospodinov М.М., Karagyozov L.K. et al. Growth of Bii2Ge02o crystalline ribbons by the EFG method // Докл. Болт. АН,- 1985,- Т. 38, N11.-С. 1473-1475.

51. Торопов Н.А., Барзаковский В.П., Лапин В.В. и др. Диаграммы состояния силикатных систем. Справочник. Вып. 1М.-Л.: Наука, 1965.-546 с.

52. Кутвицкий В.А., Косов А.В., Скориков В.М. и др. Система окись висмута окись кадмия И Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1975.- Т. 11, N12.-С. 2190-2194.

53. Jager A., Kolar D. Phase relations in the system BizO* CdO // J. Solid State Chem.- 1984.- V. 53, N 1.- P.35-43.

54. Косов A.B., Кутвицкий B.A., Скориков В.М. и др. Фазовая диаграмма системы BizOa ZnO // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1976.-Т. 12, N3.-С. 466-470.

55. Сафроиов Г.М., Батог В.Н., Степанюк Т.В. и др. Диаграмма состояния системы окись висмута окись цинка // ЖНХ.- 1971.- Т. 16, N. 3.-С. 863-865.

56. Сумм Б.Д., Горюнов Ю.В. Физико-химические основы смачивания и растекания.- М.: Химия, 1976.- 232 с.

57. Найдич Ю.В. Контактные явления в металлических расплавах.-Киев: Наукова думка, 1972.-196 с.

58. Найдич ЮЗ., Перевертайло В.М., Григоренко Н.Ф. Капиллярные явления в процессах роста и плавления кристаллов.- Киев: Наукова думка, 1983.-100 с.

59. Митин Б.С., Гриц Е.Ф. Смачивание тугоплавких металлов жидкими окислами / Адгезия расплавов.- Киев: Наукова думка, 1974.- С. 80-83.

60. Maypax M.A., Митин Б.С. Жидкие тугоплавкие окислы.- М.: Металлургия, 1979.- 288 с.

61. Денисов В.М., Белецкий В.В., Дубовиков Г.С. Смачивание монокристаллов BiizGeO» и ВиОезОю расплавами на основе ВгОз // Адгезия расплавов и пайка материалов.-1988.- Вып. 20.- С. 14-15.

62. Найдич Ю.В., Перевертайло В.М., Лебович Э.М. Связь термодинамической и адгезионной активности компонентов при смачивании твердых тел расплавами // Адгезия расплавов и пайка материалов.- 1976.-Вып.1.- С. 28-31.

63. Денисов В.М., Бахвалов С.Г. Изучение физико-химических особенностей выращивания монокристаллов соединений на основе оксида висмута / Висмутовые соединения и материалы (Материалы научно-практич. конф.).- Коктебель-Челябинск, 1992.- С. 70-71.

64. Татарченко В.А. Устойчивый рост кристаллов.- М.: Наука, 1988.-240 с.

65. Конаков П.К., Веревочкин Г.Е., Горяинов Л.А. и др. Тепло- и мас-сообмен при получении монокристаллов.- М.: Металлургия, 1971.- 238 с.

66. Салли И.В., Фалькевич Э.С. Управление формой роста кристаллов.- Киев: Наукова думка, 1989.- 160 с.

67. Кутвицкий В.А., Скориков В.М., Воскресенская Е.Н. и др. Кинетика растворения платины в расплавах В1гОз и 6 В1гОз GeOz // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1979.- Т.15, N 10.- С. 1844-1847.

68. Тананаев И.В. Скориков В.М., Кутвицкий В.А. и др. Растворимость Pt в расплавах систем В12О3 Э*Оу , где Э - Si, Ti, Ge, Zn, Cd // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1981.- Т. 17, N 4.- С. 663-668.

69. Чеицов В .П., Бузовкина Н.В., Денисов В.М. и др. Контактное взаимодействие расплавов GeCh BizO* с платиной // Расплавы.- 1990, N 4.-С. 107-109.

70. Jandova J., Jakes D. Wetting of solid oxide electrolytes and InzOs by liquid indium // J. Less-Common Metals.-1989.- V. 147, N 1.- P. 51-58.

