автореферат диссертации по безопасности жизнедеятельности человека, 05.26.01, диссертация на тему:Взаимодействие водорода с железом, золотом и мелкими донорами в кремнии

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

§1.1 Взаимодействие водорода с мелкими примесями и термодонорами в кремнии.

§1.2.1 Комплексообразование и диссоциация центров, связанных с атомами переходных металлов в кремнии.

§1.2.2 Взаимодействие водорода с атомами переходных металлов в кремнии.

ВЫВОДЫ. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.

ГЛАВА П. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

§2.1 Исследование свойств электрически активных примесей в полупроводниках емкостными методами.

§2.1.1 Физические принципы, лежащие в основе метода РСГУ.

§2.1.2 Принципы обработки сигнала релаксации емкости в методе РСГУ. Экспериментальная установка.

§2.2 Образцы, используемые в работе. Диффузия примесей. Насыщение кристаллов водородом.

§2.2.1 Влияние азота или азотсодержащих дефектов на диффузию золота в Чохральском кремнии.

ГЛАВА Ш. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ВОДОРОДА С МЕЛКИМИ ДОНОРАМИ В КРЕМНИИ.

§3.1 Взаимодействие водорода с мелкими донорами различной природы.

§3.2 Пассивация водородом электрической активности азот-кислородных комплексов.

ГЛАВА IV ВЛИЯНИЕ ВОДОРОДА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ АКТИВНОСТЬ ЖЕЛЕЗА И ЖЕЛЕЗОСОДЕРЖАЩИХ КОМПЛЕКСОВ В КРЕМНИИ.

§4.1 Возникновение электрически активного междоузельного железа в кремнии при гидрогенизации в ЖХТ.

§4.2 Анализ профилей распределения междоузельного железа, полученных после ЖХТ и последующего отжига с приложенным обратным смещением (RBA).

ГЛАВА V. ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ВОДОРОД-СОДЕРЖАЩИХ ЦЕНТРОВ В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ ЗОЛОТОМ.

§5.1 Возникновение электрически активных дефектов в кремнии, легированном золотом, в результате насыщения водородом

§5.2 Формирование электрически активных комплексов золото-водород в кремнии, легированном золотом, в результате RBA.

Неуклонный прогресс в развитии микроэлектроники неизбежно влечет за собой повышение требований к совершенству полупроводниковых кристаллов, снижению в них уровня содержания примесей и дефектов, ставит новые исследовательские задачи в области материаловедения и физики полупроводников. Огромное значение кремния в микроэлектронике является следствием удачного сочетания свойств этого полупроводникового материала, а также возможностью чрезвычайно точного управления технологией его обработки. Острой проблемой современной кремниевой технологии является проблема структурного совершенства кристаллов, однородного распределения легирующих элементов и снижения содержания неконтролируемых электрически активных дефектов. Эффективным средством подавления электрической активности дефектов и улучшения свойств кристаллов является водород. Имея низкую энергию связи, он легко вступает во взаимодействие с различными структурными дефектами в кремнии. Однако, обладая высоким коэффициентом диффузии, водород неконтролируемо проникает в кристаллы практически на всех стадиях технологического производства: в процессе роста кристаллов, в результате плазменного и химического травления, ионной имплантации, электронного облучения, литографии и пр., и нейтрализует атомы мелкой легирующей примеси, изменяя свойства активной области приборов. Механизмы взаимодействия водорода с большинством дефектов, создающих мелкие акцепторные уровни в запрещенной зоне кремния, и конфигурация образующихся в результате такого взаимодействия комплексов изучены достаточно подробно. С другой стороны, остается невыясненной природа взаимодействия водорода с мелкими донорами в кремнии и в настоящее время нет однозначного ответа на вопрос о причинах менее эффективной пассивации водородом атомов мелкой легирующей примеси в кристаллах кремния n-типа проводимости.

К структурным дефектам, оказывающим сильное влияние на электрические свойства кремния, относятся примеси переходных металлов, неконтролируемо проникающие в объем кристалла в ходе различных технологических операций и образующие центры с глубокими уровнями в запрещенной зоне. Многие из такого рода дефектов, обладая высокими коэффициентами диффузии, даже в небольших концентрациях могут приводить к деградации характеристик кремниевых приборов. Поэтому важно исследовать влияние водорода на такие дефекты. Сравнительно недавно было установлено, что насыщение водородом кристаллов кремния приводит не только к уменьшению концентрации центров с глубокими уровнями, имевшихся в образцах, но и к возникновению новых электрически активных дефектов. Однако механизмы такого дефектообразования мало изучены.

