автореферат диссертации по электротехнике, 05.09.03, диссертация на тему:Разработка электрооборудование для реализации фотонно-плазменной технологии

-

"" На правах рукописи

ЛЕЖЕПЕКОВ Игорь Викторович

РАЗРАБОТКА ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ

ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ ФОТОННО - ПЛАЗМЕННОЙ ТЕХНОЛОГИИ

05.09.03 - Электротехнические комплексы и системы, включая их управление и регулирование

АВТОРЕФЕРАТ диссертации' на соискание ученой степени кандидата технических наук

Краснодар 1997

Работа выполнена в Кубанском государственном технологическом университете.

Научный руководитель - доктор технических наук, профессор Коробейников Б.А.

Официальные оппоненты - доктор технических наук, профессор Куценко А.Н.

кандидат технических наук, доцент Кузубов В.М.

Ведущее предприятие - АО "Кубаньэнерго"

(г. Краснодар)

Защита диссертации состоится 9> 1997 г.

в У^/ час. на заседании диссертационного совета К 063.40.06 Кубанского государственного технологического университета (Краснодар, ул. Красная, 135, ауд. 80).

С диссертацией можно ознакомится в библиотеке Кубанского государственного технологического университета -350072, Краснодар, ул. Московская, 2.

Автореферат разослан "//" -^^4997 г.

Ученый секретарь диссертационного совета К 063.40.06, к.т.н., доцент

В.И. Лойко

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы исследования. Все более г.озрастающий интерес к фотонно-плазменным технологиям вызывает необходимость в разработке аппаратуры для ее реализации. На рынке высоких технологий фотонно-плазменная технология стоит в первых рядах, так как она открывает большие возможности в обработке материалов и синтезе новых веществ. Наиболее известным применением фотонно-плазменных установок является использование их для накачки оптических квантовых генераторов -лазеров, а также использование непосредственного воздействия фотонного потока на материалы и среды для активации физических и химических процессов. Другое известное применение плазменных установок - это обработка поверхностей материалов и изделий тепловым воздействием плазменной струи. Интенсификация фотонно-плазменных технологий напрямую связана с увеличением мощности потока излучения плазмы, которая является самым мощным из всех известных источников излучения.

Увеличение мощности излучения плазмы в оптическом диапазоне-фотонного излучения ограничивается техническими возможностями основных источников этого излучения газоразрядных ламп. Однако известно, что существуют условия при которых открытый плазменный столб является эффективным источником фотонного излучения и практически подавляющая часть его мощности выделяется в оптическом диапазоне излучения. Эти условия могут быть созданы за счет разработки электротехнического комплекса, включающего специализированное электрооборудование и генератор низкотемпературной плазмы -излучающий плазмотрон. За счет изменения параметров плазмы с помощью разработанного комплекса станет возможным перераспределять компаненты потока излучения плазмотрона и выполнять технологические операции фотонной и тепловой плазменной обработки при уровнях энергий, превышающих существующие на порядок и более.

Цель работы. Целью настоящей работы является разработка электротехнического комплекса для реализации фотонно-плазменной технологии с использованием высоких энергий излучения плазмы.

В соответствии с поставленной целью в работе решаются следующие основные задачи.

- определение электрических параметров плазмы, при которых открытый плазменный канал электрической дуги большую часть своей энергии излучает в оптическом диапазоне длин волн и по своей излучательной способности приближается к характеристикам абсолютно черного тела;

- разработка математической модели электрической дуги как нагрузки системы электропитания установки и на ее основании исследование устойчивости электрической дуги в системе автоматического управления источника питания; '

- разработка излучающего импульсного плазмотрона для фотонно-плазменной технологии;

- разработка электрооборудования основных узлов фотонно-плазменной установки;

- выполнение экспериментальных исследований основных режимов работы установки;

- установление взаимосвязи основных технологических параметров плазменной обработки с электрическими параметрами установки и разработка на этом основании электротехнического комплекса для реализации фотонно-плазменной технологии.

