автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.12, диссертация на тему:Моделирование характеристик КМОН ИС с учетом радиации в САПР ИЭТ

введение.

глава 1. моделирование поведения кмоп ис в условиях воздействия радиации в сапр иэт.

1.1. Характеристики дестабилизирующих факторов, воздействующих на РЭА.

1.2. Эффекты, возникающие в КМОП ИС, при воздействии радиации.

1.3. Методы оценки стойкости КМОП ИС к радиационному воздействию и моделирование реакции ИС.

1.4. Критерии радиационной стойкости КМОП ИС.

1.5. Методология проектирования радиационно-стойких ИС и определения показателей радиационной стойкости в САПР ИЭТ.

1.6. Цель и задачи исследования.

глава 2. моделирование радиационного отклика ис на воздействии ии в сапр иэт и определение необходимых параметров моделирования.

2.1. Моделирование статических видов ИИ.

2.1.1 Экспериментальные исследования воздействия ИИ на КМОП ИС.

2.1.2. Математические модели и их характеристик для моделирования работы компонентов ИС в условиях воздействия радиации в САПР ИЭТ.:.

2.1.3 Методика определения параметров компонентов ИС для схемотехнического моделирования.

2.2. Моделирование импульсных видов ИИ.

2.2.1. Моделирование переходных процессов в структуре КМОП ИС.

2.2.2. Моделирование переходных процессов в КМОП ИС на схемотехническом уровне.

2.2.3. Схемотехническое моделирование реакции ИС на ИИ.

глава 3. программное обеспечение для моделирования параметров радиационно-стойких ис в сапр иэт.

3.1. Структура программных средств проектирования ИС с учетом радиационного воздействия.

3.1.1. Комплекс программ расчета стойкости микросхем по необратимым эффектам.

3.1.2. Комплекс программ расчета изменения электропараметров микросхем при воздействии импульсных видов излучения.

3.2. Моделирование параметров радиационно-стойких ИС с помощью САПР ИЭТ.

3.2.1. Реализация системного подхода при проектировании радиационно-стойких ИС в разработанной подсистеме.

3.2.2. Режимы работы подсистемы.

глава 4. результаты прогнозирования поведения ис и эффективность средств моделирования.

4.1. Экспериментальная оценка точности и эффективности разработанных средств моделирования.

4.2 Внедрение средств моделирования.

4.3. Разработка методического обеспечения.

Актуальность проблемы. Современный этап развития радиоаппаратуры характеризуется широким использованием перспективных методов проектирования специализированных интегральных схем (ИС) на базе высокопроизводительных САПР. Одним из важнейших аспектов создания специализированных ИС является необходимость учета и прогнозирования стойкости разрабатываемых ИС к воздействию специальных факторов. Однако, известные отечественные и зарубежные программные комплексы, системы и подсистемы, предназначенные для автоматизированного проектирования ИС, или не позволяют прогнозировать работоспособность ИС в условиях воздействия ионизирующего излучения (ИИ), или прогнозируют ее не достаточно адекватно.

Следует отметить, что в последнее время появились системы позволяющие проводить моделирование работы ИС в условиях ИИ для определенного класса ИС, например, биполярных. Для КМОП ИС исследования в этой области еще требуют своего развития. Такое положение возникло из-за того, что КМОП ИС обладают малой радиационной стойкостью, и поэтому им уделялось меньше внимания, чем биполярным ИС, у которых стойкостью значительно выше. В настоящее время КМОП ИС имеют самое широкое применение, и ставится задача создать радиационно-стойкие КМОП ИС. Для решения этой задачи необходимо разработать средства моделирования.

Кроме того, созданные к настоящему времени системы и подсистемы моделирования ИС в условиях воздействия ИИ также требуют модификации и дополнения, ввиду того, что внедрение ГОСТ «Климат-7» привело к изменению состава и параметров ИИ. Проведенный анализ внешней дестабилизирующей обстановки реальных условий эксплуатации ИС в космическом пространстве, на АЭС и т.п. показал, что требуется корректировка параметров ИИ по спектрально-энергетическим и амплитудно-временным характеристикам. Это приводит к модификации, физических моделей, определяющих воздействие радиации на ИС, что ведет к необходимости изменения соответствующего математического, алгоритмического и программного обеспечения САПР в части учета влияния ИИ.