Помимо чисто научного интереса, стимулирующего исследования взаимодействия водорода с точечными дефектами в кремнии, не вызывает сомнений и огромное практическое значение таких исследований для развития современной кремниевой технологии. Большое значение приобретают исследования процессов комплексообразования и диссоциации дефектов с участием водорода, происходящие при температурах, близких к комнатной, когда уровень возбуждения электронной и решеточной подсистем кристалла невысок.

Основной задачей диссертационной работы было исследование взаимодействия водорода с точечными дефектами в кремнии: мелкими донорами различной природы и элементами переходных металлов, занимающих различные положения в решетке кремния (междоузельное железо и золото в положении замещения).

Показано, что значения радиуса захвата водорода мелкими донорами, присутствующими в бестигельных кристаллах, кристаллах, легированных азотом, и образцах с термодонорами, примерно совпадают и близки к параметру решетки.

Показано, что мелкие азот-кислородные доноры пассивируются водородом и энергия связи этих комплексов выше, чем энергия связи пар водород-фосфор.

Исследовано взаимодействие водорода с примесью железа в кремнии, легированном бором. Показано, что водород пассивирует пары железо-бор в приповерхностных слоях кристалла и не влияет на электрическую активность междоузельного железа. Обнаружено, что водород стимулирует реакцию диссоциации комплексов железо-бор, в результате которой происходит высвобождение междоузельного атома железа.

Исследовались особенности пассивации атомов золота в кремнии. Показано, что пассивация золота сопровождается возникновением электрически активных комплексов с одним и двумя атомами водорода, что согласуется с теоретическими представлениями о механизме пассивации золота в кремнии. Проанализирован процесс трансформации электрически активных комплексов золото-водород и оценены значения радиусов взаимодействия водорода с атомами золота и золотосодержащими центрами.

В ходе экспериментов по диффузии золота в кристаллы кремния n-типа проводимости, выращенные методом Чохральского в атмосфере азота, установлено, что азот или азотсодержащие дефекты приводят к уменьшению концентрации золота в этих кристаллах в несколько раз, по сравнению с обычным кремнием, выращенным методом Чохральского.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения, основных выводов и списка цитируемой литературы.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ:

1. Впервые обнаружено, что значения радиусов взаимодействия водорода с мелкими донорами различной природы в кремнии (термодоноры, фосфор и азот-кислородные комплексы), практически совпадают и близки к параметру решетки. Это значение примерно в 5 раз меньше значения радиуса захвата водорода мелкими акцепторами.

2. Показано, что мелкие доноры, включающие азот и кислород, пассивируются водородом. Установлено, что энергия связи водорода с этими центрами выше, чем энергия связи водорода с фосфором.

3. Впервые показано, что насыщение водородом приводит к пассивации электрической активности пар железо-бор в приповерхностной области кристалла и не влечет за собой пассивации междоузельных атомов железа.

4. Впервые обнаружено, что насыщение водородом в процессе жидкостного химического травления кристаллов кремния, легированных бором и железом, приводит к появлению междоузельного железа. Показано, что наиболее вероятным механизмом возникновения междоузельного железа является стимулированная водородом диссоциация пар железо-бор.

5. Исследование электрически активных водородсодержащих центров в кремнии, легированном золотом, показало, что комплексы золота с 2 атомами водорода электрически активны, что согласуется с теоретическими представлениями о механизме взаимодействия водорода с атомами золота в кремнии, и один из уровней этого дефекта имеет значение Ev+0.47 эВ. Сделаны оценки для радиуса захвата водорода атомом золота и золотосодержащими центрами. Показано, что комплекс золота с одним атомом водорода имеет двойной акцепторный уровень в верхней половине запрещенной зоны (Ес-0.20 эВ).

6. Обнаружено, что концентрация узельного золота после диффузии при 700, 750 и 800°С в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского в атмосфере азота, ниже, чем в обычном кремнии, выращенном методом Чохральского. Анализ полученных результатов показал, что уменьшение концентрации золота можно объяснить ускорением преципитации кислорода в кристаллах, легированных азотом.

