автореферат диссертации по электротехнике, 05.09.10, диссертация на тему:Емкостный метод определения однородности физических свойств электротехнологических материалов

Введение

1. Классификация неразрушающих электрических методов контроля параметров материалов

1.1. Электроемкостный метод

1.2. Электропотенциальный метод

1.3. Метод электрического сопротивления

1.4. Другие методы электрического контроля

1.5. Выводы

2. Электроемкостный метод исследования распределений плотности заряда и параметров диэлектриков, полупроводников и композитов

2.1. Общие вопросы теории метода

2.2. Аппаратная функция и ее определение

2.3. Погрешности преобразования зарядового и потенциального распределения в электрический сигнал с помощью электроемкостных систем

2.4. Многопараметровые электроемкостные системы

2.5. Выводы

3. Экспериментальная установка для исследования однородности электрических свойств диэлектрических, полупроводниковых и композиционных слоистых структур

3.1. Обобщенная структурная схема

3.2. Особенности конструкции основных элементов

3.3. Методические аспекты применения

3.3.1. Оценка распределения поверхностной плотности электрического заряда вдоль траектории сканирования

3.3.2. Оценка диэлектрической проницаемости

3.4. Тестовые структуры

3.4.1. Потенциальные тесты

3.4.2. Тесты по диэлектрической проницаемости

3.4.3. О чувствительности емкостных систем.

3.5. Выводы

4. Экспериментальные результаты

4.1. Электризация неоднородных слоев в поле коронного разряда

4.2. Исследование однородности электрических свойств несовершенных диэлектриков при создании продольного электростатического поля

4.3. Исследование однородности электрических свойств низкоом-ных полупроводниковых и композиционных материалов

4.4. Принципиальные вопросы дефектоскопии диэлектрических, высокоомных полупроводниковых и композиционных слоев

4.5. Выводы

Развитие различных областей физики и техники, в частности электротехнологии, требует создания современных неразрушающих методов и средств контроля параметров различных материалов, их однородности, геометрических характеристик и многих других [1]. Разновидность неразрушаюгцего контроля -дефектоскопия призвана обеспечивать качество, надежность и безопасность эксплуатации большого числа разнообразных электротехнологических объектов. Любая продукция, чтобы быть конкурентоспособной на международном рынке, должна не только характеризоваться высокими эксплуатационными параметрами, но и иметь высокое качество и надежность. Особое место занимают методы и средства неразрушающего контроля как основные элементы технической диагностики и составная часть различных автоматизированных производств.

В настоящее время в России и за рубежом создано много различных методов и средств неразрушающего контроля и диагностики, в основном металлических материалов [2, 5] и др.

Однако вопросы контроля и диагностики диэлектрических, полупроводниковых и различных композиционных материалов, получаемых электротехнологическими методами, и применяемых в современном машиностроении, разработаны не столь глубоко. Все существующие методы и средства, более или менее успешно применяемые для дефектоскопии металлических материалов, -магнитные, вихретоковые, радиоволновые, тепловые, оптические, радиационные, акустические и проникающими веществами, неприемлемы для контроля однородности электрофизических свойств диэлектрических, полупроводниковых и различных композиционных материалов, тем более слоев.

В этом направлении перспективны разработки электрических методов контроля, которые по характеру взаимодействия физических полей или проникающих веществ в объект контроля разделяются на электрический, трибо-электрический и термоэлектрический, по первичному информационному параметру - на электропотенциальный и электроемкостный, по способу получения первичной информации - на электростатический порошковый, электропараметрический, электроискровой, экзоэлектронной эмиссии, шумовой, контактной разности потенциалов. Все эти методы обладают рядом специфических недостатков, которые ограничивают их непосредственное применение. Так, порошковый метод является визуальным, неточным и не позволяет алгоритмизировать процесс. Электроискровой метод в ряде случаев разрушает материал в локальной области (его отнесение к неразрушающим представляется сомнительным). Метод экзоэлектронной эмиссии обладает высокой пространственной разрешающей способностью, но аппаратура для его реализации непроста. Метод контактной разности потенциалов неточен. К тому же в некоторых случаях (тонкие слои) он является, по сути, разрушающим. Шумовой метод - интегральный, не позволяет определять локальные параметры материала.

