автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.12, диссертация на тему:Разработка методов анализа и синтеза тонкопленочных электролюминесцентных элементов в индикаторных устройствах

На правах рукописи

Максимова Оксана Вадимовна

РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ АНАЛИЗА И СИНТЕЗА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНПСЦЕНТНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В ИНДИКАТОРНЫХ УСТРОЙСТВАХ

Специальность 05.13.12 «Системы автоматизации проектирования

(промышленность)» Специальность 05.13.05 «Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления»

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

/s '

CVOf-

UUJ453090

Ульяновск - 2008

003453090

Работа выполнена на кафедре «Проектирование и технология электронных средств» Ульяновского государственного технического университета

Научный руководитель:

доктор физико-математических наук, профессор Самохвалов Михаил Константинович.

Официальные оппоненты:

доктор технических наук профессор Негода Виктор Николаевич доктор технических наук профессор Смагин Алексей Аркадьевич

Ведущая организация: Открытое акционерное общество «Ульяновский механический завод», г. Ульяновск

Защита состоится 10 декабря 2008 г. В 12— на заседании диссертационного совета Д 212.277.01 при Ульяновском государственном техническом университете по адресу: 432027, Ульяновск, ул. Северный Венец, 32, ауд.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Ульяновского государственного технического университета.

211.

Автореферат разослан -7 ноября 2008 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

Казаков М.К.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность проблемы. Тонкопленочные электоолюминесцент-ные индикаторные устройства в настоящее время являются одними ич наиболее перспективных для создания микроэлектронных средств отображения информации, особенно для специальной техники. К их достоинствам относятся: полностью твердотельная конструкция, высокая яркость, надежность, температурная стабильность, быстродействие, большой угол обзора, радиационная стойкость и др.

К настоящему времени достигнуты значительные успехи в разработке и производстве индикаторов на основе тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов: определены физические основы работы этих приборов, материалы с требуемыми свойствами, разработаны конструкции и технологии получения элементов и устройств, методы контроля параметров материалов и источников излучения.

Вместе с тем остаются недостаточно исследованными вопросы расчета основных функциональных характеристик приборов и автоматизации проектирования индикаторных элементов и устройств.

Цель и задачи исследований. Целью данной диссертационной работы является исследование зависимости электрических и светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентиых конденсаторов от конструктивно-технологических факторов и разработка алгоритмов и программ для автоматизации проектирования индикаторных элементов и устройств.

Для достижения этой цели в ходе выполнения диссертационной работы поставлены и решены следующие задачи.

1. Теоретический анализ и расчет зависимости электрических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов от конструктивно-технологических параметров многослойных структур.

2. Теоретический анализ и расчет зависимости светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов от конструктивно-технологических параметров многослойных структур.

3. Разработка методики и алгоритма анализа функциональных характеристик тонкопленочных электролюминесценгных конденсаторов.

4. Разработка методики и алгоритма синтеза функциональных характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов.

5. Разработка программного обеспечения для автоматизации проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных элементов и устройств.

Основные положения, выносимые на защиту. Проведенные теоретические исследования характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов позволили вынести на защиту следующие основные положения.

1. Аналитические зависимости основных электрических и светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов от параметров и толщин пленок люминесцентных и диэлектрических материалов и условий возбуждения, позволяют производить анализ и проектирование индикаторных элементов и устройств.

2. Схемы проектирования ТПЭЛИ и требования к информационному обеспечению САПР для создания алгоритма позволяют осуществить решение задач анализа характеристик элементов ТПЭЛИ и синтеза параметров элементов ТПЭЛИ.

3. Алгоритм анализа характеристик элементов ТПЭЛИ, реализованный в программное обеспечение позволяет производить автоматизированный расчет электрических и светотехнических характеристик.

4. Алгоритм синтеза параметров элементов ТПЭЛИ, реализованный в программное обеспечение позволяет производить автоматизированный расчет толщин слоев ТПЭЛИ.

Научная новизна. Впервые детально исследованы процессы автоматизации проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств. При этом получены следующие новые научные результаты.

1. На основе исследования математического аппарата для расчета характеристик и параметров тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов предложены методы анализа и синтеза элементов тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

2. Впервые проведены исследования процессов проектирования для формализации задач в целях автоматизации проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

3. Разработаны алгоритмы автоматизации проектирования, позволяющие решить задачи анализа характеристик и синтеза параметров элементов тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

4. Впервые реализовано программное обеспечение, позволяющее осуществлять автоматизацию процессов проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

Практическая значимость диссертационной работы заключается в следующем:

1. Разработанные схемы и этапы проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов могут быть использованы для разработки конструкций и режимов работы приборов в лабораториях и конструкторских бюро, занимающихся проектированием и исследованием электролюминесцентных источников излучения.

2. Полученные методики анализа характеристик и синтеза параметров элементов тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств, применимы для расчета значений функциональных параметров, характеризующих свойства тонкопленочных электролюминесцентных элементов и индикаторных приборов.

3. Разработанные алгоритмы автоматизации проектирования и реализованная на их основе программа обеспечивают требуемые значения параметров индикаторных устройств.

Достоверность научных положений, выводов и рекомендаций обеспечивается адекватностью используемых математических моделей, корректностью упрощающих допущений, близостью расчетных данных с результатами экспериментальных исследований.

Личный вклад. В диссертации изложены результаты работ, которые выполнены соискателем лично под научным руководством профессора Самохвапова М.К.. Автор разрабатывал методики исследований, проводил теоретические расчеты и эксперименты, осуществлял обработку, анализ и обобщение получаемых результатов.

Апробация работы. _Основные положения диссертационной работы докладывались на 4-й и 5-й Всероссийской научно-практической конференции (с участием стран СНГ) (Ульяновск, 2004, 2007 гг.), на семинаре, проводимом в рамках Федеральной целевой программы «Интеграция нау-

ки и высшего образования России на 2002-2006 годы» - «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники». (Ульяновск, 2004), 9-й Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехноло-гии и микросистемы» (Ульяновск, 2007), а также на ежегодных научно-технических конференциях УлГТУ в 2004-2007 гг.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 5 печатных работ, из них 1 статья в журнале, входящем в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех разделов, заключения и списка используемых источников. Она изложена на 150 листах, содержит 20 рисунков и 2 таблицы. Библиографический список содержит 70 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность темы диссертационной работы, сформулированы цель работы и задачи исследований, выделены основные положения, выносимые на защиту, отмечена научная новизна и практическая значимость исследований, описана структура диссертации.

