автореферат диссертации по химической технологии, 05.17.11, диссертация на тему:Травление арсенида галлия в растворах кислотных и щелочных систем и защита поверхности при производстве силовых полупроводниковых приборов (СПП)

САНКТ-ШТЕРБУИХглйЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

На правах рукописи

АВРАКЕЖО ЕЛЕНА НИКОЛАЕВНА

Ж

ТРАВЛЕНИЕ АРСЕНВДА ТАЛШ В РАСТВОРД КИСЛОТШ И ЩЕЯОЧННХ СИСТЙ И ЗАЩИТА ПОВЕРХНОСТИ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ СИЛОВЫХ ШЛШРОВОДНЙКСВЫХ ОВОДОВ (СПП)

05.17Л1 - технология сияякатншс и тугоплавких неметаллических материалов

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени \ кандидата технических наук

Санкт-Петербург 1992

. Рао^та выполнена на кафедре ташчаской технологии; отекла и ситаллов Санкт-Петербургского Технологического института и ь отделе физики полупроводников Таллиннского -електртехнлческого института.

доктор технических наук, профессор /лшшази Герман Анатольевич

каздидат химических наук Мазо ..ев Давидович,

доктор технических наук, профессор Халилэв Владимир Девлетович

Официальные ошюнанты:'доктор химичооких наук, профессор " Корсаков Владимир Георгиевич,

доктор технических раук, профессор Грош»лов Василий Михайлович

Ведущая организация: ДОЭП "Светлана" (Сашст-Петербург).

Защита состоится " " 1992г. в часов

на заседании спевдализироваккого совета К 063.25.ОС в Саякт Петербургском Технологическом институте. Отзывы в X экземпляре, еаэериные печатью, просим натравлять по адресу: 196013 Санкт-Петербург, Загородный проспект, 49, Учен.! сово^.

С диссс-ртациеН 1.;о*но ознакомиться в библиотеке института.

Автореферат разослан *_"_1992г.

Научный руководитель:

консультанты:

Ученый секретарь с'вец..ализированного совета

И.А.Турклн

ОВД ХАРАКТЕРИСТИКА Р430ТЫ

Актуальность темы. По технологически.! и экономическим причинам -кремний еще долго останется основным материалом силовых полупроводниковых приборов (СПП). Однако асе большее распространение яолучакт материалы с зьгсокой подвижность» носителей, в их числе - арсенид галлия (бй . Разработка технологии производства арсенидгаллиевда: приборов обусловила необходимость изучения взаимодействия бе-.А^ с различными тра-вителями и защитными покрытиями, Одкой из актуядьши задач, например, является создание микрорельефа прецизионной геометрии травпениеь: на многослойных структурах арсенцца галлия; дат СПП. Данные, приводимые а литературе по этому вопросу, нося? разноречивый характер. Другой проблемой в технологии СПП на арсешед*4 галлия являемся качественное проведение нон-тадно-ионтактных опорашй, результатом которых будет образование площади контакта кристалл/электрод близкой к площади общей подконгактной области. Эти две ' задали иозно уепепил решить, зная особенности взаи/одействия и его метал«

лизирсзонной поверхности с различными травит елдам.

Стабильность работа и надежность СПП во многом определяются состоянием поверхности полупроводника. Из-за активности свеаетравленной поверхности 6л ^5 или по отношения к кислороду и атмосферной влаге возникает необходимость защиты места выхода перехода на поверхность диэл-ктриче-скиии покрытиями. В технологии кремниевых пркбороэ для отого используются лаки, компаунда, оксид и нитрид кремния, стекла. Возможность работы СПП на 5а /5 £ при более высоких температурах, чем кремниевые приборы, выдвигает дополнит^пыале требования по повышения термостойкости защитных покрытий. О учетом этих требований стекло является ьерипектизнкм матерн-

алом для дг.йлекгрмческоЯ СШ на6аAs . Однако, в от-

личие от стекол, применяемых в кремниевой технологии, оно должно ÖLfb более легкоплавким из-за низкой температуры разложен»^ бчД'Ь (около 8V3 К).