71. Ushio M., Sumiyoshi Y. The wetting of an alumina substrate by liquid silver//Bull. Chem. Soc. Jap.- 1987.- V. 60, N 6,- P. 2041-2045.

72. Eustathopoulos N., Coudurier L. Mouillabilite et adhesion thermody-naique dans le systeme A1 AlzOj : influence cTun recouvrement par ТШг on UN //Ann. Chira. Fr.- 1985.- V. 10, N 1.- P. 1-6.

73. Taguchi O., Tanno K. Wettabilities of liquid Ag on ceramics // Мияги коге кото сэммоп гакко кэнюо кие = Res. Repts Miyagi Techn. Coll.- 1988.-N25.-P. 51-56.

74. Taimatsu H., Abe M., Nakatani F. et al. Effect of soluble oxygen on the wettability of solid oxides by liquid silver // J. Jap. Inst. Metals.- 1985.- V. 49, N 7.-P. 523-528.

75. Найдич Ю.В., Перевертайло B.M., Полуянская B.B. и др. Смачиваемость оксидными расплавами меда и серебра при изменении агрегатного состояния смачиваемой поверхности // Порошковая металлургия.-1987, N8.-С. 70-72.

76. Перевертайло В.М., Островская Л.Ю., Григоренко Н.Ф. и др. Исследование смачиваемости монокристаллов InSb собственным расплавом в процессе их роста и плавления // Адгезия расплавов и пайка материалов.- 1984.- Вып. 12.- С. 32-33.1. JB9

77. Найдич Ю.В., Григоренко Н.Ф., Перевертайпо В.М. Краевые углы смачивания собственным расплавом основных кристаллографических граней монокристалла германия // ЖФХ.- 1979.- Т. 53, N 4.- С. 865-868.

78. Найдич Ю.В., ПеревертаЙло В.М., Лебович Э.М. и др. Межфазные и капиллярные явления в однокомпонентной системе кристалл расплав / Адгезия расплавов.- Киев: Наукова думка, 1974.- С. 3-7.

79. Джексон К., Ульманн Д., Ханг Дж. О механизме роста кристаллов из расплава / Проблемы роста кристаллов.- М.: Мир, 1968.- С. 27-86.

80. Тананаев И.В., Шпирт М.Я. Химия германия.- М.: Химия, 1967.-451 с.

81. Mareck U., Gottshalch V., Butter Е. Wetting of InP by indium- and indium tin melts // Crys. Res. and Technol. - 1989.- V. 24, N 9,- P. 887-891.

82. Денисов B.M., Пастухов ЭЛ., Белецкий В.В. и др. Контактное взаимодействие фаз в системах с наличием эвтектик // Расплавы.- 1993, N4.-С. 91-93.

83. Luzar A., Svetina S., Zeks В. Orientation of water molecules at the solid/ liquid interface / Symp. Struct. Liquids and Solut. Commemorat. Tibor Erdey-Gryz. Veszprem. 27-30 Aug., 1984. Collect Abstr.- Budapest, 1984.- P. 92-93.

84. Воскресенская E.H., Каргин Ю.Ф., Скориков В.М. и др. Дефекты в монокристаллах соединений со структурой типа силленита // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1982.- Т. 18, N 2.- С. 102-106.

85. Арсентьев П.П., Яковлев В.В., Крашенинников М.Г. и др. Физико-химические методы исследования металлургических процессов М.: Металлургия, 1988,- 511с.

86. Есин О.А., Гельд П.В. Физическая химия пирометаллургических процессов.- М.: Металлургия, 1966.- Ч.2.- 703 с.

87. Ленинских Б.М., Манаков А.И. Физическая химия оксидных и ок-сифторидных расплавов.- М.: Наука, 1977.- 190 с.

88. Делимарский Ю.К. Электрохимия ионных расплавов.- М.: Металлургия, 1978.- 248 с.

89. Iida Takamichi, Kawamoto Masayuki, Okuda Hirofumi et al. Вязкость двойных боратных жидких оксидов и особенности изменения вязкости жидких солей // Тэцу то хаганэ J. Iron and Steel Inst. Jap.- 1987.- V. 73, N 3.- P. 469-475.

