автореферат диссертации по химической технологии, 05.17.19, диссертация на тему:Тонкие эпитаксиальные пленки RBa2 Cu3 O7-b

1. ВВЕДЕНИЕ

2. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

2.1. Структура и сверхпроводимость RBa2Cu3O7.fi.

2.1.1. Оксидные высокотемпературные сверхпроводники.

2.1.2. Кристаллическая структура ЯВагСизОу-з.

2.1.3. Сверхпроводящие свойства КВа2СизО 7-а

2.1.4. Сверхпроводящие свойства твердых растворов II1 +хВа2-хСиз07-з (Я = 1м-Сс1).

2.2. Фазовые равновесия в системах К-Ва-Си-О.

2.2.1. Условия термодинамической стабильности ВВагСизО7.5.

2.2.2. Кислородная нестехиометрия КВа2СизС)7-8

2.2.3. Фазовые отношения и кристаллические структуры фаз, принадлежащих 20 системам К-Ва-Си-О.

2.3. Химическое осаждение из паровой фазы металлоорганических 28 соединений (МОСУО) тонких пленок RBa2Cu3O7.fi.

2.3.1. Место МОСЬПЭ феди методов получения тонких пленок ВТСП.

2.3.2. Принцип метода МОСУТ) в применении к росту пленок ЯВа2Сиз07.$

2.3.3. Металлоорганические прекурсоры для получения пленок ЯВагСизО7.5.

2.3.4. Монокристаллические оксидные подложки для роста пленок ИВагСизО?.^

2.3.5. Оптимальныер(0^-Тусловия осаждения пленок ЯВагСизО7.5.

2.3.6. Выделения вторых фаз в эпитаксиалъных пленках (001 ) КВа2Сиз07.$.

2.3.7. Применения пленок (001) КВагСизО7.5, полученных методом МОСУО,

3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

3.1. Приготовление тонких пленок КВагСизОт-з методом химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений.

3.1.1. Синтез летучих металлоорганических соединений.

3.1.2. Монокристаллические подложки.

3.1.3. Установки МОСУЛ.

3.1.4. Отжиги пленок в различных р(0^)-Тусловиях.

3.1.5. Изготовление СВЧ-резонаторов и переходов на бикристалличсекой границе. 60 3.2. Методы исследования пленок КВагСизСЬ-з.

3.2.1. Рентгеновская дифракция.

3.2.2. Сканирующая электронная микроскопия и количественный энергодисперсионный микроанализ.

3.2.3. Просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения и электронная 62 дифракция.

3.2.4. Спектроскопия комбинационного рассеяния и оптическая микроскопия.

3.2.5. Масс-спектрометрияраспыленных нейтральных частиц, профильный анализ.

3.2.6. Атомно-силовая микроскопия.

3.2.7. Измерение магнитной восприимчивости.

3.2.8. Измерение характеристик СВЧ-резонаторов и джозефсоновского перехода. 65 4. РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

4.1. Оптимальные условия роста тонких эпитаксиальных пленок ИВа2Сиз07-5.

4.1.1. Влияние температуры осаждения и парциального давления кислорода на микроструктуру пленок RBa2Cu3O7.fr

4.1.2. Определение кислородной стехиометрии пленок КВа2Сив07-8. "

4.1.3. р(02)-Тусловия осаждения: сверхпроводящие свойства пленок ЯВа2Си¡О7.5

4.1.4. Оптимальные условия роста пленок ЯВа2Сиз07.$ линия равновесия СиО/Си20.

4.2. Фазовые отношения в эпитаксиальных пленках КВагСизОу ^.

4.2.1. Отклонения от стехиометрии в тонких пленках КВагСизО 7-$

4.2.2. Нановключения ЯгОз в эпитаксиальнойматрицеКВа2Сиз07-&

4.2.3. Вторые фазы, содержащие редкоземельный катион, в пленках К-Ва-Си

К = аиту

4.2.4. Включения Ьи2Си205 в пленках Ьи-Ва-Си-О.

4.2.5. Включения хупратов бария в пленках Я-Ва-Си-О.

4.2.6. Включения оксида меди в пленках К-Ва-Си-О.

4.2.7. Ъкяюченш в пленках К-Ва-Си-О, обогащенных барием.

4.2.8. Обобщение обнаруженных фазовых отношений в эпитаксиалъных пленках

4.3. Причина отличия фазовых отношений в эпитаксиалъных пленках 106 К-Ва-Си-О при отклонении от катионной стехиометрии 1:2:3 от таковых в поликристаллических материалах.

4.3.1. Существенная роль ориентации включений вторых фаз.

4.3.2. Исследование фазовых отношений в тонких пленках системы К-Си-0 на

4.3.3. Фазовые отношенш в тонких пленках системы Ва-Си-О, выращенных на различных монокристалических подложках.

4.4. Элементы электронных устройств на основе эпитаксиалъных 119 тонких пленок КВагСизСЬ-б.

4.4.1. Микроволновые резонаторы.

4.4.2. Джозефсоовский переход на пленке КВа2СизО-/-$, выращенной на 122 бикристаллической подложке.

КВа2Си

001) ЬаАЮз.

5. ВЫВОДЫ

БЛАГОДАРНОСТИ

5. ВЫВОДЫ

1. Впервые систематически изучено влияние РЗЭ на структуру и свойства тонких пленок КВагСизОу-з (К=1л1, Но, У, Сс1, N(1) полученных методом химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений. Установлены р(0^-Т условия эпитаксиального роста пленок (001) ЬШагСизОу-б на монокристаллических подложках

24. со структурой перовскита. Показано, что с увеличением ионного радиуса Я возрастает тенденция к росту пленок в а-ориентации.

2. Систематически изучены состав, ориентация и способ выделения вторых фаз в эпитаксиальных пленках ЯВагСизОу.з при отклонениях от идеальной катионной стехиометрии. Показано, что фазовые отношения в эпитаксиальных пленках существенно отличаются от фазовых отношений, известных для поликристаллических материалов (порошков, керамики и др.). Обнаруженное явление объяснено эпитаксиальной стабилизацией примесных фаз.

