автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.12, диссертация на тему:Моделирование и алгоритмизация проектирования аналоговых инжекционных ИС с учетом эксплуатационных воздействий в интегрированной САПР

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОСОБЕННОСТИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ АНАЛОГОВЫХ

ИНЖЕКЦИОННЫХ ИС С УЧЁТОМ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ

ФАКТОРОВ.

1.1.Повышение эффективности автоматизированного проектирования за счет учета эксплуатационных факторов.

1.2,Основные принципы моделирования поведения аналоговых инжекционных ИС при эксплуатационных воздействиях.

1.3.Анализ характеристик и возможностей промышленных интегрированных САПР МЭУ для разработки подсистемы проектирования аналоговых инжекционных ИС с учетом эксплуатационных факторов.

1.4.Цель и задачи исследования.

2. АВТОМАТИЗАЦИЯ ФОРМИРОВАНИЯ МОДЕЛЕЙ ИНЖЕКЦИОННЫХ

ТРАНЗИСТОРОВ, УЧИТЫВАЮЩИХ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ

ФАКТОРЫ.

2.1.Анализ требований к математическим моделям элементов МЭУ, учитывающим влияние эксплуатационных факторов.

2.2.Низкочастотная модель инжекционного транзистора, учитывающая влияние ЭФ.

2.3.Высокочастотная модель инжекционного транзистора, учитывающая влияние ЭФ.

2.4.Идентификация параметров модели инжекционного транзистора.

2.5. Статистические характеристики параметров инжекционного транзистора.

2.6.Алгоритм автоматизированного формирования и расчета параметров модели инжекционного транзистора.

Актуальность темы. В связи с расширением областей применения микроэлектронной аппаратуры (МЭА), широким использованием её компонентов в различных областях науки, техники, производства особую значимость приобретают вопросы прогнозирования и обеспечения стабильности её характеристик в условиях воздействия эксплуатационных факторов (ЭФ). Требуемые качественные характеристики МЭА и её компонентов (интегральных схем (ИС) различных конструктивно-технологических вариантов исполнения) должны закладываться на всех этапах проектирования, обеспечиваться при производстве и поддерживаться при эксплуатации.

Учитывая, что сложность микроэлектронных устройств (МЭУ) возрастает, что повышаются требования к их качественным характеристикам, задача разработки высоконадежной МЭА может быть решена при дальнейшем совершенствовании, развитии и использовании систем автоматизированного проектирования (САПР).

Используемые в практике проектирования МЭУ отечественные (Асоника [7], ДИСП [6.43], ПА-4,6 [83], АРИПС-ГЖ [85], ПАУМ [39], КАПР [26], МАРС [34,89], САМРИС [2], АРНС [14], СПРОС [62]) и зарубежные (Pspice [111], Saber [112], Biter [110] и др.) программные комплексы и системы, предназначенные для автоматизированного проектирования электронных схем л МЭУ не позволяют прогнозировать и обеспечивать в условиях воздействия ЭФ, в том числе ионизирующих излучений (ИИ), стабильность схемных функций аналоговых ИС, так как не имеют проблемно-ориентированных подсистем с соответствующей информационной базой, математическим и программным обеспечением.

Одним из перспективных применений САПР, систем схемотехнического проектирования [25] является их использование при проектировании аналоговой МЭА, в частности аналоговых инжекционных ИС (АИС), реализованных на базе инжекционных транзисторов (ИТ), обеспечивающих микромощное энергопотребление [1,13,69,70,108].

Если вопросы влияния нерадиационных ЭФ на МЭА и ее компоненты и влияния радиации на компоненты МЭА, выполненные на базе биполярных и полевых транзисторов, достаточно освещены в литературе и в функционирующих системах проектирования имеется соответствующее обеспечение [3,12,44,45,60,66,77,79-81,86,90,92,94,96,104,107,109], то задача проектирования и обеспечения стабильности параметров АИС с учетом влияния ИИ в рамках специализированной подсистемы, интегрированной в промышленную САПР МЭА, требует своего решения.

Таким образом, разработка методов и алгоритмов моделирования влияния ЭФ на параметры АИС, реализованных в виде подсистемы, интегрированной в промышленную САПР МЭА, является актуальной задачей.