90. Анфилогов B.H., Бобылев И.Б., Анфилогова Г.И. и др. Строение и свойства силикатно-галогенидных расплавов.- М.: Наука, 1990.- 109 с.

91. Явлинских Б.М., Белоусов А.А., Бахвалов С.Г. и др. Транспортные свойства металлических и шлаковых расплавов : Справ, изд. под ред. акад. Н.А. Ватолина М.: Металлургия, 1995.- 649 с.

92. Золян Т.С., Регель А.Р. Электропроводность и термоэде В12О3 в твердом и жидком состояниях // ФТТ.-1963.- Т. 5, N 9.- С. 2420-2427.

93. Каргин Ю.Ф., Скориков В.М., Кутвицкий В.А. и др. Системы Bi20a- MoOj и Bi20* WOj в жидком состоянии // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.-1977.-Т. 13,N 1.-С. 132-134.

94. Каргин Ю.Ф., Жереб В.П., Скориков В.М. и др. Свойства расплавов в системах В12О3 SiCh и BiiOj - GeOi // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1977.-Т. 13, N 1.-С. 135-138.

95. Тананаев И.В., Скориков В.М., Каргин Ю.Ф. и др. Исследование образования метастабильных фаз в системах BizOa S1O2 (GeC>2 ) // Изв. АН СССР. Неорган, материалы,- 1978.- Т. 14, N 11.- С. 2024-2028.

96. Чарыков А.К. Математическая обработка результатов химического анализа.- Л.: ЛГУ, 1977.-120 с.

97. Шелест А.Е. Микрокалькуляторы в физике.- М.: Наука, 1988.-272 с.

98. Дьяконов В.П. Справочник по расчетам на микрокалькуляторах.- М.: Наука, 1985,- 224 с.

99. Штенгельмейер С.В., Прусов В.А., Бочегов В.А. Усовершенствование методики измерения вязкости расплавов вибрационным вискозиметром // Зав. лаборатория.- 1985.- N 9.- С. 56-57.

100. Штенгельмейер С.В. Градуировочные жидкости // Зав. лаборатория.- 1973.-N.2.-C. 239.т

101. Соловьев АЛ., Каплун А.Б. Вибрационный метод измерения вязкости жидкостей.- Новосибирск : Наука, 1970.- 127 с.

102. Шпильрайн ЭЭ., Фомин В А., Сковородько С.Н. и др. Исследование вязкости жидких металлов.- М.: Наука, 1983.- 243 с.

103. Шашков Ю.М. Метод измерения электропроводности расплавленных ишаков / Экспериментальная техника и методы исследования при высоких температурах,- М.: Изд-во АН СССР, 1959.- С. 306-312.

104. Епанчинцев О.Г., Чистяков ЮД. Исследование степени совершенства кристаллической структуры методом гидростатического взвешивания // Зав. лаборатория.- 1967.- N5.- С. 569-574.

105. Соловьев В А., Яхонтова В.Е. Основы измерительной техники.-JI.: ЛГУ, 1980.-216 с.

106. Истомин С А., Белоусов а Н.В. Физико-химические свойства системы В12О3 Si02 в твердом и жидком состояниях // Расплавы.-1996.-N2.-С. 69-74.

107. Баранский П.И., Клочков В Л., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника.- Киев: Наукова думка, 1975.- 704 с.

108. Самсонов Г.В., Борисова AJI., Жидкова ТХ. и др. Физико-химические свойства окислов. Справочник.- М.: Металлургия, 1978.-472 с.

109. Каргин Ю.Ф., Скориков В.М. Система Bi203 СиО // ЖНХ.-1989- Т. 34, N10.- С. 2713-2715.

110. Boivin J.-C., Thomas D., Tridot G. Determination des phases solides du systeme oxyde de bismuth oxyde de cuivre : Domaines destabilite et etude radiocristallographique // С JR. Acad. Sc.- 1973- T. 276, serieC.-P. 1105-1107.