3. Благодаря эпитаксиальной стабилизации впервые получены ориентированные тонкие пленки купрата ВаСиз04, неустойчивого в поликристаллическом виде. Показано, что ориентация и материал подложки, толщина пленки и р(0^-Т условия осаждения являются ключевыми факторами эпитаксиальной стабилизации.

4. Установлены фундаментальные зависимости сверхпроводящих свойств эпитаксиальных пленок (001) РШагСизО? от ионного радиуса с уменьшением ионного радиуса происходит понижение критической температуры и одновременное усиление пиннинга. Для 11=Ьи, Но, У, Сс1 получены пленки (001) РШагСизОу с высокими значениями Тс ~ 90 К,иус(77К) > 106 А/см2.

5. С использованием установленных закономерностей роста (001) ИЗагСизО? получены пленочные материалы для специальных задач криоэлектроники (пленки на двух сторонах подложки и пленки на бикристаллической подложке). На их основе созданы прототипы криоэлектронных устройств (СВЧ-резонаторы и джозефсоновский переход) с высокими характеристиками. благодарности

Автор выражает благодарность своим научным руководителям, Андрею Рафаиловичу Каулю и Олегу Юрьевичу Горбенко, а также всей научной группе, в которой выполнялось это исследование, за участие в экспериментальной работе и обсуждении результатов; фондам Соросовской Образовательной Программы (гранты ISSEP а97-358, а98-1612, а99-1741), Robert Havemann, Государственной Программе по физике конденсированного состояния (подпрограмма «Высокотемпературная сверхпроводимость»), BMBF (грант 13 N6947/5), Copernicus (грант ERB 1С 15-СТ96-0735) и Volkswagen (грант 1/73628) за финансовую поддержку работы; своей семье и Бритте Фишер за неоценимую заботу, помощь и понимание.

1. Pavuna D., First 13 Years of High-Tc: Brief Review and Open Questions Int. J. Mod. Phys. B, 1999, в печати.

2. Антипов E.B., Лыкова Л.Н., Ковба Л.М., Кристаллохимия сверхпроводящих оксидов -ЖВХО, 1989, т.34, С.458-467.

3. Франк-Каменецкая О.В., Каминская Т.Н., Нардов А.В., Иванова Т.И., Кристаллические структуры ВТСП, в кн: Высокотемпературная сверхпроводимость: фундаментальные и прикладные исследования, Л., 1990, С. 190-265.

4. Абакумов А.М., Антипов Е.В., Ковба A.M., Копнин Е.М., Путилин С.Н., Шпанченко Р.В., Сложные оксиды со структурами когерентного срастания Успехи Химии, 1995, т.64, С.769-779.

5. Raveau В., Michel С., Hervieu М., Layered Cuprates with Dobble and Tripple Copper Layers: Structure and Superconductivity J. Solid State Chem., 1990, v.88, pp.140-162.

6. Park C., Snyder R.L., Structures of High temperature Cuprate Superconductors J. Am. Chem. Soc., 1995, v.78, pp.3171-3194.

7. Goodenough J.B., Manthiram A., Ciystal Chemistry and Superconductivity of the Copper Oxides J. Solid State Chem., 1990, v.88, pp.115-139.

8. Wu M.K., AshburnJiL, Torng C.T., HorP.H, MengR.L, Gao L„ ftangj., WangY.Q., Chu C.W., Superconductivity at 93K in a New Mixed Phase Y-Ba-Cu-O Compound System at Ambient Pressure Phys. Rev. Lett, 1987, v.58, p.908-910.

9. Ног P.H., MengRL., WangY.Q., Gao L., Huang Z.J., BechtoldJ., ForsterK., Chu C.W., Superconductivity above 90K in the Square-Planar Compound System ylBa2Cu306+x with A = Y, La, Nd, Sm, Eu, Gd, Ho, Er, and Lu Phys. Rev. Lett, 1987, v.58, pp.1891-1894.

10. TarasconJM., McKinnon WR, Greene L.H, Hull G.W, Vogel E.M., Oxygen and Rare-Earth Doping of the 90-K Superconducting Perovskite YBa2Cu307x Phys. Rev. B, 198^ v.36, pp.226-234.

11. Skakle J.M.S., West A.R., Formation and Decomposition of LaBa2Cu307.5 J. Mater. Chem., 1994, v.4, pp.1745-1748.

12. Lin J.G., Huang C.Y., Xue Y.Y., Chu C.W., Cao X.W, Ho J.C, Origin of the R-ion Effect on Tc in i?Ba2Cu307 Phys. Rev. B, 1995, v.51, pp.12900-12903.

13. ShakedH., Veal B.W., FaberJ.Jr., Hitterman R.L, Balachandran U., Tomlins G., Shi H., Morss L., Paulikas A.P., Structural and Superconducting Properties of Oxygen-Deficient NdBa2Cu307.s Phys. Rev. B, 1990, v.41, pp.4173-4180.

14. Plackowski Т., Sulkowski C, Bukowski 2., Wlosewicz D., Rogacki K., Electronic Structure Parameters of Sm^^Ba^CujOj, Solid Solution of Orthorhombic and Tetragonal Structure -Physica C, 1995, v.254, pp.331-341.

15. Tokura Y., Arima Т., New Classification Method for Layer Copper Oxide Compounds and Its Application to Design of New High Tc Superconductors Jap. J. Appl. Phys., 1990, v.29, pp.2388-2402.

16. Goodilin E.A., Oleynikov NN., Antipov E.V., Shpanchenko R.V., Popov G.Y., Balakirev V.G., Y.D.Tretyakov, On the Stability Region and Structure of the Nd1+xBa2.xCu30}J Solid Solution Physica C, 1996, v.272, pp.65-78.

17. Wu H., Kramer M.J., Dennis K.W., McCallum R.W., Effect of Oxygen Partial Pressure on the Lower Solubility Limit of Ndj+xBa2.xCu307 Physica C, 1997, v.290, pp.252-264.