Кроме того, недостаточно отработаны методы проектирования на схемотехническом уровне, учитывающие процессы радиационного воздействия. Это связано, с одной стороны, с изменением технологи создания изделий, с увеличением числа компонентов систем и функциональных связей между ними, а с другой стороны, с уточнением характеристик радиационного воздействия.

Проектирование ИС на функционально-логическом уровне также требует своего решения в части учета необратимых эффектов радиации и переходных эффектов. В настоящее время для этой цели применяются различные подходы, но они не учитывают комплексного характера изменений характеристик логических параметров, вызванных различными процессами деградации.

Таким образом, для создания радиационно-стойких КМОП ИС были выдвинуты актуальные задачи, которые потребовали своего решения.

Цель работы: создание и исследование средств моделирования работоспособности КМОП ИС с учетом радиации в САПР ИЭТ, которая учитывает требования ГОСТ «Кли-мат-7». Они должны прогнозировать показатели радиационной стойкости в различных режимах эксплуатации и проводить анализ работоспособности ИС в условиях воздействия радиации.

Для решения поставленной цели должны быть решены следующие основные задачи: формирование методики учета радиации различных видов при прогнозировании работоспособности КМОП ИС в условиях ИИ; разработка модели деградации электропараметров КМОП ИС при воздействии статических видов ИИ с учетом мощности дозы, температуры среды и режима работы; разработка моделей активных компонентов КМОП ИС, которые зависят от конструктивно-технологических особенностей исполнения, режимов работы, спектрально-энергетических и амплитудно-временных характеристик гамма-, рентгеновского и нейтронного излучений с учетом требований ГОСТ «Климат-7» к параметрам воздействующей радиации; разработка алгоритмов для моделирования реакции КМОП ИС на импульсное и статическое излучение ИИ; разработка программного обеспечения, позволяющих моделировать поведение электропараметров КМОП ИС к ИИ;

Методы исследования. При решении поставленных задач использованы физические методы исследования поведения ИС в условиях ИИ, элементы теории системного анализа, методы вычислительной математики, структурного и системного программирования, теории цепей, методы теории графов, а также новые информационные технологии. Научная новизна состоит в следующем:

4.1. Разработана методика расчета работоспособности КМОП ИС в условиях воздействия ИИ, отличающая тем, что позволяет различные виды воздействия представлять сравнительно ограниченным набором характеристик, проводить моделирование ИС в зависимости от широкого набора входных воздействий, включая ИИ, которое может состоять из нескольких видов ИИ и иметь комплексный характер в соответствие с ГОСТ «Кли-мат-7».

4.2. Создана модель деградации электропараметров КМОП ИС при воздействии статических видов ИИ, отличающаяся учетом конструктивно-технологических особенностей изготовления ИС, мощности дозы, температуры среды режима работы и требований ГОСТ «Климат-7».

4.3. Предложены модели активных компонентов КМОП ИС, работающие в полях импульсного ИИ, отличающиеся учетом конструктивно-технологических особенности исполнения, режимов работы ИС, спектрально-энергетических и амплитудно-временных характеристик ИИ в соответствии с ГОСТ «Климат-7».

4.4. Разработаны алгоритмические процедуры, которые учитывают все предложенные элементы математического обеспечения с целью прогнозирования поведения КМОП ИС в условиях радиации и автоматизированного определения показателей стойкости.

4.5.Создано программное обеспечение для моделирования работоспособности ИС в условиях ИИ, которое содержит все элементы предложенного математического и алгоритмического обеспечения.

Практическая ценность работы.

Разработанный комплекс методик, алгоритмов и программного обеспечения позволяют прогнозировать работоспособность КМОП ИС в условиях ИИ, определять показатели радиационной стойкости. На основе предложенных средств можно оценить стойкость КМОП ИС и дать рекомендации по ее повышению. Их использование позволяет проектировать ра-диационно-стойкие КМОП ИС и дает ценную информацию по анализу поведения ее компонентов в условиях ИИ, которую практически невозможно получить в эксперименте.

Реализация и внедрение результатов работы.

