автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.05, диссертация на тему:Методы исследования и проектирования цифровой электронной аппаратуры, функционирующей в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНЖЕНЕРНО-ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЦИФРОВОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ' АППАРАТУРЫ. ФУНКЦИОНИРУЮЩЕЙ В УСЛОВИЯХ ВОЗДЕЙСТВИЯ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

05.13.05 - Элементы и узлы вычислительной техники и систем управления

Автореферат диссертации, на соискание- ученой степени •. кандидата технических наук

На правах рукописи

оц

г

КАЛАШНИКОВ Олег Арсеньевич

Автор:

Москва - 1994. г.

Работа выполнена б Московском .государственном инзкенерно-З зическом институте (техническом университете).

Научный руководитель: кандидат технических наук.

доцент А.И.Чумаков

Официальные оппоненты: доктор технических наук,

профессор В.А.Кузьмин кандидат технических наук, с.н. с. В. А. Телец '

Ведущая организация: НИИ прикладной механики (г.Москва)

Защита состоится "20" <>/<?^ау1995г. в {6_час 00 м на заседании диссертационного совета К 053 03.03 в МИФИ по адр су: 115409, г. Москва, Каширское шоссе, д. 31, тел. 324-84-98.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МИФИ.

- «

Автореферат разослан 1995г.

Просим принять участие в работе совета или прислать отзыв одном экземпляре, заверенный печатью организации.

Ученый секретарь диссертационного совета к. т.н., доцент

О^иссцс-нлса В. М. Онищенко

Актуальность темы.

' . Тенденции развития современной электроники определяют все более широкое применение в' составе электронной аппаратуры больших интегральных схем (БИС), главный образом цифровых. При этом нередко выдвигаются требования долговременного автономного функционирования аппаратуры в условиях дестабилизирующих воздействий, вследствие чего в ней наиболее часто используются БИС, выполненные по КМОП технологии. *

Среди многочисленных факторов; влияющих на функционирование аппаратуры при ее долговременной эксплуатации, особое значение имеет воздействие полей ионизирующих, излучений - электронов, протонов, ядерные частиц, ^-квантов. С подобной проблемой приходиться сталкиваться при проектировании аппаратуры в условиях воздействия космической радиации, излучения электрофизических и ядерно-энергетических установок, естественного фонового излучения и т.п. При этом специфика радиационной обстановки связана с низкой интенсивностью ионизирующего излучения и широким спектром воздействующих частиц, что приводит к некоторым' отличиям механизмов радиационных отказов. В это;л случае происходит как непрерывная деградация параметров интегральных схем." так и конкурирующий с ней процесс отжига радиационных повреждений, из-за чего наблюдается "плавное" нарушение работоспособности устройств. При этом отказы устройств проявляются в первую очередь на функциональном уровне и,трудно поддаются описанию с помощью стандартных средств электрического моделирования. ■

Экспериментальное определение отказов функционально-сложных цифровых устройств в натурных условиях сопряжено со значительными материальными и временными затратами,' поэтому • нё вызывает сомнений целесообразность применения средств расчетно-экспери-ментального моделирования воздействия ионизирующих излучений на элементную базу и аппаратуру. .

, . Существующие в настоящее время математические модели описы-вайт. как правило, физические процессы взаимодействия излучения с полупроводниковыми структурами. Применение . этих моделей для анализа радиационной чувствительности таких . сложных устройств, как БИС, с учетом реального режима функционирования, практически невозможно. Более того, эти модели не учитывают возможность возникновения одиночных сбоев, которые возникают в БИС при воздейс-

теши отдельных высокоэнергетичных ядерных частиц. Таган.! образом, возникает необходимость создания расчетно-экспериментапьных методов и средств моделирования радиационных отказов цифровых БИС и устройств, работающих в условиях воздействия низкоинтенсивных ионизирующих излучений. Этим вопросам и посвящена настоящая ра-. бота.

Целью диссертационной работа является разработка методов расчетно-экслериментального моделирования отказов цифровых КМОП ЯС и устройств при воздействии стационарных низкоинтенсивных ионизирующих излучений, а также методов и технических средств для исследования стойкости и проектирования стойких цифровых электронных устройств.

Научная новизна работы.

Разработаны метода 'расчетного моделирования' ■ функциональных отказов цифровых ИС и устройств при воздействии стационарного низкоштенснвного излучения. Разработаны принципы построения функционально-логических моделей и методики идентификации их параметров при их постоянной деградации. .

