автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Рентгенодифрактометрическое исследование деформаций гетероструктур кубической и гексагональной систем

Введение

Г лава I. Физические и структурные характеристики гетероструктур

1.1. Деформации и их влияние на физические 12 характеристики эпитаксиальных гетеро структур

1.2. Зависимость критической толщины 22 псевдоморфного эпитаксиального слоя от упругих напряжений и величины HI IP.

1.3. Цель исследования и постановка задачи

Глава II. Континуальная теория упругости многослойных гетероструктур.

2.1. Источники искажений формы и 37 внутренней структуры кристалла

2.2. Уравнения континуальной теории 43 упругости для кристалла, искаженного действием различных источников.

2.3. Уравнения континуальной теории 47 упругости для кристалла с распределением точечных дефектов

2.4. Тензор НПР и полная система уравнений 51 континуальной теории упругости гетероструктур.

Глава III. Основные уравнения упруго- и пластически деформированного состояния гетероструктур кубической и гексагональной сингоний

3.1. Тензор упругой жесткости для 57 гетероструктур с ориентациями пленок

001), (110), (111) кубической и (0001), (21 10) гексагональной сингоний

3.2. Основные уравнения для решения задачи 64 упруго- и пластически деформированного состояния гетероструктур

3.3. Многослойная гетероструктура 67 произвольного типа

3.4. Упруго- и пластически деформированная 72 двухслойная гетероструктура

Глава IV. Определение структурных параметров в эпитаксиальных кристаллических системах

4.1. Определение компонент тензора 79 деформации методом рентгеновской дифрактометрии

4.1.1. Метод кривых качания

4.1.2. Рентгенодифрактометрическое 84 измерение кривизны

4.2. Влияние пластической деформации 89 подложки на профиль напряжений и критическую толщину эпитаксиальнои пленки.

4.2.1 Расчет положения нейтралей в двухслойной ЭС кубической сингонии.

4.2.2 Расчет критических толщин эпитаксиальной пленки кубической сингонии.

4.3. Рентгенодифракционный способ определения параметров многослойных гетероструктур.

4.4. Способ рентгенотопографического исследования гетероструктур на сателлите сверхрешетки.

Актуальность.

Развитие ряда областей науки и техники и твердотельной микроэлектроники, в частности, в значительной степени связано с возможностью создания высокосовершенных гетероэпитаксиальных пленок с заданными физическими свойствами [1-8]. Качество структуры таких гетероэпитаксиальных композиций определяется в первую очередь минимальным значением упругой и отсутствием пластической деформаций в активной области (рабочей области прибора) [5,9]. Эффективность и надежность работы приборов полупроводниковой микроэлектроники зависит от плотности дефектов структуры на гетерогранице и в активной области, поскольку известно, что они являются активными центрами безызлучательной рекомбинации [5, 9].

При эпитаксиальном росте пленки возможно ее когерентное (так называемый псевдоморфный рост) и некогерентное сопряжение с подложкой [10]. При псевдоморфном росте несоответствие параметров решеток (НПР) пленки и подложки не приводит к образованию дислокаций несоответствия (ДН) и макроскопически упругие напряжения для данной системы имеют максимальное значение. При отклонении от псевдоморфного роста релаксация упругих напряжений приводит к образованию ДН, вследствие чего сопряжение пленки с подложкой становится частично когерентным [9, 10]. Выяснение причин, вызывающих отклонение от условий псевдоморфного роста представляет принципиальный интерес [10].

Известно [5, 9], что при превышении толщины пленки и ее НПР характерных критических значений, плотность ДН коррелирует с изменением толщины пленки и ее НПР. Кроме того, в гетероструктуре наблюдается асимметрия плотности дислокаций и их типа в плоскости гетерограниц [11]. Этот процесс перехода системы из когерентного состояния в некогерентное является кинетическим и связан с конкретным механизмом генерации дислокаций и их движением. Пластическая деформация системы, возникающая как следствие образования линейных дефектов структуры, является своеобразным отображением отклонений от условий псевдоморфного роста.

Характерно, что при этом изменяется ряд физических (например, полупроводниковых) характеристик системы, заданных первоначально концентрацией твердого раствора, а значит и величиной HTTP. Так, в частности, для гете-роструктур полупроводниковых соединений АШВУ существует определенная взаимосвязь между структурными характеристиками (НПР, пластическая деформация, напряжения) и такими физическими характеристиками, как, например, квантовый выход излучательной рекомбинации, полуширина и энергия максимума краевой полосы фотолюминесценции, ширина запрещенной зоны, поляризация излучения в инжекционных гетеролазерах [12-15].

