автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.05, диссертация на тему:Методы схемотехнического проектирования функциональных узлов широкополосных аналоговых микросхем автоматики

ВВЕДЕНИЕ.

1. СХЕМОТЕХНИЧЕСКИЕ СПОСОБЫ КОМПЕНСАЦИИ ЕМКОСТИ

КОЛЛЕКТОР-БАЗА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В

ШИРОКОПОЛОСНЫХ УСИЛИТЕЛЯХ.

1.1. Схемотехнические способы компенсации импеданса двухполюсников.

1.2. Способы компенсации емкости коллектор-база транзисторов.

1.3. Неавтономные параметры составных компенсированных транзисторов.

Выводы.

2. ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСКИ КАСКАДОВ

С КОМПЕНСАЦИЕЙ ЕМКОСТИ КОЛЛЕКТОР-БАЗА.

2.1. Амплитудно-частотные характеристики каскадов с компенсацией емкости коллектор-база транзисторов.

2.2 Фазо-частотные характеристики каскадов с компенсацией емкости коллектор-база транзисторов.

2.3. Устойчивость каскадов с компенсацией емкости коллектор-база транзисторов.

2.4. Оптимальная по Г.В. Брауде амплитудно-частотная характеристика каскадов с компенсацией емкости коллектор-база транзисторов.

Выводы.

3. МЕТОДЫ ПОСТРОЕНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ УЗЛОВ

ШИРОКОПОЛОСНЫХ АНАЛОГОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ.

3.1.Несимметричные широкополосные дифференциальные усилители.

3.2. Источники опорного тока и активные нагрузки с повышенным выходным сопротивлением.

3.3. Схемотехника цепей компенсация емкости коллектор-база в промежуточных каскадах операционных усилителей.

3.4. Функциональная интеграция схемотехнических способов компенсации входного сопротивления эмиттерных повторителей.

3.5. Широкополосные усилители с управляемой верхней граничной частотой.

3.6. Схемотехника широкополосных двухкаскадных транзисторных усилителей.

Выводы.

4. СХЕМНАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ И РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ РАЗРАБОТАННЫХ УСТРОЙСТВ.

4.1. Широкополосный усилитель с токовой обратной связью.

4.2. Широкополосный операционный усилитель с малым токопотреблением.

4.3. Широкополосный операционный усилитель с повышенным коэффициентом усиления.

4.4. Компенсационный стабилизатор напряжения.

Выводы.

После 1991 года за пределами России остались практически все конструкторские бюро и промышленные предприятия, разрабатывающие и производящие аналоговые и аналого-цифровые микросхемы различного функционального назначения и уровня интеграции. Ориентация отечественных производителей наукоемкой продукции на зарубежные комплектующие себя не оправдывает. Такое положение связано не только с их высокой стоимостью, но и невозможностью решения задачи комплексной микроминиатюризации многих систем автоматического управления, радиотехники, связи и технической диагностики. Переход ведущих фирм Запада на субмикронную технологию сделал наше отставание в этом секторе микросхем угрожающим. Отечественная микроэлектронная промышленность по экономическим и организационным причинам не может рассчитывать на приобретение необходимого оборудования. Однако, как показывают исследования, многие конкурентоспособные и практически важные микроэлектронные изделия можно создавать на базовых матричных кристаллах, в т.ч. НПО «Интеграл» (г. Минск) [24].

Современное развитие систем диагностики, автоматического и автоматизированного управления, измерительной техники и связи невозможно без создания нового поколения микроэлектронных устройств различного уровня интеграции, обеспечивающих измерение и первичное прецизионное преобразование сигналов сенсорных элементов с различными принципами функционирования [33]. Развитие этого сектора специализированных микросхем в основном связано с совершенствованием технологии изготовления активных компонентов, которые в конечном итоге и определяют технические характеристики изделий [90]. Именно поэтому действие правил КОКОМ и распространялись на фирмы Bum-Brown, Maxim и Analog Devices, занимающиеся разработкой и изготовлением инструментальных усилителей, измерительных фильтров, АЦП и ряда других микросхем специального назначения.

