автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Технологические процессы планарного цикла серийного производства жидкокристаллических индикаторов

ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ОБЪЕДИНЕНИЕ "РЕФЛЕКТОР"

Д\Я служебного пользования

экз.№ 7.3_

На правах рукописи

РЕШЕТНИКОВ Борис Константинович

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПЛАНАРНОГО ЦИКЛА СЕРИЙНОГО ПРОИЗВОДСТВА ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ

ИНДИКАТОРОВ

(специальность 05.27.01 — твердотельная электроника и микроэлектроника)

ДИССЕРТАЦИЯ

в виде научного доклада -на соискание ученой степени кандидата технических наук

САРАТОВ - 1995

Сарзтосо".!" ггсу

техи' чсс.к^- у. ИН2, Мл

■

-£к

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор, академик АИН РФ — УЛАСЮК В.Н. (г.Москва); канд идат технических наук— ПОСАДСКИЙ В.Н. (г.Саратов).

Ведущая организация:

Центральный научно—исследовательский институт "Комета" (г.Москва).

Защита состоится " Й1 " апреля_1995г. в 13 час.

на заседании диссертационного Совета Д 106.35.02 Саратовского государственного технического университета по адресу: 410054, г.Саратов, ул.Г1олигехническая, 77

С диссертацией в виде научного доклада можно ознакомиться в библиотеке Саратовского государственного технического университета.

Диссертация в виде научного доклада разослана

1995г.

Ученый секретарь диссертационного Совета

В.А. СОСУНОВ

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Настоящая диссертация посвящена решению народнохозяйственной задачи, направленной на совершенствование промышленной технологии :ершшого производства изделии знакосинтезирукяцей электроники — кидкокристаллическнх индикаторов (ЖКИ) и экранов (ЖКЭ), используемых в электронных часах, микрокалькуляторах, электронных играх, персональных «»тьюторах, измерительной радио—, электронной, медицинской и другой шпарагуры. '

Актуальность работы определяется расширением масштабов 1рименения различных средств отображения визуальной информации шдивидуального и коллективного пользования, необходимостью обеспечения иродного хозяйства товарами культурно—бытового назначения и специальной ехники. Все это связано с решением комплексных задач по созданию и 1азвитшо высокопроизводительной, экономичной и конкурентоспособной течественной технологии крупносерийного производства ЖКИ, неуклонным игровым ростом производства жидкокристаллических индикаторов (до 4 млрд. м.долл. в 1994г), уникальностью электрофизических (прежде всего оптических) эксплуатационных свойств ЖКИ.

Работа вьшолнена в ПО "Рефлектор" — крупнейшем производителе ККИ в России — и явилась органическим продолжением ранее начатых работ.

Исследования проводились в плане комплексных программ по азвиппо оптоэлектронных устройств в России, определенных постановлениями яда министерств, ведомств и высшей школы.

При определении цели работы мы исходили из следующих основных ринципов. Во—первых, в основу работы была положена преемственность 1зовым технологическим процессам крупносерийного производства ЖКИ. При гом обязательной являлась "обкатка" каждого технического решения впосредсттзенно в опытном и серийном производстве ЖКИ. Во—вторых, вставленные в диссертации проблемы требовали всестороннего исследования атериаловедческих, технологических и конструкторских вопросов в тесном »трудничестве с фундаментальной и прикладной наукой, с их методологией, с ¡пользованием новейших методов и аппаратуры, включая математическую ¡работку результатов. В—третьих, мы считали важным осуществлять •-следования так, чтобы полученные выводы гарантировали качество 1ГОТОБЛЙШЫХ впоследствии узлов, деталей и конечной продукции ЖКИ в лом.

Таким образом, целью работы явились проведение исследований и зработка эффективных материалов и технологий, обеспечивающих высокие сплувтационные параметры массовых жидкокристаллических индикаторов, едрение результатов работы в серийное производство, повышение оизводительности труда и снижение себестоимости индикаторов, для чего ебовалось:

комплексное изучение физико —химических и поверхностных свойств зкла электродных плат ЖКИ, разработка концепции и технологии фсктивной очистки;

исследование свойств тонких оксидоиндиевых пленок (ИТО— пленки), рассмотрение условий их осаждения в вакуумных установках магнетронного напыления, разработка оптимальных технологий серийного производства;

оптимизация процесса формирования токопроводящего топологического рисунха электродных плат ЖКИ методом трафаретного нанесения защитных печатных красок и нового способа прямой плоской печати;

исследование возможности создания бездефектной структуры травленного топологического рисунка для высокоинформативных ЖК — дисплеев;

внедрение результатов работы в серийное производство ЖКИ и учебный процесс на филиалах кафедры Саратовского госушшерситета при ПС "Рефлектор".

Научная новизна работы состоит в следующем :

1.Установлено, что адгезионные свойства ИТО—плёнок, напылённых на подложку щелочно—силикатного стекла, в большей степени зависят от наличия и параметров промежуточного слоя, а не от содержания загрязнений на поверхности стекла.

2.Выявлен комплекс физико —химических и эксплуатационнъп факторов, влияющих на технологию магнетронного способа формировали* низкоомных прозрачных ИГО—пленок.

3.Впервые исследован и разработан комплекс материалов, технологии и оборудования для формирования токопроводящего рисунка ИТО—плёнок ( помощью нанесения защитной краски методом трафаретной и прямой плоско! печати.

4.Впервые рассмотрены вопросы получения бездефектной топологического рисунка для высокошзформативных ЖК—дисплеев с помощьк комбинированных материалов и технологий их нанесения.

Защищаемые положения и результаты:

1.М.одель системы стеклянная подложка — ИТО—плёнка, объясняющая адгезионные свойства плёнок и основанная на существовании промежуточного слоя продуктов гидролиза щёлочно — силикатного стекла подложки.

2.Способ стабилизации процесса нанесения ИТО—пленки с помощи реактивного магнетронного напыления на постоянном токе за счет автоматического регулирования содержания кислорода в плазме, позволяющж получать ИТО—плёнки с сопротивлением 10...20 ом/квадрат и оптически; пропусканием до 90%.

3.Состав краски с улучшенной реологией и повышенно: жизнестойкостью (до 200 часов) для нанесения на ИТО—плёнку методо] Трафаретной и прямой плоской печати защитной маски с высоким качество: (сплошность, растекаемость, рельефность, кислотная стойкость, экологичность : т.д.) н разрешающей способностью до 80 ркм.

