автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.05, диссертация на тему:Исследование и разработка отказоустойчивых элементов и узлов информационных систем на основе методов структурной схемотехники

г - ~ г 1 На правах рукописи

2 ^ Ь" ЛР

МИХАЙЛОВ Александр Геннадиевич

ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА ОТКАЗОУСТОЙЧИВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И УЗЛОВ ИНФОРМАЦИОННЫХ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ МЕТОДОВ СТРУКТУРНОЙ СХЕМОТЕХНИКИ

Специальность 05.13.05 - "Элементы и устройства ВТ и

систем управления"

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Москва - 1996

Работа выполнена в МИРЭА, кафедра Вычислительной Техник:

Научный руководитель: кандидат технических наук, доцент

Добронравов O.E. Консультант: кандидат технических наук, доцент

Либерман Ф.Я.

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор

Дьяконов В.П.

кандидат технических наук, доцент Щука A.A.

Ведущая организация: МГУПС (МИИТ)

Защита диссертации состоится "_" 1996 г. на заседании

диссертационного совета Д 063.54.01 Московского государственного института радиотехники, электроники и автоматики (технический университет).

С диссертацией мокно ознакомиться в библиотеке Московского государственного института радиотехники, электроники и автоматики.

Автореферат разослан

1996

Ученый секретарь диссертационного совета Федотова Д.Э.

- 3 -

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Актуальна проблема повышения надежности и, в частности, отказоустойчивости систем, последствия от отказов которых достаточно велики. В качестве областей применения можно рассмотреть элементы и узлы систем на железнодорожном транспорте, в авиации и др.

В данной работе для анализа надежности и поиска отказоустойчивых элементов и узлов использован метод структурной схемотехники. Этот метод развит для применения к базовым элементам различных технологий, в частности, для перспективных совмещенных БиКМОП-элементов.

Актуальна разработка методов моделирования отказов элементов, методов повышения надежности функционирования узлов ЭВМ.

Цель работы. Теоретические и экспериментальные исследования отказоустойчивых элементов и узлов ЭВМ.

Задачи исследования. Основными задачами, решаемыми в диссертации, являются:

- разработка методик анализа отказоустойчивых элементов и узлов ЭВМ;

- разработка методик моделирования отказов базовых элементов и трансформаций функций элементов после отказов.

Методы исследования:

- системный анализ:

- теория надежности;

- теория исследования операций;

- теория вероятности;

- структурная схемотехника.

- 4 -

Научная новизна работы состоит в:

- развитии метода структурной схемотехники для анализа элементов и узлов ЭВМ;

- разработке инженерной методики моделирования необратимых отказов базовых элементов и трансформаций функций элементов после отказов;

- разработке моделей БиМОП- и БиКМОП-элементов, их теоретических и экспериментальных исследованиях;

- разработке методики отбора выявляемых схемами контроля отказов узлов, обнаружение которых наиболее целесообразно.

Практическая ценность. Разработанные инженерные методики анализа отказоустойчивых элементов и узлов могут быть использованы при проектировании систем с высокими требованиями к их надежности. Предложенные БиКМОП-элементы могут быть использованы в качестве базовых элементов схем перспективных технологий.

Реализация результатов работы. Теоретические результаты диссертационной работы реализованы в программе моделирования базовых структур интегральных схем, внедренной в Московском Университете Путей Сообщения и переданной Госкомобразованию для применения в вузах РФ.

На основе материалов диссертации поданы 2 авторские заявки на получение патентов. Разработанные в диссертации методы повышения надежности реализованы в измерителе крутящего момента вала вертолета. Материалы диссертации отражены в учебном пособии и методических работах.

Материалы работы включены в программу фундаментальных и поисковых работ МПС на 1996 год (п.5, "Разработка методов структурной схемотехники и их применение для создания отказоустойчивых элементов аппаратуры железнодорожного транспорта").

