автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.12, диссертация на тему:Разработка моделей и алгоритмов статистического анализа влияния дестабилизирующих воздействий на МЭУ

кандидата технических наук
Калмыков, Александр Алексеевич
город
Воронеж
год
2002
специальность ВАК РФ
05.13.12
Диссертация по информатике, вычислительной технике и управлению на тему «Разработка моделей и алгоритмов статистического анализа влияния дестабилизирующих воздействий на МЭУ»

Оглавление автор диссертации — кандидата технических наук Калмыков, Александр Алексеевич

Введение

1. Повышение эффективности проектирования МЭУ на этапе конструкторского проектирования на основе моделирования дестабилизирующих воздействий

1.1 Анализ тенденций развития современных микроэлектронных устройств

1.2 Средства решения задачи анализа влияния дестабилизирующих воздействий на МЭУ в современных системах проектирования МЭУ

1.3 Постановка задачи статистического анализа влияния дестабилизирующих воздействий

2. Моделирование характеристик МЭУ при влиянии дестабилизирующих воздействий

2.1 Анализ и выбор методов решения задачи статистического моделирования МЭУ с учетом дестабилизирующих воздействий

2.2 Математическое обеспечение задачи анализа тепловых характеристик МЭУ •

2.3 Математическое обеспечение задачи анализа помехоустойчивости МЭУ

2.4 Математическое обеспечение задачи анализа влияния радиационного воздействия на МЭУ

2.5 Основные проектные процедуры статистического анализа влияния дестабилизирующих факторов на МЭУ

2.6 Выводы

3. Разработка и обоснование алгоритмов анализа влияния дестабилизирующих воздействий на МЭУ

3.1 Обобщенный алгоритм анализа влияния дестабилизирующих воздействий на МЭУ

3.2 Алгоритмизация задачи анализа и обеспечения требуемых тепловых характеристик МЭУ

3.3 Алгоритмизация задачи анализа помехоустойчивости МЭУ

3.4 Алгоритмизация задачи анализа влияния радиационного воздействия на МЭУ

Введение 2002 год, диссертация по информатике, вычислительной технике и управлению, Калмыков, Александр Алексеевич

Актуальность темы. Проектирование современных микроэлектронных устройств (МЭУ) осуществляется с использованием проблемно-ориентированных автоматизированных систем. Как правило, в таких системах реализован инструментарий моделирования и синтеза функциональности изделия, его топологической реализации и верификации соответствия системным спецификациям. Задачи анализа устойчивости изделия к воздействию дестабилизирующих факторов, как правило, рассматриваются на более поздних этапах производства и испытаний.

В современных условиях такое временное разделение задач может привести к негативным последствиям: снижению качества проектирования, увеличению сроков проектирования МЭУ.

В связи с этим задача моделирования устойчивости МЭУ к действию дестабилизирующих факторов должна решаться на ранних стадиях проектирования и входить в число стандартных проектных процедур. К сожалению, большинство коммерческих САПР МЭУ не предлагают такого комплексного сервиса.

Поэтому задача научного обоснования и реализации таких возможностей в составе САПР типовых МЭУ, безусловно, актуальна.

Диссертационная работа выполнена в соответствии с НИР ГБ 96.04 «Моделирование и оптимизация в информационных системах» в рамках научного направления Воронежского государственного технического университета «САПР и системы автоматизации производства».

Цель и задачи исследования. Цель диссертационной работы состоит в разработке моделей и алгоритмов анализа тепловых характеристик, характеристик помехоустойчивости, показателей радиационной стойкости МЭУ и создании на их основе программного обеспечения (ПО) статистического моделирования МЭУ с учетом дестабилизирующих воздействий.

Для достижения указанной цели в работе необходимо решить следующие задачи: провести анализ тенденций развития современных МЭУ и существующих САПР МЭУ, предназначенных для проектирования устройств с учетом дестабилизирующих воздействий, и выявить их недостатки; исследовать методы решения задачи анализа дестабилизирующих воздействий на характеристики МЭУ; определить перечень необходимых процедур анализа тепловых характеристик, характеристик помехоустойчивости, показателей радиационной стойкости МЭУ и показать их взаимодействие; сформировать стохастические модели анализа влияния дестабилизирующих воздействий на МЭУ и провести статистический анализ результатов моделирования; разработать алгоритмы анализа влияния дестабилизирующих воздействий на МЭУ; разработать программное средство статистического моделирования характеристик МЭУ с учетом дестабилизирующих воздействий на этапе конструкторского проектирования.