В заключении автор хотел бы поблагодарить своего научного руководителя Якимова Евгения Борисовича за предложенную тему исследований и постоянное внимание в процессе подготовки диссертации, а также всех своих соавторов и сотрудников лаборатории за помощь в работе и полезные рекомендации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Таким образом, анализ результатов, полученных в настоящей работе, позволяет заключить, что поскольку значения радиусов захвата водорода мелкими донорами указывают на отклонение от простой электростатической модели взаимодействия дефектов, очевидно, необходим критический анализ существующих представлений об энергетических уровнях водорода в запрещенной зоне кремния. Результаты исследований взаимодействия водорода с железом в кремнии показали, что водород не только не приводит к пассивации междоузельных атомов железа, что согласуется с теоретическими представлениями о взаимодействии водорода с междоузельными 3 d-примесями в кремнии, но и вызывает появление центров междоузельного железа в результате стимулированной водородом диссоциации пар железо-бор. Эти результаты могут быть взяты за основу в исследованиях возможных закономерностей в процессах комплексообразования и диссоциации с участием водорода и 3d-металлов в кремнии. В случае примеси золота в кремнии установлено, что взаимодействие водорода с золотом сопровождается появлением электрически активных дефектов - комплексов золота с 1 и 2 атомами водорода. Это согласуется с результатами появившихся недавно теоретических работ, посвященных изучению механизмов взаимодействия водорода с атомами золота в положении замещения в решетке кремния, а также с экспериментальными данными по взаимодействию водорода с другими элементами переходных металлов, имеющих преобладающую растворимость в узлах кремниевой решетки (серебро, платина, палладий). Такая аналогия может быть следствием механизмов, рассматриваемых в рамках вакансионной модели, описывающей электронную структуру узельных атомов переходных металлов. Проведенные исследования на основе железа и золота в кремнии могут служить еще одной ступенью на пути к созданию объективной картины взаимодействия водорода с центрами с глубокими уровнями в кремнии.

1. Pearton S.J., Corbett J.W., Stavola M., "Hydrogen in crystalline semiconductors", Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 1992, p.361;

2. Sah C.T., Sun J.Y.C., Tzou J.J.T., "Deactivation of the boron acceptor in silicon by hydrogen", Appl. Phys. Lett., 1983, v.43, pp.204-206;

3. Sah C.T., Sun J.Y.C., Tzou J.J.T., "Effect of keVelectron irradiation on the avalance-electron generation rates of three donors on oxidized silicon", J. Appl. Phys., 1983, v.54, pp.4378-4381;

4. Sah C.T., Sun J.Y.C., Tzou J.J.Т., "Deactivation of group III acceptors in silicon during keV electron irradiation", Appl. Phys. Lett., 1983, v. 43, pp.962-964;

5. Pankove J.I., Carlson D.E., Berkeyheiser and Wance R.O., "Neutralization of shallow acceptor levels in silicon by atomic hydrogen", Phys. Rev. Lett., 1983, v.51, pp.2224-2225;

6. Tavendale A.J., Alexiev D., Williams A.A., "Field drift of the hydrogen-related, acceptor-neutralizing defect in diodes from hydrogenatedsilicon ", Appl. Phys. Lett., 1985, v.47, pp.316-318;

7. Tavendale A.J., Williams A.A., Alexiev D., Pearton S.J., "Electrical transport studies of the H-related compensating donor in B-doped Si diodes", MRS Proc., 1986, v.59, pp.469-471;

8. Pearton S.J., Tavendale A.J., Williams A.A., Alexiev D., "Low temperature injection mechanisms for acceptor-neutralizing species in Si", In Semiconductor Silicon, ed. By H.R. Huff (Electrochem. Soc., Pennington NJ 1986), p.826-829;

9. Zundel T. and Weber J., "Dissociation energy of shallow-acceptor-hydrogen pairs in silicon", Phys. Rev. B, 1989, v.39, pp.13549-13552;

10. Johnson N.M., Herring C. and Chadi D.J., "Interstitial hydrogen and neutralization of shallow-donor impurities in single-crystalsilicon", Phys. Rev. Lett., 1986, v.56, pp.769-772;

11. Bergman К., Stavola M., Pearton S.J., Lopata J., "Donor-hydrogen complexes in passivated silicon", Phys. Rev. B, 1988, v.37, pp.27702773;