18. Zhou Z., Je Y., Oka K., Nishihara Y, Superconducting PrBa2Cu3Ox PhysRev. Lett., 1998, v.80, pp.1074-1077.

19. Narozhnyi V.N., Drechsler S.-L., Comment on "Superconducting PrBa2Cu30;t" Phys.Rev. Lett., 1999, v.82, p.461.

20. Zhou Z., Nishihara Y., Zhou and Nishihara Reply Phys. Rev. Lett., 1999, v.82, p.462.

21. Muroi M., Street &, Defect-Induced Superconductivity in PrBa2Cu307 Physica Q 1999, v.314, pp. 172-182.

22. Usagawa T., Ishumaru Y., Wen J., Utagawa T., Koyama S., Enomoto Y., Superconductivity in (110)-PrBa2Cu307.s Thin Films Pseudomorphically Grown on (110)-YBa2Cu307.5 Singd Crystal Substrates Int. J. Mod. Phys. B, 1998, v.12, pp.3228-3234.

23. Veal B.W., Paulikas A.P., Downey J.W., Claus H., Vandervoort K., Tomlins G., ShiH., Jensen M., Morss L., Structural and Superconducting Properties of RBa2Cu307.g Physica C, 1989, v.162-164, pp.97-110.

24. Lavrov A.N., Kozeeva L.P., Study of the Antiferromagnetic and Superconducting Phase Boundaries in RBa2Cu306+x (R = Tm,Lu) II. Influence of Low-Temperature Oxygen Ordering on TN and Tc Physica C, 1995, v.253, pp.313-324.

25. Samoylenkov S.V., Gorbenko O.Yu., Kaul A.R, Superconducting Properties of Oxygen Deficient LuBa2Cu3Oz.x thin films Physica C, 1996, v.267, pp.74-78.

26. Williams G.M.W., TallonJL., Ion Size Effects on Tc and Interplanar Coupling in RBa2Cu307.<?- Physica C, 1996, v.258, pp.41-46.

27. Zhou B., BuanJ., Pierson S.W., Huang C.C, Vails O.T, LiuJ.Z., Shelton R.N., Scaling Behaviour of the Specific Heat of a LuBa2Cu307.), Sirgie Crystal near the Hc2 line Phys.Rev. B, 1993, v.47, pp.11631-11634.

28. Ramesh S., Hegde M.S., Bond-Valence Analysis of the Charge Distribution and Internal Stresses in the RBajCujO^System (R = Rate Earth) Physica C, 1994, v.230, pp.135-140.

29. Samoylenkov S.V., Gorbenko O.Yu., Kaul A.R, An Anal)sis of Charge Carriers Distribution in RBa2Cu307 Using the Calculation of Bond Valence Sums Physica C, 1997, v.278, pp.49-54.

30. ChenX., Sha J., Xu Z., Jiao Z., Zhang Q., Rare-Earth Ionic Size Effects on Tc in the Series RBa2Cu307.(y- Physica C, 1997, v.282-287, pp.797-798.

31. Neumeier J.J., Zimmermann HA, Pressure Depndence of the Dependence of the Superconducting Transition Temperature of YBa2Cu307 as a Function of Carrier Concentration: a Test for a Simple Charge-Transfer Model Phys. Rev. B, 1993, v.47, pp.83858388.

32. Warmont F., Hardy V., Provost J., Grebille, Simon Ch., Electronic Anisotropy in the Superconducting {n2/3Bi1/3)Sr2CaCu2Ox Compound Measured by Angular Resolved Magnetoresistivity Phys. Rev. B, 1998, v.57, pp.7485-7487.

33. Talion J.L., b kh.: High Temperature Superconductivity, Research Review 1998, ed. Liang W.Y., University of Cambrige, 1998, pp.33-40.

34. Iwasaki H., Inaba S., Sugioka K.,. Nozaki Y., Koboyashi N., Superconducting Anisotropy in the Y-Based System Substituted for the Y, Ba and Cu Sites Physica C, 1997, v.290, pp. 113121.

35. HoferJ., KarpinskiJ., Willemin M., Meijer G.L, KopninE.M., MolinskiR., Schwer H., Rossel C., Keller H, Doping Dependence of Superconducting Parameters in HgBa2Cu04+i5-Single Crystals Physica C, 1998, v.297, pp.103-110.

36. McManus-Driscoll J.L., Recent Developments in Conductor Processing of High Irreversibility Field Superconductors Annu. Rev. Mater. Sei., 1998, v.28, pp.421-462.

37. High Temperature Superconductivity, Research Review 1998, ed. Liang W.Y., University of Cambrige, 1998.

38. Kramer M.J., Yoo S.I., McCallum R.W., Yelon W.B., Xie H., Menspach P., Hole Filling, Charge Transfer and Superconductivity in Nd, +rBa2.xCu307+- Phyia C, 1994, v.219, pp.145-155.

39. Ног P.H., Chu J.W., Wang Y.Q., Feng H.H, Sun Y.Y, Matsuishi K., Xiong Q., Chu C.W., Stability and Superconductivity in Tb-123 препринт Texas Center for Superconductivity #92:043.

40. ParkM., Kramer M.J., Dennis K.W., McCallum R.W, Phase Equilibria in the Pr-Ba-Cu-O System under Varied Oxygen Partial Pressures Physica C, 1996, v.259, pp.45-53.

41. Дегтярев C.A., Воронин Г.Ф., Термодинамика и устойчивость сверхпроводящих фаз в системе иттрий-барий-медь-кислород. 1. Термодинамические свойства YBa2Cu306+z -Сверхпроводимость: физика, химия, техника, 1991, т.4, С.765-775.

42. Воронин Г.Ф., Дегтярев С.А., Термодинамика и устойчивость сверхпроводящих фаз в системе итгрий-барий-медь-кислород. 2. Термодинамические свойства YBa2Cu408 и Y2Ba4Cu7014+z - Сверхпроводимость: физика, химия, техника, 1991, т.4, С.776-782.

43. Дегтярев С.А., Воронин Г.Ф., Термодинамика и устойчивость сверхпроводящих фаз в системе иттрий-барий-медь-кислород. 3. Условия равновесия сверхпроводящих фаз -Сверхпроводимость: физика, химия, техника, 1991, т.4, С.1758-1766.