Методы исследования основываются на теории автоматизированного проектирования, методах математической статистики и вычислительной математики, методах многомерной оптимизации, методах решения нелинейных неравенств, методах обработки табличных данных. При разработке программных средств использовались методы объектно-ориентированного и модульного программирования.

Научная новизна результатов исследований, полученных при решении поставленных задач, состоит в следующем:

1. Разработана стохастическая модель анализа характеристик помехоустойчивости МЭУ, отличающаяся учетом разброса параметров устройства, процедурой анализа участка паразитных связей соседних проводников, что позволяет повысить качество и сократить время проектирования МЭУ.

2. Предложена стохастическая модель оценки эффективности экранирования МЭУ для защиты от ионизирующих излучений (ИИ), отличающаяся процедурой нахождения показателей радиационной стойкости МЭУ, процедурой выбора оптимального варианта экрана, которая позволяет повысить адекватность оценки влияния ИИ на МЭУ и уменьшить вероятность ошибочных решений при выборе конструкции МЭУ.

3. Разработан генетический алгоритм нахождения наиболее перегретых зон в МЭУ, отличающийся схемой передачи признаков родителей потомкам, в том числе модификацией оператора кроссовера, включением в схему оператора инверсии, что позволяет сократить время теплофизического моделирования.

4. Предложен алгоритм вейвлет-преобразования значений выборки исследуемой случайной величины, отличающийся процедурой уменьшения краевых искажений и пороговой фильтрации коэффициентов детализации, который позволяет устранить шумы из выборки с сохранением всех характерных особенностей статистических данных для увеличения эффективности проведения статистического анализа тепловых характеристик, помехоустойчивости, показателей радиационной стойкости МЭУ.

5. Сформирована структура средств статистического моделирования МЭУ с учетом дестабилизирующих воздействий, отличающаяся от существующих подходом на основе проведения комплексной оценки влияния дестабилизирующих воздействий на МЭУ, применением вейвлет-преобразования статистических данных при сглаживании их значений для увеличения результативности статистического анализа, наличием проблемно-ориентированного математического аппарата генерации рекомендаций, направленных на повышение эффективности проектирования МЭУ, и принятия решений в условиях противоречивости требований к проектированию МЭУ.

Практическая значимость. Разработанные математические модели анализа тепловых характеристик МЭУ, характеристик помехоустойчивости, показателей радиационной стойкости нашли применение для разработки программного обеспечения статистического моделирования МЭУ с учетом дестабилизирующих воздействий. Прикладное значение работы связано с предоставлением проектировщику МЭУ доступного средства проектирования, позволяющего решать на этапе конструкторского проектирования вышеназванные задачи.

Разработано программное обеспечение статистического моделирования МЭУ с учетом дестабилизирующих воздействий.

Реализация результатов работы. Основные положения диссертации в виде компонентов программного обеспечения внедрены и используются в ОАО «Электросигнал». Результаты диссертационной работы используются также в учебном процессе Воронежского государственного технического университета.

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались на следующих конференциях, семинарах и совещаниях: межвузовской научно-технической конференции (Москва, 1997); V Международной студенческой школе-семинаре «Новые информационные технологии» (Судак, 1997); Всероссийском совещании-семинаре «Математическое обеспечение информационных технологий в технике, образовании и медицине» (Во7 ронеж, 1997); научной сессии МИФИ-98 (Москва, 1998); Всероссийском совещании-семинаре «Высокие технологии в региональной информатике» (Воронеж, 1998); Всероссийской конференции «Интеллектуальные информационные системы» (Воронеж, 1999); Всероссийской конференции «Интеллектуальные информационные системы» (Воронеж, 2000); Всероссийской конференции «Интеллектуальные информационные системы» (Воронеж, 2001); Всероссийской конференции «Интеллектуализация управления в социальных и экономических системах» (Воронеж, 2002).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 27 печатных работ, в том числе учебное пособие, имеющее рекомендательный гриф УМО, основные результаты представлены в 12 работах. В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежат: в статьях [1, 2, 3] - разработка стохастической модели анализа тепловых характеристик МЭУ с последующим синтезом системы теплоотводящих устройств; в работе [5] - описание процедур статистического анализа влияния дестабилизирующих воздействий на МЭУ; в работах [6, 11, 12] - разработка алгоритмов анализа помехоустойчивости МЭУ, расчета эффективности экранирования МЭУ от влияния воздействий электрического характера и ионизирующих излучений; разработка программного обеспечения для задач, рассматриваемых в диссертации, отражена в работе [4].