В полупроводниковой технике применяются не только ди-злектр. защитные покрития, но и технологические (то

есть вреленныэ) покрытия-маски. Их использование в процессе производства СПП на позволило бы организовать техно-

логический процесс таким образом, что контроль обратной ветви волът-ампеоной характеристики (OB ВАХ) стал бы возможным на раннем этапе изготовления приборов.

Цель работы заключалась в изучении взаимодействии монокристалл ичесгк ого (sft As с кислотными и щелочными травителя-ки, защитными покрытиями и в разработке отдельных операций технологического процессе изготовления диодов и тиристоров на основе 6а А$. В частности, решали следующие задачи:

- изучение локального прецизионного травления 6*4 As в _правителях Йг.^Оч-Нг0г- Нг.0 и -^гРг'с

- исследование очищающей и декапирующей способности щелочных тррвителеЯ относительно 6 о. Ал и его никелированной поверхности;

- изучение свойств легкоплавких стекол систем P^ßjOy-- PiSiOb-PSTiOs НВ'чОч) И на основе В^ , т?иО . Сс{0 , Pt£Fs , ?&PZ , BiFs - их взаимодействия с GaAs;

- изучение взаимодействия голт^идных покрытий-масок с Grtfls :i ьго никелированно!* поверхностью и их использование э технологическом процессе изготовления диодов.

Научная новизна. Впервые изучено травление монокристал-яического öafVs» ориентация {III} и {100} отравителями Ц^и ч - И CH^COÖH - Нг0. В концентрационном треугольнике 88,7 мас.% Ha.SOv - 99,9 каг.Л^СООИ - 30,0 мае. % Л^О^ проведены изолчнии равных скоростей травлек ш. Определены основные характеристики локального травления. Методом ГФс'С проанализировано сос.'оягие поверхности Д ^ после травления. предложен механизм растворения в травителе.

Ьпервые изучены травители на основе 4о мае.52 КОН-диме-

тилсульфохсвд ( ДЖО ¡120, в концентрационном треугольника определена граница двухфазной области. Исследовано вза-шодействио растворов с поверхностью <3счЛв и никелировпн-ного Со. . По результатам РФЬС никелированной поверхности до и после обработки, а также ИК~ спектров травитзлеА предложен механизм растворения слоя никеля в травителе.

Впервые изучено стеклообрр чоэание в системах РО* 6 ¿0^ _ РбБ!03-РЙТЮ3 (р$ В¡¿0Ч, 2п,Т<0Ч) .Для этих стекол, а также длл стекла, содержащего

В| Г3 изучены основные физико-химические свойства п характер взаимодействия с бйЛь . Показана перспективность использования б о ратного фтороодзр'.шдего стекла в качества наполнителя кауиуков при создании зшцитикх диэлектрических комзозицнй для СПИ.

Установлены пределы температурной устойчивости поверхности «онтаэта бйАз (и никелированный б'аАз } с аогтищц-иш лаком ДД-ЭЮЗ»

Практическое гчачение работа.На основании полученных результатов предложен»:

-состав травнтеля иа основ?, Иг.£0ц~ И^О^ -СН^СОО ЙгО и резкими обработки поверхности А$ позволяющие получить микрорельеф прецизионной геометрии»

¿•состав травителя на сено во 45::зс$ КОН-Д-'.СО-И^С я рз -ним обработки никелированных крис таллов (?<з.%перед монтаэм-контактными операциям ,обеспочишщий пяооад» кропая 93-93$ нозависиио от времени а количества чромсауточнцх • операций мегхду металлизацией и пайкой.

Данные кислотные и щелочлшз траэители быки внедрены в опытное производство СПП нэ£л/Ь при Таллинском Зляктротехнической институте,что отражено в технологической докуиви-п-дни.