Внедрение субмикронной и частично глубокой субмикронной технологий [90] показало, что в отличие от цифровых микросхем, где уменьшение технологических норм привело к существенному повышению производительности при практически неизменной потребляемой мощности, в указанных изделиях этого результата достигнуть не удалось [33, 34]. В этой связи диспропорции в развитии цифровой и аналоговой электроники в ближайшее время будут сохраняться, и относительно высокая стоимость прецизионных аналоговых микросхем будет определять цену многих радиоэлектронных систем.

В Российской Федерации в настоящее время отсутствуют экономические, технологические и организационные основы создания и эксплуатации предприятий, удовлетворяющих требованиям субмикронной технологии. По мнению Я.А.Федотова (МГИРЭА), «.в вопросе "микрон или субмикрон?" может быть только одно решение. Если мы хотим поднять нашу электронику, то нужно ориентироваться не на экзотику, на которую у нас нет ни серьезного задела, ни денег, ни оборудования, ни кадров. Это было бы чистейшей «маниловщиной». Чуть ли не 90% мировой продукции ИС укладывается в топологические нормы более одного микрона, причем доминируют размеры в 2-3 мкм. Именно на эту продукцию и следует ориентироваться».

Обеспечить относительную независимость отечественных систем радиоэлектронного профиля путем разработки и выпуска необходимой номенклатуры аналоговых и дискретно-аналоговых микросхем различного уровня интеграции можно и уровне микронной технологии. Указанную проблему в ряде случаев удается решить на схемотехническом уровне - путем создания нового поколения принципиальных схем, обеспечивающих кардинальное уменьшение степени влияния активных компонентов на результирующие характеристики и параметры линейных аналоговых устройств самого широкого функционального назначения. Затронутая проблема в настоящее время для Российской Федерации имеет важное значение.

Проблема повышения верхней граничной частоты (fB) (и площади усиления) широкополосных транзисторных усилителей с непосредственной связью каскадов является одной из центральных в современной радиоэлектронике и микросхемотехнике. Именно fB и площадь усиления определяют качественные показатели многих устройств автоматики, радиотехники, систем телекоммуникаций, приборостроения и др. В этой связи исследования, направленные на разработку схемотехнических методов повышения fB, следует отнести к числу наиболее актуальных в современной теории и практике усиления сигналов.

В настоящее время задача обеспечения широкополосности транзисторных усилителей решается в аналоговой схемотехнике различными методами: индуктивная коррекция [17, 31], емкостная эмиттерная коррекция [31, 39], нейтрализация внутренней обратной связи транзисторов [37, 39, 48, 88,], мостовая нейтрализация коллекторных емкостей транзисторов [37, 48] и т.д. Однако данные схемотехнические приемы эффективны в узком диапазоне частот, не отличаются универсальностью и имеют ограниченные возможности по повышению fB в связи с ее зависимостью от параметров статического режима, коэффициента усиления, потребляемой мощности и других свойств на переменном токе, и самое главное требуют внешних по отношению к микросхеме элементов, и поэтому не могут быть ориентированы на интегральное исполнение.

В существующих принципах построения емкость перехода коллектор-база (Ск) выходного и входного транзисторов оказывает существенное влияние на частотные характеристики различных операционных преобразователей (операционных усилителей, видеоусилителей), что особенно сильно проявляется при активных нагрузках и больших сопротивлениях источника сигнала. Традиционно эта задача решается совершенствованием технологии производства активных компонентов. Именно потому ведущие западные фирмы интенсивно осваивают дорогостоящую субмикронную технологию, которая и обеспечивает низкую менее 0.1 пФ емкость коллекторного перехода.

