автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.07, диссертация на тему:Автоматизация радиационно-лазерных процессов изготовления симметричных канальных элементов интегральной оптики

На правах рукописи

РГБ ОД

1 о АП? 2333

Кудаев Сергей Валентинович

АВТОМАТИЗАЦИЯ РАДИАЦИОННО-ЛАЗЕРНЫХ ПРОЦЕССОВ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИММЕТРИЧНЫХ КАНАЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ОПТИКИ

Специальность 05.13.07 - автоматизация технологических процессов и производств (промышленность)

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Владимир 2000

Работа выполнена во Владимирском государственном университете

Научный руководитель

кандидат технических наук, доцент H.H. Давыдов

заслуженный деятель науки и техники, доктор технических наук, профессор Д.А. Сеченов

доктор технических наук, профессор В.А. Лабутин

Научно-исследовательский институт приборов г. Лыткарино, Московская обл.

Официальные оппоненты

Ведущее предприятие

3 о

Защита диссертации состоится « гь » 2000 г. в

часов на

заседании диссертационного совета Д.063.65.02 Владимирского государственного университета по адресу. 600026, г. Владимир, ул. Горького, 87, ауд. 211-1.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Владимирского государственного университета.

Автореферат разослан 2000 г.

Отзывы на автореферат в двух экземплярах, заверенные печатью, просьба направлять по адресу: 600026, г. Владимир, ул. Горького, 87, ученому секретарю совета.

Ученый секретарь диссертационного совета

доктор технических наук, доцент

£#45,¥9-06-5-05,9

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы. Особенностью современного этапа развития общества является возрастающая роль обработки информации. Такие задачи, как управление сложными объектами, распознавание образов, моделирование ситуаций и принятие решений характеризуются большим объемом перерабатываемой информации, сложными законами преобразования. Показано, что дальнейшее повышение производительности обработки информации в электронике может быть связано с мультипроцессорными комплексами. Однако организация высокопараллельных вычислений в ЭВМ сталкивается с принципиальными трудностями главным образом при обеспечении множественных межсоединений процессоров и элементов различного уровня средствами электроники.

Потенциальным преимуществом оптических вычислительных машин служит присущая оптике доступность параллельной обработки информации и межсоединений. Существенно также, что оптические частоты обеспечивают значительно большую полосу пропускания и предельно допустимое быстродействие по сравнению с радиочастотным диапазоном.

Однако на пути развития оптической информационной техники имеется немало существенных трудностей, обусловленных технологией их производства и связанных с особенностями использования фотонов излучения в качестве носителей информации. Необходимость тщательной юстировки элементов объемной оптической схемы, большие размеры и стоимость элементов, а также проблемы их совместимости с интегральными электронными устройствами требуют новых подходов к построению технологических процессов (ТП) производства оптических средств.

Отмеченные трудности в принципе преодолеваются в случае, если распространение н преобразование излучения происходит в объединенных , общей подложкой твердотельных диэлектрических структурах. Технологическая реализация процессов изготовления волноведущих структур интеграпьной оптики основана на методах, близких к методам технологии изготовления электронных ИМС. Необходимое качество формирования структур микронных и субмикронных размеров в этом случае обеспечивается только при условии автоматизации ТП. Однако ориентация современных методбв и средств автоматизации ТП на изготовление электронных ИМС не позволяет учитывать особенности распространения оптического излучения в формируемых структурах. В результате плотность упаковки интегрально-опютескнх элементов (ИОЭ) функциональной обработки сигналов оказывается значительно меньше плотности упаковки электронных приборов, изготовленных с помощью тех же автоматизированных технологических комплексов. Малая плотность упаковки ИОЭ на подложке фотонной интегральной схемы (ФИС) приводит к недостаточной реализации основного преимущества оптических вычислительных систем - осуществления высокопараллельной обработки информации.

Целью работы является автоматизация технологических процессов изготовления оптических волноводов для обеспечения повышения плотности упаковки ИОЭ обработки сигналов на подложке.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Проанализировать назначение и конструктивно-технологические варианты исполнения устройств н элементов интегральной оптики, выявить ограничения плотности упаковки оптических волноводов (ОВ) при их изготовлении микроэлекгронными методами, а также специфические требования, определяющие принципы управления ТП изготовления ФИС.

2. Обосновать выбор управляющих технологических факторов, обеспечивающих создание в интегрально-оптических подложках локальных областей каналиро-вания мод сигнального излучения (СИ).

3. Разработать математические модели (ММ) технологических процессов формирования ОВ, а также волноводных и других характеристик формируемых структур.

4. Разработать алгоритмы управления технологическим оборудованием, реализующие автоматизацию технологических процессов.

5. Разработать критерии выбора технологического оборудования, пригодного для реализации автоматизированных ТП формирования ФИС с повышенной плотностью упаковки.

Методы исследования включают физические эксперименты; моделирование процессов взаимодействия проникающего электромагнитного излучения с веществом; применение математического аппарата квантовой электроники и электродинамики к исследованию процесса распространения излучения в элементах ФИС; использование методов теории автоматического управления, теории точности, теории графов, а также методов обработки изображений для разработки алгоритмов управления технологическим оборудованием.

Научная новизна. В диссертации получены следующие новые научные результаты:

1. Разработаны ММ и алгоритмы автоматизированного управления процессами взаимодействия проникающих у - и лазерного излучений с материалом подложки, определяющие структуру ТП последовательного формирования канальных симметричных ОВ и ИОЭ, обеспечивающего возможность многослойной упаковки ОВ;

2. Разработана структура автоматизированного ТП нанесения на поверхность полупроводниковой или диэлектрической подложки ФИС симметрирующих слоев из порошков, обеспечивающего возможность уменьшение размеров ОВ вплоть до минимальных размеров канальных симметричных волноводов.

3. Разработаны алгоритмы управления процессами формирования ИОЭ функциональной обработки сигналов, допускающих многослойную упаковку.

4. Разработан алгоритм последовательного формирования топологии волновод-ной структуры ФИС, позволяющий повысить производительность процесса лазерной размерной обработки за счет уменьшения суммарной длины холостых переходов.

5. Разработаны автоматизированные методы нанесения полутоновых и цветных контурно-штриховых изображений на стекла, основанные на управлении про-

цессами взаимодействия проникающего электромагнитного излучения с монолитными и порошковыми стеклянными материалами в соответствии с разработанными ММ и алгоритмами.

На основании проведенных исследований на защиту выносятся:

1. Функциональное, алгоритмическое и математическое обеспечение системы программного управления (СПУ) раднационно-лазерным ТП последовательного формирования в объеме стеклянной подложки канальных симметричных ОВ и ИОЭ.

2. Математическое обеспечение СПУ ТП лазерного нанесения на поверхность полупроводниковой или диэлектрической подложки ФИС симметрирующих слоев из порошков.

3. Алгоритм управления процессом подстройки параметров У-образного развет-вителя оптических сигналов для формирования логических элементов.

4. Алгоритм последовательного формирования топологии волноводной структуры ФИС.

5. Функциональное, алгоритмическое и математическое обеспечение СПУ ТП нанесения полутоновых и цветных контурно-штриховых изображений на стекла.

Практическая ценность полученных результатов заключается в повышении плотности упаковки ОВ на подложке ФИС; повышении производительности процессов лазерной размерной обработки; повышении художественной выразительности стеклоизделий за счет разработки принципов управления существующим прецизионным оборудованием с целью реализации процессов формирования оптических и графических элементов с помощью проникающих у - и лазерного излучений.

Реализация и внедрение результатов работы. Результаты диссертационной работы внедрены в промышленность и использованы при выполнении хоздоговорных и госбюджетных научно-исследовательских работ Владимирского государственного университета к Владимирского регионального лазерного инженерно-технологического центра в рамках исследований, проводимых в интересах предприятий Владимирской области, а также в учебный процесс при подготовке радиоинженеров и магистров в ВлГУ.

Апробация работы. Диссертация в целом и ее отдельные результаты доложены на следующих научно-технических конкурсах, конференциях и выставках: Всероссийский конкурс грантов для аспирантов «Стипендиаты Президента России» (проведенные исследования удостоены гранта в 1998/1999 уч. году); Всероссийский конкурс научных работ молодых ученых по радиоэлектронике и связи за 1998 г. (работа отмечена дипломом и 3-й премией Президиума Центрального совета российского научно-технического общества радиоэлектроники и связи им. А. С. Попова); Всероссийский конкурс научных работ молодых ученых по радиоэлектронике и связи за 1999 г. (работа отмечена дипломом Президиума Центрального совета российского научно-технического общества радиоэлектроники и связи им. А.С. Попова); конкурс на лучший доклад на всероссийской конференции «Гагаринские чтения» (выступления в 1997, 1998, 1999 гг.

отмечены дипломами конференций); науч.-техн. конф. с международным участием «Приборостроение-94» (Судак, 1994 г.); 2-я Международная светотехническая конференция (Суздаль, 1995 г.); 5-я и 6-я Международные конференции «Лазерные технологии-95», «Лазерные технологиии-98», (Шатура, 1995, 1998 гг.); 2-я и 3-я Международные науч.-техн. конф. «Физика и радиоэлектроника в медицине и биотехнологии» (Владимир, 1996, 1998 гг.); международные конференции «LASE'98: High-Power Lasers and Application», (Сан Хосе, Калифорния, США, 1998 г.), «LASE'99», (Сан Хосе, Калифорния, США, 1999 г.); IX Международная конференция «Laser Optics'98» (Санкт-Петербург, 1998 г.); Международная науч.-техн. конф. «Перспективные технологии в средствах передачи информации» (Владимир, июль 1999 г.); всероссийская науч.-техн. конф. «Конверсия., приборостроение, рынок» (Владимир, июнь 1995 г.); российские научные конференции «Радиационная стойкость электронных систем»: «Стой-кость-98», «Стойкость-99» (Москва, июнь 1998, июнь 1999 гг.); ХХШ, XXIV и XXV Всероссийские молодежные научные конференции «Гагаринские чтения» (Москва, 1997, 1998, 1999 гг.); областные науч.-техн. конф.: «Проектирование и применение радиотехнических устройств», (Владимир, май 1994, 1995 гг.); международная научно-техническая выставка «Наука, конверсия, образование» (Тульский ГТУ, май 1993 г.); выставка годичного Всероссийского собрания «Наука-94» (ВлГТУ, февраль 1995 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 33 работы, в том числе 1 статья в журнале «SPIE» (США), 2 статьи в отечественных журналах, 10 материалов докладов на конференциях, а также другие публикации; подана заявка на изобретение (№ 98105811, приоритет 25.03.98).

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав основной части, изложенных на 171 странице и иллюстрированных 96 рисунками и 19 таблицами, заключения, списка литературы, включающего 198 наименований отечественных и зарубежных источников, а также 6 приложений, подтверждающих практическую значимость проведенных исследований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность решаемой научно-технической задачи, сформулированы «ель и задачи диссертации, отмечена новизна и практическая значимость полученных результатов, а также приведены аннотации глав диссертации.

В первой главе проанализированы конструктивно-технолошческие варианты реализации устройств и элементов интегральной оптики и показано, что при недостаточной плотности интеграции теряется возможность полностью двумерной обработки сигналов. В результате роль второй координаты играет время, и производительность интегрально-оптических методов обработки информации ограничивается в соответствии с фон Неймановской парадигмой архитектуры вычислительных систем. Следовательно, при рассмотрении ИОЭ в качестве элементной базы суперкомпьютеров нового поколения целью управления процессами их производства является обеспечение высокой плотности интеграции ОВ на подложке.

В настоящее время при производстве ФИС используются типовые технологические процессы микроэлектроники. Выбор вида основной стадии обработки - изготовления топологии волноводов - определяется функциональным назначением ФИС. Характерной особенностью данных процессов являются супергрупповые методы обработки, при которых на одной установке в рамках одной операции одновременно формируется множество элементов. Взаимосвязь конструкций интегральных приборов и технологии их изготовления предопределяет объект управления в ТП изготовления интегрально-оптических схем - совокупность физических процессов, направленных на изменение свойств полуфабриката ФИС. Управляющими воздействиями на выбранный объект управления являются воздействия технологических факторов.