Проблематична дефектоскопия электрических параметров различных материалов, применяемых в современной микроэлектронике, электрофизике, физике диэлектриков и полупроводников, тем более если имеется з виду усредненная информация об измеряемой (контролируемой) характеристике в облас

3 3 ти сравнительно малых размеров (до 10" мм ). В этом направлении выполнен достаточно большой объем работ под руководством профессора В.П. Пронина [6-14], в результате которых подготовлена база для решения достаточно крупной задачи народного хозяйства, связанной с дефектоскопией диэлектрических, полупроводниковых и композиционных материалов в широком диапазо

2 16 не изменения удельного сопротивления 10 -40 Ом • м.

Дефектоскопия диэлектрических, полупроводниковых и композиционных слоев емкостным методом занимает особое место при решении вопросов контроля однородности электрических свойств материалов и качества продукции на всех стадиях ее изготовления, поскольку все остальные методы практически непригодны для исследования этого класса материалов.

Актуальность данной работы следует из вышеизложенного.

Электроемкостные методы, - достаточно широкое понятие, однако, в основном имеются в виду интегральные определения емкости и ее зависимости от размеров электродов, их расположения, формы и диэлектрических свойств среды, опосредованно зависящей от других характеристик материала - состава, влажности, старения и т.д. Причем область усреднения информации достаточно велика - единицы квадратных сантиметров. Такие системы, в частности, были разработаны и созданы под руководством профессора И.Г. Матиса [15] и применяются при решении большого круга производственных задач, связанных с контролем качества продукции и определением соответствующих параметров диэлектрических материалов.

Современное состояние развития различных областей физики и техники требует наличия методов и средств, обеспечивающих возможность неразру-шающего определения параметров с усреднением информации по относительно малой площади (от единиц квадратных миллиметров до сотен квадратных микрометров). При этом основными характеристиками электроемкостных систем становятся чувствительность и разрешающая способность (степень усреднения информации). В рамках традиционных подходов к определению емкости описать процессы в таких системах и определить математически понятия чувствительности и разрешающей способности не представляется возможным. Значительно большая информация о распределении электрических параметров материалов в локальных областях может быть получена в результате панорамного изучения процессов накопления и релаксации заряда в материалах под действием внешних факторов - температуры, влажности, различных видов излучений. Однако в этом случае емкость трактуется как полевая характеристика, то есть зависит от пространственных координат и распределения диэлектрической проницаемости. Такой подход и используется в работе [6], в которой показаны перспективы применения электроемкостных систем. Кроме научных исследований, связанных с созданием новых материалов и электрических процессов, протекающих в них, эти системы применимы в производстве для дефектоскопии диэлектриков, высокоомных полупроводников и композиционных материалов сложных структур, определения однородности электрических свойств различных композитов и, следовательно, контроля качества продукции, а также измерения диэлектрической проницаемости и проводимости в локальной области материала.

Цель работы состоит в дальнейшем развитии электроемкостных систем применительно к исследованию однородности электрических свойств материалов в достаточно широком диапазоне удельных сопротивлений (102-И016 Ом • м) при воздействии на них электростатических и квазистатических электрических полей. В основу работы положены теоретические принципы, предложенные и развитые в работах [12, 13, 16, 17, 18, 19]. В совокупности с технологическими особенностями экспериментальных установок, предполагающих достижение сравнительно высокой пространственной разрешающей способности (до 10"12 м3)

V 2 и чувствительности (до 10" Кл/м ), узлами усиления, индикации и синхронизации, а также способами формирования многомерной информации и частотного ее разделения в системе селекции и индикации, эти исследования представляются в значительной степени завершенными.

В целом же, направление развития электроемкостных систем не исчерпывается вопросами, рассматриваемыми в рамках данной работы, поскольку это, на наш взгляд, весьма перспективный способ исследования диэлектрических, полупроводниковых и композиционных материалов, не имеющий по информативности, сравнительно простой технической реализации, чувствительности, разрешающей способности и широте аспектов применения аналогов в отечественном и мировом машиностроении.