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав с выводами, заключения и списка литературы из 110 наименований, изложена на 112 страницах и содержит 47 рисунков и 8 таблиц.

Заключение диссертация на тему "Разработка моделей и алгоритмов статистического анализа влияния дестабилизирующих воздействий на МЭУ"

Выход

Рис. 4.5. Окно проведения статистического анализа

На рис. 4.6 изображен результат проведения статистического анализа. Значение перегрева, рассчитанное с использованием статистического метода равно 88,61 К, а с использованием метода наихудшего случая - 90,50 К.

Количествоопьггоа№ М ини^ашное значение. М ак гималь ное значение М атемаггическо е ожиаание(, Средневдадр. отклонение

50

R,R4673 mm:

14,5928

Ценгральн. момент $п6ргка|22В8^ :: Ценгральн, ЖомеНт 4-пор-ка 18364§:% Коэффициент зссиметрми i 0,7325721 К даффициент з кпцесса

ТОЛ 3174

113,2777

Количество опытов М- |50 Минимальное знамение Максимальное значение Математическое ожиаанм Среднеквадр. отклонение. Ценгральн. момент 3-пор-ка Ценгральн. момент 4-пор-ка |53753.65 Коэффициент ассимегрии -0,084330: Коэффициент эксцесса И,689502

244,3343 а) б)

Рис. 4.6 Результат проведения статистического анализа (а - статистическим методом, б - методом наихудшего случая)

Таким образом, статистический метод дает наилучший результат, в то время как в случае использования метода наихудшего случая, либо в случае, когда не учитывается разброс параметров МЭУ получается завышенное значение, которое приводит к слишком жестким требованиям и ограничениям при проектировании МЭУ.

При проведении статистического анализа после проведения постановки эксперимента происходит предварительная обработка выборки методом вейв-лет-преобразования. На рис. 4.7 изображена выборка исследуемой случайной

5323532353485323482353532323

532353482353534823482348485323484848232348

Рис. 4.11. Эмпирическая плотность распределения без предварительной обработки выборки

53483123485348232353234853485348535323532323482353532332

Рис. 4.14. Эмпирическая функция распределения после предварительной обработки выборки методом вейвлет-преобразования

48482348235323482348232323534853232323535348234823485323535323484853 с

Рис. 4.15. Зависимость математического ожидания от количества опытов без предварительной обработки выборки

Рис. 4.16. Зависимость математического ожидания от количества опытов после предварительной обработки выборки методом вейвлет-преобразования

Анализ рис. 4.9-4.16 показывает, что результат, полученный с помощью предварительной обработки выборки методом вейвлет-преобразования, является наилучшим. Только после предварительной обработки выборки стало возможным судить о нормальном законе распределения исследуемой случайной величины - перегреве МЭУ.

Поверхность распределения перегрева МЭУ изображена на рис. 4.17. Для нахождения наиболее перегретых зон в МЭУ предлагается использовать генетический алгоритм. На рис. 4.18 показан результат работы классического алгоритма (найдено максимальное значение перегрева 85,06 за 74 итераций), а на рис. 4.19 - результат работы предлагаемого модифицированного генетического алгоритма (найдено максимальное значение перегрева 89,60 за 24 итераций).

89

Анализ полученных данных позволяет сделать вывод об увеличении скорости получения результата с достаточной степенью точности, полученном с помощью реализованного в диссертационной работе генетического алгоритма. После ввода параметров алгоритма процесс поиска наилучшего решения сопровождается на экране перемещением хромосом (на рис. 4.18, 4.19 - белые квадраты на образе перегрева МЭУ) к наилучшему решению.