Разработаны методы расчетного моделирования одиночных сбоев в БИС при воздействии отдельных ядерных частщ. Разработаны алгоритмы прогнозирования вероятности появления одиночных сбоэв е БИС. ' .•'...

Разработаны методики экспериментального имитационного моделирования долговременных радиационных отказов и одиночных сбоеЕ в лабораторных условиях. Определены области применимости имитационных методов.

Определен набор требований • к диагностирующей.!! тестируйте! аппаратуре при проведении радиационных испытаний цифровых ;ИС . .1 БИС. Разработано ядро аппаратно-программного комплекса для проведения радиационных' испытаний.. '..'.-'...'

. Выявлены возможности традиционных аппаратно-алгоритаически: 'методов повышения стойкости цифровых; КС при воздействии радааци; низкой интенсивности. Предложены системно-алгоритмические метол повышения стойкости аппаратуры для этих условий. --

Практическая значимость работы.

Разработана система расчетного моделирования функциональных отказов цифровых ИС, БИС и устройств при воздействии стационарных ионизирующих излучений низкой интенсивности.

Разработан и', внедрен комплекс автоматизированных технических средств для проведения радиационных испытаний цифровых ИС. БИС и устройств.

Разработаны и апробированы методики проведения испытаний цифровых ИС на имитаторах.

Обоснована возможность и доказана эффективность применения аппаратных и системно-алгоритмических методов повышения радиационной стойкости цифровой электронной аппаратуры.

Результаты диссертационной работы вошли в отчетные материалы по НИР Альфа, Андромеда. Антей. Воздействие. Диагональ-Т-С. ДУС-ДНГ, Инструмент. Клип/ Перенос-3. Роща, Связь, Такт-256. Юпитер-1 и ряд других.

Результаты диссертационной работы внедрены в АО "Ангстрем". НПО "Циклон". ЭНПО "Специализированные электронные системы".

Результаты, выносимые на защиту.

1. Методы и методики расчетно-экспериментального моделирования функциональных отказов цифровых КМОП ИС, БИС и устройств при воздействии ионизирующих излучений низкой интенсивности.

2. Функционально-логические модели и результаты моделирования радиационных отказов ИС и БИС..

3. Методы прогнозирования одиночных сбоев. БИС при воздействии отдельных высокоэнергетичных ядерных частиц.

4.. Методики экспериментальных исследований цифровых ИС при радиационном воздействии и аппаратно-программные средства для их проведения.

5. Аппаратные и алгоритмические методы проектирования электронной аппаратуры для работы в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения.

Апробация работы.

' Основные результаты диссертационной работы докладывались на 5-ой межотраслевой конференции (Челябинск-70, 1990), 5-ом межотраслевом совещании-семинаре "Проблемы создания полупроводниковых

приборов. ИС и РЭА на их основе, стойких к ВВФ" (Петрозаводск 1991), 5-ой межотраслевой научно-технической конференции ."Воз действие ИИ на РЭА, элементы и материалы.' Методы испытаний; исследований" (Лыткарино, 1993), П-ом российском научно-техни ческом семинаре "Методы и средства обеспечения качества и надеж ности электрорадиоизделий для комплектации космических аппара тов" (Звенигород. 1994), 6-ом межотраслевом семинаре."Радиацион ныэ процессы в электронике" (Москва. 1594).

Публикации.

Результаты диссертационной работы .опубликованы в сек статьях и девяти тезисах докладов.

Объем и структура диссертации.

Диссертация содержит 189 страниц, .в том числе 76 рисункоЕ список литературы из 136 наименований и состоит из введения, ш ти глав и заключения. ' '

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Проведен обзор основных радиационных эффектов, возникают) при воздействии на МОП транзисторы и КМОП ИС различных вид стационарных ионизирующих излучений низкой интенсивности электронов, протонов, ядерных частиц. Рассмотрены существующ модельные представления для описания таких воздействий ■. с цел определения их применимости для анализа специфики поведения КМ ИС и БИС при низкой интенсивности ионизирующего излучения.' Опр делены доминирующие механизмы отказов КМОП ИС,. связанные с ост точными ионизационными эффектами и одиночными сбоями, обусло ленными микродозиметрическими эффектами.

Важное следствие низкой интенсивности радиационного. вс действия - неоднородный характер возникающих отказов, особен заметно проявляющийся'для аппаратуры на БИС.- Различная чувстЕ телькость разных элементов, влияние режима работы на чувстЕ тельность, наличие параллельных конкурирующих процессов дегра; цни и восстановления, нерадиационное изменение параметров -■ е эти факторы приводят к тому, что при долговременной эксплуата!