Одним из основных параметров, определяющих структурное совершенство и физические свойства гетероструктур, является величина HTTP [5, 9, 12-15]. Корректный расчет НПР и напряжений в пленках трех- и четырех-компонентных твердых растворов возможен только при наличии необходимой информации о пластической и полной деформации системы. В связи с этим экспериментальные измерения деформации системы и развитие количественных методов расчетов НПР, его градиента и напряжений имеет не только важное научное, но и прикладное значение.

В настоящее время существуют различные прямые и косвенные методы измерения деформаций и напряжений в гетероструктурах, например, [9, 1215, 16]. К косвенным методам относятся различные пьезооптические методы, основанные на измерении диэлектрической проницаемости в оптическом диапазоне длин волн, расщеплении экситонных линий поглощения, смещении края поглощения, сдвиги полос фотолюминесценции и др. Недостатком всех косвенных методов является невозможность послойного определения тензора деформации в многослойной гетероструктуре. В этом отношении прямые методы, основанные на дифракции излучения рентгеновского диапазона длин волн, обладают существенным преимуществом. Из прямых методов, наиболее перепективными с точки зрения неразрушающего анализа гетероструктур и экспресс-ности получения экспериментальных данных являются: метод кривых качания [17], метод измерения кривизны [18] и метод широкорасходящегося пучка [19]. Однако до последнего времени слабо освещены возможности этих методов с точки зрения повышения их чувствительности и получения наиболее полной информации о полях деформации в многослойной гетероструктуре.

Не менее важным является следующее обстоятельство. При расчете HTTP и напряжений по измеренным деформациям [9, 16, 20-22] следует последовательно и, по возможности, полно провести учет следующих факторов: вклад пластической деформации, изменение компонент тензора упругой жесткости. Кроме того, необходимо учесть соотношения между толщинами эпитаксиаль-ных слоев и подложки, а также конкретную функциональную зависимость концентрации твердого раствора, а значит и НПР в глубь кристалла. Последовательный учет всех этих факторов позволяет не только корректно рассчитать НПР и напряжения, но и прогнозировать изменение упруго-напряженного состояния гетероструктуры в процессе изготовления приборов. Наличие такой информации должно стимулировать построение количественных зависимостей между НПР, пластической деформацией и напряжениями с одной стороны и физическими характеристиками с другой, а также установление причин их взаимосвязи с условиями роста.

Указанные обстоятельства также чрезвычайно важны при создании эпи-таксиальных сверхрешеток (CP) [23] методом эпитаксии деформированных слоев [24-25]. В этом случае решетки слоев, составляющих гетероструктуру, не согласованы по параметру решетки, но толщины этих слоев достаточно малы, поэтому несоответствие решеток компенсируется значительной деформацией слоев, но без генерации ДН на их межфазных границах. Принципиальным обстоятельством при эпитаксии деформированных слоев является то, что возможно выращивать бездислокационные слои, толщины которых почти на порядок превышают толщины, предсказываемые равновесными теориями образования дислокаций. Детальное физическое понимание механизма образования ДН в гетероструктурах и CP с несогласованными слоями является ключом к получению принципиально новых классов материалов, созданных из веществ с несходными свойствами [26-28].

Решение этих фундаментальных проблем позволило бы не только оптимизировать получение самих гетероструктур и CP, но и прогнозировать изменение ряда технических параметров приборов, изготавливаемых на их основе.

Цель работы.

1. Создание специальных рентгенодифракционных методов, позволяющих получать информацию о структурных параметрах на основе измерения компонент тензора деформации и кривизны многослойных гетероструктур.

2. Развитие континуальной теории упругости гетероструктур кубической и гексагональной систем с целью расчета величины несоответствия параметров решетки (НПР) по измеренным рентгенодифракционным (РД) методом компонентам тензора деформации.

3. Расчет критических толщин псевдоморфных эпитаксиальных слоев с учетом анизотропии упругих свойств и наличием пластической деформации подложки.

Научная новизна.

1. Разработан РД способ измерения тангенциальной компоненты тензора деформации sxy в плоскости гетерограницы.

2. Разработан РД способ определения структурных параметров в четырех-слойной гетероструктуре.

3. Разработан рентгенотопографический способ исследования монокристаллов на сателлите акустической сверхрешетки.

4. Проведен расчет критических толщин псевдоморфных слоев с учетом анизотропии упругих свойств системы и наличия определенного знака пластической деформации подложки.

5. Впервые вычислены корреляционные факторы для расчета HHP в гексагональной гетероструктуре по измеряемым РД методам компонентам тензора деформации.

Научная и практическая значимость работы.

Разработанные в диссертации методы позволяют определять ряд структурных параметров многослойных эпитаксиальных систем, информация о которых необходима для получения гетероструктур с заданными физическими свойствами. Основные результаты диссертации являются методической основой для способов РД анализа измерения тангенциальной компоненты тензора деформации, толщин переходных областей на гетерограницах и рентгенотопо-графического метода на сателлите сверхрешетки. Разработанные методы позволяют прогнозировать изменение структурных параметров в процессе изготовления из гетероструктур приборов твердотельной электроники.