Методы исследования

Решение поставленных в диссертационной работе научно-технических задач достигнуто на основе использования методов математического моделирования, расчитанных на применение ЭВМ. Решение системы нелинейных дифференциальных уравнений, входящих в состав математической модели управляемой системы электропитания плазмотрона (УСЭП), было получено при помощи метода Рунге-Кутта-Мерсона с автоматическим выбором шага интегрирования, при исследовании устойчивости УСЭП был использован метод фазовых траекторий, при обобщении результатов исследований использовались методы регрессионного анализа.

Экспериментальные исследования выполнялись на действующей установке. Обработка результатов эксперимента проводилась с использованием методов математической статистики.

Научная новизна работы заключается в следующих положениях и результатах.

На основании аналитических исследований физических процессов в плазме канала электрической дуги установлена возможность получения излучающей оптически прозрачной дуги в которой большая часть энергии излучается в оптическом диапазоне длин волн. Установлена взаимосвязь между электрическими параметрами и характеристиками излучегам такой дуга.

Выполнен анализ динамических характеристик нестационарной электрической дуги и определены подходы к оценке ее устойчивости при расчете динамических систем с дугой.

Обоснована возможность применения математической модели двухслойной газодинамической нестационарной электрической дуги, используемой для расчета параметров УСЭП плазмотронов, при анализе и расчете аналогичных систем с импульсными плазмотронами и дугой, движущейся в поперечном магнитном поле и на ее основе выполнены исследования устойчивости динамики УСЭП плазмотрона, а также оптимизированы параметры электрооборудования установки.

Разработаны инженерные методы расчета и выбора электродных узлов импульсных излучающих плазмотронов.

Обоснованы инженерные методы расчета параметров и выбора схемных решений . зарядных устройств емкостных накопителей энергии.

Установлена взаимосвязь технологических параметров плазменной обработки с электрическими параметрами установки и разработана структура электротехнического комплекса для реализации фотонно-плазменной технологии.

Практическая ценность работы состоит в том, что:

Разработаны и экспериментально проверены два варианта конструкции импульсного плазмотрона. Вариант конструкции импульсного плазмотрона с преобладающим тепловым ''потоком ориентирован на использование в технологии динамической плазменной обработки поверхностей и покрытий и в; частности, для удаления фоторезиста при изготовлении сверхбольших интегральных схем (СБИС). Вариант конструкции., импульсного плазмотрона с преобладающим потоком излучения в оптическом

диапазоне длин волн предназначен для фотонной обработки материалов и сред посредством активации и стимуляции физических и химических процессов.

Разработана плазменная установка с системой автоматического регулирования рабочего тока источника питания дуги плазмотрона, зарядным устройством емкостного накопителя энергии, системой магнитного управления движением электрической дуги и коммутацией разрядного тока емкостного накопителя энергии, а также радом вспомогательных устройств. Выполнены экспериментальные исследования узлов и установки в целом. :

Разработаны инженерные основы использования установки в реализации фотонно-плазменной технологии.

Разработан электротехнический комплекс для реализации фотонно-плазменной технологии.

Реализация результатов работы

Экспериментальный образец импульсной плазменной установки используется в лаборатории электротехнологии кафедры электроснабжения Кубанского государственного технологического университета при проведении исследований фотонно-плазменной технологии.

Апробация работы. Материалы диссертации докладывались и обсуждались на 2-ой Международной конференции по электромеханике и электротехнологии (Крым, 1996 г.), на научно-практических конференциях (Краснодар, КубГТУ, 1995, 1996 гг.), а также на научных семинарах кафедры электроснабжения промышленных предприятий КубГТУ.

Публикации. Основные результаты работы изложены в 9 опубликованных статьях, технические решения защищены авторским свидетельством на изобретение.

Структура работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка использованных источников, включающего 122 наименования, двух приложений, содержит 182 страницы, 46 рисунков.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность работы, определены ее основная цель, решаемые в ней задачи и' основные научные положения, выдвинутые на защиту.