-состав стекла,способ его наносения и оплавлеш « для диэлектрической зсщигь. диодных мзда-структур 6а Аз »

-схема изготовление диодов е '«пользованием полиимид но го покрытия-гзски,позволящая проводить . азернов разделение пластины на кристаллы-и последующую хинобработку боа промежуточных операций„а так,ко контроль ОВ БАХ на раннем этапе? изготовления приборов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на II Всесоюсном совещании "Научно-технический прогресс в производстве стекла" (Москва, 1983 г.); 11 Научно-технической конференции "Основные направления в области развития технологии, конструирования и исследования силовых полупроводниковых п}..¡боров" (г. Молодечно, 1984 г.); II Всесоюзном научно-техническом совещании "Перспективы развития технологического оборудования, но..«ос материалов, тех-I алогических процессов для повышения эффективности производства полупро-одниковых приборов силовой электроники" (г. Белая Церковь, 1С35 г.); Всесоюзном научно-техническом семина^-ре "Технология и .конструирование быстродействующа силовых полупроводниковых приборов" (Лэллемяэ, 198? г.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано б печатных работ: 2 тезисов, I статья, 3 авторских свидетельства. •

Объем работы. Диссертаци изложена на 166 страницах и включает вв«де;.де, 3 главы, основные выводы и приложения. Содержит 39 рисунков, 8 таблиц и список цитированной литературы, вклпчаащий 141 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЧ

Во введении обосновывается, актуальность тема диссертации, предмет и объект исследования, его цель л задачи, научная пвизир и практйчэская значимость.

В первой главе рассмотрены и проанализированы содержащиеся в отечественной и зарубежной литературе публикации,посвященные травлению Сл Аз и его взаимодействию с защитными покрытиями.

Дан критический анализ работ по локальному травлению (э'а^; показано, что наиболее вероятно получение микрорельефа прецизионной геометрии в кислотных травителях, например, на основе Н^О^-НгРг - Н зО. Проведен обзор спо^бов повышения качества паяного шва (увеличения площади контакта) крис-та ло'1 во вреыя монтажно-контактных операций. Кяазсифициро-г яы методы хиыобр&ботки кристаллов, средл которых выделен способ одновременного обеаяириваиия и декапирования мет&чли-

эированного слоя на кристалле непосредственно перед пайкой. Обработка проводилась тпавителями НсоОН- НгА_-Нг0 или <WyO?/-ИгОъ-НгО.

Проанализированы работы по использованию неорганических защитных покрытий в полупроводниковой технике. Отмечена перспективность использования стекла для диэлектрической защиты приборов на основе £o.As .

Проаяализированы работы, посвященные защите поверхности полупроводников во время лазерных обработок х.окрытияыи-кгс-каш. Показано, что недостатком таких масок является необходимость их удаления после лазерной обработки и невозможность использования на дмьнеФзих операциях, например, при химоб-работке.

Во второй главе описаны методики исследования взаимодействия <S'a (к его никелированной поверхности) с трави-теплый и защитными покрытиями, а тагстке сзойств самих ?раси-тел ей и защитных покрытий. При определении характеристик локального травлегия использовались микроскопы: МБС-9 с объектом-микрометром, ШУ-3 с измерительной головкой М03-1-15х, Ш14УЛ.2, РМБ с проекционных экраном диагональю 51 см (производство ГДР). В ряде случаев при травлении использовались ультразвуковые ванны УЗУ-0,25 и У2В-15 с генератором УЗГ--2,5А.

Атомарное состояние поверхности до и после травления определяли методом Р28С на спектрометре ЕС 2401, источником излучения служило Кх-излучение ~ 1253 б эВ); для ка-

либровки спектра использовали Is-линьо углерода ( ftV = а 204,6 зВ). Точност: определения - 0,1 эВ.

ИК-анализ тр." жителя проводился на сгектрометре 9С 2Ч<И в дьапазоно 700-3900 см"1. Воспроизводимость для полос полушириной более 150 с if1 составляла - 3 см , менее IEJ см"1 -± I сгГ1.

Спектральный анализ раствора на избирательное раствс -рение никеля проводился на спектографе ИОП-28 по ТУ 6-09-5398. 88.

Стеклообразование определялось визуально, отливк .й 15-20 г расплава на холодную шпту. Кристаллизациогщуь способность сте,лол определяли в градиентной трубчатой печи в ин-

тервале о83-!14С К с погрешностью измерения - 10 1С.

