автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.05, диссертация на тему:Анализ и разработка методов повышения надежности полупроводниковых постоянных запоминающих устройств и оценка эффективности их использования

ВВЕДЕНИЕ . •

ГЛАВА I. АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЗУ И СПОСОБОВ ПОВЫШЕНИЯ ИХ НАДЕЖНОСТИ.II

1.1. Полупроводниковые ПЗУ и области их применения . II

1.2. Особенности обеспечения надежности полупроводниковых ПЗУ.

1.3. Характер отказов в ПЗУ на МП.

1.4. Способы обеспечения ремонтопригодности ПЗУ блокировкой НЗЭ и НЗЯ.

1.5. Организация Ш.

1.6. Методы построения ПЗУ с автоматическим исправлением информации и восстановлением работоспособности устройства.

1.7. Методы и критерии оценки: качества ПЗУ.

Выводы

ГЛАВА 2. КРИТЕРИЙ ОЦЕНКИ ЭФФЕКТИВНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ

ПЗУПН И ИССЛЕДОВАНИЕ ПЗУ С БЛОКИРОВКОЙ НЕИСПРАВНОСТЕЙ

2.1. Обобщенная структурная схема ПЗУПН.

2.2. Критерий оценки эффективности использования

ПЗУПН

2.3. Оценка объема оборудования стоимости и потребляемой мощности полупроводниковых ПЗУ.

2.4. Вероятность безотказной работы и средняя наработка между отказами ПЗУ

2.5. Время считывания ПЗУПН и коэффициент изменения производительности ЭВМ.

2.6. Классификация методов повышения эффективности использования ПЗУ.

2.7. Оптимизация объема ДН в ПЗУПН с автоматической блокировкой НЗЯ и НЗЭ.

Выводы.

ГЛАВА. 3. РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ СПОСОБОВ И СХЕМОТЕХНИЧЕСКИХ РЕШЕНИЙ ПОВЫШЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ПЗУ.

3.1. БП на МП ОЗУ.

3.2. ПЗУ с блокировкой более одного НЗЭ в слове

3.3. ПЗУ с автоматической коррекцией двух НЗЭ в слове.

3.4. ПЗУ с автоматической блокировкой НЗЯ

3.5. ПЗУ с автоматической блокировкой НЗЭ

3.6. ПЗУ микропрограмм универсальных ЭВМ с блокировкой НЗЯ

3.7. ПЗУ с повышенной эффективностью за счет избыточности вМП.

3.8. ПЗУ с улучшенными временами восстановления неисправностей ОН

Выводы .••

ГЛАВА. 4. РЕАЛИЗАЦИЯ ПЗУ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРЕДЛОЖЕННЫХ

СПОСОБОВ И СХМОТЕХНИЧЕСКИХ РЕШЕНИЙ.

4.1. Управляющая память микропрограмм ЭВМ ECI

4.2. Управляющие памяти матричного процессора

4.3. Полупроводниковое ОЗУ ЕС

4.4. МП ППЗУ с блокировкой неисправных ЗЭ.

Выводы

В современных ЭВМ широко применяются постоянные запоминающие устройства (ПЗУ), построенные на микросхемах памяти (МП), Они используются для хранения микропрограмм в устройствах управления ЭВМ, стандартных программ и подпрограмм для вычисления различных функций, блоков операционной системы ЭВМ.

Вес ПЗУ в объеме оборудования ЭВМ постоянно возрастает и тем больше влияет на структуру ЭВМ, чем совершеннее становится технология изготовления МП, больше их информационная емкость и быстродействие и ниже стоимость.

В настоящее время отечественной промышленностью производится и разрабатывается большое количество различных типов МП ПЗУ, отличающихся информационной емкостью, организацией, быстродействием, технологией изготовления, способом занесения информации и возможностью ее перезаписи, надежностью, стоимостью. Это позволяет в каждом конкретном случае выбрать тот тип МП, который в наибольшей степени подходит разрабатываемому ПЗУ, его роли в структуре вычислительной машины.