111. Кахан Б.Г., Лазарев В.Б., Шаплыгин И.С. Исследование субсо-лндусной части фазовых диаграмм двойных систем В12О3 МО (М - Ni, Си, Pd) // ЖНХ.-1979.-Т. 24, N6.-С. 1663-1668.

112. Зуев К.П. Электропроводность СиО при диссоциации II Неорган. материалы.-1968.- Т.4, N8.- С. 1268-1273.

113. Зуев К.П. Собственная проводимость CuO II Неорган, материалы.- 1968.- Т.4, N8.- С. 1274-1278.

114. Шевчук А.В. Пьезоэлектрики со структурой перовскита и сил-ленита в бинарных системах В1гОз МеО (где Me = Mg, Ва) / 2 Всесо-юзн. конф. по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектри-ческих и родственных материалов.- М.: Наука, 1983.- 294 с.

115. Conflant P., Boivin J.-C., Thomas D. Le Diagramme des phases solides du systeme Ъ\гОз CaO II J. Solid State Chem.- 1976.- V.18.- P.133-140.

116. Глазов B.M., Чижевская С .H., Глаголева H.H. Жидкие полупроводники.- М.: Наука, 1967.- 244 с.

117. Уббеяоде А.Р. Расплавленное состояние вещества.- М.: Металлургия, 1982.- 376 с.

118. Задонская Н.В., Пастухов ЭА., Качин С .В. Вязкость расплавов на основе оксида висмута / Теплофизическая конференция СНГ.- Махачкала: Ин-т проблем геотермии ДНЦ РАН, 1992.- С. 280.

119. Jacobs P.W.M., Mac D6naill DA. Computational simulations of S- B12O3.1. Disorder II Solid State Ionics.- 1987.- V.23.- P. 279-293.

120. Laarif A., Theobald F. The lone pair concept and the conductivity of bismuth oxides Bi203 //Solid State Ionics.- 1986.-V.21.- P. 183-193.

121. Jacobs P.W.M., Mac D6naill DA. Computational simulations of 5- B12O3. II. Charge migration II Solid State Ionics.- 1987.- V.23.- P. 295-305.

122. Пастухов Э.А., Мусихин В.И., Ватолин Н.А. Электрические свойства нестехиометрических оксидных расплавов.- Свердловск: УНЦ АН СССР, 1984.- 112 с.

123. Кутвицкий В.А., Косов А.В, Скориков В.М. и др. Изучение свойств расплавов в системах Bi203 ZnO и Bi203 - CdO // ЖНХ.- 1976.-Т.21, N3.-С.529-532.

124. Бокий Г.Б. Кристаллохимия.- М.: Наука, 1971.- 400 с.

125. Соколова И.Д., Воскресенская Н.К. Поверхностное натяжение окиси висмута // Изв.АН СССР. Неорган.материалы.- 1970.- Т.6, N7.- С.1358.

126. Комаров А.В., Морозова Л.В., Новиков А.И. Электрофизические свойства оксида кадмия // Неорган, материалы.- 1993.- Т.29, N1.- С.66-69.

127. Корягина Т.Н., Цурган Л.С., Черных Е.М. и др. Фазовые равновесия в системе Bi203 CdO / Проблемы повышения эффективности производства и использования цветных металлов в народном хозяйстве.- Красноярск : КИЦМ, 1989.-С.69-70.

128. Батог В.Н., Пахомов В.И.,. Сафронов Г.М. и др. О природе фаз со структурой y-Bi203 (силленит-фаза) // Неорган, материалы.-1973.- Т.9, N9.-С.1576-1580.

129. Людина Л.Л., Сидоров Т.А., Шейнина Т.Г. и др. Исследование стек-лообразования в системах Sr0-Ga203-Bi203 и Ca0-Ga203-Bi203 // Неорган.материалы.- 1975.- Т.11, N 3.-С.578-580.

130. Сафронов Г.М., Сперанская Е.И., Батог В.Н. и др. Фазовая диаграмма системы окись висмута окись галлия // ЖНХ.- 1971.- Т. 16, N2.-C.526-529.

