автореферат диссертации по радиотехнике и связи, 05.12.21, диссертация на тему:Анализ и прогнозирование воздействия СВЧ-помех на низкочастотные радиоэлектронные устройства

На правах рукописи

АНАЛИЗ И ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ СЕЧ-ПОШ-: КА НИЗКОЧАСТОТНЫЕ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА

Специальность 05.12.21 - Радиотехнические системы специального

назначения, включая технику СЕЧ и технологию их производства.

авторёфер'ат диссертации на соис1сание ученой степени кандидата технических наук

Работа выполнена на кафедре Радиоуправления Казанского государственного технического университета им.А.Н.Туполева.

Научный руководитель - доктор технических наук, доцент Ю.Е.Седельников

' Официальные оппоненты - доктор техничеашх наук, профессор

Даутов О.Ш. - кандидат физико-математических наук, доцент Ибатуллин Э.А.

Ведущая организация - Казанский научно-производственный

технического университета т.А.Н.Туполева: 420111, г.Казань, ул.К.Маркса,10.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке КГТУ.

Защита состоится / диссертационного совет:

центр "Крэк".

\m~rv■ в 10°° на заседании та ССК 053.09.02 Казанского государственного

государственного

Ученый секретарь диссертационного совета

к.т.н., доцент

Козлов В.А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы

Проблема электромагнитной совместимости технических средств различного назначения является одной из наиболее актуальных в современной радиоэлектронике. Среди сравнительно новых, изученных явно недостаточно, выделяется круг вопросов, связанных с функционированием относительно низкочастотных электронных устройств при воздействии электромагнитных помех с частотами значительно превышающими рабочие частоты их. Указанные вопросы приобретают все большее значение при создании различных систем и комплексов как военного так и гражданского назначения, использующие электромагнитные поля СВЧ диапазона. К их числу в частности относятся: СЕЧ системы передачи энергии, СВЧ установки,применяемые в различных отраслях промышленности и сельского хозяйства,военные системы СБЧ и т.д. Проблема обостряется еще и тем, что на современном этапе развитии электроники предпочтение отдается низковольтной и микроамперной элементной базе. Это позволяет достигать еысокой эконо-мичносги, малых массы и габаритов аппаратуры. Но обратной стороной этого процесса является все большее влияние друг на друга различных блоков и устройств единой радиотехнической системы, а также введших электромагнитных полей.

В настоящее гремя действует ряд нормативных документов,как международных так и национальных, регламентирующих устойчивость радиоэлектронных средств к воздействию электромагнитных полей с частотами до 1 ГГц (МЗК 801-3, ГОСТ 50008-92, Стандарты Россия Р50628-93, Р50745-35, нормы 22-86 и другие). Расширение номенклатуры изделий, подлелащих сертификации а также увеличение в перспективе полосы частот реглзментируемых воздействий ставят в ряд актуальных задачу разработки достаточно простых методик прогнозирования Бездействия излучаемых СБЧ помех. Указанные методики должны позволить уже на стадии разработки аппаратуры оценивать уровни восприимчивости и при необходимости заблаговременно принимать меры к их снижению.

Поэтому круг вопросов, связанных с анализом нежелательных СБЧ воздействий, оценками и прогнозированием восприимчивости электронных устройств радитехнических систем различного назначения представляет собой актуальную задачу, которая должна составить предает специальных исследовании.

Цель 'и задачи работы: исследование влияния излучаемых электромагнитных помех СЕЧ диапазона на низкочастотные электронные устройства и построение на этой основе методик анализа и прогнозирования нарушений ЭМС.

Достижение указанной цели требует решения следующих основных задач:

- разработки методик экспериментальной оценки влияния излучаемых электромагнитных помех на электронные устройства;

- изучения аффектов, возникающих при воздействии излучаемых СВЧ- помех на НЧ электронные устройства;

- разработки моделей рецепторов;

- определения параметров этих моделей;

- разработки методик прогнозирования ЗМС.

Методы исследований

Исследования и разработки в соответствии с поставленной целью проводились методами математического, физического и машинного моделирования, а также методов планирования эксперимента.

Научная новизна

Развита и применена для решения поставленных задач двухзтап-ная процедура анализа восприимчивости электронных устройств;

- разработаны модели активных и пассивных элементов рецепторов на основе экспериментальных данных;

- получены количественные данные характеризующие восприимчивость элементов НЧ рецепторов и элементов электронных устройств;

- разработана методика прогнозирования SMC электронных устройств на стадии проектирования.

Практическая ценность работы заключается в:

- методике позволяющей на стадии проектирования НЧ РЭС прогнозировать нарушения ШС в заданных условиях эксплуатации;

- методике экспериментальных исследований и испытаний F3C при пониженных уровнях мощностей за счет использования разработанной двухэтапной процедуры;

- полученных цифровых данных, характеризующих параметры восприимчивости НЧ электронных устройств к излучаемых СЕЧ помехам;

- сформулированных рекомендациях по построению электронных устройств с обеспечением требуемого уровня восприимчивости.

Реализация результатов работы

Результаты диссертационной работы внедрены на предприятиях:

КНПЦ "KF5K", г. Казань. НЛП "Салют-Микро", г. Нижний Новгород, что подтверждается актзми о внедрении, а также использованы е отчетах по НИР, выполненной в рамках Межвузовской научно-технической программы грантов в области радиоэлектроники (Договор ШФИ-9).

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на конференциях: II Международной НТК "Проблемы совершенствования радиоэлектронных комплексов и систем обеспечения полетов" г.Киев,1992г; НТК "HH4-5D лет" г.Казань,1994г; III Всероссийской НТК "ФАР и перспективные средства связи." г.Казань, 1994г; III НТК "Электромагнитная совместимость технических средств." г.С.-Петербург, 1994г; Международном симпозиуме по ЗМС и ЗМЗ. Санкт-Петербург, 1995г; молодежной НК "XXII Гзгаринские чтения",г..Москва, 1996г; - молодежной НТК "Молодая наука - новому тысячелетию", г.Набережные челны, 199бг-, II Республиканской НК молоды:', ученых и специалистов. г.Казань, 199бг; IV Российской НТК "Электромагнитная совместимость технических средств и биологических объектов. SMC-96.", г.С.-Петербург, 1996г.

Публикации

По теме диссертации опубликовано двенадцать научных работ: 3 статьи, 7 тезисов и 2 доклада - в сборниках научно-технических конференций.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность работы. Выделена совокупность вопросов, решение которых позволит определять степень воздействия непреднамеренных излучаемых СЕЧ помех на электронные устройства еще на стадии проектирования, сформулированы цели исследования и основные решаемые задачи.

В первой главе "Воздействие излучаемых помех СВЧ диапазона на электронные устройства" содержатся результаты проведенного обзора современного состояния вопроса и экспериментальных исследований с целью изучения эффектов, при воздействии СВЧ-помехи на низкочастотные электронные устройства, оценки пороговых уровней помех, вызывающих указанные эффекты а также определения наиболее значимых факторов, влияющих на степень восприимчивости типичных радиотехнических и электронных устройств к излучаемым электромаг-

нитным помехам с частотами, значительно превышающими диапазон рабочих частот рецептора.

Проведенный обзор источников информации показывает, что к настоящему времени для категории "индустриальные радиопомехи" в теории ЗМС и практике ее обеспечения наиболее обстоятельно проработаны различные аспекты, связанные с воздействием непреднамеренных электромагнитных помех (НЭМЮ с частотами или спектральным составом до 1 ГГц. Для указанных помех весьма детально изучены эффекты воздействия, включая влияние непрерывных, импульсных а также кратковременных помех, определены пороговые уровни, разработаны методы и аппаратура для оценок а также разработаны стандарты и нормы для различных классов аппаратуры, включая методы испытании. Радиопомехи диапазона СВЧ охвачены, главным образом в отношении воздействия их на радиоприемные устройства (в категории "Радиоизлучения передатчиков"), по основным и побочным канала;,1 приема и внеполосным эффектам причем в полосах частот, примыкавших к необходимым.

В отношении воздействия излучаемых СВЧ-помех на относительно низкочастотные устройства известны лишь констатация отдельных факторов нарушения ЗМС а также описание физических механизмов таких воздействий без изложения количественных зависимостей. На основании проведенного обзора делается вывод о необходимости проведения более детальных исследований для определения эффектов таких воздействий, оценки уровней потенциально опасных помех и отбора наиболее значимых факторов, влияющих на восприимчивость радиоэлектронных устройств к излучаемым СВЧ и КЕЧ помехам.

В практике обеспечения 5МС РЭС важнее место принадлежит экспериментальным методам исследований. Эти методы являются во многих случаях основным источником информации об анализируемых объектах. Экспериментальные-методы применяются на всех уровнях - от элементов и блоков до систем и служб. В основу этих методов исследований характеристик РЭС, влияющих на ЗМС, положены традиционные измерения электрических величин, а также многочисленные специфические методы и средства, характерные только для ЗМС.

С этими целями проведены исследования по оценке восприимчивости аналоговых электронных устройств к СВЧ помехам трактовыми методами. Исследовались: усилительные каскады на транзисторах, УНЧ на основе операционного усилителя, элементы радиоприемных

устройств. Определены типовые значения пороговой восприимчивости. Наблюдались эффекты блокирования, антиблокирования, перекрестных искажений.