12. Anderson P.W., "Model for the electronic structure of amorphous semiconductors", Phys. Rev. Lett., 1975, v.34, pp.953-955;

13. Car R., Kelly P.J., Oshiyama A. and Pantelides S.T., "Microscopic theory of atomic diffusion mechanisms in silicon", Phys Rev. Lett., 1984, v.52, pp.1814-1817;

14. Van de Walle C.G., Bar-Yam Y. and Pantelides S.T., "Theory of hydrogen diffusion and reactions in crystalline silicon", Phys. Rev. Lett., 1988, v.60, pp.2761-2764;

15. Van de Walle C.G., Denteneer P.J.H., Bar-Yam Y. and Pantelides S.T., "Theory of hydrogen diffusion and reactions in crystalline silicon", Phys. Rev. B, 1989, v.39, pp.10791-10808;

16. Johnson N.M., Herring C. and Van de Walle C.G., "Inverted order of acceptor and donor levels of monoatomic hydrogen in silicon ", Phys. Rev. Lett., 1994, v.73, pp. 130-133;

17. Tavendale A.J., Pearton S.J., Williams A.A., "Evidence for the existence of a negatively charged hydrogen species in plasma-treated n-type Si", Appl. Phys. Lett., 1990, v.56, pp.949-951;

18. Zhu J., Johnson N.M., Herring C., "Negative-charge state of hydrogen in silicon", Phys. Rev. B, 1990, v.41, pp. 12354-12357;

19. Seager C.H., Anderson R.A. and Brice D.K., "In situ measurements of hydrogen motion and bonding in silicon", J. Appl. Phys., 1990, v.68, pp.3268-3284;

20. Feklisova O.V., Yakimov E.B. and Yarykin N.A., "Hydrogen penetration into Si under wet chemical etching: experiment and simulation ", in Polycrystalline Semiconductors VI, eds. O. Bonnaud, T.

21. Mohammed-Brahim. H.P. Strunk and J.H. Werner (Scitec Publ., Uetticon am See, Switzerland, 2001), pp. 121-125;

22. Yarykin N.A., "Near surface defect distribution in silicon under etching", MRS Proc., 1998, v.510, pp.253-258;

23. Yang D., Lu J., Li L., Yao H. and Que D., "Thermal acceptor formation in nitrogen-doped silicon", Appl. Phys. Lett., 1991, v.59, pp.1227-1229;

24. Hara A., Fukuda Т., Miyabo T. and Hirai I., "Oxygen-nitrogen complexes in silicon formed by annealing in nitrogen", Appl. Phys. Lett., 1989, v.54, pp.626-628;

25. Suezawa M., Sumino K., Harada H. and Abe Т., "Nitrogen-oxigen complexes as shallow donors in silicon crystals", Jpn. J. Appl. Phys., 1986, Pt.2, 25(10), L859-861;

26. Sumino K. and Imai M., "Interaction of dislocations with impurities in silicon crystals studied by in situ X-ray topography", Phil. Mag. A, 1983, v.47(5), pp.753-766;

27. Stein H.J., "Oxygen, Carbon, Hydrogen and Nitrogen in Crystalline Silicon ", MRS Proc., 1985, v.59, pp.523-527;

28. Yang D., Que D. and Sumino K., "Nitrogen effects on thermal donor and shallow thermal donor in silicon", J. Appl. Phys., 1995, v.17, pp.943-944;

29. Yang D., Fan R., Li L., Que D. and Sumino K., "Donor formation in nitrogen doped silicon", J. Appl. Phys., 1996, v.80, pp.1493-1498;

30. Yang D., Ma X., Fan R., Zhang J., Li L., Que D. "Oxygen precipitation in nitrogen doped Czochralski silicon", Physica B, 1999, v.273-274, pp.308-311;

31. Ikari A., Nakai K., Tachikawa Y., Deai H., Hideki Y., Ohta Y., Masahashi N., Hayashi S., Hoshino T. and Ohashi W., "Defect control in nitrogen doped Czochralski silicon crystals", Sol. State Phenom., 1999, v.69-70, pp.161-166;

32. Griffin J.A., Hartung J., Weber J., Navarro H. and Genzel L., "Photothermal ionisation spectroscopy of oxygen-related shallow defects in crystalline silicon ", Appl. Phys. A, 1989, v.48, pp.41-47;

