автореферат диссертации по радиотехнике и связи, 05.12.13, диссертация на тему:Разработка и исследование функциональных узлов для систем телекоммуникаций на основе уточненных моделей полевых транзисторов

Введение.

1. Анализ моделей полевых транзисторов

1.1. Общие замечания.

1.2. Анализ электрических моделей

1.3. Анализ математических моделей.

1.4. Выводы и постановка вопросов дальнейших исследований

2. Разработка и исследование уточненных моделей полевых транзисторов.

2.1. Постановка основных вопросов исследования

2.2. Сравнение теоретических и экспериментальных характеристик ПТ.

2.3. Разработка уточненных моделей ПТ.

2.4. Методика и аппаратура для определения параметров уточненных моделей ПТ.

2.5. Результаты исследований.

2.6. Выводы по главе.

3. Уточнение теории устройств на ПТ.

3.1. Постановка основных вопросов.

3.2. Уточнение теории устройств на ПТ в режиме усиления.

3.3. Уточнение теории выпрямителей и детекторов на ПТ

3.4. Свойства ПТ, работающих в комбинированном режиме

3.5. Уточнение теории смесителей на ПТ.

3.6. Выводы по главе.

4. Применение ПТ в режиме с прямыми токами затвора и подложки

4.1. Применение МДП транзисторов в режиме с прямыми токами подложки.

4.2. Функциональные узлы для аппаратуры телекоммуникаций на ПТ в режиме с прямыми токами затвора.

4.3. Выводы по главе.

5. Проектирование функциональных узлов аппаратуры телекоммуникаций на основе уточненных моделей ПТ.

5.1. Разработка пакета прикладных программ.

5.2. Методики расчета функциональных узлов на основе уточненных математических моделей ПТ.

5.3. Выводы по главе.

Научно-техническая революция привела к значительному возрастанию потоков информации, циркулирующих в системах связи.

Для передачи и обработки этой информации потребовалось существенно повысить пропускную способность систем связи и преобразовать ее к виду, пригодному для ввода в ЭВМ.

Это обусловило необходимость создания интегральных цифровых сетей связи (ИЦСС), в которых информационные сигналы всех видов, в том числе аналоговые, передаются в цифровой форме.

Интегральный характер таких сетей проявляется в единообразии принципов построения каналообразующей аппаратуры и в тенденции к совмещению в общих устройствах функций уплотнения и коммутации.

Решение перечисленных задач при приемлемых экономических затратах возможно только на базе широкого внедрения в технику электросвязи новейших достижений микроэлектроники и оптоэлектроники.

Совершенствование средств связи сопровождается их электронизацией. И главное состоит не только в резком увеличении количества полупроводниковых компонентов, но и в значительном расширении при этом их функциональных возможностей.

Венцом этого процесса является комплексная миниатюризация средств связи, реализуемая на основе элементной базы с высоким уровнем интеграции, обладающей высокой степенью универсальности, а также однородностью по установке, включению и питанию аппаратуры: современная аппаратура телекоммуникационных систем выполнена на основе больших (БИС) и сверхбольших интегральных схем (СБИС). Наблюдается тенденция постоянного усложнения СБИС для телекоммуникаций, определяемая следующими социальными, научными и техническими факторами: 5

• глобальной информатизацией общества, основанной на взаимоувязанных новых технологиях передачи сигналов (синхронная цифровая иерархия - SDH, асинхронный режим передачи - ATM, мобильная связь на принципах кодового разделения сигналов - CDMA и т.д.), создаваемых на базе функционально законченных СБИС повышенной степени интеграции;

•перспективностью новой мультимедийной телекоммуникационной технологии, что побуждает потребителя тратить значительные средства на приобретение устройств «офисных» информационных и телекоммуникационных центров, программное обеспечение и встраиваемые платы на основе СБИС, что, в свою очередь, увеличивает инвестирование в эти области электроники;

•жесткой конкуренцией на рынке производителей СБИС , стимулирующей постоянное совершенствование схем и их технологии, ввод новых узлов, снижение стоимости и миниатюризация количества типов схем навесных элементов ( в настоящее время для схем цифровой обработки сигналов в мобильной станции сотовых систем GSM, CDMA и др. достаточно одной СБИС).