Развитые в диссертации методы были использованы для контроля технологии при производстве гетероструктур соединений Аш Ву, а также в учебном процессе при чтении лекций по спецкурсам на физическом факультете Кабардино-Балкарского госуниверситета.

Главные защищаемы положения.

1. Созданы РД способы измерения тангенциальной компоненты тензора деформации вху в плоскости гетерограницы и определения структурных параметров в четырехслойных гетероструктрах.

2. Создан рентгенотопографический способ исследования монокристаллов на сателлите акустической сверхрешетки.

3. Полученные в результате развития континуальной теории упругости аналитические выражения для корреляционных факторов позволяют рассчитать НПР в гексагональной гетероструктуре по измеряемым РД методам компонентам тензора деформации.

4. Показано, что при расчете критических толщин псевдоморфных эпитакси-альных слоев в общем случае необходимо учитывать как анизотропию упругих свойств системы, так и пластическую деформацию в подложке.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации были доложены и обсуждались на следующих конференциях, совещаниях и семинарах:

1. IV Всесоюзное совещание "Дефекты структуры в полупроводниках". Новосибирск. 1984.

2. Всесоюзное совещание "Проблемы рентгеновской диагностики несовершенства кристаллов". Ереван. 1985.

3. Конференция "Субструктурное упрочнение металлов и дифракционные методы исследования". Киев. 1985.

4. Второе Всесоюзное совещание по всесоюзной межвузовской комплексной целевой программе "Рентген". Ереван. 1987.

5. IV Всесоюзное совещание по когерентному взаимодействию излучения с веществом. Юрмала. 1988.

6. Всесоюзная конференция "Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в кристаллах с динамическими и статическими искажениями". Ереван. 1988.

7. Всесоюзная конференция "Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в кристаллах с динамическими и статическими искажениями". Ереван. 1988.

8. III Всесоюзное совещание по всесоюзной межвузовской комплексной программе "Рентген". Ереван. 1989.

9. Российская конференция "Приборы и техника ночного видения" Нальчик. 2002 г.

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 16 работ [29-44], в том числе получено 3 авторских свидетельства на изобретения.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и основных результатов, изложенных на 133 страницах текста, включающих 25 рисунков и 13 таблиц. В конце диссертации приведен список литературы из 134 наименований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

В диссертации развиты специальные рентгенодифракционные методы количественного определения ряда структурных параметров многослойных эпитаксиальных систем, таких как компоненты тензора деформации пленки в плоскости гетерограницы и несоответствия параметров решеток для ряда ори-ентаций гетероструктур кубической и гексагональной систем. Развитая в диссертации методика позволяет при комбинированном травлении слоев и подложки определить РД методом величины несоответствия, толщины слоев и переходных областей между ними в многослойной гетероструктуре.

Получены также общие формулы для критической толщины пленки и положения нейтралей в подложке. Данные соотношения учитывают анизотропию упругих свойств и зависимости по глубине эпитаксиальной системы как от НПР, так и от компонент тензора пластической деформации. Как показывает приведенный расчет, учет анизотропии упругих свойств и наличия сетки дислокаций в подложке может приводить к существенным изменениям критической толщины. Это обстоятельство может иметь важное значение для расчета профиля деформации в многослойных эпитаксиальных структурах. Соответственно, корректная интерпретация рентгенодифракционных данных, полученных от таких структур, должна учитывать не только упругую деформацию, возникающую при когерентном сопряжении эпитаксиальных слоев, но также и возможность генерации дислокаций при превышении критической толщины пленки.

Основными результатами диссертации являются следующие:

1. Разработан РД способ, позволяющий измерять тангенциальную компоненту тензора деформации в^ в плоскости гетерограницы.

2. Разработан РД способ, позволяющий определять такие структурные параметры в четырехслойной двойной гетероструктре, как толщины переходных областей и значения НПР слоев.

1. Алферов Ж.И. Гетероструктуры и их применение в оптоэлектронике //Вестник АН СССР.1976.Вып.7.С.28-40.

2. Валиев К.А Микроэлектроника и пути развития. М.:Наука, 1986. 142 с.

3. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.: Наука, 1986. 144 с.

4. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998, Т.32.№1. С.3-18.

5. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Закономерности дефектообразования•2 Св гетероэпитаксиальных структурах соединений А В для оптоэлектрони-ки //Кристаллография. 1977. Т.22. Вып.2. С.431-447.

6. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии: Пер. с англ. М.: Мир, 1985. 494 с.