Представленные в диссертации исследования являются результатом научной работы, проведенной в НИИ электронной техники и Воронежском заводе полупроводниковых приборов. Работы выполнялись в рамках ряда научно-исследовательских работ, выполняемых по заказам Министерства электронной промышленности.

Методики, алгоритмы и комплексы программ, разработанные в диссертации, внедрены в НИИ Электронной техники. Внедрение этих методов позволило разработать КМОП ИС серии 1554, обладающих повышенной радиационной стойкостью.

Элементы алгоритмического и программного обеспечения внедрены в учебный процесс в Воронежской государственной лесотехнической академии.

Апробация работы. Научные результаты и положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на научно-технических конференциях и совещаниях по выполнению ряда НИР и ОКР в РНИИ "Электронстандарт" и в НИИЭТ.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на конференциях и семинарах, в том числе: на Российской конференции "Радиационная стойкость электронных систем (Стойкость 99)" (Москва, 1999); на Российской конференции "Радиационная стойкость электронных систем (Стойкость 2000)" (Москва, 2000); на Международной научно-технической конференции «Системные проблемы качества, математического моделирования и информационных технологий» (Сочи, 2000); на II Международной практической конференции «Информационные технологии в моделировании и управлении» (С.Петербург , 2000); на всероссийской конференции «Интеллектуализация управления в социальных и экономических системах» (Воронеж, 2000).

Публикации результатов работы. По теме диссертации опубликовано 14 печатных работ.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы. Материал диссертации изложен на 150 страницах, включая иллюстративный материал.

Заключение

Создана автоматизированная подсистема моделирования ИС при эксплуатации в полях ионизирующего излучения, которая обеспечивает комплексный подход к учету всех видов ИИ, указанных в ГОСТ по испытаниям ИС на спецвоздействия. Эта подсистема прогнозирует показатели радиационной стойкости и в различных режимах эксплуатации, а также проводит анализ работоспособности ИС с целью разработки радиационно-стойких ИС.

В ходе выполнения указанной работы были решены следующие задачи:

1. Сформулирована методология системного подхода при прогнозировании поведения ИС в условиях ИИ, которая позволяет различные виды воздействия представлять сравнительно ограниченным набором характеристик, проводить моделирование ИС к комплексному воздействию ИИ (состоящему из нескольких видов ИИ, разнесенных во времени).

2. Разработаны модели физических процессов, происходящих в конструкции ИЭТ при воздействии ИИ и вызываемые при этом эффекты.

4. Разработана физическая модель деградации электропараметров ИС при воздействии статических видов ИИ, которая рассматривает деградацию параметров в зависимости от вида ИИ, амплитудно-временных и спектрально-энергетических видов ИИ, режима работы ИС.

5. Определены математические соотношения, позволяющие определять деградацию критериальных параметров ИС при воздействии статических видов ИИ с учетом мощности дозы, температуры среды и режима работы ИС. Определены все параметры моделирования из экспериментальных данных по тестовым структурам ИС.

6. Разработана модель оценки показателей стойкости КМОП ИС при воздействии на них импульсного ИИ (гамма-, СЖР- и нейтронного излучений), основанная на моделях активных компонентов биполярных ИС.

7. Определены математические соотношения, определяющие реакцию моделей активных компонентов биполярных ИС к ИИ на схемотехническом уровне, учитывающие конструктивно-технологические особенности исполнения, режимы работы ИС, спектрально-энергетические и амплитудно-временные характеристики ИИ, включая требования к характеристикам воздействующей радиации вновь вводимого ГОСТ «Климат-7». Определены все параметры моделирования из экспериментальных данных по тестовым структурам ИС.

8. Разработаны модели компонентов ИС и их параметры при моделировании работоспособности ИС на логическом уровне, учитывающие комплексное изменение параметров от широкого набора входных характеристик для переходных процессов и процессов, связанных с необратимыми изменениями.

100

9. Разработаны алгоритмы и программное обеспечение автоматизированного определения показателей стойкости, а также их зависимостей от амплитудно-временных и спектрально-энергетических характеристик ИИ, для чего были решены следующие задачи:

- разработан метод, алгоритм и программное обеспечение для расчета переходных процессов;

- разработан метод, алгоритм и программное обеспечение для расчета необратимых эффектов.

10. Создана интегрированная подсистема САПР для анализа и проектирования радиа-ционно-стойких ИС, способная проводить оптимизацию параметров ИС для повышения радиационной стойкости.