33. Griffin J.A., Hartung J. and Weber J., "The role of nitrogen in the formation of oxygen-related thermal donors in silicon", Mat. Sci. Forum, 1989, v.38-41, pp.619-624;

34. Pi X., Yang D., Ma X., Shui Q. and Que D., "Electrical activity of nitrogen-oxygen complexes in silicon ", Phys. Stat. Sol. (b), 2000, v.221, pp.641-645;

35. Tavendale A.J., Williams A.A., Alexiev D. and Pearton S.J., "Hydrogen injection into p-Si by chemical etching", MRS Proc., 1988, v. 104, pp.285-287;

36. Feklisova O.V., Yakimov E.B. and Yarykin N.A., "Defect formation in gold-doped silicon irradiated with low-energy electrons", Semiconductors, 1994, v.28(12), pp. 1201-1203;

37. Feklisova O.V and Yarykin N. A., "Transformation of deep level spectrum of irradiated silicon due to hydrogenation under wet chemical etching", Semicond. Sci. Technol., 1997, v. 12, pp.742-749;

38. Estreicher S.K., "Interstitial О in Si and its interaction with H", Phys. Rev., 1990, v.41, pp.9886-9891;

39. Johnson N.M., Hahn S.K., Stein H.J., "Selective hydrogen passivation of oxygen-related thermal-donor clusters in silicon", Mat. Sci. Forum, 1986, v.10-12, pp.585-590;

40. Chantre A., Pearton S.J., Kimerling L.C., Cumming K.D., Dautremont-Smith W.C., "Interaction of hydrogen and thermal donor defects in silicon", Appl. Phys. Lett., 1987, v.50, pp.513-515;

41. Lee Y.N. and Corbett J.W., "EPR study of defects in neutron-irradiateed silicon: Quenched-in alignment under <110>-uniaxial stress", Phys. Rev. B, 1974, v.9, pp.4351-4361;

42. Akhmetov K.D. and Bolotov V.V., "Kinetics of accumulation of radiation defects and annihilation of vacancies and interstitials in carbon- and boron-containing silicon", Phys. Stat. Solidi A, 1982, v.72, pp.61-68;

43. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н., "Дефекты в кремнии и на его поверхности". -М.: Наука, 1990;

44. Weber E.R. and Gilles D., "Gettering of transition metals in semiconductors", in Defect Control in Semiconductors ed. by K. Sumino, 1990, v.9, pp.89-95;

45. Weber E.R., "Impurity diffusion and gettering in silicon" ed. by R.B. Fair, C.W. Pearce, J. Washburn.-Pitsburg, Pensylvania, 1985;

46. De Leo G.G., Watkins G.D., Fowler B.N., "Level positions of interstitial transition-metal impurities in silicon", Phys. Rev. B, 1982, v.25, pp.4972-4981;

47. Graff K., "Metall impurities in silicon-device fabrication", Springer-Verlag, Berlin, 1995, p.216;

48. Beeler F., Andersen O.K., and Scheffler M., "Theoretical evidence for low-spin ground states of early interstitial and late substitutional 3d transition-metal ions in silicon", Phys. Rev. Lett., 1985, v.55, pp. 14981501;

49. Klainhenz R.L., Lee Y.H., Corbett J.W., Sieverts E.G., Muller S.H. and Ammerlaan C.A.J., "EPR observation of an Au-Fe complex in silicon", Phys. Stat. Solidi B, 1981, v. 108, pp.363-371;

50. Brotherton S.D., Bradley P., and Gill A., "Electrical observation of the Au-Fe complex in silicon", J. Appl. Phys., 1984, v.55(4), pp.952-956;

51. Brotherton S.D., Bradley P., and Gill A., 'Annealing kinetics of the gold-iron complex in silicon ", J. Appl. Phys., 1984, v.57, pp. 1783-1790;

52. Colas E.G. and Weber E.R., "Reduction of iron solubility in silicon with oxygen precipitates", Appl. Phys. Lett., 1986, v.48(20), pp.1371-1373;

53. Лебедев A.A., Урунбаев Б.М., "Исследование распада твердого раствора Fe в n-Si емкостными методами", ФТП, 1981, т.15, в.З, с.612-615;