Практическая значимость работы заключатся в том, что наряду с дальнейшим развитием теоретических представлений о возможностях емкостных систем в плане исследования однородности электрических свойств различных материалов, впервые предложено их применение для исследования однородности электрических свойств слоев с удельным сопротивлением меньше 109 Ом • м:

1. Создана соответствующая теоретическая база.

2. Разработана и создана экспериментальная установка.

3. С применением этой экспериментальной установки получены оригинальные результаты исследований как высокоомных, так и сравнительно низ-коомных материалов при воздействии внешнего электрического поля, создаваемого источниками постоянного напряжения и напряжения ультразвуковой частоты.

Научная новизна работы состоит в том, что по нашим сведениям, впервые в отечественной и зарубежной практике созданы теоретические предпосылки, реализованные в аппаратуре, и получены экспериментальные результаты, подтверждающие основные теоретические выводы относительно возможности панорамной дефектоскопии диэлектрических, полупроводниковых и композиционных материалов, получаемых с помощью электротехнологических установок, на однородность их электрофизических свойств с высоким пространственным

12 3 разрешением (до 10" м ), особенно материалов, занимающих промежуточное

2 9 положение (удельное сопротивление 10 -НО Ом • м).

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Дефектоскопия диэлектрических, полупроводниковых и композиционных материалов наиболее целесообразна с помощью электроемкостных систем, позволяющих оценивать электрофизические параметры с ус

3 3 реднением по области достаточно малых размеров (до 10" мм ).

2. Теоретическое описание процессов емкостной дефектоскопии осуществляется на основе математического аппарата функции Грина, позволяющей адекватно выразить чувствительность и разрешающую способность применяемой системы.

3. Исследование объемной неоднородности диэлектрических слоев по электрическим свойствам возможно как в поперечном к ним поле достаточно высокой напряженности, создаваемом статическим поверхностным зарядом, так и в продольном поле, создаваемом источниками постоянного напряжения.

4. Разработанные и созданные экспериментальные установки на основе емкостного метода позволяют решить широкий круг задач электротехнологии, электрофизики, физики полупроводников и диэлектриков, других направлений физики и техники, связанных с исследованием панорамы электрических свойств материалов, решение которых другими известными методами затруднительно.

5. Экспериментальные результаты, полученные с помощью созданных установок, подтверждают основные теоретические аспекты примененеия электроемкостных систем, а также свидетельствуют о их широких функциональных возможностях.

Результаты теоретических и экспериментальных исследований получены в соавторстве с В.П. Прониным, а личный вклад автора заключается в развитии теории и эксперимента при исследовании однородности электрических свойств как сравнительно высокоомных материалов (удельное сопротивление больше 109 Ом • м), так и низкоомных (меньше 109 Ом ■ м), за счет создания продольного электрического поля по отношению к направлению сканирования.

Достоверность и обоснованность исследований.

Теоретические результаты, приведенные в диссертации, являются достоверными, достаточно обоснованными и подтверждаются экспериментальными данными, полученными для различных материалов и их физической интерпретацией.

Апробация работы.

Материалы диссертации докладывались и обсуждались на международной конференции "Диэлектрики-2000", г. С.-Петербург, "Кристаллы.", г. Александров Владимирской обл. в 2001 г., Поволжской научно-технической конференции "Электротехнология на рубеже веков", Саратов СГТУ, на научном семинаре кафедры Автоматизированные электротехнологические установки и системы Саратовского государственного технического университета,

10 заседании кафедры «Электротехника и интроскопия» МЭИ (ТУ), научном семинаре кафедры физики Московского университета математики и электроники, расширенном заседании кафедры физики Саратовского государственного аграрного университета. Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 13 научных работ - 2 статьи, 1 полезная модель, 10 тезисов докладов на конференциях. Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, 4 глав с выводами, заключения и списка литературы. Содержит 179 страниц, в том числе 33 рисунка, 72 наименования списка литературы и две страницы приложения.

Основные результаты теоретических и экспериментальных исследований, выполненных автором, сводятся к следующему.