Е результате исследований влияния СБЧ помех на аналоговые радиоэлектронные устройства сделан ряд предварительных выводов: воздействие помех приводит как к эффектам прямого прохождения помех (амплитудно-модулированной помехи) так и эффекты типа блокирования и перекрестных искажений, при воздействии немодулировая-ных СЕЧ и КВЧ помех на супергетеродинный радиоприемник наблюдается явление антиблокирования, которое проявляется при мощности 'Помехи менее 400мВт; при всех прочих равных условиях аналоговые радиоэлектронные устройства наиболее восприимчивы к помехам с более пироким частотным спектром; радиоэлектронные устройства, тлеющие в своем составе интегральные микросхемы. Солее восприимчивы, нежели устройства, имеющие транзисторы в качестве отдельных элементов. уровни помехи, вызывающих указанные эффекты в зависимости от типа устройства, элементной базы, от пути проникновения помехи, и составляют величины порядка 20-500 мВт.

Исследования по оценке восприимчивости цифровых электронных устройств, проведенные для микросхем с различными типами логики (ТТЛ, ТТЛШ, KM0II, ЭОЛ) для статического и динамического режимов работы микросхем, позволили установить, что под воздействием помехи наблюдается уменьшение амплитуды выходного сигнала, искажения 'форш и изменение периодов повторения импульсов.

В результате исследований передаточных характеристик базовых логических элементов цифровых интегральных микросхем установлено, что уровни пороговой восприимчивости находятся в пределах от 5 мВт до 1.5 Ет.

Проведены экспериментальные исследования восприимчивости к помехам ждущего мультивибратора на основе элементов ТТЛ и ТТЛШ. выявлено следующее: одновибратор на микросхеме на основе ТТЛ более устойчив к воздействию помехи; наиболее подвержены помехе выходы логических элементов; при воздействии помехи по цепи питания микросхем, наблодадось увеличение амплитуды выходных импульсов мультивибратора: от 10% при мощности помехи 30 мЕт до 30% при 1.2 Ет; порог восприимчивости по выходам логических элементов составил: логический элемент ТТЛ - 0.6 Бт , логический элемент ТТЛШ - 0.3 Вт.

Проведены экспериментальные исследования восприимчивости мультивибратора с самовозбуждением на логических элементах микросхемы логический элемент ТТЛШ и получены следующие результаты: при воздействии помехи по цепи питания микросхемы,изменяется частота генерации и форма импульсов; мощность АМ помехи, вызывающей нарушение нормального функционирования мультивибратора, равнялось 5мВт, тогда как немодулирсианная помеха в этом случае была 30 мВт; АМ помеха, действующая на микросхему, детектируется на нели-нейностях ВАХ р-п переходов и огибающая помехи искажает полезное импульсное напряжение цифрового устройства и нарушает нормальную работу схемы. 1

Определены пороги восприимчивости мультивибратора с самовозбуждением на КМОП элементах при воздействии помехи по цепи питания: для синусоидальной помехи - 400 мВт,для АМ помехи - 400 мВт.

Исследована восприимчивость триггера ТТЛ к помехе.Было выяснено, что функционирование триггера нарушается при воздействии АМ помехи,равной около 10 мЕт.При воздействии немодулированной помехи - 400 мВт .

Исследования микросхемы типа ЗСЛ показали, что под влиянием помехи могут проявиться искажения по логическим уровням "О" и "1". При исследовании переключательных характеристик элементов ЭСЛ наблюдается срыв работы элемента, т.е. при подачи на вход рабочих импульсов ивх выходное напряжение не меняется, это происходит при мощности помехи Рпом = 1 Ет, при воздействш! па цепи межкаскадного соединения с частотой ГПом =1.9 ГГц.

Полученные результаты показали необходимость считаться о возможностью воздействия НЭМП СВЧ и КБЧ диапазона на различные электронные устройства и позволили выявить наиболее значимые факторы, определяющие восприимчивость электронных устройств к помехам диапазона СВЧ.

Вторая глава "Анализ воздействия НЭМП на электронные устройства" включает выбор и обоснование методов исследования, разработку методов исследования эайекгов непреднамеренных воздействий и разработку подходов прогнозирования недопустимых влияний излучаемых СВЧ помех на относительно низкочастотные устройства.

Проведенный анализ литературных источников показал, что к настоящему времени получили развитие различные варианты подходов

к описанию явлений, связанных с влиянием электромагнитных помех на электронные устройства. Наиболее изучены вопросы анализа межсистемных помех, оценки электродинамических связей линий передачи и ряд других зопросов. Анализ воздействия излучаемых СЕЧ помех в известной литературе практически отсутствует.

Механизм воздействий относительно высокочастотных помех, не совпадающих с полосами пропускания рецепторов, в общих чертам достаточно ясен: под воздействием внешних полей в элементах монтажа, межблочных соединениях и т.д. возникают наведенные токи,которые создают на входах активных элементов соответствующие напряжения. При интенсивной помехе они вызывают различные нелинейные эффекты. К настоящему времени разработаны эффективные методики анализа лишь для случаев, когда частоты помех не превышают области СВЧ. Б диапазоне СЕЧ строгое описание физических явлений проводится на основе теории электромагнитного поля. Проводники при этом выполняют роль устройств, направляющих электромагнитную энергию. Теоретическое определение электромагнитных полей.в линии передачи сводится к решению уравнения Максвелла или следующих из них волновых уравнений. Это вынуждает прибегать к использованию математических методов прикладной-электродинамики, что ведет к повышенной сложности описания явлений на СЕЧ.

Вместе с тем в ряде случаев существует возможность упростить инженерные расчеты. В большинстве случаев необязательно учитывать все происходящие физические явления внутри устройств иди в их элементах. Достаточно знать лишь ответную реакцию узла или элемента на воздействующие внешние СВЧ колебания. Такой подход к. расчету позволяет отвлечься от непосредственного оперирования электромагнитными полями и использовать для расчета сложных устройств более простые методы.

Особенность оценок для излучаемых СЕЧ-помех и сложность ее осуществления определяется, по крайней мере двумя факторами: трудностями детального описания электродинамических эффектов, связанных с возникновением соответствующих токов и напряжений на входах активных элементов в системе проводников'чрезвычайно сложной конфигурации, каковой являются, например печатные платы с интегральными или навесными элементами. И с другой стороны, существенные трудности описаши эквивалентных схем НЧ транзисторов нз СВЧ и громоздкого анализа поведения их с реальными параметрами.

Развитый в работе подход позволяет обходить указанные трудности и решать круг поставленных зздач. Основой подхода является двухэтапная процедура анализа при вероятностном подходе к формированию оценок воздействия.

В настоящее время для определения воздействия используются различные методы как теоретические, так и экспериментальные. Теоретические методы основаны на использовании уравнений Максвелла, волновых уравнений, граничных условий, математических моделей полупроводниковых элементов, ' теории электромагнитного поля. Экспериментальные методы основаны на создании условий в которых возможно будут работать исследуемые электронные устройства. На этих методах базируются нормы на параметры электромагнитной совместимости РЗС. Использование вьше перечисленных методов имеют ряд недостатков. Решение видится в разработке новых методик сочетающих в себе как теоретические методы, так и экспериментальные.

Для получения количественных оценок, связанных с определением восприимчивости к излучаемым помехам, предлагается за основу использовать схему, включающую два этапа. На первом из них производится оценка свойств монтажных, межблочных и других соединений как антенн. Связь значений интенсивности внешних помех и мощности сигнала, принятого цепями устройства, определяется коэффициентом усиления и потерям рассогласования, определяемые импедансами "антенны" и активного элемента как рецептора помех.

Второй этап состоит в определении порогового уровня нежелательных воздействий для конкретного ачтивного элемента схемы. Ему соответствует такое значение мощности помехи, которое, действуя на входе активного элемента, приводит к недопустимому ухудшенш качества рецептора для данного типа помех. Все необходимые величины допускают экспериментальное определение, причем для получения количественных оценок -не требуется прибегать к измерениям в мощных полях, что потребовало бы использования специальных средств, а также надлежащей зашиты персонала.

Согласно указанному подходу антенна состоит из ряда проводников, нагруженных на входы (выходы) активных элементов и образуют систему несимметричных и в общем случае изогнутых печатных вибраторов или рамок. Свойства антенн зависят от многих факторов, часть которых могут быть определены лишь пределами измерения величин, а часть - априори неизвестны.

Свойства рецепторов также зависят от многих факторов, которые в детерминированном смысле не поддаются учету ( частота, режим схемы, параметры активного элемента и т.д.)

Поэтому в работе предлагается использовать вероятностный подход, широко используемый при решении аналогичных задач анализа ЭМС: разбиение анализируемого устройства на ряд элементов с оценкой каждого из них согласно выше описанной процедуре и формированием итоговой оценки, исходя из оценок несовместимости выделенных элементов.