54. Kimerling L.C. and Benton J.L., "Electronically controlled reactions of interstitial iron in silicon ", Physica B, 1983, v.116, pp.297-300;

55. Kimerling L.C. In Defects in semiconductors, ed. by J. Narayan, T.Y. Tan (North-Holland, Amsterdam 1981) p.85;

56. Graff K., and Pieper H.J., "The properties of iron in silicon", J. Electrochem. Soc., 1981, v. 128(3), pp.669-674;

57. Bell 11 R.E., Ostapenko S.S, and Lagowski J., "Ultrasonic stimulated dissociation of Fe-B pairs in Si", J. Appl. Phys., 1995, v.77, pp.54585460;

58. Ostapenko S.S., Jastrzebski L. and Lagowski J., "Increasing short minority carriers diffusion lengths in solar-grade po-Si by UST", Appl. Phys. Lett., 1994, v.65, pp. 1555-1557;

59. Huff H.R. and Goodall R.K., "Silicon materials and metrology: critical concepts for optimal 1С performance in the gigabit Era", Solid State Phenom., 1996, v.47-48, pp.65-96;

60. Kouketsu M. and Isomae S., "Hydrogen passivation of iron-related traps in silicon", J. Appl. Phys., 1996, v.80, pp.1485-1487;

61. Shiraishi M., Sachse J.-U., Lemke H., Weber J., "DLTS analysis of nickel-hydrogen complex defects in silicon", Mat. Sci. Eng. B, 1999, v.58, pp.130-133;

62. Sadoh Т., Tsukamoto К., Baba A., Bai D., Kenjo A., Tsurushima Т., Mori H., Nakashima H., "Deep level of iron-hydrogen complex in silicon ", J. Appl. Phys., 1997, v.82, pp.3828-3831;

63. Pearton S.J. and Tavendale A.J., "Hydrogen passivation of gold-related deep levels in silicon ", Phys. Rev. B, 1982, v.26, pp.7105-7108;

64. Sachse J.U, Sveinbjornsson E.O, Yarykin N., Weber J., "Similarities in the electrical properties of transition metal-hydrogen complexes in silicon", Mat. Sci. Eng. B, 1999, v.58 (1-2), pp. 134-140;

65. Yarykin N., Sachse J.-U., Lemke H., Weber J., "Silver-hydrogen interactions in crystalline silicon", Phys. Rev. B, 1999, v.59, pp.55515560;

66. Sachse J.-U., Weber J., Lemke H., "Palladium-hydrogen related complexes in silicon", Mat. Sci. Forum, 1997, v.258-263, pp.307-312;

67. Sachse J.-U., Sveinbjornsson E.6., Jost W., and Weber J., "New interpretation of the dominant recombination center in platinum doped silicon", Appl. Phys. Lett., 1997, v.70, pp.1584-1586;

68. Sveinbjornsson E.O., Andersson G.I., and Engstrom O., "Hydrogen passivation of gold in p-type silicon involving hydrogen-gold-related deep levels", Phys. Rev. B, 1994, v.49, pp.7801-7804;

69. Davidson J.A. and Evans J.H., "Electron and hole capture kinetics at gold-hydrogen complexes in n-type silicon", Sem. Sci. Technol., 1996, v.ll, pp.1704-1712;

70. Sveinbjornsson E.O., Engstrom O., "Novel hydrogen-gold-related deep acceptor in n-type silicon ", Appl. Phys. Lett., 1992, v.61, pp.2323-2325;

71. Resende A., Jones R., Oberg S., Briddon P.R., "Calculations of electrical levels of deep centers: application to Au-H and Ag-H defects in silicon ", Phys. Rev. Lett., 1999, v.82, pp.2111-2114;

72. Resende A., Jones R., Oberg S. and Briddon P.R., "The structural properties of transition metal hydrogen complexes in silicon ", Mat. Sci. Eng B, 1999, v.58, pp.146-148;

73. Watkins G.D., "Deep levels in semiconductors", Physica B, 1983, v.117-118, pp.9-15;

74. Lang D.V., "Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors", J. Appl. Phys., 1974, v.45, pp.3023-3033;

75. Берман JI.С., Лебедев А.А., "Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках", -Л., Наука, 1981, с. 174;

76. Lang D.V., "Space-charge spectroscopy in semiconductors" in Thermally stimulated relaxation in solids, Springer-Verlag, New-York-Berlin, 1979, p.93-133;