131. Лазарев В.Б., Соболев В.В., Шаплыгин И.С. Химические и физические свойства простых оксидов металлов.- М.: Наука, 1983.- 239 с.

132. Ченцов В.П., Денисов В.М., Корчемкина Н.В. и др. Плотность и поверхностное натяжение расплавов системы Bi203-Ge02 // Расплавы.- 1990.-N6.- С.107-108.

133. Денисов B.M., Пастухов Э.А., Ченцов В.П. и др. Расплавы металлургии полупроводников: строение и физико-химические свойства.- М.: Наука, 1981.-320 с.

134. Попель С.И. Теория металлургических процессов. Итоги науки и техники.- М.: ВИНИТИ, 1971.- 132 с.

135. Арсентьев П.А., Ковба JI.M., Багдасаров Х.С, и др. Соединения редкоземельных элементов. Системы с оксидами элементов I-II групп.- М.: Наука, 1983.-280 с.

136. Сперанская Е.И., Скориков В.М., Роде Е.Я. и др. Фазовая диаграмма системы окись висмута окись железа // Изв. АН СССР. Сер. химическая.-1965.- N5.- С.905-906.

137. Раков Д.Н., Мурашов В.А., Буш А.А. и др. Выращивание и пироэлектрические свойства монокристаллов BiFe03 // Кристаллография.- 1988,- Т.ЗЗ, Вып.2.- С.445-449.

138. Саблина К.А., Петраковский Г.А., Агартанова Е.Н. и др. Магнитное стекло Bi203-Fe203 // Письма в ЖЭТФ.- 1976.- Т.24, Вып.6.- С.357.

139. Волков В.Е., Саблина К.А., Холопова Г.Д. Исследование стекла состава Bi2Fe409 // Изв.АН СССР. Неорган.материалы,- 1983.- Т. 19, N7.- С. 1227-1229.

140. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов.- М.: Мир, 1975.- 396 с.

141. Пастухов Э.А., Ватолин Н.А. Строение и электрические свойства расплавов, содержащих окислы переходных металлов / Строение ионных расплавов и твердых электролитов.- Киев: Наукова думка, 1977.- С.36-48.

142. Михайлов Г.Г., Кожеуров B.JL О механизме электрической проводимости в вюстите И ЖФХ.- 1965.- Т.39.- С.775-776.

143. Топорищев Г.А., Есин О.А. О координации ионов железа и марганца в расплавленных окислах и шлаках / Тезисы докладов Первой Всесоюзной конференции по термодинамике окисных и сульфидных растворов.- Свердловск: УФАН СССР, 1968.- С.74-75.

144. Топорищев Г.А. Исследование кинетики взаимодействия металлов и угля с оксидными расплавами электрохимическими методами : Автореф. дис. . докт. техн. наук,- Свердловск: УПИ, 1969.

145. Ватолин Н.А., Пастухов Э.А. Дифракционные исследования строения высокотемпературных расплавов.- М.: Наука,. 1980.- 189 с.

146. Панченко Т.В., Кудзин А.Ю., Костюк В.Х. Влияние легирования на свойства монокристаллов Bi12SiO20 // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.-* 1983.- Т. 19, N7.- С. 1144-1147.

147. Каплун А.Б., Шишкин А.В., Мешалкин А.Б. Вязкость в системе оксид висмута оксид германия / Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов: Тез. 8 Всероссийской конф.- Челябинск: ЧГТУ, 1994.- Т.2, 4.1-2.- С.85.

148. Роусон Г. Неорганические стеклообразующие системы.- М.: Мир, 1970.-312 с.

149. Бурак Я.В., Френчко B.C., Резник И.Д. и др. Особенности структуры ближнего порядка и характера взаимодействия в жидком Bii2GeO20 // Иза. АН СССР. Неорган, материалы,- 1986.- T.22,N4.- С.654-658.

150. Сперанская Е.И., Рез И.С., Козлова Л.В. и др. Система окись висмута двуокись титана // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1965.- Т.1, N2.-С.232-235.

151. Зязев В.Л., Есин О.А. Вязкость и плотность системы V205-Ca0 и V205-Mg0 // Изв. СО АН СССР.- 1958.- N9.- С.3-9.