44. FeenstraR., Lindemer Т.В., BudaiJD., Galloway M.D, Effects of Oxygen Pressure on the Synthesis of YBa2Cu307.x Thin Films by Post-Deposition Annealing J. Appl. Phys., 1991, v.69, pp.6569-6584.

45. Brosha E.L., Davies P.K., Garzon F.H, Raistrick I.D., Metastability of Superconducting Compounds in the Y-Ba-Cu-O System Science, 1993, v.260, pp.196-198.

46. Brosha E.L., Garzon F.H, Raistrick I.D., Low-Temperature Phase Equilibria in the Y-Ba-Cu-O System J. Am. Ceram. Soc., 1995, v.78, pp.1745-1752.

47. Яновский В.К., Воронкова В.И., Водолазская И.В., Леонтьева И.Н., Петровская Т.П., Поведение сверхпроводящих соединений RBa2Cu307.y (R редкоземельные элементы) при высоких температурах — Сверхпроводимость: физика, химия, техника, 1989, т.2, С.30-33.

48. Murakami М, Sakai N., Higuchi Т., Yoo S.I., Melt-Processed Light Rare Earth Element-Ba-Cu-O Supercond. Sei. Technol., 1996, v.9, pp. 1015-1032.

49. Muralidhar M, ChauhanH.S., Saitoh Т., Kamada К., SegawaK., Murakami M., Effect of Mixing Three Rare-Earth Elements on the Superconducting Properties of REBa2Cu30:), -Supercond. Sei. Technol., 1997, v. 10, pp.663-670.

50. Hauck J., Pseudobinaiy Phase Diagrams of YBa2Cu3Ox and YBa2Cu4Ox Supercond. Sei. Technol., 1996, v.9, pp.1033-1038.

51. Hauck J., Bickmann K., Mika К., Pseudobinary phase diagrams of RBa2Cu3Ox, R = I4O, Pr, Nd and Y Supercond. Sei. Technol., 1998, v. 11, pp.63-67.

52. Saitoh Т., Segawa K., Kamada K., Sakai N., Segawa Т., Yoo S.I., Murakami M., Microstructures and Superconducting Properties of Melt-Processed (RE,RE')-Ba-Cu-0 -Physica C, 1997, v.288, pp.141-147.

53. Nelstrop J., MacManus-Driscoll J., Thermodynamics of Samll Rare Earth (RE) RE1Ba2Cu307. x's (REBCO's) and Comparison of Rates of Domain Growth below the Peritectic Applied Superconductivity 1999 (Proceeding of EUCAS'99), в печати.

54. Ferretti M., Magnone E., Olcese G.L., Single Crystal Growth and Phase Diagram Studies in the RBa2Cu307.x Systems (R = Y and Rare Earths) Physica C, 1994, v.235-240, pp.311-312.

55. Грабой И.Э., Путляев В.И., Кислородная стехиометрия высокотемпературных сверхпроводников ЖВХО, 1989, т.34, С.473-480.

56. Lindemer Т.В., Huntley JJF., Gates J.E., Sutton A.L, BrynestadJ., Hubbard C.R., Experimental and Thermodynamic Study of Nonstoichiometry in YBa2Cu307.x J. Am Ceram. Soc., 1989, v.72, pp. 1775-1788.

57. Prado F., Caneiro A., Serquis A., High Temperature Thermodynamic Properties, Orthorhombic/Tetragonal Transition and Phase Stability of GdBa2Cu30}J and Bdated R123 Compounds Physica C, 1998, v.295, pp.235-246.

58. Сечной А.И., Система Cu-O, в кн.: Диаграммы состояния систем тугоплавких оксидов, выпуск 6, под ред. Гребенщикова Р.Г., СПб: Наука, 1997, С.6-10.

59. Глушкова В.Б., Полиморфизм окислов редкоземельных элементов, Ленинград, Наука, 1967.

60. Сечной А.И., Двойные системы: Ва0-Си0-02, в кн.: Диаграммы состояния систем тугоплавких оксидов, выпуск 6, под ред. Гребенщикова Р.Г., СПб: Наука, 1997, С.24-35.

61. Voronin G.F., Degterov SA., Solid State Equilibria in the Ba-Cu-O System J. Solid State Chem., 1994, v.110, pp.50-57.

62. Lindemer T.B., Specht E.D., The BaO-Cu-CuO System. Solid-Liquid Equilibria and Thermodynamics of BaCu02 and BaCu202 Physica C, 1995, v.255, pp.81-94.

63. Kipka R., Muller-Buschbaum Hk, Ein Erdalkalioxocuprat (II) mit geschlossenen Baugruppen: BaCu02 Z. Naturforsch. B, 1977, v.32, pp.121-123.

64. Картотека JCPDS, Card No. 39-1497

65. Пашин С.Ф., Антипов E.B., Ковба A.M., Сколис Ю.Я., Фазовые соотношения, рентгенографические данные и термодинамические свойства некоторых фаз в системе Y015—BaO-CuO — Сверхпроводимость: физика, химия, техника, 1989, т.2, №7, С.102-107.

66. Rozhdestvenskaya I.V., Ivanova T.I., Frank-Kamenetskaya O.V, Crystal Structure of the Superconducting Infinite-Chain Cuprate BaCu2 ^O^ Physica C, 1999, v.311, pp.239-245.

67. Bertinotti A, Hamman J., Luzet D., Vincent E., Structure of a New Type of Satellite Phase in УВа2Си307.^- Physica C, 1989, v. 160, pp.227-234.

68. Balestrino G., Martellucci S., Medaglia P.G., Paoletti A., Petrocelli G., Growth, Structural and Electrical Characterization of (Ca,Sr)Cu02.,„ / [BaCu02]„ Superlattices Phyáca C, 1998, v.302, pp.78-86.

69. Yamamoto H, Naito M., Sato H., A New Superconducting Cuprate Prepared by Low-Temperature Thin-Film Synthesis in a Ba-Cu-O System Jap. J. Appl. Phys., 1997, v.36, pp.L341-L344.

70. Петрова M.A., Двойные системы: Ln203-Cu0 (Ln = Y и La-Lu), в кн: Диаграммы состояния систем тугоплавких оксидов, выпуск б, под ред. Гребенщикова Р.Г., СПб: Наука, 1997, С.59-71.