7. Суэмацу Я., Араи С. Интегрально-оптический подход к разработке перспективных полупроводниковых лазеров // ТИИЭР. 1987. Т.75. №11. С. 38-55.

8. Форрест С.Р. Оптоэлектронные интегральные схемы // ТИИЭР. 1987. Т.75. №11. С. 55-65.

9. Тхорик Ю.А., Хазан JI.C. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев.: Наукова думка, 1983. 304 с.

10. Чернов А.А. Процессы кристаллизации // Современная кристаллография. М.: Наука, 1980. Т.З. С.7-232.

11. Kavanagh K.L., Capano М.А., Hobbs L.W. Asymmetrical in dislocation densities, surface morphology? and strain of GalnAs/GaAs singl heterolayers// J. Appl. Phys. 1988. V.64. N 10. P. 4843-4852.

12. Хапачев Ю.П., Чуховский Ф.Н. Развитие рентгенодифрактометрического метода определения деформаций, напряжений и несоответствия в гетеро-структурах. // Методы структурного анализа. М.: Наука. 1989. С.188-204.

13. Хапачев Ю.П., Чуховский Ф.Н. Деформации и напряжения в многослойных эпитаксиальных кристаллических структурах. Рентгенодифракцион-ные методы их определения. // Кристаллография. 1989. Т.34. Вып.З. С. 776-800.

14. Chukhovskii F.N., Khapachev Yu.P. X-Ray Diffraction Methods for Determination of Stresses and Strains in Multilayer Monocrystal Films. // Crystallography Reviews. 1993.V.3. P.257-328.

15. Устинов В.М., Захаров Б.Г. Макронапряжения в эпитаксиальных структурах на основе соединений АШВУ // Обзоры по электронной технике. Сер. 6. Материалы. 1977. Вып. 4 (492). 34 с.

16. Ishida К., Matsui J., Kamejima Т., Sakuma I. X-ray Study of AlGaAs Epitaxial Layers, //phys. stat. sol. (a). 1975. V.31. N 1. P.255-262.

17. Cohen B.G., Focht M.W. X-Ray measurement of Elastic strain and annealing in Semicinductors. // Solid state Electronics. 1970. V. 13. N 1. P. 105-112.

18. Арсентьев H.H, Берт H.A., Конников С.Г., Уманский B.E. Определение упругих напряжений в гетероструктурах методом широкорасходящегося пучка рентгеновских лучей. //ФТП. 1980. Т. 14. Вып. 1. С.96 -100.

19. Олсен Г.Х., Эттенберг М. Особенности получения гетероэпитаксиальных структур АШВУ. // Рост кристаллов. М.: Мир, 1981. Вып. 2. С. 9-79.

20. Segmuller A. Characterization of Epitaxial Films by X-Ray Diffraction. // Advances in X-Ray Analysis. New-York and London: Plenum Press, 1986. V.29. P.352.

21. Ortner B. Simultaneous Determination of the Lattice Constant and Elastic Strain in Cubic Single Crystal. // Advances in X-Ray Analysis. New-York and London: Plenum Press, 1986. V. 29. P. 387.

22. Osbourn G.C. Electeonic structure of GaAsP/GaP straintd-layer superlattices with X<0,5. // J. Vac. Sci. Technol. 1982. V.21. N 2. P.469-472.

23. Matthews J.W., Blakeslee A.E. Deffects in Epitaxial Multilayers. // J. of Cryst. Growth. 1974. V.21. N 1. P. 118-125.

24. Bean J.C., Feldman L.C., Fiory A.T. et al. GexSiix/Si strained-layer superlat-tice grown by molecular beam epitaxy // J. Vac. Sci. Technol. 1984. V.A2. P.436-438.

25. Елюхин В.А., Сорокина Л.П. Энергия внутренней деформации и возможность упорядочения в твердых растворах ArinBi^'nCv. // Доклады АН СССР. 1986. Т.287. № 6. С.1384-1386.

26. Кютт Р.Н., Улин В.П., Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. Идентификация гексагональной фазы в эпитаксиальной системе GaP/Zn(Mg)S. // ЖТФ. 1996. Т.66. Вып. 12. С.39-47.

27. Кютт Р.Н., Елюхин В.А., Хапачев Ю.П. Рентгенодифрактометрическое исследование гексагональной модификации GaP. // Поверхность.2001. №6. С.12-18.

28. Галушко В.А., Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. Определение упругих напряжений и величины несоответствия в гетероструктурах кристаллов кубической и гексагональной систем./Рукопись деп. в ВИНИТИ. КБГУ. 1984. №12, б/о 973. №5564-84 Деп. от 31.07.84. С. 13.

29. Галушко М.А., Кузнецов Г.Ф., Хапачев Ю.П. Определение величины несоответствия и напряжений в гетероструктурах гексагональной системы. // Кристаллография. 1985. Т.ЗО, вып.4. С.798-799.

