автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.01, диссертация на тему:Имитационное моделирование логических элементов при воздействии ионизирующего излучения

Перечень условных сокращений.

Введение.

ГЛАВА 1. МЕХАНИЗМЫ ДЕГРАДАЦИИ МОП-СТРУКТУР ПРИ

ВОЗДЕЙСТВИИ ИИ.

1.1. Воздействие ионизирующего излучения на МОП-структуры.

1.1.1. Модели описания накопления РИЗ.

1.2. Нейтрализация РИЗ в МОПТ.

1.2.1. Модели отжига РИЗ.

1.3. Образование поверхностных состояний.

1.3.1. Роль водорода при образовании поверхностных состояний.

1.4. Прогнозирование работоспособности МОП-структур.

Выводы.

ГЛАВА 2. ВОЗДЕЙСТВИЕ ИИ НА ОКИСЕЛ МОП-СТРУКТУР.

2.1. Численное моделирование образования РИЗ в окислах МОП-структур.

2.2. Аналитическое решение системы уравнений непрерывности, описывающих РИЗ.

2.3. Численное решение системы уравнений непрерывности, описывающих РИЗ.

2.4. Анализ полученных результатов.

Выводы.

ГЛАВА 3. ИЗМЕРЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНЫХ И

МОП ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ.

3.1. Методы облучения

3.2. Объекты исследований.

3.3. Измерение характеристик элементов ИМС.

3.4. Анализ полученных результатов

Выводы

ГЛАВА 4. РАСЧЕТНЫЕ МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

ЭЛЕМЕНТОВ ИМС ПРИ ОБЛУЧЕНИИ.

4.1. Расчетные методы определения параметров биполярных структур

4.2. Расчетные методы определения параметров МОП-структур

4.3. Математическая модель, используемая при моделировании биполярных структур

4.4. Математическая модель, используемая при моделировании МОПструктур

Выводы

ГЛАВА 5. МОДЕЛИ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ИЗМЕНЕНИЙ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕМЕНТОВ ИМС ПРИ ОБЛУЧЕНИИ.

5.1. Разделение сдвига порогового напряжения.

5.2. Конверсионная модель.

5.3. Использование конверсионной модели для прогнозирования изменения параметров элементов ИМС при облучении.

5.4. Эффект радиационно-индуцированной нейтрализации заряда.

5.5. Использование эффекта радиационно-индуцированной нейтрализации заряда для прогнозирования изменений параметров элементов ИМС при облучении.

Выводы.

ГЛАВА 6. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РС И ПРОГНОЗИРОВАНИЕ РАБОТОСПОСОБНОСТИ ЛЭ И ИЗМЕНЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

ЭЛЕМЕНТОВ ИМС ПРИ ОБЛУЧЕНИИ.

6.1. Зависимости параметров биполярных структур при облучении.

6.2. Зависимости параметров МОП-структур при облучении.

6.3. Моделирование биполярных ЛЭ.

6.4. Моделирование МОП ЛЭ.

6.5. Определение РС и прогнозирование работоспособности и изменения параметров элементов ИМС при облучении на основе результатов имитационного моделирования биполярных и МОП

ЛЭМОБ.

Выводы.

СИНТЕЗ ПОЛУЧЕННЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ.

ОБОБЩЕННЫЕ ВЫВОДЫ И РЕКОМЕНДАЦИИ.

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ

Актуальность исследуемой темы и степень её изучения. Широкое использование интегральных микросхем (ИМС) в вычислительной технике и в системах управления, которые находятся под воздействием ионизирующего излучения (ИИ), требует углубленных исследований надежности активных элементов, определения изменений параметров элементов и ИМС в целом. Одна из актуальных проблем - определение максимального уровня облучения, при котором ИМС будут работоспособны.

Многообразие технологий производства, схемотехнических и конструктивных решений, функциональное назначение и условия эксплуатации приводят к разному поведению элементов и ИМС при воздействии ИИ. В связи с этим необходимо разработать физические модели, которые объяснили бы физические эффекты и поведение параметров элементов и ИМС при облучении.

Высокая степень интеграции и сложность функционирования ИМС требуют дальнейшего исследования для определения деградации параметров элементов и ИМС, разработки быстрых и недорогостоящих методов определения изменения параметров элементов и ИМС, прогнозирования их работоспособности при воздействии ИИ.

Теоретические и практические аспекты этой области, как правило, имеют дискуссионный характер, который объясняется сложностью физических процессов в многослойных структурах при воздействии ИИ. К настоящему времени не скоррелированы результаты исследований из-за многообразия новых технологий производства, не определены чувствительные параметры и корреляция между ними, на основе которых можно было бы определить радиационную стойкость (РС) и прогнозировать надежную работоспособность элементов и ИМС в целом.

В этом контексте необходимо разработать расчетные методы и программные средства для экстракции параметров элементов ИМС до и после воздействия ИИ, на основе которых можно было бы определить РС и прогнозировать работоспособность элементов и ИМС при облучении. Необходимо разработать методы прогнозирования работоспособности при облучении на основе исходных параметров до и после облучения, на основе тестовых облучений и эмпирических моделей.

Данная работа посвящена прогнозированию и оценки надежности

ИМС на основе разработки физических моделей, позволяющих описать физические эффекты при воздействии ИИ. На базе предложенных расчетных методов и программных средств анализа и обработки информации, из экспериментальных данных (до и после облучения) определяются наиболее чувствительные параметры элементов и ИМС. Используя значение параметров активных элементов ИМС, осуществляется имитационное моделирование для определения РС и прогнозирования работоспособности элементов и ИМС в целом.

Целью диссертационной работы заключаются в прогнозировании и оценки надежности ИМС на основе анализе физических эффектов в активных элементах ИМС, разработке физических моделей, расчетных методов для экстракции параметров элементов ИМС, методов определения РС и в прогнозировании работоспособности элементов и ИМС на основе комплексных методов (расчетно-экспериментальных) при ограниченном количестве экспериментальных данных.

Для достижения предложенной цели необходимо решение следующих задач:

1. Анализ механизмов деградации элементов ИМС при воздействии ИИ для формулирования основных направлений диссертационной работы.

2. Разработка физической модели накопления радиационно-индуцированного заряда (РИЗ) с помощью, которой можно определить радиационные параметры окисла металл-оксид-полупроводник (МОП) структур.

3. Экспериментальные измерение характеристик биполярных и МОП транзисторов (МОПТ) до и после облучения.

4. Разработка модели для прогнозирования деградации параметров МОП структур при облучении низкой интенсивностью, используя экспериментальные лабораторные измерения.

5. Разработка модели разделения радиационно-индуцированного сдвига порогового напряжения на объемную и поверхностную составляющие.

6. Разработка метода нейтрализации РИЗ для прогнозирования поведения параметров элементов ИМС при облучении без осуществления термического отжига.

7. Разработка расчетных методов и программных средств для экстракции параметров биполярных и МОП транзисторов до и после облучении.

8. Разработка метода прогнозирования деградации параметров биполярных и МОП структур при облучении.

9. Определение PC и прогнозирование работоспособности транзисторов и логических элементов (ЛЭ) на основе результатов имитационного моделирования с помощью программы схемотехнического моделирования SPICE.

Научная новизна полученных результатов состоит в: разработке аналитической модели описания РИЗ при облучении в окисле МОП структур; разработке расчетных методов определения параметров биполярных и МОП транзисторов, используемых в программе SPICE; разработке программ для экстракции параметров биполярных и МОП транзисторов до и после воздействия ИИ; разработке метода перехода от облучения больших интенсивностей и коротких времен к облучению малых интенсивностей и длительных времен; определении значений импульсного напряжения на затворе для отжига РИЗ; определении PC биполярных и МОП ЛЭ; разработке метода прогнозирования работоспособности транзисторов и ЛЭ на основе результатов имитационного моделирования.

Практическое значение работы. Предложенные методы и модели позволяют: объяснить физические эффекты в МОП структурах при облучении; рассчитать параметры биполярных и МОП транзисторов до и после облучения; использовать программу SPICE для имитационного моделирования характеристик ЛЭ; объяснить радиационные зависимости параметров ЛЭ при облучении; осуществить экстракцию параметров транзисторов до и после облучения; определить изменение параметров биполярных и МОП транзисторов при облучении; перейти от результатов облучений при больших интенсивностях и коротких временах к прогнозированию облучения при малых интенсивностях и длительных времен; осуществить отжиг РИЗ за относительно малые времена; определить уровни облучения работоспособности ЛЭ; прогнозировать работоспособность биполярных и МОП ЛЭ на основе результатов имитационного моделирования, используя программу SPICE.

Разработанные методы и программы используются в процессе проектирования и изготовления элементов ИМС с заданным уровнем PC, а также в учебном процессе на кафедрах «Микроэлектроники» Технического Университета Молдовы (ТУМ) и МИФИ для следующих предметов: «САПР», «Основы микроэлектроники», «Физика полупроводниковых приборов» и др.

Предложенные расчетные методы и программные средства экстракции параметров элементов ИМС были внедрены на ОАО „НИИМЭ и Микрон" N603921 г. Зеленоград (Россия) (Акт внедрения от 10.02.2003), в МИФИ (Акт внедрения от 17.02.2003) и в ТУМ (Акт внедрения от 18.01.2005).