11. С помощью разработанной методики и программ расчета был проведен расчет типовых представителей ИС, различного конструктивного исполнения, который позволил определить их показатели стойкости и причины выхода изделий из строя.

12. Анализ поведения ИС в условиях ИИ позволил оптимизировать технологические, конструктивные и схемотехнические параметры для создания радиационно-стойких ИС, что нашло отражение методиках по проектированию радиационно-стойких ИС.

1. Д.В.Астафьев Окружающая среда и надежность радиотехнической аппаратуры. - М. -Л.:Энергия, 1965.-232с.

2. Бердичевский Б.Е. Вопросы обеспечения надежности радиоэлектронной аппаратуры при разработкею. -М.:Сов.радио, 1977. 384с.

3. Даммер А., Гриффин Б. Испытание радиоэлектронной аппаратуры и материалов на воздействие климатических и механических условий. Пер.с англ. М.Жсов.радио, 1977 567с.

4. Ильинский B.C. Защита аппаратов от динамических воздействий. -М.:Энергия, 1989. -320с.

5. Мырова JI.O., Чипиженко А.З. Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры связи. М.: Радио и связь, 1983. - 216 с.

6. Устюжанинов В.Н., Чипиженко А.З. Радиационные эффекты в биполярных микросхемах. -М. .: Радио и связь, 1988. 288 с.

7. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск. Наука и техника, 1978. - 232 с.

8. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.гАтомиздат, 1969. - 312 с.

9. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники /Под ред. Е.А.Ладыгина. М.:Советское радио, 1980.-224 с.

10. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Виздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск: Наука и техника, 1986. - 254 с.

11. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах / Под ред. Т.М.Агаханяна. М.:Энергоатомиздат, 1989. - 256 с.

12. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. М.:Атомиздат, 1974. - 232 с.

13. Rickits L.W. Fundamentals of Nuclear Hardening of Electronic Equipment. N.Y.: Wiley -Interscience, 1972.

14. Проектирование электронных схем с учетом радиационных воздействий/ Е.Р. Аствацатурьян, О.Н.Голотюк, Ю.А.Попов и др. М.: Изд-во МИФИ, 1984. - 76 с.

15. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.:Этомэнергоиздат, 1988. - 256 с.

16. Хаффнер Дж. Ядерное излучение и защита в космосе. М.: Атомиздат, 1971.

17. Ширшев JI.Г. Ионизирующие излучения и электроника. М.:Сов. Радио, 1969.

18. Акишин А.И., Новиков J1.C. Воздействие окружающей среды на материалы космических аппаратов // Новое в жизни науки и техники. Сер. "Космонавтика и астрономия". -М.:3нание, 1983 - №4.

19. Максименко Б.П. Использование ядерных реакторов в космосе //Атомная техника за рубежом. 1985. - №2. - С.10-15.

20. Раевский И.И. Тищенко В.А., Смирнов Б.В. Разработка космических ядерных установок в США //Атомная техника за рубежом. 1985.- №8. С.3-9.

21. Bennet G.L., Lombardo J.L., Rock B.L. US radioisotope thermoelectric generation in space // The Nuclear Engineer. 1984. - Vol.25. - N2. - P.49-59.

22. Звездные войны иллюзии и опасности. - М.:Воениздат, 1985.

23. Действие ядерного оружия. Пер. с англ. М.:Воениздат, 1965.

24. Ядерное оружие (физические основы): Сб. Статей / Под ред. В.Ф.Петрова. М.: Воениз-дат, 1963.

25. Радиационные эффекты в КМОП ИС / А.Ю.Никифоров, В.А.Телец, А.И.Чумаков.-М.:Радио и связь, 1994. -164 с.

26. Проектирование электронных схем с учетом радиационных воздействий/ Е.Р. Астваца-турьян, О.Н.Голотюк, Ю.А.Попов и др. М.: Изд-во МИФИ, 1984. - 76 с.

27. Кулдяшов Н.А., Кучеренко С.С. Математическое моделирование фотоэлектронных приборов в полупроводниковых элементах при высоких уровнях возбуждения// Математическое моделирование. 1996. Т.1, №12. - С. 1-12.