Апробация заботы. Основные положения и результаты работы доложены и обсуждены на:

- всесоюзном научно-техническом семинаре "Автоматизация проектирования з радиоэлектронике и вычислительной технике" (г.Москва. МДНТП им. Ф.Э. Дзержинского. 1990 г.);

- трех семинарах научного совета по комплексной проблеме "Кибернетика" АН ?Ф "Анализ и синтез устройств преобразования и хранения информации на быстродействующих негатронах и автоматизация их проектирования на ЭВМ" (г. Москва, 1990 и 1991 годы. Таганрог. 1992 г.);

- конференции молодых ученых Московского института инженеров железнодорожного транспорта (г. Москза, МИИТ, 1939 г.);

- двух семинарах Всероссийского межведомственного совета г.о научно-техническому творчеству молодежи з зысаих л средних учебных заведениях (г. Москза. МПС РФ, 1995 и 1996 годы).

Публикации. По результатам исследований и выполненных разработок опубликозакы 5 статей, выполнены главы з 2-х отчетах о НИ?, приняты к рассмотрению 2 заязки на патенты (по обоим получены подтверждения о приоритете), опубликованы 2 методические работы, 5 статей приняты в печать. Разработана и принята программа нового учебного курса для магистров и бакалавров Международного института.

Объем и отоуктуса заботы. Диссертационная работа состоит ;:з введения, четырех глаз , заключения, списка литературы (115 источников) и приложений. Объем работы 152 страницы, из них :27 страниц текста. 10 таблиц. 35 рисунков.

- о -

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Зо взедении обоснована актуальность темы диссертации, определены цели и поставлены задачи исследования, сформулированы основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе рассмотрены существующие методы анализа отказоустойчивых цифровых элементов и узлов, последствия отказов которых достаточно велики.

Проанализированы тенденции развития схемотехники и систем базовых элементов для различных технологий. Рассмотрены поколения моделей биполярных элементов, требования к современным моделям, факторы, ограничивающие степень интеграции элементов.

Весьма перспективно сочетание в одной микросхеме базовых элементов различных технологий. При этом можно использовать преимущества каждой технологии и минимизировать их недостатки. Возможности таких схем могут сыть использованы для повышения их отказоустойчивости. Рассмотрены перспективные БиКМОП-зле-меяты. БиКМОП-СБИС разрабатызают Hitachi, Sony, NEC. Motorola. IBM. AT&T, Siemens и др.

БиКМОП-злементы превосходят обычные КМОП-схемы по быстродействию и энергопотреблению и незначительно проигрывают з быстродействии биполярным малосигнальнкм схемам. Другим благоприятным фактором является несложный переход от КМОП- к 5иК-МОП-технологии.

Для перспективных больших цифровых интегральных схем 1ИС) требуется одновременно использовать КМОП-. ЗСЛ- и БиКМОП-элементы: КМОП для маломощных плоткоупаксвакных логических фрагментов и встроенной памяти. БиКМОП-злементы для буферов и усп-ли"злей ЗС."-элеУггТч — в -а:голее -".оптических iienях.

Проведен анализ современных и перспективных БиКМОП-элемен-тов и узлов на их базе. Рассмотрены перспективные отказоустойчивые элементы на базе совмещенных технологий ("интеллектуальные ключи" фирмы Siemens и др.).

Анализ известных однородных отказоустойчивых структур -дискретных и комбинированных вычислительных сред, шинных однородных структур, перепрограммируемых кристаллов и других, показал перспективность использования в качестве их однородных базовых ячеек БиКМОП-элементов.

Проанализированы методы проектирования узлов ЭВМ с учетом требований к их тестопригодности и отказоустойчивости.

Проведенный анализ позволил разработать методы анализа надежности элементов и узлов ЭВМ. Для этого развит метод структурной схемотехники.

Вторая глава посвящена анализу биполярных, МОП и БиКМОП базовых элементов, их поведения при наличии отказов. Применение метода структурной схемотехники к биполярным. МОП и БиК-МОП-элементам предполагает следующую последовательность:

1) анализ топологии и технологических параметров;

2) анализ взаимодействия областей;

3) анализ назначения выводов;

4) моделирование работы;

5) анализ поведения элемента при наличии отказов.