На защиту выносится:

1. Результаты исследования механизмов деградации биполярных и МОП-структур при воздействии ИИ. Образование и отжиг РИЗ при облучении. Модели отжига РИЗ. Образование поверхностных состояний (ПС) и роль водорода в их образовании. Прогнозирование работоспособности МОП-структур.

2. Эффекты воздействия ИИ на окисел МОП-структур. Методика численного моделирования формирования РИЗ в окисле МОП-структур. Результаты численного и аналитического решения системы уравнений непрерывности, описывающих РИЗ.

3. Измерение параметров элементов ИМС при облучении. Методы облучения и объекты исследования. Измерение характеристик биполярных и МОП транзисторов.

4. Расчетные методы определения параметров биполярных и МОП транзисторов. Математическая модель, используемая при моделировании биполярных и МОП структур.

5. Метод экстракции параметров математической модели транзисторов SPICE LEVEL3. Прогнозирование изменений параметров транзисторов при облучении. Разделение порогового напряжения на объемную и поверхностную составляющие.

6. Конверсионная модель и ее использование при прогнозировании деградации параметров элементов ИМС при облучении. Расчетный метод определения изменения порогового напряжения МОПТ.

7. Использование эффекта радиационно-индуцированной нейтрализации заряда (РИНЗ) для прогнозирования изменений параметров элементов ИМС при облучении.

8. Дозовые зависимости наиболее чувствительных параметров биполярных и МОП транзисторов.

9. Моделирование характеристик биполярных и МОП ЛЭ до и после облучения.

10. Определение PC и прогнозирование работоспособности биполярных и МОП ЛЭ на основе результатов имитационного моделирования.

Публикации. Основные результаты исследований были представлены и опубликованы на 21 международных форумах, научных и по специальности. Всего автором опубликовано 90 работ, по результатам диссертации опубликовано около 70 научных работ, из которых 10 - в журналах и сборниках, 4 учебника и одна монография. Общее число страниц всех опубликованных работ составляет около 2000с.

Апробация результатов. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на (в): International conference on microelectronics and computer science ICMCS, Kishinev, Republic of Moldova. 1992, 1997; Semiconductor Conferences, CAS, Proceedings, IEEE - Romania section, Sinaia, Romania. 1993, 1994, 1995; Proceedings of the international symposium on signals, circuits and systems SCS, Iasi, Romania. 1993, 1995, 1997; Proceedings of the symposium on electronics and telecommunication, Timishoara, Romania. 1994; International Nuclear and Space Radiation Effects, Conference, Indiana Wells, California, USA. 1996; Congres Europeen. Les radiations et leurs effets sur les composants et les systemes, Cannes, France. 1997; Materialele conferintei §tiintifice „Matematica aplicatá §i informática", A§M, Chi§inau, Moldova. 1998; Buletinul §tiintific al Universitátii din Pite§ti, seria „Matematica §i informática", Pite§ti, Romania. 1998; Analele Universitátii „Eftimie Murgu", Re§ita, Romania. 1998; Conferinta international de comunican §tiintifice consacratá aniversárii a 35-a a UTM, Chi§inau, Moldova. 1999; Simpozionul International „Lumea computerelor §i umanitatea — interactiuni §i divergente", Chi§inau, Moldova. 1999; Радиационная стойкость электронных систем „Стойкость — 99", Научно-технический сборник СПЭЛС, Москва. 1999; Sesiunea §tiintifica "Symposia Professorum", seria inginerie, ULIM, Chi§inau,

Moldova, 2002; Analele §tiintifice ale USM, Chi§ináu, Moldova. 2003; Научная сессия МИФИ-99, „Автоматика, электроника, микроэлектроника", Москва. 1999, 2004; Monografía „Actiunea radiatiei ionizante asupra structurilor MOS", Chi§ináu 2004.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, обобщения полученных результатов, выводов и рекомендаций, списка используемых источников (290 наименований) и приложений. Общий объем работы составляет 263 страниц включая 113 рисунков и 13 таблиц.

ОБОБЩЕННЫЕ ВЫВОДЫ И РЕКОМЕНДАЦИИ

Обобщая результаты исследований, можно сделать следующие выводы:

1. Установлено, что деградация МОПТ определяется деградацией порогового напряжения Vtj7 и крутизны gm. Воздействие ИИ приводит к генерации центров захвата на границе раздела оксид-полупроводник и оксид-металл, к накоплению заряда в окисле под затвором, росту концентрации ПС на границе раздела Si-SiO-? и уменьшению подвижности заряда в приповерхностной области полупроводника.

2. Доказано, что изменение параметров не заканчивается при завершении облучения. Релаксация накопленного заряда в окисле связана с туннелированием электронов из подложки, а процессы отжига положительного заряда определяются процессами тунелирования захваченных дырок в подложке и термическим „выбросом" дырок из ловушкек в валентную зону окисла.

3. По измеренным ВАХ определены параметры, наиболее чувствительные к облучению различными источниками облучения. Для конкретной технологии, определен коэффициент корреляции между облучением у-квантами и рентгеновском излучением.

4. Изложены методы расчета параметров биполярных и МОП транзисторов для программы SPICE при облучении. На основе этих методов разработана программа экстракции параметров элементов ИМС до и после воздействия ИИ. Предложенные методы расчета параметров позволяют устранить противоречия и трудности использования модели SPICE LEVEL3 для моделирова-ния ВАХ транзисторов с учетом внешних воздействий.

5. Предложены изменения в стандартных моделях SPICE биполярных и МОП транзисторов, учитывающие радиационно-индуцированные эффекты. Проведено моделирование ВАХ биполярных и МОП транзисторов до и после воздействия ИИ. Отклонение экспериментальных и расчетных характеристик не превышает 3%, что подтверждает применимость математической модели экстракции параметров и точность полученных результатов моделирования.

6. Предложена конверсионная модель, которая используется для прогнозирования работоспособности ИМС при облучении низкой интенсивности. Разработан план эксперимента с целью уменьшения экспериментальных ошибок. Новизна модели состоит в возможности описания заряда АОц с помощью коэффициента К0г-.

7. Предложен метод прогнозирования изменения порогового напряжения А У^ при облучении низкой интенсивности и длительных времен. Экспериментально определены подстроенные коэффициенты, используемые для расчета изменений порогового напряжения МОПТ с п-каналом А У^ и

МОПТ с р-каналом АР^ . Рассчитаны изменения порогового напряжения

А У^ и крутизны gm. Несоответствие расчетных и экспериментальных данных составляет не более 13%. Погрешность зависит от корректности определения подстроенных коэффициентов и от точности измерений до и после облучения.

8. Использован эффект РИНЗ для разделения компонент порогового напряжения У^ и эффектов одновременного накопления и отжига дефектов. Определены механизмы накопления заряда на ловушках в объеме заряда А00{, заряда ПС и составляющие порогового напряжения АУ0( и ЬУц, а также их дозовые зависимости. Предложенный метод позволяет экспериментально нейтрализовать заряд за время порядка 100с.

9. Экспериментально определено значение амплитуды положительного импульса, которое соответствует напряжению питания и значение амплитуды отрицательного импульса, которое равно (-1,3 -1,7)В. Число импульсов выбирается таким образом, чтобы суммарная поглощенная доза, во всех моментах положительного смещения, соответствовала максимальной дозе, по которой следует осуществить прогноз.

10. По результатам моделирования определены уровни PC работоспособности ЛЭ. Для биполярных ЛЭ: при облучении нейтронами

2,4Е+13)н/см2; при облучении у-квантами - (l,2E+5)rp(SiO ); при рентгеновском излучении - (3,0E+4)rp(SiO2)- Уровень PC работоспособности МОП ЛЭ при рентгеновском излучении составляет (3,0Е+4)Гр(8Ю2).

11. На основе уровня PC работоспособности биполярных ЛЭ, зная мощность дозы, осуществлен прогноз времени их работы: при облучении нейтронами — (2,4Е+10)с; при облучении у-квантами - (1,2Е+7)с; при рентгеновском излучении - (3,0Е+7)с. Для МОП ЛЭ при рентгеновском излучении - (3,0Е+7)с.

На основе полученных результатов предложено и внедрено следующее:

1. Расчетные методы и программы экстракции параметров, которые позволяют:

-определить параметры биполярных и МОП транзисторов для математической модели программы SPICE LEVEL3 из экспериментальных характеристик, до и после облучения;

-рассчитать дозовые зависимости параметров;

-определить наиболее чувствительные параметры биполярных и МОП структур при облучении.

2. Метод определения PC биполярных и МОП структур на основе результатов имитационного моделирования характеристик с использованием программы SPICE.

3. Расчетный метод изменения порогового напряжения МОПТ.

Метод прогнозирования времени работоспособности транзисторов

Выражаю искренную благодарность доктору технических наук, проффесору, заведующему кафедрой „Микро- и наноэлектроники" МИФИ (Россия) г-ну В.С.Першенкову, за оказанную помощь в решении научных проблем, к.т.н., с.н.с., заведующим отделом MIKRON (Россия) г-ну В.А.Вавилову за оказанную помощь при проведения экспериментальных исследований и внедрение научных резудбтатов, к.т.н. TUT (Румыния) г-ну И.А.Аврам за оказанную помощь при проведения экспериментальных исследований и всем сотрудника и соовторам за помощь и сотрудничество.