Современные МП ПЗУ представляют собой большие интегральные схемы, выполненные по биполярной или МОП^-технологии, имеющие емкость от 256 бит до 64 Кбит, быстродействие от 10 не до 5 мке, интенсивность отказов от 10""^ до 10"®

Несмотря на наличие значительного числа типов и высокий уровень надежности МП, параметры построенных на их основе ПЗУ микропрограмм и специальных внешних ПЗУ, содержащих большое количество МП, не всегда удовлетворяют предъявляемым к ПЗУ требованиям по безотказности и ремонтопригодности, стоимости и быстродействию.

Применение в ПЗУ специальных мер по повышению надежности Примечание I. МОП - структура металл-окисел-полупроводник. связано с дополнительными аппаратными затратами, ухудшающими стоимость и быстродействие устройства.

Поэтому при проектировании ПЗУ приходится решать задачу по выбору и реализации действенных схемотехнических решений, обеспечивающих лучшие параметры ПЗУ по надежности, стоимости и быстродействию.

При этом необходимо учитывать, что проблемы обеспечения надежности и ремонтопригодности ПЗУ на МП стоят более остро и отличаются определенной спецификой как по отношению к широко использовавшимся ранее ПЗУ на дискретных запоминающих элементах (ЗЭ), так и полупроводниковым оперативным запоминающим устройствам (ОЗУ). Это обусловлено тем, что информация в МП обычно заносится до установки их в ПЗУ и изменение ее в дальнейшем либо существенно затруднено, либо невозможно. При этом каждая МП хранит информацию отличную от других, что исключает их взаимозаменяемость, весьма облегчающую решение вопросов ремонтопригодности ОЗУ. Выполнение в едином технологическом цикле большого числа ЗЭ и электроники обрамления, входящих в состав МП, не позволяет использовать такие методы, обеспечивающие ремонтопригодность ПЗУ на дискретных ЗЭ, как перепайка элементов и соединений, перемещение магнитных карт или изменение прошивки.

С другой стороны для ОЗУ и ПЗУ на дискретных ЗЭ разработаны достаточно эффективные способы повышения надежности и ремонтопригодности, некоторые из которых можно применять и для ПЗУ на МП.

Несмотря на большое разнообразие отличающихся параметрами и организацией типов МП ПЗУ", отказы которых обуславливаются различными физическими причинами, несмотря на остроту и специфику проблемы обеспечения надежности и ремонтопригодности ПЗУ на МП, этим вопросам уделяется недостаточное внимание в научной литературе, слабо освещены вопросы оценки качества ПЗУ с применением известных способов и схемотехнических решений, направленных на повышение надежности ПЗУ, отсутствуют рекомендации по их использованию. Для некоторых способов повышения надежности ПЗУ, в частности, способов обхода (блокировки) неисправных ЗЭ и запоминающих ячеек (ЗЯ, включающих в себя определенное количество ЗЭ), отсутствует методика расчета параметров надежности. Все это затрудняет выбор конкретных способов или схемотехнических решений из числа известных, поиск и разработку новых решений, направленных на обеспечение требуемой надежности ПЗУ, приводит в ряде случаев к необоснованному увеличению стоимости ПЗУ9 к увеличению сроков разработки устройств.

В связи с этим появляется необходимость исследования вопросов обеспечения надежности и ремонтопригодности ПЗУ на МП, анализа уже известных и разработки новых технических решений и выработки рекомендаций по построению и применению ПЗУ повышенной надежности (ПЗУПН) с учетом экономической целесообразности его использования.