Современные транзисторы, выполненные по стандартной биполярной технологии, обладают верхней граничной частотой ( fa) порядка 2.5 ГГц, при этом их емкость перехода коллектор-база Ск составляет около 2 пФ. При высоких коэффициентах усиления, иначе говоря, при больших сопротивлениях нагрузки транзисторного усилительного каскада 0.5.1 МОм, невозможно получить верхнюю граничную частоту усиления в схеме с общей базой более чем 150 кГц. В остальных усилительных схемах верхняя граничная частота еще меньше. Как видно fB меньше предельного значения в 32000 раз. Именно в силу указанных причин разработка схемотехнических принципов и набора схем с компенсацией влияния емкости перехода коллектор база позволяет существенно повысить граничную частоту и, следовательно, в ряде случаев, по важнейшим качественным показателям, обеспечить конкурентно способность отечественных технологий производства аналоговых микросхем.

Целью данной работы является исследование и дальнейшие развитие методов синтеза и схемотехнических способов построения широкополосных транзисторных каскадов, за счет использования компенсации влияния емкости перехода коллектор-база.

Для достижения указанной цели предполагается решение следующих основных задач:

1. Разработать на уровне структурных схем конкретные способы введения каналов компенсации влияния емкости коллектор-база транзистора, а также провести анализ их эффективности.

2. Исследовать частотные характеристики каскадов с компенсацией емкости коллектор-база, определить области устойчивости и ограничения обеспечивающие параметрический синтез каскада.

3. Разработать базовую схемотехнику функциональных узлов широкополосных операционных преобразователей, ориентированную на микроэлектронное исполнение с использованием отечественных топологических норм и провести компьютерное моделирование полученных схемотехнических решений

4. Разработка и компьютерное моделирование широкополосных операционных преобразователей ориентированных на исполнение на базе радиационно-стойкого аналогового базового матричного кристалла.

При решении указанных задач в теоретической части работы применяются методы линейного анализа электронных схем с привлечением теории автономного многополюсника и методы математического анализа. Экспериментальные исследования выполнены с помощью системы компьютерного моделирования PSpice, которая общепризнанно считается стандартом в области схемотехнических систем автоматизированного проектирования.

Новые научные и практические результаты и положения диссертационной работы, выносимые на защиту, заключаются в следующем:

1. Исследованы схемотехнические методы компенсации влияния емкости коллектор-база транзисторов, позволяющие на их основе строить широкополосные усилительные каскады нового класса. Рассмотрены различные варианты последовательной, параллельной и параллельно-последовательной компенсации. Впервые получены аналитические выражения частотных характеристик и определены динамические параметры каскадов. Даны рекомендации по применению рассмотренных схемотехнических методов компенсации в зависимости от конкретных проектных задач.

2. Проведен анализ амплитудно и фазо-частотных характеристик широкополосных транзисторных усилительных каскадов. Впервые аналитически определено влияние параметров усилительного элемента и цепей компенсации емкости коллектор-база на вид и характерные точки и участки амплитудно- и фазо-частотных характеристик, а также определены границы устойчивости каскадов с цепями компенсации. Построены номограммы и даны рекомендации по параметрическому синтезу каскадов.

3. Разработаны методы схемотехнического проектирования базовых функциональных узлов широкополосных операционных преобразователей аналоговых сигналов ориентированных на построение устройств систем автоматизированного управления:

- несимметричных дифференциальных усилителей с цепями компенсации паразитных емкостей;

- широкополосных усилителей с повышенным коэффициентом усиления, предназначенных для использования в качестве промежуточных каскадов операционных усилителей;

- источников опорного тока и активных нагрузок с повышенным выходным сопротивлением в широком диапазоне частот;

- эмиттерных повторителей с повышенным входным сопротивлением;

- нового типа усилителей с электронно-управляемой верхней граничной частотой, предназначенных для систем автоматики и телемеханики;

- многокаскадных усилителей, позволяющих устранить влияние паразитной емкости нагрузки.

Разработанные базовые функциональные узлы рекомендуются для использования при проектировании широкополосных операционных и видеоусилителей, усилителей с электронно-управляемой полосой пропускания, и широкополосных многокаскадных измерительных усилителей.

4. Разработаны и исследованы широкополосные операционные усилители на элементной базе аналогового базового матричного кристалла, с применением предложенной схемотехники построения базовых функциональных узлов. Разработанные усилители отличаются хорошими частотными и скоростными характеристиками при малом потреблении тока.