4.Технологический процесс изготовления бездефектной структур: травленного топологического рисунка ИТО —плёнки высокоинформативны индикаторов — жидкокристаллических экранов методом двойной фотолито-. трафии защитной маски

Практическая значимость работы определяется:

внедрением ее результатов в опытное и серийное производство ЖК — ндикаторов на крупнейшем в России предприятии —изготовителе изделий пакосинтезиругогцей электроники — ПО "Рефлектор";

разработкой опытных образцов ЖК— индикаторов и ысокоинформативных ЖК —экранов в рамках опытно—конструкторских и ¡аучно —исследовательских работ в НИИ знакосинтезирующей электроники Волга";

получением экономического эффекта от внедрения результатов в лапе новой техники и авторских свидетельств на изобретения;

созданием на филиале кафедры технической химии Саратовского осуниверситета при ПО "Рефлектор" учебного процесса, включая разработку ;овых спецкурсов в области материаловедения знакосинтезирующей лсктроники, издание соответствующих учебных пособий и лабораторного рактикума.

Научный вклад автора.

В диссертации обобщены результаты исследований 1983 — 1994гг. штор настоящей диссертации явился инициатором и научным руководителем аучно—исследовательских и опытно—конструкторских работ по овершенстаованшо технологии производства ЖКИ, разработке новых [атериалов, внедрению результатов работы в серийное производство, озданию методики подготовки студентов Саратовского госуниверситета в бласти конструирования и технологии изделий знакосинтезирующей лектроники. Работа проводилась в рамках межотраслевых я международных рограмм, в формировании и выполнении которых соискатель принимал ;епосредственное участие.

Автор определил направления и задачи исследований, лично частвовал в проведении экспериментов, в теоретическом обобщении юзультатов, решении методологических вопросов, в конструкторско — ехнологических разработках по созданию ЖКИ и высокоинформатавных кранов на их основе. Им лично составлялись заявки на изобретения, I ал я саны главы в научных изданиях /1,2/.

Апробация работы и публикации.

Материалы работы доложены на Всес. симпозиуме "Дисплей—90" Саратов—1990г.), Республиканской конференции по практическому (спользованиго жидких кристаллов (Баку—1989г), Совете Главных инструкторов по средствам отображения информации ( Москва, Отрадное — 992г и Москва, Отрадное — 1594г), Республиканской конференции по новым эормам обучения в университетах (Пермь — 1990г) и изложены в 18 губликациях, в том -числе 2 научных изданиях, 3 статьях, 5 изобретениях и [атентах, 8 тезисах докладов, а также в ряде информационных листков Жидкокристаллические дисплеи".

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

1. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ МАРШРУТ ПРОИЗВОДСТВА ИНДИКАТОРОВ

Научно—методические и организационно —технические направлен!« разработки эффективного серийного производства индикаторов на жидкиз кристаллах основывались на результатах научных исследований в области физики и химии ЖК с использованием серийных технологий производстве микроэлектронных приборов на предприятиях электронной промышленности Вазовое производство ЖКИ быХо разбито на два больших цикла — планарнъи и сборочный:

пленарный цикл — очистка стекла, формирование токопроводягцегс рисунка (нанесение токопроводящего покрытия, создание защитной маски травление токопроводящего покрытия, снятие маски, очистка электродов контроль электрических замыканий и обрывов на токопроводящих рисунках) пассивация электродной пластины (ири необходимости), формирована ориентирующего слоя, нанесение калибраторов (опорных элементов) ъ герметика по периметру электродной пластины;

сборочный цикл — совмещение электродных пластин в пакет термическое склеивание пакета, заполнение пакета рабочим ЖК—материало> и герметизация заливочной щели, очистка пакетов, контроль параметров приклеивание поляроидов, контроль параметров, маркировка индикатора.

Рассматривая процесс производства индикаторов в целом, анализируз литературные данные и реальное состояние дел по производству ЖКИ, мь пришли к выводу, что актуальным является проведение комплексные исследований в планарном цикле изготовления индикаторов, так как о-качества первичных узлов и их деталей зависят потребительские свойства трудоемкость и экономичность производства приборов. Учитывая, что процео ориентации молекул ЖК на платах индикаторов в достаточной степени изучи в работах Н.Г. Кузьмина, В.П. Севостьянова, В.П. Лукьянченко и др. авторов мы сосредоточили особое внимание на изучении поверхности стеклянных пла' индикаторов, методов ее очистки и анализа, методов нанесения на стекл< прозрачных токопроводящих низкоошшх окисно—индиевых слоев \ формирования заданного топологического рисунка.

2. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКОЕ И СТРУКТУРНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ СТЕКЛА ЭЛЕКТРОДНЫХ ПЛАТ ЖКИ И МЕТОДЫ ИХ ОЧИСТКИ

Содовое (щелочно—силикатное) стекло является основным элементог производства плат ЖКИ. От физико —химических свойств поверхности стекле внутренних напряжений, коэффициента термического расширения, оптически: параметров, механических и др. характеристик принципиально зависи качество ЖКИ. Стекло, обладая специфическими свойствами, требуе пристального изучения и контроля качества при изготовлении пла индикаторов. Поэтому в процессе работы было проведено комплексное (с> статистической обработкой данных) изучение поверхности стекла пракпгчесю всех стеклозаводов России и стран СНГ (заводы Саратова, Бора, Гомеле Одессы, Курлово, Гусь—Хрустального, Лисичанска), фирм "Асахи Глас" ]

лппон Электрик Глас" (Япония), "Коршшг Глас" (США), "Флах Глас", "Шог ас" (Германия), "Ветро" (Италия), "Пилигтоп" (Англия), "Главербель" (Бельгия) др., а также специализированного стекла собственной вытяжки, готовляемого в ПО "Рефлектор" /ЗЛ

Методы изучения свойств и структуры поверхности стекла и несенных металлизированных покрытий выбирались нами как исходя из ставленных задач, так и с учетом имеющегося исследовательского орудования и инструментальной базы. В первую очередь к ним относятся — фракция рентгеновских лучей и быстрых электронов, методы электрошюй юевечившощей микроскопии и химического анализа, элипсометрия, Оже—, <— и Уф— спектроскопия и другие, принятые в производстве стекла и ЖКИ.

По полученным экспериментальным данным нами были определены, фиксированы и утверждены в соответствующей нормативной документации ОСТ 683 - 85, СТ СЭВ 2390-ВО, ТУ 21 -РСФСР-35-85, ТУ 21 -РСФСР-96-, ТУ 21 — 23— 101 —87 и др.) основные технические требования к стеклу ЖКИ | : кривизне пластин, плоскостпости, толщине, разнотолщинности, допускам I формату и размерам по диагонали, угловым допускам, качеству кромки дубина, ширина, внешний вид), остаточным внутренним напряжениям, >эффициенту термического расширения и т.д., а также по специфическим [раметрам, как волнистость, микроволнистость, чистота поверхности, .мочения, свили и т.д. Сравнительный анализ по уровню технологии юизводства ЖКИ в ПО "Рефлектор", на смежных предприятиях страны и за /бежом показал, что при прочих равных условиях от качества стеклянных частиц, оцененных по указанным выше параметрам, можно достаточно позначно прогнозировать качество и процент выхода годных ЖК — 1дикаторов с учетом заложенных в них конструктивных особенностей и .ектрооптических эффектов.

