автореферат диссертации по машиностроению и машиноведению, 05.02.22, диссертация на тему:Разработка и оптимизация конструкторско-технологических решений ГИС СВЧ - диапазона, с целью улучшения характеристик, формирование направлений создания и теоретических основ их развития
- доктора технических наук
- Иовдальский, Виктор Анатольевич
- город
- Фрязино
- год
- 2014
- специальность ВАК РФ
- 05.02.22
Автореферат диссертации по теме "Разработка и оптимизация конструкторско-технологических решений ГИС СВЧ - диапазона, с целью улучшения характеристик, формирование направлений создания и теоретических основ их развития"
На правах рукописи
Иовдальский Виктор Анатольевич
РАЗРАБОТКА II ОПТИМИЗАЦИЯ КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕШЕНИЙ ГИС СВЧ-ДИАПАЗОНА, С ЦЕЛЬЮ УЛУЧШЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК, ФОРМИРОВАНИЕ НАПРАВЛЕНИЙ СОЗДАНИЯ И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ ОСНОВ ИХ РАЗВИТИЯ
Специальность 05.02.22 Организация производства (в области радиоэлектроники).
АВТОРЕФЕРАТ
диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук.
2 7 НОЯ 2014
005555859
Фрязино 2014г.
005555859
Диссертационная работа выполнена в Федеральном государственном унитарном предприятии «Научно-производственное предприятие «Исток»
Научный консультант:
Савченко Владимир Петрович, доктор технических наук, профессор Официальные оппоненты:
Нефёдов Евгений Иванович, доктор физико-математических наук, профессор, ИРЭ им. Котельникова, главный научный сотрудник
Белкин Михаил Евсеевич, доктор технических наук, профессор, МГТУ МИРЭА, заведующий лабораторией
Симаков Владимир Викторович, доктор технических наук, профессор, ОАО «Конструкторское бюро опытных работ», генеральный директор
Ведущая организация - Открытое акционерное общество «Научно-производственный комплекс «Научно-исследовательский институт дальней радиосзязи»
Защита состоится. 29..(£-.2014г. в /¿...час на заседании диссертационного совета Д212.131.04 при Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики» (МГТУ МИРЭА) по адресу 119454, Москва, проспект Вернадского, 78.
С диссертацией можно ознакомиться в научно — технической библиотеке МГТУ МИРЭА. 1+4 //
Автореферат разослан (0, Н ...2014г. и размещён на сайте Л/К/М/и/ (П1Ш
Учёный секретарь
диссертационного совета
Д212.131.04 д.т.н., доцент С.Н. Замуруев
1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ А1сгуальность диссертации. Производство изделий радиоэлектроники
является одной из самых наукоемких отраслей промышленности, поэтому научно-технический прогресс, наблюдающийся во всех областях народного хозяйства, особенно ярко выражен именно в ней. Вместе с тем, успехи радиоэлектроники во многом становятся возможны благодаря развитию микроэлектроники, поскольку радиоэлектронные устройства базируются на комплектующих микроэлектронных компонентах.
Развитие микроэлектроники и радиоэлектроники повлекло за собой не только расширение функциональных возможностей радиоэлектронных устройств, но и ужесточение требований к их параметрам. Это, в первую очередь, повышение надежности, улучшение электрических характеристик, уменьшение габаритов и массы, а также снижение энергопотребления.
Радиоэлектронная аппаратура (РЭА) СВЧ диапазона базируется, в основном, на гибридных интегральных схемах (ГИС) и микросборках (МСБ). В связи с этим, крайне важным является совершенствование их конструкции и технологии. Это также связано с использованием новых материалов и их правильным сочетанием, уменьшением массы и габаритов ГИС и МСБ, а, кроме того, с учетом особенностей обработки сигнала в СВЧ диапазоне.
Проблемы разработки ИЭТ нового поколения, отличающиеся большой степенью интеграции, сложностью и универсальностью, породили новую тенденцию развития микроэлектроники - комплексную микроминиатюризацию (КММ).
Успехи развития микроэлектронных устройств (МЭУ), и в первую очередь твёрдотельных интегральных модулей СВЧ, во многом связаны с достижениями техники гибридных интегральных схем (ГИС), больших ГИС (БГИС), технологии изготовления таких устройств. Поэтому задачи, связанные с совершенствованием конструкции и технологии СВЧ ГИС и МСБ с целью улучшения их электрических, тепловых и массогабаритных характе-
ристик, а также с повышением эксплуатационной надёжности и технологичности актуальны и практически необходимы.
Сложившиеся представления о ГИС и МСБ СВЧ - диапазона на момент начала данной работы не отражают современный уровень развития СВЧ -электроники и не соответствуют требованиям настоящего времени. Эти представления соответствовали парадигме, сложившейся и сформулированной в то время. Однако с тех пор накопилось много новых знаний и опыта разработок в данной области развития техники ГИС СВЧ и назрела необходимость и условия для появления новых представлений, то есть новой парадигмы, для того чтобы правильно и быстро ориентироваться в основных направлениях конструкторско - технологического развития и возможностях достижения высоких параметров и характеристик радиоэлектронных устройств.
Целями настоящей работы являются: 1) разработка ряда новых отдельных конструкторско - технологических направлений и соответствующих концепций развития ГИС СВЧ - диапазона, сформулированных на базе анализа мирового опыта разработки СВЧ ГИС и СВЧ МСБ, а также достаточно большого числа собственных разработок автора, позволяющих улучшить характеристики ГИС и РЭА на их основе; 2) создание иерархической системы новых отдельных конструкторско - технологических направлений (концепций, т.е. систем взглядов) развития ГИС СВЧ - диапазона и на её основе формулировки новых представлений и понятий (теоретических основ) процесса развития ГИС СВЧ диапазона. Исходя из сформулированных целей, в работе поставлены и решены следующие задачи:
- анализ имеющихся технических решений и формирование основных конструкторско - технологических направлений развития СВЧ ГИС;
- синтез новых технических решений и формирование на их основе новых направлений развития;
- моделирование и исследование электрофизических и тепловых характеристик, разрабатываемых конструкций ГИС и МСБ СВЧ - диапазона;
- классификация направлений развития по уровням сложности конструктор-ско - технологических решений ГИС СВЧ - диапазона;
- разработка иерархической системы направлений развития техники СВЧ ГИС;
- разработка концептуальных основ теории развития техники ГИС СВЧ -диапазона;
-внедрение полученных результатов в серийное производство РЭА.
Предметом исследования являются процессы эволюционного и циклического развития техники ГИС и их влияние на эволюцию компоновочных структур РЭА. Рассматривается перспективность направлений, определяемая применением новых материалов, новых технологических и конструкторских решений. Исследуется тенденция экономии массы и геометрического и временного пространства, занимаемого РЭА на основе ГИС, и её соответствие основному направлению развития электроники - К ММ. Формулируется философская составляющая процесса развития ГИС на базе разработанных концепций.
Методологической и теоретической основой исследований являются научные труды отечественных и зарубежных авторов в области микроэлектроники, радиоэлектроники, материаловедения, технологии, математики и т.д.
При выполнении работы использовались такие методы исследования как: методы системного анализа и исследования операций, метод сравнений и аналогий, метод обобщений, метод натурного моделирования, метод экспериментальных оценок и др.
Научная новизна исследования подтверждается тем, что в диссертации впервые получены следующие результаты:
1 .Проведен анализ мирового опыта развития конструкции и технологии ГИС СВЧ - диапазона и выявлены недостатки отдельных технических решений и
5
развития всего направления в целом, а также не развитость или отсутствие теоретических основ такого развития. В связи с этим, в диссертационной работе ставится новая научная проблема устранения этих недостатков.
2.Проведено исследование свойств слоистой структуры металлизации МПП ГИС СВЧ - диапазона в зависимости от используемых материалов, толщин слоев и способа нанесения, в том числе опробована структура с алмазопо-добной пленкой (АПТТ) в качестве антикоррозионной защиты. Разработан, опробован, запатентован и рекомендован для внедрения технологический маршрут изготовления МПП с АПГ1. Сформулирована научная концепция взаимосвязи структуры металлизации МПП, её конструкции и технологии изготовления с применяемыми при сборке ГИС материалами и температурными режимами.
3.Существенно расширены возможности выбора решений специалистами при проектировании составных частей РЭА за счет разработки целого ряда (более 60) новых конструкций ГИС и методов их изготовления, отличающихся улучшенными электрическими, тепловыми и массогабаритными характеристиками, а также более высокой надёжностью и меньшей трудоемкостью изготовления, защищенных авторскими свидетельствами и патентами. 4,Осуществлен анализ и проведена классификация известных технических решений СВЧ ГИС, и сформированы основные конструкторско-технологи-ческие направления развития техники ГИС СВЧ - диапазона.
5.Проведено формирование новых научных концепций соответствующих отдельным направлениям развития техники ГИС СВЧ - диапазона, которые являются теоретической основой для построения общей теории развития. б.Обоснован новый принцип сложения мощности кристаллов полупроводниковых приборов в усилителях мощности СВЧ - диапазона, путем реализации двух кристального составного ПТШ и экспериментального опробования его применения в ГИС усилителя. Сформулирована соответствующая новая научная концепция сложения мощности ПТШ.
7.Расчетно - аналитическим и экспериментальным методами доказана возможность эффективного отвода тепла от двух кристального составного ПТШ в СВЧ ГИС при использовании кристаллов различной мощности и применения, как дифференциальной, так и интегральной конструкции дополнительного теплоотвода.
8.Разработаны методики расчёта геометрии дополнительных теплоотводов от кристаллов тепловыделяющих компонентов.
9,Осуществлено ранжирование и его научное обоснование отдельных кон-структорско-технологических направлений развития техники ГИС СВЧ -диапазона по уровням сложности и значимости.
¡О.Проведено прогнозирование пути дальнейшего развития соответствующего реализации новых перспективных направлений развития, таких как разработка и применение полупроводниковых приборов на основе широкозонных полупроводниковых материалов, нанотехнологии и др.
11.Выявлен сложный путь эволюционного и одновременно циклического развития общего процесса развития техники ГИС СВЧ - диапазона.
12. Прослежено соответствие сформированного направления экономии массы, геометрического и временного пространства СВЧ ГИС, как составной части РЭА, и соответствующей этому направлению концепции, основному генеральному направлению развития радиоэлектроники - КММ.
13. На основе проведённого анализа пути развития техники СВЧ ГИС осуществлено прогнозирование дальнейшего развития данного направления в сторону конкретных направлений, которые, хотя уже обозначены, но не получили достаточного развития к настоящему времени.
14. Разработана иерархическая многоуровневая система основных конструк-торско — технологических направлений развития техники ГИС СВЧ - диапазона.
Практическая значимость исследования состоит в том, что значительная
часть полученных научных результатов и технических решений внедрена в
серийное производство твердотельных транзисторных модулей в ФГУП
7
«нпп «исток», составляет основу базовых конструкций и технологий изготовления ГИС СВЧ - диапазона и модулей и блоков на их основе. Многолетний опыт серийного производства ИЭТ с использованием внедренных технических решений подтвердил их высокую надежность и улучшенные характеристики и позволил рекомендовать их для широкого использования на отечественных предприятиях отрасли. Другая часть научных и практических результатов рекомендована стандартами предприятия для широкого применения в новых разработках ИЭТ на базе ГИС. Часть технических решений находится в стадии опробования и внедрения в серийное производство.
Апробация результатов исследования осуществлена практической проверкой основных положений и результатов диссертационной работы докладами и обсуждениями: на научно - техническом семинаре НПО «Исток» (1990г.); на 5 -ой Всесоюзной школе - семинаре «Математическое моделирование САПР и конструкторско - технологическое проектирование объемных интегральных схем (ОИС) СВЧ и КВЧ диапазонов», г. Тула (1990г.); на Всесоюзном научно - техническом семинаре «Применение лазерных технологий в машиностроении и приборостроении», НПО «Корпус» г. Красногорск (Москва) (1991г.); на 6 -ой Межгосударственной школе - семинаре «Техника, теория, математическое моделирование и САПР систем сверхбыстрой обработки информации на объёмных интегральных схемах (ОИС) СВЧ и КВЧ», г. Москва (1992г.); на 3 — ей Крымской межд\^народной конференции «СВЧ техника и спутниковый приём», г. Севастополь (1993г.); на 4 -ой Крымской международной конференции «СВЧ техника и спутниковый приём», г. Севастополь (1994г.); на секции Межотраслевого экспертного совета по содействию внедрению научно -технических достижений, ВНИИМИ г.Москва(22.09.1994г.); на!-ой Международной научно-технической конференции "Физика и технические приложения волновых процессов" 10-16 сентября 2001 г., г.Самара; на 11-ой Международной конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", 10-14 сентября 2001 г.,
"Крымико 2001" г. Севастополь; на 4 -ой Международной конференции
8
"Циклы" (г. Ставрополь, октябрь 2002 г.); на 13-ой Международной Крымской конференции "СВЧ - техника и телекоммуникцонные технологии" "Крымико 2003", 8-12 сентября, г. Севастополь; на Международной научно - практической конференции "1п1егта1ю-2004" /'Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения", 7-10 сентября 2004 г. МИ-РЭА, г. Москва; на Международной научной конференции "Пленки-2004", "Тонкие пленки и наноструктуры", 7-10 сентября 2004 г. МИРЭА, г. Москва; на Межрегиональном семинаре "Современное приборостроение: новые разработки, организационные и технологические вопросы", ЦНТИ "Прогресс", г. Санкт - Петербург 2004 г.; на VII Международной конференции «Циклы», Северо-Кавказский государственный технический университет. Ставрополь, 2005г.; на Международной научно-технической школы - конференции «Молодые учёные -2005» «Молодые ученые - науке, технологиям и профессиональному образованию в электронике», 26-30 сентября 2005г., г., Москва, МИРЭА, 2005г.; на 4-ой Международной научно-технической конференции «Физика и техническое приложение волновых процессов», 3-9 октября 2005 года, г. Нижний Новгород; на Международной научно - технической конференции 11МТЕ1ШАТ1С-2005 "Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения",25-28 октября 2005г., МИРЭА, г. Москва; на 19-ой Международной Крымской конференции "Крымико 2009" "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", 14-18 сентября 2009г. Севастополь, Украина; на Международной научно - технической конференции 1ШЕГ1МАТ1С-2011 "Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения",?-15 ноября 2011г., МИРЭА, г. Москва, и т.д.