В первой главе дана характеристика электрооборудования дуговых плазменных устройств, используемых в фотонно-плазменной технологии. Рассмотрены дуговые плазменные устройства, применяемые в качестве источников излучения высокой интенсивности. В этой связи рассмотрены газоразрядные лампы, устройства генерации разряда по поверхности диэлектрика, ускорители низкотемпературной плазмы и дуговые плазмотроны. В результате анализа требований фотонно-плазменной технологии к источникам излучения установлено, что наиболее оптимальным вариантом решения существующих технологических задач является разработка плазменных источников излучения высокой интенсивности, которые позволяли. бы выполнять операции тепловой и фотонной обработки за счет перераспределения компанент потока излучения. Показано, что наиболее полно этим требованиям отвечают плазменные источники с открытой дугой -излучающие импульсные плазмотроны. Рассмотрены особенности электрооборудования импульсных плазменных устройств с емкостными накопителями энергии. Использование промежуточного накопления энергии в конденсаторе позволяет осуществить формирование мощных импульсов излучения при питании установок от маломощной сети, получить высокий КПД устройства за счет согласования параметров схемы. Ставится задача разработки зарядно-разрядного устройства емкостного накопителя энергии.

Вторая глава посвящена вопросам исследования электрической излучающей дуги как нагрузки системы электропитания. В результате анализа вольтамперных характеристик излучающих электрических дуг установлено, что интенсивности излучения с единицы длины плазменного канала дуги зависит от силы тока, погонной массы исходного газа и заряда образовавшихся ионов. Причем увеличение тока приводит к сжатию излучающего разряда, увеличению его температуры и потока

излучения. Сжатие разряда создает условия, при которых длина свободного пробега фотонов превышает радиус канала разряда и излучение свободно выходит из объема. В этом состоянии плазменный канал по своим излучательным характеристикам приближается к абсолютно черному телу. Основной проблемой существования такого состояния электрической дуги является обеспечение ее устойчивости. Изучение этой проблемы показало, что решение задачи устойчивости дуги в электротехнологической установке как устойчивости процесса проводимости тока в нестационарной дуге связано с расчетом динамических систем с дугой прямыми методами на основе общих методов анализа устойчивости. Применение этих методов требует в свою очередь аналитической модели динамической дуги, описывающей нестационарные процессы проводимости тока плазмой столба дуги..

В результате анализа существующих математических моделей электрической дуги была установлена возможность использования двухслойной газодинамической модели нестационарной дуги для анализа и расчетов управляемых систем электропитания с импульсным излучающим плазмотроном.

Математическая модель УСЭП импульсного излучающего плазмотрона имеет следующий вид:

уравнение проводимости электрической дуги

(1)

уравнение электрической цепи с дугой

^иис/Ь-Я/Ьх!-

gxL

(2)

уравнения регуляторов:

П - регулятора

^ = [КР(Ы) - и^.ёоПо]хУ(ГрёоПо);

(3)

ПИ - регулятора Щ- = [Кри(1о Г О - Кр§]/(ЕоЛо) ; ' (4)

ш <я

^1=(Х-Ха.)ЛГР ; (5)

л

ПД - регулятора

= [Кри(1о - о - ТдКр^ - и, ЕоЛо] /(Тг2оЛо); (б)

Ш Си

модель управляемого выпрямителя .

г = иопх [1 -1 х(ш1- **)]; (7)

я- 3

2 N '

•иисг = и2шхзт(сй1+ - хя- — хя); (8)

модель душ

1д = 1, + УхЬ (9)

где Я - сопротивление цепи дуги;

и,,ст - напряжение источника питания; Ь индуктивность цепи дуги; Ц - длина дуги;

иг - сигнал на выходе регулятора; КР - коэффициент усиления источника питания; с Тр - постоянная времени источника питания; Ъ - пилообразный сигнал системы управления* и0п - опорный сигнал системы управления; N -счЬтчик ,N=0,1,2,3,....; игт - вторичное фазное напряжение понижающего трансформатора;