Диссертационная работа выполнена в рамках НИР ГБ 2001.01 "Автоматизация проектирования электронных и электротехнических устройств с учетом эксплуатационных факторов" и в соответствии с научным направлением Воронежского государственного технического университета "САПР и системы автоматизации производства".

Цель и задачи исследования. Цель работы заключается в разработке инструментальных средств проектирования АИС с повышенной стабильностью в условиях воздействия ЭФ, реализованных в виде специализированной подсистемы, интегрированной в промышленную САПР МЭУ. Для достижения указанной цели в работе определены следующие основные задачи: провести анализ и определить пути повышения эффективности САПР МЭУ с учетом влияния ЭФ для их использования при разработке АИС с повышенной стабильностью; осуществить разработку моделей ИТ, учитывающих влияние ЭФ, для различных диапазонов частот; разработать комплекс алгоритмов, обеспечивающих различные этапы проектирования АИС с повышенной стабильностью и реализующих процедуры идентификации параметров моделей ИТ, прогнозирования и оптимизации характеристик схем в условиях влияния ЭФ; определить состав, структуру и произвести разработку программных средств, реализующих предложенные модели и алгоритмы, с возможностью их интеграции в промышленную САПР МЭУ; выполнить тестирование разработанных программных средств моделирования влияния ЭФ на параметры АИС в интегрированной САПР.

Методы исследования основываются на теории системного анализа, методах вычислительной математики, математического моделирования и оптимизации, структурного программирования, теории электрических цепей и полупроводниковых приборов.

Научная новизна результатов исследований. В работе получены следующие результаты, характеризующиеся научной новизной: модель инжекционного транзистора, отличающаяся учетом зависимостей параметров модели от режима по постоянному току и уровня ЭФ: температуры и ионизирующих излучений и позволяющая моделировать поведение АИС в этих условиях; алгоритм автоматизированного формирования модели инжекционного транзистора, отличающийся наличием оптимизационных процедур идентификации параметров и позволяющий учесть влияние режимных, частотных, температурных и радиационных факторов; оптимизационный алгоритм синтеза топологического варианта реализации инжекционного транзистора, отличающийся учетом взаимосвязи его электрических и конструктивных параметров и позволяющий на основе полученного конструктивного решения обеспечить повышенную радиационную стабильность электрических параметров ИТ и АИС; подсистема анализа характеристик АИС, отличающаяся возможностью их прогнозирования и оптимизации в условиях воздействия ЭФ, основу информационного и математического обеспечения которой составляют предложенные методы, модели и алгоритмы.

Практическая значимость работы. На основе разработанных моделей, алгоритмов и оптимизационных процедур создано информационное и программное обеспечение подсистемы моделирования ЭФ на параметры АИС и оптимизации их конструктивно-топологического варианта реализации, адаптированной на промышленную САПР МЭУ Design Lab.

Внедрение результатов работы. Результаты работы внедрены в научно-исследовательском институте электронной техники (НИИЭТ) г. Воронежа и в учебный процесс кафедр САПРИС и КиПРА ВГТУ при подготовке специалистов по специальностям: 220300 - "Системы автоматизированного проектирования" и 200800 - "Проектирование и технология радиоэлектронных средств".

Апробация работы. Основные научные результаты и положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях, совещаниях и семинарах: II-й Всероссийской научно-технической конференции "Компьютерные технологии в науке, проектировании и производстве" (Нижний Новгород, 2000); Всероссийской научно-технической конференции "Современные проблемы радиоэлектроники" (Красноярск, 2000); Международной научно-технической конференции "Системные проблемы качества, математического моделирования и информационных технологий" (Москва-Воронеж-Сочи, 2000, 2001); VI и VII Международной открытой научной конференции "Современные проблемы информатизации в технике и технологиях (Воронеж, 2001, 2002); Всероссийской конференции "Интеллектуальные информационные системы" (Воронеж, 2001, 2002); VII Международной открытой научной конференции "Современные проблемы информатизации" (Воронеж, 2002); Российской научно-технической конференции (Ковров, 2002).

Публикации. По теме диссертационных исследований опубликовано 14 печатных работ.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка цитируемой литературы из 112

Основные выводы четвертой главы.

1. На основе разработанной структуры подсистемы проектирования АИС и оптимизации их характеристик с учетом влияния ЭФ, предложенных моделей и алгоритмов создано ее информационное и программное обепечение, ориентированное на повышение эксплуатационной надежности АИС.