Д11ламетрические измерения проводили на вертикальном кваркеьсн дилатометре типа ДгСВ—4 при 293-683 К. Воспроизводимость измерений То составляла -(5-7) К, а КЛТР -- 5x10"''' 1/К. ИК-спектры стекол сняты та спектрофотометре ЦЦ-2с в диапазоне 400-1400 ом"*.

Измерения удельного объемного сопротивления проводили на частоте Ю3 Гц в интервале 293-573 К с использование:: гораоымэтра Е6-ТЗЛ. Погрешность измерении сопротивления составила ±5$. Удельное поверхностное сопротивление определялось как обратная иели^ша удельной поверхностной ярсводиг-юсти, Измерительное устройство Электрометр ВК2-165 источник напряжения Б5-Ю) обеспечивало измерение сопро-тагшокий со слсдкяциии погрешностями; до 10® 0м ~Ъ%, при 1С9 - Ю13 0м болоа Ю13 0м ±Ж%. При измерении попользовался метод ; еглеграцш тока при фиксированно?* напряжении .

Сьачиьйоао.'э способность разиккг-оз вгег.ох на повортго~

с тр. Л 5 оценивали во углу раг^ачашуц ; те-

ъвръоису сиетяштя* Лдпдат ся.с;см г Дз ояри^ылянгг, п'лгусл-.ъно с помолы.' 11 РИКДЬрцс^огть

•цпъу;: г.окр:пмР провйрялгеь с шоазопкь IV

нз^ду ^ек-гродог.: с нанзе.сы:;,::/ •по.^ригас-а г. г./йО'лгс--7Ши..1. 1-пск тропок.

Д^ц^гогрикшзеии-. ъзс-и^с-уи;;-,;;; •¡> -

И0:" Ол'и-рлч) ;.!■;. '- ) г/:;

' У^. О ' -

Ь к

«¡.'М-

;!

где шенлй индекс указывает тип легирования и концентрацюз оонспьч'х носителей заряда, а п&рхкий ~ нристаллографичсс1ота ориентация пластики. Для травителей с соотношением ¿"¡¿>5% к (-¿г0 » ратап'ч 0,6-1,5 и содержанием {{¿О^ 11-5-14 об.% наблюдаете я другое соотношение скопасте?! тоавлення: 1И>8 (Ш)8 " СШ}Й

Промгалияировога и профиль образующихся углублений. Прсциоиошюа локальное трасяятиз монокркссадяиппсного о «раюяголяя №¿.0 пег.оггозно кз-за не-

равкскеркости локального гравгг-зшш гая структурах больаой пллрдцп к грз1гу.г0сгг'сш:0г0 «грх»лс;:ил го мпьр&гл&ши <i2.II> и при растрах те1голог«"-гского рисунгг г/спев400юъи

Прйдяспепп «ряшул Н^и\Ог-СН2С001^сО. Б кея-центргцценном «роугашпад Г5,7 « '00,9 \--iaS

СК^СООН - 30 ипъ$ \'{0г (рис. I) пгогсг^е' к?.с«1глпш рав-скогос'?;;*!

' < '.*л Г"' с,-'; <7 1' -' 1' "• - ; I

/

Л

к

Л.

'У\\ \ I

Показано, что для травителей, обогащенных Иг^О^ (содержание Нг^&у более 50 об.%), в диапазоне те..тератур от -283 до 303 К не наблюдалось различия в скоростях локального травления образцов и ю- типов легирования. Увеличение температуры обработки привод ло к следующему соотношению скоростей травления: . ,„ <■,

1Г, {шув [ф Ш

< < 0п„0й

Методом Р$ВС установил! состав травленой поверхности: бо,- 20,9 ьч.%, Лл - 23,2 а.ч.%, 0 - 19,0 &чЛ% С аа$, при этом ох/# 0,69; £0,41. Предложен

ыеханиэм растпорения о правителе. Проанализированы

форт и пробили локальных углублений. Предложен состав отравителя и рекмы обработки многослойных структур (раА*1 , позволяющие получить прецизионный шкроредььф.