28. Wielder A.W., Werker С. Design Model for bulk CMOS Scaling Enable Accurate Latchup Prediction // IEEE Trans. 1983. Vol. ED-30, №3. - P. 240 - 245.

29. МОП С-БИС. Моделирование элементов и технических процессов / Пер. с англ. под. ред. Р.А.Суриаса. М.: Радио и связь, 1988. - 496с.

30. Артемьев В.И., Строганов В.Ю. Разработка САПР: В 10 кн. Книга 5. Организация диалога в САПР // М.: Высш. шк. 1990. 162 с.

31. Климов В.Е. Разработка САПР. В 10 кн. Книга 5. Графические системы САПР // Подред. Петрова А.В. М.: Высш. шк. 1990. 142 с.

32. ГОСТ 18298-79. Термины и определения.

33. Патрикеев JI.H., Подлесный Б.И., Попов В.Д. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.:Изд-во МИФИ, 1975.

34. Chadsey W.L. X ray dose enhancement. - IEEE Trans. 1978, NS-25, №6. P.1591-1597.

35. Коноплева Р.Ф., Литвинов В.Л., Ухин H.A. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. М.:Атомиздат, 1971.

36. Патрикеев Л.Н., Попов В.Д. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем. М. Изд. МИФИ, 1975.

37. Методы повышения радиационной стойкости электронных схем и устройств вычислительной техники / Е.Р.Аствацатурьян, О.Н.Голотюк, Ю.А.Попов, Ю.В.Самойлов и др.- М.: Изд-воМИФИ, 1986.- 88 с.

38. Проектирование устройств вычислительной техники с учетом радиационных воздействий / Е.Р. Аствацатурьян, О.Н.Голотюк, Ю.А.Попов и др. -М.: Изд-во МИФИ, 1985. 84 с.

39. Pierce Е.Т. Nuclear Explosion Phenomena and Their Bearing on Radio Detection of the Explosions // Proc.IEEE. 1965. - V.53 - P.2211-2226.

40. Моделирование и расчет параметров радиационно-стойких ИМС / Телец В.А., В.Г.Малинин, М.М.Малышев, В.К.Зольников, В.Я.Нисков // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиаэлектронную аппаратуру. -1998.-Вып 1. С.34-35.

41. Ашмянский Р.А., Гиленко М.С. и др. Методика расчетной оценки стойкости полупроводниковых приборов к действию поражающих факторов СЖР-излучения ЯВ // Специальная электроника. Сер.8. - 1984. - Вып 2(23). - С.58-62.

42. Система проектирования биполярных радиационно-стойких ИМС /В.Е.Межов,

43. В.К.Зольников, Д.Е.Соловей, А.В.Межов. Воронеж. ВГЛТА, 1998. 255 с.

44. Малиннн В.Г. Радиацнонно-стойкие и надежные изделия электронной техники для народного хозяйства // Петербургский журнал электроники. 1993. - №1.-С.76-78.

45. Лопатин B.C., Харин В.Н., Межов В.Е. и др. Унифицированные программно-технические комплексы для САПР и ЭТ и СВТ // Электронная промышленность. -1994. -№ 4,5-Москва,-С. 211-215.

46. Левов Ю.А., Межов В.Е. и др. Системы ускоренного проектирования БИС //Электронная промышленность -1994.- № 4,5 С. 216-218.

47. Лопатин B.C., Межов В.Е. и др. Программное обеспечение системы ускоренного про-ектировния БИС // Электронная промышленность. -1994. -№ 4.5 С.145-149.

48. Аврашков П.П., Беляков Ю.И., Егоров Ю.Б. Входной язык и принципы организации транслятора системы САПРИС 11 // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. -1978.-Вып.4 (76), -С.30-37.

49. Норенков И.П., Маничев В.Б. Системы автоматизированного проктирования электронной и вычислительной аппаратуры. -М.: Высш. шк. 1983. -272 с.

50. Савельев П.В., Конехин В.В. Автоматизация проектирования БИС. В 6 кн. Практическое пособие. Книга 2. Функциональное логическое проектирование БИС. Под ред. Казен-кова Г.Г. М.: Высш. шк. 1984. 295с.

51. Эффекты космической радиации в микроэлектронике ТИИЭР, 1988. Т.76, N11 (тематический выпуск).