77. Miller G.L., Lang D.V., and Kimerling L.C., "Capacitance transient spectroscopy", Ann. Rev. Mater. Sci., 1977, pp.377-448;

78. Shapoval S., Bulkin P., Chumakov A., "Compact ECR-source of ions and radicals for semiconductor surface treatment", Vacuum, 1992, v. 43, pp.195-197;

79. Gosele U., Frank W. and Seeger A., "Mechanism and kinetics of the diffusion of gold in silicon ", Appl. Phys. 1980, v.23, pp.361-368;

80. Yakimov E., Mariani G., Pichaud В., "Temperature dependence of dislocation efficiency as a sink for self-interstitials in silicon as measured by gold diffusion ", J. Appl. Phys., 1995, v.78, pp. 1495-1499;

81. Stolwijk N.A., Holzl B.J., Frank W., Weber E.R. and Mehrer H., "Diffusion of gold in dislocation-free or highly dislocated silicon measured by spreading-resistance technique", Appl. Phys. A, 1986, v.39(l), pp.37-48;

82. Zimmermann H. and Ryssel H., "Gold and platinum diffusion: the key to the understanding of intrinsic point defect behavior in silicon ", Appl. Phys. A, 1992, v.55, pp.121-134;

83. Koveshnikov S.V., Nosenko S.V. and Yakimov E.B., "The peculiarities of deep level defect passivation in Si by atomic hydrogen ", Phys. Stat. Sol. (a) 1990, v.120, pp.391-395;

84. Yakimov E.B. and Parakhonsky A.L., "Hydrogen stimulated destruction ofFe-Bpairs inp-Si", Solid State Phenom., 1997, v.57-58, p.383-386;

85. Feklisova O.V., Parakhonsky A.L., Yakimov Е.В., Weber J., "Dissociation of iron-related centers in Si stimulated by hydrogen", Mat. Sci. Eng. B, 2000, v.71, pp.268-271;

86. Феклисова O.B., Якимов Е.Б., Парахонский А.Л., "Диссоциация Fe-содержащих центров в кремнии при воздействии водорода", "Кремний-2000", тезисы докладов, Москва, 9-11 февраля 2000, с.193;

87. Парахонский А.Л., Феклисова О.В., Ярыкин Н.А., Карелин С.С.,

88. Последовательные стадии пассивации электрической активности атомов золота в кремнии при насыщении атомарнымводородом", Микроэлектроника-94, тезисы докладов, т.1, Звенигород, 28 ноября 3 декабря 1994, с.297;

89. Parakhonsky A.L., Feklisova O.V., and Yarykin N.A., "Intermediate stages of gold-hydrogen interaction in silicon", 18th International conference on defects in semiconductors, July 23-28 1995, Sendai, Japan, p.252;

90. Парахонский A.Jl., Феклисова O.B., Карелин С.С., Ярыкин Н.А., "Последовательные превращения золотосодержащих комплексов в кремнии п-типа проводимости при насыщении атомарным водородом", ФТП, 1996, т.ЗО, в.4, с.670-675;

91. Yarykin N.A., Parakhonsky A.L., Feklisova O.V. Multistep Changes of Defect Electrical Activity due to Interaction with Hydrogen. "Shallow-Level Centers in Semiconductors" ed. by C.A.J. Ammerlaan and B. Pajot, 1996, p.399-404;

92. Парахонский А.Л., Феклисова О.В., Карелин С.С., Ярыкин Н.А., "Особенности пассивации атомарным водородом электрической активности золота в кремнии ", "Кремний-2000", тезисы докладов, Москва, 9-11 февраля 2000, с.87;

93. Parakhonsky A.L., Yakimov E.B., Yang D., "Nitrogen effect on self-interstitial generation in Czochralski silicon revealed by gold diffusion experiments ", J. Appl. Phys., 2001, v.90, pp.3642-3644;

94. Parakhonsky A.L., Yakimov E.B. and Yang D., "Nitrogen effect on gold diffusion in Cz silicon", ICDS21, 16-20 July 2001, Giessen, Germany, p.52;

95. Parakhonsky A.L., Yakimov E.B. and Yang D. "Nitrogen effect on hydrogen penetration into Cz Si under wet chemical etching", Solid State Phenom., 2001, v.82-84, p.145-149;