1. Snow Е. Н., Grove A. S., Fitzgerald D. J. Effects of Ionizing Radiation on Oxydized Silicon Surfaces and Planar Devices. // Proc. IEEE. 1967, vol. 55, N 7, p. 1168-1185.

2. Mitchell J. P. Radiation-Induced Space-Charge Buildup in MOS Structures. // IEEE Trans.Electron Dev. 1967, vol. ED-14, N 11, p. 764-774.

3. Holmes-Siedle A. G., Zaininger К. H. The Physics of Failure of MIS Devices under Radiation. // IEEE Trans.Reability. 1968, vol. R-17, N 1, p. 34-44.

4. Wittels A. A. Neutron Radiation Effects on MOS FETs: Theory and Experiment. // IEEE Trans. Nucl.Sci. 1968, vol. NS-15, N 6, p. 126-132.

5. Gwyn C.W. Model for Radiation-Induced Charge Trapping and Annealing in the Oxide Layer of MOS Devices. // J.Appl.Phis. 1969, vol. 40, N 12, p. 48864892.

6. Митчел Дж., Уилсон Д. Поверхностные эффекты в полупроводниковых приборах, вызванные радиадацией. М.: Атомиздат. 1970, 82с.

7. Мордкович В.Н. Влияние облучения на электрические свойства структуры диэлектрик-полупроводник. // Электрон.техн. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1970, вып. 6(56), с. 45-56.

8. Revers A. G. Defect Structure and Irradiation Behavior of Noncrystalline Si02. //IEEE Trans. Nucl.Sci. 1971, vol. NS-18, N 6, p. 113-116.

9. Reversz A. G. Chemical and Structural Aspects of the Behaviour of Si02 Films on Silicon. // IEEE Trans.Nucl.Sci. 1977, vol. NS-24, N 6, p. 2102-2107.

10. Байков В. Д., Гасман А. С., Кармазинский А. Н. Влияние радиационного излучения на компоненты МДП интегральных схем. // Микроэлектроника. 1972, вып. 5, с. 66-78.

11. Gregory В. L., Gwyn С. W. Radiation Effects on Semiconductor Devices. // Proc. IEEE. 1974, vol. 62, N 9, p. 1264-1273.

12. Johnson W. С. Mechanisms of Charge Buildup in MOS Insulators. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1975, vol. NS-22, N 6, p. 2144-2150.

13. Литовченко В. Г. Трёхслойная модель МДП-структур. // ФТП. 1972, т. 6, vol. 5, с. 802-809.

14. Литовченко В. Г. Природа радиационных эффектов в слоистых структурах МДП. // Оптоэлектрон. и полупроводниковая техн. 1982, N 1, с. 2735.

15. Патрикеев Л. Н., Подлепецкий Б. И., Попов В. Д. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Изд. МИФИ. 1975, 128 с.

16. Sah С. Т. Origin of Interface States and Oxide Charges Generated by Ionizing Radiation. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1976, vol. NS-23, N 6, p. 1563-1568.

17. Гуров К. П., Израилева Л. К., Коломийцев Л. И. Кинетика образования положительного объёмного заряда в диэлектрике МДП-приборов при облучении. // Микроэлектроника. 1977, т. 6, N 2, с. 163-171.

18. Коршунов Ф. П., Гатальский Г. В., Иванов Г. М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Мн.: Наука и техника. 1978, 231 с.

19. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. / Под ред. Е. А. Ладыгина. М.: Сов.радио. 1980, 223 с.

20. Burghad R. A., Gwyn С. W. Radiation Failure Modes in CMOS Integrated Circuits. // IEEE Trans.Nucl.Sci. 1973, vol. NS-20, N 6, p. 300-306.

21. Киллиани Дж. M. Радиационные эффекты в кремниевых приборах с зарядовой связью. // Сб.: Приборы с зарядовой связью. М.: Мир. 1982, с. 198-236.

22. Попов В. Д. Радиационная физика приборов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник. М.: Изд. МИФИ. 1984, 80 с.

23. Першенков В. С., Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энергоатом-издат. 1988, 256 с.

24. Агаханян Т. М., Аствацатурьян Е. Р., Скоробогатов П. К. Радиационные эффекты в ИМС. М.: Энергоатомиздат. 1989, 256 с.

25. Вавилов В. С., Горин Б. М., Данилин Н. С. и др. Радиационные методы в твердотельной электронике. М.: Радио и связь. 1990, 184 с.

26. Griscom D. L. Diffusion of radiolitic molecular hydrogen as a mechanism for the post-irradiation buildup of interface states in Si02-on-Si structures. J.Appl.Phys. 1988, vol. 58, N 7, p. 2524-2533.

27. Edwards A. H. Theory of defects in the MOS system. In: structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. New York: Plenum Press. 1986, p. 271283.

28. Poindexter E. H., Caplan P. J., Gerardi G. J. Chemical and structural features of inherent and process-induced defects in oxidized silicon. In: Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. -New York: Plenum Press. 1986, p. 299-308.

29. Lenahan P. M., Brower K. L., Dressendorfer P. V., Johnson W. C. Radiation induced trivalent silicon defect buildup at the Si-SiCb interface in MOS structures. // IEEE Trans. Nuclear Science. 1981, vol. 28, N 6, p. 4105-4111.

30. Lenahan P. M., Dressendorfer P. V. Radiation-induced paramagnetic deffects in MOS structures. // IEEE Trans. Nuclear Science. 1982, vol. 29, N6, p. 459-1461.

31. Вавилов В. А., Горохова M. С., Бутин В. И., Коваленко Т. В., Русанов-ский В. И. Оценка достоверности макромоделирования ионизационных эффектов в биполярных БИС. 1985, 3 с.

32. Березенко А. И., Русановский В. И. Исследования влияния внешних воздействий на элементную базу МП БИС. Тез. докл. респ. конф. поев. 25-летию КПИ им.С.Лазо, Кишинев. 1989, с. 95.

33. Чуйкин В. В., Березенко А. И., Русановский В. И. Влияние радиации на элементную базу МП БИС. Отраслевой сб.: „Специальные вопросы техники средств связи". Серия техника, радио, связь.Вып. 3. М.: 1990, 2 с.

34. Козиоров Е. Л., Чуйкин В. В., Русановский В. И. Модели активных элементов биполярных БИС ориентированные на программы схемотехнического моделирования. Тез.докл. I совещ.- семинар: „Промышленные САПР в области электроники и ВТ", Минск. 1990,2 с.

35. Вавилов В. А., Коваленко Т. В., Панасенков Ю. А., Русановский В. И., Урсу А. Г. Влияние межэлементных утечек на функционирование узлов МП БИС. Тез. докл. III Всес. конф.: „Физические основы надежности и деградации ППП", Кишинев. 1991, с. 23-24.

36. V. S. Pershenkov, S. V. Cerepko, V. V. Abramov, V. N. Ulimov, V. V. Emilianov, V. Sontea, V. I. Rusanovschi, A. I. Avram, V. I. Rogov, V. S.

37. Nasibullin. Low Dose-Rate Radiation Effects in Bipolar Devices. Proceedingsof the International Symposium on Signal Circuits and Systems SCS ' 97, Iasi. 1997, p. 439-440.

38. Русановский В. И. Расчётно-экспериментальный метод обеспечения стой-кости функциональных узлов биполярных МП БИС к воздействию непре-рывных ионизирующих излучений. Диссертационная работа. Кишинёв. 1990, 151с.

39. Rusanovschi V., Avram I., Russu Т. Modele matematice ale elementelor aflate sub influenta iradierii ionizante.// Buletin §tiintific al Universitatii din Pite§ti. Seria "Matematica §i informatica", Pite§ti, Romania, 1998, p.161-164.

40. Барабан А. П., Булавинов В. В., Коноров П. П. Электроника слоев Si02 на кремнии. Ленинград: Изд. ЛГУ. 1988, 360 с.

41. Witham Н. S., Lenahan P. М. The nature of the deep hole trap in MOS oxides. // IEEE Trans. Nuclear Science. 1987, vol. 34, N6, p. 1147-1151.

42. Powell R. I. The Use of Photoinjection to Determine Oxide Charge Distribution and Interface Properties in MOS structures. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1970, vol. NS-17, N 6, p. 41-46.

43. Lay S. K. Interface trap generation in silicon dioxide when electrons are captured by trapped holes. // J.Appl.Phys. 1983, vol. 54, N5, p. 2540-2546.

44. Борисов В. А., Попов В. Д., Сизов А. В. Кинетика накопления заряда в Si02 МОП-структурах. // Кинетические явления в полупроводниках и диэлектриках. / Под ред. А.И. Руденко. М.: Энергоатомиздат. (Сборник научных трудов МИФИ). 1985, с. 29-34.

45. Образование заряда в диэлектрике МДП-структуры при воздействии различных видов радиации. / Под ред. В. Н. Зимина, Т. А. Мингазина, JI. Н. Патрикеева и др. // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. 1972, вып. 2, с. 21-23.