Рассмотрение элемента начинается с анализа топологии и

технологических параметров. В структурах элементов ИС можно выделить три основные вида областей: полупроводниковые, изолирующие области диэлектрика, области металлического проводника.

Элементы, созданные на базе пленарной технологии, можно

представить в виде иерархической системы. Рассмотрим в качестве примера элемент И2 Л (рис. 1.а). Еид сверху и одно из сечений представлены на рис. 1.6,в, обобщенное представление в виде иерархической структуры - рис. 1.д. Электрическая модель (рис. 1.г) предназначена для статических и динамических расчетов. Каждый р-п переход в рамках этой модели моделирует диод, источник тока и емкость.

Для анализа взаимодействия областей, схема моделируется не в виде совокупности транзисторов, влияние которых друг на друга ограничено, а в виде единой структуры взаимодействующих р-п переходов. В данной работе для универсальной функции, описывающей влияние всех областей друг на друга, предлагается использовать коэффициент эе, причем известный коэффициент а входит в него в качестве одной из компонент.

Наиболее важным фактором, влияющим на коэффициент эе, является расстояние между областями. Следующим по значимости фактором является соотношение токов областей, между которыми рассчитывается взаимодействие:

где 1П - ток области п; 1т ток области т, при п*т, Ц-т ~ расстояние между областями пит.

Рассмотрим составляющую коэффициента эе, зависящую от топологии элемента - расстояния между областями. Делается предположение, что области взаимодействуют между собой не как объемные структуры, а только своими боковыми поверхностями. Для каждой боковой поверхности, кроме верхней, рассчитывается коэффициент взаимодействия со всеми другими областями. Коэффици-

□ □ 3 Ц

5

6

Уроёень области: (3) -

9

В)

т-

(о)~

"X

Т

Рис. 1 Элемент И2Л:

а) упрощенная электрическая схема

б) вид сверху в) вертикальное сечение

г) эквивалентная схема д) иерархическое представление

ент рассчитывают как функцию от расстояния между конкретной боковой поверхностью области и другими областями. зе(1, З.к) -коэффициент взаимодействия боковой поверхности к области 1 с областью с!.

Теоретически разработана и экспериментально исследована работа схем БиКМОП-технологий. Вначале рассмотрен МОП-элемент с индуцированным каналом (рис. 2. а ). На этом элементе можно получить горизонтальный биполярный р-п-р транзистор (рис. 2. в).

из £ п

и

ти

а

\аг

-ЗС

Си

1з

иг

С (К)

П(в)

п

а) б) в)

Рис. 2 БиМОП транзистор:

а) структура б) эквивалентная схема

в) обозначение элемента ("с" - сток; "и" - исток;

"п" - подложка; "к" - коллектор; "б" - база; "э" - эмиттер)

Если напряжение на затворе между двумя областями меньше порогового, эти области рассматриваются как элементы биполярной структуры. Если напряжение больше порогового, эти области начинают работать как МОП-транзистор и исключаются из взаимодействия с другими областями. Экспериментально исследована работа транзисторов при различных напряжениях на затворе, в том числе близких к пороговому.

Проведен анализ функций выводов элементов. В общем случае элемент можно представить в виде "черного ящика", который имеет контрольные входы, информационные входы, управление, информационные выходы, контрольные выходы, землю, питание. Назначения выводов часто совмещают.

Выводы областей могут быть размножены. При этом, если размножаются выводы на одном из входов, то дополнительно можно реализовать функцию "И" или "ИЛИ".

На первом шаге моделирования работы элементов проводится расчет токов биполярных, МОП и БиКМОП-элементов, на втором -определение реализуемых логических функций. Перед расчетом токов проводится пересчет потенциалов на входах, рассматриваемых в качестве исходных, в значения относительных уровней напряжений. Далее проводится расчет токов областей, токов выводов областей, корректировка токов выводов областей.