1. Проанализированы теоретические вопросы применения формулы Грина для введения понятия "аппаратная функция" применительно к электроемкостным системам и рассмотрены частные случаи электроемкостных систем при возбуждении поля за счет действия объемных и поверхностных зарядов, а также за счет напряжений, действующих на электродах.

2. Рассмотрен многопараметровый метод исследования распределения поверхностного заряда, обеспечивающий исключение влияния геометрических параметров слоев на результаты измерения. Метод особенно перспективен при изучении динамических систем, в которых, наряду с плотностью заряда, может изменяться диэлектрическая проницаемость, проводимость и толщина исследуемого слоя.

3. Реализован метод панорамной дефектоскопии диэлектрических и вы-сокоомных полупроводниковых слоев с применением зарядовой и градиентной модификаций.

4. Разработана и создана экспериментальная установка для проверки основных теоретических выводов, предназначенная для исследования однородности электрических свойств различных материалов в широ

9 1 f\ ком диапазоне изменения удельного сопротивления 10 -И 0 Ом • м.

5. Разработаны и созданы системы возбуждения поля в исследуемом слое, основанные как на применении коронного разряда, так и других внешних источников напряжения.

6. Исследованы процессы накопления и релаксации электрического заряда на диэлектрических и полупроводниковых слоях с неоднородно-стями. Экспериментально получено распределение заряда на границе раздела двух сред с различными диэлектрическими проницаемостями и проводимостями.

7. Предложен и реализован неразрушающий метод исследования однородности электрических свойств композиционных материалов с удельным сопротивлением меньше 109 Ом • м. Он заключается в создании потенциального рельефа вдоль слоя, возникающего в результате прохождения через него постоянного или переменного тока известной силы (амплитуды).

170

Поставленная задача, связанная с разработкой эффективного неразрушающего бесконтактного метода дефектоскопии исследования однородности электрофизических свойств диэлектриков, полупроводниковых и композиционных материалов теоретически обоснована и основные выводы подтверждены экспериментально с помощью разработанной и созданной установки, которая также может быть применена в научных исследованиях, связанных с созданием новых перспективных материалов и изучением закономерностей накопления и релаксации электрического заряда в них под действием различных внешних факторов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Применение электроемкостных систем для выполнения научных исследований в электротехнологии, электрофизике, физике полупроводников и диэлектриков, создании новых композиционных материалов позволяет решать широкий круг задач, связанных с процессами накопления и релаксации заряда с наблюдением панорамы их распределения на определенных траекториях сканирования, одновременным определением нескольких параметров слоя.

Весьма эффективно применение таких систем для целей контроля однородности электрических свойств различных гетерогенных структур. Большинство из задач, особенно требующих исследования распределения электрических зарядов, диэлектрической проницаемости, проводимости и толщины может быть решено с помощью электроемкостных систем и затруднительно для других методов.

Выполненные теоретические и экспериментальные исследования можно рассматривать как решение народно-хозяйственной проблемы, связанной с созданием нового перспективного метода и средств на его основе для исследования однородности электрических свойств различных материалов, получаемых в частности с применением электротехнологий, с удельным сопротивлением

2 16

10+10 Ом • м и линейным разрешением до 0,1 мм.

1. А.К. Гурвич, И.Н. Ермолов, С.Г. Сажин. Неразрушающий контроль. Кн. 1. Общие вопросы. М.: Высшая школа. 1992. 242 с.

2. Неразрушающий контроль рельсов при их эксплуатации и ремонте / Под ред. А.К. Гурвича. М.: Транспорт. 1983. 318 с.

3. Д.С. Шрайбер. Ультразвуковая дефектоскопия. М.: Металлургия. 1965.301 с.

4. В.Г. Герасимов, А.Д. Покровский, В.В. Сухоруков. Электромагнитный контроль. М.: Высшая школа. 1990. 317 с.

5. А.И. Потапов. Контроль качества и прогнозирование надежности конструкций из композиционных материалов. Л.: Машиностроение. 1980. 260 с.

6. В.П. Пронин. Электроемкостные системы в электрофизике. Саратов: СГСХА. 1997. 311 с.

7. В.П. Пронин. Одновременное определение электростатического заряда и параметров диэлектрических слоев // ЖТФ. 1984. т. 54. № 8. С. 1479-1487.