30. Хапачев Ю.П., Дышеков А.А., Галушко М.А., Чуховский Ф.Н. Рентгено-дифракционный способ определения деформаций. // А.С. №1464680. Зарегистрировано 8.11.1988.

31. Хапачев Ю.П., Дышеков А.А., Галушко М.А. Восстановление параметров переходного слоя гетероструктур по рентгенодифракционным данным. // IV Всесоюзное совещание по когерентному взаимодействию излучения с веществом. Тезисы докладов. М.,1988. С.79-80.

32. Галушко М.А., Макалкин И.А., Чуховский Ф.Н. Акустический рентгеновский модулятор интенсивности. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в кристаллах с динамическими и статическими искажениями. // Тезисы докладов. Ереван. 1988. с.9.

33. Хапачев Ю.П., Чуховский Ф.Н., Алешко-Ожевский О.П., Лидер В.В., Галушко М.А. Способ рентгенотопографического исследования монокристаллов. //А.С. №1480558. Зарегистрировано 15.01.1989.

34. Галушко М.А., Дышеков А.А., Конников С.Г., Миронов Б.Н., Филипченко В.Я., Хапачев Ю.П. Рентгенодифракционный способ определения параметров гетероструктур. //А.С.№1547520. Зарегистрировано 1.11.1989.

35. Хазанов А.А., Чуховский Ф.Н., Штейнбах Б.В., Галушко М.А. Стробоскопический селектор импульсов для исследования влияния ультразвуковых волн на дифракцию рентгеновских лучей в кристалле. //ПТЭ. 1990. №4. С.210-213.

36. Галушко М.А., Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. Влияние пластической деформации подложки на профиль напряжений и критическую толщину эпитаксиальной пленки. //Металлофизика. 1993.Т.15.№5.-С.71-79.

37. Барашев М.Н., Галушко М.А., Дышеков А.А., Оранова Т.И., Хапачев Ю.П. Влияние деформаций и напряжений на физические характеристикиполупроводниковых гетероструктур. // Российская конференция "Приборы и техника ночного видения" Нальчик, 6-14 июля 2002 г.

38. Capasso F.C., Tsang W.T., William G. Staircase Solid-state photomultipliers and avalanche Photodiodes with Enhanced Ionization rates Ratio. // IEEE Trans. On Electron Devices. 1983. V.30. N.4. P.381-390.

39. Роуэлл Дж. M. Материалы для фотоники. // В мире науки: Пер. с анг.-. 1986. -№12. С.87-97.

40. Бессолов В.Н., Именков А.Н., Конников С.Г. и др. Квантовая эффективность пластически деформированных варизонных GaixAlxP. // ФТП. 1983. Т. 13. Вып. 12. С.2173-2176.

41. Уманский В.Е., Конников С.Г., Гарбузов Д.З. и др. Влияние несоответствия постоянных решетки на квантовый выход излучательной рекомбинации гетероструктур // ФТП. 1982. Т. 16. Вып. 8. С. 1496-1499.

42. Konnikov S.G. et al. The Influence of Lattice Mismatch upon Defects Generation and Luminescent Characteristics of Heterostructures in the GaP-InP System // Cryst. Research and Technol. 1981. V. 16. N 2. P.169-174.

43. Берт H.A., Гореленок A.T., Конников С.Г. и др. Экспериментальное определение различия коэффициентов термического расширения в гетероструктурах. //ЖТФ. 1981. Т.51. Вып.8. С. 1018 -1020.

44. Konnikov S.G., Umansky V.E. Energy Band-Gap in Elastic-strained Heteroepi-taxial Layers. // Cryst. Res. Technol. 1985. V.20. N 10. P. 1381-1386.

45. Хапачев Ю.П., Чуховский Ф.Н Определение несоответствия и напряжений в эпитаксиальных пленках с учетом переменных упругих констант. // Металлофизика. 1987. Т.9. № 4. С.64-68.

46. Елюхин В.А., Кочарян В.Р., Портной B.JL. Рыбкин Б.С.Особенности генерации когерентного излучения в гетероструктурах с плавным волновым слоем. //Письма в ЖТФ. 1980. Т.6. Вып.4. С.244-246.

47. Ахмедов Д., Бежан Н.П., Берт Н.А. Влияние внутренних деформаций на поляризацию излучения в гетеролазерных структурах In-InGaAsP // Письма в ЖТФ. 1980. Т.6. Вып. 12. С.705-708.

48. Брагинская Б.Г., Елюхин В.А. Кучинский В.И. и др. Особенности поляризации когерентного излучения, генерируемого в многослойных гетерост-руктурах. //ЖТФ. 1983. Т.53. №9. С. 1843-1845.