При проведении исследований мы исходили из теоретических и хпериментальных фактов, что адгезия напыленных слоев может служить зитерием пригодности поверхности стекла и способа очистки для процесса тыления. В качестве таких тестовых металлизированных покрытий была .тбрана тонкая плёнка ванадия (500 А).

На основе проведенных исследований и результатов внедрения в мховое производство ЖКИ можно сделать следующие основные выводы.

Электроолтические характеристики нанесенных прозрачных ИТО слоев прочность их адгезионного сцепления с поверхностью определяются гаеством стеклянной подложки, однозначно зависящим от завода — 1готовителя и закладывающимся уже в процессе вытяжки стекла, эзникновение в процессе хранения и транспортировки на поверхности стекла «рушенного слоя различной толщины и структуры (состоящего в основном из леобразной кремниевой кислоты с растворенными солями щелочных и елочно—земельных металлов) связано с наличием микронапряжений в стекле, эогрессирующих в процессе термических отжигов (градиента температур).

Условия хранения стекла (включая транспортировку) могут быть ипающими для определения величины сцепления металлической пленки с здложкой. Было проведено искусственное "старение" стекла под действием )еды со 100% влажностью путем выдержки в воде, в парах кипящей воды при 1зличных давлениях, температурах и времени, с помощью отжига пластин при = 350 — 400 °С. Таким образом, было показано, что задача химической шетки стеклянных подложек ЖКИ заключается не только в удалении ировых и других загрязнений или следов предыдущих технологических зераций, а, в первую очередь, в удалении разрушешшго поверхностного слоя,

т.е. комплексной подготовке поверхности перед непосредственны!-форшгрованием на ней ИГО—слоев.

Выводы позволили построить качественную модель адгезионноп взаимодействия, с учётам промежуточного слоя оценить электрооптически< параметры прочных ИТО—слоев и, как следствие, разработать финишнук очистку стекла раствором жидкого стекла при рН = 10. В результате дашип обработки происходит не только удаление загрязнений и более легкое травление поверхности стекла, но и определенное его "лечение" за сче! обогащения (замены вакансий щелочных металлов на "полимерные цепочки' оксида кремния Н—БЮ—БЮ— ) — кремниевой кислоты.

3. ФОРМИРОВАНИЕ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК НА СТЕКЛЯННЫХ ЭЛЕКТРОДНЫХ ПЛАТАХ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ИНДИКАТОРОВ

В работе /1/ подробно освещены вопросы формирования тонких пленог в вакууме и химическими методами. Рассмотрены процессы конденсации образования зародышей и рост тонких пленок; проанализированы их физико -химические и электрооптические свойства, адгезия. Специальный разде; посвящен формированию пленок на электродных пластиназ жидкокристаллических индикаторов. Анализ литературных данных и реальны« требования к параметрам ЖКИ в целом показывают, что одной из технически; проблем, неизбежно возникающих при разработке оптоэлектронньо модуляторов света является получение прозрачных низкоомяыз токоггроводящих слоев. Основным! материалами, используемыми для из получения, являются смешанные оксиды индия—олова (ИТО —слои).

3.1. Общая характеристика ИТО—пленок, полученных методом вакуумного

напыления

На рис.3.1а показана микрофотография поверхности ИТО—пленки полученной диодным катодным распылением. Эти пленки имеют развитук поверхность (морфологию), высота неровностей в среднем составляет 100....250А, т.к. при этом методе происходит разогрев подложки в плазм« тлеющего разряда (до температур 773 К).

Развитая поверхность легко загрязняется и длительное время удерживает загрязнения. Оже—анализ подтверждает это. Очистить такой развитый рельеф обычными методами затруднительно, и жидкий кристалл при контакте с тонкое пленкой деградирует.

С появлением магнетронного метода, основанного на локализации плазмы в области мишени в скрещенных полях (электрическом и магнитном с "арочной" конфигурацией), промышленность стала активно его применять из-за ряда принципиальных преимуществ (высокая скорость напыления до 100( А/мин, "холодная" подложка, возможность полной автоматизации процесса). Не рис.3.1б приведена фотография поверхности ИТО—пленок, напыленньи реактивным магнетронным способом из металлической мишени. Поверхности этих пленок имеют малоразвитый рельеф как до, так и после отжига (при Т= 573 К в течение 5 мин при давлении 1,33 Ю-2 Па), т.е. структура плёнок является стабильной.

Оже—анализ "диодных" пленок показывает, что загрязнет поверхности хлорными и серными соединениями (рис.ЗЛа) у них выше, чем "магнетрошшх". Далее отметим легкость травления последних (малое врег травления) в слабых растворах кислот и щелочей и в этой связи малое влияш обработки на чистоту окружающей среды.

Среди множества технических и научных проблем, связанных получением ИТО—пленок машетронным распылением на постоянном токе ] металлической мишени, особенно важное значение имеет выяснение характс] протекающих в камере явлений и способов стабилизации технологачесю процессов в реактивной среде.

3.2. Модель реактивного распыления индия в магпетрояной установке

Модельные представления реактивного распыления оксидно—индиевс мишени в магнетрошшх установках нами рассмотрены подробно в работ; /1,3,7/. При этом в основу анализа были положены два представления. Первс — о разделении потока реактивного газа аргонкислородной смеси на тр потока: направленный к мишени и несущий молекулы кислорода поверхности мишени; направленный к стенкам камеры, где происход! частичное взаимодействие кислорода с материалом камеры; направленный систему откачки и представляющий собой избыток кислорода, 1 прореагировавший в процессе напыления. Второе (исходя из физико химических процессов взаимодействия индия с кислородом) — возникновении потоков распыленного металла от мишени к подложке обратно к мишени и стенкам камеры.

В результате анализа были получены математические выражена описывающие взаимодействие кислорода с индием, включая особенном процесса на поверхности мишени на стенках камеры и непосредственно I: поверхности стеклянной электродной платы ЖКИ, а также показывают!: расход кислорода в рабочей камере установки, кинетику распыления индия мишени.

3.3. Исследование способов управления магнетронным разрядом при реактивных процессах напыления плепок

Публикации по технологии получения ИТО—пленок и наш собственные работы /1,4—7/ позволяют сделать вывод о перспективности (дл серийного производства) реактивного магнетронного распылени металлических мишений (1а +- Бп) на постоянном токе. Рассмотрим в это связи графическую зависимость сопротивления 1^3 и оптического пропускали Т ИТО—пленок от парциального давления кислорода при магаетронно: распылении металлической индиевой мишени на постоянном токе.