Для устройств состоящих иг М модулей различных типов: М1-1-го типа, М<2 - 2-го. ..Мк - к-го типа, Мм - М-го типа. М=М1+Мг+.. .тМм вероятность несовместимости устройства в целом может быть представлена в виде

Ри^(Рн1 ■ • • Рнз- • • РнММ) (1)

где РН2" вероятность нарушения ЗМС в з-ом элементе устройства.

Вид зависимости Р(Рн1-•-Рнш) зависит от типа, назначения, вида устройства и логических связей. Для дальнейшего рассмотрения Еыделены случаи цифровых устройств, аналоговых и комбинированных.

Для цифровых устройств характерно, что уровни входных, выходных и действующих внутри устройства сигналов соизмерили, имеет место дискретный характер воздействия входных помех, последние либо имеют уровень, вызывающий нарушение функционирования, либо этого не происходит, а логические связи таковы, что наличие "сбоя" в одном из элементов означает нарушение функционирования устройства в целом.

Характер влияния помех, действующих на входах, выходах и в цепях электропитания, вообще говоря различен. Поэтому, для каждого иг модулей необходимо рассматривать вероятности несовместимости по отношению к помехе, действующей по разным входам.

Предложено осуществлять декомпозицию сложного устройства, выделяя ряд типовых элементов - модулей. Выделенный модуль для каждого из каналов воздействия характеризуется плотностью распределения <л< допустимой мощности помехи Рдоп, и может быть представлена в виде:

Ч) , Г-1 (1)

^(Рдоп) . = £_1 Чп Шпкк(Рдоп)

г|=1

где индекс 1 относится к каналу воздействия, п - типу модуля, а вероятность имеет смысл относительной частоты наличия в устройстве модуля п-го типа.

Результирующая оценка для вероятности .совместимости имеет

вид:

(М) N Рсов= П к=1

П-

К=1

гнк)

к=1 к=1 /

(3)

где Рнк- вероятность несовместимости по одному из каналов воздействия.

Для большинства практических ситуаций представляет интерес область малых -вероятностей нарушения условий совместимости Ршнк<1,для которой выражение (3) имеет вид

N

СМ) (—I

Ри* 1 -

к=1

П1к

П2к

П'Зк

СС1) Г-1 (2) Г-1 гэ)

РйК + РНК + (—> РКК

П=1

п-1

П=1

(4)

Из соотношений (3) и (4) следует, что для количественной оценки совместимости необходима информация о поведении элемента п-го типа, имеющего входные, выходные зажимы и вход для подачи электрического питания. Параметрами, определяющими его "поведение" в устройстве является значения вероятностей РнкС1'г*'3> соответствующие различным каналам проникновения помех;!: 1- вход, 2-выход и 3- цепи электропитания.

Значения последних могут быть определены:

Ра) ^нк

П10П

<">нк(Рдоп) С^Рпс ЙРдОГЬ

- со - со

1=1,2,3 СО (1)

где <1>нк(Рпр) и «¡нк(Рдоп) - плотности распределения значений мощности помехи принятой на 1-м входе элемента к-го типа и порс-

+ та

говых или допустимых уровней восприимчивости данного элемента соответственно (i=l,2,3 - соответствуют действию помехи на входе, выходе и в цепи питания элемента к-го типа).

Таким образом оценка выполнения условий сМС может быть получена, если для выделенных типовых элементов к-го типа определены соответствующие плотности распределения (Онк/15 (Рпр) и «нк(П (Рдол).

Для аналоговых устройств состоящих из Мк модулей различного типа (к=1,2...М), з отличие от цифровых схем характерно,, что уровни входных, выходных и действующих внутри устройства сигналов могут значительно отличаться (на десятки децибел), логические связи таковы, что различные элементы устройства, в общем случае, находятся в неравных положениях в том смысле, что "сбои" части из них более весомы чем остальных (например влияние помех на входные каскады радиоприемника более опасно, чем на выходные).

В главе показано, что с определенными оговорками описанный выше подход применим и к аналоговым устройствам.

Во-первых, на уровне любого модуля, устройства, каскада и т.д. можно указать такой уровень РДОп снижения "качества", превышение которого можно трактовать как нарушение ЭМО. Указанный уровень должен рассматриваться как максимальное значение напряжения или мощности воздействующей помехи. Недопустимое ухудшение качества функционирования:

РдОП= min РдопС! (6)

q=l..„L

Здесь Рдопсг пороговое значение, понимаемое в указанном выше смысле по отношению к q-му проявлен!® действия помехи: эффектам прямого прохождения, блокирования, перекрестных искажений, изменения других параметров аналоговых устройств. С учетом сделанных оговорок, вероятность нарушения совместимости некоторого устройства, блока, элемента и т.д. может пониматься как вероятность превышения действующей помехой указанного уровня:

Рн = P:-(Pnc>min РДОпа> (V)

Ео-Еторых, при воздействии СВЧ помех на относительно НЧ устройства влияние помех имеет, в основном, внеполосный характер. Это означает, что влияние помех проявляется в тех случаях, когда абсолютный уровень помехи превышает диапазон линейности амплитуд-

ной характеристики активного прибора. Поэтому можно с; определенной мерой приближения утверждать независимость пороговых значении Рдопс! от уровня сигнала, действующего на входе активного элемента. Это обстоятельство отличает рассматриваемые случаи от случаев влияния помех на радиоприемные устройства, в частности по побочным каналам приема, где определяющей величиной являются не столько уровни помех, сколько отношение сигнал/помеха. Подтверждением этого положения служат данные, полученные при анализе воздействия НЭМП СВЧ диапазона на радиовещательный приемник ДВ-СН-КБ диапазонов.

Б третьих, в отличии от традиционно рассматриваемых случаев влияние излучаемых помех на радиоприемники, усилители и т.д. в рассматриваемых случаях существуют примерно равные возможности воздействия помех как на входные каскады устройств, так и различные "промежуточные" вплоть до выходных каскадов.

Перечисленные соображения позволяют оценивать 34С аналоговых устройств при помощи аналогичных соотношений, выведенных в предыдущем разделе для цифровых устройств. Отличием является лишь отличающаяся трактовка понятия нарушения ЭМС а также то, что в большинстве случаев, как это следует из проведенных экспериментов, влияние излучаемых НЭМП на выходные каскады аналоговых устройств как правило на один - два порядка слабее.

Предложенная оценка ЭМС аналоговых и цифровых устройств может проводиться по единой схеме, отличаясь только конкретными значениями Рдоп- При этом понятие аналоговый каскад или цифровой элемент не используется, различие задается понятием типа модуля и значением пороговых уровней. Для осуществления оценки необходимо определить величины ийкС1)(Рп») и Янк'1'(Рлоп), характеризующие плотности распределения пороговых уровней, соответствующих элементу к-го вида при воздействии НЭШ на его входы, выходы и цепи электропитания.

Третья глава "Методы прогнозирования" включает результаты разработки моделей компонент электронных устройств согласно дву-хэтапной процедуре, полученные числовые данные, характеризующие указанные модели а также описание предложенной процедуры получения инженерных оценок прогнозирования ЭМС электронных устройств при воздействии излучаемых помех СВЧ диапазона.

Связь значений интенсивности внешних помех и мощности сигнала РПр принятого цепями устройства, определяется следующим образом:

5 Х2п

Рпр = По --(8)

4Я

где По - плотность потока мощности помехи, Ап - длина волны, соответствующая частоте помехи, 6 - коэффициент усиления "антенны", тс есть цепей, связанных с активным элементом, Ьр - потери рассогласования, определяемые имледансами антенны и "нагрузки".

Использование нормальных законов для величин Рпр и РДОп позволило сделать важное упрощение: поскольку нормальный закон является двухпараметрическим,' характеризуемым средним значением и дисперсией, тогда достаточно оценить средние значения и дисперсии для слагаемых в выражениях (5) и (8) без детализации конкретных их законов распределения:

т(РПр) = т(КУ) + тп(Ьр) + 101г(Х2/4й) (9)

б(Рпр) = / б2(КУ) + б2(Ьр) (10)

где гп(КУ), т(Ьр), т(РпР), б СКУ), б ар), б (Рпр) - соответственно средние значения и среднегаадратические отклонения коэффициента усиления "антенны" (КУ), потерь рассогласования (Ьр) и принятой мощности СВЧ помехи (Рпр). Все величины в выражениях (9) и (10) з логарифмическом масштабе.

Для определения соответствующих значений "антенных" параметров - среднего значения и среднеквадратического отклонения величин эффективной площади приемной антенны предложена аналитическая модель. В ее основу положен метод анализа линейной антенны, состоящей из проводников случайной длины со случайными распределением и ориентацией. Сравнение полученных данных с экспериментом подтвердило приемлемость применения указанных представлений.

С точки зрения теории антенн печатная плата представляет собой антенную рекегку со случайным распределением амплитуд и фаз наведенных токов. Диаграмма направленности решетки определяется диаграммой направленности отдельного проводника на плате и множителем решетки, представляющей собой систему гипотетических ненаправленных излучателей, расположенных в тех же точках, в которых находятся реальные проводники платы, и возбуждаемые такими же то-

кзми.