В реализованном программном обеспечении для анализа участка паразитных связей двух соседних проводников предлагается модифицированный алгоритм на основе методов хорд, касательных, половинного деления. f Построение графика Функции V ( к , jij

Л4 Li /V\\

М И- f 7х /\ \\ // У! I / / /\ у\\ t ! ! 1 f"--- ' ' V\

44К I I b 1 A i ! > I i ч: \ Л И И i i A I I ! t > i \ \\x

I I I S ,"i \\\ I (\ \ \ \ i i \\\\\ iч 4 r \ i i I x Л у \ \v } / " ' i j

I i- i i и I LM-1

1 и if i; И

I.-- ) ! i

1 ii / /V \л\\\\\\

-Л \ K\W\\W \ \ \ \ \/\ \\Ш / V \ Л \ UUVfl / / [ I X \/\\\\\\\\, a t / ] i pm \ к \ \ \ \ \ \ \ \\\ п П I I I I I I /N YW\^4\

J/ / / /

J"! V'.' /XV v* слой

Z I0-04 t J

I^iisiift:

Очистить llocTpjirt

Макс, перегрев. lv* IUIIIIII>(I'.III. h:.ii('i|i.i«>-iihi'

Рис. 4.17. Поверхность распределения перегрева МЭУ

На рис. 4.17 изображен результат работы программы, анализирующей допустимую длину проводников, при которой паразитная связь между ними незначительна.

91

На рис. 4.18 изображен фрагмент окна, в котором рассчитывается допустимая длина проводников методом хорд, а на рис. 4.19 - методом касательных.

Анализ данных рисунков показывает, что с использованием предлагаемого модифицированного метода хорд-касательных получается наиболее точное решение за меньшее число итераций.

В таблице 4.2 приведен сравнительный анализ работы данных методов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Произведен анализ тенденций развития современных МЭУ, рассмотрены особенности средств решения задачи анализа влияния дестабилизирующих воздействий на МЭУ в современных системах их проектирования, сформулирована постановка задачи статистического моделирования МЭУ.

2. Проанализированы и выбраны методы решения задачи статистического моделирования МЭУ с учетом дестабилизирующих воздействий.

3. Разработаны стохастические модели анализа тепловых характеристик, характеристик помехоустойчивости и показателей радиационной стойкости МЭУ, которые направлены на повышение точности моделирования при сокращении времени моделирования, что обеспечивает более высокие эксплуатационные характеристики трудоемких задач теплофизического моделирования и оценки устойчивости устройства к воздействиям электрического характера и радиационным воздействиям.

4. Предложены стохастические модели и алгоритмы оценки эффективности экранирования МЭУ от ионизирующих излучений и воздействий электрического характера, включающие в себя проблемно-ориентированный элемент выбора оптимального решения с помощью модифицированного метода многокритериальной оптимизации ЭЛЕКТРА.

5. Сформирован обобщенный алгоритм анализа влияния дестабилизирующих воздействий на МЭУ, который позволяет эффективно оценивать тепловые характеристики МЭУ, его помехоустойчивость, радиационную стойкость на начальных этапах конструкторского проектирования.

6. Разработан алгоритм вейвлет-преобразования значений выборки исследуемой случайной величины, отличающийся процедурой уменьшения краевых искажений, пороговой фильтрации коэффициентов детализации, который позволяет устранить шумы из выборки с сохранением всех характерных особенностей статистических данных для увеличения эффективности проведения статистического анализа тепловых характеристик, помехоустойчивости, показателей радиационной стойкости МЭУ.

7. Предложен генетический алгоритм нахождения наиболее перегретых зон в МЭУ, отличающийся схемой передачи признаков родителей потомкам, в том числе модификацией оператора кроссовера, включением в схему оператора инверсии, что позволяет сократить время теплофизического моделирования.

102

8. Разработаны алгоритмы статистического анализа тепловых характеристик, помехоустойчивости и показателей радиационной стойкости МЭУ, позволяющие повысить качество проектирования МЭУ.

9. Разработано программное обеспечение статистического моделирования МЭУ с учетом дестабилизирующих воздействий, отличающееся от существующих реализаций подходом на основе проведения комплексной оценки влияния дестабилизирующих воздействий на МЭУ, применением вейвлет-преобразования статистических данных при сглаживании их значений перед проведением статистического анализа для увеличения его результативности, наличием проблемно-ориентированного математического аппарата генерации рекомендаций, направленных на повышение эффективности проектирования МЭУ, и принятия решений в условиях противоречивости требований к проектированию МЭУ, которое позволяет повысить качество и сократить время проектирования МЭУ.

10. Проведено исследование эффективности разработанного программного обеспечения при решении задач анализа влияния дестабилизирующих воздействий на МЭУ. Результаты тестирования программного обеспечения показали высокую эффективность использования предложенных алгоритмов.

103

Библиография Калмыков, Александр Алексеевич, диссертация по теме Системы автоматизации проектирования (по отраслям)

1. Автоматизация проектирования БИС: В 6 кн.: Практ. пособие / Под ред. Г.Г. Казеннова. М.:Высш. шк., 1990.