71. García-Muñoz J.L., Rodrígez-Carvajal J., Structural Characterization of R2Cu205 (R = Yb, Tm, Er, Y and Ho) Oxides by Neutron Diffraction J. Solid State Chem., 1995, v.115, pp.324-331.

72. Zhou J.-S., Archibald W., Goodenough J.B., Pressure dependence of thermoelectric power in LaJ^CuOj Phys. Rev. B, 1998, v.57, pp.R2017-R2020.

73. Normand В., Rice TM., Electronic and Magnetic Structure of LaCu025 Phys.Rev. B, 1996, v.54, 7180-7188.

74. IsawaK., YaegashiY., KomatsuM., Nagano M., Sudo S., KarppinenM., YamauchiH., Synthesis of Deladossite-Derived Phases, RCu02+¿-withR = Y, La, Pr, Nd, Sm, and Eu, and Observation of Spin-Gap-Like Behaviour Phys. Rev. B, 1997, v.56, pp.3457-3466.

75. Кауль A.P., Термодинамическое исследование высокотемпературной стабильности соединений редкоземельных окислов с рядом окислов переходных элементов, дисс. канд. хим. наук, М.: МГУ, 1973.

76. Петрова М.А., Двойные системы: Me0(Ce02)-Ln203 (Me = Са, Sr, Ва), в кн. Дгаграммы состояния систем тугоплавких оксидов, выпуск 6, под ред. Гребенщикова Р.Г., СПб: Наука, 1997, С.72-111.

77. Косулина Г.И., Тройные системы: (In203)Ln203-Cu0 (Ln = La-Lu, IVfe = Ва, Sr, Ca), в кн.: Диаграммы состояния систем тугоплавких оксидов, выпуск б, под ред. Гребенщикова Р.Г., СПб: Наука, 1997, С. 155-208.

78. Ahn B.T., Lee V.Y., Beyers R., Gür T.M, Huggins R.A, Quaternary Phase Relations Near YBa2Cu306+x at 850°C in Reduced Oxygen Pressures Physica C, 1990, v. 160, pp.529-537.

79. Zhu Y.T., Baidonado P.S., Peterson E.J., Park Y.S., Manthiram A., Butt D.P.Peterson D.E., Mueller F.M., Variation of Oxygen Content and Crystal Chemistry of YBa4Cu3Og 5+s Physia C, 1998, v.298, pp.29-36

80. ZhuY.T., Peterson E.J., Baldonado P.S., Coulter J.Y, Peterson D. E., Mueller F.M., Synthesis and Crystal Chemistry of the New Compounds GdBa4Cu308 5+g and E^Ba4Cu308 5+g- J. Mater. Res., 1999, v.14, pp.334-339.

81. Michel С., Raveau В., Les Oxydes Л2ВаСи05 (А = Y, Sn, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb) J. Solid State Chem., 1982, v.43, pp.73-80.

82. Sheth A., Schmidt H, Lasrado V., Review and Evaluation of Methods for Application of Epitaxial Buffer and Superconductor Layers Appl. Supercond., 1999, в печати.

83. Feiten F., Senateur J.P., Weiss F., MadarR., Abrutis A., Deposition of Oxide Layers by Computer Controlled "Injection-MOCVD" J. Phys. IV, 1995, v.5, Coll.C5, pp.1079-1086.

84. Langlet M., Senet E., Dechanvrers J.L., Delabouglise G., Weiss F., JoubertJ.C., New Technique for the Deposition of High Tc Superconducting Films J. Phys., 1989, v.50, Coll.C5, pp.141-147.

85. Kaul AJR., Seleznev B.V., New Principle of Feeding for Flash Evaporation MOCVD Devices- J. Phys. IV, 1993, v.3, СоИ.СЗ, pp.375-378.

86. Samoylenkov S.V., Gorbenko O.Yu., Graboy I.E., Kaul A.R., Tre^akov Yu.D., LuBa2Cu307.x Thin Films Prepared Using MOCVD J. Mater. Chan., 1996, v.6, pp.623-627.

87. Fitzer E., Oetzmann H, Schmaderer F., Wahl G.,The Ba-Problem in CVD-YBa2Cu307.5 HTC Superconductors J. Phys. IV, 1991, v.l, Coll.C2, pp.713-720.

88. Drozdov AA., Troyanov S.I., Kuzmina N.P., Martynenko L.I., Alikharyan A.S., Malkerova I.P., Synthesis and Properties of Barium Diketonates as Precursors for MOCVD -J. Phys. IV, 1993, v.3, Coll.C3, pp.379-384.

89. Yamaguchi T., Iijima Y., Hirano N., Nagaya S., Kohno O., In-Plane Alligned Y1Ba2Cu307.x

90. Tapes on Metallic Substrate by Chemical Vapor Deposition Technique Jap. J. Appl. Phys., 1994, v.33, pp.6150-6156.

91. Hoümann E.K., Vendik O.G., Zaitsev A.G., Melekh B.T., Substrates for High-Tc Superconductor Microwave Integrated Circuits Supercond. Sei. Technol., 1994, v.7, pp.609622.

92. Phillips J.M., Substrates Selection for High-Temperature Superconducting Thin Films J. Appl. Phys., 1996, v.79, pp. 1829-1848.

93. Pajaczkowska A, Gloubokov A., Synthesis, Growth and Characterization of Tetragonal ABC04 Crystals Prog. Cryst. Growth and Charact., 1998, v.36, pp.123-162.

94. Mizusaki J., TagawaH, HayakawaK., Hirano K., Thermal Expansion of YBa2Cu307.x as Determined by High-Temperature X-Ray Diffraction under Controlled Oxygen Partial Pressures J. Am. Cheram. Soc., 1995, v.78, pp.1781-86.

95. Scheel H.J., Materials Engineering Problems in Crystal Growth and Epitaxy of Cuprate Superconductors MRS Bulletin, 1994, v. 19, pp.26-32.

96. Berry A.D., GaskillD.K., HolmR.T., Cukauskas E.J., Kaplan R., Henry R.L., Formation of high Tc superconducting films by organometallic chemical vapor deposition Appl. Phys. Lett., 1988, v.52, pp. 1743-1745.