В первом разделе проведен анализ состояния современного рынка тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств и экранов. Рассмотрена типовая структура тонкопленочного электролюминесцентного индикаторного устройства, состоящая из пяти последовательно нанесенных на стеклянную подложку слоев: прозрачный электрод - диэлектрик - люминофор - диэлектрик - металл, полученных с использованием методов тонкопленочной технологии. Приведено описание основных электрических и светотехнических параметров тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств и оценка зависимости яркости излучения от приложенного напряжения. Проведен анализ современных систем автоматизированного проектирования электронных средств в общем, а также приведен пример разработанной в настоящее время программы автоматизации проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств, решающей узконаправленную задачу проектирования устройств с максимальными значениями контраста. Исходя из

сведений изложенных в первом разделе, сформулированы цель и задачи, поставленные и решенные в ходе работы над диссертацией.

Во втором разделе для проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств и расчета режимов работы устройств на их основе проведены теоретические исследования зависимости электротехнических и светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств от свойств составляющих их диэлектрических и люминесцентных пленок, а также разработаны методы анализа и синтеза для автоматизации проектирования ТГ1ЭЛИ.

Для определения последовательности этапов проектирования ТПЭ-ЛИ в целях построения САПР ТГ1ЭЛИ исследованы и проанализированы следующие свойства ТПЭЛИ.

1. Пороговое напряжение ТПЭЛИ связано с пороговым напряжением

С

слоя люминофора как: и„ = и ^ , с учетом того, что емкости слоев

ТПЭЛИ соединены между собой последовательно, это выражение прини-г . . . \ г

7-и,, = и„„с,

1 1 1

— + — + —

Сд1 Сд2

= и„

(Сд1 +Сл2)С,

сд,-сд2

Для того, чтобы более наглядно показать зависимость порогового напряжения от конструктивных параметров конденсаторных слоев, детализировано выражение для Ц,. Размеры электродов ТНЭЛИ мног о больше толщин слоев структуры, поэтому ТПЭЛИ считалось плоским. Поле можно считать однородным и пренебречь краевыми эффектами. Тогда в преобразуемом выражении для Ц, представлены емкости отдельных слоев С, как емкости плоских конденсаторов = 8! • 80 • 8/<355 где е„ с!, — соответственно, относительная диэлектрическая проницаемость и толщина отдельного слоя; Б - площадь перекрытия обкладок конденсатора:

ип=и

" пл

^ 8 с! £ С! ] | л д2 | л д!

д2 л д1 л

В случае, когда оба диэлектрических слоя выполнены из одного и того же материала, т.е. едг=ед2=8л, выражение принимает более простой вид:

и =и = и

I Мл )

пл

где ёд= с1л1 + (1д2 — суммарная толщина диэлектрических слоев. Значение порогового напряжения слоя люминофора определяется величиной напряженности электрического поля в люминофоре Е„л, необходимой для возникновения свободных носителей заряда, участвующих в возбуждении центров свечения иш1= Е„„ -(1пл. Поэтому последнее выраже-

тт -р еА + Мд ние принимает вид ип - 11 пл'

2. Максимально допустимое напряжение прикладываемое к структуре, ограничивается выражением:

где ЕПрд|, Епрл2— пробивные напряженности первого и второго диэлектрических слоев, соответственно.

Повышения максимально допустимых напряжений, прикладываемых к ТПЭЛИ, можно добиться за счет увеличения толщин диэлектрических и люминесцентного слоев, а также при использовании материалов с большими значениями электрических прочностей материалов люминофора и диэлектрика. Учитывая, что с увеличением Епл, с!, и с1д одновременно будет происходить увеличение порогового напряжения, предпочтительным вариантом является увеличение итах за счет использование диэлектриков с большими значениями Епр.д.

3. Исследование зависимости рассеиваемой мощности от конструктивных параметров необходимо для оценки области безопасных для работы ТПЭЛИ напряжений и определения взаимосвязи мощности рассеяния с электрическими параметрами слоев структуры, расчета их энергетических характеристик. Уравнение для усредненной мощности рассеивания имеет вид:

Анализ данного выражения дал возможность оценить рассеиваемую в ТПЭЛИ мощность в зависимости от конструктивных параметров — свойств материалов, используемых для создания индикаторов — диэлек-

'д

Рг

ср Л

трических проницаемостей, геометрических размеров — толщин слоев и площади перекрытия обкладок электродов для различных амплитуд и частот возбуждающего напряжения. Сделан вывод, что данное выражение можно использовать для разработки оптимальных конструкций ТПЭЛИ и выбора материалов диэлектрических слоев, обеспечения надежности их работы.

4. Для исследования зависимости светотехнических характеристик от параметров слоев ТПЭЛИ представлено уравнение для средней яркости, показывающее ее зависимость от условий возбуждения и свойств тонкопленочной структуры:

10 е ЧлТ0 0 ™

Таким образом, яркость излучения ТПЭЛИ зависит от таких его параметров, как с1л - толщина слоя люминофора, г|с- г|опт - К; Н с/к, N — концентрация центров свечения; а— сечение столкновения, и ее значения можно задавать с помощью подбора материала и выбора конструкции ТПЭЛИ.

5. Светоотдача ТПЭЛИ определяется как отношение светового потока к рассеиваемой мощности: г| = 1]р(1 - Вср /В0)

6. Исходя из анализа вышеприведенных аналитических соотношений рассмотрено влияние толщины слоя люминофора на светотехнические характеристики ТПЭЛИ. Толщина пленки люминофора на основе сульфида цинка изменялась в технологическом процессе получения пятислойных образцов пределах от 0,2 до 1,5 мкм, параметры диэлектрических пленок составляли - ед =18, с]д=0,5 мкм. Максимально достижимые значения яркости В0 прямо пропорциональны толщине люминесцентного слоя, а т)„, принимая пороговую напряженность электрического поля в люминофоре постоянной для различных значений с!.,, не зависит от толщины пленки люминофора.

Проведенный анализ влияния толщины тонкопленочного диэлектрического слоя на величины яркости и светоотдачи позволяет определить значения <3Д, необходимые для проектирования надежно работающего ТПЭЛИ с известными значениями светотехнических характеристик, потребляемой мощности, область безопасных для работы прибора напряже-

ний. В данном случае для исследованного ТПЭЛИ можно рекомендовать значения суммарной толщины диэлектрика в пределах 0,4-0,7 мкм, т.е. толщина каждого из двух диэлектрических слоев будет составлять 0,2^0,35 мкм.