аппаратуры процесс выхода ее из строя носит не пороговый, а плавный и зачастую немонотонный характер.

•■ ■ Показано, что существукще методики моделирования радиационных отказов направлены главным образом на экспериментальное исследование поведения ИС при облучении, а расчетные "модели описывают. как правило, физический уровень протекающих при этом процессов. Такой подход практически неприменим для исследования радиационной стойкости БИС и цифровых устройств в полях излучения низкой интенсивности, так как натурные эксперименты сопряжены со значительными временными затратами, а использование физических расчетных моделей ограничивается существующими вычислительными ресурсами. Сделан еывод о необходимости моделирования радиационных отказов (как расчетного, так и экспериментального) на функционально-логическом уровне.

Рассмотрены принципы и задачи расчетно-экслериментального моделирования функциональных отказов цифровых ИС к устройств. Основными задачами моделирования являются определение работоспособности устройств и влияния на нее режимов функционирования. Стандартные ограничения, присущие чисто экспериментальным и чмс-хо расчетным методам решения этих задач, требуют комбинированного подхода, при котором оценка показателей работоспособности во всем спектре условий эксплуатации производится расчетными методами, а идентификация параметров, моделей и подробное исследование конкретных случаев - экспериментальными.

Предложены параметры и критерии работоспособности устройств при воздействии стационарного "¡¡-излучения и отдельных ядерных частиц. ..'-.-,' .

Базовым показателем для оценки работоспосрбностк"устройства при воздействии стационарного X-излучения является- порог работоспособности Опор ~ максимальный уровень воздействия (поглощенная доза), при котором не наблюдается нарушение работоспособности. В случае низкоинтенсивного воздействия более информативна функция работоспособности ЧЧБ), характеризующая степень деградации устройства в зависимости от уровня воздействия. Основный параметром. определяющим чувствительность цифрового устройства или БИС к одиночным сбоям, является вероятность сбоя (или вероятность бессбойной работы). Это связано с вероятностным характером взаимодействия частиц со структурой БИС. В обоих случаях кште-

рием нарушения работоспособности цифрового устройства являете появление неверного логического уровня - "О" вместо "1" или "1 вместо "О". ' V " . • '

Разработаны принципы построения системы расчетного функцио нально-логического моделирования долговременных отказов цифровь ИС и устройств при воздействии.стационарного ионизирующего излу чения. Система расчетного'моделирования опирается на метод кри териальных функций принадлежности (КФП),; основанный ' на теори нечетких множеств. Сущность применения метода КФП для функцио нально-логического моделирования радиационного поведения цифро вых ИС и устройств бтражают следующие принципы: ' т •'•' -.непрерывный характер протекающих в элементах ИС при-облуче нии процессов и.. :.как следствие, параметрический, характер и отказов требуют для анализа этих процессов, перехода от буле • вой логической модели с множеством значений сигналов {0.1} логической модели сигналов, значения .которых, принадлежа непрерывному интервалу [0,1]: '

- воздействие ИИ на элемент моделируется введением дополни тельного входного сигнала функции, принадлежности (также диапазоном"значений [0,1]),- значение- которого- зависит . с уровня воздействия; ,

- вид функции принадлежности зависит от^критерия.выделена состояний логического нуля и единицы моделируемого логичес кого элемента, поэтому ее называют критериальной, функцие принадлежности (КФП):

- логика добавления сигнала КФП должна быть такова, чтобы щ отсутствии воздействия элемент выполнял' свою логически функцию и сигналы на его быходзх принадлежали булевому мне зкеству {0.1): ' - '

- булевы логические функции трансформируются в непрерывные т нимаксные функции. '. ■'..-.

. Построенная в, соответствии' с вышеизложенными принципа» система расчетного, функционально-логического моделирования рег лизована с,использованием комплекса программ логического модел! рования РСЬОСБ, входящего в систему автоматизированного проект! рования электронных схем РСАО. ' :

■ ■. Обоснована•необходимость построения моделей по:структурно> принципу. При этом'модель устройства:создается.снизу.вверх - с

•'простейших элементов к более сложным. в состав которых входят эти простейшие, и т.д. Из структурного принципа вытекает необходимость создания библиотеки моделей элементов, на основе которой можно было бы достаточно просто строить модели любых БИС данного класса. Кроме того, " возможно создание библиотеки радиационных моделей ЙС и БИС для последующего построения на их основе моделей цифровых устройств. : .