52. Миллер Ю.М., Гуров К.П. Влияние температуры в условиях низкоинтенсивного гамма-излучения на электрические параметры микросхем // Радиационно-надежностные характеристики ИЭТ в экстремальных условиях эксплуатации. -С-Пб, 1994.-С.36-40.

53. Lin J.J., Hwa J.G. Application of Irradiation then Anneal Treatment on the Improvement of Oxide Properties in Metal Oxide Semiconductor Capacitors. // Jap.J. Appl.Phys. Pt. 1 -1992. -V.31, N 5A. -P. 1290-1297.

54. Попов В.Д. Радиационная физика приборов со структурой металл диэлектрик - полупроводник. -М: Изд-во МИФИ, 1984. С.854-858.

55. Кулаков В.М. Шаховцев В.И. Шаховцева С.И. Сравнительная эффективность воздействия ядерных излучений на полупроводниковые материалы // Физические основы радиационной технологии твердотельных электронных приборов. Киев: Наукова думка, 1974. -199 с.

56. Аствацатурьян Е.Р., Беляев В.А., Зайцев B.JI. Остаточные радиационные эффекты в цифровых БИС// Зарубежная электронная техника. 1986. - №2(297). - С.62-99.

57. Межов В.Е., Зольникова А.Н. Определение стойкости КМОП элементов ИС к ИИ. // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления лесного комплекса: Сб.науч.тр. Воронеж: ВГЛТА, 2000.-С.135-139.

58. Афонин Н.Н., Межов В.Е. Моделирование ионизационных процессов в цифровых ИМС при воздействии импульсного излучения// Вопросы радиоэлектроники Сер. ТПО. -1991. -Вып. 1.-С. 73-78

59. Зольников В.К., Зольникова А.Н. Комплекс программ расчета показателей параметрической надежности ИС при воздействии ИИ малой мощности. // Оптимизация и моделирования в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. трудов Воронеж: ВГТУ, 1999. - С.77-80

60. Зольникова А.Н. Программное обеспечение расчета работоспособности ИС в полях гамма-излучения // Интеллектуальные информационные системы: Тез. докл. всероссийской науч.-техн. конф. Воронеж: ВГТУ, 1999. - С.65.

61. Межов В.Е., Зольникова А.Н. Методика расчета стойкости КМОП логических элементов ИС // Интеллектулиализия управления в социальных и экономических системах. Труды всероссийской конференции. Воронеж, ВГТУ, 2000. С.96-97

62. Отчет по НИР «Юпитер-4» . НИИЭТ, 1994, 178с.

63. Зольникова А.Н. Межов В.Е. Комплекс программ расчета работоспособности ИС при воздействии ионизирующих излучений. // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2000. - Вып. 1-2. - С.93-96.

64. Отчет по НИР «Аспект-2» . НИИЭТ, 1992, 178с.

65. Отчет по НИР «Венера-1» . НИИЭТ, 1999, 178с.

66. Комплекс программ расчета работоспособности ИС при воздействии ионизирующих излучений / В.К.Зольников, Д.Е.Соловей, А.Н.Зольникова, Р.А.Землянухин // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. М.: СПЭЛС-НИИП, 2000. - С.45-46.

67. Рындин А.А., Межов А.В., Зибров А.А. Универсальная информационная среда проектирования для создания интегрированных САПР БИС // Вопросы радиоэлектроники. Серия ЭВТ.-1994.-Вып. 2. -С. 51-56.

68. Рындин А.А., Чевычелов Ю.А., Межов А.В. Развитие графических средств системы ускоренного проектирования БИС // Высокие технологии в технике и медицине: Межвуз. сб. науч. тр.МУВТ. Воронеж, 1994. - С. 27-31.

69. Межов В.Е., Питолин В.М., Чевычелов Ю.А., Кононыхина Н.А. Интерактивные графические средства поддержки проектирования МЭА : Учеб. пособие. Воронеж: Воронеж, гос. техн. ун-т. 1994. 104 с.

70. Межов А.В. Моделирование пользовательского графического интерфейса в системахускоренного проектирования БИС // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр.- Воронеж, 1994. -С. 169-173.