46. Yip К. L., Fouler W. В. Electronic structure of SKX I Theory and sample calculations. Phys.Rev.B. 1974, vol. 10(4), p. 1391.

47. Yip K. L., Fouler W. B. Electronic structure of Si02- II Calculation and results. // Phys. Rev. B. 1974, vol. 10(4), p. 1400.

48. Yip K. L., Fouler W. B. Electronic structure of Si02. // Phys. Rev. B. 1975, vol. 11(6), p. 2327.

49. Ngai K. L., White С. T. A model of interface states and charges at the Si-Si02 interface: its prediction and comparisons with experiments. // J.Appl. Phys. 1981, vol. 52(1), p. 320-337.

50. Holmes-Siedle A. G., Zaininger К. H. Designing MOS Systems for Radiation Environments. // Sol. State Technol. 1969, vol 12, N 5, p. 40-49.

51. Schlesier К. M. Radiation Hardening of CMOS Integrated Circuits. // IEEE Trans. Nucl.Sci. 1974, vol. NS-21, N 6, p. 152-158.

52. Потемкин В. В., Колинаров П. К. Влияние нейтроного облучения на шумовые свойства МДП-триодов. // Радиотехника и электроника. 1972, т. 17, N9, с. 1995-2000.

53. Chiwaku М., Tomimasu Т. The effect of Radiation Damage on the Noise Performance of FETs. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1975, vol. NS-22, N 6, p. 26962702.

54. Iordan A. G., Iordan N. A. Theory of Noise in Metal-Oxide-Semiconductor Devices. // IEEE Trans. Electron. Dev. 1965, vol. ED-12, N 1, p. 148-156.

55. Lauritzen P. O. Effects of Radiation on the Noise Performance of Transistors. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1972, vol. NS-19, N 6, p. 321-326.

56. Berland V., Touboull A., Crevel P. Comparison of the Low Frequency Noise Evolution with the Oxide Trapped Charge in Irradiated n-MOS Transistors. // Ibid. 1994, vol. NS-41, N 3, p. 561-564.

57. Simoen E., Clayes C., Coenen S., Decreton M. D. Low Frequency Noise Characteristics of y- Irradiated Gate-All-Around Silicon-on-Insulator MOS transistors. // Sol. State. Electron. 1995, vol. 38, N 1, p. 1-8.

58. Големинов H. Г., Попов В. Д. И др. Радиционно-стимулированине отказы и сбои в МОП ИМС и СБИС. // Сб.: Обеспечение качества и надежности РЭА. М.: МИФИ. 1989, с. 28-39.

59. Аналоговые и цифровые ИМС. / Под. Ред. С. В. Якубовского. М.: Радио и связь. 1985, 432 с.

60. Алексеенко А. Г., Шагурин И. М. Микросхемотехника. М.: Радио и связь. 1982,416 с.

61. Гусанов В. М. Расчет динамических характеристик вентиля на комплементарных МДП-транзисторах. // Элект. Техника. Сер.: Микроэлектроника. 1980, вып. 1, с. 18-23.

62. Сраур Д. Р., Макгэррити Д. М. Воздействие излучения на микроэлектронные устройства в космосе. // ТИНЭР. 1998, т. 76, N 11, с. 44-74.

63. Аствацатурьян Е. Р., Беляев В. А., Зайцев В. JI. Остаточные радиационные эфекты в цифровых БИС. // Зарубежн. электрон, техника. 1986, N 2 (297), с. 62-99.

64. Share S., Martin R. A. Effects of Ionizing Radiation on Short Thin Oxide (200 A0) MOS FETs. // IEE Trans. Electron. Der. 1975, vol. ED-22, N 8, p. 619-620.

65. Chen I. L. Enhanced Radiation Effects on Submicron Narrow Channel NMOS. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1982, vol. NS -29, N 6, p. 1681-1684.

66. Kooi E. Influence of X-ray irradiation on the charge distribution in metal-oxide-silicon structures. Philips Res. Repts. 1965, vol. 20, p. 306-314.

67. Hughes H. L. Surface effect of space radiation on silicon devices. // IEEE Trans. Nuclear Science. 1965, vol. 12, p. 53-63.

68. Grove A. S., Snow E. N. A model for radiation damage in metal-oxide-semiconductor. proc. // IEEE. 1966, vol. 54, p. 894-895.

69. Stanley A. G. A model for shifts in the gate turn-on voltage of insulated-gate field-effect devices iduced by ionizing radiation. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1967, vol. 4, p. 134-138.

70. Mitchell I. P. Radiation-induced space-charge build-up in MOS structures. // IEEE Trans Electron Devices. 1967, vol. 14, N 11, p. 764-774.

71. Churchill J. N., Collins T. W., Holmstrom F. E. Electron irradiation effects in MOS systems . // IEEE Trans. Electron Devices. 1980, vol. 21, N 12, p. 768777.

72. Collins T. W., Holmstrom F. E., Churchill J. N. Charge Distributions in MOS capacitors for large irradiation doses. // IEEE Trans. Nuclear Science. 1979, vol. 26, N 6, p. 5176-5179.

73. Churchill J. N., Holmstrom F. E., Collins W. Dynamic model for e-beam irradiation of MOS capacitors. // J. Appl. Phis. 1979, vol. 50, N 6, p. 39944002.

74. Churchill J. N., Holmstrom F. E., Collins W. Modeling of irradiation induced changes in the electrical properties of metal-oxide-semiconductorstructures. // Advances in Electronics and Physics, Acad. Press Inc. 1982, vol. 58, p. 1-79.

75. Sokel R., Hughes R. C. Numerical analyses of transient photoconductivity in insulators. // J. Appl. Phis. 1982, p. 7414-7424.

76. Hughes R. C. Theory of responce of radiation sensing field effect transistors. // J. Appl. Phis. 1985, vol. 58, N 3, p. 1375-1378.

77. Герасимов Ю. M., Кармазинский A. H. Модель накопления заряда в диэлектрике МДП-структуры. // Радиотехника и электроника. 1986, т. 31, N7, с. 1382-1389.

78. Гуртов В. А., Назаров А. Н., Травков Н. В. Моделирование процесса накопления объёмного заряда в диэлектриках МДП-структур при облучении. ФТП. 1990, т. 24, N 6, с. 969-977.

79. Vinetskii V. L., Chaika G. Е., Shevcenko Е. S. Charge and potential distribution in dielectric layers of MOS structures under ionization. // Phis.Stat. Sol.(a). 1974, vol. 26, p. 743-752.

80. Гуров К. П., Израилева Л, К., Коломийцев Л. И. Кинетика образования положительного объёмного заряда в диэлектрике МДП-приборов при об-лучении. // Микроэлектроника. 1977, т. 6, N 2, с. 163171.

81. Герасимов А. Б., Джандиери М. М., Церцвадзе А. А. Шилло А. Г. Кинетика накопления индуцированного радиацией заряда в диэлектриках МДП-структур. // Микроэлектроника. 1980, т. 9, N 5, с. 450-455.

82. Chin М. R., Ma Т. P. Photocurrent generation in thermal Si02 under X-ray irradiation: significance of constant injection. // J. Appl. Phis. 1982, vol. 53, N 5, p. 3673-3679.

83. Баранов Ю. В., Гайсин Ф. Г., Усейнов Р. Г., Чайковский Н. Г.

84. Влияние мощности дозы гамма-облучения на сдвиг порогового напряжения МДП транзисторов. ФТП. 1985, т. 19, N 10, с. 1883-1885.

85. Гуртов В. А., Назаров А. И., Огурцов О. Ф. Токи затвора и объёмный заряд в двуокиси кремния при экспозиции под электронным пучком. // Микроэлектроника. 1986, т. 15, N 4, с. 314-323.

86. Krantz R. J., Ankerman L. W., Zeitlow Т. C. Applied field and total-dose dependence of trapped charge build up in MOS devices. // IEEE Trans. Nuclear Science. 1987, vol. 34, N 6, p. 1196-1201.

87. Boesh H. E., McLean F. В., Benedetto J. M., McGarrity J. M. Saturation of thershold voltage shift in MOSFET's at high total dose. // IEEE Trans. Nuclear Physics. 1986, vol. 33, N 6, p. 1191-1197.

88. Benedetto J. M., Boesch H. E. The relationship between Co60 and 10-KeV X-ray damage in MOS devices. // IEEE Trans. Nuclear Science. 1986, vol. 33, N6, p. 1318-1323.

89. Benedetto J. M., Boesch H. E., Oldham T. R., Brown G. A. Measurement of low-energy X-ray dose enchancement in MOS devices with silicide gates. // IEEE Trans. Nuclear Science. 1987, vol. 34, N 6, p. 1540-1543.

90. Dozier С. M., Brown D. В. Photon energy dependence of radiation effects in MOS structures. // IEEE Trans. Nuclear Science. 1980, vol. 27, N 6, p. 16941698.

91. Brown D. В., Dozier С. M. Electron-hole recombination in irradiated Si02 from a microdosimetry viewpoint. // IEEE Trans. Nuclear Science. 1981, vol. 28, N6, p. 4142-4144.