Рассмотрена математическая постановка типовых проектных задач анализа. Решение задач анализа при проектировании ТПЭЛИ позволяет оценить электротехнические и светотехнические параметры ТПЭЛИ при различных структурах индикатора. Задача анализа сводится к тому, что при известных конструктивных параметрах проверить значения функциональных. Предложена следующая последовательность расчета параметров тонкопленочного электролюминесцентного индикатора при анализе характеристик его элементов:

1. Расчет порогового напряжения U„.

2. Расчет максимально допустимого рабочего напряжения Umav

3. Расчет емкостей Сд, С., диэлектрических и люминесцентных слоев.

4. Расчет усредненной мощности рассеивания Рср.

5. Расчет усредненной яркости Вср.

6. Расчет светоотдачи.

При решении задачи анализа ставятся следующие условия:

1. Расчетное значение U„ не должно превышать значения рабочего напряжения заданного в техническом задании.

2. Расчетное значение Вср должно находиться в диапазоне В1Ш„-НВ1ШХ, заданном в техническом задании.

3. Расчетное значение усредненной мощности рассеивания Рср не должно превышать значение максимальной потребляемой мощности, указанной в техническом задании.

Результатом проектирования будут являться U,„ Вср, Рср, Umax, т| при различных толщинах и материалах слоев.

Рассмотрены существующие методики синтеза в рамках их применения при автоматизации процесса проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Установлена следующая последовательность расчета параметров ТПЭЛИ для решения задачи синтеза:

1. Расчет коэффициента видности исходя из значений функции видности для различных длин волн. Функция видности имеет справочное значение и зависит от длины волны и связана с коэффициентом видности

следующим соотношением: V>.(a.)=Kx(a)/ К;.0(555).

с N

2. Исходя из соотношения L0 = тс-В0 =Г)0|П -d, -h- — Кх •--j где ц .

Л х

интенсивность светового потока, В0 - максимальная яркость, рассчитываем значение толщины слоя люминофора по формуле я-В0-^-т

Tlonr-h-K^-c-N-

3. Рассчитываем толщину слоя диэлектрика: d = U" "£л -Е,,., 1 s.|d|

Епл-е,

4. Последним этапом расчета являются расчет максимально допустимого рабочего напряжения Umax.

При синтезе параметров элементов ТПЭЛИ выходным результатом являются толщины слоев. Светотехнические и электротехнические параметры определены техническим заданием.

В третьем разделе приведены исследования для создания системы автоматизированного проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств.

Определены этапы проектирования тонкопленочного электролюминесцентного индикаторного устройства.

1. Составление технического задания на ТПЭЛИ.

2. Определение структуры и организации ТПЭЛИ, имеется в виду выявление типа конструкции исходя из общего назначения, особенностей отображаемой информации.

3. Определение электрических и конструктивных параметров элементов, компонующих устройство.

4. Коррекция структуры и оценка спроектированного ТПЭЛИ.

Был детально рассмотрен третий этап, как наиболее важный и трудоемкий. На этом этапе производятся все расчеты электрических, светотехнических и конструктивных параметров и режимов работы ТПЭЛИ. Данный этап проектирования можно разделить на следующие процессы:

1. Анализ электрических характеристик: 1.1 .Расчет максимально допустимого напряжения; 1.2. Расчет порогового напряжения элекгролюми-несцентных конденсаторов;

2. Анализ светотехнических характеристик: 2.1. Расчет яркости электролюминесцентных конденсаторов; 2.2. Расчет светоотдачи.

3. Анализ конструктивных параметров: 3.1. Выбор материала; 3.2. Выбор конфигурации.

Схема проектирования ТГ1ЭЛИ разработана исходя из анализа процессов проектирования ТПЭЛИ на третьем этапе.

После определения ограничений Umax, Р, В, и спектра излучения, исходя из технического задания, выбора структуры, разработки методик проектирования, анализа характеристик элементов, оценка значений U,„ Вср, РСр, Umax, г| синтеза параметров элементов тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов, оценки значений <1л, с1д определяются последующие действия, ведущие либо к различным корректировкам, либо к окончанию анализа и синтеза ТПЭЛИ.

Рассмотрены виды обеспечения САПР, применительно к автоматизации проектирования Описание задачи автоматизированного проектирования ТПЭЛИ включает в себя следующую информацию:

1. Описание рассчитываемых параметров (выходных) - тип параметра, условия расчета; сюда включаются электротехнические параметры -пороговое напряжение Ц, , максимально допустимое рабочее напряжение Umax и светотехнические параметры ТПЭЛИ - яркостьВ, светоотдача г|;

2. Описание условий анализа параметров - тип варьируемых внутренних параметров, шаг и диапазон изменения; сюда включаются: параметр, определяемый условиями возбуждения свечения F, частота возбуждающего напряжения /, средняя мощность, рассеиваемая в слое люминофора Рср; максимально достижимая величина светоотдачи т|0 напряженность электрического поля в люминофоре Епл; максимальная средняя яркость излучения Во; эффективность светового выхода т|е; постоянная времени для излучательных переходов тг; концентрация центров свечения N;

3. Описание условий оптимизации параметров - сведения о варьируемых параметрах, выходных оптимизируемых параметрах, ограничениях, критериях оптимизации; одним из условий оптимизации для ТПЭЛИ является минимизация порогового напряжения Un;

4. Описание алгоритмов расчета, анализа и оптимизации - типы алгоритмов и параметры, определяющие их скорость, точность и надежность, маршруты проектирования. По результатам анализа процессов проектирования определены два направления проектирования ТПЭЛИ: синтез и анализ ТПЭЛИ.

5. Описание задания на вывод результатов - форма представления результатов (таблица, график, чертеж), параметры выходного документа (шаг печати, масштаб, диапазон). В разрабатываемой САПР ТПЭЛИ предполагается табличный и текстовый вид представления результирующей информации.

В ходе исследования принципов построения САПР сформулированы требования к САПР ТПЭЛИ:

1. Системное единство - связи между подсистемами должны обеспечивать целостность системы. Система представляет собой базу данных для выбора материалов слоев, модуль математического расчета параметров ТПЭЛИ и управляющий модуль взаимодействия.

2. Развитие - должны создаваться с учетом пополнения, совершенствования и обновления. Имеется ввиду, пополняемая база данных материалов слоев ТПЭЛИ.