2. Кейвин Р.К., Хильберт Дж. JL Проектирование интегральных микросхем: Направления и проблемы // ТИИЭР. 1990. №2. С.213 235.

3. Норенков И.П., Маничев В.В. Основы теории и проектирования САПР. М.:Высш. шк., 1990. 335 с.

4. Дульнев Г.Н., Парфенов В.Г. Методы расчета теплового режима приборов. М.: Радио и связь, 1990. 312 с.

5. Макаров О.Ю. Разработка подсистемы теплофизического проектирования в САПР БИС // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. трудов. Воронеж, ВГТУ. 1993. С.42-46.

6. Автоматизированное теплофизическое проектирование микроэлектронных устройств: Учеб. пособие /А.В.Муратов, О.Ю.Макаров: Воронеж, гос. техн. ун-т. Воронеж, 1997. 92 с.

7. Калмыков А.А., Мугалев А.И. Автоматизация расчета температурного поля в подложке микросхем при проектировании РЭА // Микроэлектроника и информатика 97: Тез. докл. межвузов, науч.-техн. конф. М.:МГИЭТ (ТУ), 1997. Ч. 2. С. 76.

8. Калмыков А.А., Мугалев А.И. Моделирование и исследование температурного поля в микроэлектронных устройствах // Новые информационные технологии: Тез. докл. V Междунар. студенческой школы-семинара. Судак, 1997. С. 217.

9. Калмыков А.А., Мугалев А.И. Автоматизация расчета температурного поля в подложке микросхем при проектировании РЭА // Научная сессия МИФИ-98: Сб. науч. тр. М.:МИФИ, 1998. 4.10. С. 79-81.

10. Калмыков А.А., Мугалев А.И., Воробьев Э.И. Программное обеспечение непрерывно-стохастического моделирования / Высокие технологии в региональной информатике: Тез. докл. Всерос. совещания-семинара. Воронеж: ВГТУ, 1998. 4.1. С. 32.

11. Макаров О.Ю., Воробьев Э.И., Калмыков А.А., Андреищев С.Н., Мугалев А.И. Методы защиты информации в программных продуктах // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. научн. трудов. Воронеж, ВГТУ. 1999. С.78-83.

12. Методические указания к лабораторной работе по курсу «Оптимизация в САПР» для студентов специальности 220300 «Системы автоматизированного проектирования» дневной формы обучения / Воронеж, гос. техн. ун-т;105

13. Сост.: С.Н.Андреищев, А.А.Калмыков, А.И.Мугалев, Н.А.Медведь. Воронеж, 1998. 35 с. (№ 83-98).

14. Маклаунд Дж. Обзор и анализ ситуации на рынке САПР БИС. //Электроника, 1993, №5.

15. Ю.Митропольский. Суперкомпьютеры и микропроцессоры // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. №3-4. 1998.С.21.

16. О.Двориков Создание конкурентоспособных аналоговых БИС // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. №3-4. 1998.С.59.

17. Дульнев Г.Н. Тепло- и массообмен в радиоэлектронной аппаратуре. М.: Высш. шк., 1984. 247 с.

18. Справочник конструктора РЭА: Общие принципы конструирования/ Под ред. Р.Г.Варламова. М.: Сов. радио, 1980. 480 с.

19. Иванов В.П., Батраков А.С. Трехмерная компьютерная графика /Под ред. Г.М.Полющика . М.: Радио и связь, 1995. 224 с.

20. Клименко С.В., Кочин В.Н. Об одном способе изображения поверхностей в машинной графике //Программирование, 1981. №2. С.68-71.

21. Фролов В.Н., Львович Я.Е., Меткин Н.П. Автоматизированное проектирование технологических процессов и систем производства РЭС. М.: Высш. шк., 1991. 463 с.

22. Пугачев В.Н. Комбинированные методы определения вероятностных характеристик. М., Сов. радио, 1973.

23. Стрелянов А.И. Производство вычислений на программируемых микрокалькуляторах (МК-52, МК-54, МК-61).- JL: Машиностроение. Ленингр. отд-ние, 1990, 272 с.

24. Тюрин Ю.Н., Макаров А.А Анализ данных на компьютере /Под ред. Фигурнова В.Э. М.: ИНФРА-М, Финансы и статистика, 1995. - 384 с.