8. В.П. Пронин, В.И. Шевченко. Многопараметровый электроемкостный контроль диэлектрических слоев на проводящей подложке // Дефектоскопия. 1988. №2. С. 117-123.

9. В Л. Грищенко, В.П. Пронин. Экспериментальное определение дефектов и релаксации заряда в высокоомных полупроводниковых слоях // Дефектоскопия. 1981. № 5. С. 79-84.

10. B.J1. Грищенко, В.П. Пронин. Исследования дефектности термопластических поливинилкарбазоловых слоев // Бессеребряные и необычные фотографические процессы. Черноголовка. 1984. С. 206-207.

11. В.П. Пронин. Электростатические индукционные системы преобразования информации // Новые физические методы преобразования информации. М. 1975. сер. 10.1 (50). С. 93-99.

12. В.П. Пронин, В.И. Шевченко. Многопараметровый электроемкостный контроль диэлектрических слоев // Дефектоскопия. 1988. № 7. С. 19-26.

13. V.P. Pronin. Electric capacitance Method of Multiparametric Panoramic Examination of Dielectric and Semiconductor Lagers. Journal of Advanced Materials. 1995.2 (2). P. 162-170.

14. Э.А. Танеев, В.П. Пронин. Электроемкостная дефектоскопия диэлектриков // Труды Всероссийского электротехнического конгресса. М. 1999. Т. 2. С. 472^174.

15. И.Г. Матис. Электроемкостные преобразователи для неразрушающего контроля. Рига.: Зинойне. 1982. 302 с.

16. Д.В. Мамин, В.П. Пронин. Неразрушающие исследования однородности электрических свойств низкоомных композиционных материалов / Перспективные материалы. 2001. № 2. С. 93-98.

17. Д.В. Мамин, В.П. Пронин, М.В. Шаталина. Устройство для определения однородности композиционных материалов. Свидетельство на полезную модель № 17994 от 10.05.2001.

18. Д.В. Мамин, В.П. Пронин. Исследование однородности электрических свойств низкоомных материалов // Труды межд. конф." Кристаллы." г. Александров, ВНИИСИМС. 2001. С. 464-476.

19. Э.А. Танеев, Д.В. Мамин, А.В. Плыкин и др. Экспериментальные методы исследования распределений электрического заряда // Труды межд. конф. " Кристаллы." г. Александров: ВНИИСИМС. 2001. С. 139-142.

20. Неразрушающий контроль. Кн. 3. Электромагнитный контроль / В.Г. Герасимов, А.Д. Покровский, В.В. Сухоруков. М.: Высшая школа. 1992. 312 е.; ил.

21. Э.В. Кузьмин. Емкостный односторонний датчик для исследования твердых диэлектрических материалов. А.С. № 273336. 1970.

22. Приборы для неразрушающего контроля материалов и изделий. Под ред. В.В. Клюева. Кн. 1. и кн. 2. М.: Машиностроение. 1976. 328 с.

23. Ю.А. Скрипник. Повышение точности измерительных устройств. Киев.: Техника. 1976. 264 с.

24. Э.И. Арт, JI.A. Красин. Метод автоматизации измерений частотных характеристик параметров диэлектриков. Автометрия. 1966. № 3. С. 32-36.

25. P.J. Hudc. Wide-frequency-range dielectric spectrometer. Proc. IEE. 1970. v. 117. №9. p. 1891-1901.

26. В.П. Пронин. Одновременное определение потенциала и ортогональных компонентов напряженности трехмерного поля // ЖТФ. 1971. Т. 41. № 2. С. 285-291.

27. В.Г. Пустынников. Общий принцип формирования многомерного сигнала в устройствах для многочастотного контроля. Изв. вузов. Электромеханика. 1965. № 9. С. 1056-1062.

28. В.Я. Решетник, А.Б. Розенбат. Минимизация погрешностей автоматического контроля состава многокомпонентных веществ. Измерительная техника. 1969. С. 62-64.

29. Г.А. Гринберг. Избранные вопросы математической теории электрических и магнитных явлений. M.-JI. 1948. 728 с.