Базовыми элементами таких ИМС являются биполярные (БТ) и полевые (ПТ) транзисторы. По совокупности технико-экономических показателей ПТ превосходят известные активные элементы (высокое входное сопротивление; малое энергопотребление; низкая стоимость; высокое быстродействие; широкий частотный диапазон; повышенная радиационная стойкость). Поэтому наблюдается тенденция широкого использования ИМС на основе полевых транзисторов. В связи с этим исследование свойств и новых применений полевых транзисторов является своевременным [55].

Аппаратура ТКС отличается сложностью и разнообразием функций и состоит из большого количества взаимодействующих элементов.

Разработка такой аппаратуры занимает несколько лет и требует привлечения значительного числа специалистов. Однако большие сроки 6 проектирования часто неприемлемы, так как оказываются соизмеримыми со временем морального износа аппаратуры.

Решить задачу разработки сложной аппаратуры в сжатые сроки удается при использовании блочно-иерархического принципа. При его использовании весь процесс проектирования делится на уровни. На высшем уровне используется наименее детализированное представление, отражающее только общие черты и особенности проектируемой аппаратуры. На каждом более низком уровне разработки степень подробности рассмотрения возрастает. При этом аппаратура рассматривается не в целом, а отдельными блоками. Такой подход позволяет на каждом уровне формулировать и решать частные задачи приемлемой сложности, поддающиеся уяснению и пониманию одним человеком и решению с помощью имеющихся средств проектирования.

Особое место при разработке микроэлектронной аппаратуры занимают методы структурного синтеза, к основным из которых относят математическое моделирование, логический синтез и метод наращивания функций.

Первый метод используется для структурного синтеза сравнительно простых аналоговых устройств. При этом могут применяться модели, обладающие поэлементным подобием или подобием по выходному эффекту.

Метод логического синтеза пригоден для синтеза цифровых устройств, так как основан на применении булевых функций.

Метод наращивания функций обладает более универсальными свойствами и пригоден для структурного синтеза как для аналоговых, так и для цифровых устройств практически любой сложности. Решаемая с его помощью задача сводится к отысканию схемы, содержащей минимальное число функциональных узлов (ФУ), межсоединений и элементов сопряжения, которая обеспечивает осуществление заданных преобразований сигналов. Использование этих методов позволяет уточнить теорию ряда аналоговых и цифровых устройств, пригодных для использования в БИС и СБИС, что является важным предметом для научных исследований [64]. 7

Создание программ машинного расчета и анализа электронных схем на полевых транзисторах требует знания аналитических функций, описывающих зависимости токов электродов от напряжения на этих электродах. Известен ряд моделей ПТ, призванных решить эту задачу. Однако, некоторые из этих моделей довольно схематичны и не отражают в достаточной мере специфических свойств ПТ, другие же содержат параметры, отсутствующие в справочной литературе. Поэтому поиск достаточно точных аналитических представлений ВАХ ПТ, и разработка методик определения параметров моделей и адекватных алгоритмов расчета базовых схем устройств телекоммуникаций с заданными параметрами представляет значительный интерес [1, 55].

Цель работы

Цель работы заключается в разработке и исследовании узлов и устройств телекоммуникационных систем на основе уточненных моделей полевых транзисторов.

Задачи исследования:

- Создание электрических и математических моделей, адекватно отражающих свойства серийных ПТ.

- Разработка методики и аппаратуры для определения параметров уточненных моделей.

- Разработка технических решений широко распространенных функциональных узлов на основе моделей полевых транзисторов с уточненными параметрами.

- Разработка методик расчета устройств телекоммуникаций на основе ПТ с уточненными параметрами электрических и математических моделей. 8

- Разработка пакета прикладных программ для машинного расчета устройств ТКС на основе уточненной параметрической, электрической и математической моделей ПТ.

- Разработка рекомендаций по применению результатов работы при проектировании телекоммуникационной аппаратуры.

Методы исследования.

В работе используются методы математической статистики, машинного моделирования, теории линейных и нелинейных электрических цепей.

Научная новизна:

- уточнена теория работы ПТ в режимах усиления, управляемого сопротивления, с прямыми токами затвора и подложки;

- разработаны алгоритмы определения параметров уточненных моделей ПТ, оценки частотных, шумовых и нелинейных свойств ФУ ТКС;

- предложены методики расчетов основных характеристик для ряда функциональных узлов на основе уточненных моделей ПТ.