92. Dozier С. M., Brown D. В. Effect of photon energy on the response of MOS devices. // IEEE Trans. Nuclear Science. 1981, vol. 28, N 6, p. 4137-4141.

93. Dozier С. M., Brown D. В. The use of low energy X-ray for device testing a comparison with Co60 radiation. // Trans. Nuclear Science. 1983, vol. 30, N 6, p. 4382-4387.

94. Dressendorfer P. V. Electron and hole transport and tunneling in Si02. -In: Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. New York. Plenum Press. 1986, p. 485-507.

95. Schwank J. R., Drawes W. R. Irradiated silicon gate MOS device bias annealing. // IEEE Trans. Nuclear Physics. 1983, vol. 30, N 6, p. 4100-4104.

96. Schwank J. R., Winokur P. S., McWroter P. J., Dressendorfer P. V. et al. Physical mechanisms contributing to device "rebound". // IEEE Trans. Nuclear Physics. 1984, vol. 31, N 6, p. 1434-1438.

97. Oldham T. R., Lelis A. J., McLean F. B. Spatial dependence of trapped holes determined from tunneling analyses and measured annealing. // IEEE Trans. Nuclear Physics. 1986, vol. 33, N 6, p. 1203-1209.

98. Lelis A. J., Oldham T. R., Boesch H. E., McLean F. B. The nature of the trapped hole annealing process. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1989, vol. 36, N 6, p. 1808-1815.

99. McWhorter P. J., Miller W. M. Modeling the anneal of radiation-induced trapped holes in a varyng thermal environment. // Trans. Nuclear Physics. 1990, vol. 37, N 6, p. 1682-1689.

100. Lelis A. J., Boesh H. E., Oldham T. R., McLean F. B. Reversibility of trapped hole annealing. // Trans. Nuclear Physics. 1988, vol. 35, N 6, p. 11861191.

101. Winokur P. S. Limitations in the use of linear system theory for the prediction of hardend MOS devices response in space satellite environments. // Trans. Nuclear Physics. 1982, vol. 29, N 6, p. 2102-2106.

102. Ma T. P., Dressendorfer P. V. Ionizing radiation effects in MOS devices and circuits. New York: J. Wiley. 1989, 670 p.

103. Pfeffer R. L. Molecular diffusion in 0t-SiO2: its role in annealing radiation-induced defect centers. In: Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. New York: Plenum Press. 1986, p. 169-176.

104. Shanfleld Z., Moriwaki M. M. Characterstics of hole traps in dry and pyrogenic gate oxides. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1984, vol. 31, N 6, p. 12421247.

105. Ionizing radiation effects on power MOSFET's during high speed switching/ D. L. Blackburn e. a. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1982, vol NS- 29, N 6, p. 1555-1558.

106. Кинетика перераспределения заряда в слоистом диэлектрике Si02-АЬОз- Si02 /А. Б. Герасимов и др. // Тонкие диэлектрические пленки. Мат. Всес. конф. Л.: АПИ. 1973, т. 3, с. 228-230.

107. Попов В. Д. Влияние технологических факторов на радиационную стой-кость МДП-структур. // Зарубежная электронная техника. 1971, вып. 14(86), с. 48-59.

108. Шакина О. Ю., Богатырев Ю. В. Изменение свойств МДП- структур при повышенных температурах облучениях. Вильнюс: ИФП АН ЛИТССР. 1984, 90 с.

109. Fahrner W. R., Braunig D., Borchert E. MOS and Thyristor Damage Parameters after 25 and 15 Mev High Temperature Electron Iradiation. // Phys. Stat. Sol. 1982, vol. 22, N 1, p. 79-88.

110. Юсов Ю. П. и др. Востановление параметров МДП приборов после воздействия ионизирующею излучения. // Заруб, эл. техн. 1988, N 1(320), с. 3-47.

111. Литовченко В. Т., Киблик В. Я. Литвинов Р. О. Влияние радиационно-термических воздействий на характеристики полупроводниковых структур. // Оптэлектр. и полупровод, техника. 1982, N 1, с. 69-73.

112. Schlesier К. М., Shaw I. М., Benyon I. М. А1203 as a Radiation -Tolerant CMOS Dielectric. // RCA rev. 1976, vol. 37, N 3, p. 358-388.

113. Золотов М. В., Гуртов В. А., Суриков И. Н. Влияние мощности дозы и температуры облучения на радиационные эффекты в МНОП структурах. //Микроэлектроника. 1993, т. 22, вып. 4, с. 82-92.

114. Баринов Ю. В., Гайсин Ф. Г., Усеннов Р. Г., Чайковский Н. Г. Влияние мощности дозы гамма облучения на сдвиг порогового напряжения МОП-транзистор. // ФТП. 1985, т. 19, N 10, с. 1883-1885.

115. Johnson А. Н. Annealing of Total Damage in the Z80-A Microprocessor. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1983, vol. NS-30, N 6, p. 4251-4255.

116. Dancenko V., Desai U. D., Brashears S. S. Caracteristics of the Thermal Annealing of Radiation Damage in MOS FETs. // J. Appl. Phys. 1968, vol. 39, N5, p. 2417-2424.

117. Johston A. H. Super Recovery of Total Dose Damage in MOS Devices. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1984, vol. NS-39, N 6, p. 1427-1433.

118. Fleetwood D. M., Reber R. A., Winokur P. S. Trapped-Hole Annealing and Electron Trapping in MOS Devices. // Appl. Phys. Lett. 1992, vol. 60, N 16, p. 2008-2010.

119. Churchil I. N. end. all. Dynamic Model for e-Beam Iradiation of MOS Capacitors. //Appl. Phys. Lett. 1979, vol. 50, N 6, p. 3994-4002.

120. Dressendorfer P. V., Soden I. M., Harrington 1.1., Nordstrom Т. V. The Effects of Test Conditions on Mos Radiation- Hardness Results. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1981, vol. NS-28, N 6, p. 4281-4287.

121. Першенков В. С.,Чуйкин В. В. Иследования кинетики возникновения и отжига утечек в микроэлектронных структурах. // Вопросы атомной науки и техники. 1998, вып. 2-3, с. 76-81.

122. С. И. Корнюшин, М. П. Лисовский и др. Изменение свойств МДП-структур под действием у облучения. // Укр. Физ. журн. 1981, т 26, N 8, с. 1323-1327.

123. A. J. Lelis and all. The Nature of the Trapped Hoi Annealing Process. // IEEE Trans. Nuc. Sci. 1989, vol. 36, p. 1808-1815.

124. A. J. Lelis, T. R. Oldham and W. M. Delancei. Respons of Interface Traps During High-Temperature Anneals. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1991, vol. 38, p. 1590-1596.

125. N. S. Soks and D. B. Brown. Observation of H* Motion During Interface Trap Formation. // IEEE Trans. Nuc. Sci. 1990, vol. 36, p. 1624-1631.

126. Емельянов В. В., Зебрев Г. И. и др. Обратимая зарядовая релаксация радиационно-индуцированных дефектов в МОП структурах. // Вопросы атомной науки и техники. 1995, вып.3-4, с. 31-34.

127. Zekeriya V., Ma Т. P. Dependence of X-ray generation of interface traps on gate metal induced interfacial stress in MOS structures. // IEEE Trans. Nuc. Sci. 1984, vol. 31, N 6, p. 1261-1266.

128. Zekeriya V, Wong A., Ma T. P. Spatial distribution of radiation-induced interface traps under the gate of an Al-Si02-Si capacitor. // Appl. Phys. Lett. 1985, vol. 46, N 1, p. 80-82.

129. Watanabe K., Masataka K., Takahiro O., Nagata M. Radiation effects of double layer dielectric films. // IEEE Trans. Nuclear Science. 1986, vol. 33, N 6, p. 1216-1223.

130. Kasama K., Tsukiji M., Kobayashi K. Correlation between mechanical stress and hydrogen-related effects on radiation-induced damage in MOS structures. // IEEE Trans. Nuc. Sci. 1987, vol. 34, N 6, p. 1202-1207.

131. McLean F. B. A framework for understanding radiation-induced interface states in Si02 MOS structures. // IEEE Trans. Nuclear Science. 1980, vol. 27, N 6, p. 1651-1657.

132. Kato M., Watanabe K., Okabe T. Radiation effects on ion-implanted silicon-dioxide films. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1987, vol. 36, N 6, p. 21992204.

133. Wei L., Xu Y. S., Zheng Y. S. A novel silicon oxidation method HF enchanced oxidation. // In: Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids.New York.- Plenum Press, /ed. Walrafen G.E., Reversz A.G. 1986, p. 103-110.

134. Silva E. F., Nishioka Y., Ma T. P. Radiation response of MOS capacitors containing fluorinated oxides. // IEEE trans. Nuclear Science. 1987, vol. 34, N 6, p. 1190-1195.

135. Nishioka Y., Itoga Т., Ohyu K., Kato M., Ma T. P. Radiation effects on fluorinated field oxides and associated devices. // IEEE Trans. Nuclear Science. 1990, vol. 37, N 6, p. 2026-2032.