Полученные в работе научные результаты широко используются диссертантом при чтении лекций на курсах повышения квалификации специалистов отрасли в ЦНТИ «Прогресс» г. Санкт - Петербург, на курсах повышения квалификации специалистов ФГУП «НПП « Исток» и внедрены в учебный процесс филиала МИРЭА г. Фрязино Московской области.
Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 121 работах (из них одна монография, 12 статей, в изданиях рекомендованных перечнем ВАК, 67 авторских свидетельств и патентов ,41 статья в материалах международных конференций), в том числе 35 написанных автором единолично.
Положения, выносимые на защиту: 1 .Унификация и стандартизация типоразмеров МПП ГИС СВЧ, разработанных схем размещения их на подложке, разработанной и оптимизированной технологии массового производства МПП, обеспечивает снижение трудоёмкости изготовления, расхода материалов и инструмента, за счёт группового их изготовления на подложках единого размера, максимально выпускаемого отечественной промышленностью, использованием центральной части подложки для группового компактного расположения топологии МПП на определённом оптимальном расстоянии друг от друга, используемого в качестве зоны реза, и периферийной части подложки для расположения элементов совмещения и контактной площадки соединенной с размещаемой в зонах реза сетки металлизациониых линий, обозначающих рез, сечение которых обеспечивает выравнивание толщины гальванически осаждаемых слоёв металлов на проводники топологии.
2.Снижение потерь мощности проходящего сигнала в ГИС СВЧ достигается последовательным изготовлением структуры металлизации МПП: напылением меди толщиной несколько микрс-н с адгезионным подслоем, формированием топологического рисунка, защитой его проводников алмазоподобной плёнкой углерода толщиной несколько сот ангстрем, локальным гальваническим осаждением на контактные площадки и экранную заземляющую металлизацию через маску из плёнки углерода барьерного слоя никеля и антикоррозионного слоя золота.
3.Снижение паразитной индуктивности к повышение надёжности конденсаторов в ГИС СВЧ достигается изготовлением их верхней обкладки в составе металлизации на лицевой стороне подложки МПП и использованием в каче-
стве диэлектрика конденсаторов: а) мембраны из материала подложки, а нижней обкладки в виде фрагмента экранной заземляющей металлизации на обратной стороне подложки; б) или, плёнки диэлектрика нанесённой на нижнюю обкладку, выполненную в виде металлической вставки в подложку, что позволяет увеличить ёмкость конденсаторов.
4.Увеличение коэффициента усиления и расширение частотного диапазона за счёт снижения паразитной индуктивности в ГИС СВЧ достигается заменой проволочных внутрисхемных соединений на плоские, изготавливаемые из гальванически осаждённого золота толщиной несколько микрон, с наличием в их составе клиновидных участков с оптимальным отношением размера узкой части вывода к широкой, а максимальный эффект получается от замены выводов активных компонентов.
5.Улучшение теплового режима работы ГИС СВЧ достигается формированием в подложке МГГП индивидуальных систем теплоотвода от тепловыделяющих:
- элемента, в виде теплоотводящей вставки в подложку под ним;
- компонента, в виде углубления в лицевой стороне подложки с системой отверстий в дне, заполненных металлом, с оптимальным соотношением площади отверстий и площади дна;
- а также на их основе сложных комбинированных систем теплоотвода, с оптимальными геометрическими размерами, а именно расстоянием между компонентами, исключающим их взаимное тепловое влияние, и соотношением геометрических размеров ширины канала с жидким теплоносителем и размером тепловыделяющих компонентов.
6. Уменьшение объёма и массы усилителя мощности достигается (применением нового конструктивного принципа суммирования мощности транзисторов в ГИС) за счёт:
-параллельного соединения кристаллов ПТШ через балочные выводы (составной двухкристальный ПТШ);
-эффективного отвода тепла от кристаллов через дополнительный теплоот-вод с минимизацией разницы температуры нагрева кристаллов в составных ПТШ;
- исключения взаимного теплового влияния составных ПТШ оптимизацией расстояния между ними и применением интегрального теплоотвода.
Структура и объём работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения и приложения. Она выполнена на 436 страницах, из них: 238 страниц печатного текста, 174 рисунка, 31 таблица и списка литературы на 413 наименований.
2. ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ Во введении обоснована актуальность темы исследования, сформулированы проблемы, цели и задачи, приведены методы исследования, обозначены научная новизна н практическая значимость основных научных результатов. Приведены основные положения и результаты, выносимые на защит}'. В первой главе приводятся сведения определяющие уровень развития техники ГИС СВЧ - диапазона на период начала работы, который относится к началу 80-х годов. Кроме того приводятся сведения об уровне техники составных частей гас, таких, как МПП, комплектующие компоненты (транзисторы, конденсаторы и т.д.). Приводятся сведения о применяемых компоновочных структурах микроэлектронной аппаратуры (МЭА), проводится анализ существующих на то время конструкторско-технологических решений, даётся анализ их недостатков и перспективе! дальнейшего использования. Это необходимо для определения первоначального (нулевого) уровня с которого начата данная работа, обеспечения возможности сравнения с последующими разработками и определения их эффективности. Анализируется влияние конструктивного исполнения ГИС на параметры СВЧ - устройств. В том числе, проводится анализ производства МПП, структуры металлизации проводников, процессов сборки и перспектив их совершенствования, В результате проделанной работы установлено, что основными тенденциями при
построении РЭА являются: все более широкое использование в качестве элементной базы ГИС и выполнение этих устройств в виде МСБ. Именно в ГИС и МСБ СВЧ - диапазона наилучшим образом удается реализовать преимущества современной технологии, новые конструкторско - технологические решения, обеспечивающие высокие надежность и массогабаритные показатели этих устройств.
Анализ конструкций СВЧ — устройств показывает, что основными проблемами в их построении являются: необходимость уменьшения паразитных связей, обеспечение теплоотвода и снижение массогабаритных показателей. Решение этих вопросов в большей мере зависит от конструкции используемых в составе этих устройств компонентов и конструкторского подхода к размещению компонентов на плате.
Основными причинами производственных потерь, обусловленных неудовлетворительными электрическими параметрами изготавливаемых СВЧ ГИС и МСБ, являются: недостаточно высокие и стабильные параметры используемых кристаллов полупроводниковых приборов (ПП), технологии изготовления Mill 1, а также недостаточно отработанная технология сборки и монтажа компонентов. При установке компонентов в отверстия плат необходим поиск оптимальных конструкторско-технологических решений с детальной проработкой наиболее проблематичных технологических процессов, таких как: изготовление МПП, формирование металлизации, формирование углублений и др., которых не было на момент начала работы. Появление отдельных интересных технических решений не означает формирование какого либо направления. Поэтому требуется серьёзная проработка, проведение объёмных исследований и формирование таких направлений, а затем их системы. Установлено что, конструкторско-технологические аспекты создания МПП и сборки ГИС СВЧ с использованием бесфлюсовой сборки, обеспечивающие воспроизводимость параметров, высокий процент выхода годных изделий и их надежность изучены недостаточно и требуют серьезного иссле-
доваиия. На основании этого, формулируются задачи, которые планируется решить в данной работе.
Вторая глава посвящена формированию первого уровня направлений развития ГИС СВЧ - диапазона. В ней определено что, для достижения поставленной цели улучшения характеристик устройств необходимо совершенствование базовой конструкции ГИС, предполагающей расположение корпусированных дискретных навесных компонентов на поверхности ШТП и принятой за нулевой уровень развития, т.е., за своеобразную точку для отсчёта и сравнения всех последующих вариантов. Кроме того, выявлены основные направления развития техники ГИС СВЧ, отличающиеся относительно простыми изменениями конструкции, ко вполне достаточной эффективностью для достижения поставленной цели улучшения характеристик. Одновременно с формированием направлений развития сформулированы соответствующие концепции развития.
Очевидно, что к ним следует отнести, прежде всего, направление совершенствования конструкции и технологии изготовления МПП (разработку групповой технологии изготовления МПП, определение типоразмеров МПТТ, направление оптимизации структуры и технологии изготовления проводников МПП ГИС СВЧ - диапазона) и их стандартизацию. Это обусловлено, резким увеличением потребности в СВЧ изделиях и ужесточением требований по термостойкости металлизации МПП связанное с переходом на использование бескорпусных компонентов. Без реализации этих направлений невозможно было приступить к серийному производству ГИС и МСБ.
Основополагающим для организации серийного производства МПП явился переход на групповую технологию изготовления, на максимальном размере выпускаемых подложек (48x60мм). Для этого потребовалось проведение технологической работы доказавшей возможность получения необходимой точности элементов топологии МПП на всей площади подложек размером 48x60мм и существенного сокращения трудоёмкости, расхода материалов и инструмента. Вторым шагом в этом направлении явились унифика-
14
ция и стандартизация типоразмеров МГТП. Применение подложек различного размера влекло необходимость применение оснастки и инструмента для каждого размера подложек. Таким образом, первым шагом стандартизации явился переход на единый, максимально выпускаемый промышленностью, размер поликоровых (корундовый материал марки ВК- 100 -1) подложек Ще.781.000 ТУ или Ще.781.001 ТУ - 48x60мм. Установлено, что рекомен-
г 60 48
дуемые размеры плат должны выбираться из ряда —л —, где т -
т п
1,2,4,6,8,12; п - 1,2,4,6,8,12. Рекомендуемые размеры плат представлены в таблице 1.
Таблица!.
60 т 48 п
П=1 п=2 п=4 п=6 п=8 п=12
гп=1 60 48 24 - - - -
ш=2 30 48 24 12 8 - -
т=4 15 48 24 12 8 6 4
ш=6 10 24 12 8 6 4
т=8 7,5 24 12 8 6 4
т=12 5 12 8 6 4
На РисЛ представлен пример схемы размещения топологий МГП1 (карты раскроя). Такие схемы разработаны для всех типоразмеров плат и рекомендованы стандартом предприятия СТП TC0.0i0.013 «Требования к конструированию микрополосковых плат». Это повлекло за собой разработку унифицированных схем расположения плат на подложке, а значит и их топологии на фотошаблоне. Стандартизация типоразмеров МПП и групповой технологии их изготовления и внедрение результатов работы позволило получить значительный экономический эффект за счет снижения трудоемкости, экономии материалов и инструмента..
На основании результатов полученных в данном разделе диссертации сформулировано первое положение, выносимое на защиту.
Направления первого уровня имеют решающее значение, так как, именно они явились основой для дальнейшего интенсивного развития техники ГИС СВЧ. Каждое из направлений первого уровня, преследуя определённую цель, использует определённый принцип совершенствования. Толчком для появле-
¡6
ния нового направления является стремление улучшения имеющегося варианта ГИС, за счёт применения нового принципа конструирования, использования новой технологии изготовления, использования новых материалов.
Применение корпусированных дискретных полупроводниковых приборов не могло обеспечить требуемые электрические и массогабаритные характеристики ГИС из- за высоких паразитной индуктивности, массы и габаритов корпусов. В связи с этим, зарубежные и отечественные разработчики переходят на применение в ГИС в качестве компонентов бескорпусных полупроводниковых приборов. Для такого перехода необходимо было разработать структуру проводников Ml 111 с повышенной термостабильностью, так как температура сборки ГИС с бескорпусными ПГТП достигает 420°С. Кроме того, необходимо получение низких потерь при прохождении сигнала по проводникам платы. В связи с этим внимание привлекает направление применения новых материалов, не применяемых ранее, в частности алмазопо-добных плёнок (АПП) углерода. Это направление продолжило первый уровень системы направлений развития ГИС. Анализ известных структур тонкоплёночных проводников топологии МПП показывает, что при изготовлении проводников используются технологические процессы напыления металлических слоёв и их гальванического наращивания. Однако гальванически осаждаемые слои металла обладают большей напряженностью, меньшей упорядоченностью кристаллического строения, большей загрязнённостью примесями, чем напылённые слои металла, и в связи с этим меньшей проводимостью и приводят к большим потерям в проводниках.