Данный алгоритм реализован в САПР "Альфа". В САПР для расчетов токов областей ток каждой из боковых поверхностей области рассчитывается отдельно. Для стороны к области 1. используя известное соотношение, получим:

Л1.к) = 10*3К(1)*(ехр(и* (I)) —1).

где 10 - тепловой ток на единицу площади;

Бц(1) - площадь стороны к области 1;

и*(1) - относительный уровень напряжения на выводе области 1;

Гт - тепловой потенциал.

Рассмотрим расчет токов выводов областей. Общую формулу, используемую для расчетов, можно записать в виде: м 5

1(1) = ]> [ {±)эе(1, З.Ю*.Ш.к) ].

где 1 и 3 - номера областей, к - номера сторон областей;

N - число областей.

Для всех областей уровня 3: И< 5

1,(1) I ^эеа.^.ЮиД^.Ю ] +

Иг 5 К=< ^з 5

+ X []Ё>(1. Зг.к)*.Ш2,к)] " [^эе(1, Л3. к) * 1 (Л3. к) ],

где ,^з ~ номера областей уровней 1,2 и 3 соответственно;

^Лг, Ы3 - число областей уровней 1,2 и 3.

Для областей уровней 2 и 1 формулы получают аналогично.

Чередование знаков слагаемых обусловлено тем, что для каждой области влияние соседних областей с одинаковым уровнем проводимости (р или п-типов соответственно) учитывается со знаком "-", а влияние областей с противоположным уровнем проводимости - со знаком "+".

Для расчета итоговых токов выводов в каждой области, начиная с области уровня 0 (подложки), затем 1 и 2, добавляются токи выводов областей, непосредственно входящих в нее.

В рамках метода структурной схемотехники разработан алгоритм определения реализуемых элементом логических функций, позволяющий перебирать варианты входов и выходов элемента, рассчитывать логические функции для нормальных режимов работы

и для основных отказов. Это можно использовать для поиска новых возможностей уже известных схем и предварительного просмотра логических функций, реализуемых новой схемой.

Расчет проводится для выбранных уровней напряжений на входах и выходах элемента. САПР позволяет работать не только с двоичной логикой ("О" и "1"), но и другими - например, "О", "1" и "-1". Расчет логических функций можно проводить и для случаев отказов элемента.

Метод структурной схемотехники позволил классифицировать известные биполярные, МОП и БиКМОП-элементы и дать прогноз новых. Систематизированы базовые элементы, реализующие простейшие функции. Для каждого конкретного варианта элемента, схемы его включения и уровней сигналов можно различать:

- режим работы (биполярный, МОП и другие);

- реализуемые логические функции;

- поведение элемента при отказах.

Анализ БиМОП и БиКМОП-элементов с помощью метода структурной схемотехники позволил выявить несколько достаточно универсальных элементов. Это У-МОП и КМОП-элементы.

В структуре У-МОП транзистора вертикальный п-р-п транзистор считают паразитным, мешающим реализации функций МОП-транзистора. Включение У-МОП транзистора в качестве биполярного не предусмотрено. Вывод р-области в У-МОП отсутствует как в дискретных, так и в интегральных схемах. Предлагается в У-МОП структуре формировать выводы от всех областей структуры, введя дополнительный управляющий электрод.

Технический результат состоит в объединении функций биполярного и МОП-транзисторов в одной полупроводниковой структуре, возможности использовать ее в качестве прибора с двумя уп-

равляющими электродами и, соответственно, расширении функциональных возможностей и контролепригодности.

Для использования стандартного КМОП-элемента в качестве универсального элемента БиКМОП-техноло.гии, КМОП-структура должна иметь выводы от всех областей. На рис. З.а приведена структура БиКМОП-элемента. Данная структура содержит все ак-. тивные элементы биполярных и МОП полупроводниковых ИС. На рис. 3.б приведена эквивалентная схема БиКМОП-элемента. На рис. 4 показаны элементы, которые можно реализовать на базе БиКМОП.