Для оценки потерь рассогласования разработана модель основанная на использовании экспериментальных данных, особенность ее состоит в том, что для оценки доли мощности выделяемой в нагрузке предлагается упрощенная процедура, оперирующая только значениям! коэффициентов стоячей волны генераторов и нагрузок, что упрощает экспериментальное определение. На основе данной процедуры для типовых плат получены параметры моделей.

Для оценки параметров распределений юСРдоп) предложен прием, основанный на использовании модели типового активного элемента при воздействии на него помех по одному из возможных каналов проникновения - по входу, выходу и цепям электропитания. Параметры модели - средние значения и дисперсии для распределений о>(Рдоп) предлагается определять экспериментально для выделенных групп активных элементов и преобладающих факторов. Е качестве базового элемента выделен усилительный транзисторный каскад (модуль), в качестве наиболее значимых факторов - тип транзистора (модуля) -биполярный, полевой, кремниевый, германиевый маломощный , средней мощности, мощный а также частота. Для значительного числа разновидностей получены значения параметров моделей с использованием приемов теории планирования эксперимента на основе проведенных измерений.

На основе полученных в гдвЕе 2 соотношений и найденных параметров моделей предложена инженерная методика прогнозирования, основанная на анализе выполнения условия РПр < Рпор с фиксированной вероятностью Рн доп- Оценку предлагается осуществлять путем оценки выполнения неравенства

По < трдоп - глрпр + С, (6рПр + брдсп), (11)

где ш и б - средние значение и среднеквадратическое отклонение случайной величины.

£=2-3 - коэффициент надежности выполнения условия ЭйС, зависящий от требуемой вероятности, причем для упрощения его расчета в работе приведены результаты расчетов в виде графиков.

Выводы по работе (Заключение)

1. Установлена возможность нарушения функционирования низкочастотных и аналоговых электронных устройств при воздействии излучаемых помех СЕЧ диапазона.

2. Подучены новые расчетные соотношения для определения восприимчивости электронных, устройств к СЕЧ помехе.

3. Разработаны вероятностные модели и экспериментально определены их параметры для активных и пассивных элементов электронных устройств различных типов.

4. Разработана методика прогнозирования ЗМС электронных устройств, позволяющая оценивать ЗМС на стадга проектирования.

5. Разработанные методики апробированы и внедрены в промышленные разработки.

. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Разработана двухэтапная методика анализа восприимчивости электронных устройств к излучаемым помехам СВЧ диапазона.

2. Построена модель потерь рассогласования.

3. Построена модель межзлементных соединений как антенн.

4. Проведены экспериментальные исследования параметров моделей.

5. Разработанз методика прогнозирования воздействия излучаемых помех на основе вероятностого метода.

ПЕРЕЧЕНЬ ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Седельников Ю.Е,Лаврушев В.Н..Идиатуллов 3.Р. .Нечаев n.M. Исследование восприимчивости НЧ радиоэлектронных устройств к НЭМП СВЧ диапазона.//Тезисы докладоз II Международной НТК "Проблемы совершенствования радиоэлектронных комплексов и систем обеспечения полетов" г.Киев,1332г. С.63.

2. Идиатуллов 3.Р.Лаврушев В.Н..Седельников Ю.Е. Исследование восприимчивости РЭС к воздействию СВЧ-помех.// Тезисы докладов НТК "НЙЧ-50 лет" г.Казань,1994г.с.154

3. Идиатуллов 3.Р.Лаврушев В.Н. ,Седелшникой Ю.Е. Анализ восприимчивости электронных устройств к непреднамеренным помехам СЗЧ диапазона.// Материалы докгадов III Всероссийской НТК "ФАР и перспективные средства связи." г.Казань,1994г.с.142-143.

4. Идиатуллов З.Р,Лаврушев В.Н.,Седельников Ю.Е. Анализ восприимчивости к НЭМП F3C с использованием методов антенных измерений.// Тезисы докладов III НТК "Электромагнитная совмести-

мость технических средств." г.С.-Петербург,1954г.с.S2-S3

5. Идиатуллов З.Р,Лаврушев В.Н..Седельников Ю.Е. Анализ восприимчивости электронных устройств к НЭМП СЕЧ и КВЧ диапазонов. Казан. Гос. техн. ун-т - Казань, 1594. 12о.: ил. - дел. в ВИНИТИ 24.05.94 N 1279-1394

6. Идиатуллов З.Р..Лаврушев E.H..Нечаев В.Ы.,Седельников Ю.Е.Экспериментальное исследование восприимчивости НЧ аналоговых устройств к НЭМП СВЧ и КВЧ диапазонов. Казан. Гос. техн. ун-т -Казань, 1994, 12с.: ил.-Деп. в ВИНИТИ 23.06.S4 Н 15S1-E94

7. Идиатуллов З.Р,Лаврушев В.Н.,Седельников Ю.Е. Экспериментальное исследование воздействия НЗШ СЕЧ диапазона на элементы цифровых устройств.// Сб. науч. докладов междукар. симп. по ЗЫС и ЭМЭ. - С-Птб, 1995, с.187-188.

8. Идиатуллов Э.Р..Влажиевский В.В. ,Сайфутдинов А.Г. Анализ и прогнозирование воздействия НсШ СВЧ-диапазона на электронные устройства.// Сб.тезисов докладов молодежной НК "XXII Гагаринские чтения", 4.4. г.Москва, 1996г. с.142-143

9. Идиатуллов З.Р. Прогнозирование воздействия непреднамеренных СВЧ-помех на электронные средства систем автоматизации. //Тезисы докладов молодежной НТК "Молодая наука - новому тысячелетия", 4.1. г.Набережные челны, 1996г. С.261-262.

10. Идиатуллов 3.F. Воздействие электромагнитных помех СЕЧ диапазона частот на электронные устройства.// Тезисы докладов II Республиканской НК молодых ученых и специалистов. Книга 5, г.Казань, 1996г. с.74.

11. Идиатуллов З.Р., Лаврушев В.Н., Седельников Ю.Е. Прогнозирование воздействия СЕЧ-помех нз электронные устройства.// Тезисы докладов IV Российской НТК "Электромагнитная совместимость технических средств и биологических объектов. ЭМС-96.", г.С.-Петербург, 1996г. С.198-201Г

12. Идиатуллов З.Р,Лаврушев В.Н. .Седельников Ю.Е. Р.сздейс-твие СВЧ помех нз цифровые устройства.// Межвузовский сборник "Радиоэлектр. устр-ва и системы", г.Казань,1936.С.120-134.

Формат 60x84 /16- Бумага тоило^^с«« Печать офсетная. Печ.л. 1.0. Усл.печ.л. 0,93. Усл.кр.-отт. 0,93. Уч.-иад.д. 1,0. _Тира* 100. Заказ _

Казанский государственный технический университет им.А.Н.Туполева

Ротапринт Казанского государственного технического университета

йм.А.Н.Туполева 420111, Казань, К.Маркса, 10.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ВОЗДЕЙСТВИЕ ИЗЛУЧАЕМЫХ ПОМЕХ СВЧ ДИАПАЗОНА

НА ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА.

1.1. Современное состояние исследований воздействия излучаемых помех на электронные устройства.

1.2. Механизм воздействия и методы оценки.

1.2.1. Механизм воздействия электромагнитных помех.

1.2.2. Печатная плата как приемник электромагнитных излучений.

1.3. Методы анализа воздействия СЕЧ помех.

1.4. Экспериментальные исследования восприимчивости электронных устройств к.НЭМП СВЧ диапазона.

1.4.1. Цель исследования.

1.4.2. Исследование усилительных устройств.

1.4.3. Исследование супергетеродинного приемника.

1.4.4. Анализ восприимчивости цифровых электронных устройств к НЗМП ДМ и СМ диапазонов длин волн.

1.4.5. Исследование статических характеристик логических элементов.

1.4.6. Исследование инвертора ТТЛ в динамическом режиме.

1.4.7. Исследование ждущего мультивибратора.

1.4.8. Исследование мультивибратора с самовозбуждением.

1.4.9. Исследование триггера ТТЛ.

1.4.10. Исследование микросхем на основе ЭСЛ.

1.5. Выводы по главе 1.

ГЛАВА 2. АНАЛИЗ ВОЗДЕЙСТВИЯ НЗШ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА.

2.1. Постановка эадачи.

2.2. Методика анализа.

2.2. Вероятностная оценка восприимчивости электронных устройств к воздействию СВЧ помех.

2.А. Декомпозиция сложных устройств.

2.4.1. Декомпозиция цифровых устройств.

2.4.2. Декомпозиция аналог овых устройств.

2.4.3. Декомпозиция комбинированных устройств.

2.5. Выводы по главе 2.

ГЛАВА 3. МЕТОДЫ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ.

3.1. Этапы и основные задачи прогнозирования.

3.2. Параметры антенн.

3.2.1. Основные задачи и пути их решения.

3.2.2. Диаграмма направленности и коэффициент направленного действия.

3.2.3. Модель ДН.

3.2.4. Модель КНД.

3.2.5. Результаты моделирования.

3.2.6. Оценки потерь рассогласования.

3.2.7. Результаты экспериментальной оценки потерь рассогласования.

3.2.8. Коэффициент усиления.

3.3. Параметры активных элементов.

3.3.1. Постановки задачи исследования.