97. Yamane H., Kurosawa H., Hirai T., Preparation of YBa2Cu307x films by chemical vapor deposition Chem. Lett., 1988, pp.939-940.

98. Yamane H, Matsumoto H., Hirai T., Iwasaki H., Watanabe K., Kobayashi N., Muto Y., Kurosawa H., Y-Ba-Cu-O superconducting films prepared on SrTi03 substrates by chemical vapor deposition Appl. Phys. Lett., 1988, v.53, pp. 1548-1550.

99. Cho C.-H, Bae S.-J., Shin W.-S., Kim Y.-K., Hwang D.-S., No K.-S., Chun J.-S., Effects of the Microstructure on the Performance of the Microstrip Line Resonator Made of MOCVD YBa2Cu3Ox film Physica C, 1994, v.229, pp.129-136.

100. Dubourdieu C., Sénateur JP., Thomas O., Weiss F., High quality YBa2Cu307.x superconducting films grown by MOCVD J. de Physique IV, 1995, v.5, Coll.C5, pp.365371.

101. Dubourdieu C., Sénateur JP., Weiss F., Thomas O., Hensen S., Qrbach-Werbig S., Müller G., Effect of varied preparation conditions on the surface impedance of YBCO films grown by MOCVD Inst. Phys. Conf. Ser. No.148, Proc. EUCAS'95,1995, pp.827-830.

102. Dubourdieu C., Sénateur J P., Thomas O., Weiss F., Hensen S., Müller G., YBCO films deposited on YA103 substrates: microstructure and transport properties IEEE Trans. Appl. Supercond., 1997, v.7, pp.1268-1271.

103. Hiskes R., DiCarolis S.A., Young J.L., Laderman S.S., Jacowitz R., Taber R.C., Single source metalorganic chemical vapor deposition of low microwave surface resistance YBa2Cu307 -Appl. Phys. Lett., 1991, v.59, pp.606-607.

104. Kanehori K., Sugii N., Miyauchi K., Fabrication of YBa2Cu307.x Superconducting Thin Films by Organometallic Chemical Vapor Deposition J. Solid State Chem., 1989, v.82, pp.103-108.

105. Tsuruoka T., Takahashi K., Kawasaki R., Kanamori T., Characteristics of Quenched Y-Ba-Cu-O Thin Films on SrTi03 (100), (110) Grown by Organometalic Chemical Vapor Deposition Appl. Phys. Lett., 1989, v.54, pp.1808-1809.

106. Watson I.M., Atwood MP., Cumberbatch T.J., Triaxially Oriented Growth of CuO on MgO (001): X-Ray Diffraction Studies of Pure CuO Films and Inclusions in Superconducting Y-Ba-Cu-O Films Prepared by MOCVD Thin Solid Films, 1994, v.251, pp.51-62.

107. Schulte B., Maul M., Haussler P., Adrian H., Compositional Effects in YJBa^CoO^g Thin Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition AppL Phys. Lett., 1993, v.62, pp.633-635.

108. Yamane H, Kurosawa H., Hirai T., Watanabe K., Iwasaki H., Kobayashi N., Muto Y., Effect of a Deposition Temperature on the Superconducting Properties of Y-Ba-Cu-O Films Prepared by CVD J. Cryst. Growth, 1989, v.98, pp.860-866.

109. LuoL., Hawley ME., Maggiore C.J., DyeR.G, Muenchausen R.E., ChenL., Schmidt В., Kaloyeros A.E., Spiral Growth in Epitaxial YBajCujO^ Thin FHms Produced by High Deposition Rate Chemical Vapor Deposition Appl. Phys. Lett., 1993, v.62, pp.485-486.

110. Duray S.J., Buchholz D.B., Song S.N., Richeson D.S., Ketterson J.B., Marks T.J., Chang R.P.H., Pulsed Organometallic Beam Epitaxy of Complex Oxide Films Appl. Phys. Lett., 1991, v.59, pp.1503-1505.

111. Chern C.S., Zhao J., Nonis P.E., Garrison S.M, Yau K., Li Y.Q, Gallois B.M., Kear B.H., Oxidizer Partial Pressure Window for YBa2Cu307x Thin Film Formation by Metalorganic Chemical Vapor Deposition Appl. Phys. Lett., 1992, v.61, pp.1983-1985.

112. Ito Y., Yoshida Y., Mizushima Y., Hirabayashi I., Nagai H., Takai Y., Preparation of YBa2Cu307.^Thin Films by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Using Liquid Sources Jap. J. Appl. Phys., 1996, v.35, pp.L825-L827.

113. SantC., Gibart P., GenouP., Verie C., Metalorganic chemical vapor deposition of YBa2Cu307.;c using a special equipment for solid precursors J. Cryst. Growth, 1992, v. 124, pp.690-696.

114. Schulte В., Maul M, Becker W., Schlosser E.G., Elschner S., Haussler P., Adrian H., Carrier gas-free chemical vapor deposition technique for in situ preparation of high quality YBa2Cu307.j thin films Appl. Phys. Lett., 1991, v.59, pp.869-871.

115. Stadel O., Klippe L., Wahl G., Samoylenkov S.Y., Gorbenko O.Yu,Kaul A.R., Single Source MOCVD of HTSC Films onto Travelling Substrates Inst. Phys. Conf. Ser. No. 158, Proc. EUCAS'97, 1997, pp.1097-1100.

116. DeSisto W.J., Henry RL., Newman H.S., OsofskyM.S, CestoneV.C., Metalorganic chemical vapor deposition of low microwave surface resistance YBa2Cu307 on (100) LaAl03 and (100) SrTi03 Appl. Phys. Lett., 1992, v.60, pp.2926-2928.

117. DeSisto W.J., Henry RL., Newman H.S., Osofsky M.S, Cestone V.C., Metalorganic chemical vapor depostion of YBa2Cu307.5 onSrTi03 and LaAl03 J. Gryst. Growth, 1993, v.128, pp.777-780.

118. Oda S., Zama H, Yamamoto S., Superconductivity and surface morphology of YBCO thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition IEEE Trans. Appl. Supercond., 1995, v.5, pp.1801-1804.