2. С использованием разработанной подсистемы проведен анализ стабильности характеристик ряда АИС в условиях воздействия ЭФ, выполнена оптимизация конструктивно-топологического варианта реализации АИС усилителя низкой частоты с целью обеспечения его повышенной радиационной стойкости.

3. Приведенные примеры схемно-конструкторского проектирования АИС с повышенной стабильностью к воздействию ЭФ показывают как правильность построения структуры системы, так и надежность ее информационного и программного обеспечения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. На основе анализа схемотехнических . и конструктивных особенностей АИС сформулирован основной принцип их оптимального проектирования с учетом влияния ЭФ - обеспечение требуемой стабильности их характеристик на основе оптимизации топологического варианта реализации.

2. Обоснована необходимость разработки подсистемы проектирования АИС с учетом ЭФ, ориентированной на интеграцию в промышленную систему Design Lab, предложена ее структура и состав проектных процедур.

3. Разработаны модели базовых элементов АИС - инжекционных транзисторов, учитывающие влияние режима по постоянному току, температуры и ионизирующих излучений, отличающиеся высокой степенью адекватности и позволяющие автоматизировать процесс их формирования.

4. Разработан алгоритм автоматизированного расчета параметров модели ИТ с учетом влияния ЭФ, программно реализованный в виде модуля системы проектирования АИС.

5. Определены статистические характеристики параметров моделей ИТ, необходимые для реализации этапа вероятностного анализа АИС.

6. На основе взаимосвязи электрических и конструктивно-топологических параметров модели инжекционного транзистора разработан алгоритм оптимизации характеристик АИС по критерию радиационной стойкости.

7. Разработаны математическая модель и алгоритм анализа температурных полей в конструкциях АИС.

8. Разработано информационное и программное обеспечения подсистемы анализа и оптимизации характеристик АИС в условиях воздействия ЭФ, позволяющие в комплексе решать задачи повышения эксплуатационной надежности микросхем на базе системы Design Lab,

124 функционирующих на ПЭВМ. Программные средства подсистемы использованы при проектировании ряда усилительных АИС с повышенной стабильностью параметров в условиях радиационных воздействий.

Полученные в работе научные и практические результаты внедрены в практику проектных исследований в научно-исследовательском институте электронной техники (НИИ ЭТ) г. Воронежа, а также в учебный процесс кафедр САПРИС и КиПРА ВГТУ при подготовке специалистов по специальностям: 220300 - «Системы автоматизированного проектирования» и 200800 - «Проектирование и технология радиоэлектронных средств».

125

1. Аваев H.A., Дулин В.Н. , Наумов Ю.Е. Большие интегральные схемы с инжекционным питанием. - М. : Сов. Радио, 1977. - 248 с.

2. Аврашков П.П., Баталов В.В., Егоров Ю.Б. и др. Системы автоматизированного моделирования и расчета интегральных схем САМРИС- 2 // Электронная промышленность. 1979. - №4. - С. 47-50.

3. Автоматизация проектирования аналоговых микроэлектронных устройств с учетом дестабилизирующих факторов: отчет о НИР (закл.) / Воронеж, политехи, ин-т. №ГР 01860019531. - Воронеж, 1986. - 45 с.

4. Автоматизированное проектирование цифровых устройств / Барулин С.С, Барнаулов Ю.М., Бердышев В.А. и др. М. : Радио и связь, 1981.-240 с.

5. Автоматизация схемотехнического проектирования / Ильин В.Н., Фролкин В.Т., Бутко А.И. и др. М. : Радио и связь, 1987. - 405 с.

6. Автоматизация схемотехнического проектирования на мини-ЭВМ / В.И. Анисимов, Г.Д. Дмитревич, С.Н. Ежов и др. JI. : Изд-во Ленинград, ун-та, 1983.-200 с.

7. Автоматизированная система обеспечения надежности и качества аппаратуры / Ю.Н. Кофанов и др. М. : Советское радио, 1982. - 345 с.

8. Анализ и расчет статистических характеристик линейных интегральных микросхем усилителей серии «Трель-рубин»: отчет о НИР (закл.) / Воронеж, политехи, ин-т. № ГР 74030865. - Воронеж, 1975. -158 с.