Представлены результаты расчетно-экспериментального моделирования долговременных функциональных отказов ИС. При этом особое внимание уделялось исследованию влияния режима работы устройства на радиационную чувствительность. Показано, что это влияние связано с различной чувствительностью элементов ИС. Это вызвано тем, что в одних режимах задействованы, т.е. участвуют в формирований, выходного.сигнала, более чувствительные, а в других - менее чувствительные-элементы. Такая зависимость гораздо ярче проявляется в сложных цифровых устройствах., в которых обычно применяется разнородная по радиационной стойкости элементная база.— ^ .

.На основании результатов моделирования сделан вывод о том, что традиционно, используемый при оценке радиационной, стойкости устройства метод наихудшего случая не всегда дает верные результаты, и следует учитызать функциональные режимы работы устройства в реальных условиях эксплуатации..

Рассмотрены методы .идентификация параметров Функционально-логических моделей долговременных отказов цифровых устройств. При этом функции принадлежности определяются по результатам' моделирования на электрическом уровне. Показаны возможности экспериментального и расчетного подходов к идентификации- параметров. Разработана методика расчетно-эксперименталъкой идентификации параметров моделей, учитывающая интенсивность воздействия.

Разработаны принципы расчетно-экспериментального моделирования одиночных сбоев БИС и цифровых'устройств при воздействии на них отдельных ядерных частиц. При этом задача определения вероятности сбоя решается путем сквозного многоуровневого моделирования. .

На физическом уровне определяется пространственно-временная функция генерации избыточного заряда ДЦ от отдельной частицы в полупроводниковой структуре. Вид этой функции зависит как от па-

раметров ядерных частиц (энергия.'заряд и т.д.). так и от характеристик микрообъема структуры. .

На электрическом уровне с помощью эквивалентных схем проводится анализ БИС с выделением чувствительных узлов, при попадании в которые частицы возможно возникновение одиночного сбоя. П< результатам этого анализа определяются сечения сбоев отдельны: элементов и всей БИС. . '

Модели функционально-логического уровня при известных алгоритмах функционирования устройства и флюенсе частиц описывав' вероятность сбоя устройства. Вероятность зависит от сеченш сбоя, определяемого на электрическом уровне.

Данный подход реализован при разработке расчетных методш оценки вероятности одиночных сбоев БИС в низкоинтенсивном пол( тяжелых заряженных частиц. Ограничения, присущие чисто расчетно* му подходу к определению чувствительности (требуются точные данные по топологии, .схемотехнике и функционированию БИС на уровш внутренних сигналов) потребовали ■ проведения экспериментальны: исследований одиночных сбоев.

Приведены результаты расчетного и экспериментального моде лирования одиночных сбоев БИС ДОЗУ 56.5РУ5 и 565РУ7 от а-части материалов корпуса и кристалла, а также БИС- статических 03 537РУ6 и микропроцессоров 1806ВМ2 и 1836ВМ2 Ът осколков делени тяжелых ядер. Эти результаты свидетельствуют о существенном ели лнии на эту чувствительность режимов работы (для статических 03 и микропроцессоров) и вида хранимой информации (для ДОЗУ). ■

Разработаны методы повышения радиационной стойкости цифро вых устройств в полях'низкой интенсивности. Эти методы основан на учете влияния режима работы ИС на их радиационную стойкость на постепенном характере'выхода ИС из строя при низкоинтенсивнс воздействии, что определяется различной чувствительностью разнь элементов. При этом учитывается такие, что в достаточно сложнь системах реализация одной и той же функции как правило. возмош-: разными способами. . , • : - : ,

Разработана система параметров для характеристики работос пособноста цифрового устройства. Функция работоспособности опре деляется как степень различия качества функционирования ЦУ в ус лозиях воздействия и в нормальных; условиях; и рассчитывается использованием метода КФП., Для выявления элементов,- изменен:

- И -

радиационных характеристик которых может .повлиять на зависимость "функции работоспособности от уровня воздействия, введено понятие элементной функции чувствительности. Еще один параметр - функция влияния - показывает, обеспечивает ли замена элементов или условий их работы улучшение радиационной стойкости устройства.

Для применения традиционного метода повышения стойкости -замены более чувствительных элементов менее чувствительными -разработана методика выделения по результатам Функционально-логического моделирования цифрового устройства критических (наиболее чувствительных) элементов и определения их вклада в стойкость устройства в целом в различных режимах его работы.