На рис.3.2 приведены три графика: изменение поверхностног сопротивления Кб, оптического пропускания Т ИТО—пленок и изменени напряжения разряда ХЛр в смеси аргон—кислород от процентного содержали кислорода в смеси. Следует иметь в виду, что мы рассматриваем тольк

арактер зависимостей, а не абсолютные значения величины Яб, ир, Т. Из нализа = I (%Ог) можно сдЬлать вывод о том, что наименьшие значепия 1Ъз ри высоком оптическом пропускании реализуются только при проведении роцесса в рабочей зоне. Незначителыше колебания содержания кислорода в меси от номинала уже могут сказаться на конечном результате. Таким бразом, рабочая зона — это интервал в границах которого необходимо держивать быстро протекающий процесс для получения ннзкоомных розрачных ИТО—пленок. Нами было предложено и разработано техническое юшение этой проблемы, нашедшее широкое применение при конструировании пециализированного оборудования (для производства ИТО—пленок) в отрасли.

В интересующей нас рабочей зоне зависимость напряжения разряда }р= Ц%0) носит косинусоидальный характер, а величина сШр/сЮг имеет .остаточно высокие значения. Следовательно, ир при реактивном распылении в 1агнетронном процессе представляет собой функцию скорости распыления юталлической индиево—оловянной мишени, включающую (косвенно) поток «активного газа — кислорода — вследствие его влияния на окисление мишени. I сжатой формулировке принцип стабилизации разряда можно изложить ледуюгцим образом : в качестве контролируемого параметра используется лектрический параметр разряда — напряжение, которое регулирует поток ислорода с целью поддержания постоянства напряжения разряда, что при табилизированном токе разряда обеспечивает стабилизацию мощности |азряда.

На рис.3.3 /1/ представлена блок—схема управления и стабилизация гагнетронного разряда, согласно предложенному нами способу: параллельно гатнетрону в цепи питания устанавливают резистор, сигнал с которого будет гропорционален изменению напряжения в разряде. Далее сигнал усиливается и гоступает на схему сравнения с заданным уровнем, разностный сигнал [ревращается в сигнал управления натекателем, регулирующий поток ислорода в камеру. Если напряжение разряда уменьшилось, что является юевенным признаком уменьшения скорости распыления (связанного со тепенью оскислония мишени, вызванного, в свою очередь, избытком кислорода [ли другой причиной), то сразу же поступит сигнал на блок управления [атекателем и поток кислорода уменьшается до тех пор, пока не исчезнет 1азность между заданным и имеющимся уровнями.

Предложено еще несколько вариантов способа стабилизации разряда, [апример : выделяется шумовой сигнал на частоте 10 МГц в полосе 2 МГц, оторый усиливается, и с помощью автоматического регулирования по току ибо по напряжению поддерживает величину шумового сигнала на постоянном ровне. Если в магнетронной установке для создания магнитного поля рименяется электромагнит, можно осуществить такую же операцию, |егулируи ток питашы электромагнита и, в итоге — величину шумового игнала. Таким образом, шумовой сигнал связывается обратной связью с отоком кислорода и управляет процессом при постоянной скорости источника итания. Управление разрядом и его стабилизация через обратную связь величина напряжения — уровень кислорода) достаточно просты и позволяют оспроизводимо вести реактивный магнетронный процесс получения ИТО — ленок.

Лк &

1 \ £

У ь ^\ 8 3 Ж Ю А \г

и?, ё т„%

100

400 390

380 1

50

0

Ог(%) 6 смеси С Аг

Рис.3.2. Изменение: 1 — напряжения разряда, 2 — поверхностно! сопротивления, 3 — оптического пропускания плешей от содержания кислород в плазме, область А — рабочая зона

4

з

2 А

Рис.3.3. Блок —схема управления и стабилизации разряда в магнетронно установке при реактивном процессе напыления ИТО—слоев: 1 — ' бло управления натекателя, 2 — схема сравнения, 3 — усилитель, 4 — источни питания, 5 — магнетрон

.4. Исследование технологии напыления прозрачных проводящих ИТО — пленок па магпстронпых установках для серийного выпуска плат жидкокристаллических устройств

Модельные представления /1,4/ позволяют сделать ряд практических зодов о схеме построения технологического процесса реактивного цстронного получения ИТО—пленок. Однако следует учитывать, что ряд, гущений, сделанных для лучшего понимания физики, проходящих при жтивном распылении процессов, в его реальных условиях!начинают вносить >еделенный вклад в картину происходящих явлений. Необходимо учитывать, стационарный режим в промышленных установках, как правило, лизован быть не может из—за существенных технологических трудностей I имитации непрерывного потока подложек. Качественно описание этих щессов напоминает картину попадания газовых загрязнений при ■озовании в установке распыления алюминия. При распылении в период, :дшествующий реактивной фазе, происходит очистка мишени от оксида, т.е. тема приводится к первоначальным исходным условиям. По нашим работкам, степень очистки мишени следует контролировать по величине [ряжения разряда (Ь'р) при распылении в переактивной среде (аргоне). При гижешш максимального значения ир, характерного для конкретной гструкции магнетрона, необходимо переходить к реактивной' фазе пыления (с кислородом), но напыление на подложки проводится нами не зу, а после установления динамического равновесия в камере.

Если напряжет« разряда уменьшилось, что является косвешшм I знаком уменьшения скорости распыления (связанного со степенью гсления мишени), можно увеличить быстродействие системы в целом. Для го в камеру постоянно подается небольшой фоновый поток азота, воздуха [ водорода на уровне 1,33 Ю-2 Па. Это интересное явление обнаружено ш и опробовано при работе серийного оборудования типа И40830042

Рассмотренный технологический процесс позволяет получать гококачественные ИТО—пленки с толщиной от Х/8 до Х/4 3500 нм) за мя цикла 6...10 мин. Сопротивление пленок (Яз) находится в интервале .200 Ом/квадрат.

С целью сокращения времени получения полного цикла и увеличения изводит елыюста оборудования нами разработан вариант технологии нетронного реактивного распыления, когда подача кислорода в камеру исходит одновременно с зажиганием разряда. Процесс стабилизации ряда происходит за 40...50 с, что в 2...3 раза быстрее стабилизации по 1Вому варианту. Такое изменение технологии требует применения ынерционального натекателя кислорода (типа СНА—1 или СНА—2 — зонатекатель) и прецизионного поддержания уровня давления аргона в юре с точностью ± 3% от номинале.

Напряжение разряда в смеси аргон—кислород уменьшается при гьших напряженностях магнитного поля магнетрона и при подаче в камеру олнительного газа, особенно водорода. Мы считаем, что водород играет игую роль в процессе очистки поверхности мишени от оксидов. Результаты ктрального анализа остаточной атмосферы в камере магаетронного пыления, полученные нами с помощью масс—спектрометра МХ —7303, яются оригинальными.