г - время движения дуги. Ь - начальная длина дуги

Исследования динамики УСЭП импульсного излучающего плазмотрона проводилось при отсутствии внешнего возмущающего воздействия, а также при .наличии внешнего возмущающего воздействия по, длине дуги и по величине потерь мощности на теплопроводность. При этом было установлено:

тип регулятора не оказывает существенного влияния на устойчивость УСЭП и качество регулирования тока дуги _ в импульсном режиме работы установки;

наиболее сильное влияние на динамику дуги оказывает скачкообразное увеличение ее длины;

с увеличением рабочего тока плазмотрона качество процесса регулирования возрастает при фиксированном значении коэффициента усиления регулятора;

величина индуктивности в цепи рабочего тока дуги оказывает существенное влияние на динамику системы. С ростом индуктивности величина относительного отклонения тока уменьшается и ослабляется влияние коэффициента усиления регулятора. •

Выполнены расчеты основных параметров системы автоматического регулирования рабочего тока дуги плазмотрона.

Определены зоны устойчивости дуги при определенных значениях индуктивности дросселя и коэффициенте, запаса по напряжению.

Третья глава посвящена разработке электрооборудования емкостного накопителя энергии. Основная проблема с которой приходится сталкиваться при разработке схем емкостных накопителей это снижение потерь энергии в зарядном и разрядном контурах этого устройства. В результате анализа процессов заряда емкостного накопителя показано, что оптимизация процесса заряда сводится к обеспечению такого закона изменения напряжения источника питания во времени, при котором потери энергии в зарядном сопротивлении минимальны. Оптимальным с точки зрения получения высокого КПД в зарядном контуре является заряд накопителя постоянным во времени током. Показано, что в техническом отношении наиболее приемлемым является заряд

накопителя в режиме стабилиззщги мощности, потр-^Сшземой от источника питания. Наиболее рациональным вариантом схемного решения является использование в качестве то коо гришч иеагошего элемента в зарядном контуре индуктивности. Установлена зависимость параметров токоогранкчивающего дросселя от энерпш емкостного накопителя. Предложена методика расчета и выбсрз параметров коммутирующих тиристоров в цепи зарядного контура накопителя. Выбраны варианты - схем . зарядных устройств, позволяющих получать при разряде емхосттного накопителя ка плазменный канал дуги импульсы мощностью до 200 Мвт. Разработан коммутатор разрядного тока большой мощности.

Четвертая глава посвящена разработке структурной схемы фотонно-плазменной установки, разработке конструкции излучающего импульсного плазмотрона, разработке основных элементов электрооборудования, а также проведению экспериментальных исследований и оценке технологических возможностей установки.

Разработана конструкция импульсного излучающего плазмотрона с магнитным управлением движения электрической дуга по рельсовым электродам в поперечном магнитном поле. Основные узлы плазмотрона унифицированы для двух вариантов конструкции - с преобладающим фотонным и преобладающим тепловым потоками излучения.Принцип работы плазмотрона с преобладающим фотонным потоком излучения (рис.1 ) заключается в следующем. Электрическая дуга возбуждается между электродах»! 6 и 7, причем анод 7 является неподвижным, а катод б с помощью электромагнитного привода перемещается в вертикальной плоскости. Исходным положением катода является верхнее расположение, когда зазор между анодом и катодом составляет 2-5 мм. В этом положении происходит возбуждение вспомогательной дуги за счет пробоя воздушного промежутка высоковольтным и высокочастотным импульсом от осциллятора. Как только ток дежурной дугой превысит 30 А автоматически включается система управления рабочей дуги и- включается электромагнитный привод 8 подвижного катода . Увеличение рабочего тока до 150-300 А происходит одновременно^ движением катода и достигает заданного значения при досппкетш катодом своего нижнего положения. В этот момент включается система