3.3.2. Основные факторы влияющие на восприимчивость активных элементов.

3.4. Инженерная методика прогнозирования.

3.5. Выводы по главе 3.

Проблема электромагнитной совместимости технических средств различного назначения является одной из наиболее актуальных в современной радиоэлектронике/1-5/. Среди сравнительно новых, изученных явно недостаточно, выделяется круг вопросов, связанных с функционированием относительно низкочастотных электронных устройств при воздействии электромагнитных помех с частотами значительно превышающими рабочие частоты их. Последние становятся значимыми в связи с развитием промышленных применений СВЧ, наличием в составе различных излучающих комплексов низкочастотной аппаратуры контроля и управления, тенденциями к созданию СВЧ оружия и т.д. Проблема обостряется еще и тем, что на современном этапе развитии электроники предпочтение отдается низковольтной и микроамперной элементной базе. Это позволяет достигать высокой экономичности, малого веса и габаритов аппаратуры. Но обратной стороной этого процесса является все большее влияние друг на друга различных блоков единого устройства, а также внешних электромагнитных полей.

Необходимо выделить три основные объекта исследования. В терминах электромагнитной совместимости это: источники помех, среда распространения, рецепторы помех/1/. Практически любое РЭС находится в поле действия нежелательных источников электромагнитных помех и само излучает помехи на расположенные рядом электронное оборудование. Обеспечение совместной нормальной работы РЭС без потери информации и ухудшения их функциональных электрических характеристик - основная проблема элект

- б ромагнитной совместимости.

К настоящему времени имеется значительное количество информации по всем трем частям, но к сожалению, она неполная. Некоторые области изучены особенно тщательно, некоторые менее. Это в основном определялось тем, что на определенных этапах развития радиотехники остро вставали проблемы, отсутствие решения которых не давало бы возможности продвигаться вперед. Необходимо отметить, что в последнее время, особое внимание уделяется электромагнитной совместимости различных элементов радиоэлектронной аппаратуры/б-17/, ужесточены требования по излучениям вне полос рабочих частот, также значительно расширен диапазон частот на которых определяется воздействие источников помех на рецепторы/18-23/.

Как говорилось выше любое электромагнитное устройство может стать источником помех, поэтому в практику вошло комплексное изучение новой продукции на соответствие норм электромагнитной совместимости /24-29/. Разрабатывается также новая аппаратура для проведения данных исследований/30-25/.

Для решения проблем, проявляющихся при тестировании аппаратуры предлагается большое количество различных мер и устройств снижающих воздействие как внешних, так и внутренних помех/36-54/.

Одним из факторов, вызывающих нарушение совместной работы радиоэлектронных устройств, может стать воздействие непреднамеренных электромагнитных помех (НЭМП) СВЧ диапазона на различные радиоэлектронные устройства. Согласно рекомендациям Международного консультативного комитета по радио к диапазону сверхвысоких частот (СВЧ) относят сантиметровые волны - от 1 см до 10 см (3-30 ГГц)/55/. Однако на практике принято распространять термины "СВЧ" и "СВЧ диапазон" на более широкий участок электромагнитного спектра, включающий метровые, деци-и миллиметровые волны. Радиоволны СВЧ-диапазона обладают рядом важных физических особенностей: квазиоптический характер распространения, остронаправленное излучение, большая информационная емкость, малый уровень внешних активных помех, проникновение волн СВЧ диапазона с малым затуханием сквозь различные материалы и т.д. Перечисленные свойства обуславливают широкий диапазон применений электромагнитных колебании СВЧ в различных областях науки и техники/56/.

Техника СВЧ находит особенно широкое применение в радиосистемах передачи и извлечения информации (радиосвязи, радиовещании, телевидении, р^иолокации, радиоуправления, радионавигации, радиоастрономии, космонавтике и др.)/57/.

СВЧ-устройства широко применяются в ядерной физике для разгона элементарных частиц до скоростей, близких к скорости света, с помощью электромагнитных полей, создаваемых в специальных волноводах/56/.

В настоящее время весьма активно исследуются возможности ( в некоторых случаях они даже реализованы) передачи энергии в свободном пространстве с помощью электромагнитных волн СВЧ ди-апазона/58-60/. Все более широкое распространение получает использование СЕЧ в различных областях промышленности, производства и переработки продуктов, при приготовлении пищи /61-63/.

Достаточно распространено применение волн СВЧ диапазона в медицине для глубинных локальных нагревов и ускорения лечения многих заболеваний/64-69/.

Рассмотрение области применения электромагнитных волн диапазонов СВЧ и КВЧ порождает ряд проблем. Во-первых в ряде случаев уровни этих полей имеют настолько высокие уровни, что становятся небезопасным для человека и окружающей среды.

Так во многих работах указывается на негативное воздействие ВЧ и СВЧ излучений на окружающую среду и человека, на возрастание уровней этих воздействий, которое может привести к недопустимым изменениям/64-74/. С другой стороны эти же воздействия могут вызвать нарушения нормальной работы различных радиоэлектронных устройств и систем.

Анализ литературных данных показал, что к настоящему времени многие вопросы воздействия СВЧ и КЕЧ помех на различные технические средства не получили исчерпывающего освещения. Одним из таких вопросов является воздействие СВЧ полей на электронные устройства.

Среди важных направлений в практике ЭМС выделяется обеспечение совместимости широкого круга электронных устройств с радиотехническими, а также с другими электронными и электротехническими средствами.

В настоящее время действует ряд нормативных документов, как национальных так и международных, регламентирующих устойчивость радиоэлектронных средств к воздействию электромагнитных полей с частотами до 1 ГГц (ГОСТ 50008-92, МЭК 801-3 и другие /19-23/), а также ответственность производителей и потребителей радиоэлектронной аппаратуры за невыполнение данных норм/75-78/. Расширение номенклатуры изделии, подлежащих сертификации а также увеличение в перспективе полосы частот perламентируемых воздействии ставят в ряд актуальных задачу разработки достаточно простых методик анализа и прогнозирования воздействия помех, а также аппаратуры необходимой для проведения исследований и измерений этих воздействий/79,80/. Указанные методики должны позволить уже на стадии разработки аппаратуры оценивать уровни восприимчивости, чтобы при необходимости заблаговременно принимать меры к их снижению. В настоящее время ведутся работы в данном направлении это подтверждается большим количеством публикаций, например /81-85/,

К числу важных факторов, вызывающих нарушение функционирования электронных устройств относится воздействие интенсивных излучаемых помех: электронных разрядов, электромагнитного импульса, мощных импульсных излучений радиотехнических средств /86,87/. В значительной мере, "S работах этого- направлений внимание уделяется анализу переходных процессов, возникающих в цепях различных электронных устройств и оценке пиковых значений действующих напряжений с целью оценки устойчивости активных элементов к воздействию полей и прогнозирования таким образом необратимых отказов.

В значительно меньшей степени изучены воздействия электромагнитных полей меньшей интенсивности, не приводящих к разрушению элементов аппаратуры, но вызывающих обратимые нарушения работы. К числу работ этого направления следует отнести прежде всего исследования восприимчивости полупроводниковых приборов и интегральных схем к воздействию ВЧ и СВЧ электромагнитных помех, которые постепенно выделяются в самостоятельное направление в общей проблеме ЭМС /88-105/.

Несмотря на наличие перечисленных публикаций в направлении исследования воздействий СВЧ помех на электронные устройства, многие стороны проблемы остаются открытыми. В частности, к настоящему времени не получили должного освещения такие вопросы как характер проявлений нежелательных воздействий на электронные устройства различных типов, количественная мера таких воздействий, детальный анализ факторов, влияющих на устойчивость рецепторов, методики анализа и прогнозирования.

Поэтому круг вопросов, связанных с анализом нежелательных СВЧ воздействий, оценками и прогнозированием восприимчивости электронных устройств представляет актуальную задачу, которая должна составить предмет специальных исследований.

Целью данной работы является исследование влияния элект-; ромагнитных помех СВЧ диапазона-на низкочастотные. электронные . устройства и построение, на зтой^основе методик .анализа и прогнозирования нарушений ЭМС.

Достижение указанной цели требует решения следующих основных задач:

- разработки методик экспериментальной оценки влияния электромагнитных помех на электронные устройства;

- изучение эффектов, возникающих при воздействии СВЧ- помех на НЧ электронные устройства;

- разработка моделей рецепторов;

- определение параметров этих моделей;

- разработка методик для прогнозирования ЭМС.

Для разработчиков радиоэлектронной аш1аратуры~ценность данной работы может состоять:

- в возможности осуществления на стадии проектирования НЧ РЭС оценок прогнозирования нарушения ЭМС в заданных условиях эксплуатации;

- в возможности осуществления экспериментальных исследований и испытаний РЭС при пониженных уровнях мощностей за счет использования разработанной двух этапной процедуры;

- полученных цифровых данных, характеризующих параметры восприимчивости НЧ электронных устройств к СВЧ помехам;

- сформулированных рекомендациях по построению электронных устройств с обеспечением требуемого уровня восприимчивости.