3. Информационное единство - использование единых условных обозначений, терминов, символов, языков, способов представления информации. САПР ТПЭЛИ должна соответствовать принятым стандартам представления данных в проектировании.

4. Совместимость - совместное функционирование подсистем, при сохранении открытости структур, т.е. возможность модификации программного кода.

Сформулированные требования являются общими, основополагающими положениями для разрабатываемой САПР ТПЭЛИ. Определен и структурирован банк данных САПР ТПЭЛИ.

Информационное обеспечение, входящее в САПР ТПЭЛИ структурировано в две таблицы в формате CSV. Поскольку этот формат файла используется в Microsoft Excel, он стал псевдостандартом во всей промышленности. Этот формат поддерживается Open Office. Одна из таблиц содержит все данные, необходимые для проектирования, о люминофорах, а другая о диэлектриках ТПЭЛИ. Представление информации в виде двух таблиц позволяет проектировщику оперативно вносить значения параметров новых люминофоров и диэлектриков и исключает ошибки при введении данных.

В четвертом разделе представлено описание создания программного обеспечения для автоматизации проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств, включающее в себя непосредственно теоретическое описание среды программирования. Приведены этапы разработки системы автоматизированного проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств для анализа функциональных характеристик и параметров при проектировании тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов и синтеза конструкций тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов.

Программа LECap написана на языке Object Pascal в среде Delphi 7 и представляет собой расчетный модуль, предлагающий пользователю набор процедур и функций для расчета параметров U„, Вср, Рср, Umax, т|, с целью проведения анализа функциональных характеристик и толщин слоев

d„ d,„ решающего задачи синтеза параметров тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов. Программа выполнена в виде исполняемого файла, который может запускаться как непосредственно из операционной системы.

Программа так же работает непосредственно с пользователем, устанавливая необходимые связи для проведения расчета.

Программа работает в двух режимах. В режиме одновариантного расчета и в режиме мастера. В режиме одновариантного расчета модуль позволяет:

- просматривать таблицы значений параметров люминофоров и диэлектриков

- при активизированной вкладке анализ ТПЭЛИ рассчитывать значения параметров U„, Вср, Рср, Umnx, Т|, в случае, когда пользователь интерактивно выбирает в таблице 1 программе материал люминофора, а в таблице 2 - материал диэлектрика, то есть для одной группы материалов;

1 .Выберите в таблице материал люминофора:

□вет свечения Шш |jp Красный Красный

Состав люминофора Zn5:Mn ¿nS: 5mF3 ZnS: 5m,

Максимум спектра излучения, и 585 650 650

Макс, яркость 80, 10л3 Кд/м2 10,25 1000 14

Условие возбуждения, Г, 3Гц 1500 5000 60000

Макс- светоотдача, >С1, Г>-/йг 7,6 0,08 0,1

Опт. концентрация примеси, И, 10*24 -3 1,25 3,6 3,6

Напр-сть поля люминофора, Епл, 10л8 0,7 0,7 0,7

Диэл. прожцаемость то№»юфора, Ел 8,5 8,5 8,5

Пост. Планка, Ь,10'ч34 Дж/с 6,63 6,63 6,63

Эл. прочность Епрд, 10"8В/н

Скорость света,1й"-8 н/с 3 3 3

Пост.времени для изл.переходов,?,с 1,3 0,27 0,15

Светсвой выход,?опт(% 17 21 16

Дбс.дмзл.прон^аемость, ?0, !0Л -12 8,65 8,85 8,85

3. Выберите тип расчета:

Анализ ТПЭЛИ Синтез ТПЭГМ |

2. Выбеците ди^лекi¡тик:

'1--Г---г

I Диэлектрик

Диэл, проницаемость,?

Эл. прочность Епрд, 10^8 В/м

Толщина материала, d 10л6 м

|St02 AI203 Та205 Sm203 h

J 18,00 4,00 6,00 27,00 15,00 1

1э,б0 3,00 7,00 4,00 1,00 <

|0j 20 0,75 0,75 0,75 0,75 С

Значение функции видности V (лямбда) = 0,87

Люминофор = ZnS:Mn, ДиэлектрикУ203:2Ю2

Коэффициент видности К (лямбда 0) * 683

Коэффициент видности К (лямбда расчетное) = 594,21

Максимальная яркость Во = 10,25

Максимум спектра излучения = 585

Постоянная времени д.т;1 излучающих переходов Т=1,3

Световой выход n_opt = 17

Постоянная Планка h=6,6310-34 Дж/с 6.63Е-34

оптимальная концентрация примеси 10л24 мл-3 = 1,25

Рассчитаем толщину слоя люминофора dl

Толщина люминофора = 9,7507x10 7

Расчетное значение рабочего напряжения Up = 110

Диэлектрическая проницаемость диэлектрика = 18

Электрическая прочность диэлектрика Епрд = 3,6

Напряженность поля люминофора Епл « 70000000

Диэлектрическая проницаемоеть = 8,5

Up-220

EpsHon_d=18

Epl«700000ÛQ

Epsilon >8,5

Рассчитаем толы^у одного слоя диэлектрика d2 =

6,3143x10-7

Umax = 220

Материал НЕ подходит по значению Umax < 88,2554

i? Очищать результаты при пересчете Открыть таблицу... j II.......Расчет........il Сохранить отчет

Мастер

- при активизированной вкладке синтез ТПЭЛИ, рассчитывать значения толщин слоев ТПЭЛИ <1, с1д

- сохранять результаты расчетов, отображаемых в окне 3, формате

Мх1;

В режиме мастера программа позволяет:

- вводить значения из технического задания на проектирование ТПЭЛИ в специальную форму ввода;

- проводить расчет, используя все сочетания материалов, то есть проектирования являются комбинации материалов с рассчитанными параметрами;

- сохранять результаты проектирования ТПЭЛИ в формате * .сб\< (табличное представление выходных данных).

Для оценки реализованного программного обеспечения ЬЕСар была произведена его апробация. В ходе проведения измерения экспериментальных пятислойных образцов ТПЭЛИ с установленной площадью непрозрачного электрода, определены толщины их слоев. Полученные данные позволили решить задачу анализа функциональных характеристик и параметров при проектировании тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов с помощью теоретических расчетов и в автоматизированном режиме с использованием разработанной САПР ТПЭЛИ. Результаты, полученные при автоматизированном проектировании ТПЭЛИ, подтверждают теоретические расчеты светотехнических характеристик и электрических параметров ТПЭЛИ. При автоматизированном проектировании ТПЭЛИ с помощью программного обеспечения ЬЕСар определены достоинства программы:

- единая программа;

- простота использования;

- низкие требования к ресурсам;

- отсутствие необходимости разработки специализированной базы данных.