Если учесть необходимость повышения плотности упаковки ОВ на подложке ФИС, то наиболее перспективными являются симметричные канальные ОВ, обеспечивающие необходимую эффективность каналирования заданной моды СИ при наименьших размерах. В этом случае выходными параметрами ТП являются функциональные параметры ОВ: Ш - ширина ОВ; И - толщина ОВ; Дл = "ов ~ "поди" перепад ГШ на границе ОВ-подложка; Х-си" длина волны сигнального излучения. Границы диапазона изменения величин параметров ОВ определяются функциональными ограничениями. При рассмотрении обеспечения высокой плотности интеграции ОВ в качестве цели управления, ограничением является вероятность появления ошибки при оптических вычислениях.

На основе анализа принципов автоматизации существующих ТП показано, что одним из основных факторов, ограничивающих плотность упаковки волноводов на подложке, является распределенный характер воздействия управляющих технологических факторов в супергрупповых методах изготовления топологии ФИС и, как следствие, недостаточная управляемость процесса формирования симметричных канальных ОВ ввиду невозможности оперативного изменения управляющих воздействий технологических факторов для формирования неоднородных структур, а также ввиду зависимости выходных параметров ТП от значительного количества неконтролируемых случайных возмущений.

Во второй главе разработаны и исследованы методы повышения плотности интеграции ОВ за счет обеспечения локального характера воздействия управляющих технологических факторов. Показано, что при использовании в качестве управляющих технологических факторов проникающих у - и лазерного излучений возможны следующие пути повышения плотности интеграции ОВ: . 1. Формирование многослойных ФИС (с послойной интеграцией ОВ в о&ьеме подложки).

2. Создание симметричных ОВ в приповерхностной области подложки путем нанесения на ее поверхность симметрирующих слоев.

Повышение управляемости процесса обеспечивается за счет реализации возможности оперативного изменения управляющих воздействий при формировании неоднородных ОВ, а также за счет снижения влияния случайных возмущений (рис. 1), что позволяет определять необходимые характеристики управ-

ляюших воздействий по аналитическим моделям формируемых структур вида:

НК Хси}; {%!, 2/-0) г„ Дли. ^ли}) = о, где величины: - средняя мощность в пучке ЛИ; гп - положение плоскости

перетяжки; 2г0 - диаметр светового пятна в плоскости перетяжки пучка ЛИ; Ядц- длина волны ЛИ; скорость перемещения пучка ЛИ, являются параметрами ЛИ как управляющего технологического фактора.

Принципы взаимодействие элементов системы управления ТП формирования ОВ проникающими излучениями (см. рис. 1) могут быть сформулированы следующим образом: ..

1. В системе управления на основе ММ производится расчет значений управляющих технологических факторов, необходимых для формирования кон-

Обработка

Контроль

Сбор информации

Величины

управляющих

воздейсгаий

Парам ти^

Сбор информации

Система управления ТП

. Оптимизация реж. обработки 'На основе ММ зависимости параметров ОВ от управляющих воздействий

Уточнение ксх. данных

(парам. материалов)

кретного ОВ.

2. Рассчитанные значения , пересылаются в локальную систему управления технологического оборудования.

3. В технологическом оборудовании локальные системы управления обеспечивают стабилизацию мощности ЛИ Рщ, положения плоскости перетяжки гг

Информацисшшс потоки —Мггериалыше потоки

Рис. 1. Структура автоматизированного управления процессами формирования ОБ проникающими пучками электромагнитного излучения

диаметра светового пятна в плоскости перетяжки пучка ЛИ 2гв, скорости перемещения пучка ЛИ vЛl} ; а также изменение взаимного положения обрабатываемой заготовки и пучка ЛИ в плоскости хОу в соответствии с заданной траекторией.

4. Текущие значения управляющих технологических факторов запоминаются в системе управления Ш.

5. После формирования всех ОВ подложка передается на операцию контроля, где определяются реальные параметры ОВ. Полученные значения также запоминаются в системе управления ТП.

6. При необходимости производится корректировка исходных данных ММ (параметров материалов). Кроме того, на данном этапе возможно внесение изменений в сами ММ (в результате вмешательства оператора).

Таким образом, автоматизация процессов формирования ОВ проникающим электромагнитным излучением реализуется путем построения СПУ ТП. Специфика данной системы (рис. 2) состоит в много контурном комбинированном управлении. . . ,, ,

Требования к элементам СПУ ТП:

• Контур 1. Регулирование в реальном масштабе времени по отклонению текущего значения управляющего технологического фактора от значения, задаваемого программой.

• Контур 2. Управление по возмущению, определяемому с помощью ММ зависимости выходных параметров ТП от управляющих воздействий.

Анализ информации о структуре и характеристиках существующих промышленных лазерных комплексов показывает, что в них реализован контур 1 управления. Кроме того, отсутствие необходимости работы контура 2 в реальном масштабе времени обусловливает возможность реализации программною задающего устройства на основе микроЭВМ.

Рис. 2. Структурная схема СПУ ТП формирования ОВ проникающим электромагнитным излучением

Следовательно, для автоматизации ТП формирования ОВ с помощью проникающего электромагнитного излучения необходимо построить ММ зависимости функциональных параметров ОВ от управляющих воздействий технологических факторов, а также выбрать технологическое оборудование (автоматизированные лазерные комплексы), удовлетворяющее требованиям точности специфичным для интегральной оптики.

С целью управляемого формирования симметричных канальных ОВ в объеме стеклянной подложки предложено использовать физический процесс фоторазрушения радиационных центров окраски (РЦО) остросфокусированным пучком проникающего ЛИ. Математическая модель ТП основана на зависимости показателя преломления (ПП) материала от концентрации РЦО и уравнении кинетики фоторазрушения РЦО:

и2 =1+4*2 V,- а,-; й = (^-у?

/

где п - ПП материала подложки; / г тип РЦО; а, и р\ - концентрация, поляри' зуемость и вероятность фогоразрушения РЦО ¡-го типа; - концентрация ста-, бильных центров; 1 - интенсивность ЛИ.

Математическая модель профиля ПП материала подложки в обработанной области имеет вид:

2Я0

«г» (у)'

1 +

2(>о -у)

Ле = (2 Го) 2 = /п>ах(у) «р

"У

л

х(у)

ехр

-2

*01

2\

где Щ - диаметр перетяжки пучка ЛИ; Хди- дшша волны излучения в вакууме;

эквивалентный конфокальный параметр; Р0- мощность ЛИ; >о, х0 и х0] -координаты перетяжек пучков ЛИ (при формировании двух границ ОВ); г(у) -радикс сечения пучка ЛИ; !(х, у) - интенсивность ЛИ в точке с координатами (2с, у); /щах^) - максимальная интенсивность ЛИ.

Алгоритм управления процессом формирования ОВ состоит в последовательном отсвечивании пучком ЛИ двух продольных границ волновода. Расстояние в горизонтальной плоскости между элементами траектории пучка ЛИ определяет размеры ОВ. Показано, что на расстояния 1У в вертикальной плоскости от оси ОВ, определяемом выражением

2'о

^ли4

«ОВ5

16

изменение ПП не превышает 3 в 0.066% (нов - ПП на оси ОВ). Это позволяет осуществить формирование нескольких вертикально интегрированных в подложке 'слоев ОВ. Алгоритм управления процессом включает последовательное формирование ОВ одного слоя, изменение глубины фокусировки на величину последовательное формирование ОВ следующего слоя. Максимальное число

слоев ОВ в подложке: к^ = где к - толщина подложки; оператор }х[

означает округление до ближайшего целого, не превосходящего л. В частности, в подложке толщиной 1 мм могут быть интегрированы до пяти слоев ОВ сечением 8x32 мкм, что позволяет повысить плотность упаковки по сравнению с однослойной упаковкой в пять раз (кратно числу слоев). Достоинством разработанного алгоритма управления является возможность пренебрежения нестационарностью процесса поглощения ЛИ материалом подложки.

Для определения параметров управляющих воздействий технологических факторов по функциональным параметрам ОВ предложено использовать модель реального градиентного ОВ в виде ОВ со ступенчатым изменением ПП. Параметры эквивалентного ОВ определяются по выражениям

Пов =

Значение п?

¿„¡и определяют подстановкой у =

ли

в выражение (1).

Толщина эквивалентного ОВ: Ь-2у =

8Х. ли

А

\пВ'

где Л = -у;

В =

-1п-

Ширина эквивалентного ОВ: IV

1п-

8 Р0Р'

Предложенная модель адекватно отражает волноводные свойства сформированной структуры, что доказано сравнением поперечного распределения поля основной моды СИ в реальном градиентном и эквивалентном ступенчатом ОВ.

Особенностью ФИС на стеклянных подложках является невозможность интеграции преобразователей носителей информации (электрон-фотон). Поэтому для создания электро- и акустооптических устройств обработки сигналов неизбежно использование ОВ, сформированных традиционными методами в приповерхностной области полупроводниковой (или сегнетоэлектрической) подложки. Недостаточная управляемость данных процессов предопределяет формирование несимметричных ОВ с шириной Ц7> 2 ^сиш4, где - минимальная ширина симметричного ОВ. Для повышения плотности интеграции ОВ в данном случае предложено наносить на поверхность подложки симметрирующие слои из порошков, совпадающих по составу с материалом подложки, при помощи ЛИ, действующего сквозь толщину подложки. Показано, что при такой организации ТП форма сечения симметрирующего слоя близка к полусфере. Для определения требуемой формы сечения слоя используется зависимость размера области-экс-поненциального затухания поля мод СИ от размеров ОВ:

|У 1

Л = тах-

-1п(200соз(*, Iехр(-*у£)] ,

где Я - радиус сечения; IV - ширина ОВ; ку - постоянная распространения мода?. СИ по оси .у; А - толщина ОВ; функция тах{а, б} обозначает выбор максимального значения из аргументов а и 6.

Для построения ММ управления ТП-взаимодействие проникающего ЛИ с системой подложка-слой порошка разделено на две стадии: поглошение энергии ЛИ частицами порошка; притяжение частиц за счет кулоновских сил, их плавление и растекание по нагретой зоне. Это обусловлено значительной разницей времени протекания теплофизических процессов и времени распространения ЛИ в частично прозрачных материалах и позволяет проверить адекватность ММ ТП путем нахождения распределения температур частиц слоя порошка в приближении геометрической оптики. Показано, что разработанная ММ зависимости геометрических размеров симметрирующего слоя от параметров управляющего воздействия

1+1°8 &-«)й

адекватно отражает протекающие в системе процессы и может бьггь использована для управления ТП лазерного симметрирования С-^отр " интегральный коэффициент отражения ЛИ от поверхности частицы; - диаметр частицы порошка; а - коэффициент поглощения излучения сплошным слоем материала толщиной ¿п; р - плотность материала частицы; /т- минимальная температура, при которой материал частицы становится пластичным; /0~ начальная температура частиц порошка; С^ - средняя теплоемкость материала частицы в интервале температур [¿о. 'пл]'. мощность излучения; {- время действия излучения на данный участок слоя порошка).

В третьей главе разработаны алгоритмы управления и модели процессов формирования интегрально-оптических элементов функциональной обработки сигналов. Разработан принцип управления перемещением перетяжки пучка ЛИ для формирования межсловного перехода: >ОВ1»

ЛЗВ2>

{21+г2)/< г >г2,

где >>овь Уо&2 - координаты осей соединяемых ОВ; (Уь г{) (у2, г2) - координаты точек - центров окружностей, составляющих траекторию перемещения; ось г направлена вдоль оси ОВ, ось> - перпендикулярно оси ОВ в вертикальной плоскости. Методами теории распространения излучения ъ изогнутых слоях доказана незначительность влияния неоднородности толщины ОВ на потери в области перехода. Разработанная методика проектирования межслойного перехода основана на определении допустимого радиуса изгиба ОВ по заданному уровню потерь при условии пренебрежения зависимостью длины перехода от радиуса изгиба.