В первой главе "Воздействие излучаемых помех СВЧ диапазона на электронные устройства" содержатся результаты проведенного обзора современного состояния вопроса и экспериментальных исследований с целью изучения эффектов, при воздействии СВЧ-помехи на низкочастотные электронные устройства, оценки пороговых уровней помех, вызывающих указанные эффекты а также влияния наиболее значимых факторов, влияющих на степень восприимчивости типичных радиотехнических и электронных устройств к электромагнитным помехам с частотами, значительно превышающими диапазон рабочих частот рецептора.

Вторая глава "Анализ воздействия НЗМП на электронные устройства " включает выбор и обоснование методов исследования, разработку методов исследования эффектов непреднамеренных воздействий и разработку подходов прогнозирования недопустимых влияний СВЧ помех на относительно низкочастотные устройства.

В третьей главе "Методы прогнозирования" представлены результаты разработки моделей компонент электронных устройств согласно двухзтапной процедуре, числовые данные, характеризующие указанные модели а также описание предложенной процедуры получения инженерных оценок прогнозирования ЗМС электронных устройств при воздействии излучаемых помех СВЧ диапазона.

3.5. Выводы по главе 3

1. Для формирования оценок согласно развитому в главе 2 подходу разработаны модели элементов, включая способы получения характеризующих их параметров.

2. Для монтажных элементов печатных плат разработаны способы прогнозирования значений эффективной площади приемных антенн на основе моделирования направленных свойств и оценки потерь рассогласования на основе экспериментальных данных по согласованию "антенн" и "нагрузок".

3. Для оценки параметров восприимчивости элементов разработана методика, основанная на экспериментальном определении соответствующих параметров для наиболее существенных факторов - типа элемента и частоты помехи.

4. Получены экспериментальные данные, характеризующие введенные модели элементов "антенн" и активных элементов.

5. На основе разработанных в главе 2 подходов, моделей элементов и полученных числовых данных разработана инженерная методика оценки восприимчивости, позволяющая прогнозировать возможность нарушения ЭМС на стадии проектирования.

6. Сформулирован ряд практических рекомендаций по улучшению ЭМС НЧ электронных устройств по отношению к СВЧ помехам.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основе проведенных исследований разработана методика анализа и прогнозирования нарушений 5МС при воздействии излучаемых помех СВЧ диапазона на низкочастотные аналоговые и цифровые электронные устройства. Основные результаты опубликованы в работах /112,119-129/.

Перечислим основные выводы по работе.

1. Установлена возможность нарушения функционирования низкочастотных цифровых и аналоговых электронных устройств работающих в составе различных радиотехнических систем при воздействии излучаемых помех СЕЧ диапазона.

2. Получены новые расчетные соотношения для определения восприимчивости электронных устройств к СЕЧ помехе.

3. Разработаны вероятностные модели и экспериментально определены их параметры для активных и пассивных элементов электронных устройств различных типов.

4. Разработана методика прогнозирования ЗМС электронных устройств, позволяющая оценивать ЭАС на стадии проектирования.

5. Разработанные методики апробированы и внедрены в промышленные разработки.

1. Петровский Е.И., Седельников Ю.Е. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств: Учеб. пособие для вузов. М.:Радио и сеяэь,1986. - 216 с.

2. EMC the past, present and future / Sato Risahuro / Int. Symp. Electromagn. Contpat., Nagoya, Sept. 8-10, 1989. Vol.1. - Tokyo, 1989. - C. 1-9. - Англ.

3. Uber die elektromgnetische Vertraglichkeit Forderungen und Auswirkungen der EMY Richtlinie / Schubert Wilhelm // LGA - Rdsch. - 1994. - N 4. - С. 97-103.

4. European standards shine spotlight on EMI // Des News, 1995, - 50 N18, - c. 58-60.

5. Исследования SMC компонентов ретранслятора ИСЗ. Kita-zume Susumu,Koike Tatsuya,Kasuga Yoshio,Kurosu Koichi. "NEC ruxo, NEC Techn.J."1981,34,N7,10-16(HnoH.,ред.англ.)

6. FDTD modeling of noise in computer packages / Becher Wiren Dale, Mittra Raj // IEEE Trans. Compon. Packeg. and Ma-nuf. Techno1. B. 1994. - 17N3, - c. 240-247.

7. Reference plane parosities modeling and their contribution to the power and ground path "effective" inductance as seen by the output drivers / Senthinathan Trans. Microwave

8. Theory and Techn. 1994 42 N9 Pt2 - c. 1765-1773.

9. EMC measurements and models connecting the system level with the module level / Eergervoet J.R. // Philips J,Res. 1994, - 48, N 1-2. - c. 63-81.

10. Influence of the driver circuits in the feneration and transmission of EMI in a power converter, effects on its electromagnetic susceptibility / Costa F., Laboure E., Puzo A. // EPE Journal. 1995. - 5, N1. - c. 35-44.

11. More on the banning of CD's in planes, and do some CD recordings have "rumble"? // Electron. Austral. 1995. - 57, N7. - c.34-38.

12. Метод определения электромагнитной обстановки в цилиндрическом приборном отсеке для оценки внутрисистемной ЭМС /Винтер И.А., Артемова Т.К.; Яросл. ун-т. Ярослвль, 1995. -27 е.: ил. - Деп. в ВИНИТИ 14.7.95 N 2164-В95.

13. Защита электрических цепей систем автоматики, телемеханики и связи от электромагнитных помех /' Семенюта Н.Ф. // Автомат., телемех. и связь. 1995. - N 8. - с. 30-33.

14. Алгоритм управления работой бортовых радиоэлектронных средств для обеспечения их электромагнитной совместимости / Безруков А.В., Биряйцев А.А., Токмаков А.Б., Токмаков Б.Б. // 50 Юбил. науч.- техн. конф. посвящ. 100- летию иеобрет. радио,

15. Санкт Петербург.Тез.докл. апр. 1995. - СПб, 1995. - с.30-31.

16. EMC equipment for testing1 avionics system components / Cook Steve // Electron. Eng. (Gr. Brit.) 1994. - 66, N 815. - c. 37-38.

17. Основные факторы, влияющие на электромагнитную совместимость электронной аппаратуры, и эффективные меры по ее обеспечению / Xie Lijuan //Diansheng Jishu = Audio Eng. -1995, N6, C. 26-28.

18. ГОСТ P 50842-95. Совместимость радиоэлектроных средств электромагнитная. Устройства радиопередающие народнохозяйственного применения. Требования к побочным излучениям. Методы измерения и контроля.

19. ГОСТ Р 50008-92. Совместимость технических средств электромагнитная. Устойчивость к радиочастотным электромагнитным полям в полосе 25 1000 МГц. Технические требования и методы испытаний.

20. ГОСТ Р 50628-93. Совместимость электромагнитная машин вычислительных электронных персональных. Устойчивость к электромагнитным помехам. Технические требования и методы испытаний.

21. Бадалов А.Л., Михайлов А.С. Нормы на параметры электромагнитной совместимости РЭС. Справочник. М.: Радио и связь, 1990. - 272 с.

22. The EMC directive // Eur. Sumicond. 1995. - 17, N3. - с. 11-12.

23. Clearing Europe's immunity hurdle / Brewer Ronald W. // Electron. Des. 1995. - 43, N 12, - c. 158-160, 162, 166, 168-169.

24. Das Umfeld der Elektromagnetischen Vertraglichkeit im Automobil / Eniers Kartsten // Mikroelektronik 1994. - S N4,- c.212-216.

25. Unnouvean Centre Opel d'Essai СЕМ // Auto-volt. -1995. N 710. - c.18-22.

26. EMC workbench: Testing methodology, module level testing: and standardization / Coenen H.J.// Philips J.Res. -1994, 48, N 1-2. - c. 83-116.

27. EMV als Diens + leisting: Innerhald der Grenzen // Elek. Autom. 1994. - 47, N 1-2. - c. 34-36.

28. EMC pre qual test equipment / Mawdsicy Devid // Electron. Eng. (Gr. Brit.) . - 19S4. - 66, N 815. - c, 41-42.

29. Schaffner joins Voltech and Elgar for IEC 555 // Electron. Eng. (Gr. Brit.). 1995. - 67, N S18. - c. 92.

30. Analyzer makes EMC tests // Microwaves and RF.1994, 33 N3, - c, 185.

31. Chase offer upgrade kit for Spectrum analysers // Electron. Eng. (Gr. Brit.) 1994. - 66, N810, - c.19.

32. Microwave analyzer // Aviat. Week and Space Technol.- 1995, 142, N14, - c. 86.

33. Регистратор источников системных помех / Громоздин В.В. //48 Науч. техн. конф. С.- Петербург, 23-26 янв.,1995. Тез. докл. СПб, 1995, - с. 13.

34. Testing instruments for electromagnetic compatibility. EMC tests based on OIML R76 / Welinder J. // Bull. Crgan. int. metrol. leg. 1994. - 35. N 1. - c. 5-10.

35. EMI tool Features 3-D EMI simulation engine // Electron. Compon. News. 1995, - 39N7, c. 136.

36. Устройство для обнаружения и преобразования видеосигналов. Бурмака А.А. Ает.св. СССР.кл.Н 04 Е 3/46, N 856024, за-явл. 5.11.79. N 2837316, опубл. 15.08.81

37. Дроссель с токовой компенсацией для подавления помех. Нивет Иегман. Stromkompensierte Drosselatanotdnung'.Заявка ФРГ, кл.Н 04 В 15/02,N2950434,эаяЕЛ.14.12.79.,опубл. 19.06.81.