Для выяснения возможности уменьшения потерь в проводниках плат, в начале 90-х годов проведена НИР «Осень», в которой диссертанту довелось быть ответственным исполнителем. В ней исследована возможность изготовления полосковых фильтров на кварцевых подложках с уменьшенными потерями. В них для изготовления структуры проводников использовалось напыление меди толщиной 5-бмкм с подслоем хрома, а в качестве антикоррозионной защиты слой АПП углерода. В тоже время, для изготовления контактных
17
площадок и экрана использовалось гальваническое покрытие никелем и золотом Змкм. В результате проведённых исследований достигнуто снижения потерь (Рис.3), Работы были внедрены в производство ряда изделий , выпускаемых ФГУП «НТТП «Исток».
4 , 2
2 4
Рис.2. Плата шестирезонаторного МПЛ - фильтра: 1 - подложка кварцевая;2 - топологический рисунок платы;3 - экранная заземляющая » таллизация;4 - контактные площадки
о.зг 0.96
-о,зб 1,0 1,04
Рис.3. АЧХ шестирезонаторного МПЛ - фильтра на параллельно связанных полуволновых резонаторах на номинальную частоту ! 0.5 ГГц:
новая трёхслойная структура проводников (с АГТГТ); традиционная пятислойная структура проводников. В начале 2000-х годов работа была продолжена на схемах магнитных мик-рополосковых вентилей для изделия «Отвага» (НПК-7) (Рис.4,5) . На изготовленных вентилях со структурой Сг-Си-АПП получено снижение потерь примерно на] 5-20%. Результаты измерения потерь представлены на (Рис. 6).
Их анализ показывает также возможность снижения потерь в МПЛ с АГТП по отношению к МПЛ с другими структурами металлизации.
I V !
| шшшЙшшя |
........."6........4................У............
Рис.4 Плата ГИС СВЧ - вентиля: 1 - ферриггранаговая подложка; 2 - топологический рисунок металлизации; 3 - плёночный резистор; 4 - контактные площадки; 5 - область
покрытая АПП углерода.
Рис.5 Структура МТТЛ. контактных площадок и экранной заземляющей металлизации новой конструкции МПП ГИС СВЧ - диапазона
Параметры исследуемых образцов МПЛ на яоликоровых подложках. Таблица 2
Номер образ- Структура металлизации а, дБ/м, при Г = 8 ГГц ¡1, мм
1 Сг(100 Ом/мм2) + Си(1 мкм)* + +Си(3 мкм)** + N¡(0,6 мкм)** + +Аи(3 мкм)** -7,2936 0,498 9,6
2 Сг(100 Ом/мм2)+ Си(1 мкм)* + +Си(3 мкм)** + N¡(0,6 мкм)** + +Аи(3 мкм)** -7,5568 0,48 9,7
3 Т|(100 Ом/мм2) + Рс1(0,2 мкм)4 + +Аи(3 мкм)** -8,2546 0,47 9,5
4 Сг(100 Ом/мм2)+Си(6 мкм)* + +N¡(0,6 мкм)** + Аи(3 мкм)** -6,8905 0,49 9,7
5 Сг(100 Ом/мм2)+Сн(6 мкм)* + +N¡(0,6 мкм)** + Аи(3 мкм)** -7,1740 0,48 9,6
6 Сг(100 Ом/мм2)+Си(6 мкм)*+АПП -7,2936 0,48 9,6
7 Сг(100 Ом/мм2)+Си(3 мкм)* + +N¡(0,6 мкм)** + Аи(2 мкм)** -8,1849 0,48 9,6
8 Сг(100 Ом/мм2)+Си(6 мкм)* + +N¡(0,6 мкм)** + Аи(2 мкм)** -7,6853 0,48 9,7
9 Т!(Ю0 Ом/мм2) + N¡(0,6 мкм)* + +Аи(2 мкм)** -9,0661 0,48 9,7
10 Сг(300 Ом'мм2)+Сн{6 мкм)* + + АПП { 1 = 500 А) -7,1089 0,48 9,7
И Сг(100 Ом/мм2)+Си(6 мкм)* + + АПП (4 = 50« А) -6,9054 0,48 9,7
12 Сг(100 Ом/мм2)+Си(6 мкм)* + + АПП (1 = 500 А) -6,9515 0,48 9,7
* напыленный металл ** гальванический металл
Дальнейшие исследования проводились на поликоровых подложках, на которых изготавливались МИЛ с различной структурой длиной 48м. В таблице 2 приведены свойства проводников, получаемых различными технологическими методами и используемых при изготовлении МТТЛ ГИС СВЧ в различных сочетаниях.
Г, ГГц
Рис.6 Потери в 50-
омных мшфополосковых линиях на подложке из полвкора Ь=0,5мм: расчетные зависимости 1а и За (для структур № ! и № 3 в табл. 2)
Анализ полученных результатов показал малые потери в проводниках со структурой МПЛ, представленной на Рис.5. Полученные результаты позволили сформулировать 2-е положение, выносимое на защиту.
Следующим направлением первого уровня, которое необходимо было разработать для успешного развития техники ГИС СВЧ, явилась изготовление конденсаторов в составе МПП. Для этого понадобилась разработка процесса углетермического травления поликоровых подложек. Конструкция таких конденсаторов представлена на Рис.7
Рис. 7 Конструкция блокировочного конденсатора в составе МПП ГИС СВЧ: ¡-диэлектрическая подложка, 2-топологический рисунок металлизации; 3-экранная заземляющая металлизация; 4-верхнаяя обкладка конденсатора в составе топологического рисунка металлизации; 5-диэлектрик конденсатора; 6-углубление в обратной стороне диэлектрической подложки; 7-металлизация углубления - нижняя обкладка конденсатора в составе экранной заземляющей метализации: 8- связующее вещества: 9- металлическое основание: 10-подстроеяные элементы
Рис.8 Конструкция разделительного конденсатора в составе МПП ГИС СВЧ [164], где: 1-диэлектрическая подложка; 2- топологический рисунок; 3-экранная заземляющая металлизация: 4-металлизированное отверстие; 5-верхняя обкладка конденсатора; 6- ди-эяектик конденсатора; 7- углубление в обратной стороне диэлектрической подложки; 8-нижняя обкладка конденсатора; 9-связуюгцее вещество (припой); 10- металлическое основание: 11 - подстроенные элементы.
В такой конструкции в качестве диэлектрика используется мембрана,
полученная из материала подложки, путем локального ее вытравливания,
верхняя обкладка находится в составе топологического рисунка металлизации, а нижняя в составе экранной заземляющей металлизации. Такие конденсаторы позволяют сократить число сварных и паяных соединений, тем самым повысить надежность. Удаление проволочных соединений позволяет снизить паразитную индуктивность и емкость схемы. Недостатком данной конструкции является невозможность получение конденсаторов с большой емкостью. Этот недостаток может быть устранен переходом к следующей конструкции конденсаторов на металлических вставках (Рис.9, ¡0).
Рис. 9 Конструкция блокировочного конденсатора в составе МПП ГИС СВЧ с использованием металлической вставки. 1-диэлектриическая подложка; 2- топологический рисунок металлизации; 3- экранная заземляющая металлизация; 4- отверстие в диэлектрической подложке: 5- верхняя обкладка конденсатора; 6- металлическая вставка - нижняя обкладка конденсатора: 7- верхняя обкладка конденсатора в составе топологического рисунка металлизации; 8- припой; 9- металлическое основание; 10- связующее вещество (стекло, клей, припой)
Ркс. 10. Конструкция разделительного конденсатора в составе МПП ГИС СВЧ с использованием металлической вставки в углублении, выполненном з поликоровой подложке; 1- диэлектрическая подложка;2- топологический рисунок металлизации; 3- экранная заземляющая металлизация^- верхняя обкладка конденсатора в составе топологического рисунка металлизации;5- углубление в диэлектрической подложке: б- диэлектрик конденсатора;7- металлическая вставка: 8-связующее вещество (стекло, клей, припой);9- контакт к металлической вставке; 10- пленочный проводник; 11- связующее вещество (припой); 12- металлическое основание.
Здесь в качестве нижней обкладки конденсатора используется металлическая вставка из металла с близким КЛТР к КЛТР поликора. В качестве диэлектрика используется тонкая диэлектрическая пленка, а верхняя обкладка конденсатора находится в составе топологического рисунка металлизации платы. На основании полученных результатов может быть сформулирована соответствующая концепция, направление и третье научное положение, выносимое на защиту.
Следующим направлением, входящим в первый уровень направлений развития ГИС СВЧ, является применение плоских балочных выводов из гальванически осаждаемого золота толщиной 8мкм, взамен проволочных внутрисхемных соединительных проводников, с целью улучшения электрических характеристик схем. Исследования проводились на ГИС балансного усилителя, топология которого, представлена на Рис.11.
Рис. 11 Топология_балансного усилителя СВЧ.
Схема усилителя содержит мосты Ланге, транзисторы, элементы согласования транзисторов, фильтры цепей питания, а также большое количество внутрисхемных соединений, паразитная индуктивность которых ухудшает электрические характеристики схемы. Снижение паразитной индуктивности возможно применением плоские внутрисхемные соединения. С помощью методов компьютерного моделирования были рассчитаны характеристики усилителя с проволочными соединениями, а затем, они последовательно заменялись на плоские (балочные) и рассчитывались характеристики такой схемы.
тП грж
Результаты исследования представлены на Рис.! 2,
Рис.12. Расчетные частотные зависимости коэффициента усиления трех вариантов усилителя: на графиках (рис. 12). символами-Л- отмечена кривая, соответствующая усилителю с проволочными соединениями, символами- □- отмечена кривая, соответствующая усилителю, в котором затворы и стоки транзисторов подключены посредством балочных выводов, символами- х-отмечена кривая, соответствующая усилителю, в котором все выводы транзисторов подключены посредством балочных выводов.
Применение плоских балочных выводов позволяет повысить коэффициент усиления, в особенности при замене выводов истоков транзисторов и добиться расширения рабочей полосы частот.
Рис. 13. Рост коэффициента усиления балансного усилителя при замене проволочных выводов на балочные конструкции. На графиках рис. ¡3 символами- А- отмечена кривая, показывающая увеличение коэффициента усиления в случае замены проволочных выводов затворов и стоков транзисторов на балочные конструкции. Символами -□- отмечена кривая, показывающая рост коэффициента усиления в случае замены проволочных выводов затворов, стоков и истоков транзисторов на балочные выводы.
На верхнем крае рабочей полосы частот коэффициент усиления увеличился белее, чем на 20%,
Замена проволок на плоские соединения уменьшает величину потерь мощности в одном из плеч моста Ланге и делает деление мощности более равномерным. Частотные зависимости коэффициента усиления усилителя с двумя типами связей в мостах Ланге представлены на следующем графике.
Рис.14 Расчетные частотные зависимости коэффициента усиления двух вариантов
усилителя.
На графиках рис.14 символами А отмечена кривая, соответствующая усилителю с обычными мостами Ланге, символами □ отмечена кривая, соответствующая усилителю, в мостах Ланге которого применены воздушные мосты. Из рис. 14 видно, что использование воздушных мостов для соединения плеч моста Ланге даёт заметный выигрыш по расширению рабочей полосы. Для количественной оценки этого выигрыша был проведён расчёт увеличения коэффициента усиления в процентах (Рис. 15).
Рис. 15 Рост коэффициента усиления балансного усилителя при замене проволочных соединений в мостах Ланге на воздушные мосты.
Из рис. 15 видно, что использование воздушных мостов в мостах Ланге
дает выигрыш в коэффициенте усиления балансного усилителя ещё на 2%, причем с увеличением частоты эта добавка возрастает. Это дает возможность существенно (на700МГц) расширить рабочую полосу частот усилителя.
Анализ полученных результатов показывает, что замена проволочных внутрисхемных соединений во всех участках схемы усилителя позволяет повысить коэффициент усиления и расширить рабочую полосу частот, за счет уменьшения паразитных параметров индуктивности и емкости соединений, причем в значительно большей степени эффект достигается при замене соединений активных компонентов схемы.
12
15
'6
17
Плоские внутрисхемные соединения представляют собой микрополос-ковую линию, расположенную на воздушной подложке с металлическим экраном снизу. Такое представление позволяет провести компьютерное моделирование балочных выводов и оценить величину паразитных параметров, вносимых ими в схему. На рис.16 представлена упрощенная П-образная эквивалентная схема балочного вывода. В состав которой, входит паразитная индуктивность и емкость, оптимизация которых, позволит получить максимальные улучшения электрических характеристик схемы.