С целью компенсации погрешностей ТП формирования ОВ предложено после сборки ФИС осуществлять подстройку параметров путем изготовления элементов подстройки (ЭП)" Показано, что ЭП в ОВ шириной 1.4 мкм обеспечивает удельный фазовый сдвиг СИ ДфуД= -0.21 рад/мкм при коэффициенте передачи энергии СИ ГЭП = 95%. Управляемое внесение фазового сдвига в волну СИ позволяет реализовать оптические комбинационные логические элементы (ЛЭ) на основе интерференции двух сигналов. Разработан алгоритм подстройки параметров ОВ для формирования ЛЭ «Искл. ИЛИ», включающий измерение интенсивности интерференционного сигнала до и после формирования пробного ЭП, определение по измеренным значениям исходного фазового сдвига (обусловленного погрешностью изготовления/монтажа ФИС) и прогнозирование необходимости формирования в одном из ОВ ЭП длиной

/¡- интенсивности интерференционного сигнала до и после формирования пробного ЭП; ср эп - фазовый сдвиг на пробном ЭП: ср Эп - ; Ьп - длина пробного

Разработанные модели и алгоритмы управления позволяют автоматизировать процесс выработки управляющих воздействий. Вторая стадия процесса управления, а именно осуществление управляющих воздействий, реализуется с помощью автоматизированных технологических комплексов. В связи с этим в диссертации сформулированы требования к параметрам технологического оборудования, необходимого для реализации разработанных автоматизированных методов формирования ОВ и ИОЭ проникающими пучками электромагнитного излучения. Показано, что реализация лазерного управляемого фотоотсвечивания РЦО при многослойном формировании ОВ возможна при использовании лазеров на ИАГ (или стекле) с N(1, работающих на второй гармонике (Яли = 0.531 мкм); эксимерных лазеров (ХеС1: Хли = 0.308 мкм); лазеров на парах меди (Хли =0.578 мкм). Для управляемого лазерного симметрирования ОВ в приповерхностной области подложки целесообразно использовать лазеры на ИАГ с N<1, работающие на основной длине волны (Хш = 1.064 мкм).

На основе эквивалентности перемещающихся двумерного и одномерного гауссова пучка ЛИ (при условии накопления эффектов разрушения РЦО или нагрева частиц порошка) показано, что при определении режимов обработки, реальную мощность на выходе технологического лазера необходимо нормировать путем умножения на коэффициент кр-0.567635.

Методами теории рассеяния энергии оптического излучения доказано, что наиболее жесткие требования к технологическому оборудованию предъявляются по точности воспроизведения плавной траектории. В связи с этим предложен

где ф 0 = 2 &гсг(

- исходный, фазовый сдвиг; У0 и

ЭП.

Источник ЛИ,

Источник ЛИ,

вариант технологической реализации процесса формирования ОВ в радиацион-но-тонированной подложке с помощью двух пучков ЛИ (рис. 3) и показано, что при шаге (точности) перемещения 0.1 мкм потери в формируемом ОВ не превышают 0.1 дБ/см, что обусловлено отсутствием рассеяния на неоднородно-стях толщины ОВ и корреляцией погрешности воспроизведения его границ.

При автоматизации ТП радиашон-но-лазерного формирования ОВ в соответствии со схемой (см. рис. 1) производительность процесса зависит от выбора последовательности прохождения пучком ЛИ элементов траектории. Анализ существующих методов формирования рабочей траектории показывает неэффективность последовательного прохождения замкнутых контуров. В связи с этим разработан алгоритм управления ТП последовательного формирования топологии волноводов ФИС, основанный на алгоритме нахождения эйлеровой цепи в несвязном графе. Методами теории трафов показана эффективность критериев выбора ребра, включаемого в траекторию: 1. Основное ребро, не имеющее общих

Рис. 3. Технологическая реализация процесса формирования ОВ двумя источниками ЛИ: 3 - направления перемещения фокусирующей системы; 2 - направления перемещения подложки

вершин с другими основными ребрами:

(а,у>0)&( Г(УУ)

= 1

2. Если предыдущее ребро в траектории дополнительное, то следующее должно быть основным: а<0=>а,у >0, j-1...N.

3. Ребро, конечная вершина которого инцидентна максимальному количеству основных ребер: (а,-у ] = 1...^.

4. Внутреннее основное ребро.

5. Из нескольких основных ребер - ребро с максимальной длиной:

(о,у *о)&|аи = тах|, j=\...N; б. Из нескольких дополнительных ребер - ребро с минимальной длиной:

\аи *о)&|а1;- = тгк), ]= 1...К, где а,-у- элемент матрицы весов графа; У к - вершина, из которой был осущест-

+

влен переход в вершину V,-;

-ы

- число вершин, смежных с верпшнои

V/ основными ребрами; N - число вершин. Применение разработанного алгоритма управления позволяет повысить производительность процесса лазерной размерной обработки за счет уменьшения суммарной длины холостых переходов и актуально для всех видов лазерной обработки (резка, сварка, поверхностная термообработка и т.п.), а также для таких областей, как фрезерование плоских деталей сложной формы и вычерчивание изображений на перьевых плоттерах.

Четвертая глава посвящена экспериментальному исследованию ММ и алгоритмов управления процессами обработки стекол проникающими излучениями. Экспериментальная проверка адекватности разработанных ММ проводилась с помощью автоматизированного технологического комплекса на базе лазера ЛТИ-501. Оптические характеристики образцов определялись с использованием универсального монохроматора УМ-2, а также сканера UMAX Astra 1220р с приставкой для сканирования прозрачных образцов Slide Adapter UTA-3A. Образцы предварительно были подвергнуты радиационному тонированию при поглощенной дозе 103...105 Гр. Основные результаты экспериментов:

1. Радиационные центры окраски, обусловливающие поглощение оптического излучения, характерны для большинства силикатных стекол.

2. Для обеспечения повторяемости свойств стеклянных подложек ФИС необходимо обработку ионизирующим у-излучением производить до дозы радиационного насыщения материала, так как при этом не проявляется зависимость оптических характеристик от тепловой предыстории стекла.

3. При отсвечивании РЦО спектры поглощения остаются подобными, т.е. излучение с длиной волны Я = 1.064 мкм равномерно отсвечивает все типы центров, вызывающих поглощение в видимом диапазоне.

4. При анализе процессов фоторазрушения РЦО целесообразно рассматривать интегральную оценку спектрального распределения коэффициента поглощения. Это позволило автоматизировать эксперименты и накопить статистические данные путем численного анализа отсканированного изображения образца. Коэффициент корреляции интегральной оценки спектра поглощения и яркости точки, определенной по сканированному изображению, близок к 1, что с вероятностью не менее 99.9% говорит о линейной функциональной связи данных характеристик.

5. Методами статистического анализа данных доказана адекватность экспоненциальной модели фоторазрушения РЦО.

6. Максимальное изменение ПП стекла Ьп = 0.018, что доказывает возможность, формирования в стеклянной подложке локальных градиентов ПП и при соответствующем выборе алгоритмов управления ТП обеспечивает формирование ОВ в объеме подложки.

7. При отсвечивании РЦО с помощью ЛИ в стекле формируются локальные участки с более высоким светопропусканием, чем на остальной поверхности подложки. Это позволяет формировать в стеклах полутоновые изображения (в-

градациях серого). Автоматизация процессов нанесения полутоновых изображений на стекла реализуется на основе ММ зависимости управляющих воздействий технологических факторов от параметров элемента изображения. При управляемом последовательном лазерном отсвечивании отдельных элементов изображения возможно воспроизведение рисунков с динамическим диапазоном яркости 23 дБ. 8. Автоматизированный метод нанесения симметрирующих слоев на поверхность подложки может использоваться для получения на стеклах цветных изображений. При автоматизированном лазерном нанесении изображений полная передача цветовых особенностей композиции возможна при использовании ограниченного набора порошков цветных стекол. При этом различные оттенки элементов изображения получены путем управления толщиной нанесенного слоя. С целью повышения производительности процесса обработки предложен алгоритм преобразования изображения при подготовке программ управления лазерным нанесением, использующий оптимизацию функции цветового контраста для уменьшения количества порошков стекол различных цветов.

Проведенные экспериментальные исследования подтверждают адекватность разработанных ММ и работоспособность предложенных алгоритмов управления процессами формирования ОВ, а также указывают на целесообразность использования разработанных автоматизированных методов в процессах художественно-графической обработки стеклоизделий рекламного и бытового назначения.. Кроме того, разработанные методы перспективны с экологической точки зрения. Обеспечение улучшения экологической обстановки за счет снижения содержания ядовитых красителей в атмосфере подтверждено расчетами выбросов в традиционных и разработанных технологических процессах.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Решена задача использования в ТП изготовления элементов интегральной оптики локального воздействия управляющих технологических факторов (вместо распределенного воздействия в супергрушовых процессах), что обеспечивает повышение управляемости процессов.

2. Разработаны ММ ТП, позволяющие организовать сквозной автоматизированный цикл проектирования/производства ФИС, при котором результаты конструкторской стадии разработки (параметры ИОЭ) являются исходными данными при определении режимов обработки в СПУ ТП, осуществляющей глобальное управление по возмущению (локальное управление по отклонению осуществляется в технологическом оборудовании).

3.Разработаны алгоритмы управления, отличающиеся ориентацией на специфические требования к волноведущим структурам интегральной оптики и обеспечивающие увеличение плотности интеграции ОВ на подложке, расширение функциональных возможностей ФИС и повышение производительности ТП их производства.

4. Предложено использовать разработанное структурно-алгоритмическое и

математическое обеспечение СПУ ТП радиационно-лазерной обработкой стеклоизделий в процессах художественно-графической обработки изделий рекламного и бытового назначения с целью повышения художественной выразительности и потребительских качеств продукции. 5. Основные результаты работы использованы при выполнении НИР Владимирского государственного университета (ВлГУ) и Регионального лазерного инженерно-технологического центра по заказам промышленных предприятий области, а также в учебном процессе при подготовке радиоинженеров и магистров в ВлГУ.

ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Давыдов H.H., Кудаев C.B., Бутия В.И. Локально неоднородное фотоотсвечивание радиационной окраски и его технологическое применение // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру: Науч.-техн. сб.- М., 1999. Вып. 1-2. - С. 16 - 19.

2. Давыдов H.H., Кудаев C.B. Процессы формирования интегральных световодов в стеклянных подложках воздействием проникающих электромагнитных излучений // там же. - С. 20 - 24.

3. Кудаев C.B., Давыдов H.H. Интегрально-оптические методы передачи и обработки информации // Перспективные технологии в средствах передачи информации: Материалы междунар. науч.-техн. конф.: В 2 ч. - Владимир, 1999. Ч. 1. - С. 288 - 292.

4. Davidov N.N., Sushkova L.T., Ruftskii M.V., Kudaev S.V., Galkin A.F., Orlov V.N., Prokoshev V.G. Research of physical - chemical processes in optically transparent materials dining colouring points formation by volumetric - graphical processing// SPIE proceedings, vol. 2713. -Washington, USA, 1996. -P. 400 - 403.

5. Давыдов H.H., Кудаев C.B., Давыдов Д.Н., Сушкова Л.Т. Технология автоматизированной лазерной "объемно-графической обработки изделий из стекла и хрустам // Информ. листок ЦНТИ № 78-95. - Владимир, 1995.

6. Кудаев C.B., Давыдов H.H. Процессы формирования интегральных световодов в стеклянных подложках воздействием проникающих электромагнитных излучений // Новые материалы и технологии'98: Тез. Всероссийской научн,-техн. конф. - М„ 1998. - С. 227 - 228.

7. Кудаев C.B., Давыдов H.H. Моделирование характеристик оптических волноводов в радиационно-тонированных стеклянных подложках // Радиационная стойкость электронных систем "Стойкостъ-99": Науч.-техн. сб. - М., 1999. -С. 177 - 178.

8. Кудаев C.B., Давыдов H.H. Методика оценки деградации параметров оптических волноводов, сформированных радиационно-лазерньм методом // там же. - С. 175- 176.

9. Лысихин Д.А., Давыдов H.H., Кудаев C.B., Бутан В.И. Исследование контрастности границ радиационно-тонированных стеклянных фотошаблонов П там же.-С. 179- 180.

10. Davidov N.N., Kudaev S.V., Prokoshev V.G. Research of laser-induced structures on the division surface of mediums and physical-technological foundations

of they application // Abstr. of IX Conf. "Lasers Optics'98"-St Petersburg, 1998,-P. 54.

П.Давыдов H.H., Кудаев C.B. Лазерный способ изготовления дифракционных решеток для биомедицинской спектроскопии // Физика и радиоэлектроника в медицине и биотехнологии: Материалы III Междунар. науч.-техн. конф. -Владимир, 1998. - С. 113- 115.

12. Давыдов H.H., Кудаев C.B. Анализ экологических преимуществ внедрения лазерных технологий изготовления стеклянных шаблонов // там же. -С. 283 - 284.