3.5. Технология получения низкоошшх ИТО—пленок методом реактивного магаетронного распыления индиево—оловянной мшпони на постоянном ток

в смеси аргон —кислород

Для жидкокристаллических матричных экранов необходима проводят; разводка с минимальным поверхностным сопротивлением на уровне 1*5=5...: Ом/хвадрат. Это условие диктуется большими линейными размерам проводников (до 300 мм) и их малой шириной (до 20...80мкм). При толщш ИТО—пленок, полученных магнетрошшм реактивным распылением I "холодную" (при Т=300 К) подложку на постоянном токе, с толщиной до 1500 и прозрачностью более 83% показатель Из лежит в интервале 40...21 Ом/квадрат. Для получения ИТО—пленок с 1^=5... 15 Ом/кводр; оптимизирован процесс матетронного напыления: работа при небольших токе разряда (например, для планерной мишени с размерами 500x500 — это 2..3 с подложка перед напылением должна быть нагрета до температуры 473..573 ] процесс следует проводить при возможно более низком давлении смеси камере, стабилизацию разряда в камере осуществлять по способу, описанно> нами ранее; уровень примесей в газовой атмосфере должен быть миыимале: обязательное введение в камеру постоянного фонового потока водорода, ч: стабилизирует процесс по скорости напыления; поддержание посгаяннс температуры поверхности мишени, анода и стенок камеры для стабилизащ-процессов протекания реакции и сорбции; перемещение подложек воа испарителя (мишени) не должно вносить возмущений в установившийся поте нейтрального и реактивного газов.

Важным явились работы по разработке технологии существенного воспроизводимого уменьшения сопротивления пленок ИТО при температурнь отжигах в различных атмосферах /5/.

Экспериментально было установлено, что устойчивое понижет сопротивления ИТО—плетши наблюдается при ее отжиге в атмосфере водоро/ при температуре 400..450 °С. Эффект снижения тем более выражен, чем вьш сопротивление исходной пленки. При этом остальные параметры плене существенно улучшались. Так,например, при толщине ИТО —слоев 1000...1200 после водородного отжига показатель преломления их оставался в преде; 1Д..2, а пропускание на уровне 85—87%. Работы в этом направлена продолжаются.

4. ФОРМИРОВАНИЕ ТОКОПРОВОДЯЩЕГО РИСУНКА ПЛАТ ЖКИ МЕТОДОМ ПЕЧАТИ

4.1. Метод трафаретной печати

Основные исследования в настоящей работе были направлены 1 совершенствование процесса получения заданного топологического рисуш ИТО—слоев наиболее перспективным методом трафаретной печати /2,7/.

В серийных технологических процессах, основанных на трафарета с печати, минимальный размер элементов формируемого рисунка обычно I менее 250...300 мкм. Данное обстоятельство является сдерживающим. В связи этим существует необходимость повышения разрешающей способно« трафаретной печати, вплоть до воспроизведения схем с размерами элементов промежутков между ними 100...150 мкм.

Как выявили проведенные исследования, для применения в серийном оизводстве трафаретной печати в целях формирования прецизионных юлогических структур необходима оптимизация практически всех гтавлятощих печатного процесса, включая выбор печатной краски /7 — 10/.

Предшествующий опыт показал, что наиболее применимыми для спроизводимого и стабильного печатного процесса являются печатные краски рий СТ3.12, СТ3.19 и новые фотополимеризующиеся композиции, в стности, краска ультрафиолетового отверждения ФПК —ТТЦ (ТУ 6—14 — 19 — ,082-82).

С учетом реальной величины растекания печатной краски необходимо [ло разработать технологию изготовления трафаретных форм с минимальной 5риной печатающих элементов 70...80 мкм. Для таких трафаретов наиболее гимальным явилось применение металлической сетки из нержавеющей стали 0040-0064, ТУ 14 -4167 - 72 и полиамидной ситовой ткани N 90 ПА-56, 73 >1-53, ТУ 17 РСФСР 62 10791-84.

Для формирования сетчатого трафарета была выбрана и технологически работала фотополимеризующаяся композиция (ФПК) "Ликофот ТР", личающаяся высокими репродукционными свойствами, хорошей ражестойкостью и реализацией минимальных элементов 50 мкм.

Реализация процесса прецизионной трафаретной печати стала, кроме го, возможной благодаря внедрению полуавтоматической установки афаретпой печати ЭВ —8135. В этой связи крайне важными явились работы модификации составов красок /8,9,11/. Б частности, для улучшения чагных свойств краски и увеличения ее разрешающей способности в состав Г3.12 или ФПК—Т1Д дополнительно вводится поверхностно—активный (ПАВ) шоалкиловый эфир полиэтиленгликоля,

С1ЕН37(0-СН-СН)в-0Н, где п = 15..30,

гакже полярное соединение триэтаноламиностеарат

[НК(СН2-СН2-ОН)з]+ -СНги^СОО", где т= 14..17.

Использование ПАВ эфира полиэтиленгликоля приводит к замедлению орости испарения краски в процессе ее эксплуатации, уменьшает ее липкость трафарету, и тем самым улучшает технологичность процесса в целом, азанное изменение свойств связано с распределением макромолекул ПАВ на верхности слоя краски, препятствующим диффузии молекул растворителя из объема. При действии больших сдвиговых напряжений в процессе печатания оисходит деструкция молекул пленкообразователя, что приводит к еньшгашю вязкости краски. Добавление полярного соединения иэтаноламиностеарата приводит к ассоциации молекул пленкообразователя и, стоге, к улучшению гиксотропности композиций в целом. Вследствие наличия печатной краски свойства тиксотропносги значительно улучшаются четкость воспроизводимость отпечатка топологического рисунка.

Предложенный состав печатной краски позволил стабилизировать оцесс изготовления печатных плат и плат индикаторов, применить томатизированное оборудование, реализовать более четкий и практически здефоктный по сплошности и разрывам рисунок (отпечаток). Кроме того, биться улучшения разрешающей способности краски, уменьшить ее стекаемостъ, повысить жизнеспособность, принципиально увеличить % кода годных плат в серийном производстве (табл. 1).

Таблица

Свойства печатных красок защитной маски

при травлении ИТО — плёнки

Параметр печатной краски, Характеристики печатных красок по:

электродных плат «г индикаторов базовому образцу (СТЗ-12, СТЗ-19) предлагаемой реиептуре (СТЗ'Р

1. Параметры краски: - разрешающая способность, мкм 200...300 80...100

- растекаемость от исходного, мкм 30...40 10...20

- жизнеспособность, ч 2...5 150...200

- время стабильного печатания, ч 0,5...1,0 2,0—2,5

- стойкость к концентрированной НС1, мин 10...15 40...50

2. Качество изготовленных плат: - брак по снятию краски в 0,1% р-ра КОН при Т=70...80 °С, % до 10 до 5

- брак по режиму сушки (закреплению) при Т=180...200 °С, % до 10 1...2

3. Качество индикаторов, изготовленных ва платах: - - брак по разориентации, % 10...12 до 3

- брак по дефектам токопроводящего покрытия, % до 10 до 5

Для перевода максимально большего количества изготовляемых плат с олитографни на трафаретную печать, а также повышения выхода годных г желательна переработка топологического рисунка плат для увеличения норов элементов и промежутков между ними. В ходе настоящей работы эаботаны принципы точного воспроизведения элементов рисунка различной фигурации, включающие приемы проектирования, изготовления |>аретных форм, печати и травления, что в определенной мере компенсирует остаточную прецизиошюсть метода трафаретной печати.