9. Аникеев Е.З. и др. Расчет усилителей высокой частоты по параметрам технических условий на транзисторы // Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. 1967. - Вып.1. - С. 33-34.

10. Анисимов В.И., Максимович В.А., Рындин A.A. Автоматизированное определение параметров нелинейных динамическихмоделей активных компонентов для САПР РЭА // Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1982. Т.25, №6. С. 70-71.

11. A.C. 605308 СССР, MKH2H03f 3/45. Дифференциальный усилитель / Н.А.Ус., Ю.Г. Крюков, Ю.Т. Федоров.

12. Аствацатурьян Е.Р., Голотюк О.М., Попов Ю.А. Проектирование электронных схем с учетом радиационных воздействий. М. : МИФИ, 1984. -76 с.

13. Баринов В.В., Кремлев В.Я., Мошкин В.Н. и др. Интегральные схемы с инжекционным питанием // Зарубежная электронная техника. 1973, -№19.-С. 63-79.

14. Баталов В.В. Системы схемотехнического моделирования АРНС // Управляющие системы и машины. 1988. - №1. - С. 94-96.

15. Батаковский П.Д. Исследование и разработка подсистемы информационного обеспечения САПР электронных схем: Дис. канд. техн. наук. Л.: ЛЭТИ, 1989. - 320 с.

16. Батаковский П.Д., Максимович В.А. Структура подсистемы информационного обеспечения САПР аналоговых электронных схем / Тр. Ленинград, электротехн. ин-т им. В.И. Ульянова (Ленина) 1981. - Вып. 296. С. 7-12.

17. Батищев Д.И. Методы оптимального проектирования. М. : Радио и связь, 1984.-248 с.

18. Батищев Д.И., Львович Я.Е., Фролов В.Н. Оптимизация в САПР. -Воронеж: Изд-во ВГУ, 1997. 416 с.

19. Бачачан Б., Долан Р. Сравнение допустимых доз радиационного облучения биполярного и плоскостного полевых транзисторов при облучении нейтронами // ТИИЭР. 1967. - №12. - С. 31-37.

20. Бачурин В.И. Моделирование электрических параметров ТИП по их конструктивно-топологическим характеристикам / Методы и средства оценки и повышения надежности приборов, устройств и систем: Тез. докл. Российской научн.-техн. конф. Пенза, 1994. - С. 61-62.

21. Бачурин В.И. Проектирование низкочастотных усилителей с инжекционным питанием в среде САПР БИС // Прием и анализ сверхнизкочастотных колебаний естественного происхождения: Тез. докл. II Всесоюз. конф. Воронеж.: ВПИ, 1987. - С. 146.

22. Белл Д. Дж. Трудности и успехи на пути автоматизации проектирования аналоговых схем // Электроника. 1988. - №22. - С. 22-23.

23. Бененсон З.М., Елистратов М.Р., Ильин Л.К. Комплекс программ анализа и оптимизации электронных схем КАПР // Обмен опытом в радиопромышленности. 1978. - Вып. 4-5. - С. 61-64.

24. Болдырев В.П., Белоус А.И., Рябова С.Н. и др. Конструктивно технологические особенности проектирования БИС с инжекционным питанием // Электронная техника. Сер. 3, Микроэлектроника. 1980, Вып. 4. -С. 87-91.

25. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий приборов и схем: Учеб. пособие для спец. «Физика и технология материалов и компонентов электронной техники». М.: Высш. шк., 1989. - 320 с.

26. Бубенников А.Н., Садовников А.Д. Физико-технологическое проектирование биполярных элементов кремниевых БИС. М. : Радио и связь, 1991.-288 с.

27. Бубенников А.Н., Гуснин С.Ю., Садовников А.Д. Определение параметров модели высокочастотного транзистора с помощью машинных методов оптимизации // Техника средств связи. Сер. Микроэлектронная аппаратура. 1980. Вып.1. - С. 75-80.

28. Бубенников А.Н., Садовников А.Д. Идентификация параметров компонентной модели интегрального транзистора с помощью программ физико-технологического моделирования // Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1983. - Т.26. - №6. - С. 58-63.

29. Бурин Л.И., Помазанов В.М., Топурия В.З. Система машинного анализа радиоэлектронных схем (МАРС) // Современные методы разработки РЭА. М.: Изд-во МДНТП им. Ф.Э. Дзержинского. - 1974. - С. 44-49.

30. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. М. : Физматиздат, 1963. - 264 с.

31. Вавилов B.C. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. - 311 с.

32. Влах И., Сингхан К. Машинные методы анализа и проектирования электронных схем / Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1988. - 560 с.

33. Влияние радиации на параметры линейных интегральных микросхем: Отчет о НИР (закл.) / Воронеж, политехи, ин-т. № ГР 74030866. - Воронеж, 1974. - 60 с.

34. Глориозов E.JL, Ссорин В.Г., Сыпчук П.П. Введение в автоматизацию схемотехнического проектирования. М. : Советское радио, 1976.-222 с.

35. Горячев Г.А., Шапкин A.A., Шаршев Л.Г. Действие проникающей радиации на радиодетали. М.: Атомиздат, 1971. - 113 с.

36. Гребен А.Б. Проектирование аналоговых интегральных схем: Пер. с англ. / Под ред. Е.Х. Караерова. М.: Энергия, 1976. - 256 с.

37. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / Кулаков В.М., Ладыгин В.А., Шаховцев В.И. и др. М. : Советское радио, 1980.-224 с.

38. Диалоговые системы схемотехнического проектирования / В.И. Анисимов, Г.Д. Дмитревич, К.Б. Скобельцин и др. М. : Радио и связь, 1988. -288 с.

39. Дульнев Г.Н., Парфенов В.Г., Сигалов A.B. Метода расчета теплового режима приборов. М.: Радио и связь, 1990. - 312 с.

40. Дульнев Г.Н. Применение ЭВМ для решения задач теплообмена. -М.: Высш. шк., 1990. 207 с.

41. Дьячков Б.В. Алгоритмизация формирования моделей транзисторных инжекционных структур // Современные проблемы информатизации в технике и технологиях: Труды VI Международной открытой научной конференции. Воронеж: ВЭПИ, 2001. - С. 35- 36.

42. Дьячков Б.В., Крюков Ю.Г. Конструктивно-технологические критерии оптимизации инжекционных структур // Современные проблемы радиоэлектроники: Сб. научн. трудов / Под ред. A.B. Сарафанова. -Красноярск: ИЦП КГТУ, 2000. С. 159.

43. Дьячков Б.В., Крюков Ю.Г. Статистические характеристики параметров транзисторных инжекционных структур // Проблемы обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем: Межвуз. сб. научн. трудов. Воронеж: ВГТУ, 2000. С. 117-123.

44. Дьячков Б.В., Питолин В.М. Модель инжекционного транзистора, учитывающая влияние внешних факторов // Интеллектуальные информационные системы: Труды Всероссийской конференции. Воронеж: ВГТУ, 2001. Часть 1. С. 100-101.

45. Дьячков Б.В., Питолин В.М. Оптимизация инжекционных структур по конструктивно-топологическим параметрам // Высокие технологии втехнике, медицине, экономике и образовании. Ч. 3. : Сб. научн. трудов. Воронеж: ВГТУ, 2001. С. 82-86.

46. Дьячков Б.В. Питолин В.М. Структура подсистемы моделирования эксплуатационных факторов при анализе аналоговых инжекционных ИС // Прикладные задачи моделирования и оптимизации: Сб. научн. трудов. Воронеж: ВГТУ, 2002. С. 88-92.

47. Дьячков Б.В., Питолин В.М. Анализ влияния эксплуатационных факторов на параметры низкочастотной модели инжекционного транзистора // Интеллектуальные информационные системы: Труды Всероссийской конференции. Воронеж: ВГТУ, 2002. Часть 2. - С. 31-32.

48. Загорский Я.Т., Ловченко А.Г. Аналитические зависимости параметров транзисторов от температуры и электрического режима работы в усилительных схемах // Радиоэлектроника. 1967. - Т.22. - №10. - С. 53-60.

49. Ильин В.Н., Бахов В.А., Камнева Н.Ю., Коган B.J1. Комплекс программ СПРОС для расчёта и оптимизации схем // Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1982. -Т.25. - №6. - С. 14-19.

50. Ильин В.Н., Коган B.J1. Разработка и применение программ автоматизации схемотехнического проектирования. М. : Радио и связь, 1984.-340 с.