Изучено взаимодействие ниг ^лированноги ЙаДБ с трави-теляш МН^ОН-КА-ИгО и И СООИ- Н,Ог- (/^, обеспечивающими обезаириваше и декапирование поверхности в одном процессе. Показано, ч?о эффективность данной обработки снижается %и интервале времени ыевду металлизацией и пайкой более 10 суток. Отмечена ограниченность ое применения при наличии на кристаллах открытых участков Предложены траЕИтелн

на оскоЕе 45 .лас.%На рис,, 2 представлен нон-центрацьоншй! треугольник этой системы, в котором определена граница двухфазной' области (область образования растворов).

йсследсзана очищающая и декалирувдая способность этих т^аотелей относительно (эаАь и слоя никеля.Методом РЕ5С установлено, что до обработки никелированной поверхности соот-ноггзние О /А/« 10,-*; после обработки - у,8. На исходной лоьерхности обнаружены М'О, (Ш^О^ > (0НЦ& . После обработки эти соединения остг тгся, но их количество снижается. Сняты ИК-спектру травигеля и его компонентов. Предложен механизм растворения никеля в травителе. Показано, что обработка никелированных кристаллов в травителях ка основе 45 ывс.% ^ОЦ-'ЙМСО-Н-^О обеспечивает среднюю площадь про-пая 93-95$ независимо от сроков проведения и количества промежуточных операций между металлизацией и пайкой.

ЯМСО 30 80 70 60 50 40 30 20 40 Нг0

- —Sf— ---_

Рис.2 Концентрационный треугольник травителёйГ 4Ешс.%К0Н-даС0-Ч20 и область образования растворов (гзштрсжзвака). . .

Для диэлектрической защиты места выхода р-п перехода На поверхность кристаллов предложены стекла систем Р4 ß^Oiy" -P^9.iOs- PßTfOä ( 2mTiOv , Определены обла-

сти стеклообразованил, наиболее обширная из них, составляющая до 6Г молД - у сте,'„ол, годераащих PS&iz0tf .Усиления кристаллизационной способности наблюдается при введении в стерло эквимолекулярного состав. P^BjOч/PfSiöz «I третьих компонентов.

Проведены дилатометрические измерения, О-шечеш с иль-1 ное рассогласование КЛТР (Safts и стекол, содержащих № Bi^. Сняты ИК- спектра стекол титансодерззщих систем. •.

Установлено ,что при оплавлении порошка стеклу на по-веркностн ба/ts между ними происходит хкягаескоо взаимодействие. Показано, иго удовлетворительной ядгэзьзй я GftfrS обладают стекла,содержащие Zft2T{ Otf .Для повкшания смачиваемости поверхности арс-акадл гшдия предлог.зно бораткое' фгорсодоркач.ее» стаяла, ого состав приведен э таблица I.

Таблица I

Состав стекла

даш задан ареошдгаюшевшс дкодаххх маза-Сд.'руктур

Ном ср Код:гоне; :ти, мае. %

стекла „_________________„,_„ ......,......

____ _ -2пО Вг0& Сс{{) (гсГ-з, В) Ъ

137. ~~ 20,3..... 27,в 50,1 4,1 12,2 5,5

148 ' 22,3 2.1,3 32 Д 4,1 12,2 5,0

143 ____14,3__3-3 Д 25,7 6,5 6,1 14,5

Опрэделэш ошиеше фазико-хшнегкке свойетаа стерла (см, табл.2). а таккз роакш нанесения п оилавлвшш порошка втекла а У -образине глшавкп :хаа-струх:тур.

Таблица 2

НоЕогорез $и8Гшо-гиг,2тасп1з сво£сгаа спеют, содеюадого , В403 , Сс10, №ъ ( Н Ь, 81 ^

Кокер То" ¿^НГ7"- ~ Л> "

стэк- К' 1/1С Ой;,см .„С,.¡.см_______град

■да 233 К 473 К 225 К 473 К

13? СО;") 7-:,2 6,2х2014 ¿,ШОа З.ОпТО14 5,Ы0^2 13,0 из еь; 70,0 едйо1; 1Дхюп ь.шо14 г.оххо12 12,5

143 613 77р2 . Й.ШО^ г.а-ДО70 3,5хШ:3 7,0х10П 8,5

Обоова хош'Л: % « тсыа^ратура сгекяовашш; Л> - ко--$£щдат' 'д.шейаого ^ормичеокого раевдрбшхя; /V - у-дольеоо обхемаоа солрсшшяошь,' /Ч ~ уд^яыюо повецхностноо сопро-иадзнад, "й- - гсрасвой угол стчгозашш.