Необходимо подчеркнуть значительную работу, выполненную для гижения в процессе печати требуемой точности совмещения печатаемого унка относительно базовых граней пластины, необходимой для последующей рки. Выработана методика совмещения с точностью 20 мкм за счет цизионной установки трафарета и столика. Разработаны конфигурации ерных знаков, позволяющие точно обозначить линию скрайбирования при гговлении групповых пластин.

Один из важнейших аспектов замены фоторезистивной маски на ¡итный рисунок из краски — это адаптация процесса вытравливания унка. Найден способ "мягкого" травления путем связывания части кислоты юмощыо добавки. Новый травигель внедрен в производство. Освоены оды ускоренного травления, уменьшающие время травления до 4...6 мин /2/.

4.2.Мстод прямой плоской печати

Массовое производство ЖКИ поставило задачу принципиального личения производительности процессов производства электродных плат И в пленарном цикле. Совместно с Киевским филиалом НИИ полиграфии л поставлены научно—исследовательские работы по нанесению защитного рытия на проводящую ИТО— пленку стеклянной платы полиграфическим одом прямой плоской печати (МППП). Надо отметить, что в отечественной зарубежной практике при изготовлении плат МППП не применяется, ювременно ставилась принципиальная задача : не только увеличить «зводительность процесса, снизить его энерго— и материалоемкость, но и ытаться увеличить разрешающую способность топологического рисунка.

Прямая плоская печать имеет определенные особенности перед фаретной. Так, при МППП печатываемые и пробельные элементы лежат в ой плоскости и при накладывании на поверхность платы печатной формы с ской соприкасаются не только печатываемые, но и пробельные элементы. )бенностъ МППП заключается в устойчивом избирательном смачивании атываемых элементов формы краской, т.е. в совмещении в одном цикле териале) двух аспектов — гидрофобность печатываемого элемента и рофильноегь — пробельного. Процесс осложняется тем, что стекло и ИТО— и не впитывают печатную краску.

В результате проведенных исследований в качестве базовой была 5рана типографская краска типа С04.12—33 ТУ ТЗ ПК С15 —81, модернизация орой по липкости, вязкости, тиксотрошюстя и другим реологическим йствам (прежде всего за счет введения сикативов и тиксотропных добавок), также технологии нанесения и сушки красящего слоя совместно с работашшм и изготовленным технологическим оборудованием, позволили спечить малую полярность входящих в краску компонентов и, как следствие, юшуто ее смачиваемость и прилипание к поверхности красочных валиков атных элементов формы и запечатывающего материала. Удалось также

добиться ровной, 2...3 мкм, толщины маскирующего слоя, устойчивого концентрированной соляной кислоте (основного гранитоля ИТО—пленки) течение 6...7 мин., низкой (100... 120 °С) температуры высупшвания. Kpaci свободно, без дополнительных механических и др. воздействий, удаляет< слабощелочным раствором КОН.

Итогом исследований явилась разработапная оптимальная рецептур защитной краски, технология ее приготовления, подобраны составы и режим изготовления печатной формы (кислотостойкой и механически прочие офсетной резины). Проведено массовое апробирование технологи: разработано и изготовлено макетное и серийное оборудование ,у производства электродных стеклянных плат ЖКИ в ПО "Рефлектор", результате этих работ производительность печатной машины состава; 500... 1000 отпечатков/ч на пластинах размером 105x130x0,4 мм, что обеспечивас выпуск индикаторов для электронных наручных часов (для ЖКИ типа ИЖЦ8 • 8/7) в количестве 10 млн. и более в год. Разрешающая способность достигла ! мкм (против 100...150 мкм по технологии трафаретной печати массово] производства ЖКИ). Важным явилось и то обстоятельство, что печать формы метода МППП не имеют ограничения по линейным размерам сравнении с сетжотрафаретами и намного их дешевле /13/.

5. ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ БЕЗДЕФЕКТНОГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАТ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭКРАНОВ

Отличительной особенностью плат жидкокристаллических экране (ЖКЭ) с высокой информационной емкостью являются малые расстоянк между проводящими дорожками 30...40 мкм н значительные габаритнь: размеры стеклянных заготовок, до 200x300 мм. Количество токопроводящк дорожек на плате ЖКЭ составляет от 200 до 640. Получение бездефектных пле ЖКЭ с необходимыми параметрами может быть возможно только путе совершенствования условий и техники исполнения каждой операци фотолитографического процесса.

5.1. Общие технологические процессы

Одной из самых серьезных проблем фотолитографии являете нанесение равномерного по толщине бездефектного слоя фоторезиста, работе /2/ рассмотрены практически все известные методы, использующиеся фотохимии при нанесении светочувствительных слоев на поверхность плоски заготовок: центрифугирование, нанесение с помощью валика, нанесен! окунанием с вытягиванием заготовки с постоянной скоростью из растворс фоторезиста, нанесение распылением в электростатическом поле, нанесет поливом (в том числе с помощью смачиваемого в фоторезисте фитиля).

Центрифугирование является наиболее распространенным методо нанесения фоторезиста, особенно если требуется его одностороннее покрыта Однако при переходе ко все большим размерам подложек усиливаем неравномерность слоя фоторезиста. Главным образом это относится возникающему краевому валику. Экспериментально установлено, что размс краевого валика D в значительной степени зависит от скорости вращени центрифуги W, поверхностного натяжения L и плотности фоторезиста d, также радиуса подложки R и выражается формулой :

0 = 217(1™^.

В этой связи для выравнивания слоя фоторезиста иами дополнительно «пялись следующие приемы: предварительный полив или панесспие ком фоторезиста на всю поверхность платы, резкое ускорение центрифуги ачале цикла формирования фотослоя, увеличение частоты вращения рифуги.

Нанесение фоторезиста методом "окунание— погружение" заготовки в вор фоторезиста и вытягивание с постепенной скоростыб является широко ространешшм способом формирования фотослоя. Очевидно, что слой >резиста в этом случае формируется на обеих сторонах платы, что в случае говки пластин ЖКИ является недостатком. Кроме того, при использовании о метода появляется клинообразное утолщение слоя фоторезиста от лего края платы к нижнему вдоль направления вытягивания. Однако, при гынетш скорости вытягивания с 500...600 до 200...300 мм/мин отношение гималыгой и минимальной толщины слоя фоторезиста падает с 1,8...2,0 до гмлемых величин 1,2... 1,4. Таким образом, в операции нанесения >резиста необходимо задавать скорость вытягивания (продолжительность

нанесения) и вязкость. Экспериментально установлено оптимальное ношение компонентов рабочего раствора фоторезиста в диоксане в ношении — 1:3. Это соответствует вязкости рабочего раствора 4,0 сСт и Д1ей толщине наносимого слоя фоторезиста ФП—1,5—2,0 мкм при >ости вытягивания 300 мм/мин.