Практическая ценность

- Предложены модели ПТ, которые дают возможность уточнить расчет функциональных характеристик аналоговых и цифровых схем телекоммуникаций.

- Определены уточненные параметры моделей на основе анализа результатов статистических исследований партий серийных ПТ.

- Предложены новые технические решения широко распространенных функциональных узлов, обеспечивающие лучшие технико-экономические показатели по сравнению с существующими.

- Разработаны программы расчета широко распространенных функциональных узлов аппаратуры телекоммуникаций. 9

- Разработана аппаратура для определения отсутствующих в справочной литературе параметров моделей ПТ.

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на:

- международных научно-технических конференциях «Информатика и проблемы телекоммуникаций» (Новосибирск, 1998, 2001, 2002).

- российских научно-технических конференциях «Информатика и проблемы телекоммуникаций» (Новосибирск, 1999, 2000).

- семинарах кафедры ТЭ СибГУТИ, Новосибирск, 1998 - 2002.

- международных научно-технических конференциях «Проблемы электронного машиностроения» АПЭП (Новосибирск, 2000, 2002).

- международных научно-технических семинарах по повышению квалификации «Перспективы развития современных средств и систем телекоммуникаций» (Новосибирск, 1999, 2001, 2002).

Результаты работы внедрены в опытно-конструкторские разработки ФГУП НИИ «Восток»: методики определения параметров ПТ, отсутствующие в ЧТУ и справочных данных на ПТ.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 16 печатных работ, результаты отражены в отчетах по НИР.

Объем работы

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы и приложений. Диссертационная работа содержит 147 страниц, 55 рисунков, 9 таблиц, 6 страниц списка литературы, включающего 99 наименований и 20 страниц приложений.

Основные результаты работы и их значение:

1. Научные результаты:

- Разработаны уточненная параметрическая и математическая модели ПТ, уточнены параметры электрических моделей полевых транзисторов, позволяющие определить высшие производные крутизны и проводимости каналов ПТ, которые адекватно характеризуют свойства реальных ПТ.

- Разработана методика определения уточненных параметров электрических моделей, отсутствующих в справочной и технической литературе, на основе статистических исследований полевых транзисторов.

-Предложены методики и алгоритмы расчетов основных характеристик ФУ аппаратуры телекоммуникаций широкого применения.

-Доработана теория полевых транзисторов, работающих в режиме с прямыми токами затвора, с использованием функций Бесселя.

- Доработана теория ПТ в комбинированном режиме (сочетающем режимы прямых токов затвора и управляемого сопротивления);

2. Практические результаты:

-Разработана аппаратура и проведены экспериментальные исследования серийных ПТ с целью определения параметров, отсутствующих в ЧТУ.

- Разработан пакет прикладных программ, содержащий программу выбора перспективных типов ПТ для конкретной разработки, программу расчета уточненных параметров электрической модели ПТ и программу расчета параметров и характеристик ФУ на полевых транзисторах.

147

- Предложены технические решения функциональных узлов широкого применения, разработанные на основе уточненных математических и параметрических моделей ПТ.

- Рассмотрены возможности реализации ФУ, использующих ПТ с р-п переходом в режиме с прямыми токами затвора и МДП-транзисторов - с прямыми токами подложки;

- Рассмотрены возможности построения узлов на ПТ, работающих в комбинированном режиме.

- Рассмотрены возможности применения ФУ, разработанных с использованием уточненных моделей ПТ, в аппаратуре контроля, а также в аналоговых и цифровых трактах звукового вещания и аппаратуре ТКС.

Для внедрения рекомендованы:

- уточненные модели ПТ (НПО «Восток»);

- аппаратура контроля (НЗПП, завод «Экран»).

Для внедрения в учебный процесс рекомендованы:

- уточненная параметрическая модель, широко используемая при выполнении курсового и дипломного проектирования;

- технические решения лабораторных работ по темам: «Исследование полевых транзисторов», «Исследование электронных регуляторов», «Изучение генераторов с электронной перестройкой частоты с помощью ПТ»;

- пакет прикладных программ.