119. Zhao J., Noh D.W., C.Chern, Y.Q.Li, P.Norris, B.Gallois, B.Kear, Low-tempeiature in situ formation of Y-Ba-Cu-O high Tc superconducting thin films by plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition Appl. Phys. Lett., v.56, 1990, pp.2342-2344.

120. S.V.Samoylenkov, O.Yu.Gorbenko, I.E.Graboy, A.R.Kaul, V.L.Svetchnikov and HW.Zandbergen, MOCVD of high quality LuBa2Cu307.x thh films J. Alloys Comp., 1997, v.251, pp.342-346.

121. Schwab P., Wang X.Z., Bauerle D., In Situ Fabrication of Superconducting Lu-Ba-Sr-Cu-O Films by Pulsed-Laser Deposition Appl. Phys. Lett., 1992, v.60, pp.2023-2025.

122. Pinto R., Pai S.P., Tamhane A.S., Apte P.R, Gupta L.C, Vijayaraghavan R., Gnanasekar K.I., Keer H.V., Superconductivity at 86 K in LuBa2Cu307i? Thn Films Phys. Rev. B, 1992, v.46, pp. 14242-14244.

123. Tsuru K., Karimoto S., Kubo S., Suzuki M., Improved Morphology and Surface Resistance of EuBa2Cu307 <)' Thin Films on MgO Substrates Obtained by Intermittent Magnetron Sputter Deposition Jpn. J. Appl. Phys., 1996, v.35, pp.L1666-L1668.

124. LiY.H., Staton-Bevan A.E., KilnerJ.A, HREM Investigation of GdBa2Cu307.x Films Grown on MgO Substrates by Magnetron Sputtering Deposition Physica C, 1996, v.257, pp.382-392.

125. Stangl E., Proyer S., Borz M., Hellebrand B., Bauerle D., Pulsed-Laser Deposited GdBaSrCujO^and GdBa2Cu307.tf films Physica C, 1996, v.256, pp.245-252.

126. Li Y., Geerk J., Smithy R., Liu X., Xu J., Optimization of Tc of Epitaxial GdBaCuO Growth Superconducting Film by Inverted Cylindrical Sputtering Physica C, 1997, v.282-287, pp.625-626.

127. CoxU.J., CrainJ., Hatton P.D., Green G.S., Dai D.Y, High-Resolution X-Ray Scattering Studies of Epitaxial GdBa2Cu307.5 Thin Films J. Appl. Phys., 1994, v.75, pp.7966-7971.

128. Salluzzo M., Maggio-Aprile I., Fischer 0., Properties of Superconducting Nd^Ba^CujO^ Thin Films Deposited by DC Magnetron Sputtering Appl. Phys. Lett., 1998, v.73, pp.683685.

129. Kim I.-S., Lee K.W., Park Y.K., Park J.-C.,Properties NdBa2Cu307.iy ThinFilm Prepared by Off-Axis RF Sputtering Appl. Phys. Lett., 1996, v.68, pp.1859-1861.

130. Moon S.-H., Oh B., Superconducting NdBa2Cu307.(y Thh Films Prepared by the Laser Ablation Method IEEE Trans. Appl. Supercond., 1997, v.7, pp.1185-1188.

131. Takahashi N., Takeda N., Koukitu A., Seki H., Growth of a NdBaCuO Superconducting Thin Films on a MgO Substrate by Mist Microwave-Plasma Chemical Vapor Deposition Using a Ce02 Buffer Layer Jpn. J. Appl. Phys., 1998, v.37, pp.L379-L381.

132. Ban M., Mizuno Y., Suzuki K., Enomoto Y., Stability of NdBa2Cu307x Based Resonators in Humid Conditions Physica C, 1996, v.270, pp.129-134.

133. Li Y., Tanabe K., Effect of target Composition on Properties of NdBa2Cu307.<5-Superconducting Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition J. Appl. Phys., 1998, v.83, pp.7744-7752.

134. Takahashi N., Takeda N., Koukitu A., Seki H., Growth of NdBaCuO Superconducting Thin Films Using Mist Microwave-Plasma Chemical Vapor Deposition with Dual Sources Jpn. J. Appl. Phys., 1997, v.36, pp.L553-L555.

135. Badaye M, Wang F., Kanke Y., Fukushima K., Morishita T., High-Quality c-axis Oriented Superconducting Nd1+xBa2.xCu307), Thin Films Deposited by the Laser Ablation Method -Appl. Phys. Lett., 1995, v.66, pp.2131-2133.

136. Hammond RH., Bormann R., Correlation between the in situ growth conditions of YBCO thin film and the thermodynamic stability criteria Physica C, 1989, v.162-164, pp.703-704.

137. Zhong Q., Chou P.C., Li QL., Taraldsen G.S., Ignatiev A., High-rate growth of purely ¿-axis oriented YBCO high-7c thin films by photo-assisted MOCVD Physica C, 1995, v.246, pp.288-296.

138. Scheel H.J., Berkowski M., Chabot B., Problems in epitaxial growth of high-Tc superconductors J. Cryst. Gowth, 1991, v.115, pp.19-30.

139. Ignatiev A., Zhong Q., Chou P.C., Zhang X., Liu J.R, Chu W.K, Large Jc Enhancement by Ion Irradiation for Thick YBa2Cu307.g Films Prepared by Photoassisted Metalorganic Chemical Vapor Deposition Appl. Phys. Lett., 1997, v.70, pp. 1474-1476.

140. Wördenweber R, Growth of High- Tc Thin Films Supercond. Sei. Technol., 1999, v.12, pp.R86-R102.

141. Miletto Granozio F., Scotti di Uccio U., Simple Model for the Nucleation of (001) and (100) Oriented Grains in YBCO Films J. Ciyst. Growth, 1997, v. 174, pp.409-416.

142. Mukaida M., Miyazawa S., Nature of Preferred Orientation of YBa2Cu3Ox Thinfilms Jpn. J. Appl. Phys., 1993, v.32, pp.4521-4528.