С учетом вышеуказанных достоинств программа ЬЕСар реализует процесс автоматизации проектирования ТПЭЛИ, методикой, которого являлось решение задач анализа и синтеза.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Проведенные исследования позволили сформулировать следующие основные результаты и выводы:

1. Установлена аналитическая зависимость основных электрических характеристик: порогового и максимально допустимого напряжения от электрических параметров и толщины пленок люминесцентных и диэлектрических материалов в тонкопленочных электролюминесцентных индикаторах.

2. Установлена аналитическая зависимость основных светотехнических характеристик: яркости свечения и светоотдачи гонкопленочных электролюминесцентных индикаторов от параметров и толщины пленок люминесцентных и диэлектрических материалов и условий возбуждения.

3. Показано решение задач анализа при проектировании ТПЭЛИ, позволяющее оценить электротехнические и светотехнические характеристики индикаторных элементов при различных конструктивно-технологических параметрах тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов.

4. Исследованы задачи синтеза параметров элементов при проектировании тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов, сводящиеся к тому, что при задании параметров индикаторного элемента необходимо обеспечить выбор материалов люминофора и диэлектриков и определить значения толщин соответствующих слоев.

5. Определены и проанализированы четыре этапа проектирования ТПЭЛИ для создания САПР ТПЭЛИ. Установлено, что в качестве объекта автоматизации необходимо выделить третий этап проектирования ТПЭЛИ, т.к. данный этап является полностью формализуемой задачей проектирования и включает в себя большой объем вычислений с мьоговариантными решениями.

6. Разработана схема проектирования ТПЭЛИ, представляющая собой последовательность процессов проектирования для создания алгоритма решения задач анализа характеристик элементов ТПЭЛИ и синтеза параметров элементов ТПЭЛИ.

7. Рассмотрены и структурированы значения параметров слоев ТПЭЛИ, необходимые для расчета характеристик ТПЭЛИ в ходе автома-

газированного проектирования. Представлено информационное обеспече-*

ние САПР ТПЭЛИ в удобном для пользователя виде. Определены виды обеспечения и составлено техническое задание на разработку САПР ТПЭЛИ, в котором подробно изложено описание задач САПР ТПЭЛИ и методы их решения.

8. Сформулированы требования к программному обеспечению САПР ТПЭЛИ и изложены подходы к его разработке. Для реализации программного обеспечения предложены два способа, один из которых может быть осуществлен на базе уже существующего программного обеспечения, во втором предлагается создать программный модуль, решающий задачи анализа характеристик элементов ТПЭЛИ и синтеза параметров элементов ТПЭЛИ.

9. Разработан алгоритм анализа характеристик элементов ТПЭЛИ, реализованный в программный модуль, производящий полностью автоматизированный расчет электрических и светотехнических характеристик.

10. Разработан алгоритм синтеза параметров элементов ТПЭЛИ, реализованный в программный модуль, производящий полностью автоматизированный расчет толщин слоев ТПЭЛИ.

11. Разработанное программное обеспечение представляет собой единый проектно - расчетный модуль, решающий задачи анализа и синтеза пятислойной структуры ТПЭЛИ с диэлектриками, выполненными из одного и того же материала. Разработанный алгоритм, используемый для создания программного обеспечения ЬЕСар, реализует процесс проектирования, методикой, которого являлось решение задач анализа и синтеза.

12. Результаты апробации программного модуля ЬЕСар, полученные при автоматизированном проектировании ТПЭЛИ подтверждают теоретические расчеты светотехнических характеристик, электрических параметров и толщин слоев ТПЭЛИ.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Самохвалов М.К., Максимова О.В. Разработка алгоритмов проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств//Вестник Самарского государственного тсхничееко-

го университета - Самара: - 2007 г. с. (Журнал, входящий в перечень журналов, рекомендованных ВАК)

2. Максимова О.В. Автоматизированный расчет электрических и светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных источников излучения// Материалы школы-семинара, проводимой в рамках Федеральной целевой программы «Интеграция науки и высшего образования России на 2002-2006 годы» - «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники». - Ульяновск: УлГТУ,- 2004.-с.9-10.

3. Максимова О.В. Разработка алгоритмов проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств//Труды Пятой Всероссийской научно-практической конференции (с участием стран СНГ), посвященной 50-летию Ульяновского государственного технического университета, «Современные проблемы создания и эксплуатации радиотехнических систем»,- Ульяновск: 2007.-C.280-282.

4. Самохвалов М.К., Сенчугова О.В. Автоматизированный расчет электрических и светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных источников излучения//Труды Четвертой Всероссийской научно-практической конференции (с участием стран СНГ) «Современные проблемы создания и эксплуатации радиотехнических систем».-Ульяновск: 2004.-С.171-172.

5. Максимова О.В., Самохвалов М.К., Ховрин A.A., Принципы конструирования наноструктур тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Труды IX международной конференции. - Ульяновск: УлГУ, 2007. - с.43.

Максимова Оксана Вадимовна Разработка методов анализа и синтеза тонкопленочных электролюминесцентных элементов в индикаторных устройствах Автореферат

Подписано в печать 28.10.2008. Формат 60x84/16. Бумага писчая.

Усл. печ. л. 1, 18.

Тираж 100 экз. Заказ/„w

Типография УлГТУ, 432027, г. Ульяновск, Сев. Венец, 32.

Введение.

1. Анализ основных свойств и характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов.

1.1. Типы и конструкции тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов.

1.2. Электрические и светотехнические характеристики и параметры тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов.

1.3. Автоматизация проектирования тонкопленочных эл ектролюминесцентных индикаторов.

1.4. Выводы и постановка задачи.

2. Исследование зависимости характеристик тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов от конструктивно-технологических факторов.

2.1. Зависимость электрических характеристик от свойств пленок тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

2.2. Зависимость светотехнических параметров от свойств пленок тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

2.3. Анализ характеристик элементов при проектировании тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

2.4. Синтез параметров элементов при проектировании тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

2.5. Выводы и результаты.