Расширение функциональных возможностей КМОП-элемента можно использовать для контроля его функционирования. Использование метода структурной схемотехники предполагает дальнейший анализ выбранных на ее основе элементов на базе известных методов.

Третья глава посвящена исследованию и разработке отказоустойчивых базовых элементов с помощью метода структурной схемотехники. В качестве основных видов отказов биполярных элементов приняты обрывы выводов областей и пробои р-п переходов.

Рассмотрено поведение при отказах простейших элементов ИС: диода, горизонтального транзистора, МОП-транзистора, вертикального транзистора, двухэммитерного транзистора. И2Л, Би-МОП-элемента и тиристора. В качестве примера в таблице 1 приведен перебор отказов БиМОП-элемента.

В качестве универсальной полупроводниковой структуры, на базе которой можно получить все основные активные элементы ИС, предлагается использовать БиКМОП-элемент. Используя разработанные методики проведено моделирование отказов БиКМОП-структуры.

И2(<0

Зг(8)

Рис. 3 БиКМОП-элемент:

а) структура б) обобщенная эквивалентная схема

п-МОП 1

р-МОП

7

вертик.1 двух-эмиттер- 3 ный транзистор

б|

п-р-п 1 транзистор 3

тирис- 1 тор

р-п-р транзистор

И2Л 1

1 2 8 КМОП 1 1 2 8

3 4 5 3 4 5

БиШОП 1

3

8 БиКМОП 1

5

51

61 БиРМОП 61

Рис. 4 Элементы, получаемые на базе БиКМОП-элемента

2

5

2

3

5

2

Таблица 1

Перебор отказов БиМОП-элемента

Виды отказов Эле> Вертикальное сечение ент после 01 Эквивалентная схема каза Название элемента Методы выявления отказов Можно использовать элементы

Пробои: 1->3 (или 2->3) - 14 2 3 —^У 1 1 Ь 1 г № Диод Повышенные токи областей 1 и 3 Диод(2-3)

короткое замыкание стока или истока на подложку 4->3 (пробой изоляции) и

¡з

14 2 3 т*»т<т Диод Неправильное воздействие по затвоРУ Диоды(1-3. 2-3)

Обрывы: 4_(обрыв цепи затвора) 1 (или 2) - обрыв 14 2 3 м # Горизонтальный транзистор Отсутствие управления по затвору ГТ(1-3-2)

14 2 3 Диод Ток области 1 равен 0 Диод(2-3)

цепи стока или истока 3 -обрыв цепи базы

14 2 3 1_л Р МОП- транзистор Ток области 3 равен 0 М0П(1-2-4)

тттг

- 17 -

Для одной и той-же функции, реализованной на разных элементах, можно промоделировать наиболее вероятные отказы и реализуемые при этом функции. Для некоторых реализуемых логических функций желательно запретить переход схемы в состояния, появление которых необходимо предотвратить. Желательно выбрать такую реализацию функции, которая дает наименьшую вероятность перехода в такие состояния.

Четвертая глава посвящена анализу и разработке отказоустойчивых узлов ЭВМ. Одной из актуальных проблем разработки высоконадежной микроэлектронной аппаратуры является создание самоконтролируемых ИС. В настоящее время не существует единого метода, позволяющего минимизировать объем дополнительной аппаратуры, используемой для создания самопроверяемых схем встроенного контроля, не снижая вероятности обнаружения неисправностей.

На решение этой задачи ориентирован разработанный метод оптимизации построения схемы контроля (СК) путем выбора выявляемых ей отказов. Предлагаемый метод "запрещенных состояний", позволяет проранжировать отказы устройства по степени целесообразности их выявления. При этом могут контролироваться как входы и выходы устройства, так и состояния его внутренних точек. Метод желательно применять на этапе проектирования схемы. Метод можно использовать для комбинационных схем и схем с памятью.

Обычно ИС предназначена для выполнения только части логических операций, которые могут быть ей реализованы. Следовательно, при нормальной работе схемы, она находится не зо всех возможных состояниях, а лишь в некоторых из них. Назовем эти состояния допустимыми. К запрещенным отнесем состояния, в ко-

- 18 -

торых схема не должна находиться при ее нормальной работе.