Целью диссертационной работы является разработка и исследование новых способов и схемотехнических решений построения ПЗУ повышенной надежности (ПЗУПН) и высокой эффективности использования, а также разработка критерия оценки их качества. Для достижения указанной цели в работе ставятся следующие основные задачи:

- провести анализ современного состояния методов и схемотехники построения ПЗУПН, методов и критериев оценки качества ПЗУ и определить основные направления исследования и разработки;

- разработать соответствующий полупроводниковым ПЗУ метод и критерий оценки качества ПЗУПН и определить условия целесообразности введения избыточности в ПЗУ;

- разработать и исследовать новые, более совершенные, схемотехнические решения построения ПЗУПН;

- разработать и внедрить в производство ПЗУПН с использованием полученных в работе выводов и рекомендаций с целью обеспечения высоких технико-экономических характеристик системы ПЗУ-ЭВМ.

Методами исследования являются теория надежности, теория вероятностей, теория цифровых вычислительных машин и математический анализ.

В диссертации разрабатываются и выносятся на защиту:

1. Метод оценки эффективности использования полупроводниковых ПЗУ с применением способов и схемотехнических решений, направленных на повышение надежности и ремонтопригодности ПЗУ.

2. Способы и схемотехнические решения, обеспечивающие повышение надежности и эффективности использования полупроводниковых ПЗУ.

Научная новизна. В диссертационной работе получены следующие новые результаты:

- разработан метод оценки эффективности использования полупроводниковых ПЗУ с применением способов и схемотехнических решений, направленных на повышение надежности и ремонтопригодности устройства;

- разработана обобщенная структурная схема ПЗУ с использованием различных способов и схемотехнических решений повышения надежности, отражающая все основные функциональные блоки и связи между ними в ПЗУПН;

- предложена классификация методов повышения эффективности использования ПЗУ;

- получено соотношение, определяющее целесообразность применения в ПЗУ методов повышения надежности;

- разработана методика расчета показателей безотказности ПЗУ с блокировкой неисправных ЗЭ (НЗЭ) и ЗЯ (НЗЯ) и оптимизации объема дополнительного оборудования в них с целью достижения максимальной эффективности использования таких ПЗУ;

- получены результаты по анализу эффективности использования известных ранее и вновь разработанных схемотехнических решений ПЗУ с блокировкой НЗЭ и НЗЯ.

Практическая ценность работы заключается:

- в разработке методики расчета, удобной как для теоретического анализа, так и для практической оценки эффективности использования ПЗУПН;

- в определении путей дальнейшего совершенствования ПЗУ и повышении эффективности его использования;

- в разработке ряда новых, защищенных авторскими свидетельствами на изобретения, схемотехнических решений построения ПЗУ с автоматической блокировкой неисправных ЗЭ и ЗЯ, каждое из которых позволяет повысить надежность и эффективность использования ПЗУ, по сравнению с известными.

Использование результатов исследований позволяет повысить объективность и точность оценки качества ПЗУ, сократить время на разработку и анализ ПЗУПН, увеличить надежность, уменьшить стоимость, среднее время ремонта, габариты, потребляемую мощность ПЗУ.

Результаты работы могут быть использованы также при разработках и анализе эффективности использования структур полупроводниковых ОЗУ.

Некоторые из предложенных схемотехнических решений могут применяться при проектировании и изготовлении МП ПЗУ для увеличения выхода годных микросхем.

Результаты работы нашли применение в ПЗУ матричного процессора, ПЗУ и ОЗУ ЭВМ ECI045.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав и заключения.

Выводы

1. Применение в УП ЭВМ ECI045 системы блокировки НЗЯ, построенной с использованием схемотехнических решений, обеспечивающих максимальное быстродействие устройства, позволяет получить существенное (до 16$) повышение эффективности использования УП в ЭВМ при незначительном увеличении стоимости устройства.

2. Введение в ПЗУ матричного процессора и УП ЭВМ ECI045 схем, исключающих появление четного числа ошибок в слове и тем самым сокращающих время восстановления устройств, повышает эффективность использования ПЗУ (до 4$).

3. Разработка и введение в состав КД на устройство документов, облегчающих поиск неисправных МП, обеспечивает заметное до 6$) повышение эффективности использования ПЗУ за счет сокращения простоев ЭШ на ремонт ПЗУ.