Автор выражает глубокую благодарность научному руководителю за постоянную поддержку и помощь в поисках решений, Воробьевой C.B. за помощь в проведении статистических исследований, и коллективу кафедры ТЭ за моральную поддержку.

148

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. 2000 S SDH MICROWAVE RADIO EQUPMENT. NEC. JLV- 98 SE 09.11. Issue 3, sept. 1998, book 1-5

2. Antognetti P.,Massobrio G. Semiconductor device modeling wits SPICE. McGraw-Hill, Inc. New York, 1988

3. Curtice W. E. A MESFET model for use in the design of GaAs integrated circuits // IEEE Transistors on Microwave theory and techniques. 1980.MTT-28. P. 448-456

4. Curtice W. R. GaAs MESFET Modeling and Nonlinear CAD // IEEE Transistors on Microwave theory and techniques. 1988.V. 36 № 2. P.220-230

5. Edwin W. Creeneich. Analog integrated circuits. International Thomson Publishing, New York 1997, 34 lp

6. Gave K.J.S., Wilson B.L.H. Field effect transistors // Sci. Progr. 1977. V.64. №255. P.323-329.

7. Greenfield J.D. Practical transistors and linear integrated circuits/ New York et al: Wiley, 1998.-XIV, 686p.

8. McCamant A.J., McCormack G.D., Smith R.A. An improved GaAs MESFET model for SPICE // IEEE Transistors on Microwave theory and techniques. June. 1990.

9. MicroSim Pspice A/D. Circuit Analysis References Vanual. Ver.6.2. MicroSim Corporation. California, 1995. 431p.

10. Pierret J.R. A MOS parameter extraction program for the BSIM model. Memorandum № M84/99 and M84/100. University of California, Berkeley, November 1984.

11. Shichman H, Hodges D.A. Modeling and simulation of insulated-gate field-effect transistors switching circuits // IEEE journal of solid-state circuits. Sept. 1968.V. SC-3.P. 285

12. Shokley W. A unipolar field-effect transistors // Proc. IRE, 1952, v.40, nov, p.1365-1376.

13. Startz H., Newman P., Smith I.W., Pucel R.A.,Haus H.A. GaAsFET device and circuit simulation in SPICE // IEEE transistors on electron devices. 1987. ED-34. P.160-169.

14. Sussman-Fort S.E., Narasimhan S, Mayaran R. A complete GaAs MESFET computer model for SPICE // IEEE Transistors on Microwave theory and techniques. 1984.MTT-32. P. 471-473

15. A.c. 1150102 СССР. Электронное устройство защиты от перенапряжений // А.Н.Игнатов.- Опубл. 1985, Бюл.№20.

16. А.с. 316202 СССР . Устройство избирательного вызова // Игнатов А.Н., Косолапов Г.И.- Опубл. 1971, Бюл.№29.

17. А.с. 490031 СССР . Вольтметр // Игнатов А.Н.- Опубл. 1975, Бюл.№40.

18. А.с. 660116 СССР. Реле времени // А.Н.Игнатов.- Опубл. 1979, Бюл.№16.149

19. Аксенов А.И., Нефедов A.B. Отечественные полупроводниковые приборы. Аналоги отечественных и зарубежных приборов. Кн.1: Справ.пособие.-М.: Солон-Р. 1999.-489с.

20. Аксенов А.И., Нефедов A.B., Юшин A.M. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры. Диоды. Транзисторы: Справочник.-М.: Радио и связь, 1992.-222с.

21. Алексеев В.В. Полевые транзисторы большой мощности средней частоты: Справ. Дан., схемотехника, аналоги. Ростов н/Д: РОСТЭК, 1999.-208с.

22. Аналоговая и цифровая электроника: Учебник для вузов/ Под. ред О.П. Глудкова.-М.: Радио и связь, 1996.-768с

23. Антипов Б.Л. и др. Материалы электронной техники: Задачи и вопросы: Учеб. Пособие для вузов по спец. электрон, техники/ Под ред.

24. В.А.Терехова.-М.: Высш. шк.,1990-208с.

25. Антипов Г.В. Транзистры: -М Изд-во Всесоюз. заоч. политехи, ин-та, 1990. -69с.