30. И.Е. Тамм. Основы теории электричества. М.: Наука. 1966. 500 с.

31. Ю.Я. Иоссель и др. Расчет электрической емкости / Ю.Я. Иосиль, Э.С. Кочанов, М.Г. Струнский. М.: Энергия. 1969. 240 с.

32. Неразрушающий контроль. В 5 кн. кн. 4. Контроль излучениями / Б.Н. Епифанцев, Е.А. Гусев, Ф.Р. Соснин, В.М. Матвеев. Под ред. В.В. Сухору-кова. М.: Высшая школа. 1992.

33. В.Г. Герасимов, В.В. Клюев, В.Е. Шатерников. Методы и приборы электромагнитного контроля промышленных изделий. М.: Энергоатомиздат. 1983. 272 с.

34. Неразрушающий контроль. В 5 кн. кн. 2. Акустический контроль / Н.Н. Ермолов, Н.П. Алешин, А.И. Потапов. Под ред. В.В. Сухорукова. М.: Высшая школа. 1991. 310 с.

35. Неразрушающий контроль. В 5 кн. кн. 4. Контроль излучениями / Б.Н. Епифанцев, Е.А. Гусев, Ф.Р. Соснин, В.М. Матвеев. Под ред. В.В. Сухорукова. М.: Высшая школа. 1992. 328 с.

36. A.J1. Дорофеев, Ю.Г. Казаманов. Электромагнитная дефектоскопия. М.: Машиностроение. 1980. 232 с.

37. В Смайт. Электростатика и электродинамика. М.: ИЛ. 1954. 604 с.

38. Ф.М. Морс, Г. Фешбах. Методы теоретической физики. М.: ИЛ. 1958. Т. 1.930 с.

39. Методы расчета электростатических полей / Н.Н. Миролюбов, М.В. Костенко, М.А. Левинштейн, Н.Н. Тиходеев. М.: Высшая школа. 1963. 500 с.

40. Jen С. On the induced current and energy balance in electronics / Proc. IRE, 1941. v. 29. P. 345-348.

41. Jen C. On the energy equation in electronic at ultrahigh frequencies / Proc. IRE. 1941. v. 29. P. 464-468.

42. Semenoff N., Walther A. Veber eine methode dev erfovsthung von elec-trisehen wechselfelden / Zeit. f. Phyb. 1923. № 19. P. 136-140.

43. Weber E. Electromaguetic fields therry and applications mapping of fields. New Jork. 1950. 402 p.

44. Г.М. Герштейн. Моделирование полей методом электростатической индукции. М.: Наука. 1970. 316 с.

45. И.А. Матвеева и др. К теории измерения поверхностных зарядов методом электростатической индукции / И.А. Матвеева, В.П. Пронин, Л.А. Шехт-ман. ЖТФ. 1977. Т. 47. № 7. С. 1389-1395.

46. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике. М.: Наука. 1974. 831 с.

47. В.Л. Грищенко, И.А. Матвеева. Контрастно-частотные характеристики оптоэлектрических систем с индукционным преобразованием / Автометрия. 1983. №5. С. 76-81.

48. И.А. Матвеева. Метрологические свойства зондовых систем для измерения поверхностных зарядов / Радиотехника и электроника. 1982. № 4. С. 804-812.

49. В.Л. Грищенко, И.А. Матвеева. Применение электростатической индукции для определения потенциала и плотности заряда диэлектрических и полупроводниковых структур. Саратов: Изд-во Сарат. Гос. Университета. 1990. 134 с.

50. В.П. Пронин, В.И. Шевченко. Многопараметровый электроемкостный контроль диэлектрических слоев на проводящей подложке // Методы и средства контроля полупроводниковых и диэлектрических структур. Сер. 8. М.: ЦНИИ "Электроника". 1986. вып. 2 (232). С. 49.

51. B.J1. Грищенко, И.А. Матвеева. Преобразование поверхностных распределений заряда и потенциала методом электростатической индукции // Вопросы электроники СВЧ. Саратов.: Изд-во СГУ. 1983. С. 16-24.