управления электромагнита 10 , создающего поперечное магнитное поле, под воздействием которого дуга переходит на линейные электроды 4,5 и с ускорением движется в сторону керамического контротражателя 1. На керамическом контротражателе установлены импульсные электроды 3, подключенные к емкостному накопителю энергии. При сходе с линейных электродов дуга замыкает импульсные электроды 3 и энергия, накопленная в конденсаторе, выделяется на разрядном промежутке. Под воздействием мощного импульса тока происходит пинчевание плазменного столба дуги, уменьшение его радиуса н резкое увеличение температуры. Одновргмешго с этим плазменный столб прижимается к керамической поверхности контротражателя и весь поток излучения направляется в сторону основного отражателя 2, где он частично фокусируется и направляется в технологическую зону установки.

Плазмотрон с преобладающим тепловым потоком (рис. 2 ) имеет некоторые конструктивные отличия от излучающего фотонного плазмотрона.

Основной задачей при разработке этого плазмотрона явилось создание технологической зоны, в которой плазменный канал дуги имеет стабильные параметры по всей высоте этой зоны. Конструктивно это обеспечивается за счет формирования лшшйного плазменного столба на параллельных электродах. Ввиду того, что в плазмотроне с преобладающим тепловым потоком требования к контракции дугового разряда ниже чем в излучающем, начальный участок формирования рабочего плазменного столба выполнен с неподвижным катодом , выполненным из циркония. Анод этого плазмотрона имеет такую же конструкцию, как и у излучающего. Участок линейных электродов - рельсотрон также унифицирован с излучающим плазмотроном, однако его геометрические размеры и конфигурация электродов приспособлены к технологии тепловой плазменной обработки. Кроме того, на линейном учаггке катодного узла по всей его длине предусмотрена подача газа для создания контролируемой атмосферы в технологической зоне. В месте схода дуги с электродов установлена дугогасительная камера, которая выполняет функции гашения пламени дуги и снижает перенапряжения, возникающие при сходе дуги с электродов и обрыве цепи. По конструктивным соображениям катушка магнитного управления установлена на участке поджига дуги.

Импульсный излучающий плазмотрон

1 Керамический контротражатель

2 Отражатель

3 Импульсные электроды

4 Линейный катодный электрод

5 Линейный анодный электрод о

6 Подвижный катод

7 Анод ,

8 Электромагнит управления катодом

9 Защитный экран

10 Электромагнит управления плазмой

11 Основание плазмотрона

Ресурс непрерывной работы электродов анодного и катодного узлов плазмотрона составляет не менее 200 часов.

Экспериментальные исследования проводились на установке, выполненной в соответствии с принципиальной схемой (рис. 3 )

Основные технические параметры установки:

1. Номинальная мощность установки, кВт................................ 60;

2. Номинальный ток управляемого выпрямителя

рабочей дуги, А...................................................................... 300;

3. Диапазон регулирования рабочего тока, А..................... 30-300;

4. Номинальное напряжение управляемого выпрямителя, В.... 230;.

5. Номинальный ток дежурной дуги, А..................................... 50;

6. Номинальная мощность зарядного устройства емкостного накопителя энергии, кВт........................................................ 10;

7. Номинальное напряжение емкостного накопителя, кВ....... 6;

8. Максимальная мощность излучающего импульса, Мвт...... 70;

9. Напряжение питающей сети, В.............................................. 380.

Исследование устойчивости системы автоматического регулирования тока рабочей дуги проводилось путем создания возмущающего воздействия на столб дуги за счет разряда на него предварительно заряженного конденсатора. Опыты проводились на неподвижной рабочей дуге , которая возбуждалась на участке 1 плазмотрона при водяном охлаждении электродов (рис.З ). Осциллограмы приведены на рис. 4. Зарядное устройство емкостного накопителя УТ2 обеспечивало заряд накопителя в интервале времени от 0,01 до 20 мс при емкости конденсаторов от 10 до 300 мкф.

Были решены вопросы защиты элементов установки от перенапряжений за счет использования тиристорной схемы шунтирования дросселя Ь2 ( рис.З ).