136. Oldham T. R. et all. An Overview of Radiation-Induced Interface Traps in MOS Structures. // Semicond. Sei. Tech. 1989 , vol. 4, p. 986.

137. Winokur P. S. Radiation-Induced Interface Traps in Ionizing Radiation Effects in MOS. Devices and Circuits. / Edited by Т. P. Ma, P. V. Dressendorfer, J. Wiley&Sons. 1989.

138. Saks N. S., Rendell R. W. The Time-Dependence of Post-Irradiation Interface Traps Build-Up in Deuterium-Annealed Oxides. 1992, vol. NS-39, N 6, p. 2220.

139. Saks N. S., Brown D. В., Rendell R. W. Effects of switched gate bias on radiation-induced interface trap formation. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1991, vol. NS-38, N 6, p. 1130.

140. Brown D. В., Saks N. S. Initial Hydrogen Ion Profiles During Interface Trap Formation in MOS Devices. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992, vol. NS-39, N 6, p. 2236.

141. Griscom D. L., Brown D. В., Saks N. S. Nature of radiation-induced point defects in amorphus Si02 and their role in SiCb-on-Si structures. The Physics and Chemistiy of Si02 and Si-SiCb interface. Plenum Press. 1988.

142. Saks N. S., Andrews J. M. Effects of Hydrogen Annealing on MOS Oxides. // J. Electron. Mat. 1992, vol. 21, p. 775.

143. Stahlbush R. E., Mrustik B. J., Lawrence R. K. Post-Irradiation Behavior of the Interface State Density and the Trapped Positive Charge. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1990, vol. NS-37, N 6, p. 1641.

144. Mrustik B. J., Rendell R. W. Si-Si02 Interface State Generation during X-ray Irradiation and during Post-Irradiation Exposure to a Hydrogen Ambient. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1991, vol. NS-38, N 6.

145. Stahlbush R. E., Edwards A. H., Griscom D. L., Mrustik B. J. PostIrradiation Craking of H2 and Formation of Interface States in MOSFETs. //J. Appl. Phys. 1993, p. 658.

146. Stahlbush R. E. Slow and fast state formation caused by hydrogen. The Physics and Chemistry of Si02 and the Si-Si02 interface, New York.- Plenum press. 1996.

147. Stahlbush R. E., Edwards A. H. Effects of introducing H2 into irradiated MOSFET's from room temperature to 250°C. The Physics and Chemistry of Si02 and the Si-Si02 interface. New York.- Plenum Press. 1993.

148. Mrustik B. J. Post-irradiation formation of Si-Si02 interface States in a hydrogen atmosphere at room temperature. /Я. Electronic Mat. 1990, N 20, 657 p.

149. Никифоров А. Ю., Телец В. А., Чумаков А. И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. М.: 1994.

150. Ionizing Radiation Effects in MOS devices and Circuits, ed. by T. P. Ma and P. V. Dressendorfer, J. Wiley & Sons, New York.- Plenum Press, 1989.

151. Devine R. A. The structure of Si02 , it's Defects and Radiation Hardness. // RADECS European conference Proceedings. 1994.

152. Mrustik B. J. et. all. Hydrogen Permeability in thermally grown films of Si02 in silicon substrates. // Phys. Rev. 1993, В 47, p. 4115.

153. Saks N. S. et. all. Effects of Post-Stress Hydrogen Annealing on MOS Oxides after 60°C Iradiation or Fowler-Nordheim Injection. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1993, vol. NS-40, N 6, p.1341.

154. Conley J. F., Lenahan P. M. Room Temperature reactions involving silicon dangling bond centers and molecular hydrogen in amorphous Si02 thin film on silicon. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1992, vol. NS-39, N 6, 2186.

155. Stahlbush R. E., Mrustik B. J., LawrenceR. K. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1990, vol. NS-37, p. 1641.

156. Stahlbush R. E., Edwards A. H., Griscom D. L., Mrustik B. J. Postirradiation craking of H2 and formation of interface states in irradiated metal-oxide. // J.Appl. Phys. 1994, vol. 75, p. 658.

157. Stahlbush R. E., Edwards A. H. The Physics and Chemistry of SiO? and the SiO? Interface. New York Plenum Press. 1993, p. 489-498.

158. V. V. Emelianov, A.V. Sogoyan, O.V. Meshurov, V. N. Ulimov, V. S. Pershenkov. Modelling the Field and Thermal Dependece of Radiation-Induced Charge Annealing in MOS Devices. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1996.

159. Богатырев Ю.В. Токовый отжиг облученных КМОП интегральных структур. // Известия АНБ, N1. 1996, с.61-65.

160. В. J. Mrustik. Post-irradiation formation of Si-Si02 interface States in a hydrogen atmosphere at room temperature. // J. Electronic Mat. 1991, N 20, p. 697.

161. MIL-STD 883D Test Method 1019.4, issued January 1992 by the Defense Electronics Support Center, Dayon, OH.

162. Total Dose Steady-State Irradiation Test Method, ESA/SCC Basic Specification N22900, Draft Issue 5. 1993.

163. Гирий В. А., Корнюшин С. И. и др. Влияние температуры на радиационные процессы в МДП структурах. // Оптоэлектрон. и полупр. техника. 1982, N 2, с. 78-81.

164. F. К. Freitag end all. Experimental Evidence of Two Species of Radiation Induced Trapped Positive Charge. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1993, vol. NS-40, N6, p. 1316-1322.

165. A. J. Lelis, T. R. Oldham. Time Dependence of Switching Oxide Traps. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994, vol. NS-41, N 6, 1994.

166. Захаров А. В. Ухин И. А. Анализ методов отбраковки нерадиационно-стойких МОП-приборов. // Мат. I. Всес. Конф. Радиац. стойкость МОП структур. Томск. 1991, с. 207-208.

167. Ладыгин Е. А. и др. Исследование шумовых характеристик КМОП ИМС, облученных гамма-квантами Со60. // Тез. Докл. VI межотрасл сем. „Радиац. Процессы в электронике". М.: МИФИ. 1994, с. 65.

168. Горюнов И. М., Паничкин А. В., Клебанов М. Н. Диагностика КМДП ИС по шумам. // Мат-лы сем. «Шумов, процессы в п/п». М. 1994, с. 143147.

169. Филимонов А. В. О возможности отбора КМОП ИС с улучшенными спец. характеристиками. // Тез. докл. XII. Всесоюзн. конф. по „Микроэлектронике". Тбилиси: ТБГУ. 1987, с. 187-188.

170. Бечина И. А., Попов В. Д. Прогнозирование отказов КМОП ИС с помощью метода рабочих областей: Препринт 084-88/МИФИ. М.: 1998, 24 с.

171. Кузниченко А. В. и др. Прогнозирование радиационной стойкости КМОП ИМС. // Мат. сем. „Вопр. Стойкости ЭРИ".-М.: НТЦ „Информ-техника". 1990, с. 134.с

172. Sexton F. W., Schwank I. R. Correlation of Radiation Effect in Transistors. //IEEE Trans. Nucl. Sei. 1985, vol. NS-32, N 6, p. 3975-3981.

173. Zietlow Т. C., Morse Т. C., Urquhart К. C. et al. Correlation of Total Dose Damage in Capacitors and Transistors to 1,25 micron. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1987, vol. NS-34, N 6, p. 1635-1640.

174. Boesch H. E. A Proposed Scheme for Measuring and Categorizing the Total Ionizing Radiation response of MOS Devices. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1986, vol. NS-33, N 6, c. 1337-1342.

175. Mc. Whorter P. J., Miller S. L., Delin T. A. et al. Retention Characteristics of SNOS Nonvolatile Devices in a Radiation Enviroment. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1987, vol. NS 34, N 6, p. 1652-1657.

176. Беспалов В. И., Верхотуров В. И., Графодатский О. С. и др. Спектральные характеристики (Sr90-Y90) моделирующей установки. // Мат-лы I Всесоюзн. конф. „Радиац. стойкость бортов, аппаратуры и элементов космич. аппаратов". Томск. 1991, с. 154-155.

177. Джонстон А. X., Азаревич Дж. JI. Радиационные испытания полупровод-никовых приборов для космической электроники. // ТИИЭР. 1988, т. 76, N11, с. 126-145.

178. Oldham Т. R., McGarrity J. М. Comparison of Со60 Response and 10 keV X-ray Response in MOS capacitors. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1983, vol. NS-30, N6, p. 4377-4381.

179. Dozier С. M., Fleetwood D. M., Brown D. В., Winokur P. S. An Evaluation of Low-Energy X-Ray and Cobalt- 60 Irradiations of MOS Transisrors. // Ibid. 1987, vol. NS- 34, N 6, p. 1535-1539.

180. Fleetwood D. M., Beegle R. W., Sexton F. W. et al. Using 10 keV X-Ray Sourse for Hardness Assurance.//Ibid. 1986, vol. NS-33, N 6, p. 1330-1336.

181. Кузьмин А. А., Ухин H. А. Методы эксперементального определения надежности КМОП ИМС при низкоинтенсивном облучении. // Мат-лы I Всесоюзн. конф. „Радиац. стойкость бортов, аппаратуры и элементов космич. аппаратов". Томск. 1991, с. 205-206.