51. Керниган Б., Ритчи Д. Язык программирования Си: Пер. с англ. -М.: Финансы и статистика, 1992. 272 с.

52. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Мн.: Наука и техника, 1986. - 254 с.

53. Коздоба JI.A. Математическое моделирование теплового режима интегральных полупроводниковых микросхем // Вопросы радиоэлектроники. Сер. ТРТО. 1982. Вып.1. - С. 13-16.

54. Кофанов Ю.Н. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности радиоэлектронных средств: Учебник для вузов. М. : Радио и связь, 1991.-360 с.

55. Кренкель Т.Э., Коган А.Г., Тараторкин A.M. Персональные ЭВМ в инженерной практике. М.: Радио и связь, 1989. - 337 с.

56. Крюков Ю.Г., Ус H.A. Линейные интегральные схемы с инжекционным питанием // Полупроводниковая электроника в технике связи/ Под ред. И.Ф. Николаевского. М., 1984. Вып. 24. - С. 58-68.

57. Крюков Ю.Г., Ус H.A. Схемотехника и автоматизация проектирования линейных интегральных схем с инжекционным питанием. -Воронеж: Изд-во ВГУ, 1990. 168 с.

58. Крюков Ю.Г., Питолин В.М., Шишкин В.М. Красчёту радиационной стойкости низкочастотных гибридных интегральных схем // Межвуз. сб. науч. тр. "Методы и устройства передачи информации по каналам связи". Воронеж, 1979. - С. 109-114.

59. Крюков Ю.Г., Питолин В.М., Шишкин В.М. Прогнозирование радиационной стойкости высокочастотных гибридных интегральных схем // Техника средств связи. Сер. Техника радиосвязи. 1984. Вып. 4. С. 144-148.

60. Львович Я.Е., Рындин A.A. Оптимальная интеграция алгоритмов и программ проектирования и контроля для разработки эффективных САПР ИЭТ // Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1990. - Т. 33. - №6. - С. 66-70.

61. Львович Я.Е., Фролов В.Н. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности РЭА. Учеб. пособие для вузов. -М.: Радио и связь, 1986. 176 с.

62. Лубянов С.Н., Карумен О.В., Курнаев С.А., Стенин В.Я. Радиационные эффекты в линейных интегральных операционных усилителях // Ядерная электроника / Под. ред. Т.М. Агаханяна. М. : Атомиздат, 1975. -Вып.2. - С. 21-35.

63. Макаров О.Ю., Андреков И.К., Дьячков Б.В. Моделирование тепловых процессов в интегральных схемах с инжекционным питанием // Проблемы обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем.- Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2000. С. 124-127.

64. Матсон Э.А., Мельничук В.В. Влияние расположения коллекторных областей на усилительные и частотные свойства элементов с инжекционным питанием // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. 1981. Вып. 7. С. 28-32.

65. Мырова Л.О., ,Чепиженко А.З. Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры связи. М.: Радио и связь, 1983. - 216 с.

66. Мырова Л.О. и др . Анализ стойкости систем связи к воздействию излучений / Л.О. Мырова, В.Д. Попов, В.И. Верхотуров. Под ред. К.И. Кукка.- М.: Радио и связь, 1993 268 с.

67. Мырова JI.О., Чепиженко А.З. Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электромагнитным излучениям. М. : Радио и связь, 1988.-296 с.

68. Норенков И.П., Маничев В.Б. Основы теории и проектирования САПР. М.: Высш. шк., 1990. - 335 с.

69. Норенков И.П., Маничев В.Б Системы автоматизированного проектирования электронной и вычислительной аппаратуры. М. : Высш. шк, 1983.-272 с.

70. Носов Ю.Р, Петросянц К.О, Шилин В.А. Математические модели элементов интегральной электроники. М.: Советское радио, 1976. - 304 с.

71. Пакет прикладных программ автоматизации схемотехнического проектирования для персональных компьютеров / В.В. Баталов и др. // Микропроцессорные средства и системы. 1988. - №4. - С. 63-66.

72. Панферов В.П. и др. Общая характеристика ПАЭС- 1 // Автоматизация проектирования в электронике. Киев, 1972. - Вып. 5. - С. 28-35.