4. Применение в ОЗУ ЕС3267 системы коррекции двойных ошибок дает возможность обеспечить требуемые параметры надежности устройства и повысить эффективность его использования (до 20$) при незначительном увеличении объема оборудования и стоимости.

5. Использование в МП типа КР556РТ4А схемы, позволяющей блокировать строку накопителя с дефектными ЗЭ и заменять ее резервной строкой, обеспечивает существенное увеличение выхода годных МП и снижение их стоимости (более чем на 50$).

6. Суммарный экономический эффект от внедрения в ЭВМ BCI045, матричный процессор и ОЗУ ЕС3267, описанных в этой главе устройств, составляет около 180 тыс. рублей в год.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Анализ известных и вновь разработанных способов и схемотехнических. решений повышения надежности ПЗУ позволяет сделать вывод о целесообразности использования в ПЗУ систем блокировки неисправных, ЗЯ (НЗЯ). В зависимости от надежностных, характеристик МП, информационного объема ПЗУ, срока эксплуатации и места устройства в ЭВМ можно рекомендовать конкретное схемотехническое решение построения ПЗУ с блокировкой НЗЯ или НЗЭ,обеспечивающее наибольшую эффективность использования ПЗУ. Еще большие возможности по организации ПЗУПН и выбору подходящего схемотехнического решения позволяет применение систем блокировки НЗЯ (НЗЭ) совместно с другими способами обеспечения надежности ПЗУ, такими как корректирующие коды, временная избыточность и другие.

2. Разработанный критерий эффективности использования ПЗУ, учитывает характеристики и параметры как самого ПЗУ, так и особенности его взаимодействия с ЭВМ, а также характеристики процесса обслуживания устройства. Это позволяет использовать критерий для объективной оценки качества того или иного схемотехнического решения построения ПЗУ.

КЭИ может быть использован не только для сравнения качества различных ПЗУ, но позволяет оптимизировать объем дополнительного оборудования ПЗУ с блокировкой НЗЯ и НЗЭ. В работе получены конкретные выражения, определяющие оптимальное значение информационного объема дополнительного оборудования в ПЗУ с блокировкой НЗЯ (НЗЭ) в зависимости от параметров МП, ПЗУ, ЭВМ и процесса обслуживания.

Предложенный критерий может применяться для оценки эффективности использования других типов ЗУ, в частности ОЗУ.

3. Предложенная классификация методов повышения эффективности использования ПЗУПН определяет основные пути совершенствования и повышения качества ПЗУ.

4. Расчетные выражения для определения ВБР ПЗУПН и других параметров, входящих в КЭИ, и методика определения величины КЭИ, позволяют дать опенку эффективности использования любого ПЗУ как на этапе его разработки, так и готового изделия.

5. Описанные и проанализированные в работе новые схемотехнические решения построения ПЗУПН существенно расширяют области использования в ПЗУ систем блокировки НЗЭ и НЗЯ. Каждая из разработок направлена на повышение эффективности использования устройства по сравнению с известными способами построения ПЗУПН и улучшения параметров надежности, быстродействия, ремонтопригодности и стоимости ПЗУ. Среди них. системы блокировки НЗЭ, позволяющие исправлять несколько ошибок в слове, системы автоматической блокировки НЗЯ и НЗЭ, работающие совместно с системами резервирования, корректирующими кодами и системами, использующими временную избыточность. Особое внимание следует уделить системе блокировки НЗЭ введенной в

6. Предложенные схемотехнические решения построения ПЗУПН нашли применение в управляющей памяти микропрограмм ЭВМ ECI045, ПЗУ матричного процессора ЕС3245, полупроводниковой оперативной памяти ЕС3267, обеспечив этим устройствам высокую эффективность использования в составе ЭШ ECI045 и вычислительных комплексов на основе этой ЭШ ВК-2П45, ВК-2М45, и ВК-ЗМ45.

1. Брик Е.А. Техника постоянных запоминающих устройств. - М.:

2. Советское радио, 1973, с.З, 6-10, 14-132.