143. Yamane H, Hasei M., Kurosawa H., Watanabe K., Awaji S., Kobayashi N., Hrai T., Muto Y., Low-temperature formation of Y-Ba-Cu-O superconducting films by thermal CVD and their Jc in high magnetic field Physica C, 1991, v. 190, pp.79-80.

144. Dubourdieu C., SenateurJP., Thomas O., Weiss F., Hensen S., Müller G., Correlation Between the Microwave Surface Resistance and the Volumic Fraction of a-Axis Grains in YBa2Cu307.x Films Physica C, 1998, v.308, pp. 16-20.

145. Doudkowsky M, Santiso J., Berton S., Figueras A., Bassas J., Barium incorporation in c-axis oriented YBCO thin films deposited by metalorganic chemical vapor deposition Physica C, 1997, v.288, pp. 1-9.

146. Grigis C., Schamm S., Element and phase identification via fine stucture analysis in EELS: application to M0CVD-Y1Ba2Cu307.5 tHn films Ultramicroscopy, 1998, v.74, pp.159-167.

147. Kawasaki M, Nantoh M., Crystal Growth and Atomic Level Characterization of YBa2Cu307.8 Epitaxial Films MRS Bulletin, 1994, v.19, pp.33-38.

148. Molodyk AA, Gorbenko O.Yu., Kaul A.R, Superconducting Properties of YxHoj. xBa2Cu307 Epitaxial Films J. Alloys Comp., 1997, v.251, pp.303-306.

149. Gorbenko O.Yu., Fuflyigin VN., Erokhin Yu.Yu., Graboy I.E., Kaul A.R.,Tretyakov Yu.D., Wahl G., Klippe L., YBCO and BSCCO Thin Films Prepared by Wet MOCVD J. Mater. Chem., 1994, v.4, pp.1585-1589.

150. Verbist K., Vasiliev A.L., Van Tendeloo G., Y203 Inclusions in YBa2Cu307.5 ThinHlms -Appl. Phys. Lett., v.66,1995, pp.1424-1426.

151. Selinder T.I., Helmersson U, Han Z., Wallenberg R.L, Structural Characterization of Yttria (Y203) Inclusions in YBa2Cu307.x Films: Growth Model and Effect on Critical Current Density Thin Solid Films, 1993, v.229, pp.237-248.

152. Lu Z., Truman J.K., Johansson M.E., Zhang D., Zhang D., Shih C.F.,Liang G.C., Large area double-sided YBa2Cu307^ films grown by single-source metal-organic chemical vapor deposition Appl. Phys. Lett., 1995, v.67, pp.712-714.

153. Gallop J., Microwave applications of high-temperature superconductors Supercond. Sci. Technol., 1997, v.10, pp.A120-A141.

154. Sievers R.E., Eisentraut K.J., Springer C.S., Volatile Rare Earth Chelates of P-Diketones -Advances in Chemistry, 1967, v.71, pp.141-154.

155. Hammond G.S., Nonhebel D.C., Wu C.S., Chelates of P-Diketones. V. Preparation and Properties of Chelates Containing Sterically Hindered Ligands Inorg. Chem., 1963, v.2, pp.73-76.

156. Sato R., Takahashi K., Yoshino M., Kato H., Ohshima S., Synthesis and Characterization of Ba P-Diketonate Complexes for Chemical Vapor Deposition of Thin-Film Superconductors Jpn. J. Appl. Phys., 1993, v.32, pp.1590-1594.

157. Kuzmina N., Ivanov V., Troyanov S., Martynenko L., Alikhanyan A., Malkerova I., Adducts of Barium Dipivaloylmethanate with o-Phenanthroline: Synthesis, Molecular Structure and Thermal Behaviour Inorg. Chimica Acta, 1994, v.3,115-121.

158. Becht M., Gerfin T., Dahmen K.-H., Some Cerium /?diketonate Derivatives as MOCVD Precursors Chem. Mater., 1993, v.5, pp. 137-144.

159. Zandbergen HW., Anderson S.L., Jansen J., Structure Determination of Mg5Si6 Particles in Al by Dynamic Electron Diffraction Studies Science, 1997, v.227, 1221-1224.

160. Kazin P.E., Os'kina T.E., Tretyakov YuD., Appl. Supercond. 1993, v.l, pp.1007-1013.

161. Gao Y., Bai G., Lam D.J., Merkle K.L., Microstructure and Defects in ¿-Axis Oriented YBa2Cu307.x Thin Films Physica C, 1991, v. 173, pp.487-500.

162. Locquet J.-P., PerretJ., Fompeyrine J., Machler E., SeoJ.W, Van Tenddoo G., Doubling the Critical temperature of La19Sr01CuO4 Usng Epitaxial Strain Nature, 1998, v.394, pp.453-456.

163. Babushkina N., Belova L., Gorbenko O., Bosak A., Amelichev V., Kaul A., Wshl G., Giant Magnetoresistive Thin Films of (La,Pr)(Ca,Sr)Mn03 Prepared by Aerosol MOCVD -Electrochemical Society Proceedings, 1997, v.97-25, pp.1101-1108.

164. Gorbenko O.Yu., Bosak A A, Growth of LaNi03 Thin Films on MgO by flash MOCVD -J. Cryst. Growth, 1998, v.186, pp.181-188.

165. Giittler В., Dewing H.L., BasuR.N., Schiel D., Quantitative Evaluation of the Oxygen Content in YBa2Cu307.5 Epitaxially Grown Thin Films Using Near-Infrared Excited Raman Spectrometry- Physica C, 1995, v.251, pp.165-170.

166. Suh J.D., Sung G.Y., Thickness Dependence of Resistance-Temperature Characteristics of c-Axis and a-Axis Oriented YBa2Cu307.x Uhathin Films Physica C, 1995, v.252, pp.54-60.

167. Howe J.M., Interfaces in Materials, John Wiley and Sons, Inc., NY-Chickster-Weinheim-Brisbane-Singapore-Toronto, 1997.

168. Данков П.Д, Кристаллохимический механизм взаимодействия поверхности кристалла с чужеродными элементарными частицами. — ЖФХ, 1946, т.20, С.853-867.

169. Shen Z.-Y., High-Temperature Superconducting Microwave Circuits, Artech House, Boston-London, 1994.