При проектировании схемы, содержащей балочные выводы, такая эквивалентная схема позволяет учесть паразитные индуктивность и ёмкость, вносимую этими выводами. Расчёты показали, что можно найти значения
параметров индуктивности и ёмкости эквивалентной схемы, при которых 8-
параметры П-образной эквивалентной схемы в диапазоне часто 2ГГц - 18ГГц
практически совпадают с Б-параметрами, рассчитанными по программе двумерного электромагнитного моделирования. Отсюда следует вывод, что упрощённая эквивалентная схема вполне пригодна для моделирования плоских балочных выводов. Для инженерных оценок значений индуктивности и ёмкости упрощённой схемы важно знать зависимости этих параметров от физических размеров балочнь/х выводов. На рис.! 7 представлены, различны
Рис. 18 Топологический рисунок прямоугольного и клиновидного балочных выводов. 1)- прямоугольный балочный вывод; 2)- клиновидный балочный вывод.
Рис.16 Упрощенная П-образная эквивалентная схема балочного вывода.
конструкции.
I I -«г: Г
I
Проводилось двумерное электромагнитное моделирование микропо-лосковой линии с переменной шириной, расположенной в воздухе. Ширина узкого конца клиновидного балочного вывода- Шн оставалась постоянной, разной 50мкм (соответствовала размеру контактной площадке транзистора), а ширина широкого конца вывода\\'к варьировалась отЮОмкм до ЗООмкм с шагом 50мкм. Длина 1 изменялась от ЮОмкм до 700мкм с шагом 50мкм. Расстояние от балочного вывода до заземляющей плоскости равнялось 0,25мкм. В результате проведённых расчётов установлено, что при увеличении расширения (ширины широкого конца -ХУк) клиновидной части балочного вывода уменьшается его индуктивность, а ёмкость увеличивается. Таким образом, целесообразно найти некоторое оптимальное соотношение изменения величины индуктивности к изменению величины ёмкости от ширины широкой части клиновидного балочного вывода. На Рис. 18 представлены результаты такого исследования зависимость отношения АЬ,% / ДС,% от ширины широкого конца клиновидного балочного вывода показана. Анализ полученных результатов показывает, что оптимальное соотношение узкого и широкого концов выводов достигается при соотношении 1:2, сравнение выводов с прямоугольной конфигурации по отношению к выводам клиновидной конфигурации позволяет сделать вывод о меньших паразитных параметрах выводов клиновидной формы.
Рис. 18 Зависимость отношения ДЬ,% / ДС,% от ширины широкого конца клиновидного балочного вывода, где:
- - \Ун = 0.05мм, 1 = 0.5мм
--- -\Ун = 0.05мм, 1=1мм
---- -\¥н = 0.1мм, 1 = 0.5мм
Поскольку основным параметром при использовании транзистора в ГИС СВЧ -- диапазона является коэффициент усиления, то целесообразно оценить влияние клиновидное™ выводов на этот параметр. Результаты расчётов представлены на рис.] 9.
Э 9.5 10 10.5 ¡1 11.5 12 12.5 13 13.5 14 14.5 15 ^ Частоте, гп ] ;;
Рис. 19 Зависимость коэффициента усиления транзистора с балочными выводами от частоты для случаев, где у транзистора: □ - прямоугольные балочные выводы; Д - клиновидные балочные выводы.
Анализ результатов исследования показывает преимущество характеристик транзистора с балочными выводами клиновидной формы, позволяет увеличить в верхней части рабочего диапазона( 14ГГц) коэффициент усиления на 20% и расшить частотный диапазон на 3,9%. В это же время на нижнем участке диапазона рабочих частот (на ЮГГц) коэффициент усиления уменьшился на 5,1%. Это - незначительная плата за расширение рабочей полосы частот в верхней части диапазона рабочих частот, поскольку обычно на нижнем участке диапазона рабочих частот наблюдается избыточное усиление. На основании полученных результатов сформулированы соответствующая концепция, направление развития и четвёртого положения, выносимого на защиту.
Рис.20. Фрагмент ГИС балансного каскада усиления с группой кристаллов, соединённых балочными выводами.
В настоящее время клиновидные балочные выводы широко используются в ГИС. усилителей мощности, балансных каскадах усиления приёмопередающих модулей и т.д., как во ФГУП «НЛП « Исток» (не менее чем на 20 изделиях), так и на других предприятиях. На основании полученных результатов сформулированы соответствующая концепция, направление развития и четвёртое положение, выносимое на защиту.
Следующим направлением первого уровня является направление формирования встроенных в подложку индивидуальных систем теплоотвода от тепловыделяющих компонентов и элементов ГИС. Тепловыделяющими элементами в ГИС являются резисторы, а компонентами - активные пох1упро-водниковые приборы.
М-.ф.-Й А
■ < •■ 'Л ш /У/ 4.' s 4..4
'Ж/У///,, ^ / •>/////
Рис.21. Осесимметричная модель фрагмента ГИС, где: 1 - круговой источник тепла; 2 - диэлектрическая плата (подложка); 3- теплоотво-дящий металлический выступ; 4 - металлическое основание ГИС.
Тепловой режим резистора в данном случае определяется тепловым
сопротивлением фрагмента ГИС. С целью упрощения процедуры решения трёхмерной задачи теплопроводности анализ выполнен для осесимметричной модели фрагмента ГИС, содержащий круговой источник тепла и цилиндрический теплоотводящий выступ (TOB). В качестве меры оценки эффективности TOB выбрана величина K=R/R0, где R и R0 соответственно тепловое сопротивление фрагмента ГИС при наличии TOB и без него.
К HR.,
Рис.22. Зависимость коэффициента эффективности TOB K=R/Ro, от высоты TOB h
(а) и от отношения rB/rq (б). Анализ результатов исследования показывает, что применение TOB позволяет: -либо снижать температуру резистора при неизменной его площади, -либо уменьшать площадь резистора при неизменной его температуре.
■Sq-Sq,..
imviu
Рис.23. Зависимость массогабаритных параметров фрагмента ГИС с заданным неизменным тепловым режимом от соотношения между высотой TOB h и толщиной подложки Н при равных толщинах подложки и основания ГИС Н*; 1 - отношение площади-источника тепла Sq при наличии TOB к площади источника Sqo без TOB; 2 - отношение массы фрагмента ГИС с TOB m к массе фрагмента без TOB m0.
Анализ показал, что за счёт TOB при неизменных размерах теплона-
груженяого резистора его перегрев может быть снижен до Враз; во столько
же раз возможно уменьшение площади резистора при неизменном его теп-
ловом режиме. В последнем случае масса ГИС также уменьшается , хотя и не пропорционально площади резистора.
Рис.24. Базовая конструкция ГИС: 1 - диэлектрическая подложка; 2 - топологический рисунок платы; 3 - слой экранной заземляющей металлизации; 4 - кристалл бескорпусного полупроводникового прибора; 5 - клей; 6 - проволочные выводы; 7 - металлическое теплоотводящее основание.
12 3 < 5 6 7 В
Рис.25. Конструкция ГИС с кристаллом полупроводникового прибора в углублении на поверхности диэлектрической платы: 1 - диэлектрическая подложка, 2 - топологический рисунок платы; 3 - слой экранной заземляющей металлизации; 4 — кристалл бескорпусного полупроводникового прибора; 5 - клей (или припой); 6 - проволочные выводы; 7 - припой; 8 - металлическое теплоотводящее основание; 9 - углубление в диэлектрической подложке.
Рис.26. Фрагмент СВЧ — устройства с системой теплопровода, встроенной в подложку.!. Диэлектрическая подложка; 2. Пленочный проводник; 3. Экранная заземляющая металлизация, 4. Кристалл ПП; 5. Металлизированные отверстия заполненные припоем^.Соединительные проводники (выводы); 7. Связующее вещество (припой);8. Металлическое основание; 9. Металлизированное углубление; 10. Металлизация отверстий.
Проводилось исследование эффективности встроенных в подложку индивидуальных систем теплоотвода от тепловыделяющих компонентов ГИС. Результаты представлены на рис.24-26.
Рис.27. Расчетные осесимегричные модели и температурные поля фрагментов СВЧ -устройств с тепловыделяющими компонентами (кристаллами ОаАэ, 0,5x0,5x0,15мм, Ррао=1Вт), где: 1- поверхность теплоотводящего компонента (кристалла); 2- кристалл; 3-лодложка; 4- клей (или припой); 5- пьедестал; 6- изотермическое основание (Т=0); 7-изотерма; Яэ и 7, - размеры соответственно в плоскостях продольной и поперечной по отношению к основании) кристалла; Тта.х - максимальная температура
(г< . юо»4 («Ии ■ 1 (кт (И/К,) )00%
Рис.28. Зависимость относительного теплового сопротивления Ry/Ro фрагмента ГИС (МСБ)ог теплопроводности материала подложки Лп (а), относительной площади Sot/Skp отверстий в подложке (б), теплопроводности материала теплопроводящего выступа Лв (в), где: 1 - кристалл размещен на поверхности подложки; 2- углублен в положку; 2'-тоже, прикрепление с помощью припоя (Ллр=250в7(м.к)); 3- кристалл размещен на металлическом пьедестале; 4- суммарная площадь девяти отверстий диаметром 0,1 мм; Ro- тепловое сопротивление традиционного (базового) варианта; SKp-площадь основания кристалла; hOCI - остаточная толщина подложки между выступом, и кристаллом; Материал подложки: I - поликор; II - алюминий; III - окись бериллия; IV - медь.
Из полученных результатов следует, что примерно одинакового снижения теплового сопротивления можно достичь различными способами: заглублением кристалла з объём подложки(рис.а), использовании системы от-
верстий, заполненных металлом под кристаллом(рис.б) или размещением его на пьедестале(рис.в). В результате проделанной в данном разделе работы удалось сформировать ряд направлений, в том числе, технологическое направление первого уровня развития ГИС СВЧ - диапазона, обеспечивающее реапизацию всех конструкторско - технологических направлений развития ГИС СВЧ - диапазона и сформулировать соответствующие концепции.
В третьей главе представлены результаты формирования второго уровня конструкторско-технологических направлений развития техники ГИС СВЧ - диапазона. Ко второму уровню направлений развития техники ГИС СВЧ - диапазона отнесены направления, в которой используется несколько принципов совершенствования конструкции, включающие в себя два или несколько направлений первого уровня, имеющие большие конструктивно -технологические изменения, чем в направлениях первого уровня. Направления данного уровня приводят, как правило, к более глубоким изменениям и преобразованиям первоначальной классической конструкции ГИС и, как следствие, обладают большим эффектом улучшения характеристик ГИС. Так, дальнейшее улучшение теплоотвода может быть достигнуто разумным комбинированием различных способов (Рис.29).
2.Топологический рисунок металлизации. 3.Экранная заземляющая металлизация. 4.Углубление. 5.Кристалл полупроводникового прибора (транзистора).6.Система теплоотвода. 7.Контактные площадки кристалла. 8.Соединительные проводники. 9.Припой. 10.Металлическое основание (плита). 11 Радиатор. П.Канал для охлаждающей жидкости.
В результате установлено следующее: оптимальным расстоянием между транзисторами является 4-5мм; ширину канала жидкостного охлаждения
целесообразно выбирать в 2-2,5разабольше ширины кристалла. На основании
33
полученных результатов, могут быть сформулированы: соответствующая концепция, направление и 5 положение, выносимое на защиту.
Следующим направлением развития техники ГИС СВЧ - диапазона и соответствующей концепцией явилась разработка нового конструктивного принципа, сложения мощности кристаллов полупроводниковых приборов в ГИС.
><*'........../\
жз
Рис. 30. Разработанная мощная гибридная интегральная схема СВЧ диапазона (общий вид). 1-диэлектрическая подложка; 2-топологический рисунок металлизации; 3-зкранная заземляющая металлизация; 4-металлическое теплоотводящее основание: 5-отверстие в диэлектрической подложке; 6-выемка в металлическом теплоотводящем основании; 7-кристаллы транзисторов; 8-плоскис балочные выводы кристаллов транзисторов; 9-выступ на металлическом теплоотводящем основании; ! 0-монтажные площадки; 11 -металлическая хорошо электро- и теплопроводащая пластина; 12-канавка в металлической хорошо электро- и теплопроводящей пластине; 13-хорошо электро- и тештопроводящее связующее вещество.
Рис. 31. Фрагмент мотаной ГИС СВЧ без металлической хорошо электро- и тепло-проводящей пластины (I!).
Рис. 32. Металлическая хорошо электро- и теплопроводящая пластина (11) -фрагмент разработанной конструкции ГИС СВЧ.
Кристаллы ПТШ в такой конструкции электрически параллельно соединены друг с другом через плоские балочные выводы прижатые друг к другу. Теплоотвод от нижнего кристалла осуществляется через выступ металлического основания непосредственно, а от верхнего кристалла через дополни тельный теплоотвод, соединенный с выступом основания. Таким образом конструкция ГИС, представленная на Рис.30 реализуется соединением составных частей представленных на Рис.31 и 32. Результаты исследования температурных полей конструкции ГИС представлены наРис.ЗЗ.
7 У/" 7 7 7 / 1 / Р«.»
Рис. 33. Температурные поля конструкции (для варианта 11 из таблицы 2.2), полученные по трехмерной программе, где: 1-М5 — номера изотерм, соответствующие определённым температурам в диапазоне £ = 0,0 - 22,63 °С.
Анализ полученных результатов показывает, что сильнее нагревается
верхний кристалл транзистора. В связи с этим проведены исследования влияния геометрии и материала дополнительного теплоотвода на его нагрев.