3. Крайзмер Л.П., Лашевский Р.А. Память ЭВМ на полупроводниковых

4. МДП-схемах. Зарубежная радиоэлектроника, 1975, Л 2, с.64-94.

5. Горяинов С.А. Полупроводниковые диодные матрицы. Электроннаяпромышленность, 1973, Я 10, с.30-33.

6. Валиев К.А., Орликовский А.А. Полупроводниковые интегральныесхемы памяти на биполярных, транзисторных, структурах.- М.: Советское радио, 1979, с.246-256.

7. Полупроводниковые запоминающие устройства и их применение

8. Под ред. А.Ю.Гордонова. М.: Радио и связь, 1981, с.23, I48-I7I.

9. Арчаков В. И. и др. Классификация многообразия структур программируемых ПЗУ, Электронная техника, сер.З, Микроэлектроника, 1981, вып.I, с.51-57.

10. Кейтон. Электрически изменяемые ПЗУ на МНОП приборах и их. применение. Электроника, 1977, Я 19, с.37-46.

11. Келли, Миллет. ПЗУ с электрическим стиранием информации, выполненные без применения МНОП структур. Электроника, 1976, X 25, с.43-48.

12. Альтман. Запоминающие устройства. Электроника, 1977, й 2,с. 23-45.

13. Перспективы развития мировых рынков сбыта электронной промышленности в 1982г. Электроника, 1982, Ш I, с. 28.

14. Каталог интегральных микросхем. Часть I./Центральное конструкторское бюро. ГЛ.: 1983, с. 55-59.

15. Смирнов Р.В. Проблемы и перспективы разработки запоминающих устройств на БИС /Сб. стат. под ред. А.А.Васенкова. Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. М.: Советское радио, вып. 3, 1978, с. 117 - 128.

16. Маджарова Т.Б. Надежность больших интегральных схем Зарубежная радиоэлектроника, 1978, № I, с. 143-147.

17. Пролейко В.М., Сретенский В.Н. Некоторые проблемы надежности изделий электронной техники. Электронная промышленность, 1977, № 6, с. 21-27.

18. Коппел, Малц. Прогнозирование стоимости систем полупроводниковой памяти. Электроника, 1976, № 24, с. 42-50.

19. Оценка полной стоимости срока службы изделия. Экспресс -информация, сер. Надежность и контроль качества, 1975,35, с. 1-5.

20. Экономическая эффективность ремонтопригодности радиоэлектронной аппаратуры, Радиоэлектроника за рубежом (информационный бюллетень), 1974, вып. 15, с. 37-38.

21. Зенин В.Н., Шидловский Р.П. Вопросы совершенствования структуры постоянных запоминающих устройств ЦВМ. Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭШ', 1976, вып. 6, с. 125-130.

22. Доля А.Д., Орловский П.И. Схемная коррекция ошибок в постоянных запоминающих устройствах. Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭВТ, 1981, вып. II, с. 47-50.

23. Методы расчета вероятности отказов запоминающих устройств модульной конструкции с исправлением ошибок. Экспресс-информация. Надежность и контроль качества, 1979, JS 16, с.3-9.

24. Системное решение проблемы самоустраняющихся отказов запоминающих устройств. Экспресс-информация. Надежность и контроль качества, 1981, Я 25, с.13-19.

25. Терзян О.А., Чахоян Л.М. Способы и схемотехнические решения,обеспечивающие работоспособность полупроводниковых ПЗУ с неисправными запоминающими элементами. Вопросы радиоэлектроники, сер.ЭВТ, 1977, вып.8, с.56-67.

26. Самофалов К.Г., Корнейчук В.И., Городний А.В. Структурно-логические методы повышения надежности запоминающих устройств.-М.: Машиностроение, 1976, с.40-47, 63-66, 69-92.

27. U en Uevlne, Ware Meyers. Semiconductor, memory retiabiEity with error delectingarid collection codei-Computei , I976,js io,c.43-5C

28. Tranktin R, Burgess ReCiabitity aspects ofnichrome (usibte Eink PROM'S.12~th Anna. Proc. RedaB. Phys., к аз Vegas, Neu, 1974, Neu YOrk , c.82-86.