При решении вопросов получения бездефектного топологического /нка в случае платы ЖКЭ, а равно и групповой платы ЖКИ, рассмотрены и эбованы следующие варианты: использование фотошаблона с повышшшой [костью покрытий (металлизированного); двукратная фотолитография с эльзованием двух разных копий топологического фотошаблона; двуслойное аярование с использованием рисунка, полученного в одном из слоев, в гсгве фотошаблона для второго слоя.

Крупноформатные фотошаблоны с металлизированными или алло оксидными покрытиями серийно не выпускаются. В связи с заботкой ряда изделий, требующих проведения прецизионной' олитографии на крупноформатных заготовках, нами изготовлены и обированы опытные образцы фотошаблонных заготовок по трем юлогиям : стеклянные заготовки формата 280x200 мм с железооксидным рытием и защитным слоем фоторезиста; стеклянные заготовки формата с40б мм с покрытием из тонкого слоя химически осаждешюго никеля с дтным слоем фоторезиста; заготовки с диффузионно окрашенным слоем ида меди на поверхности стекла. Формат заготовки 300x300 мм и более, рытие стойкое. Необходимо отметить перспективность всех вариантов пноформатных фотошаблонов при совершенствовании технологии их эговления.

5.2. Метод двойных масок

Наиболее перспективным методом бездефектного формирования ологического рисунка плат является способ двойного маскирования. Один из вариантов — последовательное формирование двух взаимно совмещенных ¡итных рельефов, позволяющее исключить обрыв токоведущих дорожек в

защитном покрытии и, следовательно, необходимость регулирования рисун перед травлением.

Исследована и предложена технология, при которой вторым ело защитного рисунка является печатная краска трафаретного нанесения. Спос< включающий трафаретную печать, при некоторых его недостатках позволь добиться почти абсолютного качества с точки зрения исключения дефектов

Основной проблемой при реализации описанных технологическ методов в производстве является выполнение требований по хорошо совмещению (с точностью не хуже 30 мкм) фотошаблонов размером бо/ 200x300 мм.

Достаточно простым и дешевым способом резкого уменьшен количества дефектов фотолитографии является использование защитне рельефа сформированного рисунка в качестве маски для экспонирован второго слоя /2 — 12, 15, 16/.

При использовании этого метода после формирования топологическс рисунка в первом слое фоторезиста между операциями проявления перве слоя фоторезиста и вторым нанесением слоя фоторезиста проводи! термическая обработка первого слоя. Далее осуществляется формирование обработкой нерабочей стороны стеклянной подложки. При этом роль защити маски (шаблона) выполняет термически задубленный непрозрачный для } лучей рисунок первого слоя фоторезиста.

Защитный рельеф второго слоя фоторезиста практически бездефектен обладает высокими эксплуатационными характеристиками, исходя следующих положений. Во-первых, за счет термообработки первого сл фоторезиста повышается его надежность и тем самым исключается взаимн растворимость фоторезистов. Во-вторых, снижается до минимума появлен дополнительных дефектов в связи с отсутствием в технологии второго шабло! В—третьих, обеспечивается точное совмещение двух слоев фоторезисшвн маски, так как маской второго слоя фоторезиста служит первый термичес: задубленный слой. В-четвертых, принципиально снижается количест дефектов типа "прокол" (сквозных дефектов) и их размеры.

Теоретически рассмотрены различные условия проведения операщ экспонирования в параллельном пучке света (коллимировазшом) и сходящем пучке (например, от равномерно светящейся полусферы).

Таким образом, при высокой контрастности фоторезиста (налич световой характеристики с резким порогом по интенсивности) уменьшен интенсивности света в 2 раза достаточно для того, чтобы дефекты типа "проке не появились в экспонированном слое (вследствие интерференции света различных зон Френеля и дисперсионной формы контуров дифракционш максимумов). Все это приводит к тому, что пороговые условия экспонирован выполняются на площади, меньшей площади дефекта, т.е. уменьшают размеры и число дефектов типа "прокол" /12,13/.

Экспериментальные данные подтверждают приведенные выше расчет Так, дефекты размером 5...15 мкм практически не воспроизводятся во втор! слое фоторезиста.

Значительно снижена трудоемкость процесса за счет исключения стад) изготовления фотошаблонов для второго слоя, проведения операщ совмещения, ретуширования дефектов, повышения процента выхода годш изделий как на операции производства электродных плат, так и п] изготовлении изделий в целом.

6. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате выполненной работы проведено комплексное наследование следующим направлениям: разработке материалов, технологическим оцессам, оборудованию и оснастке, направленных на развитие одного из кнейших направлений электронной техшгки — создание перспективных здетв отображения визуальной информации — жидкокристаллических дикаторов; внедрению результатов работы в массовое производство ЖКИ с \учепием экономического эффекта; разработке и внедрению в учебный оцесс Саратовского госуниверситета спецкурсов и практических работ, зравлегазых на подготовку высококвалифицированных кадров в области жтронной техники /1, 2, 17, 18/.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Изучены особенности свойств и морфологии поверхности стеклянных отовок плат ЖКИ. Экспериментально, на основе статистических данных, эеделены основные технические требования к стеклу и состоянию его зерхности. Показано, что адгезионные, электрические и оптические эактеристики нанесенных ИТО—слоев принципиально зависят от кронапряжений в стекло, прогрессирующих в процессе последующих шературных отжигов и воздействия внешних условий и закладывающихся юсредствезшо на заводах—изготовителях в процессе вытяжки стекла.

2. Предложено в качестве обязательного условия очистки стеклянных 1Т ЖКИ для последующего формирования на них низкоомных, прозрачных :опроводящих ИТО—слоев удаление разрушенного поверхностного слоя 1вяпр1м раствором жидкого стекла при рН= 10, позволяющим заполнять ;ансии ионов щелочных металлов в матрице стекла "полимерными ючками" оксида кремния.

3. Разработана модель и предложены способы формирования ИТО — ев на поверхности стеклянных плат ЖКИ на установках магнетронпого пыления из металлических мишсний, с регулированием и стабилизацией ряда и содержания кислорода в плазме в рабочей зоне с помощью обратной зи.