Вшшлопо, что ярп гопзпелойяой защите ьтт сгеклом дао; чххх иева-струхяур не происходит ехшквхшя значений обратно-гс- иапряаэшха образцов (па тш I ш\), лолучевчих после урашшля. Охшчепа возиоаность создания оадатшх когаозхщд2 для СПИ ш основе •шхзкшодехсулярного каучука п легкоплавкого агекла-ххаиолиптеля.

Показана перспективность использования защтии; хюкрц-

тий-масс;;, в частности, на осноео полиимидного лака АД-9103, в технологии арсенидгалллиевнх СГИ. Определены взаимосвязи мекду условной гяз/.осгыз лака, режимами его отверадепця, пористости* и адгезией к поъерхности образующихся покрытий. Установлено, что температуре задуоливакия полиамидного лака на никелированной поверхности не должна превышать 473 К, так как дальнейшее повшеняе температуры приводит к химическому взаимодействии мяяду слоем никеля к растворителем лака ди-метилформамвдом. В зависимости от' ренима травле^ля кристаллов, защищенных пс.ш&ш1гшм. покрытием-маской, цриведепы. образующиеся профили травлена» "Соковой поверхности.

■ основные вывода

1. Впервые изучено взаимодействие монокристаллов ориентаций {111} , ^100} с правителями системы Н^С^ -НдОд-СНзСООН-Н^О. Получены изолинии равных скоростей травления в треугольнике 88,7 то.% Нг5С4 - 99,3'тс.СН3С00К - 30,0 мае.а Н202. Определены .основные характеристики легального травления. Установлено, что для составов, содержащих . более 50 о6.%, в диапазоне 283 ... 303 К не существует различия глэяду скоростями правления образцов разного тг:яа легирования. Методом РФЭС изучено состояние,- поверхности ареени-да галли" после травления, по результатам предложен глеханизм процесса тр~ влекся. Выявлен характер аьыененля форм а профилей углублений в зависшостк ог состава травителя и розит обработки. Предложены сосгавн и рзкиш травления многослойных структур баА^» для создания прецизионного микрорельефа высотой 2-100 мкм (авт.свид* .'5 1106353, № 1484198).!

2. Исследованы травители монокристалштческого ориентации (III] б Иг^Оч -Н2О2-Н2О. Олределенн осн&зные характеристики' локального травления для образцов различного . типа легирования. Ныла показана невозможность создания микрорельефа прецизионной геометррз составам.. Нг^ч- Нг0 из-за неравномерности травления на пластинах большой площади, а также анизотропного характера травления при размерах топологического рисунка менее 400 мкм.

3. Впервне изучено взаимодействие ßftßs и его никели ,ровааной поверхности с трашгэляш 45 маа.% КОН-дасО-Н^О В концентрационном треугольнике определена граница двухфазной области (область образования растворов). Выявлены их очнщащге и декапирующие свойс ва относительно и ны-

ке^ерованного Ga fis . По результатам PèSC никелированной поверхности до и после обработки, а также О-споктров тра-вятеля и его компонентов предложен мэхшшзм продзооа трав-лешш, Рекойэндованы составы л рэяиш обработки при

очистке от различных загрязнений, a также никелированных кристаллов GaRs, перед шнташо-контактнкмк операциями,

обеспечквакгр"э площадь ксита:ста после паЛкл 93-95$?.

j

"4. Для создания стеклянной. диэлектрической защиты СПП ва Safts нреддоненц стекла систем ß-öy-PÔSiOv,— pg/iOb, ( "¿л/ПОм j )f a также стекло, содержащее