29. Anthony M. J eigne P Progress report onnichroms link from retiabitily studies.^-th Anna. Pioc Retiab. PhysMs Vegas, Netf,i976, New Чогкc.182-191.

30. РагЯег G. H., Cornet «/.£, Printer W.S. RetiabUity considerations in the desicjn and fabricationof potlsUicon fusible iink PROM'S-12-ih Anna. Proc. Reiiab. Physhas Veqas, Hev., 1974, Ыеъг Уork, с. 88-89.

31. Smith R. С. Rosenberg S.J., Barrett C.R. Reeiabtfity studied of poUslticon fuslbEe tink PROM'S-\k-th Дппа. Ptoe. Rellab. Pfiys., Uas Vegas, New, 1976, New , c. 193-197.

32. C-Elnton K-, No^i К., Йее/ге a, Hewftln J. Ш RAM 6aiet brith prevent process mayoffen high Start Up геШШу-S£ectr0nlcs »1976,Я IO, с. 81-86.

33. H5ia V. NN05 Memory device data retention measurements and projections.- IEEE Trans. Mectron. tiev., ,1977, л 5, c.568-577.

34. Cet Gaty. РДМ0$ PROM retiabltlty studles.-Щ-th Лппи. Proc. Retlab. Phys. has Vegas, Nev,1976, New У07Й с. 198-201.

35. Пат. 3898443 (сша). Memory fauti correction system/1. Smith R. 1975.

36. A.c. 504247 (СССР). Постоянное запоминающее устройство /Б.С.

37. Цыбаков, А.В.Кузнецов. Опубл. в Б.И., 1976, № 7.40. пат. 3588830 (сша). System for using a memory having irremedlMe bad Bils/duda W. 1971.

38. А.с. 529490 (ССОР). Оперативное запоминающее устройство ссамоконтролем/А. Д. Доля.-Опубл. в Б. И., 1976, Я 35.42. пат. 323452 (сша). Sbata processing system/ Wel55ecta U , 1966.

39. Пат. 3633175 (сша). defect-toterant digital memory system/Harper S , 1972.47. пат. 3748653 (сша). Microprogram memory for electronic computes/Sbebruynt 2A dienvenu J ,1973.

40. Хетагуров Я.А., Руднев Ю.П. Повышение надежности цифровыхустройств методами избыточного кодирования. м.: Энергия, 1974, с.22-27.

41. А.с. 842979 (СССР). Запоминающее устройство с исправлениемошибок /Бородин Г.А. Опубл. в Б.И. 1981, № 24.54. патент 3656Ю7 (сша). Automatic double, error detectton and correction apparatus/Ми-Уие Hstdo, Mikhail U F, /972.

42. Вълков К.Г. Исследование структурных способов повышения надежности постоянных запоминающих устройств: Автореф. Дисс. канд. техн. наук. Киев, 1978, с. 7-12.

43. Китович В.В., Пороцкий С.М., Фатеев А.Е. Об интегральном критерии качества запоминающих устройств ЭВМ. Автоматика и телемеханика, 1980, вып. I, с. 153-158.

44. Кукуев B.A. и др. Применение метода ускоренной оценки качества для отраслевой унификации блоков ЗУ". Вопросы судостроения, сер. Вычислительная техника, 1976, вып. 13, с. 3-7.

45. Корбашов Ю.М. Энтропийные обобщенные показатели запоминающих устройств. Вопросы судостроения, сер. Вычислительная техника, 1979, вып. 26, с. 74-81.

46. Григорян ф.а., Дарбинян а.а. Общий критерий для оценки ряда модифицированных устройств на основе технико-экономических статистических показателей. Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭВТ, 1969, вып. 6, с. II0-II4.