• Установлена взаимосвязь между, технологическими параметрами тепловой плазменной обработки и электрическими параметрами установки на основе тепловых процессов при взаимодействии плазмы с обрабатываемой поверхностью. На основе этих исследований в рамках научно-исследовательской работы, проводимой на кафедре электроснабжения Кубанского государственного технологического университета был разработан электротехнический комплекс (рис. 5) для динамической плазменной обработки диэлектрических и полупроводниковых материалов с целью нанесения покрытий, модификации поверхности

Импульсный плазмотрон для динамической плазменной

обработки

1. Катодный узел

2. Анодный узел

3. Защитный экран

4. Катушка магнитного управления

5. Выхлопная камера

6. Дугогаситсльная камера

7. Корпус рельсотрона

8. Магнитопровод

9. Водоохлаждаемый рельсовый анод

10. Водоохлаждаемый рельсовый катод

11. Керамическр«?>6оймы

12. Обрабатываемые СБИС

13. Керамический экран

14. Зона плазменного канала

полупроводников, травления фоторезиста при производстве сверхбольших интегральных схем ( СБИС).

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

В процессе выполнения работы получены следующие результаты. ,

1. Выполнен анализ электрооборудования существующих плазменных устройств, используемых в фотонно-плазменной технологии в качестве источников излучения. Обосновано использование открытого плазменного канала в качестве источника излучения большой мощности.

2. Исследованы процессы излучения открытого плазменного канала электрической дуги и при этом установлено, что оптически излучающие разряды, в которых длина свободного пробега фотонов превышает радиус плазменного канала и излучение свободно выходит из объема, являются эффективными излучателями, вся энергия которых уносится излучением. По своим излучательным характеристикам они приближаются- к характеристикам абсолютно черного тела. Радиус излучающего канала и его температура зависят от тока, поэтому характеристиками излучения плазмы можно управлять за счет создания конструкции излучающего плазмотрона и специальных источников питания.

3. Выполнены исследования электрической излучающей дуги как нагрузки системы электропитания и установлено, что источник питания такой дуги должен иметь крутопадающую внешнюю характеристику с автоматическим регулированием тока.

4. Обоснована возможность применения математической модели двухслойной газодинамической нестационарной электрической дуги для анализа и расчетов управляемой системы электропитания с импульсным плазмотроном и на ее основе выполнены исследования динамики системы, а также оптимизированы параметры электрооборудования установки.

5. Разработано электрооборудование емкостного накопителя энергии. Основу разработки составили исследования оптимизации процесса заряда с точки зрения получения высокого КПД и рациональный выбор схемных решений.

Схема принципиальная установки для фотонно- плазменной

обработки

- ззо в

кБУ

-е* -й-

УТЗ УТ4

\ПГ1- Блок магнитного управления УТ2- Зарядное устройство накотугеля УТЗ- Источник рабочего тока УТ4- Источник дежурного тока ЭУ- Электромагнит управления БП- Блок поджига дуги М- Магнитопровод МД- Катушка магнитного управления

1. Электроды узла зажигания дуги

2. Рельсотрон

3. Разрядные электроды

4. Разрядный контур

5. Катущка магнитного управления

Экспериментальные исследования параметров управляемой системы электропитания плазмотрона

Устойчивость системы при внешних возмущениях Разряд конденсатора на дугу 1д = 150 А, Ш = 120 В, 11 = 60 мм, Ь = 0,05 Гн, ис = 500 В.

Ч ! I I л

I Ч

Л"

I I

'Ч »

|Ч I'1 > '

г 1

1 ->. ъ Ь ** °V- \ .

"»ч^« Г 1л? х-?Ч-.Ч-<■ «и-, " ^

-<* - У

А

(а)

Разряд конденсатора на дугу 1д =200 А. Ud = 140 В, Ь = 80 мм, Ь = 0,05 Гн, ис = 500 В.