3. Автоматизация проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

3.1. Проектирование тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

3.2. Виды обеспечения и инструменты создания системы автоматизированного проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

3.3. Описание банка данных системы автоматизированного проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

3.4. Описание задач системы автоматизированного проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

3.5. Выводы и результаты.

4. Создание программного обеспечения для автоматизации проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

4.1. Описание среды программирования.

4.2. Создание программного обеспечения для анализа функциональных характеристик и параметров при проектировании тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов.

4.3. Создание программного обеспечения для синтеза конструкций тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов.

4.4. Выводы и результаты.

Актуальность проблемы. Тонкопленочные электролюминесцентные индикаторные устройства в настоящее время являются одними из наиболее перспективных для создания микроэлектронных средств отображения информации, особенно для специальной техники. К их достоинствам относятся: полностью твердотельная конструкция, высокая яркость, надежность, температурная стабильность, быстродействие, большой угол обзора, радиационная стойкость и др.

К настоящему времени достигнуты значительные успехи в разработке и производстве индикаторов на основе тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов: определены физические основы работы этих приборов, материалы с требуемыми свойствами, разработаны конструкции и технологии получения элементов и устройств, методы контроля параметров материалов и источников излучения.

Вместе с тем остаются недостаточно исследованными вопросы расчета основных функциональных характеристик приборов и проблемы автоматизации проектирования индикаторных элементов и устройств.

Цель и задачи исследований. Целью данной диссертационной работы является исследование зависимости электрических и светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов от конструктивно-технологических факторов и разработка алгоритмов и программ для автоматизации проектирования индикаторных элементов и устройств.

Для достижения этой цели в ходе выполнения диссертационной работы были поставлены и решены следующие задачи.

1. Теоретический анализ и расчет зависимости электрических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов от конструктивно-технологических параметров многослойных структур.

2. Теоретический анализ и расчет зависимости светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов от конструктивно-технологических параметров многослойных структур.

3. Разработка методики и алгоритмов анализа функциональных характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов.

4. Разработка методики и алгоритмов синтеза функциональных характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов.

5. Разработка программного обеспечения для автоматизации проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных элементов и устройств.

Основные положения, выносимые на защиту♦ Проведенные теоретические и экспериментальные исследования характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов позволили вынести на защиту следующие основные положения.

1. Аналитические зависимости основных электрических и светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов от параметров и толщин пленок, люминесцентных и диэлектрических материалов и условий возбуждения, позволяют производить анализ и проектирование индикаторных элементов и устройств.

2. Схемы проектирования ТПЭЛИ и требования к информационному обеспечению САПР для создания алгоритма позволяют осуществить решение задач анализа характеристик элементов ТПЭЛИ и синтеза параметров элементов ТПЭЛИ.

3. Алгоритм анализа характеристик элементов ТПЭЛИ, реализованный в программное обеспечение позволяет производить автоматизированный расчет электрических и светотехнических характеристик.

4. Алгоритм синтеза параметров элементов ТПЭЛИ, реализованный в программное обеспечение позволяет производить автоматизированный расчет толщин слоев ТПЭЛИ.

Научная новизна. Впервые детально исследованы процессы автоматизации проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств. При этом получены следующие новые научные результаты.

1. На основе исследования математического аппарата для расчета характеристик и параметров тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов впервые были предложены методы анализа и синтеза элементов тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

2. Впервые проведены исследования процессов проектирования на предмет формализации задач в целях автоматизации проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов

3. Разработаны алгоритмы автоматизации проектирования, позволяющие решить задачи анализа характеристик и синтеза параметров элементов тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

4. Впервые реализовано программное обеспечение ЪЕСар, позволяющее осуществлять автоматизацию процессов проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств.

Практическая значимость диссертационной работы заключается в следующем:

1. Разработанные схемы и этапы проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов могут быть использованы для разработки конструкций и режимов работы приборов в лабораториях и конструкторских бюро, занимающихся проектированием и исследованием электролюминесцентных источников излучения.

2. Полученные методики анализа характеристик и синтеза параметров элементов тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств, применимы для расчета значений функциональных параметров, характеризующих свойства тонкопленочных электролюминесцентных элементов и индикаторных приборов.

3. Разработанные алгоритмы автоматизации проектирования и реализованная на их основе программа способствуют обеспечению требуемых значений параметров индикаторных устройств.

Достоверность научных положений, выводов и рекомендаций обеспечивается адекватностью используемых математических моделей, корректностью упрощающих допущений, близостью расчетных данных с результатами экспериментальных исследований.

Личный вклад, В диссертации изложены результаты работ, которые были выполнены соискателем лично под научным руководством профессора Самохвалова М.К. Автор разрабатывал методики исследований, проводил теоретические расчеты и эксперименты, осуществлял обработку, анализ и. обобщение получаемых результатов.

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались на 4-й и 5-й Всероссийской научно-практической конференции (с участием стран СНГ) (Ульяновск, 2004, 2007 гг.), на семинаре, проводимом в рамках Федеральной целевой программы «Интеграция науки и высшего образования России на 2002-2006 годы» -«Актуальные проблемы физической и функциональной электроники». (Ульяновск, 2004), 9-й Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2007), и на ежегодных научно-технических конференциях УлГТУ в 2004-2007 гг.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 5 печатных работ, из них 1 статьи в журнале, входящем в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех разделов, заключения и списка используемых источников. Она изложена на 150 листах, содержит 20 рисунков и 2 таблицы. Библиографический список содержит 70 наименований.

4.4. Выводы и результаты.

1. Разработан алгоритм анализа характеристик элементов ТПЭЛИ, реализованный в программное обеспечение, производящее полностью автоматизированный расчет электрических и светотехнических характеристик.

2. Разработан алгоритм синтеза конструкций элементов ТПЭЛИ, реализованный в программный обеспечение, производящее полностью автоматизированный расчет толщин слоев ТПЭЛИ.

3. Разработанное программное обеспечение представляет собой единый проектно - расчетный модуль, решающий задачи анализа и синтеза пяти-слойной структуры ТПЭЛИ с диэлектриками, выполненными из одного и того же материала.

4. Разработанный алгоритм, используемый для создания программного обеспечения ЬЕСар, реализует процесс проектирования, методикой, которого являлось решение задач анализа и синтеза.