Использование результатов проведенных исследований при проектировании различных устройств на основе базовых матричных кристаллов позволяет улучшить технические характеристики изделий, сократить сроки разработки и повысить потребительские качества базовых матричных кристаллов, выполненных по недорогой отечественной технологии (1.5-2.0 мкм) и обладающих высокой радиационной стойкостью (10° рад), что делает их конкурентно-способными по сравнению с микросхемами ведущих западных фирм.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения, изложенных на 160 страницах текста, иллюстрированного графиками и рисунками, библиографического списка и приложения.

Основные результаты диссертационной работы заключаются в следующем:

1. Исследованы схемотехнические методы компенсации влияния емкости коллектор-база транзисторов, позволяющие на их основе строить широкополосные усилительные каскады нового класса. Рассмотрены различные варианты последовательной, параллельной и параллельно-последовательной компенсации. Получены аналитические выражения частотных характеристик и определены динамические параметры каскадов. Даны рекомендации по применению рассмотренных схемотехнических методов компенсации в зависимости от конкретных проектных задач.

2. Проведен анализ амплитудно и фазо-частотных характеристик широкополосных транзисторных усилительных каскадов. Определено влияние параметров усилительного элемента и цепей компенсации емкости коллектор-база на вид и характерные точки и участки амплитудно- и фазо-частотных характеристик. Определены границы устойчивости каскадов с цепями компенсации. Построены номограммы и сформулированы ограничения необходимые для параметрического синтеза усилительных каскадов операционных преобразователей.

3. Разработаны методы схемотехнического проектирования базовых функциональных узлов широкополосных операционных преобразователей аналоговых сигналов:

- несимметричных дифференциальных усилителей с цепями компенсации паразитных емкостей;

- широкополосных усилителей с повышенным коэффициентом усиления, предназначенных для использования в качестве промежуточных каскадов операционных усилителей;

- источников опорного тока и активных нагрузок с повышенным выходным сопротивлением в широком диапазоне частот;

- эмиттерных повторителей с повышенным входным сопротивлением;

- нового типа усилителей с электронно-управляемой верхней граничной частотой, предназначенных для систем автоматики и телемеханики;

- многокаскадных усилителей, позволяющих устранить влияние паразитной емкости нагрузки.

Разработанные базовые функциональные узлы рекомендуются для использования при проектировании устройств систем автоматики: широкополосных операционных и видеоусилителей, электронно-управляемых усилителей, и широкополосных многокаскадных измерительных усилителей.

4. Разработаны и исследованы широкополосные операционные усилители на элементной базе радиационно-стойкого аналогового базового матричного кристалла АБМК 1.2 НПО "Интеграл"(г. Минск), с применением предложенной схемотехники построения базовых функциональных узлов. Разработанные усилители отличаются хорошими частотными и скоростными характеристиками при малом токе потребления микросхемы.

5. Использование результатов проведенных исследований при проектировании различных устройств на основе базовых матричных кристаллов позволяет улучшить технические характеристики изделий, сократить сроки разработки и повысить потребительские качества БМК. Таким образом, использование дешевых отечественных микроэлектронных технологий позволяет строить операционные преобразователи с качественными показателями (полоса пропускания, коэффициент усиления, радиационная стойкость) не хуже западных аналогов выполненных по дорогим субмикронным технологиям.

Теоретические и практические результаты диссертационной работы использованы при выполнении научно-исследовательской работы "Разработка теоретических основ создания активных компонентов интегральных микросхем" выполняемой по единому заказ-наряду Минобразования Российской Федерации в 2002 году в области фундаментальных наук.

Результаты диссертационной работы внедрены и используются на промышленных предприятиях. Акты, подтверждающие результаты внедрения приводятся в приложении.

Материалы диссертационной работы используются в учебном процессе при изучении дисциплин "Схемотехника аналоговых электронных устройств" и "Микроэлектроника".