Представлены результаты исследования возможностей методов аппаратной избыточности для реализации систем с повышенной радиационной стойкостью. Приведены расчеты эффективности метода контроля и коррекции с использованием, кодов Хэмминга и метода тройного резервирования с мажорированием для построения блоков, памяти, стойких к одиночным сбоям. Показано, что для построения блоков памяти, стойких к необратимым отказам, эффективным оказывается алпаратно-алгоритмический метод двойной инверсии.

Разработаны методы построения блоков памяти на БИС 'ДОЗУ, стойких к одиночным сбоям, основанные на особенностях схемотехники БИС. Предложенные методы оказываются эффективными при построении систем с неоднородным характером хранимой в памяти информации (т.е. с преобладанием нулей или единиц).

Разработана группа, программно-алгоритмических методов снижения чувствительности к одиночным сбоям микропроцессорных систем. Эти методы основаны на сделанном по результатам экспериментальных исследований одиночных сбоев микропроцессоров ■ выводе о наибольшей чувствительности регистров общего назначения. Все они так или ' иначе ■ используют программное обнаружение и исправление ошибок путем резервирования содержимого регистров и помехоустойчивого кодирования: Предложен также ряд способов коррекции сбоев программного счетчика микропроцессора. Алгоритмические методы предполагают введение "временной" избыточности, однако сущест-■ венного снижения производительности сис.тем не происходит в силу ■ специфики работы аппаратуры в полях низкой интенсивности.

Проанализирована специфика периодической коррекции ошибок в алгоритмических методах повышения стойкости систем. Показано.

что в условиях низкой интенсивности воздействия методы периодической коррекции особенно эффективны. Проведены исследования; особенностей построения процессорных модулей и блоков памяти с их'использованием. . ' , .

Разработаны методические предпосылки для создания инструментальных средств экспериментального моделирования радиационных отказов цифровых ИС и устройств. На основе анализа задач экспериментального моделирования сформулированы .требования-к лабораторным имитационным установкам, средствам измерения параметров' ИС, системам тестирования и функционального контроля.

Разработана методика использования рентгеновской установки для экспериментального имитационного, моделирования остаточных радиационных эффектов. Рассмотрены вопросы адекватности имитационного моделирования, приведены результаты сравнительных испытаний МОП транзисторов при воздействии К-излучения стационарного реактора ИРТ-2000 и рентгеновского излучения установки РЕИС-И. Проведенный анализ и экспериментальные результаты.позволяют рекомендовать рентгеновскую установку для выполнения лабораторных исследовательских испытаний. .■

Разработана методика имитационных испытаний для экспериментального моделирования одиночных сбоев. Сформулированы требования к источникам ядерных частиц, рассмотрены особенности и ограничения, связанные с применением циклотронных установок, изотопных источников и пикосекундных лазеров со сфокусированным лучом. Обоснован выбор -изотопных источников для экспериментального моделирования одиночных сбоев в лабораторных условиях. . '

Разработаны требования к техническим средствам для измерения параметров ИС и функционального контроля ИС и.устройств пру .экспериментальном моделировании. Рассмотрены ограничения, присущие имеющимся техническим средствам, в том числе стандартным. оЬоснована необходимость построения комплексной автоматизированной системы для экспериментального исследования радиационных отказов.

Проведение идентификации параметров функционально-логичес ких моделей потребовало создания технических средств для измере ння электрических параметров транзисторов и ИС до и в процесс воздействия, таких как переключательные и вольтамперные характе ристики, токи потребления, выходные напряжения. Сформулировав

требования к таким • средствам и .разработана автоматизированная 'система измерения параметров полупроводниковых приборов и ИС в процессе радиационного воздействия. На ее основе разработана экспериментальная установка для измерения зависимостей параметров ИС от уровня воздействия с использованием рентгеновского имитатора РЕЙС-И. \

Проведен анализ :задач и. методов функционального контроля (ФК);' цифровых БИС и устройств при экспериментальном моделировании, радиационных отказов.. Разработан комплекс универсальных и • специализированных технических средств и систем функционального контроля.