182. Корецкий В. П. Рекомендации по учету интенсивности электроного излучения при испытаниях полупроводниковых приборов. // Там же, с. 152-153.

183. Bruha В. L., Paulos J. J., Diehl S. E. Simulation of Worst-Case Total Dose Radiation Effects in CMOS VLSI circuits. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1986, vol. NS-33, N 6, p. 1546-1550.

184. Fleetwood D. M., Winokur P. S., Riewe L. C. An Improved Standard Total Dose Test for CMOS Space Electronics. // Ibid. 1989, vol. NS-36, N 6, p. 1963-1970.

185. Zietlow Т. C., Barnes C. E., Morse T. C. et al. Post- Irradiation Effects in CMOS ICs. // Ibid. 1988, vol. NS-35, N 6, p. 1662-1666.

186. Boesch H. E., Mc.Garrity J. M. An Electrical Technique to Measure Radiation Susceptibility of MOS Insulators. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1979, vol. NS-26, N 6, p. 4814-4818.

187. Knoll M., Braunig D., Fahrner W. R. Generation of Oxide Charge and interface States by Ionizing Radiation and by Tunnel Injection Experiments. //Ibid. 1982, vol. NS-29, N 6, p. 1471-1478.

188. Кузнецов Г. Л., Кузовкина Л. И. Применение электрического метода оценки радиац. стойкости кремниевых МДП-структур для контроля технологии. // Электрон, техника. 1985, сер. 6, вып. 7, с. 72-75.

189. Назаров А. И., Гуртов В. А., Кузнецов С. Н., и др. Лавинная инжекция в МДП-структурах на кремнии. // Микроэлектроника. 1991, т. 20, вып. 3, с. 36-43.

190. Асвацатурьян Е. Р., Ахабаев В. А., Скоробогатов П. К. Лазерные методы контроля работоспособности ИМС. // Тез. докл. XII Всесоюзн. конф. по микроэлектронике. Тбилиси: ТбГУ. 1987, с. 77-78.

191. Горюнов H. Н., Ладыгин Е. А., Саркисян Е. А., Саркисян В. С. Применение лазерного зондирования для исследования неоднородного распределения индуцированного заряда в диэлектриках МДП-структур. // Электрон, техника. 1984, сер. 8, вып. 7(111), с. 14-18.

192. Brevet 2248965 Marea Britanie, MCIH01L 21/66, G01R 31/302. Semiconductor Testing Method. / Brown S.; GEC-Marcony Ltd. N 90225830; Depus. 17.10.90; Tipar. 24.04.92; NCIH1K.

193. Методы прогнозирования и оценки стойкости ЭРИ и аппаратуры к воздействию ИИ ядерн. взрыва и ядерн. установок. / Под ред. Балашова В. П., Чепиженко А.З. М.: Воениздат. 1983, 216 с.

194. Freeman R., Holmes-Siedle A. G. A Simple Model For Prédiction Radiation Effects in MOS Devices. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1978, vol. NS-25, N 6, p. 1216-1225.

195. Герасимов A. Б., Джандиери M. Ш., Церцвадзе A. A., Шило A. Г.

196. Кинетика накопления индуцированного радиацией пространственного заряда в диэлектриках МДП-структур. // Микроэлектроника. 1980, т. 9, N 5, с. 450-455.

197. Ахметов В. Д., Болотов В. В., Вишняков А. В. Количественная модель накопления заряда в МДП-транзисторах под действием ИИ. // ЖТФ. 1989, т. 59, N 7, с. 55-60.

198. Гуртов В. А., Назаров А. И., Травков И. В. Моделирование процесса накопления объемного заряда в диэлектриках МДП — структур при облучении. // ФТП. 1990, т. 24, N 6, с. 969-977.

199. Шмелев С. К., Пинаев В. В. Разработка электрофизической модели радиационно-стимулированных изменений параметров КИС структур БИС. // Вестн. МЭИ. 1996, N 2, с. 19-22.

200. Крылов Д. Г., Ладыгин Е. А., Галеев А. П. Модель радиационного накопления в системе кремний оксид кремния. // ФТП. 1992, т. 26, N 7, с. 1347-1351.

201. Мс. Lean F. В. Generic Impulse Response Function for MOS System and Its Application to Linear Response Analysis. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1988, vol. NS-35, N 6, p. 1178-1185.

202. Brown D. В., Jenkins W. C., Johnston A. H. Application of Model for Treatment of Time Dependent Effects on Irradiation of Micropelectronic Devices. // Ibid. 1989, vol. NS-36, N 6, p. 1954-1962.

203. Брусенцов И. В. Метод прогнозирования радиац. надежности элементов КМОП БИС в диапазоне рабочих напряжений и температур. // Мат-лы I Всесоюзн. Конф. „Радиац. стойкость бортов, аппаратуры и элементов космич. аппаратов". Томск. 1991, с. 198-199.

204. Першенков В. С. Моделирование работоспособности излучения в диапа-зоне реальных теплоэлектрических нагрузок. Там же. с. 239-240.

205. Разевиг В. Д. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат Design Center (Pspice). М.: СК Пресс. 1996, 272 с.

206. A. Maxim, V. Rusanovschi, V. Sontea. Metode de analiza asistata de calulator in electronica. Curs practic. UTM, Chisinau. 1995, vol. 1, 2, 140 p.

207. V. S. Pershenkov, S. V. Cerepko, V. V. Abramov, A. V. Shalinov, V. I. Ru-sanovschi. A model of the Near-Interface Variable Bandgap and Nature ofrd

208. Bor der Traps in MOS Oxides. 33 Annual International Nuclear and Space Radiation Effects Conference, Indian Wells, California. 1996.

209. V. I. Rusanovschi, A. I. Avram, T. Russu. Neutralizarea sarcinilor în oxidul structurilor MOS la iradierea ionizatà. Conferinta çtiintifico-didacticâ anualâ, ULIM, Chiçinâu. 1998, p. 356-357.

210. Rusanovschi V. Modelul fizic a sarcinii induse la iradiere in structurile MOS. Simpozionul International "Lumea computerilor §i umanitatea interactiuni §i divergente", Chi§inau. 1999, p. 108-109.

211. Vitalie Rusanovschi. Actiunea iradierii ionizante asupra oxidului structurilor MOS. // Revista inventatorilor §i cercetatorilor „Intellectus". Chi§inau, AGEPI. 2002, N4, p. 58-62.

212. Adrian Rusu. Modelarea componentelor microelectronice active. Editura Academiei Romane, Bucure§ti. 1990, 200 p.

213. С. M. Snownen. Semiconductor device modelling. London, United Kingdom. 1989,215 p.

214. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. М.:Мир. 1984, том 1,2.

215. Radu М. Bärsan. Fizica §i tehnologia circuitelor MOS integrate ре scarä mare. Bucure§ti, Editura ARSR. 1989, 543 p.

216. Барабан А. П., Булавинов В. В., Коноров В. В. Электроника слоев Si02 на кремнии. Ленинград: Изд. ЛГУ. 1988, 360 с.

217. Герасимов А. Б. и др. Кинетика накопления индуцированного радиацией пространственного заряда в диэлектриках МДП-структур. // Микроэлек-троника. 1980, т. 9, N 5, с. 450-455.

218. Benedetto J. М., Boesh Н. Е. The radionship between Со60 and 10-keV damage in MOS devices. // IEEE Trans. Nuclear Science. 1986, vol. 33, N 6, p. 1318-1323.

219. Freeman R., Holmes-Siedle A. G. Radiation Effects in MOS Devices. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1988, vol. NS-25, N 4, p. 1238-1245.

220. Benedetto J. M., Boesh H. E., Oldham T. R., Broun G. A. Measurement of low-energy X-ray dose enchancement in MOS devices with silicide gates. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1987, vol. 34, N 6, p. 1540-1543.

221. Вавилов В. С., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат. 1969, 311 с.

222. Г. Корн, Е. Корн. Справочник по математике для научных работников и инжинеров. М.: Наука. 1977, 831 с.

223. Scientific Work Place. Version 3.00. Build 1069. TCI Software Research. Brooks/Cole Publishing Company. Suport by ITP Academic Resurce Center.

224. Avram Ionel Adrián. Simularea §i prognozarea functionárii elementelor §i circuitelor integrate sub actiunea iradierii ionizante. Ci§ináu, UTM. 2000,184 p.

225. Иванова О. В. Исследования воздействия рентгеновского излучения на параметры МОП-транзисторов. Дип. работа. Кишинев, ТУМ. 1996, 132 с.

226. Березенко А. И., Корягин JI. Н., Назарьян А. Р. Микропроцессорные комплекты повышенного быстродействия. М.: Радио и сиязь. 1981.

227. Калинин С. Е. Микропроцессорные средства вычислительной техники в народном хозяйстве. // Тез. докл. конф. серия 3. Микроэлектроника I (226). 1986, с. 8.

228. Микропроцессоры в 3-х кн. I. Архитектура и проектирование микроЭВМ. Организация вычислительных процессов. / под. ред. JI.H. Преснухина. М.: Выш.шк. 1986, 495 с.