Рис. 34. Все варианты геометрических размеров верхней скобы для транзистора с размером 3*1*0,1 мм с выделением мощности С) = 0,9: 2,5; 5; 7,5 и 10 Вт с поверхности 2,8*0,6 мм2.
Рис. 35. Области распределения максимальной температуры верхнего транзистора шах (для рассматриваемых геометрий хорошо теллопроводящей пластины) в зависимости от ). для различных мощностей, выделяемых на кристалле:0= 0,9; 2,5; 5,0 Вт. Варианты 1-1 ,12-12 ограничивают области.
Q. Вт Q, Вт
Рис. 36. Зависимость перепада температуры At на кристаллах (3 х 1 х 0,1 ) мм от мощности тепловыделения транзистора для различных материалов хорошо теплопроводящей пластины (дополнительного теплоотвода): AIN, MD-50, Си, Алмаз, а) соответствует геометрическому варианту ABCD'E'A; б) соответствует геометрическому варианту АНТР'Е'А.
В результате проведённого исследования разработана методика расчёта эффективности теплоотвода от кристаллов транзисторов, которая позволяет оптимизировать геометрические размерь: дополнительного теплоотвода.
Однако оптимизация конструкции ГИС СВЧ является многофакторной задачей и может вызывать определённые трудности у разработчиков. По-
этому для решения этой задачи необходима простая методика инженерных расчётов, удобная для практического применения. Для расчётов опробован метод эмпирических полиномиальных зависимостей взамен использования трехмерной программы расчета и определения величины несоответствия в результатах расчетов. Разработана тепловая осесимметричная модель мошной ГИС (Рис.37) и проведены соответствующие расчёты, результаты представлены на Рис.38,39.
' б . \..::-:....
Рис.37. Тепловая осесимметричная модель мощной гибридной интегральной схемы СВЧ - диапазона, где:-позиции 4,6,7.9.10,11,12 соответствуют позициям на Рис.32.;- положение точки «А»(А0,А1,А2,АЗ,А4,А5,А6,А7) определяет геометрические размеры хорошо электро- и тешюпрсводящей пластины (доп. ,теплоотвода),-Тв.макс. и Тн.макс. -максимальные температуры нагрева кристаллов транзисторов; заштрихованная область хорошо тенлопроводящей пластины - это поле температур, описываемое полиномиальной зависимостью к условием минимальной разности температур кристаллов транзисторов.
Рис.38. Зависимость разности максимальных температур нагрева кристаллов транзисторов в конструкции ГИС СВЧ с двухъярусным расположением кристаллов в зависи-
мости от величины теплопроводности материала хорошо теплопровода щей пластины и е геометрических размеров для мощности транзисторов(<3) 0,9Вт, где: положение точки" А", определяющее геометрию хорошо теплопроводящей пластины, заштрихованные области иллюстрируют величину несоответствия в результатах расчетов, полученных при использовании трехмерной программы расчета и при использовании эмпирических полиномиальных зависимостей.
Анализ показывает, что точки А0,А1 и А6,А7 не могут быть использованы, т.к. первые не обеспечивают механической прочности теплоотвода, а вторые не приводят к улучшению теплоотвода.
«¡.("С!
8,384-г
Номера точ-М'.
Рис.39. Иллюстрация соответствия результатов расчета тепловой модели ГИС раз личными методами полиномиальной эмпирической зависимости и с использованием про граммы расчета трехмерных тепловых моделей.
В результате проделанной работы: 1 )показана принципиальная возможность упрощения методики расчёта геометрических размеров дополнительного теплоотвода от верхнего кристалла транзистора при двухъярусном их расположении;2)предложена полиномиальная эмпирическая зависимость, по зволяющая рассчитать геометрию дополнительного теплоотвода, в зависимости от теплопроводности его материала и мощности транзисторов: 3)проведено сравнение результатов расчётов геометрии дополнительного теплоотвода с использованием полиномиальной эмпирической зависимости и с использованием программы расчёта трёхмерных тепловых моделей и показано их хорошее соответствие;4)подтверждена обоснованность сделанных ранее ограничений геометрических размеров дополнительного теплоотвода;
5)подтверждена аналитически возможность эффективного отвода тепла от кристаллов транзисторов с мощностью до 10Вт.
Следующим этапом доработки конструкции ГИС с двухъярусным расположением кристаллов явилось создание интегрального теплоотвода и методики его расчёта.
Рис.40. Общий вид фрагмента конструкции: 1- основание, 2- нижний транзистор, 3 - балочные выводы, 4- верхний транзистор, 5- интегральный теплоотвод (скоба).
Проведено исследование влияния расстояния между парами транзисторов в диапазоне 1,5.....4,6мм на их тепловой режим.
Рис.4!. Зависимость максимальных температур верхнего и нижнего кристаллов транзистора ¡в мах, № чах от коэффициента теплопроводности материала дополнительного тепло-отвода(скобы ) для различных горизонтальных расстояний между соседними транзисторами 5. Мощность выделяемая каждым транзистором 0=1 Вт.
Точка пересечения кривых на Рис.41 соответствует равенству температур нагрева кристаллов в паре транзисторов.
Рис.42. Зависимость перепада максимальных температур верхнего и нижнего кристаллов транзистора (1в мах- 1Н ма,;) от коэффициента теплопроводности материала дополнительного теплоотвода ( скобы) X для различных горизонтальных расстояний между соседними транзисторами 8. Мощность выделяемая каждым транзистором 0=1 Вт.
Рис.43. Распределение температур на верхнем - нижнем кристаллах транзисторов в зависимости от материала верхней скобы: Л = 160 Вт/м град (AIN),
Рис. 44. Распределение температур по верхней кромке. Горизонтальное расстояние между соседними кристаллами: Х=1.5мм.
Рис. 45.Распределение температур по верхней кромке. Горизонтальное расстояние между соседними кристаллами Х=3мм.
1Г\\: ! /А\ ; -ГА! ; /Л\
/Л ■-Г;; У.-А1 У/и« • ! .</«»
флД ... /¿^ Щй
.....-Ж..
Пара ¿мрчческое ассюякие по длине верхней кц&ыкн, ХХтах
-1-1---1--1-1--1--<-----1-\
0.2 0.4 0.5 >> а 1.0
Рис. 46.Распределекие температур по верхней кромке.
Горизонтальное расстояние между соседними кристаллами Х=4.6мм.
Полученные результаты позволили оптимизировать конструкцию и характеристик ГИС выходного каскада усилителя мощности. Внедрение этих результатов позволяет уменьшить объём и массу модуля усилителя при сохранении мощности (на 30%) или увеличить мощность в два раза при сохранении габаритов и незначительном увеличении массы. С учётом применения модуля усилителя в выходном канале РЭА бортовых систем, где суммируется мощность нескольких десятков таких модулей, значение работы возрастает.
В результате проделанной работы сформирована новая концепция сложения мощности полупроводниковых приборов, разработан и реализован новый конструктивный принцип двухкристального составного ПТШ, предло-
жена методика расчёта эффективности теплоотвода от кристаллов транзисторов для индивидуального и интегрального вариантов дополнительного теплоотвода, сформировано 6 -е положение, выносимое на защиту.
Следующим направлением совершенствования техники ГИС СВЧ-диапазона является размещение группы кристаллов компонентов в фигурных сложнопрофильных углублениях в подложке МГТП. Дальнейшее повышение требований к массогабаритным характеристикам СВЧ устройств, в особенности аэрокосмического назначения, заставляет искать пути, решения задач одновременного улучшения комплекса характеристик. В связи с этим диссертантом разработан ряд конструкторско - технологических решений, совокупность которых может быть дополнена конструкциями зарубежных специалистов, и представ лена, как самостоятельное направление. При разработке этого направления созданы и запатентованы несколько интересных конструкций ГИС.
Рис. 47. Фрагмент конструкции СВЧ - устройства с расположением группы кристаллов в фигурном углублении. 1. Диэлектрическая подложка; 2. Пленочный проводник; 3. Углубление в плате; 4. Кристалл ТЩ;5. Контактные площадки конденсатора; 6. Диэлектрик конденсатора; 7. Конденсатср;8. Кристалл транзистора; 9. Контактные площадки транзистора; 10. Соединительный проводник (вывод).
Рис.48. Фрагмент конструкции СВЧ-устройства с двухъярусным расположением кристаллоз в углублении. 1. Диэлектрическая подложка; 2.Пленечный проводник; 3. Экранная заземляющая металлизация; 4. Углубление; 5. Кристалл интегральной микросхемы; 6. Контактные площадки микросхемы; 7. Соединительные проводники; 8. Конденсатор; 9. Электропроводное связующее вещество; 10. Припой; 11. Металлическое основание. 12. Металлизированные отверстия, заполненные связующим веществом; 13. Верхняя обкладка конденсатора;
3
1! ' 1.! ^
Рис. 49.Фрагмент конструкции СВЧ МСБ с неплоскостным расположением группы кристаллов в фигурном углублении МПЛ. 1. Диэлектрическая подложка; 2. Пленочный проводник; 3. Фигурное углубление/!. Кристалл транзистора (ПТШ); 5. Контактные площадки транзистора; 6. Соединительные проводники; 7. Контактная площадка варакторно-го диода; 8. Кристалл варакторного диода; 9. Электропроводное связующее вещество; 1 0. Конденсатор; 11. Экранная заземляющая металлизация; 12. Припой; 13. Металлическое основание; 14. Металлизированное отверстие; 15. Связующее вещество.
Хрш<а
¡ЬЗлсххс а/тит! ' Зазептщий «сим
Рис. 50Конструкция ГИС СВЧ с расположением группы кристаллов в фигурных
углублениях.
Такие решения применяются в реальных устройствах. Это послужило основанием для формирования двух новых конструкторско — технологических направлений:-направления создания промежуточных монтажных уровней в ГИС СВЧ;-направление размещения группы кристаллов в фигурном углублении в подложке платы ГИС.
Следующими направлениями представленными в данном разделе являются: направление формирования металлических вставок в диэлектрической подложке МОП, например для изготовления теплоотводяших элементов или конденсаторов и т.д., направления создания полумонолитных (квазимонолитных) схем,и направления создания объёмных интегральных многослойных ГИС СВЧ - диапазона. Последнее направление приобретает в настоящее время особое значение в связи с необходимостью создания ГИС
приёмопередающих модулей (ТТТТМ) активных фазированных антенных решёток (АФАР) бортовой РЭА.
Важным направлением, которое соответствует этому уровню развития, является увеличение степени интеграции навесных компонентов ГИС. Это направление обосновывает закономерность перевода части ГИС в состав кристалла полупроводниковой монолитной схемы (МИС) СВЧ - диапазона.
В третьей главе сформированы ряд направлений второго уровня и показано их преимущество по отношению к предыдущим.
В четвёртой главе большое внимание уделяется процессу эволюционного развития конструкции в зависимости от появления технологических возможностей. В частности, формулируется направление эволюционного последовательного развития конструкции и технологии фрагментов ГИС СВЧ — диапазона, а в качестве иллюстрации этого процесса приводится создание МИС, содержащая ПТШ , два конденсатора и два резистора.
Рис.51. Внешний вид. разработанной МИС.
Здесь же формулируются направления развития компоновочных структур МЭА (РЭА) на базе ГИС и направления применения новых материалов в ГИС СВЧ - диапазона. Перспективы этих направлений иллюстрируются созданием конкретных коиструкторско-технологических решений ГИС, их исследованием, разработкой методики расчёта и внедрением в серийное производство устройств. В четвёртой главе заканчивается формирование третьего уровня созданием технологического направления обеспечивающего реализацию созданных конструкций ГИС с улучшенными характеристиками , что иллюстрирует цикличность развития .
В пятой главе рассмотрены общие закономерности развития конструкции и технологии ГИС, проведён аг-гализ современных достижений и проведено прогнозирование дальнейшего пути развития. Кроме того, сформировано направление экономии пространства устройств на базе ГИС и показано соответствие техники ГИС СВЧ направлению комплексной миниатюризации РЭА. На основании полученных результатов создана система конст-рукторско-технологических направлений развития техники ГИС СВЧ-диапазона, представленная на Рис.52.
»л
Кашвмюоюи
Цтза ж ГИС
5-й
Рис.52. Система конструкторско-технологических направлений развития техники ГИС СВЧ - диапазона
Разработанная система основных конструкторско-технологических направлений, дополненная соответствующими концепциями, составляет теоретические основы развития техники ГИС СВЧ - диапазона и позволяет оперативно проводить оценку технического уровня современных разработок.
В приложениях приведены акты внедрения результатов диссертационной работы в серийное производство более 100 изделий, выпускаемых ФГУП «НТТП «Исток», документы подтверждающие авторство, новизну и получение значительного экономического эффекта.