152. Мархасев Б.И. Кислотно-основные свойства расплавов кальциевых и натриевых силикатов // Изв. АН СССР. Металлургия и горное дело.- 1963.-N3.- С.67-69.

153. Allersma Т., Hakin R., Kennedy T.N. et al. Structure and physical properties of solid and liquid vanadium pentoxide // J.Chem.Phys.- 1967.- V.46.- P.154-160.'

154. Барейкене P.M., Бондаренко B.M. Флуктуации тока и проводимость в расплаве V205 // Расплавы.- 1989.- N4.- С.90-96.

155. Смолянинов H.IL, Беляев И.Н. Фазовые равновесия в системе Bi203-V205-Pb0 // ЖНХ.- 1963.- Т. 8, N5.- С.1219-1223.

156. Уфимцев В.Б., Лобанов А.А. Гетерогенные равновесия в технологии полупроводниковых материалов.- М.: Металлургия, 1981.- 216 с.

157. Аносов В .Я., Озерова М.И., Фиалков Ю.Я. Основы физико-химического анализа.- М.: Наука, 1976.- 504 с.

158. Глестон С., Лейдлер К., Эйринг Г. Теория абсолютных скоростей ре-акций.- М.: Изд-во ИЛ, 1948.- 583 с.

159. Регель А.Р., Глазов В.М. Закономерности формирования структуры электронных расплавов.- М.: Наука, 1982.- 320 с.

160. Барейкене P.M., Бондаренко В.М. Механизм разупорядочения расплава V2Os вблизи температуры плавления // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1986.- Т.22, N 8.- С.1326-1327.

161. Пастухов Э.А., Есин О.А., Ватолин Н.А. Полупроводниковые свойства и отклонение от стехиометрии расплавленной V2O5 // Изв. АН СССР. Неорган. материалы.- 1968.- Т.4, N 11гС.1960-1965.

162. Денисов В.М., Ченцов В.П., Шалаумов С.И. и др. Исследование контактного взаимодействия расплавов на основе оксида висмута с твердыми металлами и оксидами // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1991.- Т.27, N4.-С.763-765.

163. Van Enckevort W.J.P., Smet F. In situ microscopy of the growth of bismuth germanate crystals from high temperature melts // J. Cryst Growth.- 1987.-V.82, N 4.- P.678-688.

164. Хлынов В.В., Боксер Э.Л., Пастухов Б.А. Равновесие на периметре при смачивании твердой поверхности расплавами // Адгезия расплавов и пайка материалов.- 1976.- Т.1.- С.39-42.

165. Летюк Л.М., Журавлев Г.И. Химия и технология ферритов.- Л.: Химия, 1983.- 256 с.

166. Еременко В.Н., Лесник Н.Д., Иванова Т.О. Кинетика растекания и контактное взаимодействие в системах алюминий металл семейства железа // Адгезия расплавов и пайка метариалов.- 1976.- Т.1С.47-50.

167. Попель С.И. Кинетика растекания расплавов по твердым поверхностям и кинетика смачивания // Адгезия расплавов и пайка метариалов.- 1976.-Т.1.- С.3-28.

168. Lorenz Е. Applications on BGO // Vuoto Sci. e teCnol.- 1985.- V.15, N 1.-P.47.

169. Бурачас С.Ф., Кухтина H.H., Рыжиков В.Д. Влияние среды термообработки на сцинтилляционные параметры кристаллов германоэвлитина / Висмутовые соединения и материалы.- Коктебель-Челябинск: УДЭНТП, 1992.-С.76-78.

170. Блистанов А.А., Бондаренко B.C., Переломова Н.В. и др. Акустические кристаллы.- М.: Наука, 1982.- 632 с.

171. Казенас Е.К., Чижиков Д.М. Давление и состав пара над окислами химических элементов.- М: Наука, 1976.- 342 с.

172. Багдасаров Х.С. Физико-химические основы высокотемпературной кристаллизации и методы выращивания кристаллов.- М: ВИНИТИ, 1987.-Т.21.-140 с.