I

- -Ч

¡"~Й?Ггт Ш^Н 'иг/ .УР^Й» > ЙТ Ь ггУ Г|>мтйтЬ 'дГ'а

(б) Рис.4

Электротехнический комплекс для реализации технологии динамической плазменной обработки.

6. Разработаны два варианта конструкции импульсного излучающего плазмотрона - с преобладающим фотонным потоком излучения и с преобладающим тепловым потоком излучения.

7. Разработаны структурная и принципиальная схемы установки для реализации фотонно-плазменной технологии. Экспериментальными исследованиями подтверждена работоспособность всех элементов установки и справедливость теоретических расчетных соотношений.

8. Установлена взаимосвязь между технологическими параметрами плазменной обработки и электрическими параметрами установки. На основе полученных зависимостей разработан электротехнический комплекс, позволяющий проводить динамическую плазменную обработку по заданным технологическим параметрам.

Основные положения диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Лежепеков В.П., Смаглиев A.M., Шевченко Ж.И.,. Лежепеков И. В. Исследование динамики электрической дуги, движущейся по расходящимся электродам в поперечном магнитном поле: Краснодар, политехи, ин - т. -Краснодар, 1994,- 4с.

- Библиогр. 4 назв. - Рус.- Деп. в"Информэлектро", 03.04.94. № 24-эт94.

2. ЛежепековВ.П., Лежепеков И.В., Смаглиев А.М. Техника и технология фотонно-плазменной обработки материалов. Тезисы доклада научно-практической конференции "Повышение эффективности работы систем электроснабжения и электрооборудования Кубани". Краснодар, 1995. с. 12-13.

3. Лежепеков В.П., Смаглиев А.М., Лежепеков И.В. Получение высоковольтного импульсного разряда в случае предварительного формирования разрядного канала. Тезисы доклада научно-практической конференции "Повышение эффективности работы систем электроснабжения и электрооборудования Кубани". Краснодар, 1995. с. 13-14.

4. Коробейников Б.А., Шевченко Ж.И., Лежепеков И.В. Влияние импульсной плазменно-дуговой нагрузки на питающую сеть. Тезисы доклада научно-практической конференции ' Повышение эффективности работы систем электроснабжения и электрооборудования Кубани". Краснодар, 1995. с. 14-15.

5. Лежепехов В.П., Лежепеков И.В. Акализ процесса контракции при импульсном подогреве плазменного столба дуга. Тезисы доклада научно-практической конференции "Улучшение характеристик электротехнических комплексов энергетических систем и систем промышленного электроснабжения" Краснодар, 1996. с. 3.

6. Лежепеков В.П., Смаглиев A.M., Лежепеков И.В. Решение уравнения проводимости поперечно-обдуваемой дуги. Тезисы доклада научно-практической конференции "Улучшение характеристик злектротех!шческих комплексов энергетических систем и систем промышленного электроснабжения". Краснодар, 1996. с. 9.

7. Лежепеков В.П., Смаглиев A.M., Лежепеков И.В. Анализ процесса генерации излучения нестационарной электрической дуги вблизи отражаюшсл стенки. Тезисы доклада научно-практической конференции "Улучшение характеристик электротехнических комплексов энергетических систем и систем .промышленного электроснабжения" Краснодар, 1996. с. 10.

8. Лежепеков И.В. Оценка устойчивости динамической системы с электрической дугой. Тезисы доклада научно-практической конференции "Улучшение характеристик электротехнических комплексов энергетических систем и систем промышленного электроснабжения Краснодар, 1996. с. 9.

9. Лежепеков В.П., Коробейников Б.А., Лежепеков И.В..Излучающие • плазмотроны для фотонно- плазменной технологии. Тезисы 2-й Международной конференции по электромеханике и электротехнологии. Крым, 1996 г. с. 129-130.

10. Импульсная плазменная установка. A.C. СССР№ 1774830 Авторы Лежепеков В.П., Смаглиев A.M., Еськов-Сосковец В.М., Лежепеков'И.В.