26. Баталов Б.В., Егоров Ю.Б., Русаков С.Г. Основы математического моделирования больших интегральных схем на ЭВМ. М.: Радио и связь, 1982

27. Батушев В.А. Электронные приборы: Учебник для вузов // М.: Высшая школа, 1980, 383с.

28. Бельков А.К. Гантман Е.И. Давыдова Т.И. Зиньковский А.И. Новые биполярные и полевые транзисторы : Справочник/ Под общ. ред. Б.Л. Перельмана .-М.: Символ-Р: Радио, 1993.-95с.

29. Букингем М. Шумы в электронных приборах и системах // М.: Мир, 1984.

30. Ван дер Зил Тепловые шумы в полевых транзисторах // ТИИЭР, 1962, т.50, №8, с.1848-1853.

31. Взаимозамена японских транзисторов: Справ./Сост. В.В.Донец. -М.: Солон-Р, 2001.-359 с.

32. Вильф Ф.Ж. Методы измерений электрофизических параметров полупроводников: Учеб. Пособие -МД990. -144с.

33. Галкин В.Н. Полевые транзисторы в чувствительных усилителях // Л.: Энергия, 1974, -144с.

34. Гантман Е.И. Давыдова Т.И. Перельман Б.Л. Травина И.Н. Новые транзисторы для аппаратры широкого применения: Справочник/ Подольск: Солон.-Ч.1-128с.

35. Гозлинг В.Н. Применение полевых транзисторов: Пер. с англ. // Под ред. В.Н. Семенова и др. М.: Энергия, 1970, -193с.

36. Горохов В.А., Качала H.H. Построение переключающих схем на тетродном тиристоре, заменяющем пару транзисторов различной проводимости // В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение. М., 1969, вып.22, с.260-275.

37. Горохов В.А., Полковский И.М., Стыцько В.П. Комплексная миниатюризация в электросвязи. М. : Радио и связь, 1987, -280 с.150

38. Гринфилд Д. Транзисторы и линейные ИС: Руководство по анализу расчету/ Пер. с англ. Н.И. Кузнецова .-М.: Мир, 1992.-556с

39. Дулин В.И. Электронные приборы: Учебник для вузов // М.: Энергия, 1977,-672 с.

40. Духнич Е.И. Модели интегральных транзисторов: Учеб. пособие, Слесарев Г.В.-Волгоград, 1999.-108с.

41. Зарубежные микросхемы, транзисторы, диоды 0.9:Новейший справ./Сост. Корякин-Черняк C.J1. -СПб.: Наука и техника, 2001. -688с.

42. Зарубежные микросхемы, транзисторы, диоды 0.9:Новейший справ./Сост. Корякин-Черняк C.JI. -СПб.: Наука и техника, 2001. -725с.

43. Игнатов А.Н. Микроэлектронные устройства связи и радиовещания // Томск: Радио и связь, 1990.

44. Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение // М.: Радио и связь, 1984, -215с.

45. Игумнов Д.В., Громов И.С. Эксплуатационные параметры и особенности применения полевых транзисторов // М.: Радио и связь, 1981, -64с.

46. Игумнов Д.В., Терехов В.А., Фролов В.Н. МОП-транзистор -функциональный микромощный прибор // Известия вузов, серия Приборостроение, 1976, т. 19, №12, с.82-84.

47. Каскады радиоприемников на полевых транзисторах // Под ред. Н.Г. Петрова, М.: Энергия, 1974, -193с.

48. Кауфман, Милтон, Сидман, Артур Практическое руководство по расчетам схем в электронике. Справочник: В2т:Пер.сангл.] /Под ред.Ф.А.Покровского.-М.:Энергоатомиздат, 1993.-287с. 26

49. Качаева H.A. Малошумящие транзисторы и усилители.-Б.м.: Исток, 1994. -43с.

50. Кобболд Р.Г. Теория и применение полевых транзисторов: Пер. с англ./Пер В.В.Макарова // Л.: Энергия, 1975, -304 с.

51. Козинцева Л.П. Усилители на полевых транзисторах // М.: Связь, 1975, -95с.

52. Кремлев В.Я. Инжекционные интегральные схемы // Итоги науки и техники, серия Электроника и ее применение, т. 10, 1978.