13. Давыдов H.H., Кудаев C.B. Исследование физико-технологических основ построения процессов графической обработки стекол на базе внутреннего дефекгообразования под воздействием мощных импульсов лазерного излучения // Лазерные технологии-98: Тез. междунар. науч.-техн. конф. - Шатура, 1998. -С. 98.

14. Давыдов H.H., Кудаев C.B. Процессы формирования элементов интегральной оптики на границе монолитных и порошковых сред // Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-98". Науч.-техн. сб. -М., 1998,-С. 135 - 136. ;

15. Кудаев C.B., Давыдов H.H. Локально неоднородное фотоотсвечивание радиационной окраски и его технологическое применение П там же. - С. 137-138.

16. Давыдов H.H., Кудаев C.B., Бушевой С.Н. Оценка экологических последствий внедрения радиационных технологий обработки стеклоизделий // Физика и радиоэлектроника в медицине и биотехнологии: Материалы IIМеждунар. вауч-техн. конф. - Владимир, 1996. - С. 190 - 193.

17. Давыдов H.H., Кудаев C.B., Феоктистов A.B., Фролова Т.Н. Методы воспроизведения внутренних световых эффектов в светотехнических материа-лах//Труды ПМеждунар.светотехннческой конф. - Суздаль, 1995. - С. 129 - 130.

18. Кудаев C.B. Алгоритмы преобразования цветных растровых изображений для лазерной художественно-графической обработки // Тез. докл. молодежной науч. конф. «XXTV Гагаринские чтения». - М., 1998. Ч. 9. - С. 39 - 40.

19. Кудаев C.B. Лазерная технология цветной графической обработки стекломатериалов // там же. - С. 82 - 83.

20. Кудаев C.B. Метод определения эквивалентных параметров градиентных оптических волноводов // Тез. докл. молодежной науч. конф. "XXV Гагаринские чтения". - М., 1999. Т. 1. - С. 464 - 465.

21. Кудаев C.B., Лысихин Д.А. Векторные изображения: алгоритм оптимизации технологического применения // там же. - С. 456 - 457.

Введение.

1. Структурный анализ оптоэлектронных интегральных схем и технологических процессов их изготовления.

1.1. Методы построения оптоэлектронных интегралшых схем.

1.2. Конструктивно - технологические особенности формирования элементов интегральной оптики.

1.3. Анализ принципов автоматизации процессов шготовления интегрально - оптических схем.

1.4. Постановка задачи.

2. Разработка и исследование автоматизированиях радиационно-лазерных методов изготовления симметричных ошических волноводов.

2.1. Формализация задач управления процессами формирования элементов интегральной оптики проникающими ишучениями.

2.2. Разработка и исследование модели процесса юследовательного многослойного формирования волноводов в о&еме монолитной стеклянной подложки.

2.3. Разработка математической модели процесса ванесения симметрирующих слоев на поверхность подложки.

2.4. Выводы.

3. Алгоритмы и средства автоматизации процессов фэрмирования элементов интегральной оптики.

3.1. Разработка моделей и алгоритмов формироважя интегрально -оптических элементов.

3.2. Исследование и разработка критериев выбора средств изготовления оптических волноводов.

3.3. Разработка алгоритма последовательного формирования топологии волноводной структуры фотонной интегралшой схемы.

3.4: Выводы.

4. Экспериментальные исследования и шедрение результатов в промышленности и в учебном процессе.

4.1. Экспериментальные исследования ®роцессов фоторазрушения радиационных центров окраски.

4.2. Апробация и внедрение результатовдиссертационной работы.

4.3. Анализ экологических последствий внедрения автоматизированных радиационно-лазерных технологийобработки стеклоизделий.

4.4. Выводы.

Актуальность работы. В отличие от пржплого, когда в технической деятельности главенствовала обработка материшов, особенностью современного этапа развития общества является возрастающая роль обработки информации.

Такие задачи, как управление сложными объектами, обработка изображений и распознавание образов, моделироваше ситуаций и принятие решений, проблемы робототехники, характеризуются ¡¡Ьлыним объемом перерабатываемой информации, сложными законами прейразования. Показано [120], что дальнейшее повышение производительности вычислений в электронике может быть связано с мультипроцессорными комшвксами. Однако, организация высокопараллельных вычислений в ЭВМ сталкивается с принципиальными трудностями, главным образом при обеспечении множественных межсоединений процессоров и элементов различного уровня средствами электроники.

Потенциальным преимуществом оптшеских вычислительных машин служит присущая оптике доступность паралжльной обработки информации и межсоединений. Существенно также, что оятические частоты обеспечивают значительно большую полосу пропускания ж, соответственно, предельно допустимое быстродействие по сравнению с радиочастотным диапазоном [126, с. 292].

Оптическая вычислительная техника -это комплекс оптоэлектронных аппаратурных средств, позволяющих эффектишо осуществлять математические и логические действия с информацией, представленной в оптической форме. Оптоэлектронику как научно-техническое назравление [111, с. 6] характеризуют три отличительные черты:

1. Физическую основу оптоэлектроники составляют явления, методы, средства, для которых принципиальны сочетание и ©разрывность оптических и электронных процессов. Оптоэлектронное устрэйство определяется как прибор чувствительный к электромагнитному излечению в видимой, ИК- или ультрафиолетовой (УФ) областях; или прибор, излучающий и преобразующий излучение в этих спектральных областях; технологические концепции современной микроэлектроники: миниатюризация элементов; предпочтительноеразвитие твердотельных плоскостных конструкций; интеграция элементов и функций, ориентация на специальные сверхчистые материалы; 3. Функциональное назначение опт©лектроники состоит в решении задач информатики с производительностью порядка 1012.1014 бит/с [38, с. 19]: формировании информации путем преобразования различных внешних воздействий в соответствующие электрические и оптические сигналы; переносе информации; преобразовании и^юрмации по заданному алгоритму; хранении информации, включающем жие процессы, как запись, собственно хранение, неразрушающее считывааие, стирание; отображении информации, т.е. преобразовании выходных сигналов информационной системы к воспринимаемому человеком виду [142].

Однако на пути развития оптжческой информационной техники имеется немало существенных трудностей, (обусловленных технологией их производства и связанных с особенностями использования фотонов излучения в качестве носителей информации. Необходимость тщательной юстировки элементов объемной оптической схемы, большие размеры и стоимость элементов, а также проблемы их совместимости с интегральными электронными устройствами требуют новых подходов к построению технологических процессов (ТП) производства оптических средств [38, с. 21].

Интегральная оптика призвана сыграть ту же роль по отношению к элементной базе оптоэлектронных сисвем передачи и обработки информации, какую сыграла микроэлектроника, зажнив в технике объемные полупроводниковые приборы. Отмеченные трудности в принципе преодолеваются, если распространение и преобразование излучения происходит в объединенных общей подложкой твердотельных диэлектрических структурах [133, с. 5]. При этом технологическая реализация процессов изготовления волноведущих структур интегральной оптики основана на штодах, близких к методам технологии изготовления электронных ИМС. Неойходимое качество формирования структур микронных и субмикронных разменов в этом случае обеспечивается только при условии автоматизации ТП. Однако, ориентация современных методов и средств автоматизации ТП на изготовление электронных ИМС не позволяет учитывать особенности распространения оптического излучения в формируемых структурах. В результате плотность упаковки интегрально - оптических элементов (ИОЭ) функциональной обработки сигналов оказывается значительно меньше плотности интеграции электронных приборов, изготовленных с помощью тех же автоматизированных технологических комплексов. Малая плотность упаковки ИОЭ на подложке фотонной интегральной схемы (ФИС) приводит к невозможности реализации основного преимущества оптических вычислительных систем - осуществления высокопараллельной обработки информации [34].

Цель работы: автоматизация технологических процессов изготовления оптических волноводов для обеспечения повышения плотности упаковки ИОЭ обработки сигналов на подложке.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Проанализировать назначение и конструктивно - технологические варианты исполнения устройств и элементов интегральной оптики, выявить ограничения плотности упаковки оптических волноводов (ОВ) при их изготовлении микроэлектронными методами, а также специфические требования, определяющие принципы управления ТП изготовления ФИС;

2. Обосновать выбор управляющих технологических факторов, обеспечивающих создание в интегрально - оптических подложках локальных областей каналирования мод сигнального излучения (СИ);

3. Разработать математические модели технологических процессов формирования ОВ, а также волноводных и других характеристик формируемых структур;

4. Разработать алгоритмы управления технологическим оборудованием, реализующие автоматизацию технологических процессов;

5. Разработать критерии выбора технологического оборудования, пригодного для реализации автоматизированных ТП формирования ФИС с повышенной плотностью упаковки.

Методы исследования включают физические эксперименты, численное и аналитическое моделирование процессов взаимодействия жроникающего электромагнитного излучения с веществом; применение матештического аппарата квантовой электроники и электродинамики к исследование процесса распространения излучения в элементах ФИС; использование методов теории автоматического управления, теории точности, теории графов, а также методов обработки изображений для разработки алгоритмов управлешя технологическим процессом.

Научная новизна. В диссертации получены следующие новые научные результаты:

1. Разработаны ММ и алгоритмы автоматизированного управления процессами взаимодействия проникающего у - и лазерного излучений с материалом подложки, определяющие структуру ТП последовательной» формирования канальных симметричных ОВ и ИОЭ, обеспечивающего аозможность многослойной упаковки ОВ;

2. Разработана структура автоматизированного ТП нанесения на поверхность полупроводниковой или диэлектрической подложки ФИС симметрирующих слоев из порошков, совпадающих по составу с материалм подложки, обеспечивающего возможность уменьшения размеров ОВ шлоть до минимальных размеров канальных симметричных волноводов;

3. Разработаны алгоритмы управления процессами формирования ИОЭ функциональной обработки сигналов, допускающих многослойную упаковку;

4. Разработан алгоритм последовательного формирований топологии волно-водной структуры ФИС, позволяющий повысить производительность процесса лазерной размерной обработки за счет уменьшенш суммарной длины холостых переходов;

5. Разработаны автоматизированные методы нанесения полутоновых и цветных

Т^ОЧ'Т'УТЭНО - ТТрТ»Ч'у'ОРДЛ"4' 1" ГТ'Д-'ГГ^ о~-'ТГ,,г>;;г,*Ггтт? ' Т-Г - ' процессами взаимодействия проникающего электромагнитного излучения с монолитными и порошковыми стеклянным! материалами в соответствии с разработанными ММ и алгоритмами;

Практическая ценность полученных результатов заключается в:

• повышении плотности упаковки ОВ на подлиске ФИС;

• в повышении производительности процессоБлазерной размерной обработки

• повышении художественной выразительносж стеклоизделий, за счет разработки принципов управления существующим прецизионным оборудованием с целью реализации процессов формирования оптических и графических элементов с помощью проникающего у- и лазерного излучения.

Публикации по теме диссертации, апробация ивнедрение ее результатов.

Диссертация в целом и ее отдельные результаты обсуждались на следующих научно - технических конкурсах, конференциях и выставках:

1. Конкурсы:

1.1. Всероссийский конкурс грантов для аширантов «Стипендиаты Президента России». Проведенные исследования удостоены гранта в 1998/1999 уч. году;

1.2. Всероссийский конкурс научных работмолодых ученых по радиоэлектронике и связи за 1998 г. Работа отмяена Дипломом и 3-ей премией Президиума Центрального Совета Российского научно - технического общества радиоэлектроники и связи им, А.С Попова;

1.3. Всероссийский конкурс научных работмолодых ученых по радиоэлектронике и связи за 1999 г. Работа ошечена Дипломом Президиума Центрального Совета Российского наушо - технического общества радиоэлектроники и связи им. А.С Попощ

1.4. Конкурс на лучший доклад на Всеросшйской конференции «Гагарин-ские чтения». Выступления в 1997, 195&, 1999 гг. отмечены дипломами конференций;

2. Конференции:

2.1. НТК с международным участием "Приборостроение - 94", (Судак,

1994 г.);

2.2. 2-ая Международная светотехническая конференция, (Суздшь,

1995 г.);

2.3. 5-ая и 6-ая Международнме конференции "Лазерные технологии - К", "Лазерные технологиии-91', (Шатура, 1995 г., 1998 г.);

2.4. 2-ая и 3-я Международна НТК "Физика и радиоэлектроника в медицине и биотехнологии", (Вгадимир, 1996 г., 1998 г.);

2.5. Международные конфершции "LASE'98: High-Power Lasers and Application", (San Jose, Qlifornia, USA, 1998), "LASE'99", (San tee, California, USA, 1999);

2.6. IX Международная конференция "Laser Optics'98, Санкт-Петербург,

1998 г.);

2.7. Международная НТК «Перспективные технологии в средствах передачи информации» (Владимжр, июль 1999 г.);

2.8. Всероссийская НТК: "Коаверсия, приборостроение, рынок", (Владимир, июнь 1995 г.);

2.9. Российские научные конференции «Радиационная стойкость электронных систем»: Стойкость-^, Стойкость-99 (Москва, июнь 1998 г., иинь

1999 г.));

2.10. XXIII, XXIV и XXV Всероссийские молодежные научные конференции "Гагаринские чтения"|Москва, 1997 г., 1998 г., 1999 г);

2.11. Областные НТК: "Проектирование и применение радиотехничесжх устройств", (Владимир, маа 1994 и 1995 гг.).