Результаты диссертационной работы обсуждались и получили одобрение на следующих конференциях и семинарах:

- Международной научно-практической конференции "Микропроцессорные, аналоговые и цифровые системы: проектирование и схемотехника, теория и вопросы применения". Новочеркасск: ЮГТУ(НПИ), 2003 г.

- Международного научно-практического семинара "Проблемы современной аналоговой микросхемотехники", Шахты, ЮРГУЭС, 2002 г.

- Второй всероссийской научной студенческой конференции "Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления", Таганрог, ТРТУ, 1995.

- Ежегодных научно-практических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов, студентов и сотрудников ЮРГУЭС 1995-2003 г.

По материалам диссертации опубликовано 24 печатные работы [60-81], получен один патент Российской Федерации [45].

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Анго А. Математика для электро- и радиоинженеров. Пер. с фран. М.: Наука. 1965.

2. АлексенкоА.Г. Коломбед Е.А. Стародуб Г.И. Применение прецизионных аналоговых ИС.- М.: Радио и связь, 1981.

3. А.с. 657585 СССР, МКИ Н 03 F 3/45. Дифференциальный усилитель Анисимов В.И., Капитонов В.М., Прокопенко Н.Н. и др.,.

4. А.с. СССР 657586, В.М., МКИ Н 03 F 3/45. Двухтактный усилитель. Прокопенко Н.Н., Редько

5. А.с. СССР 853776, МКИ G 03 G 3/30. Устройство автоматической регулировки усиления. Прокопенко Н.Н.

6. А.с. 658540 СССР, Прокопенко Н.Н., Редько В.М. МКИ G 05 F 1/56. Стабилизатор постоянного тока.

7. А.с. 954975 СССР, МКИ G 05F 1/56. Стабилизатор постоянного напряжения. Прокопенко Н.Н., Гусев С.Н., Беляев А.В.

8. А.с. 873224 СССР, МКИ G 05 F 1/56. Стабилизатор тока. Анисимов В.И., Капитонов В.М., Прокопенко Н.Н.

9. А.с. 673224 СССР, МКИ G 05 F 1/56. Стабилизатор тока. Анисимов В.И., Капитонов В.М., Прокопенко Н.Н. и др.

10. А.с. 637799 СССР, МКИ G 05 F 1/56. Генератор тока. Прокопенко Н.Н., Редько В.М.

11. Барилов И.В. Методы создания двухполюсников с отрицательным дифференциальным сопротивлением //Известия вузов Сев.-Кавк. региона. Технические науки. 1999. № 3. с. 94-96.

12. Бессонов Л.А. Линейные электрические цепи. Новые разделы курса теоретических основ электротехники: Учеб. пособие для студ. электротехн. радиотехн. специальностей вузов. 3-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа., 1983.

13. Волгин JI.И. Аналоговые операционные преобразователи для измерительных приборов и систем. -М.: Энергоатомиздат, 1983.

14. Волгин Л.И Высокостабильные усилительные устройства. Методы построения и схемотехника. Саратов: Изд-во. СГУ, 1985.

15. Волгин Л.И., Топологические усилители электрических сигналов. -Тольятти: ПТИС МГУС, 2002.

16. Глиздич С.А. Дворников О.В. Методика создания библиотек параметров моднлей для пакета прикладных программ PSPISE. Тезисы докладов НТК " Современные проблемы радиотехники, электроники и связи". Минск, 4-5мая 1995, с. 370-371.

17. Горбань Б.Г. Широкополосные усилители на транзисторах. М., Энергия, 1975.-248 с.

18. Гутников B.C. Интегральная электроника в измерительных устройствах. 2-е изд., перераб. и доп. Л.: Энергоатомиздат 1988.

19. Дворников О.В. Влияние рассогласования параметров полупроводниковых компонентов на основные характеристики дифференциальных каскадов // Передовой опыт. М.: ЦООНТИ "ЭКОС", 1998. Вып. 3. с. 31-36.

20. Дворников О., Чеховский В., Солин А. Комплект аналоговых БИС для работы с емкостными источниками сигналов. Часть 1. // Chip News 1997, №11, с. 20-21.