49. Кейси X., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М.: Мир, 1983. Т. I. -299 е., Т. II. 364 с.

50. Besser P.J. et al. A stress model for heteroepitaxial magnetic oxide films grown by chemical vapor deposition. // Mat. Res. Bui. 1971. V.6. P. 1111-1124.

51. Besser P.J. et al. Film/substrate matching requirements for bubble domain formation in CVD garnet films// Magnetism and Magnetic Materials. 1971. ATP Conf. Proc. 5. American Institute of Physics. N.-Y. 1972. Part 1. P125-129.

52. Klokholm E. et al. Epinaxial strains and fracture in garnet films. // Magnetism and Magnetic Materials. 1971. ATP Conf. Proc. 5. American Institute of Physics. N.-Y. 1972. Part 1. P.105-109.

53. Speriosu V.S., Wilts C.H. X-ray rocking curve and ferromagnetic resonance investigations of ion-implanted magnetic garnet. // J. Appl. Phys. 1983. V.54. N 6. P. 3325-3343

54. Хачатурян А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М.: Наука, 1974. 384 с.

55. Balluffi R. W., Blakely J.M. Special Aspect of Diffusion in thin Films. // Thin Solid Films. 1975. V.25. N 2. P.363-392.

56. Любов Б.Я. Диффузионные процессы в неоднородных твердых растворах (обзор). // Физика и химия обработки материалов. 1976. №2. С.77-104.

57. Келдыш Л.В. О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла. // ФТТ. 1962. Т.4. Вып.8. С.2265-2267.

58. Шик А.Я. Сверхрешетки периодические полупроводниковые структуры (обзор). //ФТП. 1974. Т.8. Вып.Ю. С.1841-1864.

59. Сурис Р.С. Сверхрешетки в решении проблемы создания материалов функциональной микроэлектроники. // Электронная промышленность. 1977. Вып.6(60). С.52-58.

60. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. 240с

61. Esaki L. Bird's eye view on the evolution of semiconductor superlattices and quantum wells. // Journal Of Quantum Electronics. 1986. V.QE-22. N.9. P. 1611-1624.

62. Capasso F., Mohammed K., Cho A. Resonant Tunneling Through Double Barriers, Perpendicular Quantum Transport Phenomena in Superlattices, and Their Device Applications. // J. Quant. Electron. 1986. V.QE-22. N 9. P. 1611.

63. Виноградов A.B., Зельдович Б.Я. О многослойных зеркалах для рентгеновского и далекого ультрафиолетового излучения. // Оптика и спектроскопия. 1977. Т.42. Вып.4. С.709-714.

64. Schuller I.K. New class of layered materials. // Phys. Rev. Lett. 1980. V.44. No. 24. P.1597-1600.

65. Meyer K.E., Felcher G.P., Sinha S.K., Schuller I.K. Models of diffraction from layered ultrathin coherent structures. // J. Appl. Phys. 1981. V.52. No. 11. P. 6608-6610.

66. Khan M.R., Chun C.S.L., Felcher G.P., et al. Structural, elastic and transport anomalies in molybdenum/nickel superlattices. // Phys. Rev. B. 1983. V. B27. No 12. P. 7186-7193.

67. Clemens B.M., Gay J.G. Effect of layer-thickness fluctuation on superlattice diffraction. //Phys. Rev. B. 1987. V. B35. No 17. P. 9337-9400.

68. Onoda M., Sato M. Superlattice structure of superconducting Bi-Sr-Cu-0 system. // Solid State Communication. 1988. V.67. No. 8. P.799-804.

69. Ariosa D. Elastic model for partially coherent growth of metallic superlattices. I. Interdiffusion, strain, and misfit dislocation. // Phys. Rev. B. 1988. V. B37.

70. No 5. P. 2415-2420. II. Coherent to a Partitially Coherent Transition. P. 24212425.

71. Locquet J.-P, Neerinck D., Stockman L., et al. Long-range order and lattice mismatch in metallic superlattice. // Phys. Rev. B. 1988. V.B38, No 5. P.3572-3575.

72. Blakeslee A.E. Vapor Growth of Semiconductor superlattice. // J. Electrochem. Soc. 1971. VI18. P. 1459-1463.

73. Палатник Jl.С., Козьма А.А., Михайлов И.Ф., Маслов В.Н. Определение характеристик периодических структур по сателлитам брэгговских отражений. //Кристаллография. 1978. Т. 23. Вып.З. С. 570-577.

74. Palatnik L.S. Diffraction Effects of X-ray and Electron Scattering from one-and two-dimensional superlattices. // Thin Solid Films. 1980. V.66. N 1. P.3-10.