25. Вучков И. Прикладной линейный регрессионный анализ / Пер. с болг. и предисл. Ю.П.Адлера. М.: Финансы и статистика, 1987. 239 с.106

26. Болыиев JI.H., Смирнов Н.В. Таблицы математической статистики. -М.: Наука, 1983.416 с.

27. Львович Я.Е., Фролов В.Н. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности РЭА. М.: Радио и связь, 1986. 192 с.

28. Теория и практика обеспечения информационной безопасности. Под редакцией Зегжды П.Д. М., Яхтсмен, 1996.

29. Баричев С.Н. Криптография без секретов. М.: Высш. шк. 1997. 215 с.

30. Норенков И.П., Маничев В.Б. Основы теории и проектирования САПР: Учеб. Для втузов по спец. «Вычислительные маш., компл., сист. и сети». М.: Высш. шк., 1990. 335 с.

31. Дульнев Г.Н., Тарновский Н.Н. Тепловые режимы электронной аппаратуры. «Энергия», 1971. 248 с.

32. Резников Г.В. Расчет и конструирование систем охлаждения ЭВМ. М.: Радио и связь, 1988. 224 с.

33. Савельев М.В. Конструкторско-технологическое обеспечение производства ЭВМ. М.: Высш. шк., 2001. 319 с.

34. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат Design Center. М.: СК Пресс, 1996. 272 с.

35. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1983. 232 с.

36. Батищев Д.И., Львович Я.Е., Фролов В.Н. Оптимизация в САПР. Воронеж: ВГУ, 1997.416 с.

37. Карташов Э.М. Аналитические методы в теплопроводности твердых тел. М.: Высш. Школа, 1979. 415 с.

38. Программный комплекс "KMC" решения задач статистического моделирования при проектировании РЭС: Учеб. пособие / Э.И.Воробьев, О.Ю.Макаров, С.Н.Андреищев, А.А.Калмыков, А.И.Мугалев. Воронеж: ВГТУ, 1999, 126с.107

39. Калмыков А.А., Макаров О.Ю. Синтез теплоотводящих устройств при проектировании МЭУ // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж, 2000, С.129.

40. Калмыков А.А., Макаров О.Ю. Анализ помехоустойчивости на начальных этапах проектирования МЭУ // Интеллектуальные информационные системы. Тр. Всерос. конф. Воронеж, ВГТУ. 2000. 4.1. С.66.

41. Калмыков А.А., Макаров О.Ю. Комплексная оценка надежностных характеристик МЭУ на начальных этапах проектирования. // Интеллектуальные информационные системы: Тр. Всерос. конф. Воронеж, ВГТУ. 1999. 4.2. С.13.

42. Калмыков А.А. Функциональное взаимодействие модулей в комплексе статистического моделирования МЭУ // Интеллектуальные информационные системы: Тр. Всерос. конф. Воронеж, ВГТУ. 2001. С. 46.

43. Калмыков А.А. Информационное обеспечение комплекса статистического моделирования МЭУ // Интеллектуальные информационные системы: Тр. Всерос. конф. Воронеж, ВГТУ. 2001. С. 38.

44. Калмыков А.А. Разработка алгоритмов решения задачи теплового моделирования МЭУ с учетом дестабилизирующих воздействий // Интеллектуальные информационные системы: Тр. Всерос. конф. Воронеж, ВГТУ. 2001.1. С. 24.

45. Калмыков А.А. Анализ программного обеспечения для проектирования МЭУ на начальных этапах // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж, ВГТУ. 2001. С. 191-196.

46. Калмыков А.А. Обоснование актуальности создания подсистемы статистического моделирования МЭУ на начальных этапах проектирования // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж, ВГТУ. 2001. С.212-217.

47. Лазер И.М., Шубарев В.А. Устойчивость цифровых микроэлектронных устройств. М.: Радио и связь, 1983. 216 с, ил.

48. Проектирование микроэлектронных цифровых устройств / О.А.Пятлин, П.И.Овсищер, И.М.Лазер и др.; Под ред. С.А.Майорова. М.: Сов. Радио, 1977. 271 с.108

49. Норенков И.П. Автоматизированное проектирование. М.:Высш. шк., 2000. 188 с.

50. Мадера А.Г., Резников Г.В. Статистический метод расчета теплового режима изделий электронной техники // Электронная промышленность. 1984. Вып. 1 (129). с.66-69.