Для сопряжения экспериментального' оборудования с компьютером, разработан модуль универсального параллельного' адаптера (УПА)."..На его основе построено несколько систем для проведения статического, функционального контроля, таких как система ФК БИС микропроцессоров для определения одиночных сбоев и универсальная, система ФК БИС статических ОЗУ. •

Для исследования и контроля функционирования'цифровых устройств в динамическом, режиме в условиях спецвоздействий разработан модуль логического.анализатора-генератора (ЛАГ). Модуль ЛАГ явился основой системы ФК ИС методом сравнения с эталоном, системы динамического ФК'БИС ПЗУ, комплексной системы ФК цифровых ИС.

Особенности радиационных отказов БИС ОЗУ и широкий спектр ' их применений в электронной аппаратуре потребовали создания ряда специализированных устройств и систем для функционального контроля. Блок динамического ФК БИС ОЗУ предназначен для детального исследования в лабораторных условиях особенностей Функционирова-. ния БИС статического ОЗУ с возможностью исследования изменения динамических параметров при воздействии. Для функционального контроля БИС динамических ОЗУ.потребовалось создание специальных технических средств, обеспечивающих формирование диаграмм работы с учетом достаточно узких временных допусков. Целый ряд средств ориентирован на конкретные условия ФК (лабораторный экс-пресс-контроль, контроль при долговременной автономной эксплуатации и : др.). '; . ..

. , Разработанные технические и методические средства проведения испытаний легли в основу. автоматизированной системы коми-

лексного имитационного моделирования (СКИМ). Система представляет собой аппаратно-программный комплекс на базе персонального компьютера и включает в себя набор лабораторных имитационных установок и набор технических средств управления объектами исследования и контроля результатов.

Основные результаты работы.

1. Проведен анализ и выделены доминирующие механизмы радиационных отказов цифровых КМОП ИС и БИС при воздействии стационарного К-излучения и потока отдельных ядерных частиц. Рассмотрены существующие модельные представления для описания таких.отказов и проанализирована их применимость для исследования специфики поведения КМОП ИС и БИС при низкой интенсивности ионизирующего излучения. Показана неэффективность стандартных средств моделирования для прогнозирования функциональных отказов цифровых ИС и устройств. Обоснована необходимость перехода на функционально-логический уровень моделирования таких отказов.

2. Предложены принципы моделирования долговременных функциональных отказов, проведен выбор системы параметров и критериев для определения работоспособности устройств, анализ методов построения и использования функционально-логических моделей, £ закже методов идентификации параметров этих моделей при наличм радиационных отказов. ■ ■ Разработана система расчетного1, функционально-логического моделирования, основанная на методе критериальных функций принадлежности, использующем теорию нечетких множеств. -Данный подход позволяет учитывать режимы работы устройсп при облучении и интенсивность воздействующего ИИ. разработан модели .радиационных отказов ряда КМОП элементов и интегральны

• схем.

3. разработаны средства расчетно-экспериментального модели рования одиночных сбоев . БИС. Для прогнозирования вероятное! возникновения' одиночных сбоев разработана расчетная методик основанная на достаточно полном анализе технологических, схеме технических и функциональных-характеристиках БИС. Для практичз< ких оценок чувствительности разработаны расчетно-экспериментал ны'е методы, в основе которых лежит экспериментальное определен сечения сбоя в поле ядерных частиц. Предложенные методики позв ляют оценить чувствительность БИС в различных функциональных р

ке". Москва, 10-12 января 1994 г. - М. :1994. с. 156-157. • 10. Калашников-0. А. Алгоритмические методы повышения радиационной стойкости, аппаратуры, работающей в условиях низкоинтенсивного стационарного воздействия. Материалы VI межотраслевого семинара "Радиационные процессы в электронике". Москва. 10-12 января 1994г. - М.:1994. с;103-104.

11. Аствацатурьян Е.Р., Герасименко A.B.. Калашников 0.А., Никифоров А.Ю., ' Скоробогатов П.К.. Чумаков А.И., Шереметьев А.И. Система комплексного имитационного моделирования радиационного поведения ПШ1 и ИС. - "Вопросы атомной науки и техники". Сер. "Физика радиационных воздействий на РЭА", .1994. вып.2, с.81-86.

12. Калашников 0. А., Курнаев С. А., Чумаков А. И. Методика имитационного моделирования нейтронного облучения альфа-излучением изотопного источника. - "Вопросы атомной науки и техники". Сер! "Физика радиационных воздействий на РЭА". 1994. вып. 2, с.93-9?.

Подписано к печати Яеха^Л 199 У г. Заказ Тираж SO&I.

--—----—--7—-:-:----— v

■ Типография ЙЩ{,.Москва, Каширское'шоссе,'д.31