75. Ortner В., Bauer G. (lll)CdTe Epitaxy on (100)GaAs Substrates. // J. of Cryst. Growth. 1988. V.92. N 1. P.69-76.

76. Shahzad K., Olego D.J., Cammack D.A. Thickness dependence of strains in strained-layer superlattices. // Appl. Phys. Lett. 1988. V.52. N 17. P. 14161418.

77. Wood D.M., Wei S.-H., Zunger A. Thermodynamic Instability of Ultra-thin Semiconductor Superlattices: The (001)(GaAs)i(AlAs)i Structure. // Phys. Rev. Lett. 1987. V.58. No 11. P.1123-1126.

78. Аргунова T.C., Рувимов С.С., Сорокин Л.М., Шульпина И.Л. 60° дислокации несоответствия в гетероструктурах типа InGaAs/GaAs(001). // ФТТ,-1985. Т. 27, Вып. 10. С. 2960-2964.

79. Аргунова Т.С., Рувимов С.С., Шульпина И.Л. Рентгенотопографическое определение знаков дислокаций несоответствия. // ФТТ. 1986. Т.28, Вып.4. С. 1052-1057.

80. Красильников B.C., Югова Т.Г., Бублик В.Т. Влияние состава твердых растворов на условия когерентного роста эпитаксиальных слоев GalnAsP. // Кристаллография. 1988. Т.ЗЗ,Вып.-С.1469-1477.

81. Matthews J.W., Mader S., Light T.B. Accommodation of misfit across the interface between crystals of semiconducting elements or compounds. // J.Appl. Phys. 1970. V.41. N9. P.3800-3804.

82. Matthews J.W. Defects associated with the accommodation of misfit between crystals. //J Vac.Sci. and Technol. 1975. V.12, N1. P.126-133.

83. Прохоров И.А., Захаров Б.Г. Влияние толщины подложки на образование дислокаций несоответствия в эпитаксиальных структурах. // Кристаллография. 1982. Т.27, вып.2. С.354-357.

84. Прохоров И.А., Захаров Б.Г., Кунакина О.Н., Акимов Г.Г. Дислокационная структура эпитаксиальных слоев с малым несоответствием. // Поверхность. 1983. Вып.5. С.23-30.

85. Горелик С.С., Захаров Б.Г., Прохоров И.А. ,Устинов В.М. критические толщины эпитаксиальных слое переменного состава. // Поверхность. 1988.-№2. С. 87-93.

86. Van der Merwe J.H., Jesser W.A. Anexactly solvable model for calculation critical misfit and thickness in epitaxial superlattices: Layers of equal elastic constants and thicknesses. //J. Appl. Phys. 1988. V.63. No5. P. 1509-1517.

87. Van der Leur R. H. V., Schellingerhout A.J.G., at al. Critical thickness for pseudomorphic growth of Si/Ge alloys and superlattices. // J. Appl. Phys. 1988. V. 64. No 6. P. 3043-3050.

88. Roitburd A.L. Equilibrium Structure of Epitaxial Layers. // phys. stat. sol.(a).-1976. V.37.P. 329-339.

89. Бокий Г.Б., Кузнецов Г.Ф. Рентгенодифрактометрическое измерение и расчеты величин несоответствия решеток и толщин слоев, предотвращающих генерацию дислокаций в процессах наращивания многослойных гетероструктур. // ДАН СССР. 1984. Т. 279. №4. С.876-879.

90. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат. 1972. 604 с.

91. Теодосиу К. Упругие модели дефектов в кристаллах. М.: Мир. 1985. 352 с.

92. Инденбом В.Л., Алыииц В.И., Чернов В.М. Дислокации в анизотропной теории упругости. // Дефекты в кристаллах и их моделирование на ЭВМ. Л.: Наука, 1980. С.23-76.

93. Stenin S.I. Problem of the Formation of Dislocation structures in Heteroepi-taxial layers, ///phys. stat. sol.(a). 1979. V.55. No 2.-P. 519-527.

94. Захаров Б.Г., Прохоров И.А., Устинов В.М. Расчет критических толщин эпитаксиальных слоев переменного состава. // Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука. 1988. С. 155-163.

95. Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. Рентгенодифрактометрическое определение упругих напряжений и несоответствия в многослойных эпитаксиальных пленках. //Металлофизика. 1986. Т.8. № 6. С.15-22.

96. Хапачев Ю.П. Теория дифракции рентгеновских лучей в многослойных кристаллических системах и ее применение к анализу гетероструктур и сверхрешеток. Докторская диссертация. Нальчик, 1990 275 с.

97. Чуховский Ф.Н., Хапачев Ю.П. Определение несоответствия и напряжений в многослойных гетероструктурах типа АШВУ // Доклады АН СССР 1987. Т. 292. №2. С.354-356.