38. Adachi Зуо;Д"Сэйдэнки гаккайси, Ргос. Inst. Electros-tat. Jap.", 1982, 6, N6, 370-377 (яп.). Место хранения ГПНТБ СССР.

39. Адаптивные методы повышения помехоустойчивости радиоприема /Еогачев С.В., Пальчиков В.В. // 48 Науч.-тех. конф. С-П. гос. ун-та телекоммуникаций Санкт-Петербург 23-25 янв. 1995. Тез. докл. С-Пб, 1995, с.32.

40. Overall sheild protects instrument cable from the effects of lighting / Bow Kenneth E., Voltz Donald A. // IEEE Trans. Ind. Appl. 1994, - 30 N2, - c. 269-276.

41. Cachannel FM interference suppression using1 adaptive notch filters / Rich David A., Bo Steven, Cassara Frank A. // IEEE Trans. Commun. 1994. - 42, N7 - c. 2383-2384.

42. Устройства для обеспечения электромагнитной совместимости аппаратуры связи / Takagi Kusuo, Okayasu Ryoichi // NTTT R anD D. = Elec. Commun. Lab., Techn. J. 1994. - 43, N12. -c. 101-108.

43. Электромагнитная защита зданий с аппаратурой связи и ее оценка / Yamane Hiroshi, Maeda Yuj i, Murakawa Kazuo, Kano Shuhei // NTT R anD D. = Elec. Commun. Lab. Techn. J 1994. -43, N12. - C. 117-124.

44. Filters eliminate EMI without cable disconnection //

45. Electron. Eng. (Qr.Erit.) 1994. - 66. N813. - c.17.

46. Filtre actif pour lugin de traction alimente sous catena! re monophasee: Заявка 2695221 Франция, МКИ5 G 05 F 1/70 / Liu Rong Fan; Sec Ajsthom (SA) N 9210259: Заявл. 25.8.92, Опубл. 4.3.94.

47. Gehause EMV test /7 Ind. Elek. + Elektron. - 1994. - 39, N 4, Suppl. "Mobil Prof. Fank". - c. 167.

48. Система обеспечения электромагнитной совместимости напольных устройств СЦЕ в связи с тяговым электроснабжением районов вечной мерзлоты. / Косарев Б.И., Косарев А.Б., Наумов А.В. // Автомат, техника и связь, 1995, N9, с.21-22.

49. Блок помехозащиты / Трифонов А // Радио,- 1995, N10, с.56-57.

50. Low cost EMI Filters // Electron. Compon. News. -1995, 39N7, c. 23.

51. Методы назначения и выделения ресурса частот для РЭС в сосредоточенных узлах связи / Шульгин В.Ф. // Теория и техн. радиосвязи. 1994. - N 2, - с. 94-100.

52. Multilevel optimization of high speed VLSI interconnect networks by decomposition / Wef Yuj i. Zhang Qi-Jun, Nakh-la Michel // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. -1994, -42 N9 Ptl c. 1638-1650.

53. Выбор системы радиосигналов в условиях воздействия имитационных помех и расчет помехозащищенности / Егоров A.M., Чесноков М.И. // 50 Юбил. науч-техн. конф. посвящен 100 летию изобрет. радио. Тез. докл. апр. 1995. СПб, 1995.

54. Синтез системы сигналов при коллективном использовании частот / Соловьев В.В. // Инф. конфликт в спектре электромагнит, волн. М., 1994. - о. 99-105.

55. Компенсационные методы повышения помехоустойчивости радиоприемников AM сигналов / Богачев С. Б. // 47 Науч. техн. конф. С-П. гос. ун-та телекомуникаций С-П. 24-27 янв. 1994. Тев. докл. - СПб, 1994, - с. 22-23.

56. Pfade im EMV Dschungel // ELRAD. - 1995. - N4. - с.10.

57. Конструирование экранов и СВЧ устройств: Учебник для вузов/ А.М.Чернушенко, Б.Е.Петров, Л.Г.Малорецкий и др.; Под ред. А.М.Чернушенко.-М.:Радио и связь,1990-352 с.:ил.

58. Техника сверхвысоких частот прошлое, настоящее и предвидимое будущее / ЛебедеЕ И.В. // Радиотехника (Москва), 1995, N 4-5, с. 74-78.

59. Влияние системы передачи мощности на СВЧ на окружающую среду. Valentino A.R., Abromavage М.М. "Nat. Telecommun. Conf.Houston, Tex., Nov 30th Dec 4th,1980, 48.5/1-48.5/4(англ.)

60. Эффективность системы передачи энергии СЕЧ лучом / Шокало В.М., Рыбаяко A.M.; Харк. ун-т радиоэлектрон. Харьков, 1995, - 40с. - Деп. в ГНТБ Украины 13.4.95, 856 - Ук95.

61. Исследования радиопомех от гирлянд изоляторов и арматуры линий электропередач СВЧ. Методы ограничения помех. / Крылов С.В., Тимашова Л.В. // Электротехника. 1994. - N10. -с. 49-51.

62. Osepchuk I.M. A History of Microwave Heating Application // IEEE Trans., Vol. MTT 32, 9, p.p. 1200-1223, Sept. 1984.

63. Рогов Г.В., Бородин А.А. Применение СВЧ в сельскомхозяйстве. -М.: Агропромиздат, 1985. 124 с.

64. Sedelnicov Ju.E., Morozov 6.A. Development and Practical use of Microwave Technologies for Agricultural Application. Proceeding of Jina 96, NICE France 1996.

65. Восприятие человеком низко интенсивных электромагнитных полей различных диапазонов / Котровская Т.И. // 10 Рос. симп. с между нар. участием "Миллиметров, волны в мед. и би-ол.". Москва, 24-26 апр., 1995.: Сб. докл.- М., 1995. с. 131-133.

66. Экология и миллиметровая электромагнитная биология / Ильина С. А. // 10 Рос. симп. с между нар. участием "Миллиметров. Еолны в мед. и биол.". Москва, 24-26 апр., 1995.: Сб. докл.- М., 1995. с. 175.

67. Взаимодействие физических и биологических объектов с электромагнитным излучением КВЧ диапазона. / Петросян В.И., Гуляев Ю.В., Житенева Э.А., Елкин В.А., Синицын Н.И. // Радио-техн. и электрон. (Москва). 1995. - 40, N1. - с. 127-134.

68. Гипертермия в онкологии. Тезисы докладов 2ого Всесоюэного симпозиума с международным участием.- Обнинск: НИИМР АМН СССР, 1990.

69. The radiation risks: Are they real? / Gabriel Camelia // Radiosci. and Bull. 1994. - N 269. - c. 70-72.

70. Hall A., Loveland R.J. Radiofrequency ignition hara-ids. "Conf.Radio Transmitt and Model.Techn.,London, 24-25 Match, I960.,Collog.Dig." London I960, 56-62 (англ).

71. Каляда Т.Т. Биозлектромагнитная совместимость и проблемы гигиенической регламентации электромагнитных полей /У Электромагнитная совместимость: Сб. материалов межд. симп.-С-Пб.: 1993. с. 743-745.

72. Слободаев Ю.М. Проблема электромагнитной экологии // Электросвязь, 1992, N3. - с.8-9.

73. Давыдов Е.И., Тихончук B.C., Антипов В.В. Биологическое действие, нормирование и защита от электромагнитных излучений.- М.: Энергоатомиздат, 1984. С.174.

74. Das EMV Gesetz. Existenzgefahrdung oder Chance? / Bellinghausen Beate // DE: Elektromlister + dtsch. Elektro-handwerk - 1995. - 70, N 12. - c. 1088-1090.

75. EMC action is required now /7 Electron. Eng. (Gr. Brit.). - 1995. -67, N 819. - c. 170.

76. Gafahren im Ather / Mailer Werner // Ind. Anz. -1994. - 116, N35, - c. 11.

77. Маркировка аппаратуры, выполненной согласно правилам ЭМС. ELRAD Forum СЕ - Zeichen // ELRAD. - 1995. - N 8. - с. 20.

78. EMI modeling pushes prototypes past test / Donlin Mike // Comput.Des. -1995. -34,N5. -C.32-34. -Англ. Место хранения ГПНТБ.

79. SO. Расчет помех, вызванных маломощными сигналами в системах передачи "один канал на каждой несущей" Бородич С.Б."Тр.Гос.НИИ радио",1982,N4,5-12

80. Enstordienst EMV gerechtesDesign elektronischer Schaltungen. Tell 3 / Franz Joachim // ELRAD,- 1995, - N9, -c. 82-84, 86-87.

81. EMI/EMC design guide // Electron. Coupon. News. -1994. -38, N 7. c. 108.

82. Expert advice on EMC directive // Elecron. Eng. (Gr. Brit.) 1995. - 67, N819. - c. 180.

83. New knowledge based solution automates electromagnetic complience // Electron. Compon. News. - 1994. - 28, N9. - c. 195-196.