51. Ермаков С.М., Михайлов Г.А. Статистическое моделирование. 2-е изд., доп. М.: Наука, 1982. 296 с.

52. Резников Г.В. Расчет и конструирование систем охлаждения ЭВМ. М.: Радио и связь, 1988. 224 е.: ил.

53. Л.Г.Ширшев Ионизирующие излучения и электроника. М. Изд-во «Советское радио», 1989. 192 с.

54. Роткоп Л.Л., Спокойный Ю.Е. Обеспечение тепловых режимов при конструировании РЭА. М.: «Сов. радио»., 1976. 232 с.

55. Калмыков А.А., Макаров О.Ю. Исследование МЭУ на стойкость к воздействию радиационных дестабилизирующих факторов // Интеллектуализация управления в социальных и экономических системах: Тр. Всерос. конф. Воронеж, 2002, С.25.

56. Калмыков А.А., Макаров О.Ю. Анализ задачи помехоустойчивости и электромагнитной совместимости МЭУ на ранних этапах проектирования // Интеллектуализация управления в социальных и экономических системах: Тр. Всерос. конф. Воронеж, ВГТУ. 2002. С.74.

57. Калмыков А.А., Межов В.Е., Макаров О.Ю. Алгоритмизация процесса анализа помехоустойчивости МЭУ // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж, ВГТУ. 2002.1. С. 85-89.

58. Калмыков А.А., Макаров О.Ю. Алгоритмизация статистического моделирования МЭУ с учетом дестабилизирующих воздействий // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж, ВГТУ. 2002. С.186-191.109

59. Акимов Ю.С., Цветков В.А. Паразитные связи и устойчивость аналоговых интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1984. 112 с.

60. Гурвич И.С. Защита ЭВМ от внешних помех. 2-е изд., перераб. и9доп. М.: Энергоатомиздат, 1984. 224 с.

61. Пронин Е.Г., Шохат B.C. Проектирование технических средств ЭВА. М.: Радио и связь, 1986. 192 с.

62. Волин M.JI. Паразитные процессы в радиоэлектронной аппаратуре. М.: «Советское радио», 1972, 280 с.

63. Лазер И.М., Шубарев В.А. Устойчивость цифровых микроэлектронных усройств. М.: Радио и связь, 1983. 216 с.

64. Гроднев И.И. Электромагнитное экранирование в широком диапазоне частот, М.: «Связь», 1972. 111 с.

65. Ширшев Л.Г. Ионизирующие излучения и электроника . М.: «Советское радио», 1969. 192 с.

66. Горячева Г.А., Шапкин А.А., Ширшев Л.Г. Действие проникающей радиации на радиодетали. М.: Атомиздат, 1971. 118 с.

67. Вавилов B.C., Горин Б.М. Радиационные методы в твердотельной электронике. М.: Радио и связь, 1990. 184 с.

68. Устюжанинов В.Н., Чепиженко А.З. Радиационные эффекты в биполярных интегральных микросхемах. М.: Радио и связь, 1989. 144 с.

69. Конобеевский С.Т. Действие облучения на материалы. М.: Радио и связь, 1967. 400 с.

70. Першенков B.C., Попов В.Д. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энергоатомиздат, 1988. 256 с.

71. Вавилов B.C. Действие облучения на полупроводники. М.: Физмат-гиз, 1963. 264 с.

72. Коноплева Р.Ф. Литвинов В.Л. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. М.: Атомиздат, 1971.176 с.

73. Айвазян С.А., B.C. Мхитарян Прикладная статистика и основы эконометрики. М.: ЮНИТИ, 1998. 1022 с.

74. Дьяконов В.П. Справочник по расчетам на микрокалькуляторах. М.: Наука. Гл. ред. физ. мат. лит. 1989. 464 с.110

75. Калинина В.Н. Панкин В.Ф. Математическая статистика. М.: Высш. шк., 2001. 336 с.

76. Гаскаров Д.В., Шапалов В.И. Малая выборка. М.: Статистика, 1978.248 с.

77. Вентцель Е.С., Овчаров J1.A. Теория случайных процессов и ее инженерные приложения. Учеб. Пособие для втузов. - 2-е изд., стер. М.: Высш. шк., 2000. 383 с.

78. Живописцев Ф.А., Иванов В.А. Регрессионный анализ в экспериментальной физике. М.: Изд-во МГУ, 1995. 208 с.

79. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. М.: Высш. шк., 1989. 320 с.