53. Кроуфорд Р.Г. Схемные применения МОП-транзисторов: Пер. с англ./ Под ред. М.С.Сонина// М.; Мир, 1970, -191с.

54. Лачин В.И., Савельев Н.С. Электроника: Учеб. пособие. Ростов н/Д: изд-во «Феникс», 2001. - 448с.

55. Малин Б.В., Сонин М.С. Параметры и свойства полевых транзисторов. М.; Энергтия, 1967.

56. Милехин А.Г. Радиотехнические схемы на полевых транзисторах // М.: Энергия, 1976, -144с.

57. Немурадов В.Г., Малышев И.В. Проблемы разработки специализированных СБИС для перспективной аппаратуры связи // Труды Междунар. Академии связи, 1997, №1, с. 14-15151

58. Норенков И.П. Введение в автоматизированное проектирование технических устройств и систем.- М.: Высшая школа, 1980. 311с.

59. Петухов В.М. Аналоги отечественных и зарубежных транзисторов: Справочник: -М.:РадиоСофт, 1999. 318с.

60. Петухов В.М. Зарубежные транзисторы и их аналоги Т.1.-1998. -830с.

61. Петухов В.М. Зарубежные транзисторы и их аналоги Т.2.-1998. -896с.

62. Петухов В.М. Зарубежные транзисторы и их аналоги: Справочник: В 5т. М. :РадиоСофт.-Т. 1.- 830с.

63. Петухов В.М. Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой мощности и их зарубежные аналоги: Справочник/ М.:Кубк-а, 1997.-672с.

64. Петухов В.М. Полупроводниковые приборы Транзисторы: Доп. первое: Справочник.-М.: Радио и связь, 1993.-223с

65. Петухов В.М. Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Дополнение первое: Справ.- М.:Радио и связь, 1993.- 830с.

66. Полевые транзисторы. Физика, технология и применения: Пер. с англ./ Под ред. С.А.Майорова // М.: Сов. Радио, 1971, -374с.

67. Попов В.Н. Формальная аппроксимация вольт-амперных характеристик полевых транзисторов // Радиотехника и электроника, 1966, т.11, с.2628.

68. Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций. Спб.: Корона принт, 1998. -399с.

69. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат Design Center Pspice // М.: «СК Пресс», 1996.

70. Романов В.П. Физические процессы в полупроводниках, р-n переходе биполярном и полевом транзисторах: Учеб.пособие. -М., 2001. -63с.

71. Са К. Теория генерации НЧ шумов в полевых транзисторах с плоским затвором // ТИИЭР, 1964, т.52, №7, с.849-869.

72. Севин Л.Д. Полевые транзисторы: Пер.с англ. / Под. Ред. УЕ.З. Мазеля // М.: Сов. Радио, 1967, -181с.

73. Системы электросвязи // Под ред. Шувалова В.П.- М.: Радио и связь, 1987, -512с.

74. Современные зарубежные транзисторы: Справ.-З изд., перераб. И доп. -М.: Солон-Р, 2000.-768 с.

75. Справочник по зарубежным транзисторам. М.: СОЛОН, 1998.-654 с.

76. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем // М.: Энергия, 1977, 424с.

77. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Подлупроводниковые приборы.-М.: Энергоатомиздат, 1997.-576с

78. Тули, Майкл. Карманный справочник по электронике/ Пер. с англ. В.В. Попова.-М.: Энергоатомиздат, 1993.-173с.

79. Турута Е.Ф. Зарубежные транзисторы: Справ.-М.: Горячая линия-Телеком, 2002.-756 с.152

80. Усилители с полевыми транзисторами // В.М.Немчинов, В.Г.Никитаев, М.А.Ожогин, В.В.Ляхович- М.: Сов. Радио, 1980, -191с.

81. Фадеева Н.Е. Математические модели полевых транзисторов // Информатика и проблемы телекоммуникаций : Тез. докл. на междунар. научно техн. конф. - Новосибирск, 1998, с. 83-84.

82. Фадеева Н.Е., Игнатов А.Н. Исследование функциональных устройств на полевых транзисторах в режиме с прямыми токами затвора (подложки) // Информатика и проблемы телекоммуникаций : Тез. докл. на междунар. научно техн. конф. - Новосибирск, 1998, -82 с.