173. Куча В.В., Кравченко В.Б., Соболев А.Т. Получение легированных монокристаллов силикосилленита (Bi^SiCbo) / Тез. докл. 2 Всес. конф. по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов.-М.: Наука, 1983.-С.237.

174. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике.- М.: Наука, 1986.-144 с.

175. Грехова Т.И., Перминова Л.И., Ильиных В.Е. и др. Степень отклонения состава кристаллов германата висмута от стехиометрии // Физико-химические основы технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов.- Звенигород: ИОНХ, 1980.- С.112.

176. Лодиз Р., Паркер Р. Рост кристаллов.- М.: Мир, 1974.- 540 с.

177. Вигдорович В.Н., Вольпян А.Е., Курдюмов Г.М. Направленная кристаллизация и физико-химический анализ.- М.: Химия, 1976.- 199 с.

178. Чернов М.А., Дегтярев Ю.Л., Петрашень П.В. и др. Рентгенотопо-графическое исследование монокристаллов соединений со структурой силле-нита // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1986.- Т.22, N5.- С. 798-800.

179. Соболев А.Т., Копылов Ю.Л., Кравченко В.Б. и др. Зависимость оптической однородности монокристаллов германосилленита от условий роста // Кристаллография.- 1978.- Т.23.- С. 174-179.

180. Гаврилов В.А., Шиманский А.Ф., Кутвицкий В.А. и др. О структурных напряжениях в монокристаллах германо- и силикосилленита / Физико-химические основы технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов.- Звенигород: ИОНХ, 1980.- С.283.

181. Гусев В.А., Детиненко В.А., Седельников А.П. Термическая устойчивость силленитов германия к отжигу в вакууме // Автометрия.- 1988.- N4.-С.46-49.

182. Гусев В.А., Деменко С.И., Детиненко В.А. и др. Влияние отжига в кислороде на фотоэлектрические свойства монокристаллов Bij2GeO20 // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1986.- Т.22, N12.- С.2070-2072.

183. Каргин Ю.Ф. Фазовый состав поверхности кристаллов Bii2MO20 и Bi4M3Oi2 (М Si, Ge, Ti) при отжиге в вакууме // Неорган, материалы.- 1995.-Т.31, N1.-C.88-90.

184. Марушкин К.Н., Алиханян А.С. Масс-спектральный метод исследования областей гомогенности оксидов И ДАН.- . 993.- Т.329, N4.- С.452-454.

185. Колосов Е.Е., Леонов Е.И., Подольский В.В. и др. Оптическое поглощение в кристаллах и пленках Bii2Ge02o Н Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1983.- Т. 19, N4.- С.683-684.

186. Немодрук А.А. Аналитическая химия сурьмы.- М.: Наука, 1978.-222с.

187. Бойко Ю.В., Задонская Н.В., Лузина Т.А. и др. Устройство для спектрального анализа // Заявка N 93038531/25/038265.- Решение о выдаче патента от 30.05.95.

188. Белоусова Н.В., Любочко В.А. Анализ порошковых материалов на благородные и тяжелые металлы прямым спектральным методом / V конференция "Аналитика Сибири и Дальнего Востока".- Новосибирск, 1996.- С.168.

189. Nasu Н., Myoren Н., Ibara Y. et al. Formation of high-Tc superconducting BiSrCaCu2Ox films on Zr02/ Si(100) // Jpn. J. Appl. Phys.- 1988.- V.27, N4.- P. L634-L635.

190. Cheung C.T., Ruckestein E. Superconductor substrate interactions of the Y-Ba-Cu oxide//J. Mater. Res.- 1989.-V.4,N1.-P. 1-15.т1. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯм » ш '

191. Государственное предприятие „ГЕРМАНИЙ"

192. Почтовым: 660027, Красноярск Транспортной проезд, I Телетайп: Красноярск AT 288168 «МИР»

193. Факс: (3912) 33-66-96 Телефон: 33-66-96; 33-95-88

194. Банковские: 660025, Красноярск 1>/с 242604 в Правобережном филиале коммерческого банка «Енисей» МФО 144784