71. Межов В.Е., Медведкова И.Е. Некоторые особенности реализации пакета программ иерархического моделирования // Методы искусственного интелекта в САПР: Тез. докл. Всесоюзной школы-семинара молодых ученых. Гурзуф, 1990. -С. 74-77.

72. Межов В.Е., Кононыхина Н.А. Программная среда событийного ускорителя логического моделирования // Методы искусственного интелекта в САПР: Тез. докл. Всесоюзной школы-семинара молодых ученых. Гурзуф, 1990. -С. 64-67.

73. Межов В.Е., Питолин В.М., Плотников В.В., Харин В.Н. Проектирование САПР и АРМ изделий электронной и вычислительной техники : Учеб. пособие. -Воронеж: Воронеж, политехи, тн-т, 1989.-101 с.

74. Кононыхина Н.А., Лопатин B.C., Межов А.В., Питолин В.М. Графический интерфейс системы ускоренного моделирования // Автоматизация проектирования РЭА и ЭВТ : Тезисы докладов региональной конференции. Пенза, 1992. -С. 40-41.

75. Дыбой В.А., Межов В.Е., Рындин А.А. Автоматизация функционально-логического проектирования микроэлектронных устройств и аппаратуры на мини-ЭВМ :Учеб. пособие. -Воронеж: Воронеж, политехи, ин-т. 1990. -78с.

76. Толстых Б.Л., Талов И.Л., Харин В.Н., Межов В.Е., Черняев Ю.Н. Унифицированные интерактивные средства проектирования изделий электронной техники : -М.: Радио и связь, 1984. -136с.

77. Базилевич Р.П. Декомпозиционные и топологические методы автоматизированного конструирования электрических устройств. -Львов:Высш. шк., 1981. -С. 168.

78. Бененсон З.М., Кравченко С.В. Анализ электронных схем по методу функционального программирования // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника, -1975. -Вып.2. -С. 16-24.

79. Крон Г. Исследование сложных систем по частям диакоптика . -М.: Наука, 1972. -542с.

80. Byers guide to РСВ CAE/CAD tools // Computer Design. -1987. -V26. -N12. -P. 81-89, 921. ИЗ.

81. Сох Р.А.О. Circuit partitioning for parallel processing // ICCD 86. P. 86-89.

82. Rao V.B. Trick T.N. Network partitioning and odering for MOS VLSI Circuits // IEEE Trans, on CAD. -1987. -V. CAD-6. -NI. -P. 128-144.

83. Dash: V.A.O. Simulater drives digital designs // Computer Design. -1985. -V33. -N26. -P.97.

84. Dunn L. IBM s engineering design System support for VLSI design and verification // IEEE Design Test of Computers. -1984. -VI. -NI. -P. 30-40.

85. Fzeeman E. Physical modeling system let you Plug ULSI chips in to your workstations logic //EDN.-1984.-N15.-P. 69.

86. Howard I.O.A. Introduction to the IBM Los-Gatos logic simulation Mahine // In Proc. IEEE Int. Conf. on Comput. Des.: VLSI in Computers. Ost., 1983.

87. Ishiura N.A.O. High-Speed logic simulation Using a vector // VLSI 85 Eisevier Science Publishers, 1986.-P. 73-82.

88. Jonson D. Simulation, Verification S test package for logic design // Electronic Engng. -1980. -V52. -N633. -P. 81, 85, 87, 89.

89. Sazin H.A.O. Simulator environment handler mixed designs // Compufer Design. -1987. -V.26. -N2. -P.67-72.

90. Tang В., Munich S. Benchmarking steers logic simulation selection // Computer Design. -1986. -V.25. -N10. -P.69-73.

91. Зольникова А.Н. Расчетно-экспериментальный метод определения стойкости КМОП логических элементов ИС. // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. М.: СПЭЛС-НИИП, 2000. - С.51-52.

92. Межов В.Е., Зольникова А.Н. Расчет стойкости элементов КМОП ИС к статическому излучению. Оптимизация и моделирования в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. трудов Воронеж: ВГТУ, 2000. - С.41-48.

93. Разработка радиационно-стойких транзисторов КП707 / В.Д.Попов. С.С.Глебов, А.В.Коновалов, А.Н.Зольникова // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. М.: СПЭЛС-НИИП, 2000. - С.240.109