98. Хапачев Ю.П., Чуховский Ф.Н. Определение пластической деформации в гетероструктурах по данным рентгеновской дифрактометрии. // ФТТ. 1989. Т. 31. Вып. 9. С. 76-80.

99. Chu S.N.G., Macrander А.Т., Strege К.Е., Johnston W.D. Misfit stress in In-GaAs/InP heteroepitaxial structures grown by vapor-phase epitaxy// J. Appl. Phys. 1985. V.57. N 2. P. 249-257.

100. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. М.: Наука. 1975. 680 с.

101. Кривоглаз М.А. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах. Киев.: Наукова думка, 1983. 408 с.

102. Ш.Афанасьев A.M., Александров П.А., Имамов P.M. Рентгеновская структурная диагностика в исследовании приповерхностных слоев монокристаллов. М.: Наука, 1986. 95 с.

103. Афанасьев A.M., Александров П.А., Имамов P.M. Рентгенодифракцион-ная диагностика субмикронных слоев. М.: Наука, 1989. 152 с.

104. Eshelby J.D. The Continuum Theory of Lattice Defects. In: Solid State Physics. Ed. F.Seitz andD.Tumbull. N.-Y.: Academic Press, 1956. V.3. P. 79.

105. Steeds J.W. Introduction to Anisotropic Elasticity Theory of Dislocation. Oxford: Clarendon Press, 1973. 274 p.

106. Khapachev Yu.P, Dyshekov A.A., Kiselev D.S. The theory of x-ray diffraction analysis of elastic-strain states in epitaxial films. // Phys.stat.sol.(b). 1984. V. 126. No. 1. P.37-42.

107. Bartels W.J., Nijman W. X-Ray double-diffractometry of GaAlAs Epitaxial Layes. // J. of Cryst. Growth. 1978. V. 44. N 2. P. 518-525.

108. Matsui J., Onabe K., Kamejima Т., Hayashi I.J. Lattice Mismstch study of LPE-Growth InGaPAs on (OOl)InP Using X-Ray Double-Crystal Diffraction. // J. of the Electrochem. Soc. 1979. V. 126. N4. P. 664-667.

109. Пинскер З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. M: Наука, 1982. 390 с.

110. Носков А.Г., Стенин С.И., Труханов Е.М. Измерение кривизны монокристаллов на двухкристальном спектрометре с использованием Ка и Кр пучков. // ПТЭ. 1982. №2. С.181-183.

111. Носков А.Г., Труханов Е.М. Повышение чувствительности метода измерения кривизны монокристаллов на рентгеновском спектрометре. // ПТЭ. 1985. №5. С.173-175.

112. Лидер В. В. Способ определения радиуса кривизны монокристаллических пластин. А.С. №920480. 1986. Бюл. №27.

113. Гуляев Ю.В., Кузнецов Г.Ф., Хапачев Ю.П. Рентгенодифрактометриче-ский метод определения концентраций в гетероструктурах четырехком-понентных твердых растворов. // ДАН СССР. 1983. Т. 268. №2. С. 351.

114. Tamura М., Yoshinaka A., Siguta Y. Relaxation process of interfacial misfit between homoepitaxial silicon crystals. // J. Cryst. Growth. 1974. V.24/25. P. 255-259.

115. Хапачев Ю.П., Колпаков A.B., Кузнецов Г.Ф., Кузьмин Р.Н. Кинематическая и динамическая дифракция рентгеновских лучей на одномерной сверхрешетке. //Кристаллография. 1979. Т. 24. Вып. 3. С. 430-438.

116. Khapachev Yu.P. The theory of dynamical X-ray diffraction on a superlattice. // Phys. stat. sol.(b). 1983. V. 120. P. 155-163.

117. Ассур К.П., Энтин И.Р. Влияние ультразвуковых колебаний на динамическую дифракцию рентгеновских лучей в геометрии Брэгга. // ФТТ. 1982. Т. 24. Вып. 7. С. 2122-2129.

118. Энтин И.Р, Пучкова И.А. Осциллирующая зависимость интенсивности рентгеновского рефлекса от амплитуды возбужденного в кристалле ультразвука. // ФТТ. 1984. Т. 26. Вып. 11. С. 3320-3324.

119. Дышеков А.А., Хапачев Ю.П., Тарасов Д.А. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в сверхрешетке с различными толщинами слоев в периоде. //Поверхность. 1997. №10. С. 5-12.

120. Dyshekov A.A., Khapachev Yu.P., Tarasov D.A. Characteristics of X-ray dynamic diffraction on superlattices with different layer interfaces. // Surface Investigation. 1997. V. 12. P. 425-430.

121. Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. Динамическая дифракция рентгеновских лучей в сверхрешетках. //Успехи физики металлов. 2001. Т.2. №4. С. 281-351.