Принято разбиение отказов устройства на опасные и неопасные. Под опасными отказами понимаются запрещенные состояния устройства, приводящие к аварийной ситуации, например, ошибочное переключение светофора на зеленый цвет.

Функция отказов для комбинационной ИС определена как

г=и§7, 1

где Э! - состояния, в которые схема не должна переходить при нормальной работе;

и - знак объединения, П - пересечения.

При Ъ=1 в ИС имеет место отказ или сбой в работе.

Рассмотрим цифровую ИС с элементами памяти. Тогда допустимое состояние Б3+1 определяется как функция предыдущего состояния Б-, и набора Х;, + 1 напряжений на входах, т.е.

З3 + 1 = ГХ-) + 1).

При отказе или сбое ИС может перейти из допустимого состояния в одно из допустимых состояний или в одно из запрещенных состояний +!. Для определения правильности функционирования ИС ограничимся выявлением переходов в запрещенные состояния. Функция отказов данной ИС определяется как

гчЛБ! п [§Т77]]. 1 3+1

Проведен расчет надежности ИС с СК. Разработан алгоритм, позволяющий найти импликанты функции отказов, реализация которых в СК позволит увеличить надежность системы. Для увеличения надежности необходимо, чтобы: (И3/Ю*к0 - Кк > О,

где N3 - число выявляемых СК запрещенных состояний, N - общее число состояний ИС,

- 19 -

к0 - число элементов в ИС, кк - число элементоз з СК.

С помощью полученной формулы можно оценить изменение надежности ИС после реализации СК. Перебирая различные зарианты реализуемых в СК импликант функции отказов, можно использовать з качестве ограничений стоимость и число элементов з СК.

Для определения импликант функции отказов, реализация которых приведет к максимальному увеличению надежности ИС с СК можно воспользоваться методами полного перебора возможных вариантов {метод динамического программирования л др.} или методами направленного перебора (метод "наискорейшего спуска").

При применении метода динамического программирования для любого набора реализуемых з СК импликант определяется суммарное число выявляемых запрещенных состояний г.3 л число элементов в СК к*. Выбирается зарлант. для которого полученное выражение максимально л больше нуля.

Проведена разработка устройства непрерывного дистанционного измерения крутящего момента трансмиссионного вала вертолета. Устройство выводит результаты на индикатор, предусмотрена возможность зывода данных з бортовую 32М для лх анализа.

При проектировании схемы использозан метод "запрещенных состояний". Наиболее опасным отказом устройства является отсутствие зывода сигнала о критических нагрузках на зал зерто-лэта. Сигнал о величине нагрузки выводится на сзетсзой индикатор. 3 первую очередь важно не пропустить появление сигнала о величине нагрузки, близкой к критической, в старших разрядах индикатора. В разработанное устройств.; зстрсены :редстза для самотестирования устройства во время работы. За каждый такт

выводятся на индикатор, показывающий, правильно ли функционирует устройство.

3 приложении приведены: программы и результаты расчетов базовых элементов, характеристики БиКМОП-элементов. а также акты внедрения результатов диссертации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Раззит метод анализа отказоустойчивых элементов и узлов ЭВМ - метод структурной схемотехники. Метод позволяет рассмотреть информационные системы как иерархические системы элементов и узлов, взаимодействующих между собой как по вертикали, так и ло горизонтали.

2. Рассмотрены физические эффекты, лежащие з основе совмещенной БиКМОП-технологии. Приведен обзср литературы по современным и перспективным БнКМОП-элементам и узлам на их баге. Рассмотрены перспективные отказоустойчивые элементы на сазе с овмещенкых тэхноло гнй.

3. Ка базе структурной схемотехники разработаны методики анализа отказоустойчивых базовых элементов ИС. Базовые элементы рассмотрены как единые системы взаимодействующих областей.