3. Выставки:

3.1. Международная научно - зехническая выставка "Наука, конверсия, шб-разование", (Тульский ГТ¥, май 1993 г.);

3.2. Выставка годичного Всероссийского собрания "Наука - 94", (ВлГТУ, февраль 1995 г.).

По теме диссертации опубликовано 33 работы (подана заявка на изобиетение № 98105811, приоритет 25.03.98; в настоящее время заяжа проходит экспертизу).

Результаты диссертационной работы внедрены в промышленность и использованы при выполнении хоздоговорных и госбюджетных нарно - исследовательских работ Владимирского Государственного Университета и Владимирского Регионального лазерного инженерно - технологических» центра в рамках исследований, проводимых в интересах предприятий Шадимирской области, а также в учебный процесс при подготовке радиоинженеров и магистров в ВлГУ.

На основании проведенных исследований на защиту выносяжя:

1. Функциональное, алгоритмическое и математическое обеспечеаие системы программного управления радиационно - лазерным ТП последовательного формирования в объеме стеклянной подложки канальных симметричных ОВ и ИОЭ;

2. Математическое обеспечение системы программного управления ТП лазерного нанесения на поверхность полупроводниковой или диэжктрической подложки ФИС симметрирующих слоев из порошков;

3. Алгоритм управления процессом подстройки параметров У - образного раз-ветвителя оптических сигналов для формирования логических эжментов;

4. Алгоритм последовательного формирования топологии волноведной структуры ФИС;

5. Функциональное, алгоритмическое и математическое обеспетаие систем программного управления ТП нанесения полутоновых и цветных контурно -штриховых изображений на стекла.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав основной части, изложенных на 171 странице и иллюстрированных 96 рисунками и 19 таблицами; заключения; списка литературы, включающего 198 наименований отечественных, зарубежных и переводных источников; а также 6 приложенш, подтверждающих практическую значимость проведенных исследований.

5. Основные результаты работы внедрены в исследовательскую деятельность Владимирского Государственного университета (ВлГУ) и Регионального лазерного инженерно - технологического центра и использованы при выполнении НИР по заказам промышленных предприятий области, а также в учебном процессе при подготовке радиоинженеров и магистров в ВлГУ.

Основны'ё:положения диссертации опубликованы в работах::

1. Davidov N.N., Kudaev S.V., Prokoshev V.G. Research of laser-indaced structures on the division surface of mediums and physical-technological founlations of they application//Abstracts of IX Conference "Lasers Optics'98",St Petersburg, june

1998, p54.

2. Davidov N.N., Sushkova L.T., Rufitskii M.V., Kudaev S.V., GalMn A.F., Orlov V.N., Prokoshev V.G. Research of physical - chemical processes in optically transparent materials during colouring points formation by volumeric - graphical processing// SPIE - The International Society for Optical Engineering, Proceedings series, volume 2713, USA, Washington, 1996, pp. 400403.

3. Давыдов H.H., Кудаев C.B. Анализ экологических преимуществ внедрения лазерных технологий изготовления стеклянных шаблонов//Материалы III Международной НТК "Физика и радиоэлектроника в медицина и биотехнологии, Владимир, 1998, с. 283.284

4. Давыдов Н.Н., Кудаев С.В. Исследование физико-технологичеосих основ построения процессов графической обработки стекол на базе вьр'реннего де-фектообразования под воздействием мощных импульсов лазерного излуче-ния//Сборник тезисов МНГК "Лазерные технологии'98", Шату|а, июнь 1998 г., с. 98

5. Давыдов Н.Н., Кудаев С.В. Лазерный способ изготовления дифракционных решеток для биомедицинской спектроскопии//Материалы III Международной НТК "Физика и радиоэлектроника в медицине и биотехноюгии, Владимир, 1998, с. 113.115

6. Давыдов Н.Н., Кудаев С.В. Процессы формирования интегралшых световодов в стеклянных подложках воздействием проникающих электромагнитных излучений//Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика |адиационно-го воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. Выпуск 1-2. Научно - технический сборник. М.: ЦНИИатоминформ, 1999. - с.20 - 24.

7. Давыдов H.tf.y Кудаев C.B. Процессы формирования элементов интегральной оптики на границе монолитных и порошковых сред//Радиационная стойкость электронных систем "СТОЙКОСТЬ-98", Научно-технический сборник, Москва, июнь 1998 г., с. 135. 136 *

8. Давыдов H.H., Кудаев C.B., Бутин В.И. Локально неоднородное фотоотсвечивание радиационной окраски и его технологическоеприменение//Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационюго воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. Выпуск 1-2. Научно - тешический сборник. М.: ЦНИИатоминформ, 1999. - с.16 - 19.

9. Давыдов H.H., Кудаев C.B., Бутин В.И., Феоктистов A.B. Технология получения осветленных изображений в объеме тонирошнных стеклоизделий. Информационный листок Владимирского ЦНТИ № 71-95, июнь 1995 г

Ю.Давыдов H.H., Кудаев C.B., Бушевой С.Н. Оценка эюлогических последствий внедрения радиационных технологий обработки стеклоизде-лий//Материалы II Международной НТК "Физика и радиоэлектроника б медицине и биотехнологии, Владимир, май 1996, с. 190.J 93 П.Давыдов H.H., Кудаев C.B., Давыдов Д.Н., Бутин В.И. Способ нанесения внутреннего тонированного рисунка в прозрачных сгеклоизделиях. Информационный листок Владимирского ЦНТИ № 79-95, ишп> 1995 г 12.Давыдов H.H., Кудаев C.B., Давыдов Д.Н., Бутин B.I. Технология радиационного тонирования слеклоизделий. Информационньж листок Владимирского ЦНТИ № 70-95, июнь 1995 г 1 З.Давыдов H.H., Кудаев C.B., Давыдов Д.Н., Бушевой С.Н. Способ лазерной объемно - графической обработки изделий из стекла и хрусталя. Информационный листок Владимирского ЦНТИ № 71-95, июш 1995 г 14.Давыдов H.H., Кудаев C.B., Давыдов Д.Н., СушковаЛ.Т. Технология автоматизированной лазерной объемно - графической обработки изделий из стекла и хрусталя. Информационный листок Владим^ского ЦНТИ № 78-95, июнь 1995 г

15.Давыдов Н:Н'., Кудаев C.B., Пржошев В.Г. Способ цветной художественно -графической отделки поверхности стеклоизделий//Заявка на изобретшие №98105811, приоритет 25.03.98

16.Давыдов H.H., Кудаев C.B., Феоктистов A.B. Лучевая обработка-стеклощде-лий радиоэлектронного производства// Тезисы НТК "Приборостроение - §4", Винница-Симферополь, 1994, с.96.

П.Давыдов H.H., Кудаев C.B., Феисгистов A.B., Фролова Т.Н. Методы восжро-изведения внутренних световж эффектов в светотехнических матеща-лах//Труды II Международной светотехнической конференции, Суздаль, май 1995 г, С.129.130

18.Кудаев C.B. Алгоритмы преобразования цветных растровых изображший для лазерной художественно -графической обработки.//Сборник тезЕсов докладов научной конференции XXIV Гагаринские чтения, часть 9, Москва, апрель 1998 г.

19.Кудаев C.B. Лазерная технологш цветной графической обработки стеклша-териалов//Сборник тезисов докждов научной конференции XXIV Гагарн-ские чтения, часть 9, Москва, апрель 1998 г.

20.Кудаев C.B. Метод определения эквивалентных параметров градиентжых оптических волноводов/ZXXV ГАГАРИНСКИЕ ЧТЕНИЯ. Тезисы докладов Международной молодежной тучной конференции. Москва, 6-10 апреля 1999 г. - М.: Изд-во «ЛАТМЭС»,1999. - Том 1, с. 464.465

21.Кудаев C.B. Физические оснош применения мощного проникающего лазерного и у-излучения в технологии обработки стекол//Сборник тезисов докладов научной конференции XXIV Гагаринские чтения, часть 9, Москва, апрель 1998 г

22.Кудаев C.B., Бушевой С.Н. Обземно - графическая обработка стекломже-риалов интенсивными пучками проникающего электромагнитного излзче-ния//Сборник тезисов докладов научной конференции XXIII Гагаринсзсие чтения, часть 1, Москва, апрель 1997 г, с. 146

23.Кудаев С.В.чр-Бушевой С.Н. Сравнительный анализ эколшической безопасности радиационных и химических технологий обработки и контроля полупроводников и стекломатериалов//Сборник тезисов докладов научной конференции XII Гагаринские чтения, часть 5, Москва, апрель 1997 г,,с. 42

24.Кудаев C.B., Давыдов H.H. Интегрально - оптические методы передачи и обработки информации//Материалы Международной HTI «Перспективные технологии в средствах передачи информации». - Владимвр: Институт оценки природных ресурсов, 1999. - В 2 частях./Ч. 1 Под ред.А.Г. Самойлова. -с. 288-292.

25.Кудаев C.B., Давыдов H.H. Локально неоднородное фо-шотсвечивание радиационной окраски и его технологическое применеше/УРадиационная стойкость электронных систем "СТОИКОСТЬ-98", Н^но-технический сборник, Москва, июнь 1998 г., с. 137-138

26.Кудаев C.B., Давыдов H.H. Методика оценки деградации параметров оптических волноводов, сформированных радиационно-лазерным мето-дом//Радиационная стойкость электронных систем "СТСЖКОСТЬ-99", Научно-технический сборник, Москва, июнь 1998 г. - М.: СПЭЛС - НИИП, 1999.-с. 175.176

27.Кудаев C.B., Давыдов H.H. Моделирование характеристш оптических волноводов в радиационно - тонированных стекжнных подлож-ках//Радиационная стойкость электронных систем "СТОЙЮСТЬ-99", Научно-технический сборник, Москва, июнь 1998 г. - М.: СПЭЛС - НИИП, 1999. -с. 177.178

28.Кудаев C.B., Давыдов H.H. Процессы формирования интезральных световодов в стеклянных подложках воздействием проникающих шектромагнитных излучений//Тезисы докладов Всероссийской НТК "Новые материалы и технологии '98", Москва, ноябрь 1998 г. - М.: Изд-во '1АТМЭС", 1998, С.227.228

29.Кудаев С.В.;4Лысихин Д.А. Векторные изобракения: алгоритм оптимизации технологического применения//ХХУ ГАГАМНСКИЕ ЧТЕНИЯ. Тезисы докладов Международной молодежной научшй конференции. Москва, 6-10 апреля 1999 г. - М.: Изд-во «ЛАТМЭС», 1999.-Том 1, с. 456.457 *

30.Кудаев C.B., Феоктистов A.B., Давыдов Н.1 Радиационное окрашивание стекол и способ стабилизации окраски//Тезися обл. конф. "Проектирование и применение радиотехнических устройств", Шадимир, май 1994 г., с. 8.9

31.Кудаев C.B., Феоктистов A.B., Давыдов H.H.Способы нанесения в стекло-изделиях объемных тонированных изображений/ЛГезисы обл. конф. "Проектирование и применение радиотехнических устройств", Владимир, май 1995 г., с. 25

32.Кудаев C.B., Феоктистов A.B., Давыдов Д.Н.,Давыдов H.H. Технология лазерного объемного скрайбирования стеюкжзделий//Тезисы обл. конф. "Проектирование и применение радиотехнических устройств", Владимир, май 1995 г., с. 26

33.Лысихин Д.А., Давыдов H.H., Кудаев C.B., 1утин В.И. Исследование контрастности границ радиационно - тонировашых стеклянных фотошабло-нов//Радиационная стойкость электронных систем "СТОЙКОСТЬ-99". Научно-технический сборник, Москва, июнь 1998 г.,- М.: СПЭЛС - НИИП, 1999. -с. 179.180.