47. Виталиев Г.В., Смирнов P.В. Структурные и временные характеристики запоминающих устройств с заменой дефектных участков.Вопросы радиоэлектроники,сер.ЭВТ,1970, вып. 3,с.26-36.

48. Виталиев Г.В. Разработка и исследование методов автоматического устранения дефектов в накопительных блоках запоминающих устройств. Дисс. канд. техн. наук. - Москва, 1973, с. 65-71.

49. Методика определения плановых условных цен на вновь разрабатываемые оперативные запоминающие устройства на полупроводниках. Ереван, типография ЕрНИИММ, 1982, с. 9-15.

50. Кущенко С.П., Маринченко Б.В., Кривоногов Ю.Г. Экономика, организация и планирование вычислительных установок. М.: Статистика, 1980, с. 133-134, 148, 156-157.

51. Терзян О.А. К вопросу об эффективности использования полупроводниковых запоминающих устройств повышенной надежности. Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭВГД981, вып. 9, с. II6-I22.

52. Модели надежности ЗУ" и выбор стратегии их обслуживания. -Экспресс-информация, сер. Надежность и контроль качества, 1972, № 30, с. I-I6.

53. Зависимость надежности систем памяти от объема и методов технического обслуживания. Экспресс информации, сер. Вычислительная техника, 1981, В 42, с. 1-5.

54. Емелин В.М. Среднее время безотказной работы систем, использующих простейшие корректирующие коды. Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭВТ, 1981, вып. 10, с. I06-II7.

55. Мартиросян Л.С. Конструктивные особенности базовых модулей ЭВМ ECI045. Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭВТ, 1978, вып. 10, с. II2-H7.

56. Гнеденко Б.В., Беляев Ю.К., Соловьев А.Д. Математические методы в теории надежности. М.: Наука, 1965, с. 133-134.

57. Терзян О.А. Устройство автоматической коррекции информации отказавших запоминающих элементов в ОЗУ. Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭВТ, 1979, вып. 9, с. 99-104.

58. Козлов Б.А., Ушаков И.А. Справочник по расчету надежности аппаратуры радиоэлектроники и автоматики. М.: Советское радио, 1975, с. 83,97.

59. Терзян О.А., Чахоян Л.М. Анализ организации полупроводниковой постоянной памяти с автоматической блокировкой неисправных запоминавших ячеек. Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭВТ, 1976, вып. 14, с. 43-52.

60. Пржиялковский В.В., Акинфиев А.Б., Шаруненко Н.М. Концепция построения и технико-экономические характеристики ЗУ на БИС в перспективных ЭВМ единой системы. Управляющие системы и машины, 1980, ^ 3, с. I27-I3I.

61. А.с. 809394 (СССР). Запоминающее устройство /Р.В.Акопов, О.А.Терзян, Л.М.Чахоян. Опубл. в Б.И., 1981, № 8.

62. А.с. 49II58 (СССР). Постоянное запоминающее устройство с блокировкой неисправных запоминающих элементов /О.А.Терзян, Л.М.Чахоян. Опубл. в Б.И., 1975, В 41.

63. Терзян О.А. К вопросу обеспечения ремонтопригодности полупроводникового постоянного запоминающего устройства. Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭВТ, 1977, вып. 12, с. 59-65.

64. А.с. 507900 (СССР). Запоминающее устройство с блокировкой неисправных запоминающих ячеек /О.А.Терзян, Л.М.Чахоян. -Опубл. в Б.и., 1976, В II.

65. Терзян О.А., Чахоян Л.М. Характеристики устойчивости к отказам запоминающего устройства с корректирующим кодом и блоком, хранящим информацию о неисправностях.-Сб. тез. докл. всесоюзной н.-т.конференции "ЭВМ-76", М.: НИЦЭВТ, 1976,с. 26-27.

66. А.с. 492000 (СССР). Запоминающее устройство с блокировкой неисправных ячеек /О.А.Терзян, Л.М.Чахоян Опубл. в Б.И., 1975, №42.

67. Шигин А.Г., Дерюгин А.А. цифровые вычислительные машины.