В заключении представлены основные результаты работы, заключающиеся в анализе достижений на начальный период работы, постановке задач по совершенствованию имеющихся или синтезу новых отдельных технических решений, формированию из них направлений развития техники ГИС СВЧ - диапазона и соответствующих концепций. Затем из направлений сформированы уровни развития, которые послужили основой системы направлений развития. Совокупность разработанной систем и концепций, соответствующих отдельным направлениям, позволили создать теоретические основы развития техники ГИС СВЧ - диапазона. Широкое внедрение разработанных технических решений в серийное производство изделий позволило улучшить их характеристики и получить значительный экономический эффект. Таким образом, проведённые в работе исследования и полученные результаты являются решением важной научно - технической проблемы, по создание передовых образцов техники с высокими техническими характеристиками и организации их эффективного производства, внедрение которых вносит значительный вклад в развитие экономики страны и повышение её обороноспособности.
ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ: Монография:.Климачёв ИИ., Иовдальский В.А. СВЧ ГИС. Основы технологии и конструирования. Москва: Техносфера, 2006. - 352с. ISBN 5-94836-074-1. Статьи: 1. Иовдальский В.А. Новая концепция сложения мощности кристаллов ПТШ в ГИС усилителей мощности СВЧ - диапазона.// Электронная техника, Сер.1, СВЧ - техника, Вып. 1(487).- 2006.-, С.44-51.
2. Иовдальский В. А. Концепция конструктивно-техколэгаческсго синтеза новых компоновочных моделей микрозлектронноЗ аппаратуры на основе ГИС СВЧ.// Электронная техника. Сер.!. СВЧ - техника .Вып. 1 (487), 2006г.,с 77 - 86.
3.Иовдальский В.А. Эволюция конструкции типовых фрагментов ГИС СВЧ.//Электронная техника. Сер.1, СВЧ - техника. Вып. 1(489), 2007г. C.38-45.ÎSBN 1990-9012
4.Иовдальский В.А. Концепция применения металлических вставок в диэлектрической подложке ГИС СВЧ. //Электронная техника. Сер.1. СВЧ -техника, Вып.1(489), 2007г. с.58 - 69.ISBN 1990-9012.
5. Иоздальский В.А., Пелипец О.В , Зубков Н.П. .Ковалёв В.й. Исследование состава ал-мазоподобных плёнок углерода, используемых в изделиях микроэлектроники.// Электронная техника. Сер.1, СВЧ - техника, Вып. 1(489), 2007г. ,с.70- 79. ISBN 1990-9012.
6. Иовдальский В.А., Фёдоров В.Ф., Григорьев C.B., Стренина Т.В.. Лнсицин A.A., Моргунов В.Г. Улучшение электрических характеристик элементов приёмопередающего модуля СВЧ - диапазона.// Электронная техника. Сер. 1, СВЧ - техника, Вып.2(490). 2007г. ,с.42-47.ISBN 1990-9012.
7. Иовдальский В. А., Лапин В.Г., Пчелия В.А. Двухъярусная транзисторная сборка для усилителей мощности СВЧ-дианазояаУ/Электронная техника, Сер.1, СВЧ-техника, Вып.4(503).- 2009.-, С.38-41.
8.Иовдальский В.А., Гашошкина Н.В., Челурных И.П. Простой инженерный метод расчёта дополнительного теплоотвода я ГИС СВЧ. // Электронная техника, Сер. I, СВЧ-техника, Вып.2(505).- 2010.-, С.21-29.
9. Иовдальский В.А., Гашошкина Н.В. Анализ возможности теплоотвода в ГИС СВЧ-диапазона при двухъярусном расположении кристаллов транзисторов. // Электронная техника, Сер.1, СВЧ-техника, Вып. 1(504).-2010.-, С.54-69.
10.Иовдальский В.А. Совершенствование конструкции типового фрагмента ГИС СВЧ-диапазона.// Электронная техника, Сер. 1, СВЧ-техника, Вып.3(506).- 2010.-, С.25-30.
11. Иовдальский В. А., Пчелин В.А., Лапин В.Г. Составной двухъярусный транзистор для усилителей мощности СВЧ - диапазона. // Электронная техника, Сер.1, СВЧ-техника, Вьпт.4(507).- 2010.-, С.65-71.
12. Иовдальский В.А. Подавление паразитной генерации в ГИС усилителей мощности СВЧ-диапазона. // Электронная техника, Сер.1, СВЧ-техника, Вып.7(507).- 2010.-, С.71-75.
13. Иовдальский В.А., Манченко Л.В., Моргунов В.Г., Герасименко C.B. Эффективность применения плоских внутрисхемных соединений в ГИС СВЧ - диапазона. // Электронная техника, Сер.1, СВЧ-техника, Вып.2(509).-2011.-, С.41- 47.
14. Иовдальский В.А. Система конструкторско - технологических направлений развития техники ГИС СВЧ - диапазона.// Электронная техника, Сер.1, СВЧ-техника, Вып.4(511) -2011.-, С 41-48.
15. Иовдальский В.А., Манченко Л.В., Моргунов В.Г., Герасименко C.B. Оптимизация геометрии плоских балочных выводов компонентов ПТС СВЧ - диапазона. // Электронная техника, Сер.1, СВЧ-техника, Вып.4(5И).- 2011.-, С.49-58.
16. Иовдальский В.А., Гантошкина Н.В., Моргунов В.Г., Герасименко C.B. Тепловой анализ работы мощной ГИС с интегральным теплоотводом от кристаллов полупроводниковых приборовУ/Электронная техника. Сср.1, СВЧ-техника. Вып.2(513), 2012г. С.57-74.
17. Иовдальский В.А., Виноградов ВТ., Манченко Л.В., Земляков В.Е. .Лапин В.Г Совершенствование конструкции ГТ-ÎC малошумящего усилителя СВЧ - диапазона.// Электронная техника. Сер.1, СВЧ-техника. Вып.4(515), 2012г. С.20-26.
18. Иовдальский В.А., Футъкноз C.B., Аюпев И.Н..Киличепков Р.Б. Улучшение электрических характеристик ГИС СВЧ за счёт оптимизации внутрисхемных соединений. //Электронная техника. Сер.1, СВЧ-техника. Вып. 1(516), 2013г. С.68- 71.
19. Иовдалъский В.А., Гашошкина Н.В. Конструкция теплоотвода, встроенного в подложку ГИС СВЧ-диапазона.// Электронная техника. Сер.1, СВЧ -техника. Вып. 2(517), 2013г. С.21 -34.
20. Иовдальский В.А., Ганюшкика Н.В., Пчелин В.А., .Гринберг Д.С.,Агапов И Н. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона с алмазным теплоотводом././ Электронная техника. Сер.1, СВЧ -техника. Вып.2(517), 2013г. С.66-74.
21. Иовдалъский В. А., Пчелин В.А., Герасименко C.B. Эффективность применения двух-кристальных составных ПТШ в усилителе мощности СВЧ - диапазона. //Электронная техника. Сер.1, СВЧ-техника. Вып. 2(521), 2014г. С.33 -38. (21статья в перечне ВАК). Авторские свидетельства и патенты:
1.A.С. СССР №1586503ка изобретение, приоритет23.12.88г., регистрация вГос.реестре 15.04.90 г. Способ изготовления СВЧ микросхем. . Иовдалъский В.А., Бейль В.И., Яремчук Б.Г., Забелла Р.А.,Чивилева В.Г. Дан Ю.С. и др всего бчел.
2. . Л.С. СССР №1667571 на изобретение, приоритет 2.06.89г., регистрация в .Гос.реестре 27.11.1996г. Гибридная интегральная схема СВЧ. Иовдальский В.А, Темное A.M.
3. A.C. СССР №1694021 на изобретение, приоритет 28.07.89г..регист. в .Гос. реестре 22.06.91 г. Гибридная интегральная схема СВЧ . Иовдальский В.А, Молдованов Ю.И, Ануфриев А.Н.
4. Патент Рф №2067363 на изобретение, приоритет 1.02.91г., регистрация 27.09.96г. Гибридная интегральная двухсторонняя схема. Иовдалъский В.А., Буданов В.Н.
5. Патент РФ №1812580 на изобретение, приоритет 19.03.91г„регистр. в .Гос.реестре 23.04.93 г. Гибридная интегральная схема СВЧ и КВЧ. Иовдальский В.А, Долич В.М., Липатова В.А.
6. Патент РФ №1811450 на изобретение, приоритет 19.03.91г., регистрация в .Гос.реестре 30.1 1.93 г. Способ пайки деталей. Иовдальский В.А, Молдованов Ю.И., Макаров В.А.
7. Патент РФ №2025822 на изобретение, приоритет 19.03.91 г.,регистрация в .Гос.реестре
30.11.93 г. Гибридная инте]-ральная схема СВЧ. Иовдальский В.А., Рыжик Э.И., Гархов Б.А.
8. Патент РФ №2004036 на изобретение, приоритет 25.04.91г.,регистрация в Гос.реестре
30.12.94 г. Гибридная интегральная схема СВЧ. Иовдалъский В.А.
9. Патент РФ №20037335 на изобретение, приоритет 12.05.91 г.,регистрация 27.09.96 г. Маска для напыления пленочных элементов на подложку. Иовдалъский В.А, Рыбкин В Н.
10. Патент РФ №2088057 Fia изобретение, приоритет 27.07.92г.,регистрация 20.08.97 г. Многослойная гибридная интегральная схема СВЧ и КВЧ. Иовдальский В.А., Буданов В.Н., Кандлин В.В., Яшин A.A.
11. Патент РФ №2071646 на изобретение, приоритет 29.07.92г.,регистрация в .Гос.реестре 20.08.97 г. Многослойная гибридная интегральная схема СВЧ и КВЧ диапазонов. Иовдальский В.А., Буданов В Н., Кандлин В В., Яшин A.A.
12. Патент РФ №2075795на изобретение, приоритет 31.12.92г.,регистрация в .Гос. реестре 10.06.02 г. Способ газофазного химического фрезерования оксидных материалов. Иовдальский В.А., Рыбкин В Н.
13. Патент РФ №2076472 на изобретение , приоритет 31.12.92г.,регистрация в .Гос.реестре 10.06.02 г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ диапазона Иовдальский В.А., Блейвас И.М., Ипполитов В.М., Демиденко В.В.
14. Патент РФ №2079931 на изобретение, приоритет 31.12.92г.,регистрация в .Гос.реестре
10.06.02 г. Корпус интегральной схемы. Иовдальский В.А., Мякиньков В.Ю.
15. Патент РФ №2070354 на изобретение .приоритет 19.03.93г.,регист в .Гос. реестре 20.10.02 г. Гибридная интегральная схема. Иовдальский В.А., Азизов A.B., Балыко А.К. и др.
16.Патент РФ №2073936 на изобретение, приоритет 24.05.94г.,регистрация в .Гос.реестре
10.06.03 г. Гибридное интегральное вакуумное устройство. . Иовдальский В.А., Бейль В.И., Грнцук Р.В., Щелкунов Г.П.
17. Патент РФ №2109274 на изобретение, приоритет 30.09.94г.,регистрацпя в Гос.реестре 20.09.03 г. Устройство для измеречпя электрически?: параметров среды. Иовдальский В.А., Гвоздев В.И.^Яинев А.А.,Подковырян С.И.
18. Патент РФ №2137256 па изобретение, приоритет 26.09.96г.,регистрация 27.0! .04 г. Гибридная интегральная схемаСВЧ диапазона. Иовдальскпй В.А.
19. Патент РФ №2137117 на изобретение., приоритет !0.!0.96г„г., регистрация в Гос. реестре 10.10.99г. Гибридная интегральная схема газового сенсора. Иовдальский В.А., Олихов И.М., Ипполитов З.М.
20. Патент РФ №2)48874 на изобретение, приоритет 10.10.96г.,г, регистрация в .Гос.реестре 10.05.2000г. Многослойная гибридная схема СВЧ и КВЧ диапазона. Иовдальскпй В.А., Буданов В.Н., Яшин А.А.Дандлин В В.
21. Патент РФ №2161346 на изобретение, приоритет 10.10.96г., регистрация в .Гос.реестре 27.12.2006г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ- диапазона. Иовдальский В.А., Мол-дованов Ю.И.
22. Патент РФ №2161347 на изобретение, приоритет 10.10.96г., регистрация б .Гос.реестре 27.12.2000г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ- диапазона. Иовдальский В. А.
23. Патент РФ М- 2185687 на изобретение, приоритет 10.10.2000г., регистрация в .Гос.реестре 10.06.2002г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ- диапазона. Иовдальский В.А.
24.Патент РФ № 2183366 на изобретение, приоритет 17.04.2000г., регистр, в .Гос .реестре 10. 06. 2002г. Способ изготовления выводных рамок. Иовдальскпй В.А., Савок Г.И., Щеглова И.А.
25. Патент РФ №2191432 на изобретение, приоритет 17 04,2000г., регистрация в .Гос.реестре 10.06.2002г. Выводная рамка для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора. Иовдальский В.А., Пчелин В.А.
26. Патент РФ №2212731 па изобретение, приоритет 17.08.01 г.г., регистрация в Гос.реестре 20.09.2003г. Корпус-крышка для гибридной интегральной схемы . Иовдальский В.А.
27. Патент РФ №2222844 на изобретение, приоритет 17.08.01 г.г., регистрация в .Гос.реестре 27.01.2004г. Полупроводниковый прибор. . Иовдальский В.А.