52. Параметры емкостных преобразователей поверхностного электрического потенциала ЭФС // Э. Монтримас, К. Мотеюнас, К. Сакалаускас, В. Ти-шукас // Состояние и перспективы развития электрофотографической копировальной техники. Вильнюс. 1985. С. 99-102.

53. Ю.П. Гущо. Фазовая рельефография. М.: Энергия. 1974. 137 с.

54. Г. Сесслер. Электреты. М.: Мир. 1983. 488 с.

55. В.И. Шевченко. Многопараметровые электроемкостные исследования диэлектрических слоев. / Дисс. на соиск. уч. степ. к. т. н. МЭИ, 1991 г.

56. Экспериментальное определение дефектов и релаксации заряда в вы-сокоомных полупроводниковых слоях / Ю.Д. Арсентьев, B.JI. Грищенко, В.А. Марцинкявичус, JI.M. Науменко, В.П. Пронин // Дефектоскопия. 1981. № 5. С. 79-84.

57. А.С. 921322 СССР, МКИ G-01 R 29/24. Устройство для измерения заряда электретов / В.П. Пронин (СССР) № 2984331/18-24. Заявл. 25.09.80. Опубл. 14.12.81. Бюл. №36.

58. В.П. Пронин. Прибор для панорамного исследования процессов накопления и релаксации электрических зарядов. // ПТЭ. 1987. № 5. С. 184-186.

59. Г.Е. Леонтьев и др. Малошумящий предусилитель / Г.Е. Леонтьев, В.П. Армонавичус, Г.Е. Миколайтис. ПТЭ. 1984. № 1. С. 126-127.

60. В.П. Пронин. Потенциальные тесты для бесконтактных емкостных методов дефектоскопии // Дефектоскопия. № 8. 1985. С. 88-93.

61. В.Л. Грищенко, И.А. Матвеева, В.П. Пронин. Определение метрологических характеристик зондов для измерения заряда и потенциала // Тез. докл. Всесоюзн. семинара "Эффективность машинных методов решения краевых задач" М. 1982. С. 26-27.

62. Г.И. Сканави. Физика диэлектриков (область слабых полей). М.: Физ-матгиз. 1949. 500 с.

63. А.А. Харькевич. Спектры и анализ. М.: Физматгиз. 1962. 236 с.

64. А.С. 868525 СССР, МКН3 G-01 № 27/24 Способ определения дефектов полупроводниковых слоев и диэлектриков / В.П. Пронин (СССР) № 2870659/8-25. Опубл. 30.09.81. Бюл. № 36.

65. Д.В. Мамин, В.П. Пронин. Исследование однородности электрических свойств низкоомных материалов / Тез. докл. V-й международной конференции "Кристаллы.". 2001. г. Александров. ВНИИСИМС. С. 131-133.177

66. В.П. Пронин. Н.А. Полулях, А.В. Плыкин, Д.В. Мамин. Панорамная дефектоскопия диэлектриков / Тез. докл. V-й международной конференции "Кристаллы.". 2001. г. Александров. ВНИИСИМС. С. 134-136.

67. В.П. Пронин, Д.В. Мамин. Термостимулированный заряд в кристаллах кварца / Тез. докл. V-й международной конференции "Кристаллы.". 2001. г. Александров. ВНИИСИМС. С. 138-139.

68. Д.В. Мамин, В.П. Пронин. К вопросу теории акустического зондирования диэлектриков / Тез. докл. V-й международной конференции "Кристаллы.". 2001. г. Александров. ВНИИСИМС. С. 133-135.

69. УТВЕРЖДАЮ» Проректор СГАУ имени Н.И. Вавилова научной/работе, .н., ррофессор1. А.В. Голубеввнедрения законченной н ауЧнй^дселедовательской работы

70. Научный руководитель НИР зав. каф физики СГАУ, профессор1. В.П. Пронин

71. Внедрение результатов НИР позволило повысить качество продукции и увеличить гарантийные сроки.

72. Замечания и предложения по внедрению. Целесообразно на основе данного образца прибора выполнение ОКР с целью создания средств, обеспечивающих быструю диагностику качества покрытия всей поверхности кузова машины.

73. Научный руководитель НИР Технический директор1. Мы, нижеподписавшиесяпредставитель1. Саратовского