68. Память ЦВМ.-М.: Энергия, 1975, 360с.

69. А.с. 826425 (СССР). Запоминающее устройство с блокировкойнеисправных ячеек памяти /О.А.Терзян, Л.М.Чахоян Опубл. в Б.И.,1981, Я 16.

70. Щэтинин Ю.И., Акопов Р.В., Терзян О.А.» Чахоян Л.М. Способыиспользования кристаллов ЗУ с дефектными запоминающими элементами.-Зарубежная электронная техника, 1978, if 20, с,3~21

71. Борисов B.C., Конопелько В.К., Лосев В.В. Использование избыточности для повышения надежности и процента выхода интегральных запоминающих устройств.-Микроэлектроника, 1978, вып.4, с.328-336.

72. Поса Дк. резервирование в полупроводниковых ЗУ большой емкости путь к резкому повышению выхода годных приборов.-Электроника,1981, Я 15, с.26-31.

73. Лайнбек Дж. Резервирование ЗУ с помощью вертикальных, закорачивающих плавких перемычек.-Электроника,1982,^ 18,с.7-9.

74. А.с.668006 (СССР). Программируемое постоянное запоминающееустройство /0.А.Терзян, Л.М.Чахоян, Ю.И.Щетинин Опубл.в Б.И., 1979, Я 22.

75. Шишонок Н.А.,Репкин В.Ф., Барвинский Л.Л. Основы теории надежности и эксплуатации радиоэлектронной техники.-М.: Советское радио,1964, с.22.

76. Терзян О.А. ,Калантарян Б.К.,Туманова А.Г. Организация полупроводниковых памятей матричного процессора ЕС2345.-Вопросы радиоэлектроники, сер.ЭВТ, 1981, вып.9,с.34-37.

77. Чахоян Л.М., Терзян О.А. и др. Организация и особенности полупроводниковых памятей ЭВМ ECI045.-Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭВТ, 1978, вып. Ю, с,75-80.

78. Машина электронная вычислительная ECI045. Техническое описание 1Щ.700.026 Т02-Ереван, ЕрНШИ, 1981, с. 378-386.

79. Надежность изделий электронной техники, электротехники иквантовой электроники. Единый справочник, издание второе, том I, ВНИИ электростандарт, 1978, с. 8.

80. Григорян Л.А. и др. Некоторые особенности построения узлов ЭВМ ECI045 на интегральных схемах серии 500. Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭВТ, 1978, вып. 10, с. III.

81. Машина электронная вычислительная ECI045. Технические условия 1Щ.700.026 ТУ. Ереван, ЕрНИИММ, 1981, 19 с.

82. Прейскурант № У-01. Тарифы на услуги вычислительных центров./ Госкомитет СССР по ценам. М.: Прейскурантиздат, 1981, 5с.

83. Машина электронная вычислительная ECI045. Техническое описание 1Щ.700.026 Т02. Приложение 5. Ереван, ЕрНИИММ, 1981.

84. Гаспарян Л.Х. и др. Особенности структуры и функциональные характеристики матричного процессора ЭШ ECI045. Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭВТ, 1978, вып. 10, с. 105-108.

85. Кучукян А.Т. и др. Электронная вычислительная машина ECI045. М.: Финансы и статистика, 1981, с. 152, 173, 178.

86. Устройство запоминающее оперативное ЕС3267. Техническое описание. ЩКЗ.069.022 ТО. Ереван, ЕрНИИММ, 1979, с. 6-38.

87. Чахоян Л.М. и др. Оперативное запоминающее.устройство

88. ЕС3267. Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭЕТ, 1981, вып. 9, с. 22-28.

89. А.с. 641503 (СССР). Запоминающее устройство с блокировкой неисправных элементов памяти /О.А.Терзян, Л.М.Чахоян.1. Опубл. в Б.И., 1979, № I.

90. Щетинин Ю.И. Модернизация биполярного ППЗУ емкостью 1к. -Электронная промышленность, 1983, № 4, с. 44-46.