4. Проведено комплексное физнко —химическое исследование состава и йств щелочно —смываемых красок трафаретного нанесения. Впервые ;азаио, что введение в состав красок поверхностно —активных гоалкиловых эфиров полиэтиленгликоля, а также полярного соединения сса триэтаноламиностеарата приводит к улучшению реологических свойств ски, уменьшению ее растекаемости (до 10...20 мкм), увеличению срока знеспособности (до 150...200ч) и позволяет добиться устойчивой решающей способности топологических рисунков ИТО—пленок до 80 мкм.

5. Впервые разработана технология и изготовлено специализированное рудование для нанесения защитного топологического рисунка печатной ской методом прямой плоской печати с разрешающей способностью на вне 80... 100 мкм при производительности установки 500...1000 отпечатков/ч.

6. Исследованы различные технологические способы получения дефектного изготовления плат ЖК—индикаторов и высокоинформативных анов с информационной емкостью 200x640. Предложены конкретные

технические решения но использованию в качестве второй маски экспонированного первого слоя фоторезиста и печатной краски.

7. Результаты работы внедрены в серийное производство ЖКИ на ПС "Рефлектор", опытное производство экранов — в НИИ "Волга", в учебный процесс факультетов Саратовского госуниверсигета.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ ИЗЛОЖЕНО В СЛЕДУЮЩИХ ПУБЛИКАЦИЯХ :

1.Севосгьянов В.П., Аношкин А.В., Решетников Б.К. Знакосинтези— ругащая электроника: методы получения тонких пленок. Изд—во Саратовского госуниверситета: Саратов, 1993, 103 стр.

2.Севостьянов В.П., Решетников Б.К., Мраморнов И.В. Знакосинтези — рующая электроника: фотолитография. Изд—во Саратовского госунивереитета: Саратов, 1993, 139 стр.

З-Анотшаш А.В., Решетников Б.К., Финкельштейн С.Х. Формирование токопроводящих низкоомных окисно—индиевых пленок для электродных плат ЖКИ супертвиста// В сб. Информатика. Сер. Средства отображения информации. 1091г., вып.2—3, С.75—7?.

4Аношкин А.В., Мраморнов И.В., Решетников Б.К. Формирование токонроводящего рисунка индикаторных приборов методом прецизионной трафаретной печати// В сб. Информатика. Сер. Средства отображения информации, 1991, вып. 2—3, С.65—68.

5А.с. N1713388 А1 (СССР) МКИ Н01121/312. Способ получения топологического рисунка платы/ Решетников Б.К., Севостъянов В.П., Гугкин И.И. (СССР) Опубл. 16.01.90.

6.Аношккн АВ., Решетников Б.К., Назарова Е.М. Исследование способа формирования токонроводящего рисунка ЖКИ методом полшрафа// Всес. симпозиум "Дисплей — 90". Тезисы докладов. Саратов. 1990. — С.8

7 .Аношкин АВ., Решетников Б.К. Формирование токопроводящих низкоомных окисно—индиевых пленок для электродных плат ЖКИ супертвиста. С. 14 // Всес. симпозиум "Дисплей—90". Тезисы докладов. Саратов. 1990.

8.Решетников Б.К., Мраморнов И.В., Аношкин АВ. Формирование токопроводящего рисунка индикаторных приборов трафаретной печатью высокого разрешения //Всес. симпозиум "Дисплей—90". Саратов, 1990. —С. 18.

Э.Заявка на а.с. N5058128 (СССР) МКИ НО 11 21/321.Краска для трафаретной печати/Решетников Б.К., Севостъянов В.П., Мраморнов И.В. и др. (СССР). Положит, решение от 03.08.92г.

Ю.Патент 2020641 по заявке N4934815 (Россия) МКИ Н011 31/32 Способ изготовления блока индикатора /Решетников Б.К., Назарова Т.М., Гредина В.В. и др. (Россия). Приоритет от 12.05.93г.

11. Заявка на а.с. N4806154 (СССР) МКИ Н011 21/Зг Способ изготовления электродных плат. /Решетников Б.К., Татаринов С.И., Ссвостьяноб В.П. и др. (Россия). Положит, решение от 16.05.94г.

12-Реп1етников Б.К, Аношкин А.В. Плазмо—химическое травление диэлектрических слоев в капилляре жидкокристаллических индикаторов //Жидкие кристаллы и их применение. Материалы республиканской конференции. Баку, 1990. —С.16.

13. Аношкин А.В., Решетников Б.К Исследование технологии получения зкоомных ИТО—плёнок для" целей создания высокоинформативных ЖК эанов. //Жидкие кристаллы и их применение. Материалы республиканской 1ференции. Баку, 1990. — С. 10.

14.Решегников Б.К., Мраморнов И.В., Аноппшн А.В. Формирование 1ады цветных светофильтров для ЖК экранов на активной подложке •Кидкие кристаллы и их применение. Материалы республиканской тференции. Баку, 1990. — С.17.

15.Заявки на а.с. №92 -009358/25(СССР) МКИ НО| И 21/321. Состав :твора для получения ориентирующих пленок для ЖКИ Я способ получения монтирующих пленок / Решетников Б.К., Счастнев В.А., Лысункин В.Ю. и др. иоритет от 01.12.92. Положит.рсшспие о выдаче патента России от 02.03.94г.

16.Решетников Б.К., Севостьянов В.П., Кузьмин Н.Г. и др. Жидкокрис— ' лические дисплеи: серийная технология производства жидкокристаллических идкаторов для электрошшх наручных часов и электронных игр. формационные листы. М.:Изд—во ВИМИ №92-1080, 92 — 1086, 92—1149, >2, 12с.

17.Севостьянов В.П., Решетников Б.К., Малякина А.Г. Профессиональная геологическая подготовка студентов химического факультета университета на ювой кафедре ПО "Рефлектор" / Совершенствование учебного процесса и зые формы обучения в университетах. Тезисы докладов республ. научн. 1ференции. Пермь: ПГУ, 1990. — С.1В5

18.Дементьева Е.А., Малякина А.Г., Решетников Б.К. Социальпо— геологический тренинг студентов Саратовского госуниверситета, тчагощихся на филиалах кафодр ПО "Рефлектор"//' В сб. Современное гверситетское образование: проблемы и перспективы. Саратов: Саратовский университет. 1994, вып. I. С.92 — 95.

РЕШЕТНИКОВ Борис Константинович

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПЛАНАРНОГО ЦИКЛА СЕРИЙНОГО ПРОИЗВОДСТВА ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ИНДИКАТОРОВ

ДИССЕРТАЦИЯ

в вндо научного докдода '

доцент Захаров А.А.

формат 60x84 1 — 16 УЧ. — издл. 1,4 Бесплатно.

Ответственный за выпуск _

Корректор Панина ОЛ.

Подписало в печать 10,03. 55

Бум. оберт. Усл.—печл. 1,39 (1,5)

Тираж 70 экз. Заказ 1.

атовский государственный технический университет.

)54, г.Саратов, ул.Политехническая, 77.

шршгг СПУ, 410054, г.Саратов, ул.Политсхшгчсская, 77.