5. Результаты апробации программного обеспечения ЬЕСар, полученные при автоматизированном проектировании ТПЭЛИ подтверждают теоретические расчеты светотехнических характеристик, электрических параметров и толщин слоев ТПЭЛИ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведенные теоретические исследования при разработке методов анализа и синтеза для автоматизации процессов проектирования тонкопленочного электролюминесцентного индикатора позволили сформулировать следующие основные результаты и выводы:

1. Установлена аналитическая зависимость основных электрических характеристик: порогового и максимально допустимого напряжения от электрических параметров и толщины пленок люминесцентных и диэлектрических материалов в тонкопленочных электролюминесцентных индикаторах.

2. Установлена аналитическая зависимость основных светотехнических характеристик: яркости свечения и светоотдачи тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов от параметров и толщины пленок люминесцентных и диэлектрических материалов и условий возбуждения.

3. Показано решение задач анализа при проектировании ТПЭЛИ, позволяющее оценить электротехнические и светотехнические характеристики индикаторных элементов при различных конструктивно-технологических параметрах тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов.

4. Исследованы задачи синтеза параметров элементов при проектировании тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов, сводящиеся к тому, что при задании параметров индикаторного элемента необходимо обеспечить выбор материалов люминофора и диэлектриков и определить значения толщин соответствующих слоев.

5. Определены и проанализированы четыре этапа проектирования ТПЭЛИ для создания САПР ТПЭЛИ. Установлено, что в качестве объекта автоматизации необходимо выделить третий этап проектирования ТПЭЛИ, т.к. данный этап является полностью формализуемой задачей проектирования и включает в себя большой объем вычислений с многовариантными решениями.

6. Разработана схема проектирования ТПЭЛИ, представляющая собой последовательность процессов проектирования для создания алгоритма решения задач анализа характеристик элементов ТПЭЛИ и синтеза параметров элементов ТПЭЛИ.

7. Рассмотрены и структурированы значения параметров слоев ТПЭЛИ, необходимые для расчета характеристик ТПЭЛИ в ходе автоматизированного проектирования. Представлено информационное обеспечение САПР ТПЭЛИ в удобном для пользователя виде. Определены виды обеспечения и составлено техническое задание на разработку САПР ТПЭЛИ, в котором подробно изложено описание задач САПР ТПЭЛИ и методы их решения.

8. Сформулированы требования к программному обеспечению САПР ТПЭЛИ и изложены подходы к его разработке. Для реализации программного обеспечения предложены два способа, один из которых может быть осуществлен на базе уже существующего программного обеспечения, во втором предлагается создать программный модуль, решающий задачи анализа характеристик элементов ТПЭЛИ и синтеза параметров элементов ТПЭЛИ.

9. Разработан алгоритм анализа характеристик элементов ТПЭЛИ, реализованный в программный модуль, производящий полностью автоматизированный расчет электрических и светотехнических характеристик.

10. Разработан алгоритм синтеза параметров элементов ТПЭЛИ, реализованный в программный модуль, производящий полностью автоматизированный расчет толщин слоев ТПЭЛИ.

11. Разработанное программное обеспечение представляет собой единый проектно — расчетный модуль, решающий задачи анализа и синтеза пя-тислойной структуры ТПЭЛИ с диэлектриками, выполненными из одного и того же материала. Разработанный алгоритм, используемый для создания программного обеспечения ЬЕСар, реализует процесс проектирования, методикой, которого являлось решение задач анализа и синтеза.

12. Результаты апробации программного модуля ЬЕСар, полученные при автоматизированном проектировании ТПЭЛИ подтверждают теоретические расчеты светотехнических характеристик, электрических параметров и толщин слоев ТПЭЛИ.

1. Веревкин Ю.Н. Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел Текст. / Ю.Н. Веревкин, Л.: Наука, 1983.- 93 с.

2. Vecht A. AC and DC Displays. Текст. / A. Vecht // SID. 1989. - p.F2.2.

3. Chadha S.S. et al. High-contrast high-stability ZnS:Mn thin-film displays with chalcogenide glass current control layers. Текст. / S.S. Chadha // SID. -1991. Digest, -p.80.

4. Разработка и исследование свойств элементов СБИС для устройств отображения информации. Отчет о НИР (заключительный) /Одесский политехнический институт. № ГР 0183.0066527, инв. № 0286. 0039536. Текст. -Одесса, 1985. - 100 с.

5. Беднарчук Д.И. Светоизлучающие тонкопленочные структуры и их применение Текст. / Д.И. Беднарчук, Н.А. Власенко, К.: Общество "Знание", 1987.- 19 с.

6. J.H. Burroyghes et al. Light emitting diodes based on conjugated polymers Текст. / J.H. Burroyghes et al. // Nature/- 11 october 1990. vol.347. -p.539-541.

7. Лямичев И.Я. Устройства отображения информации с плоскими экранами Текст. / И.Я. Лямичев М.: Радио и связь, 1983.- 147 с.

8. Kobayashi S. et al. Improved Characteristics of DC TF-powder hybrid

9. EL. Текст. / S. Kobayashi et al. // Japan Display. 1989. - p. 242.

10. Самохвалов M.K. Элементы и устройства оптоэлектроники: Учебное пособие для студентов, обучающихся по направлениям 654300 и 551100 "Проектирование и технология электронных средств" Текст. / М.К. Самохвалов. -Ульяновск: УлГТУ, 2003. 125 с.

11. Учебно-контролирующий комплекс по электротехническим материалам Электронный ресурс. / Загл. с экрана. Режим доступа http://ftemk.mpei.ac.ru/ukk/UKK MENU.HTM

12. Беккер Б.Г. Особенности электронно-лучевого напыления электролюминесцентных пленок. Текст. / Б.Г.Беккер. С.М.Кокин, А.В.Липовецкий и др. // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. 1986, - Вып.2 (118).- С. 118-120.

13. Muller, G.O. Basics of electron impact-excited luminescence devices Текст. / G.O. Muller // Phys. Stat. Sol. (a). 1984. - v.81. - P. 597 - 608.

14. Chen, Y.S. Limitation imposed by field clamping on the efficiency of high-field ac electroluminescence in thin films Текст. /Y.S. Chen, D.C. Krupka // J. Appl. Phys. 1972. - v.43. - №10. - P. 4089 - 4096.

15. Smith, D.H. Modeling a.c. thin-film electroluminescent devices Текст. / D.H. Smith // J. Luminescence. 1981. - v.23. - №1. - P. 209 - 235.

16. Самохвалов, M.K. Кинетика токопереноса в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях при возбуждении переменным напряжением Текст. / М.К. Самохвалов // Письма в ЖТФ. -1994. т.20. - №6. - С. 67 - 71.