73. Пат. 4078208 США, MKU3H03F3/04 (hku330- 296) Схема линейного усилителя со встроенным инжектором тока. / С.М. Hart, A.Slob.

74. Пат. 2177865 Франция, MKU2H04bl/i8// 101*19/00 ; НОЗп/00. Линейная электронная интегральная схема с небольшим потреблением мощности / G. Souquet.

75. Песков М.И, Крыжановский Ю.М, Помазанов Ю.М, Бурин Л.И. Архитектура и состав системы автоматизированного проектирования радиоэлектронной аппаратуры // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Общетехническая. 1976. - Вып. 2. - С. 2-7.

76. Питолин В.М., Крюков Ю.Г. Линейная модель биполярного транзистора, учитывающая влияние ионизирующего излучения // Межвуз. сб. науч. тр. "Оптимизация и имитационное моделирование сложных систем". -Воронеж, 1984.-С. 136-140.

77. Пономарев М.Ф., Коноплев Б.Г. Конструирование и расчет микросхем и микропроцессоров. М. : Радио и связь, 1986. - 176 с.

78. Работоспособность МДП приборов при воздействии ионизирующих излучений в реальных условиях эксплуатации / В.Д. Лавренцов, Л.Н. Хорохорина, Ю.П. Юсов // Зарубежная электронная техника. 1991. - Вып. 1- 2 (356- 357). - 101 с.

79. Радиационная отбраковка полупроводниковых приборов и интегральных схем // А. А. Чернышов, В.В. Ведерников, А.П. Галеев и др. // Зарубежная электронная техника. 1979. - Вып. 5 (200). - С. 3-25.

80. Радиационные эффекты в КМОП-ИС / А.Ю. Никифоров, В.А. Телец, А. И. Чумаков. М. : Радио и связь, 1994. - 164 с.

81. Разевиг В.Д., Блохин С.М. Система P-CAD 8.5. Руководство пользователя. М. : ДМК, ЗНАК, 1997. - 288 с.

82. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSpice для с схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Вып. 3. Моделирование аналоговых устройств. М. : Радио и связь, 1992. - 120 с.

83. Разевиг В.Д. Система проектирования печатных плат ACCEL EDA (P-CAD для Windows). M. :CK Пресс., 1997. - 368 с.

84. Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesignLab 8.0 M. : Солон, 1999. - 789 с.

85. Сахаров Ю.С. Применение персональных ЭВМ для диалогового проектирования радиоэлектронных устройств // Прогрессивные методы конструирования и гибкое автоматизированное производство микроэлектронной аппратуры. М. : МДНТП, 1986. - С. 22-34.

86. Сигорский В.П . Анализ электронных схем. Киев: Техника, 1964. -199 с.

87. Сигорский В.П., Петренко А.И. Алгоритмы анализа электронных схем. М. : Советское радио, 1976. - 608 с.

88. Система проектирования биполярных радиационно-стойких ИМС/В.Е. Межов, В.К. Зольников, Д.Е. Соловей, А.В. Межов. Воронеж. Воронеж, гос. лесотех. акад., 1998. 258 с.

89. Системы автоматизированного проектирования в радиоэлектронике: Справочник / А.В. Авдеев, А.Т. Еремкин, И.П. Норенков и др. М. : Радио и связь, 1986. - 368 с.

90. Современные линейные интегральные микросхемы и их применение: Пер. с англ. под ред. М.В. Гальперина. М. : Энергия, 1980. -273 с.

91. Устюжанинов В.Н., Чепиженко А.З. Радиационные эффекты в биполярных интегральных микросхемах. М. : Радио и связь, 1989. - 144 с.

92. Шагурин Н.И., Петросянц К.О. Проектирование цифровых микросхем на элементах инжекционной логики. М. : Радио и связь, 1984. -232 с.

93. Larin F. Radiation Effects in Semiconductor devices. N.Y. : Yohn Wiley and Sons Inc., 1968. - 292 p.

94. Program brings analog CAE to personal computer level/Seter Charles// Electron. Des. 1987. - V.35. -№20. - P. 99-102.

95. PSPICE User's guide. Microsim Corporation // La Cadena Drive, Laguna Hills. 1989. - 450 p.

96. Un Simulatear analogique pour systems multitechnologies /Benhagoun Eric // Electron Ind. 1987. - №132. - P. 54-57.о1. ВходО