80. Валиев К.А., Орликовский А.А. Основные направления развития микроэлектроники // ЭВТ: Сб. ст. 1987. Вып. 1. С.25-40.

81. Кейвин Р.К. , Хильберт Дж.Л. Проектирование интегральных схем: Направления и проблемы // ТИИЭР. 1990. №2. С.213-215.

82. Микроэлектроника: В 9 кн. / Под ред. Л.А.Коледова. М.: Высш. шк.,1987.

83. Аксенов А.И., Гребенников Г.И., Савченко A.M. Состояние и перспективы развития микроэлектроники по программам вооружения // Зарубежная электронная техника. 1990. №4. С.53-67.

84. Сверхбольшие интегральные микросхемы оперативных запоминающих устройств / В.В. Баринов, А.С.Березин и др. М.: Радио и связь, 1991.

85. Корнеев В.В., Киселев А.В. Современные микропроцессоры. М.: Но-лидж, 1998. 240 с.

86. Goldberg D.E. Genetic Algorithms in Search, Optimization, and Machine learning. Addison-Wesley, 1989.

87. Батищев Д. И. Методы оптимального проектирования. М.: Радио и связь, 1984.

88. Воробьев В.И., Грибу нин В.Г. Теория и практика вейвлет-преобразования. С.-Петербург, ВУС, 1999.

89. Добеши И. Десять лекций по вейвлетам. М.: "РХД". 2001.

90. Ж. Макс. Методы и техника обработки сигналов при физических измерениях. М. Мир, 1983.1.l

91. САПР в радиоэлектронике: Справочник / Е.В. Авдеев, А.Т.Еремин, И.П.Норенков; под ред. И.П.Норенкова. М.: Радио и связь. 1986. 386 с.

92. Чернышев А.А., Тюхин А.А. Контроль тепловых характеристик ИС // Зарубежная радиоэлектроника. 1983, №5. С.90-95.

93. Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. Последние достижения: Пер. с английского / Под ред. Д.Миллера. М.: Радио и связь, 1989. 280 с.

94. Петросянц К.О., Рябов Н.И. Моделирование электрических и тепловых режимов элементов БИС с малыми размерами // Радиоэлектроника, 1986, №1, С.93-95.

95. Кофанов Ю.Н. Теоретические основы конструирования, технологи и надежности радиоэлектронных средств. М.: Радио и связь, 1991, 360 с.

96. Файзулаев Б.Н., Первов А.С. Взаимосвязь предельного быстродействия и степени интеграции БИС // Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. М.: Сов. радио, 1979. Вып. 4, С.149-157.

97. Макаров О.Ю. Сквозное тепловое проектирование в интегрированных САПР микроэлектронных устройств. Воронеж: Изд-во ВГТУ, 1999, 151 с.

98. Зольников В.К. Подсистема программирования стойкости ИМС, работающих в полях ионизирующего излучения / Материалы XXXVI ежегодной отчетной научной конференции за 1998 г. // Тез. Докл. Научно-техн. конф. -Воронеж: ВГЛТА, 1998. с. 90.

99. Система проектирования биполярных радиационно-стойких ИМС/ В.Е. Межов, В.К. Зольников, Д.Е. Соловей, А.В. Межов. Воронеж.: ВГЛТА, 1998. 258 с.

100. Зольников В.К. Программное обеспечение для моделирования работоспособности ИМС в полях гамма-излучения малой мощности // Вопросы атомной науки и техники.- 1998. Вып. 1. С. 38-39.112

101. Status-95. Экономический обзор по интегральной электронике. ICE, США, 1995.

102. Holland J.H. Adaptation in Natural and Artificial Systems. Ann Arbor: The University of Michigan Press, 1975.

103. Рис. 1. Структурная схема алгоритма необходимости проведения синтезасистемы охлаждения1. Продолжение Приложения А

104. Задание количества опытов N1516 --

105. Разыгрывание случайных величин17 -j: = 1- 18 -

106. Вычисление суммарного коэфф. теплообмена, коэффициента эффективности ребра, коэффициента теплопередачи, температуры пов-ти охлаждения T(i), средней темп-ры воздуха19j:=j+1

107. Рис. 2 Структурная схема алгоритма синтеза параметров системы охлаждения МЭУ с учетом реального разброса параметровг1. Окончание рис. 2

108. Рис. 3 Структурная схема алгоритма анализа радиационной стойкости МЭУ