CcîO) ) f GF2. } B.î . Определено стеклообразогаяяэ,

основные физико-химическно свойства стекол, характер. их взаимодействия с . Бкявленс, что сгокла с PßBjjpq

■непригодны для заэдатн 6 a fis из-за сильного рассогласования ЬЛТР- стекла а полупроводника. Отыечено, что удовлетвори тельной адоезшй к ôcifts облапают стт-^яа, содержащие -Zn2Tiöi|. Доказано, что при защите V -образных канавок диодных !,12за-сгруктур боракшм фтороодо^ащкм стеклом не происходит сткекап значений обратного напряжения образцов, хюлученшк после, травдекгл (авт.свид. И 124.0971),

5. Доказана перспэкпшнос'ь. использовать покритий-ма-сок (нацрйшр, на основе полишлддного лака АД-9103) в. техно логш СЯП на (sails . Выявлена взаимосвязь между условной вязкостью лака, рекзшоы отверждешш, пористостью покрытия и есо адгезией к. (в том ч~.сло никелированному). Пред

j жена схема изготовления диодов с использованием полиимид-в )го покрытия-маски, погволяющая проводить лазерную и хиыи-ческуа обработку кристаллов без промежуточных операций, я также контроле OB.БАХ на раинем этапе изготовления приборов Отменена возможность химического профилирования боковой поверхности кристалла в месте выхода перехода на поверхность при использовании защитного покрэтдая-маски на основе поли-

имндногс лака.

Сановные положения диссертации изложены в следующих публикациях:

1. .Авраленко E.H., Мазо Л.Д., Халилев В.Д. Стекла для эл. зтроизолящкшной защити силовых ароенид-галашевых приборов на основе систем P^SiOs-EftiTiOij и

-PíSi0-е,- PfiTiOj //Тезисы доклада/11 Всесоюзное совещание "Научно-технический прогресс в производстве отекла".-, М„ 1983. - С.154. : ;;;

2. A.c. II06353 UC2P, МЖ4 HOI 21/308. Состав для травления арсеняда галлия я многослойных структур на его Основе/ Авраменко H.H.^ Ашкинази Г.А., Зологаревокий Д.Д., Мазо 1.Д., Тимофеев В.Н., Челноков В.Е. /СССР/. - » 3557888/16-25; -У Заявлено 28.02.82; УДК 621.382 До8.8/. "■>■,''' ;

3. Авраменко E.H., Ыазо Л.Д., Ннколина Т.П., 2алллев В.Д. Стеклообраговавиэ и: ^изнко-хйшпеокйв своЗства стегол систем P^E^-P^-.O^-^rtiT.Ov VtPgBgOv-PíS.Os -PSTíOj// Физика в химия стояла. - 1984. - Г. 10. - A 4. - С.495-496.

4. A.c. I2487I СССР, ШЯ4 СОЗСЗД45. Стекло для завд-ты полупроводнгковнх ирпборсв на основа аосешда таллия/: Авраменко Б.Н., Мазо Л.Д., Халилев В.Д% /СССР/, - '.<.

X S 766562/29-33; Заявлено 06.1)7.84; Опубл.С7.08.86. йол.'

Ш 29. ' -...i-'. í

5. А.с« I484I9S СССР, МКИ4 HOI 21/306.-Состав 'даю тр Ь-лепия арсенида галлия и многослойных структур на его основе/ Авраменко E.H., Ашкинази Г.А., Золотаревский 1-Я., Maso

Л.Д., Шумилин В.Н./СССР/. - Л 4266749/24-25; Заявлено 23.06. 87; ¡^регистрировано 01.02.89.

6. Авраменко E.H., Мазо Л.Д., Сыркина М.Л.е Халилев З.Д. Влиякхе легкоплавких стекол на термические свойства защитных покрытий типа "19стосали//Таэисы доклада/Всесбюз^ " -ный научно-технический семинар "Технологи« быстродействующих силовых полупроводниковых приборов", Ладлемяэ. 1987.-Таллинн, I9U9. - С.188-Г91.

0$<9?.'.3ак. 2Y/-_60.Pra ЛТИ,Московский пр.,26