83. Фадеева Н.Е. Применение МДП транзисторов в режиме с прямыми токами подложки / Сиб. Гос. ун-т телекоммуникаций и инфоматики.-Новосибирск, 1999 15с. : ил.-8 Библиогр. : 7 назв. (Рукопись деп. в ВИНИТИ № 1282-В99 от 22.04.99)

84. Фадеева Н.Е. Уточненные модели полевых транзисторов для САПР // Информатика и проблемы телекоммуникаций : Тез. докл. на российской науч. техн. конф. - Новосибирск, 1999. - 47 с.

85. Фадеева Н.Е., Игнатов А.Н. Проектирование устройств телекоммуникаций на основе моделей полевых транзисторов // Информатика и проблемы телекоммуникаций: Тез докл. на российской науч.-техн. конф. -Новосибирск, 2000.

86. Фадеева Н.Е. Методика определения параметров уточненных моделей полевых транзисторов // Информатика и проблемы телекоммуникаций: Тез. докл. на российской науч.-техн. конф. Новосибирск, 2000.

87. Фадеева Н.Е. Уточненные модели полевых транзисторов и определение их параметров // Актуальные проблемы электронного машиностроения.-Труды V Междунар. конф. АПЭП-2000

88. Фадеева Н.Е., Игнатов А.Н. Теория и применение полевых транзисторов в режиме с прямыми токами затвора // Актуальные проблемы электронного машиностроения.-Труды V Междунар. конф. АПЭП-2000.

89. Фадеева Н.Е. Определение параметров уточненных моделей полевых транзисторов // Информатика и проблемы телекоммуникаций: Тез. докл. на междунар. науч.-техн. конф. Новосибирск, 2001.

90. Фадеева Н.Е., Игнатов А.Н. Функциональные узлы телекоммуникационной аппаратуры на основе МДП транзисторов в режиме с прямыми токами подложки // Материалы междунар. науч.- техн. семинара по повышению квалификации- Новосибирск, 2002.

91. Fadeeva N., Ignatov A. Specifications of the theory of telecommunication system devices on the basis FET // International conference APEIE 2002, Novosibirsk.

92. Фалько А.И., Фомин Н.И., Буга H.H. и др. Радиоприемные устройства / под ред. проф. Н.И.Фомина. М.: Радио и связь, 1996. - 511с.

93. Фишер В. Эквивалентная схема и коэффициент усиления полевых МОП-транзисторов // Зарубежная электроника, 1967, №4, с. 12-15

94. Фогель. Нелинейные искажения и процесс смешения в полевых транзисторах // ТИИЭР, 1967,т.55, №12, с.42-49.

95. Электроника: Справочная книга/ Под. ред Ю.А. Быстрова.-СПб.: Энергоатомиздат, 1996.-544с.1541. ЛИЧНЫЙ ВКЛАД АВТОРА

96. В 80. автором проведено экспериментальное исследование ФУ на полевых транзисторах в режиме с прямыми токами затвора, а также предложены варианты ФУ на МДП-транзисторах с прямыми токами подложки и экспериментально доказана их работоспособность.

97. В 82. предложена методика инженерного расчета ФУ на ПТ с прямыми токами затвора.

98. В 83. проведено экспериментальное исследование оригинальных технических решений и предложены ФУ на МДП-транзисторах с прямыми токами подложки.

99. В 85. сформулированы рекомендации по применению ФУ на ПТ в трактах телефонии.

100. В 86. автором предложена методика инженерного расчета устройств телекоммуникаций на основе уточненных моделей ПТ.

101. В 89. доработана теория затворного детектора и доказана ее пригодность для практического применения.

102. В 90. автором приведены результаты экспериментальных исследований базовых ячеек ЭКП. Предложены аналитические выражения для определения нелинейных и частотных искажений и собственных шумов.

103. В 91. предложена уточненная многопараметрическая модель ПТ и алгоритм расчета ФУ на основе уточненных математических моделей.

104. В 93. автором рассмотрены функциональные узлы на МДП-транзисторах с прямыми токами подложки, дополняющие библиотеку ФУ СБИС.

105. В 94. предложены соотношения для оценки шумовых, частотных и нелинейных свойств электронных и автоматических регуляторов.155