229. Кердивара Г. Я., Вавилов В. А., Русановский В. И., Нику Ф. М. „Разработка устройств сопряжений микро-ЭВМ „Электника-60"". Тез. докл. II Всес. конф. „Физические основы надежности и деградации lililí", Кишинев. 1995, с. 139.

230. Кердивара Г. Я., Русановский В. И. Система контроля МП БИС и их элементов в процессе внешних воздействий. Тез. докл. респ. конф.: „Системы автоматизированного проектирования в машино- и приборостроении", Кишинев. 1986, с. 134.

231. Русановский В. И. Методика контроля МП БИС. Тез. докл. респ. конф.: „Системы автоматизированного роектирования в машино- и приборостроении". Кишинев, 1986, с. 135.

232. Кердивара Г. Я., Русановский В. И., Бешетя А. П., Савин А. Н.Дутунару Э.Ф. Отчет о НИР „Разработка устройств для систем контроля МП БИС в условиях внешних воздействий". Toc.per.N 01860129693, Инв. N 02870070574, Кишинев. 1987, 59 с.

233. Русановский В. И., Савин А. Н., Цуркан Т. С., Рыбка А. В. Функциональный контроль работоспособности интегральных оперативных запоминающих устройств. Тез. докл. XXXI научн.техн. конф., Кишинев. 1987, с. 119.

234. Кердивара Г. Я, Русановский В. И., Карча В. А., Цуркан А. М., Цуркан Т. С. Методика составления тестов контроля МП БИС. Тез.докл. XXXI научн. техн. конф., Кишинев. 1987, с. 120.

235. Кердивара Г. Я., Русановский В. И., Савин А. Н., Боханастиук В. А., Морарь Ю. И. Отчет о НИР „Разработка устройств и мат. обеспечения для контроля МП БИС в условиях внешних воздействий". Гос. per. N01860129693, Инв. N02880062831, Кишинев. 1988, 111 с.

236. Русановский В. И., Погорелая И. П. Функциональный контроль микропроцессорных БИС. Межв. сб.: „Полупроводниковые структуры радиоэлектронные устройства и системы контроля". Кишинев: Штиинца. 1989, с. 49-52.

237. Гремальский А. А, Настасенко В. П., Коваленко Т. В., Панасенков Ю. А., Русановский В. И., Урсу А. Г. Контроль дефектов МП БИС обмена информации. Тез. докл. III Всес. конф.: „Физические основы надежности и деградации ШШ", Кишинев. 1991, с. 82-84.

238. SPICE -simularea circuitelor analogice. Noua era in inginerie. Bucure§ti, Ed. Militará. 1994, 181 p.

239. Antognetti Р., Massobrio G. Semiconductor device modelling with SPICE. McGraw-Hill, Inc. New-York. 1988.

240. I. N. Shvetzov-Shilovski, V. S. Pershenkov, V. Rusanovschi. Theextraction of response fiinction for MOSFET prediction in space• th •environments. 17 Annual Semiconductor Conference. // IEEE-Romania

241. Section CAS'1994. Sinaia, Romania. 1994, vol. 2, p. 733-736.

242. Vitalie Rusanovschi. Modelul matematic al rezistorului utilizat pentrudeterminarea abaterii nominalului la actiunea iradierii ionizante. Materialelei

243. Sesiunii çtiintifice "Symposia Professorum", séria inginerie, ULIM. 2002, p. 82-86.

244. V. I. Rusanovschi, A. I. Avram, T. Russu. Metoda de determinare a parametrilor TMOS la iradiere. Conferinta stiintifico-didacticâ anualâ, ULIM, Chiçinâu. 1998, p. 352-353.

245. Vitalie Rusanovschi. Prognozarea functionârii TMOS aflate sub influenta iradierii. Simpozionul International "Lumea compiuterelor §i umanitatea -interactiuni §i divergente", Chi§inau. 1999, p. 110-111.

246. Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits. Edited by T. P. Ma and P. V. Dressendorter, New York. 1989.

247. Vitalie Rusanovschi. Divizarea tensiunii de prag Vth în componentele Vot §i Vit. Revista inventatorilor §i cercetâtorilor „Intellectus". Chiçinâu, AGEPI. 2003, N2, p. 71-73.

248. V. Pershenkov, V. I. Rusanovschi, A. I. Avram, T. Russu. Cinetica acumularii sarcinilor §i a starilor de suprafata in structurile MOS supuse iradierii ionizante. Analele Universitatii "Efimie Murgu", Re§ita. 1998, ISSN 1453-7397, N3, p. 30-38.

249. V. S. Pershenkov, V. I. Rusanovschi, A. I. Avram, T. Russu. Acumularea sarcinii §i neutralizarea reversibila in oxidul structurilor MOS la iradiere. Analele Universitatii "Efimie Murgu", Re§ita. 1998, ISSN 1453-7397, N 3, p. 40-46.

250. I. N. Shvetzov-Shilovski, V. V. Belyakov, S. V. Cerepko, V. S. Pershenkov, M. V. Popov, V. I. Rusanovschi, V. Sontea, A. I. Avram. The Combined Approach to CMOS IS Prediction in Space Environments.

251. Proceedings of the International Symposium on Signal Circuits and Systems SCS ' 97, Iasi. 1997, p. 327-329.

252. V. I. Rogov, V. S. Nasibullin, V. B. Maslov, V. V. Abramov, V. I. Rusa-novschi, A. I. Avram, T. Russu. The prediction of the Structures response for

253. Space Environments. Proceedings of the International Conference on Microelectronics and Computer Science ICMCS-97, Chisinau. 1997, p. 58-60.

254. V. S. Pershenkov, V. V. Belyakov, S. V. Cherepko and I. N. Shvetzov-Shilovsky. Three-Point Method of Prediction of Device Response in Space Environments. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1993, vol. NS-40, N 6, p. 1714-1720.

255. I. N. Shvetzov-Shilovsky, S. V. Cherepko, V. S. Pershenkov. The Improvement of MOSFET Prediction in Space Environments Using the Conversion Model. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994, vol. NS-41, N. 6, p. 2631-2636.

256. S.Pershenkov, V. V. Belyakov, A. B. Sogozan, V. V. Abramov, V. I. Rusanovschi, A. V. Romanenco. Evidence of Electron Traps Generation in Gate Oxide of MOS Structures. International Symposium on Signals and Systems. SCS'95, Iasi. 1995, p. 75-78.

257. M. P. Baze, R. E. Plaag and A. H. Jonston. A Comparation of Methods for Total Dose Testing of Bulk CMOS and CMOS/SOS Devices. // IEEE Trans. Nuc. Sci. 1990, vol. 36, p.1818-1824.

258. D. M. Fleetwood, P. S. Winokur and J. R. Schwank. Using Laboratory X-Ray and Cobalt-60 Irradiations to Predict CMOS Devices Response in Strategic and Space Environments. // IEEE Trans. Nuc. Sei. 1988, vol. 35, p. 1497-1505.

259. B. J. Mrustik and R. W. Rendell. Si-Si02- Interface State Generation

260. During X-Ray Irradiation and During Post-Irradiation Exposure to a Hydrogen Ambient. // IEEE Trans. Nuc. Sei. 1991, vol. 38, p. 1101-1110.

261. I. N. Shvetzov-Shilovski, M. Y. Popov, V. I. Rusanovschi, A. V. Romanen-ko. Transistor Parameters Extraction for Phisical Investigation. International Symposium on Signals and Systems, SCS'95, Iasi. 1995, p. 8790.

262. Vitalie Rusanovschi. Actiunea radiatiei ionizante asupra structurilor MOS. Monografie, AGEPI, Chi§inäu. 2004,180 p.

263. Vitalie Rusanovschi. Actiunea radiatiei ionizante asupra elementelor bipolare ale circuitelor integrate. Analele §tiintifice ale USM. Seria ,,§tiinte fizico-matematice", Chi§inau, USM. 2003, p. 83-93.

264. Vitalie Rusanovschi. Determinarea nivelului de stabilitate a elementelor logice la actiunea iradierii ionizante. // Revista inventatorilor §i cercetätorilor Intellec-tus, AGEPI, Chi§inau. 2003, N 1, p. 72-74.288. rOCT.B404-81.

265. Prognozarea functionárii CI la iradiere. // Revista inventatorilor §i cercetátorilor Intellec-tus, AGEPI, Chi§ináu. 2005, N 2, p. 52-55.

266. Желательно изменить последовательность разделов Ш-5,1У-3 и Ш-5.

267. Уточнить соотношение, описывающее зависимость электрического поля от поглощенной дозы, так как согласно используемой зависимости с ростом дозы напряженность электрического поля в окисле растет, а в действительности происходит некоторый спад поля.

268. Следует больше внимания уделить описанию свойств перехода окисел-полупроводник в биполярных структурах.

269. Необходимо более четко сформулировать общие выводы работы.

270. Секретарь НТС кафедры, старший преподаватель

271. Заведующий кафедрой, профессор1. APROB

272. Decanul Facultâtii Calculatoare, Informática çi1. Microelectrónica, UTM1. Jo > / „-, -el C-V t '<'^Hïirr. .dl"p.ejor, conferentiar universitar5l6n B ALMUÇ