34.Лысихин Д.А., Кудаев C.B., Давыдов H.H. Исшедование контрастности границ радиационно - тонированных фотошаблсаов/УТезисы докладов Международной НТК "Радиоэлектроника, электротешика и энергетика". В 2-х томах. Т.1. - М.: Издательство МЭИ, 1999. - с. 17,

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. A.c. СССР № 1252308 МКИСОЗВ 31/00. "Способ изготовления шетопро-зрачного витража"/ A.M. Чу1унов.- Опубл. 23.08.86. Бюл. № 31.

2. A.c. СССР № 1593564, MKI В 44 С 5/08. "Способ изготовленш декоративного изделия"/ В.Я. Вейшерг Опубл. 1990. Бюл. № 34.

3. A.c. СССР № 1737399 MKHG02B 27/48, 27/44. "Оптическая система для преобразования излучения полупроводникового лазера"/ МЛ. Голуб, C.B. Карпеев, И.Н. Сисакян,В.А. Сойфер.- Опубл. 30.05.92. Бюл. Ш 20.

4. A.c. СССР № 1809411 MKPÏG02B 15/14, 15/16. "Объектив с першенным фокусным расстоянием'! H.A. Градобоева, З.В. Добрк;ердова, Л.В. Иванова.- Опубл. 15.0413. Бюл. № 14.

5. A.c. СССР № 1818307 МК1 СОЗВ 33/0. "Способ художественней обработки изделий из стекла, пршмущественно боросиликатного и хрусталя"/ И.М. Чуриков, A.B. Павшуксв, H.H. Давыдов.- Опубл. 30.5.93. Бюж №20.

6. A.c. СССР № 1828453 МКЙ СОЗВ 31/00. "Способ изготовленш декоративно-облицовочного матерала'7 Ю.А. Федоров,- Опубл. 15.07.93. Бюл. № 26.

7. Абдуллаев Ф.Х. Распространение пространственного солитона в системе туннельно-связанных оптических волноводов с переменным коэффициентом связи//Журнал техничесюй физики. 1998. - Т. 68, № 6. - С. 1-7.

8. Агравал Г. Нелинейная волжонная оптика: Пер. с англ. M.: Mif, 1996.323 е.: ил.

9. Адаме М. Введение в теорио оптических волноводов: Пер. с шгл./Под ред. И.Н. Сисакяна. М.: Ми|, 1984. - 512 е.: ил.

10. Алексеев С.А. и др. Экспершентальная оптика полупроводник®: Учеб. пособие для студентов вузкв оптических приборостроительные спец./ С.А. Алексеев, В.Т. Прокопежо, А.Д. Яськов. Спб.: Политехшта, 1994.248 е.: ил.

11. Амания М., Танака Ю. Архитектура ЭВМ и искусственный интеллект. -М.: Мир, 1993.-400 с.: ил.- ■-. -х. —192 —

12. Арбузов В*И., Толстой М.Н., Элертс М.А. Абсолютные характеристики центров окраски в стекле Na2 3Si02 // Изв. АН CCCF. Сер. физ. 1986. -т. 50, №3.-с. 551-555.

13. Арестова M.JL, Быковский А.Ю. Методика реализащи оптоэлектронных схем многопараметрической обработки сигналов ш основе принципов многозначной логики//Квантовая электроника. 1995- т. 22, № 10.- с. 980984.

14. Атхале Р. А., Ли Дж. Н. Методы оптической обработки информации, основанные на вычислении внешнего произведения//ТЖЭР.- 1984.- т. 72, № 7.- с. 206-218.

15. Барабанов B.C., Сергеев П.Б. Наведенное электроннжм пучком поглощение излучения ArF-, KrF- и XeF-лазеров в сятических материа-лах//Квантовая электроника.- 1995,- т. 22, № 7,- с. 745-748.

16. Бедилов М.Р., Бейсембаева Х.Б., Сабитов М.С. Влшние ионизирующей радиации на оптический пробой силикатных стеколЖвантовая электроника,- 1996.- т. 23, № 5,- с. 455-456.

17. Блоджет Э. Дж. Сборка и монтаж микроэлектронных гхем//В мире науки.-1983,-№9.- с. 46-58.

18. Бломберген Н. Электрический пробой в твердых телэс под действием лазерного излучения (обзор)//Квантовая электроника,- 1974.- № 4.- с. 786805.

19. Боровский A.B., Галкин А.Л. Лазерная физика: рентгеновские лазеры, ультракороткие импульсы, мощные лазерные системе:- М.: ИздАТ, 1996.496 е.: ил.

20. Босый О.Н., Ефимов О.М. Закономерности и механиж эффекта накопления в отсутствие допороговой ионизации матрицы стежла//Квантовая электроника,- 1996.- т. 23, № 8,- с. 737-742.

21. Босый О.Н., Ефимов О.М. Закономерности и механиж эффекта накопления в условиях многофотонной генерации центров окраски/УКвантовая электроника.- 1996.- т. 23, № 8,- с. 729-736.

22. Бреховских С.М. Викторова Ю.Н., Ланда Л.М. Радиационные эффекты вАстеклах,- М.: Энергоиздат, 1982. 184 слил.23 , Бреховских С.М. и др. Основы радиацишного материаловедения стекла и керамики.-М.: Стройиздат, 1971.

23. Бреховских С.М., Тюльнин В.А. Радиащонные центры в неорганических стеклах.- М.: Энергоатомиздат, 1988.

24. Бужинский И.М., Поздняков А.Е., Ушаков С.А. Зависимость порога разрушения стекла К 8 от диаметра обзучаемой поверхности// Оптико-механическая промышленность.- 1973.-Ж» 5.- с. 69-70.

25. Бюргановская Г.В. и др. Действие излечений на неорганические стекла.-М.: Атомиздат, 1968.

26. Вавилов Ю.В. и др. Комплексное воздейггвие ионизирующего и светового излучений на стекла//Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 1994.- Вып. 1-2,- с. 59-63.

27. Вавилов Ю.В. и др. Наведенное поглошшие и радиолюминесценция стек-ловолоконного жгута//Вопросы атомнойнауки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 1994.- Вып. 1-2,- с. 64-67.

28. Вавилов Ю.В., Зубков В.И. Изотермичеаий отжиг радиационных центров окраски в натриевосиликатном стекле/физика и химия стекла.- 1988.- т. 14, №5.-с. 729-733.

29. Васильев С.А., Дианов Е.М., Курков 1.С., Медведков О.И., Протопопов В.Н. Фотоиндуцированные внутртолоконные решетки показателя преломления для связи мод сердцевинм>болочка//Квантовая электроника.-1997,-т. 24, № 2,-с. 151-154.

30. Введение в интегральную оптику / Под ред. М. Барноски. Пер. с англ. под ред. Т.А. Шмаонова,- М.: Мир, 1977,- 368с.: ил.

31. Вейко В.П. Лазерная обработка пленочних элементов. Л.: Машиностроение, Ленингр. отд-ние, 1986. - 248 е.: ил.

32. Волноводная оптоэлектршика/Т. Тамир, X. Котельник, У. Берне ж др.; Пер. с англ. А.П. Горобцаи др./Под ред. В.И. Аникина. M.: Мир, 3991. -575 е.: ил.

33. Гладкий В.П., Никитин ЖА., Прохоров В.П., Яковенко H.A. Элементы волноводной оптоэлектрожики для устройств функциональной обр^ютки цифровой информации/УКвантовая электроника.- 1995.- т. 22, № Ю.- с. 1027-1033.

34. Головня В.Г. Технология деталей радиоаппаратуры. М.: Радио и связь, 1983.-296 е.: ил.

35. Голубков B.C. и др. Интегральная оптика в информационной тешике/ B.C. Голубков, H.H. Евтижев, В.Ф. Папуловский.- М.: Энергоатошздат, 1985. 152 е.: ил.

36. ГОСТ 9411-81. Стекло оптаческое цветное.

37. Готра З.Ю. Технология шкроэлектронных устройств: Справочник,- М.: Радио и связь, 1991. 528 с: ил.

38. Грицкевич О.В., Мещеряков H.A., Подъяпольский Ю.В. Лазерная рамер-ная обработка криволинешых поверхностей вращения/УКвантовая электроника." 1996,- т. 23, № 7.- е. 660-662.

39. Гудмен Дж.У., Леонберджер Ф.Дж., Гун Суньюань, Атхале P.A. Оптические связи в СБИС-системж//ТИИЭР,- 1984,- т. 72, № 7.- с. 114-133.

40. Давыдов H.H., Кудаев C.B. Анализ экологических преимуществ внесения лазерных технологий изгоювления стеклянных шаблонов//Материаж>1 III Международной НТК "Фишка и радиоэлектроника в медицине и бштех-нологии, Владимир, 1998, с 283.284

41. Давыдов H.H., Кудаев C.B. Лазерный способ изготовлешя дифракционных решеток для биомедицинской спектроскопии//Мате|яалы III Международной НТК "Физика и радиоэлектроника в медицине жбиотехнологии, Владимир, 1998, с. 113. 115

42. Давыдов H.H., Кудаев C.B. Процессы формирования элемнтов интегральной оптики на границе монолитных и порошковых срщ//Радиационная стойкость электронных систем "СТОЙКОСТЬ-98", Научно-технический сборник, Москва, июнь 1998 г., с. 135.136

43. Давыдов H.H., Кудаев C.B., Бутин В.И., Феоктистов A.B.Технология получения осветленных изображений в объеме тонировашых стеклоизде-лий. Информационный листок Владимирского ЦНТИ №13-95, 1995.

44. Давыдов H.H., Кудаев C.B., Бушевой С.Н. Оценка эколошческих последствий внедрения радиационных технологий обработай стеклоизде-лий//Материалы II Международной НТК "Физика и радюэлектроника в медицине и биотехнологии, Владимир, май 1996, с. 190. 113

45. Давыдов H.H., Кудаев C.B., Давыдов Д.Н., Бутин В.И. Сюсоб нанесения внутреннего тонированного рисунка в прозрачных стекл «изделиях. Информационный листок Владимирского ЦНТИ № 79-95, 19%.

46. Давыдов H.H., Кудаев C.B., Давыдов Д.Н., Бутин В.И. Тешология радиационного тонирования слеклоизделий. Информационны! листок Влади196 — мирского ЩНТИ № 70-95, 1995.г > -" 'Î

47. Давыдов H.H., Кудаев C.B., Давыдов Д.Н., 1ушевой С.Н. Способ лазерной объемно графической обработки изделий жз стекла и хрусталя. - Информационный листок Владимирского ЦНТИ №71-95, 1995.

48. Давыдов H.H., Кудаев C.B., Давыдов Д.Н., Сушкова JI.T. Технология автоматизированной лазерной объемно графической обработки изделий из стекла и хрусталя. - Информационный меток Владимирского ЦНТИ № 78-95, 1995.

49. Давыдов H.H., Кудаев C.B., Прокошев В.Г.Способ цветной художественно графической отделки поверхности стшюизделий//3аявка на изобретение №98105811, приоритет 25.03.98

50. Давыдов H.H., Кудаев C.B., Феоктистов А.Ж Лучевая обработка стеклоиз-делий радиоэлектронного производства// Тезисы НТК "Приборостроение -94", Винница-Симферополь, 1994, с. 96.

51. Давыдов H.H., Кудаев C.B., Феоктистов AM., Фролова Т.Н. Методы воспроизведения внутренних световых эффекюв в светотехнических материалах/Пруды II Международной светотежической конференции, Суздаль, 1995, с.129.130

52. Давыдов H.H., Сушкова Л.Т., Бутин В.И.Радиационное тонирование и стерилизация стеклоизделий медицинскою назначения//Материалы II Международной НТК "Физика и радиоэлекшроника в медицине и биотехнологии,-Владимир, 1994. с.220. .223.

53. Двайт Г.Б. Таблицы интегралов и другие математические формулы.- Спб.: "Издательство и типография АО ВНИИГ имБ.В. Веденеева", 1995.- 176 с.