17. Самохвалов, M.K. Электрические характеристики тонкопленочных излучателей при возбуждении электролюминесценции переменным напряжением Текст. / М.К. Самохвалов // Письма в ЖТФ. -1997. т. 23. - №6. - С. 1 - 4.

18. Сухарев, Ю.Г. Кинетика электрического поля, волны тока и яркости в тонкопленочных электролюминесцентных структурах Текст. / Ю.Г. Сухарев, A.B. Андриянов, М.С. // Журнал технической физики. 1994. - т.64. - №8. - С. 48 -54.

19. Власенко, H.A. Тонкопленочные электролюминесцентные излучатели Текст. / H.A. Власенко // Физические основы полупроводниковой электроники. — Киев: Наукова думка, 1985. — С. 254 — 268.

20. Георгобиани, А.Н. Туннельные явления в люминесценции полупроводников Текст. / А.Н. Георбиани, П.А. Пипинис М.: Мир, 1994. -224 с.

21. Самохвалов, М.К. Тонкопленочные электролюминесцентные источники излучения Текст. / М.К. Самохвалов Ульяновск: УлГТУ, 1999. — 117 с.

22. Самохвалов, М.К. Конструкции и технология тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов Текст. / М.К. Самохвалов — Ульяновск: УлГТУ, 1997. 56 с.

23. Казанкин, О. И., Прикладная электролюминесценция Текст. / О.И. Казанкин, И .Я. Лямичев, Ф.В. Соркин; под общ. ред. М.В. Фока. М.: Советское Радио, 1974. - 414 с.

24. Деркач, В.П. Электролюминесцентные устройства Текст. / В.П. Деркач , В.М. Корсунский Киев: Наукова думка, 1968. - 302 с.

25. Верещагин, И.К. Электролюминесцентные источники света Текст. / И.К. Верещагин, Б.А. Ковалев, JI.A. Косяченко, С.М. Кокин М.: Энерго-атомидат, 1990. - 168 с.

26. Tornqvist, R. Properties and performance of TFEL structures Текст. / R. Tornqvist // J.Cryst. Growth. 1985. - v.7. - №1 - 2. - P.538 - 544.

27. Мозжухин, Д.Д. Тонкопленочные электролюминесцентные индикаторные устройства Текст. / Д.Д. Мозжухин, И.В. Бараненков // Зарубежная радиоэлектроника. 1985. - №7. - С. 81 - 94.

28. Бараненков, И.В. Перспективы создания плоских панелей дисплеев с полной цветовой гаммой на основе тонкопленочных электролюминесцентных устройств Текст. / И.В. Бараненков // Зарубежная радиоэлектроника. -1988.-С. 60-67.

29. Kobayashi, Н. Multicolor electroluminescent ZnS thin films doped with rare earth fluorides Текст. / H. Kobayashi, S. Tanaka, V. Shanker et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 1985. - v.88. - №2. - P.713 - 720.

30. Suyama, T. Multi-coloring of thin-film electroluminescent device Текст. / Т. Suyama, N. Sawada, K. Okamoto, Y. Hamakawa II Jap. J. Appl. Phys. 1982. - v.21. - Suppl. 21-1. - P. 383 - 387.

31. Быстров, Ю.А. Электронные приборы для отображения информации Текст. / Ю.А. Быстров, И.И. Литвак, Г.М. Персианов М.: Радио исвязь, 1985.-С.240.

32. Litvak 1. Display means design by synthesis of ergonomicand engineering studies Текст. /1. Litvak // DISPLAYS. 1994. - vol.15 - № 1. - P.

33. Литвак И.И. Исследования, разработка и испытания дисплеев-Приборы и системы управления, 1997, № 5.

34. Litvak I. I. Correlation of measurable characteristics and display «view-ability».- Digest of Technical Papers International Symposium SID, Vol. XXX, San Jose, California, 1999, May 18-20.

35. Litvak I. I. Optimization of the contrast characteristics of indicators and displays SID Conference Proceedings of Inventions and IP Issues in the Electronic Display Industry — Austin, Texas (March 2000).

36. Турин H.T. Взаимосвязь параметров диэлектрических слоев и порогового напряжения ТП ЭЖ Текст. / Н.Т. Турин //Электронная техника. Сер.З, Микроэлектроника.- 1990.- В.1 (135).- с.88-90.

37. Турин Н.Т. Анализ параметров ТП ЭЛК с разными диэлектрическими слоями. Текст. / Турин Н.Т. //Лазерная техника и оптоэлектроника.-1992.-№ 3-4 (64-65).- С.74-77.

38. Pratt G.W. Long-term charge Storage in interface states of ZnS MOS capacitora. Текст. / G.W. Pratt L.G. Walker, // J.Appl.Phys/- 1975.- v.46.-№7.-p.2992-2997.

39. Howard W.E. The importance of insulator properties in a thin-film electroluminescent device. Текст. / W.E. Howard // IEEE Trans.Electron Dev.-1977.- у.ЕО-24. №7- р.903-906.

40. Самохвалов М.К. Электролюминесцентные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах Текст. / М.К. Самохвалов Дис. докт.физ.-мат. наук.- Ульяновск, 1994.- 315 с.

41. Кулешова, В.И. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник Текст. / С.В.Якубовский, Л.И.Ниссельсон, В.И.Кулешова и др.; Под ред. С.В.Якубовского.- М.: Радио и связь, 1989.- С.496.

42. Самохвалов М.К., Пугачев С.Ф., Бригаднов И.Ю. Спектральные характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе

43. ZnS. Текст. / М.К.Самохвалов, С.Ф. Пугачев, И.Ю. Бригаднов // Тез.докл. 28-й науч.-техн.конф.УлПИ, ч.1. Ульяновск. - 1994.- С.27-28.

44. Закревский, А.Д. Алгоритмы синтеза дискретных автоматов Серия: Теоретические основы технической кибернетики. Текст. / А.Д. Закревский. -М.: Наука, 1971.-С.512

45. Капустян В.М., Конструктору о конструировании атомной техники Системно-морфологический подход в конструировании. Текст. / В.М.Капустян, Ю.А. Махотенко. М.: Атомиздат, 1981. - С. 191.

46. Глазунов В.Н. Поиск принципов действия технических систем Текст. / В.Н. Глазунов. М.: Речной транспорт, 1990 - С. 111.