4. Проведены экспериментальные исследования БиКМОП-элемен-тсз. предложены их модели и методики расчета. Предложены методы моделирования отказов биполярных. МОП и БиКМОП-элементоз 'АС. Разработана классификация БиКМОП-элементов.

5. Разработаны инженерные методики моделирования отказов биполярных. МОП и БлКМОГ.-злэментов ;:с анализа трансформаций лх Зуккций после отказе=. Предложены методы расчета логических

~ • .....у ""'[ЗУ"'''1'*" 2."3 ^ - ~'М ~ С.М ""^П --Г*«* - -ТС,7

- 21 -

6. Предложен метод отбора и выявления наиболее опасных отказов элементов и узлов ЭВМ, при минимизации общих затрат на схемы выявления отказов.

7. Разработано устройство для измерения крутящего момента вертолета с заданными требованиями к надежности.

Основные положения диссертации отражены в следующих работах:

1. Добронравов O.E., Либерман Ф.Я., Михайлов А.Г. Система анализа и поиска базовых структур БИС.//"Автоматизация проектирования в радиоэлектронике и вычислительной техники". М.: Знание, 1990, С.46-49.

2. Добронравов O.E., Либерман Ф.Я., Михайлов А.Г. САПР отказоустойчивых базовых элементов. Тезисы докладов по итогам недели "Наука-96", М.: МИИТ, - 1996.

3. Либерман Ф.Я., Михайлов А.Г. Диалоговая система моделирования иерархических структур полупроводниковых микросхем. Сб. тр. МИИТа, вып. 795, 1988, С. 134-138.

4. Либерман Ф.Я., Михайлов А.Г. МОП-транзисторы как биполярные элементы. Сб. тр. МИИТа, вып. 838, 1990, С. 130-133.

5. Либерман Ф.Я., Михайлов А. Г. Структурная схемотехника. Тезисы докладов по итогам недели "Наука-95", М.: МИИТ, - 1995.

6. Либерман Ф.Я.,Михайлов А. Г. Моделирование отказов в структурах полупроводниковых интегральных микросхем. Сб. тр. МИИТа. 1991, вып. 847, С. 36-41.

7. Либерман Ф.Я.,Михайлов А. Г. Оптимизация базисных структур логических элементов интегральных микросхем. Сб.тр.МИИТа, ВЫП. 847, 1991. С. 64-67.

8. Либерман Ф.Я., Каменский П.А., Михайлов А.Г. Система с симметричным диалогом. Тезисы докладов по итогам недели "Hay-

ка-95". M.: МИИТ, - 1995.

9. Михайлов А.Г. Метод запрещенных состояний. Сб.тр. семинара научного совета по комплексной проблеме "Кибернетика" АН СССР "Анализ и синтез устройств преобразования и хранения информации на быстродействующих негатронах и автоматизация их проектирования на ЭВМ" (Таганрог, 1992 г.).

10. Михайлов А.Г. Метод запрещенных состояний для узлов ЭВМ.Тезисы докладов по итогам недели "Наука-96",М.:МИИТ,-1996.

И. Михайлов А.Г. САПР базовых элементов интегральных микросхем. //Отчет о научно-исследовательской работе (по плану важнейших тем Госкомобразования) "Разработка методов аппаратурных и программных средств использования в учебном процессе микропроцессоров, микроэвм и локальных вычислительных сетей для автоматизированного обучения, САПР, машинной графики и автоматизации инженерного труда. М.: - 1991, 125 с.

12. Михайлов А.Г., Малинский C.B. Разработка механизмов взаимодействия отраслевых информационно-аналитических центров с региональными и федеральными информационно-аналитическими центрами//Научно-технический отчет для Государственного Комитета по Промышленной Политике. М. : 1994. - 30 с.

13. Либерман Ф.Я.,Михайлов А.Г. Биполярные транзисторы и ключи на их основе//Методические указания. МИИТ, 1994, 32 с.

14. Либерман Ф.Я.,Михайлов А.Г. Полевые транзисторы и ключи на их основе//Методические указания. МИИТ, 1995, 36 с.