28. Патент РФ № 2206144 на изобретение, приоритет 7.09.01г.г., регистрация в Гос. реестре 10.06.2003г. Способ изготовления деталей из керамики для ГИС СВЧ. Иовдальский В.А.
29. Патент РФ № 2206187 на изобретение, приоритет 10.! 2.01 г.г., регистрация в .Гос.реестре 10.06..2С03г. Способ изготовления микрополосковых плат для гибридных интегральных схем. Иовдальский В.А.
30.Патеит РФ № 22273 45на изобретение, приоритет 26.02.02г.г., регистрация в Гос. реестре 20.09,2003г ,20.09.2003г. Гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В. А., Калинин И. П.
31.Патент РФ №2478240 на изобретение, приоритет 03.08. 20II г, Гос. Регистр.27.03.2013г. Гибридная интегральная схема СВЧ - диапазона. Иовдальский В. А., Маиченко Л.В., Добровольская Н.М., Моргунов В.Г.
32. Патент РФ №2489770 на изобретение, МКИ НОН. 27/00, приоритет 30.12 2011 г, Гос. Регистр. 10.08.2013г. Гибридная интегральная схема СВЧ - диапазона. Иовдальский В.А., Дудинов К.В., Ганюшкина Н.В, .Далингер А.Г.. ДухновскийМ.П.. Ратникова А.К..Фёдоров Ю.Ю.
33. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение, приоритет от 5.11,96г. по заявке № 04901888/09(004406), приоритет 11.07.9!г.. Гибридная интегральная схема СВЧ и КВЧ диапазонов. Иовдальский В.А.
34. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от13.11.96г. по заявке №05027200/09(067621), приоритет I9.0S.91r. Гибридно - монолитный прибор СВЧ и КВЧ диапазонов. Иовдальский В.А., Круюв В.А., Тагер А.С., Миглин В.А.
35. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретешь от5.11.96г. по заявке №05056217/09(035906), приоритет 24.07.92г. Корпус СВЧ -полупроводникового прибора. Иовдальский В.А., Климачёв И.И.,Цыкик A.B.,Лапин В.Г., Коробкнн В.А.
36. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от5.11.96г. по заявке №05057130/09(036453), приоритет 29.07.92г. Корпус мощного СВЧ полупроводникового прибора. Иовдальский В.А., Климачёв И.И.
37. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 27.10.95г. по заявке №92014500/07(061023), приоритет 25.12.,92г. Гибридная ингегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А.
38. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 10.11.95г. по заявке №92014501/07(061024), приоритет 25.12.92г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А.
39. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 30.12.96г. по заявке №92014568/07(061016), приоритет 25.12.9.2г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Айзенберг Э.В.,Бейль В.И.
40. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 24.11.95г. по заявке №92014570/07(061014), приоритет 25.12.92г. Мошная гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Молдованов Ю.И.
41. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 10.11,95г. по заявке №92015106/07(061096), приоритет 25.12.92г. Многослойная гибридная интегральная схема СВЧ и КВЧ. Иовдальский В.А , Буданов В.Н., Яшин A.A., Кандлин В В.
42. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 27. Ю..95г. по заявке №92015732/07(062277), приоритет 31.12.92г. Гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Лопин М.И., Айзенберг Э.В., Бейль В.И.
43. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от30.05.96г. по заявке №92015733/07(062276), приоритет 31.12.92г. Мощная гибридная интегральная схема. Иовдальский В.А.
44. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 10.11.95г. по заявке №92015724/07(062277), приоритет 31.12.92г. Гибридная интегральная схема СВЧдиапа-зона. Иовдальский В. А., Айзенберг Э.В., Бейль В.И.. Лопин М.И.
45. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 25.06.96г. по заявке №92015726/07(062273), приоритет 31.12.92г. Способ монтажа кристалла полупроводникового прибора. Иовдальский В.А.
46. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 35.04.96г. по заявке №94037744/25(036845), приоритет 30.09.94г. Гибридная интегральная схема газового сенсора. Иовдальский В.А., Олихоз И.М., Блейвас И.М., Ипполитов В.М.
47. Патент РФ №2148872 на изобретение, приоритет 26.09.96г.,регистрация в .Гос.реестре 20.09 03 г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Айзенберг Э.В., Бейль В.И.
48. Патент РФ №2148873 МКИ7 H01L 27/13,Н05К 1/16 на изобретение, приоритет 26.09.96г.,регистрация в .Гос. реестре 27.08.04 г. Гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Айзенберг Э.В., Бейль В.И., Лопин М.И.
49. Патент РФ №2136078 на изобретение, приоритет 10.10.96г.,регистрация в Гос. реестре 27.08.99г. Способ монтажа кристалла полупроводникового прибора. Иовдальский В.А.
50. Патент РФ № 2235390 на изобретение, приоритет 27.01 .ОЗг.г., регистрация в .Гос. реестре 27.08.2004г. Гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В. А., Пче-лнн В.А., Джуринский К.Б.
51. Патент РФ № 2260881 на изобретение, приоритет 12.08.03г.г.. регистрация в .Гос. реестре 20.09.2005г. Окно вывода энергия СВЧ и КВЧ электронных приборов. Иовдальский В.А., Криворучко В.И., Чепурных И.П., Сплин P.A.
52. Патент РФ № 2285313 на изобретение, приоритет 26.04.04г.г., регистрация в .Гос.реестре 10.04.2006г. Способ изготовления окна вывода энергии СВЧ и КВЧ электронных приборов. Иовдальский В.А., Криворучко В.И., Тараскина Л.П., Щеглова И.А., Савон E.H., Литвиненко Н.П.
53. Патент РФ № 2290719 на изобретение, приоритет 9.12.04г.г., регистрация в .Гос.реестре 27.12.2006г. Гибридная интегральная схема СВЧ - диапазона. Иовдальский В.А., Моргунов В.Г., Лисиции A.A.
54. Патент РФ № 2290720 на изобретение, приоритет 20.05.05г.г., регистрация в .Гос.реестре 27.12.2006г. Гибридная интегральная схема СВЧ - диапазона. Иовдальский В.А., Пчелин В.А., Джуринскнй К.Б
55. Патент РФ № 2298255 па изобретение, приоритет 12.08.05г.г., регистрация в .Гос.реестре 27.04.,2007г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ - диапазона. Иовдальский В.А., Пчелин В.А., Лапин В.Г., Моргунов В.Г.
56. Патент РФ № 2302056 на изобретение, приоритет 11.11,05г.г., регистрация в .Гос. реестре 27.04.,2007г. Гибридная интегральная схема СВЧ - диапазона. Иовдальский В.А., Моргунов В.Г., Лисицин A.A.
57. Патент РФ № 2314595 на изобретение, приоритет 10.02.06г.г., регистрация в .Гос.реестре 27.04..2007г. Способ изготовления гибридных интегральных схем СВЧ - диапазона. Иовдальский В.А., Молдованов Ю.И., Моргунов В.Г., Виноградов В.Г.
58. Патент РФ № 2390071 на изобретение, приоритет 20.01,09г.г„ регистрация в .Гос.реестре 20.05.2010г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ -диапазона. Иовдальский В.А., Ганюшкина Н.В., Пчелин В.А., Чепурных И.П.
59. Патент РФ № 2390877 на изобретение, приоритет 8.04.09г.г., регистрация в .Гос.реестре 27.05..2010г. Гибридная интетральная схема СВЧ - диапазона. Иовдальский В.А., Лапин В.Г., Земляков В.Е., Виноградов В.Г.
60. Патент РФ №2417480, МПК H01L 21/84, на изобретение по заявке №2009139608(056139), приоритет 26.10.2009г. бюл. №12 за 2011г. Способ изготовления гибридной интегральной схемы СВЧ - диапазона. Иовдальский В. А., Молдованов Ю.И., Коцюба А.М.
61. Патент №2449419 С1 , МГПС H01L 27/13, опубликовано 27.04.2012г. Бюл.№12. заявка №2010154371/28(078664), приоритет 29.12.2010г. Гибридная интегральная схема СВЧ. Иовдальский В.А., Виноградов В.Г., Лапин В.Г., Манченко Л.В., Земляков В.Е.
62. Патент РФ №2450388 С1 на изобретение, МПК НО 1 L 25/16, приоритет 20.12.2010г., опубпиковано 10.05.12г.Бюл.№13. Гибридная интегральная схема СВЧ -диапазона. Иовдальский В.А., Далингер А.Г., Шацкчй В.Ю.
63. Патент РФ №2454763 на изобретение. MITK Н01Q 21/00, приоритет 13.10.2010г., опубл. 27.062012г.Бюл.№18, зарегистрирован в Госреестре 27 июня 2012г. Приемопередающий модуль активной фазированной антенной решётки СЗЧ - диапазона. Иовдальский В.А., Далингер А.Г., Малыщик В.М.
64. Патент РФ №2456703 на изобретение, МПК Н 01 L 23/48, приоритет 16.03.2011г., опублик. ,20.07.2012г. .Бюл.№20, зарегестр. Гос.реестре 20.07.12г. Выводная рангка для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора. Иовдальский В.А., Манченко Л.В. , Добровольская Н.М., Моргунов В.Г.
65. Патент РФ №2458432 на изобретение, приоритет 18.04.2011г.„Гос. Регистр. 10.08.2012г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ - диапазона. Иовдальский В.А., Гашошкина Н.В. , Пчелин В.А.
66. Патент РФ №2498455 на изобретение, приоритет 01.08. 2011г., Гос. регистрация
10.11.2013г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ - диапазона. Иовдальскии В.А., Ганюшкина Н.В., Пчелин В.А.
67. Положительное решение по заявке №2013102481/28(003392), приоритет 18.01.2013г„ Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ - диапазона. Иовдальскии В.А., Дудииов К.В., Калашников Ю.Н., Кудрова Т.С.
68. Патент РФ №2521222, приоритет 18.01.2013г.,3арегестрировано в гос. реестре 29.04.14 г. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ - диапазона. Иов-далъский В.А., Дудинов К В., Калашников Ю.Н., Кудрова Т.С.(вссго 68 изобретений) Публикации материалов на международных и всероссийских конференциях:
1. 19-я Международная Крымская конференция «СВЧ - техника и телекоммуникационные технологии», «Крымико —2009»,Материалы конференции, 14-18 сентября2009г., г. Севастополь, Крым, Украина, том.!, с.74-75. Составной двухъярусный транзистор для усилителей мощности СВЧ - диапазона. Иовдальский В.А., Пчелин В. А., Лапин В.Г.
2. «Intermatic-2013»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 2-6 декабря 2013г., г. Москва: МИРЭА, 2013 г., матер, конференции, часгьЗ, С-152-155. Дальнейшее совершенствование геометрии плоских балочных выводов компонентов ГИС СВЧ - диапазона. Иовдальский В. А., Ман-ченко Л.В., Моргунов В.Г., Герасименко C.B., Киличенков Р.Б.
3. Тематический курс лекций 5-ой
Всесоюзной школы семинара «Математическое моделирование, САПР и конструкторско-технологическое проектирование ОИС СВЧ и КВЧ диапазоноз»г. Тула. Изд. Тульский политехнический ин-т, 1990г. Совершенствование конструкции и технологии объёмных интегральных схем (ОИС) СВЧ. Иовдальский В.А., Буданов В.П., Яшин A.A.
4. Материалы научно-технологического семинара «Применение лазерных технологий в машиностроении и приборостроении». г.Москва, НТЦ «Информатика», 1990г. Прецизионная лазерная обработка в технологии ГИС СВЧ. Иовдальский В.А., Тархов Б.А., Ануфриев А.Н., Баланин А.Н., Липатова В.А.
5. Материалы 6-й Межгосударственной школы-семинара «Техника, теория, математическое моделирование и САПР систем сверхбыстрой обработки информации на обьёмных интегральных схемах (СИС) СВЧ и КВЧ» под ред. проф. Нефёдова Е.И., г.Москва, с.236-237. изд. Российское НТО РЭС им. Попова, 1992г. Перспективы совершенствования конструкции и технологии многослойных ГИС СВЧ. Иовдальскии В, А., Буданов В.Н. Меркулова Н.Б., Рыбкин В.Н., Сарычев В.В., Яшин A.A.
6. Материалы 3-й Крымской конференции «СВЧ-технпка и спутниковый приём», г. Севастополь,20-23 сентября 1993г. Совершенствование конструкции и технологии гибридно-интегральных схем СВЧ. Иовдальский В.А., Демиденко В.В.
7. Материалы 4-й Крымской конференции «СВЧ-техника и спутниковый приём», г. Сева-стполь, 26-28 сентября 1994г. Технология и конструкция транзиствных усилителей СВЧ мощности для цифровых систем связи сверхбольшой ёмкости. Иовдальский В.А., Айзенберг Э.В.
8.11-ая Международная конференция "СВЧ-технпка и телекоммуникационные технологии", 10-14 сентября 2001 г., "Крымико 2001",г. Севастополь, "Вебер", стр.460. УДК629.7.052:621.3.029: 316.774, ББК-20-042., статья. Применение выводных рамок полупроводниковых приборов в технологии ГИС СВЧ. Иовдальский В.А., Моргунов В.Г., Пчелин В.А., Чернобрнвец И.Н.