21. Дворников О., Чеховский В., Солин А. Комплект аналоговых БИС для работы с емкостными источниками сигналов. Часть 2. // Chip News 1997, №12, с.28-30.

22. Дворников О.В., Чеховский В.А. Применение биполярного БМК для проектирования аналоговых ИС. Часть 3. Быстродействующий компаратор напряжения // Chip News. 1999. № 6. С. 12-15.

23. Дворников О.В., Чеховский В.А. Применение биполярного БМК для проектирования аналоговых ИС. Часть 2. Быстродействующий зарядочувствительный усилитель-формирователь // Chip News. 1999. № 6. С. 12-15.

24. Дворников О., Чеховский В. Применение биполярного БМК для проектирования аналоговых ИС. Часть 1. Микромощные малошумящие зарядочувствительные усилители // Chip News. 1999. № 5. С. 17-20.

25. О.В. Дворников, В.А. Чеховский. Аналоговый биполярно-полевой БМК с расширенными функциональными возможностями. Chip News, N2, 1999, с.21-23

26. Достал И. Операционные усилители: Пер. с англ. М.: Мир, 1982.

27. Иванов В.В. Иванов В.Н. Мощные интегральные усилители. Д.: ЦНИИ "Румб", 1987.

28. Игумнов Д.В., Николаевский И.Ф. Транзисторы в микрорежиме. М.: Сов. радио. 1978.

29. Кибакин В.М. Основы теории и расчета транзисторных низкочастотных усилителей мощности. М.: Радио и сввязь, 1988.

30. Капитонов М.В. Прокопенко Н.Н. Соколов Ю. М. Югай В Схемотехника источников тока для интегральных стабилизаторов// ЭТвА: Сб. статей. Вып. 12/ Под ред. Ю.И. Конева. М.: Радио и связь, 1981.

31. Крутчинский С.Г. Структурный синтез аналоговых электронных схем. Ростов-на-Дону, СКНЦВШ, 2001.

32. Крутчинский С.Г. Структурный синтез прецизионных электронных усилителей //Труды международного научно-практического семинара «Проблемы современной аналоговой микросхемотехники». Шахты-Минск, 2001 г.

33. Крутчинский С.Г. Расширение диапазона рабочих частот перестраиваемых ARC-устройств. Известия вузов. MB и ССО СССР, Радиоэлектроника, 1988, т 31, №8. с. 74-76.

34. Кривошейкин А.В., Точность параметров и настройка аналоговых радиоэлектронных цепей. М.: Радио и связь, 1983.

35. Каганов В.И. Транзисторные радиопередатчики. Изд. 2-е, перераб и доп. М., Энергия, 1976.

36. Куропаткин П.В. Теория автоматического управления. Учеб. пособие для электротехнических специальностей вузов. М., Высшая школа, 1973.

37. Ленк Дж., Электронные схемы: Практическое руководство. Пер. с англ. М.: Мир, 1985.

38. Манжула В.Г. Старченко Е.И. Базовые матричные кристаллы. Схемотехника типовых аналоговых микроэлектронных устройств: Метод, пособие по теор. части дисциплин "Микросхемотехника" и "Аналоговые электронные устройства". Шахты: ШТИБО, 1992.

39. Негатроника / А.Н. Серьезное, JI.H. Степанова, С.А. Гаряинов и др. -Новосибирск: Наука. Сибирская издательская фирма РАН, 1995.

40. Операционные усилители и компараторы. М.: Издательский дом "Додэка-ХХГ, 2001.

41. Операционные усилители с непосредственной связью каскадов. В.И.Анисимов, М.В. Капитонов, Н.Н. Прокопенко, Ю.М.Соколов.-Л., 1979.-148с.

42. Пальтов И.П. Качество процессов и синтез корректирующих устройств в нелинейных автоматических системах,. Главная редакция физико математической литературы изд-ва. "Наука", 1975.