54. Дианов Е.М., Васильев С.А., Медведков O.S., Фролов A.A. Динамика наведения показателя преломления при облу^нии германосиликатных световодов различными типами УФ излучежй//Квантовая электроника.-1997,-т. 24, №9,-с. 805-808.

55. Дианов Е.М., Соколов В.О., Сулимов В.Е, Модель дефекта-источника красной люминесценции- при записи решетэк показателя преломления в волоконных световодах на основе германоашикатного стекла//Квантоваяэлектроника.- 1997.- т. 24, № 7.- eil7-621.

56. Евтихиев H.H., Есепкина H.A., Долгий В.А., Лавров А.П., Хотянов БЛ, Чернокожин В.В., Шестак С.А. Шггоэлектронный процессор в виде шб-ридной микросхемы//Квантовая электроника.- 1995.- т. 22, №-10.- с. 915990.

57. Ефимов О.В., Матвеев Ю.А., Ме^юков A.M. Влияние примесных иоюв железа на нелинейное окрашиваете щелочно-силикатных стекол// Квантовая электроника.- 1995.- т. 22, № 7- с. 663-665.

58. Иванов В.В., Ю.А. Михайлов, ВД. Осетров, А.И. Попов, Г.В. Склизк&в. Поверхностная лучевая прочносп оптических и лазерных стекол для т-косекундных импульсов//Квантожя электроника.- 1995.- т. 22, № 6,-с. 589-592.

59. Интегральная оптика/Под ред. Т. Тамира; Пер. с англ. под рвд. Т.А. Шмаонова,- М.: Мир, 1978. -344 е.: ил.

60. Итиока Е., Танида Дж. Оптичесгае параллельные логические вентили на основе теневой системы для оптических цифровых вычислше-лей//ТИИЭР.- 1984,- т. 72, № 7,- с.42-58.

61. Карлов Н.В., Кириченко H.A., Лук&янчук Б.С. Лазерная термохимия: осю-вы и применения/Учебное руковсдство.-2-e изд., испр. и доп.-М.: Центр-Ком, 1994.-368 е.: ил.

62. Карманный справочник по архинктуре Intel. М.: Интел текнолоджжз, 1998. - 22 е.: ил.

63. Климков Ю.М. Основы расчета ситико-электронных приборов с лазер-ми.- М.: Сов. радио, 1978,- 224 е.: ж.

64. Клэр Ж.-Ж. Введение в интегршьную оптику: Пер. с фр./ Под ред. В.К. Соколова.-М.: Сов. радио,1981- 104 е.: ил.

65. Козлов В.А., Свахин A.C., Тер-Мширтычев В.В. Интегрально-оптическм усилитель на основе твердотелшых активных материалов//Квантошя электроника.- 1995.- т. 22, № 8.- с. 156-858.

66. Колдунов М.Ф., Маненков A.A., Пзжотило И.Л. Теоретический анализ эффекта накопления в лазерном разрешении прозрачных диэлектриков щммногократном облучении//Квантовая электроника.- 1995.- т. 22, № 7.-с. 701-705.

67. Колдунов М.Ф., Маненков A.A., Покотило И.Л. Формулировка критерия термоупругого лазерного разрушения прозрачных диэлектрков и зависимость порога разрушения от длительности импульса//Ква®говая электроника,- 1997,- т. 24, № 10,- с. 944-948.

68. Колесников П.М. Теория неоднородных световодов и резонаторов. -Минск: Наука и техника, 1982. 296 е.: ил.

69. Комплекс лазерный технологический ТЛ-1.5. Паспорт и |уководство по эксплуатации. Шатура: НИЦТЛ РАН - Предприятие «Шнона», 1994. -112 с.

70. Кривошеев М.И., Кустарев А.К. Цветовые измерения. М.:Энергоатомиз-дат, 1990.

71. Кристофидес Н. Теория графов. Алгоритмический подход: Пер. с англ./ Под ред. Г.П. Гаврилова. М.: Мир, 1978. - 432 е.: ил.

72. Крылов К.И. и др. Основы лазерной техники: Учеб. пособш для студентов приборостроительных спец. вузов/ К.И. Крылов, ВТ. Прокопенко, В.А. Тарлыков.-Л.: Машиностроение. Ленингр. отд-ние, 19Ю. 316 е.: ил.

73. Крылов К.И. и др. Применение лазеров в машиностроении и приборостроении. -Л.: Машиностроение, 1978,- 336 е.: ил.

74. Кудаев C.B. Алгоритмы преобразования цветных растровых изображений для лазерной художественно -графической обработки.//С§орник тезисов докладов научной конференции XXIV Гагаринские чтения.: часть 9, Москва, апрель 1998 г.

75. Кудаев C.B. Лазерная технология цветной графической обработки стекло-материалов//Сборник тезисов докладов научной конференции XXIV Гагаринские чтения, часть 9, Москва, апрель 1998 г.

76. Кудаев C.B., Бушевой С.Н. Объемно графшеская обработка стекломате-риалов интенсивными пучками проникающего электромагнитного излуче-ния//Сборник тезисов докладов научной конференции XXIII Гагаринские чтения, часть 1, Москва, апрель 1997 г, с. 14ê

77. Кудаев C.B., Давыдов H.H. Локально неоднородное фотоотсвечивание радиационной окраски и его технологические применение//Радиационная стойкость электронных систем "СТОЙКОСТЬ-98", Научно-технический сборник, Москва, июнь 1998 г., с. 137-138

78. Кудаев C.B., Феоктистов A.B., Давыдов H.H. Радиационное окрашиваше стекол и способ стабилизации окраски//Тезисы обл. кон|. "Проектирование и применение радиотехнических устройств", Владимир, май 1994 г., с. 8.9

79. Кудаев C.B., Феоктистов A.B., Двыдов H.H. Способы нанесения в стекжь изделиях объемных тонировазных изображений/ЛГезисы обл. конф. "Проектирование. и применение радиотехнических устройств", Владим^э, май 1995 г., с. 25

80. Кудаев C.B., Феоктистов A.B., Давыдов Д.Н., Давыдов H.H. Технолошя лазерного объемного скрайбиревания стеклоизделий//Тезисы обл. ков|). "Проектирование и применение радиотехнических устройств", Владиммр, май 1995 г., с. 26

81. Куринной Г.Ч. Математика: Справочник. Харьков: Фолио; Ростов н/f: Феникс, 1997. - 463 е.: ил.

82. Лебедева В.В. Экспериментальная оптика. 3-е изд. - М.: Изд-во Моск. yï-та, 1994.- 352 с.

83. Линдли К. Практическая обработка изображений на языке Си: Пер. с анш. -М.: Мир, 1996. 512 е.: ил.

84. Луизов A.B. Цвет и свет.- М.: Энергоатомиздат, 1988.- 256 е.: ил.

85. Лындин Н.М., Нурлигареев Д.Х.Хычугов В.А. Направленный ответвитеаь на основе изогнутых канальных Кт -волноводов в стекле//Квантовая электроника." 1996,- т. 23, № 5,- с. 4(1-472.

86. Лысихин Д.А., Кудаев C.B., Давыдов H.H. Исследование контрастности границ радиационно тонированных фотошаблоновПезисы докладов Всероссийской НТК "Радиоэлектроника, электронша и энергетика" г. Москва, март 1999 г. - М.:., 1999. - с. .

87. Лютер-Дэвис Б., Гамалий Е.Г., Янжи Ванг, Роде А.В.Дихончук В.Т. Вещество в сверхсильном лазерном поле//Квантовая элекфоника.- 1992,- т. 19, №4.- с. 317-359.

88. Маймистов А.И. Обратимые логические элементы нот область применения оптических солитонов//Квантовая электроника.- 1995.- т. 22, № 10.-с. 1044-1048.

89. Малюгин В.Д. Параллельные логические вычисления посредством арифметических полиномов. М.: Физматлит, 1997. - 192 е.: ш.

90. Маркузе Д. Оптические волноводы: Пер. с англ./Под ред В.В. Шевченко. -М.: Мир, 1974.-576 е.: ил.

91. Материалы в приборостроении и автоматике: Справочнж / Под ред. Ю.М. Пятина. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Машиностроение 1982. - 528 е.: ил.

92. Мачулка Г.А. Лазерная обработка стекла.- М.: Сов. радщ 1979.- 136 е.: ил.

93. Мослехи Б., Гудмен Дж. У., Тур М., Шоу Н. Дж. Обработка сигналов решетчатыми волоконно-оптическими структурами//ТИИЗР,- 1984,- т. 72, № 7.-е. 181-206.

94. Несущие конструкции радиоэлектронной аппаратуры/ ПИ. Овсищер и др. -М.: Радио и связь, 1988. 232 е.: ил.

95. Низовой В.Г. Охрана труда на предприятиях стекольной зромышленности. Изд. 2-е, испр. и доп. М.: Легкая индустрия, 1974. - 160и: ил.

96. Окрашивание стекла: Пер. с чеш./И. Моцик, И. Небрженский, И. Фандер-лик; Под ред. В.А. Федоровой.- М.: Cf ойиздат, 1983.

97. Оптические дисковые системы: Пер с англ./ Г. Боухьюз, Дж. Браат, А. Хейсер и др. М.: Радио и связь, 1911.- 280 е.: ил.

98. Оптоэлектронные преобразователи m основе управляемых световодных структур/Под ред. В.М. Пролейко. М: Радио и связь, 1984. - 72 е.: ил.

99. Основы радиационно химического аппаратостроения . А.Х. Брегер и др./Под ред. А.Х. Брегера. - М.: Атомщцат, 1967. - 500 е.: ил .

100. Патент РФ № 2059575 МПК С03В 13/00. Способ художественной обработки изделий из стекла//Н.Н. Даввдов, JI.T. Сушкова, Д.Н. Давыдов.-Опубл. 10.05.96. Бюл. № 13

101. Пилипович В.А., Есман А.К., Гонча^енко И.А., Поседько B.C., Солоно-вич И.Ф. Циркуляционный волокошо-оптический контур памяти со встроенным служебным каналом//Квштовая электроника.- 1995.- т. 22, № 10.- с. 1019-1022.

102. Полевые транзисторы на арсениде гашия. Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ./ Под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола. -М.: Радио и связь, 1988. 496 е.: ил.

103. Прангишвили И.В., Виленкин С.Я., Медведев И.Л. Параллельные вычислительные системы с общим управлением. М.: Энергоатомиздат, 1983. -386 е.: ил.

104. Преснухин Л.Н., Воробьев Н.В., Шипкевич A.A. Расчет элементов цифровых устройств: Учеб. пособие / Под ред. Л.Н. Преснухина. М.: Высш. школа, 1991. - 384 е.: ил.

105. Преснухин Л.Н., Шахнов В.А. Конструирование электронно вычислительных машин и систем. Учеб. посо!ие для втузов по спец «Конструирование и производство ЭВА». -М.: Высш. шк., 1996. - 512 с: ил.

106. Примак И.У, Сотский А.Б., Хомченкэ A.B. Интегрально-оптические датчики с регистрацией коэЦфициента отражения в схеме признанного воз-буждения//Письма в ЖТФ 1997. - Т. 23, № 13. - С. 7-12.

107. Пясецкий В.В. Цветные жпевизоры: устройство, эксплуатации, ремонт. -Воронеж: Центр.- Чернозш. кн. изд-во, 1991. 320 с.

108. Радиационная стойкость в оптоэлектронике/ Ф.А. Заитов и ;ф.; Под ред. В.Г. Сретина,- М.: Военищат, 1987.- 166 е.: ил.

109. Розанов H.H. Оптическая бистабильность и гистерезис в распределенных нелинейных системах.-М: Наука. Физматлит, 1997.- 336 е.: ил.

110. Рыкалин H.H. и др. Высаютемпературные технологические процессы: те-плофизические основы. -М.: Наука, 1985.

111. Рыкалин H.H., Углов А.1. Температурное поле в средах с юглощением при действии локальных источников тепла//Физика и химм обработки материалов.- 1967.- № 5.-е. 11-14.

112. Рэди Дж. Действие мощюго лазерного излучения. Пер. с анш. М.: Мир, 1974.- 468 е.: ил.

113. Рябов С.Г., Торопкин Г.Н, Усольцев И.Ф. Приборы квантовей электроники (характеристики, трименение, тенденции развития)/ Под ред. М.Ф. Стельмаха. М.: Ccei радио, 1976. - 312 е.: ил.