84. Knowledge based EDA for EMC // Electron. Eng. (Gr.Erit.) - 1994. - 66, N813. c. S51-S52.

85. Радиоэлектронные средства и мощные электромагнитные помехи / Б.И. Кравченко, Е.А. Болотов, Н.И. Летунова; Под ред. В.И. Кравченко. М.: Радио и связь, 1987.

86. Волков В.Л., Степанов А.Ю., Чистяков Г.Н. Защита электронного оборудования от импульсных перенапряжений в цепях электропитания и связи. // Сб. науч. докладов междунар. симп. по ЭМС и ЕМЭ. С-Птб, 1995, с.204-205.

87. Пухов В.В.,Ильин Ю.Д.Воздействие ВЧ и СВЧ помех на полупроводниковые приборы и интегральные схемы //Электронная техника. Сер.1, Электроника СВЧ. 1986- Вып.9(393), с.25-28.

88. Титович Н.А. Исследование восприимчивости полупроводниковых приборов и интегральных микросхем к воздействию электромагнитных помех.//06. науч. докладов междунар. симпозиума ЭМЭ и ЭМЭ-95. СПб, 1995. - С.176-177.

89. Еригидин A.M., Титович Н.А., Листопад Н.й., Яооля Г.И. Восприимчивость транзисторов к воздействию электромагнитных помех. //Радиотехника. 1989. - N9. - С.36-37.

90. Еригидин A.M., Титович Н.А., Кирилов В.М., Юсов Ю.П., Листопад Н.И., Ясюля Г.Й. Влияние электромагнитных помех на работоспособность полупроводниковых приборов и интегральных схем (обзор). //Электронная техника. Сер.8. 1992. - Бып.1 -С.3-13.

91. Curtis E.Larson,James M.Roe.A Modified Ebers-Moll Transistor Model for RF Intrference Analysis.-McDonnell Douglas Astronautics Company,St.Louis,Missori,USA-// IEEE International Symposium on EMC.-1986.

92. M.K.Anderson.Field-to-Wire Coupling 1 to 18 SHz.-Mar-tin Marietta Astronautics,Denver,USA-// IEEE International Symposium on EMC.-1990.

93. Alcalay J.,Wiener D.Performans degradation of a 7400 TTL NAND cate due to sinusoidal interference // IEEE International Symposium on EMC.-1980.

94. Tront J.8.,Whalen J.J.,Larson C.E.,Roe J.M.Compu-ter-aided analysis of RFI effects in operational amplifiers and digital integrated circuits // IEEE Trans, on EMC.-Novemher 1979- Yol.21.-p.291-297.

95. Analysis of packaged microwave integrated circuits by FDTD / Mezzanotte Paolo, Hangiardo Mauro, Roselli Luca, Soc-rentino Roberto, Heinrich Wolfgang // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1994. - 42 N9 Pt2, c. 1796-1801.

96. Computer modeling of electromagnetic wave impact on electronic equipment / Tharf Mohammed S., Costacne George I. // IEEE Trans. Electromagn. Compat. 1994. - 36, N4. - c. 385-389.

97. Эффективность динамического управления совместным использованием частот загоризонтными РЛС и РЭС КБ радиосвязи / Боровков В.Ф., Пастух С.Ю., Соловьев В.В. // Инф. конфликт в спектре электромагнитных волн. М. 1994. - с. 106-110.

98. HF signal paths vital to EMC perfomance // Eureka. -1995. 15, N5. - c. 43-46.

99. RF unitentiral emossions / Mockay 6. // Int. Marit. Defence '93: Conf. Pre- Prints, Kingston upon - Thames., 1993. - Kingston - upon Thames, 1993. - c. 127-132.

100. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы. // Антипин

101. B.В., Годовицын В.А., Громов Д.В., Кожевников А.С., Раваев А.А. // Зарубеж. радиоэлектрон. 1995. - N 1. - с. 37-53.

102. Characterization of high frequency interconnects using finite difference time domain and finite element methods // Yook Jong Gwan, Dib Nihod I, Katehi Linda P.B. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. - 1994. - 42, N9, Ft2. - c. 1727-1736.

103. Robert E. Richardson. Modeling of Microwave Rectification RFI Effects in Low Frequency circuitry. US Navel Surface Weapons Center, Dahlgren, Virginis, USA - // IEEE International Symposium on EMC.- 1985.

104. Пухов E.В.,Ильин Ю.Д. Моделирование помехового воздействия ВЧ и СВЧ сигналов на биполярные транзисторы. //Электронная техника. Сер.1, Электроника СВЧ. 1986 Вып.10(394), с.8-14.

105. Титович Н.А. Анализ влияния радиопомех на характеристики полупроводниковых диодов. Сб. науч. докладов международного симпозиума по электромагнитной совместимости. 4.1.

106. C.-П.: С.-ПГЭТУ, 1993. с.171-175.

107. Воробьев Е.А. Экранирование конструкций СВЧ. М.: Радио и связь, 1975, - 136 с.

108. Отт Б. Подавление шумов в электронных системах. -М.: Мир, 1979. 362 с.

109. Лаврушев В.Н.,Седельников Ю.Е. Анализ восприимчивости электронных устройств к НЭМП СВЧ и КВЧ диапазонов.-Сб.науч. докладов международного симпозиума по электромагнитной совместимости.Ч.2.С.-П.: С.-ПГЭТУ,1993.с.467-472.

110. Идиатуллов Э.Р,Лаврушев В.Н.,Седельников Ю.Е. Исследование восприимчивости РЭС к воздействию СВЧ-помех.// Тезисы докладов НТК "НИЧ-50 лет" г.Казань,1994г.с.154

111. Левин Б.Р. Теоретические основы статистической радиотехники. Книга первая.- М.; "Сов. радио", I960. 752 с.

112. Вентцель Е.С. Теория вероятностей. М.: Наука, 1964. - 576 с.

113. Жук М.С., Молочков Ю.Е. Проектирование антенно-фидерных устройств. М.: Энергия, 1966. - 648 с.

114. Марков Г.Т., Сазонов Д.М. Антенны. М.: Энергия, 1975. - 528 с.

115. Айзенберг Г.З., Ямпольский В.Г., Терешин О.Н. Антенны УКВ: Б 2-х ч. М.: Связь, 1977. -2ч.

116. Джонсон Н., Лион Ф. Статистика и планирование эксперимента в технике и науке: Методы планирования эксперимента. Пер. с англ. М.: Мир, 1981. - 520 с.

117. Идиатуллов З.Р,Лаврушев В.Н.,Седельников Ю.Е. Анализ восприимчивости электронных устройств к непреднамеренным помехам СВЧ диапазона.// Материалы докладов III Всероссийской НТК "ФАР и' перспективные средства связи." г.Казань ,1994г.с.142-143.

118. Идиатуллов З.Р,Лаврушев В.Н.,Седельников Ю.Е. Анализвосприимчивости к НЭМП РЭС с использованием методов антенных измерений.// Тезисы докладов III НТК "Электромагнитная совместимость технических средств." г.С.-Петербург,1994г.с.82-83

119. Идиатуллов 3.Р,Лаврушев В.Н.,Седельников Ю.Е. Анализ восприимчивости электронных устройств к НЭМП СВЧ и КВЧ диапазонов. Казан. Гос. техн. ун-т Казань, 1994, 12с.: ил. - Деп. В ВИНИТИ 24.05.94 N 1279-1394

120. Идиатуллов 3.Р.,Лаврушев Е.Н.,Нечаев В.М.Седельников Ю.Е.Экспериментальное исследование восприимчивости НЧ аналоговых устройств к НЭМП СВЧ и КВЧ диапазонов. Казан. Гос. техн. ун-т Казань, 1994, 12с.: ил.-Деп. в ВИНИТИ 23.06.94 N 1561-В94

121. Идиатуллов З.Р,Лаврушев В.Н.Седельников Ю.Е. Экспериментальное исследование воздействия НЭМП СВЧ диапазона на элементы цифровых устройств.// Сб. науч. докладов междунар. симп. по ЭМС и ЗМЭ. С-Птб, 1995, с.187-188.

122. Идиатуллов З.Р.Блажиевский В.В.,Сайфутдинов А.Г. Анализ и прогнозирование воздействия НЭМП СВЧ-диапазона на электронные устройства.// Сб.тезисов докладов молодежной НК "XXII Гагаринские чтения", 4.4. г.Москва, 1996г. с.142-143

123. Идиатуллов З.Р. Прогнозирование воздействия непреднамеренных СВЧ-помех на электронные средства систем автоматизации. //Тезисы докладов молодежной НТК "Молодая наука.- новому тысячелетию", 4.1. г.Набережные челны, 1996г. С.261-262.

124. Идиатуллов З.Р. Воздействие электромагнитных помех СВЧ диапазона частот на электронные устройства.// Тезисы докладов II Республиканской НК молодых ученых и специалистов. Книга 5, г.Казань, 1996г. с.74.

125. Идиатуллов З.Р,Лаврушев В.Н.,Седельников Ю.Е. Воздействие СВЧ помех на цифровые устройства.// Межвузовский сборник "Радиоэлектр. устр-ва и системы". г.Казань, 1996. С.129-134.