43. Патент 2168263 РФ, МПК Н 03 F 3/50, Н 03 F 3/45. Эмиттерный повторитель./ И.Е. Старченко (РФ). №2000110911/09; Заяв. 25.04.2000; Опуб. 27.05.01, Бюл. №15.

44. Полянин К.П. Интегральные стабилизаторы напряжения. М.: Энергия, 1979.

45. Полонников Д.Е. Операционные усилители: Принципы построения, теория схемотехника. -М.: Энергоатомиздат, 1983.

46. Проектирование радиопередатчиков: Учеб. пособие для вузов./ В.В. Шахгильдян, М.С. Шумилин, В.Б. Козырев и др. Под ред. В.В. Шахгильдяна. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Радио и связь, 2000.

47. Пасынков В.В., Чиркин J1.K. Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов по спец. "Полупроводники и диэлектрики" и "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы" 4-е изд. перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1987.

48. Прокопенко Н.Н., Югай В. Построение усилителей для высоко добротных гираторов // Активные избирательные системы: Межвузовский научно-технический сборник. Таганрог, 1978. № 4. С.123-124.

49. Прокопенко Н.Н. Вопросы проектирования входных каскадов микроэлектронных операционных усилителей: Автореф. дис. канд. техн. наук /Ленинградский электротехнический институт им. В.И.Ульянова (Ленина).-Л., 1975.-20 с.

50. Прокопенко Н.Н. Нелинейная активная коррекция в прецизионных аналоговых микросхемах: Монография. Ростов-на-Дону: Изд-во Северо-Кавказского научного центра высшей школы, 2000. - 224 с.

51. Прокопенко Н.Н. Способ повышения верхней граничной частоты широкополосных транзисторных усилителей //Труды международного научно-практического семинара «Проблемы современной аналоговой микросхемотехники». Шахты-Минск, 2001 г.

52. Прокопенко Н.Н., Ковбасюк Н.В. Эффективность схемотехнических методов компенсации входной емкости транзисторных усилителей. // Труды международного семинара "Проблемы современной аналоговой микросхемотехники". 4.1 Шахты, ЮРГУЭС, 2002.

53. Старченко И.Е., Прокопенко Н.Н., Схемотехнические методы компенсации импеданса двухполюсника //Труды международного научно-практического семинара «Проблемы современной аналоговой микросхемотехники». 4.1. Шахты-Минск, 2002 г.

54. Старченко И.Е., Прокопенко Н.Н., Ковбасюк Н.В. Неавтономные параметры составных компенсированных транзисторов //Материалы международного научно-практического семинара «Проблемы современной аналоговой микросхемотехники». 4.1. Шахты, 2002 г. -С.190-194.

55. Старченко И.Е., Прокопенко Н.Н., Ковбасюк Н.В. Несимметричные широкополосные дифференциальные усилители //Материалы международного научно-практического семинара «Проблемы современной аналоговой микросхемотехники». 4.1. Шахты, 2002 г. -С.122-131.

56. Старченко И.Е., Прокопенко Н.Н. Схемотехника широкополосных двухкаскадных транзисторных усилителей //Материалы международного научно-практического семинара «Проблемы современной аналоговой микросхемотехники». 4.1. Шахты, 2002 г. -С.235-239.

57. Старченко И.Е., Прокопенко Н.Н., Ковбасюк Н.В. Параметрический синтез дифференциальных каскадов с нелинейной отрицательной обратной связью по току //Известия высших учебных заведений. СевероКавказский регион. Техн.науки. 1999. - № 3. - С.96-98.

58. Старченко И.Е, Старченко Е.И. Стабилизаторы напряжения с непрерывным регулированием. Сборник аттестационных заданий по дисциплине "Электропреобразовательные устройства". ДГАС. Шахты 1999.

59. Старченко И.Е, Барилов И.В, Старченко Е.И., Применение связи в перед в стабилизаторах с непрерывным регулированием. Сборник научных трудов Радиоэлектроника и физико-химические процессы вып.20. ДГАС. Шахты. 1997. С 43-47

60. Старченко И.Е., Манжула В.Г. Проектирование перестраиваемых операционных усилителей. Сборник научных трудов Электронные устройства и информационные технологии вып.6. ШТИБО. Шахты. 1994. С 47-50.