9. 1-я Международная научно-техническая конференция «Физика и технические приложения волновых процессов» ¡0-15 сентября 2001 г , г. Самара. Тезисы докладов и сообщений. Приложение к журналу «Физика волновых процессов и радиотехнические системы».Том.2, с. 149. Пуш совершенствования технологии ГКС СВЧ. Иовдальский В.А., Моргунов В.Г.
10. 1-я Международная научно-техническая конференция. «Физика и технические приложения волновых процессов» 10-15 сентября 2001г., г. Самара. Тезисы докладов и сообщений. Приложение к журналу «Физика волновых процессов и радиотехнические системы».Том.2, с. 100. Полумонолитные ОИС СВЧ. Иовдальский В.А.
11. Материалы 4-ой Международной конференции « Циклы», г. Ставрополь, октябрь 2002г., с. 21 -23. Применение алмазоподобных плёнок в структуре микрополосковых линий ГИС СВЧ. Иовдальский В.А., Вантюсов Е.В.
12. Материалы 4-ой Международной конференции « Циклы», г. Ставрополь, октябрь 2002г., с. 66-68. Совершенствование технологии соединений ГИС СВЧ. Иовдальский В.А., Пчел™ В.А., Моргунов В.Г.
13. 13-я Международная Крымская конференция «СВЧ - техника и телекоммуникационные технологии» «Крымико 2003», 8-12 сентября 2003г. , г. Севастополь. Материалы конференции. ,с .564-565. Окно вывода энергии электронных СВЧ приборов. Иовдальский
В.А., Криворучко В.И.
14. «Intennatic-2004», Материалы Международной паучно-практической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 7-10 сентября 2004г.,г.Москва, часть 1. У ДК539.1:621.315.5:621.382 МИРЭА-ТДНИИ «Электроника», ISBN5-7339-0478-x.,c.l52-154. Герметизация волноводных приборов КВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Криворучко В.И., Чепурных И.П
15. «lntermatic-2004», Материалы Международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 7-10 сентября 2004г., г.Москза , часть 1.УДК539.1:621.315.5:621.382 МИРЭА-ЦПИИ «Электроника», ISBN5-7339-0478-X.,с. 100-104. Полумонолитиая конструкция широко диапазонного ГУН СВЧ. Иовдальский В.А., Балыко А.К., Климова A.B.
16. Intermatic-2004», Материалы Международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 7-10 сентября 2004г., г. Москва, часть 1. УДК539.1:621.315.5:621.382 МИРЭА-ЦПИИ «Электроника», ISBN5-7339-0478-X.,с.197-200. Малогабаритный балансный усилительный каскад для АФАР. Иовдальский В.А., Пчелин В.А., Моргунов В.Г.
17. «Плёнки -2004», Материалы Международной научной конференции «Тонкие плёнки и наноструктуры», 7-10 сентября 2004г., г. Москва: МИРЭА, 2004г..часть2.,УДК.539.216.2:539.234:621.315.5.,с. 143-144. Исследование состава и свойств АПП и преимущества их применения з СВЧ приборах. Иовдальский В.А.. Зубков Н.П., Пелипец О.В.
18. «Плёнки -2004», Материалы Международной научной конференции «Тонкие плёнки и наноструктуры», 7-10 сентября 2.004г., г. Москва: МИРЭА,
2004г.,часть2.,УДК.539.216.2:539.234:621.315.5..с. 164-166. Формирование внутрисхемных соединений тонкоплёночных элементов ГИС СВЧ. Иовдальский В.А., Климачёв И.И.
19. «П ленки -2004», Материалы Международной научной конференции «Тонкие плёнки и наноструктуры», 7-10 сентября. 2004г., г. Москва: МИРЭА,
2004г.,часть2.,УДК.539.216.2:539.234.621.31.5.5.,с. 167-169. Исследование потерь в микрополосковых линиях с многослойной структурой металлизации плат для ГИС СВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Васильев В.И., Чепурных И.П.
20. «Циклы». Материалы 7-ой Международной конференции. Том 2. Северо-Кавказский государственный технический университет., г. Ставрополь, 2005г., с.29-30. Метод количественного описания кратковременной нестабильности фазы гармотшческих сигналов. Иовдальский В.А., Абакумова В.В., Балыко А.К., Климова A.B.
21. «Циклы». Материалы 7-ой Международной конференции. Том 2. Северо-Кавказский государственный технический университет., г. Ставрополь, 2005г., с.42-45. Циклы миниатюризации электронных приборов СВЧ на примере твердотельных приборов и устройств. Иовдальский В.А., Абакумова Н.В., Балыко А.К., Климова A.B.
22. «Циклы». Материалы 7-ой Международной конференции. Том 2. Северо-Кавказский государственный технический университет., г. Ставрополь, 2005г., с.67-70.. Философские аспекты и цикличность развития техники ГИС СВЧ. Иовдальский В.А.
23. «Молодые ученые-2005».Материалы Международной научно-технической школы -конференции» М, 26-30 сентября 2005г.,г. Москва: МИРЭА,2005г.,4.1,C.264-266.,1SBN5-7339-0535-2. Совершенствование конструкции ГИС СВЧ. Иовдальский В.А., Моргунов В.Г.
24. «Молодые учёные-2005».Материалы Международной научно-технической школы -конференции» М, 26-30 сентября 2005г.,г. Москва: MHP3A,2005r.,4.1,C.266-268.,ISBN5-7339-0535-2. Разработка многослойных функциональных узлов миниатюрных СВЧ модулей. Иовдальский В.А., Баскаков И.А.
25. 4-я Международная научно-техническая конференция «Физика и техническое приложение волновых процессов». Тезисы докладов под ред. В.А. Неганова и Г.П. Ярового, 3-9 октября 2005г.,г.Нижний Новгород. Приложение к журналу «Физика волновых процессов и радиотехнические системы».,ПИ№77-3343 от26.04.2006по, с.221-222. Окно вывода энергии электронных СВЧ приборов. Иовдальский В.А., Криворучко В.И.
26. 4-я Международная научно-техническая конференция «Физика и техническое приложение волновых процессов» Тезисы докладов под редакцией В.А. Неганова и Г.П.Ярового,3-9 октября 2005 года, г. Нижний Новгород. Приложение к журналу «Физика волновых процессов и радиотехнические системы», ПИ№77-3343 от 28.04.2006г.,стр.223-224. Полосно-пропускающий фильтр на монокристаллах из высокотемпературного сверхпроводника. Иовдальский В.А., Абакумова Н.В., Балыко А.К., Климова A.B., Юсупова НИ.
27. Материалы «Всероссийская научно-технической конференции молодых ученых, посвященной 111-й годовщине Дня радио», 5-6 г .Красноярск. Современные проблемы радиоэлектроники: сб. научи, трудов/ред.: А.И. Громыко, A.B. Сарафанов.-М.: «Радио и связь», 2006r.629c.,ISBN 5-256-1807-8,с .102-104. Сложение мощности в гибридно-интегральной схеме усилителей СВЧ -диапазона. Иовдальский В.А.
28. Материалы «Всероссийская научно-технической конференщга молодых ученых, посвященной 111-й годовщине Дня радио», 5-6 г. Красноярск. Современные проблемы радиоэлектроники: сб. научи, трудов./ред.: А.И. Громыко, A.B. Сарафанов.-М.: «Радио и связь», 2006r.629c.,ISBN 5-256-1807-8,с .104-106. Объёмные функциональные узлы миниатюрных СВЧ - модулей. Иовдальский В.А.
29. «Intermatic-2005»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 25-28 октября2005г., г.Москва: МИРЭА, 2006Г.часть 1,272с„ ISBN5-7339-0574-3, 231-233. Концептуальная парадигма развития техники ГИС СВЧ. Иовдальский В.А.
30. «Intermatic-2005»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблем радиоэлектронного приборостроения», 25-28 октября2005г., г.Москва: МИРЭА, 2006Г.часть 1, 272с., 1SBN5-7339-0574-3, 262- 263.. Концепция экономии пространства изделий электронной техники на базе ГИС СВЧ. Иовдальский В.А.
31. «Intermatic-2005»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблем:,! радиоэлектронного приборостроения», 25-28 октября2005г., г. Москва: МИРЭА, 2С06Г. Часть 1, 272с., ¡SBN5-7339-0574-3, 264- 266.. Совершенствование конструкции П1С СВЧ диапазона. Иовдальский В.А.
32. «Intermatic-2011»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 14-17 ноября2011г., г. Москва: МИРЭА, 2011г. Новая парадигма развития техники ГИС СВЧ - диапазона. Иовдальский В. А.
33. «lntermatic-2011»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 14-17 ноября2011г., г. Москва: МИРЭА, 2011г. Дальнейшее совершенствование конструкции внутрисхемных соединений ГИС СВЧ - диапазона. Иовдальский В. А., Манченко Л.В., Моргунов В.Г., Герасименко C.B.
34. «Intermatic-2012»,MaTepHanbi Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 3-7 декабря 2012г., г. Москва: МИРЭА, 2012 г., С-67-71. Моделирование конструкции ГИС МШУ СВЧ - диапазона. Иовдальский В. А., Виноградов В.Г., Земляков В.Е., Лапик В.Г., Киличенков Р.Б., Гринберг Д.С., Герасименко C.B.
35. «lntemiatic-2012»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 3-7 декабря 2012г., г. Москва: МИРЭА, 2012 г., С-127-129. Мощная ГИС СВЧ-диапазона с алмазной вставкой. Иовдальский В.А., Ганюшкипа Н.В., Пчелин В.А., Гринберг Д.С., Аюпов И.Н., Герасименко C.B.
36. «Intermatic-2012»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 3-7 декабря 2012г., г. Москва: МИРЭА, 2012 г., С-130-132. Улучшение электрических характеристик широкополосных ГИС СВЧ за счёт оптимизации внутрисхемных соединений. Иовдальский В. А., Футьянов C.B., Лисицын A.A.. Левашов A.C., Моргу нов В.Г., Герасименко C.B., Аюпов И.Н., Киличенков Р.Б.
37. «Intennatic-2012»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 3-7 декабря 2012г., г. Москва: МИРЭА, 2012 г., С-133-135. Конструкция ГИС с встроенной системой тенлоот-вода от компонентов. Иовдальский В.А., Ганюшетша Н.В., Моргунов В.Г., Герасименко C.B., Гринберг Д.С., Аюпов И.Н.
38. «Intermatic-2013»,Материалы Международней научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 2-6 декабря 2013г., г. Москва: МИРЭА, 2013 г., часть 3, С-140-143. Оптимизация геометрии плоских балочных выводов компонентов ГИС СВЧ - диапазона. Иовдальский В.А., Манченко Л.В., Моргунов В.Г., Герасименко C.B., Аюпов И.Н. (всего 38 публик.).
Итого: 128 работ.
Иовдальский Виктор Анатольевич
РАЗРАБОТКА И ОПТИМИЗАЦИЯ КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГНЧЕСКИХ РЕШЕНИЙ ГИС СВЧ-ДИАПАЗОНА, С ЦЕЛЬЮ УЛУЧШЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК, ФОРМИРОВАНИЕ НАПРАВЛЕНИЙ СОЗДАНИЯ И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ ОСНОВ ИХ РАЗВИТИЯ
Специальность 05.02.22 Организация производства (в области радиоэлектроники).
АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук.
Автореферат отпечатан в авторской редакции
Подписано в печать 17.10.2014. Формат 60x84 1/16. Физ. печ. л. 3,5. Тираж 100 экз. Заказ № 525
ФГБОУ ВПО «МГТУРЭА (МИРЭА)» 119454, Москва, пр. Вернадского, д. 78
-
Похожие работы
- Разработка и исследование перспективных СВЧ-микросборок с заглубленными компонентами
- Новые технологичные СВЧ устройства для перестраиваемых мощных плотноупакованных СВЧ схем и настроечные корпуса для них
- Разработка конструкции и технологии микрополосковых плат для бесфлюсовой сборки ГИС СВЧ с высокой воспроизводимостью параметров и надежностью изделий
- Конструкторско-технологические основы создания пассивной части высоконадежных микрополосковых СВЧ-устройств дециметрового диапазона с повышенным уровнем мощности
- СВЧ твердотельные приемные модули на GaN и SiGe гибридных и монолитных интегральных схемах
-
- Материаловедение (по отраслям)
- Машиноведение, системы приводов и детали машин
- Системы приводов
- Трение и износ в машинах
- Роботы, мехатроника и робототехнические системы
- Автоматы в машиностроении
- Автоматизация в машиностроении
- Технология машиностроения
- Технологии и машины обработки давлением
- Сварка, родственные процессы и технологии
- Методы контроля и диагностика в машиностроении
- Машины, агрегаты и процессы (по отраслям)
- Машины и агрегаты пищевой промышленности
- Машины, агрегаты и процессы полиграфического производства
- Машины и агрегаты производства стройматериалов
- Теория механизмов и машин
- Экспериментальная механика машин
- Эргономика (по отраслям)
- Безопасность особосложных объектов (по отраслям)
- Организация производства (по отраслям)
- Стандартизация и управление качеством продукции