114. Сборник задач по методам вычислений: Учеб. пособие для вуюв/ Под ред. П.И. Монастырского.- 2-г изд., перераб. и доп.- М.: Физмшглит, 1994.320 с.

115. Свечников Г.С. Элемента интегральной оптики.- М.: Радио извязь, 1987. -104 е., ил.

116. Семенов A.C., Смирнов IJL, Шмалько A.B. Интегральная ошика для систем передачи и обработм информации.-М.: Радио и связь, 1990.- 224 с.: ил.

117. Снайдер А. Лав Дж. Теоря оптических волноводов: Пер. с шгл./Под ред. Е.М. Дианова, В.В. Шевчзнко. М.: Радио и связь, 1987. - 656s.: ил.

118. Содха М.С., Гхатак А.К. Неоднородные оптические волноюды: Пер. с англ./Под ред. В.А. Киселева. М.: Связь, 1980. - 216 е.: ил.

119. Солер А.Д., Удоев Ю.П. Оптическая бистабильность и модужция света в204 —тонкопленочных резонаторах на основе эффекта полного внутреннего отражения/Журнал технической физики. 1997.- Т. 67, № 12. - С. 6-7.

120. Сочук А. А., Стренд Т. С., Цифровые оштгаские вычисления/ЛГИИЭР.-1984,- т. 72, №7.- с. 8-33.

121. Справочник по производству стекла. В 2-х т.,т.2. Под ред. И.И. Китайгородского и С.И. Сильвестровича. М.: Госстршиздат, 1963. - 526 е.: ил.

122. Стекло: Справочник./ Под ред. Н.М. Павлушмна.- М.: Стройиздат, 1973.487 е.: ил.

123. Столен Р.Х., ди Паула Р.П. Одномодовяе волоконные компонен-ты//ТИИЭР.- 1987,- т. 75, №11.- с. 66-82.

124. Суэмацу Я. и др. Основы оптоэлектроники: Пер. с яп.- М.: Мир, 1988.288 е.: ил.

125. Суэмацу Я. Интегрально-оптический подход! разработке перспективных полупровдниковых лазеров/ЛГИИЭР,- 1987.- тЛ5, № 11,- с. 38-55.

126. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полу!роводниковых и диэлектрических материалов: Учебник для студ. вузов.-М.: Высш. шк., 1983.- 271 е.: ил.

127. Тараненко В.Г., Шанин О.И. Адаптивная ожика. М.: Радио и связь, 1990,- 112 е.: ил.

128. Тейлор Х.Ф. Волноводная оптика в процессорах и измерительных систе-мах//ТИИЭР.- 1987,-т. 75. № 11.-е. 97-110.

129. Теория автоматического управления: Угеб. для машиностроит. спец.вузов/В.Н. Брюханов, М.Г. Косов, С.П. Протопопов и др.; Под ред. Ю.М. Соломенцева. 2-е изд., испр. - М.: Высш. шк., 1999. - 268с.: ил.

130. Теория управления. Терминология. Вып. 107. -М.: Наука, 1988. 56 с.

131. Теория оптических систем. Учебник для вузов- Б.Н. Бегунов и др.- 2-е изд.перераб. и'д'оп.- М.: Машиностроеше, 1981.- 432 е.: ил.

132. Технология и автоматизация произюдства радиоэлектронной аппаратуры: Учебн. для вузов/И.П. Бушминскш, О.Ш. Даутов, А.П. Достанко и др.; Под ред. А.П. Достанко, Ш.М. Чшдарова. М.: Радио и связь, 1989.624 е.: ил.

133. Томлинсон У.Дж., Брэкетт Ч.А. Применение интегральной оптики и опто-электроники в связи//ТИИЭР.- 1987.- т. 75, № 11,- с. 83-96.

134. Тормышев Ю.И., Федоренко М.П. Методы и средства формирования шаговых траекторий. М.: Машинострэение, 1980. - 359 е.: ил.

135. Унгер Х.Г. Планарные и волоконные оптические волноводы: Пер. с англ./Под ред. В.В. Шевченко. М.:Мир, 1980. - 656 е.: ил.

136. Ушаков H.H. Технология производства ЭВМ: Учеб для студ. вузов по спец. "Вычислит, машины, комплежсы, системы и сети". 3-е изд., пере-раб. и доп. - М.: Высш. шк., 1991. -416 е.: ил.

137. Фаткуллин А. Внутри Rambus//KoMibK)Teppa.- 1998.-№10.-с. 48-51.

138. Фаткуллин А. Медная технология не совсем Plug-n-PlayZ/Компьютерра, 1998.-№20.-с. 23.

139. Физические величины: Справочшк/А.П. Бабичев, и др.; Под. ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова,- М.: Энергоатомиздат, 1991.-1232 е.: ил.

140. Форрест С.Р. Оптоэлектронные интегральные схемы//ТИИЭР.- 1987.т. 75, № 11.-е. 55-66.

141. Фотоника: Пер. с англ. и фр./Под ¡>ед. М. Балкански, П. Лалемана. -М.: Мир, 1978. -416 с.: ил.

142. Хансперджер Р.Г. Интегральная ожтика. Теория и технология: Пер. с англ./Под ред. В.А. Сычугова. М.: Мир,1985. - 384 е.: ил.

143. Хаус X. Волны и поля в оптошектронике: Пер. с англ./Под ред. К.Ф. Шипилова. М.: Мир, 1988. - 412 е.: ил.

144. Хуан А. Об архитектуре оптический цифровой вычислительной маши-ны//ТИИЭР,- 1984,- т. 72, № 7,- с. 3442.

145. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: Учеб. для вузов. М.:Радио и связь, 1991. - 464 е.: ил.

146. Чехов О.С^й др. Вопросы экологии в стекольном производстве. М.: Лег-промбытиздат, 1990. - 144а., ил.

147. Шатилов А.В., Гусев Г.П, Дворников Г.Д. О порогах самофокусировки излучения наносекундной длительности в оптических стеклах//0птико-механическая промышленюсть,- 1972.- № 4.- с. 18-20.

148. Шафеев Г.А. Лазерная актавация и металлизация диэлектриков//Кшнтовая электроника,- 1997.- т. 24,® 12,- с. 1137-1144.

149. Шикин Е.В., Боресков А.Ж Компьютерная графика. Динамика, реалистические изображения. М.: ДИАЛОГ-МИФИ, 1996. - 288 е.: ил.

150. Backus J. Function-level computing//Spectrum.- Aug 1982.- pp 22-37.

151. Baldacchini G., De Nicola E, Giubileo G., Menchini F., Messina G., Matereali

152. R.M., Scacco A. Selective jroduction of aggregate centers in LiF cr)5tals by ionizing radiations//Nuclear Instruments and methods in physics resarch. -1998.-Vol. 141.-P. 542-541.

153. Boucinha M., Chu V., Alpuim J.P., Conde J.P. Micromachining of an airbridge structure using thin-films oe glass substrates//Sensors and Actuators.-1999. -Vol. 74. P. 5-8.

154. Coremans A., Groot D. Resdual stresses and thermal stability of las® beam sintered metal parts//Proceelngs of the LANE'97: Laser Assisted Na shape Engineering 2./Eds.: M. Geiger, F. Vollertsen. Meisenbach-Verlag, Banberg, 1997.-p. 577-588.

155. Davidov N.N., Kudaev S.V.,Prokoshev V.G. Research of laser-induce! structures on the division surface of mediums and physical-technological fcunda-tions of they application/VAlstracts of IX Conference "Lasers Optics'98". -St Petersburg, 1998. p54.

156. Gabathuler W., Lukosz W. Electro-nanomechanically wavelength-tunable integrated-optical Bragg reflectors Part II: Stable devke operation//Optics Communications. 1998. - Vol. 47. - P. 258-264.

157. Gatto A., Escoubas L., Roche P., Commandre M. Simulatim of the degradation of optical glass substrates caused by UV irradiation ihile coating//Optics Communications. 1998. - Vol. 148. - P. 347-354.

158. Gazecki J., Kubica J.M., Zamora M., Reeves G.K., Johason C.M., Ridgway M.C. Refractive indices and thicknesses of optical waveguides fabricated by silicon ion implantation into silica glass//Thin Solid Filma- 1999. Vol. 340. -P. 233-236.

159. Geiger M., Otto A., Hoffmann P., Fleckenstein M. Sytem components for product and process innovations// Proceedings of the LAME'97: Laser Assisted Net shape Engineering 2./Eds.: M. Geiger, F. Vollertsen.-Meisenbach-Verlag, Bamberg, 1997. p. 45-59.

160. Haronian D. In-plane degree of optical waveguide displacement sensors basedon geometrical modulation//Sensors and Actuators. 1991 - Vol. 69. - P. 217— 225.

161. Jain R.E., Snyder D.A. Switching characteristics of logi gates addressed by picosecond light pulses //IEEE J. Quantum Electron.-1913.- vol. QE-19, 1 4,-pp. 656-663.

162. Keyes R. W. The evolution of digital electronics toward VLSI//IEEE Orans. Electron Devices.-1979.- vol. ED-26, no. 4,- pp. 271-278.

163. Kosikova J., Schrofel J. Integrated waveguide structures prepared in very pure glass by electric field assistediC Na+ ion exchange//Optics Communications. -1998.-Vol. 156.-P. 384-391

164. Kraupl S., Hoffmann P. Newdevelopments for laser sintering of metallicpow-ders// Proceedings of the LiNE'97: Laser Assisted Net shape Engnœring 2./Eds.: M. Geiger, F. Vollstsen. -Meisenbach-Verlag, Bamberg, 1991 p. 607-614.

165. Kreutz E.W. Pulsed laser d^osition of ceramics: fundamentals and apflica-tions//Applied Surface Science 1998. - Vol. 127. - P. 606-613.

166. Levy M.L. An investigation tf flaws in complex CMOS devices by a scmning photoexcitation technique //Prac. 15th Annu. IEEE Reliability Symp.-197T- pp. 44-53.

167. Lohmeyer M., Bahlmann N, Hertel P. Geometry tolerance estimatici for rectangular dielectric waveguide devices by means of perturiation theory//Optics Communicatioas. 1999. - Vol. 163. - P. 86-94.

168. Lohmeyer M., Bahlmann N, Zhuromskyy O., Dotsch H., Hertel P. Biase-matched rectangular magnetsoptic waveguides for applications in integrated optics isolators: numerical assessment//Optics Communications. 1998. -Vol. 158.-P. 189-200.

169. Mizunami T., Yamashiro M.,Gupta S., Shimomura T. Two-photon absoiption coefficient measurements in hydrogen-loaded germanosilicate cptical fiber//Optics Communications 1999. - Vol. 162. - P. 85-90.

170. Montereali R.M., Mancini A, Righini G.C., Pelli S. Active stripe waveguides produced by electron beam lithography in LiF single crystals//0ptics Communications. 1998. - Vi, 153. - P. 223-225.

171. Naghski D.H., Boyd J.T., Hcsrard E.J., Steckl A.J. Potential for size reduction of AlGaAs optical channel wa-eguide structures fabricated by focused ionâeam209 —implantation' and oxidation//Optics Communications. 1198. - Vol. 150. -P. 97-100.

172. Saraswat K.C., Mohammadi F. Effect of scaling of interconnections on the time delay of VLSI circuits//IEEE Trans. Electron Devices.- 1982.- vol. ED-29, no. 4. -pp. 645-650.

173. She S., Zhang S. Analysis of nonlinear TE waves in a periofic refractive index waveguide with nonlinear cladding//Optics Communierions. 1999. -Vol. 161.-P. 141-148.

174. Shogo U., Sheard S.J. A configuration for guided-wave excitation into a disposable integrated-optic head//Optics Communications. -1998. Vol. 146. -P. 85-89.

175. Taylor M.E., Atwater H.A. Monte Carlo simulations of epitaxial growth: comparison of pulsed laser deposition and molecular bean epitaxy//Applied Surface Science. 1998. - Vol. 127. - P. 159-163.

176. Tonova D., Paneva A., Pantchev B. Determination of refractive index profiles of gradient optical waveguides by ellipsometry//Optics Communications. -1998.-Vol. 150.-P. 121-125.

177. Vahimaa P., Kuittinen M., Turunen J., Saarinen J., Saktio R.-P., Lopez-Lago E., Linares J. Guided-mode propagation through an ion-exchanged graded-index boundary//Optics Communications. 1998. - Vol. 147. - P. 247253.