61. Старченко И.Е., Манжула В.Г., Старченко Е.И., Барилов И.В. Критерии и методы построения систем защиты импульсных ИВЭП на основе интегральных микросхем управления. Сборник научных трудов Радиотехника вып. 12. ШТИБО. Шахты 1995. С52-56.

62. Старченко И.Е. Старченко Е.И. Операционные усилители с токовой обратной связью. Электронный журнал "Исследовано в России", 129, стр.564-578, 2000 г. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2000/129.pdf.

63. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Изд. 4-е, перераб. и доп. М.: Энергия, 1977.

64. Смирнов Р.А. Оптимизация параметров импульсных и широкополосных усилителей. М., Энергия, 1976.

65. Титце У., Шенк К., Полупроводниковая схемотехника: Справочное руководство. Пер. с нем. М.: Мир, 1982.

66. Фолкенберри Л. Применение операционных усилителей и линейных ИС. Пер. с англ. М.: Мир, 1985.

67. Хоровиц П., Хилл У., Искусство схемотехники: В 2-х томах. Пер с англ. М.: Мир, 1983.

68. Шапиро Д.Н. Расчет каскадов транзисторных радиоприемников. Л.: Энергия. 1968.

69. Baturitsky М.А., Dvornikov, O.V. Tchekhovsky, An analog bipolar-JFET master slice array for multichannel front-end electronics \\ 1st IEEE International Conference of Circuits and Systems for Communications, Saint-Petersburg, 2002.

70. Christian Henn. New ultra high-speed circuit techniques with analog ICs. AB-183, Copyright Burr-Brown Corporation. Printed in U.S.A. May, 1993.

71. Data Sheet OP-42. High speed, fast settling, precision operational amplifier. Analog Devices, Inc., Printed in USA 1993.

72. Date Sheet ОРАбОЗ. High Speed, Current-Feedback, High voltage operational amplifier. Burr-Brown Corporation. Printed in U.S.A. February, 1995

73. Gilbert B.A. A new wide-band technique. IEEE J. Solid- State circuits, 1999 v.sc-5, N6.

74. James Karki. Effect of Parasitic Capacitance in Op Amp Circuits. Application Report SLOA013. Copyright Texas Instruments Incorporated. February 1999.

75. James Karki. Driving Capacitance With the THS3001. Application Report SLQA014. Copyright Texas Instruments Incorporated. April 1999.

76. Krutchisky S.G. Fundamental limitation in precision analog circuits \\ 1st IEEE International Conference of Circuits and Systems for Communications, Saint-Petersburg, 2002.

77. Prokopenko N.N., Starchenko E.I. Method of rising the upper level frequency limit of wide-band amplifier \\ 1st IEEE International Conference of Circuits and Systems for Communications, Saint-Petersburg, 2002.

78. Ron Mancini. Stability analysis of voltage-feedback Op Amps including compensation techniques. Application Report SLOA020. Copyright Texas Instruments Incorporated. July 1999.

79. Ron Mancini. Feedback amplifier analysis tools. Application Report SLOA017. Copyright Texas Instruments Incorporated. April 1999.

80. Ron Mancini. Current Feedback Amplifier Analysis and Compensation. Application Report SLOA021. Copyright Texas Instruments Incorporated. May 1999.

81. Tim Kalthoff, Tony Wang, R. Mark Stitt. Classical op amp or current-feedback op amp? This composite op amp gives you the best of both worlds. Application Bulletin-007. Burr-Brown Corporation. Printed in U.S.A. March, 1991.

82. Tony Wang. Voltage-feedback amplifiers vs current-feedback amplifiers: bandwidth and distortion considerations. Application Bulletin-091. Burr-Brown Corporation. Printed in U.S.A. January, 1994.

83. Каталог микросхем Российско-Белорусского центра микроэлектроники МикАн Шахты: ЮРГУЭС, 2003.