автореферат диссертации по электронике, 05.27.05, диссертация на тему:Разработка методов и алгоритмов проектирования тонкопленочных микросборок высокой интеграции

Введение.

1 Проблемы создания микросборок высокой интеграции. Задачи исследований.

1.1 Основные направления разработок микроэлектронной аппаратуры высокой интеграции

1.2 Погрешности ТПР, методы их расчета и компенсации

1.3 Основные конструкции ТПР и способы изготовления платы МСБ

1.4 Методы анализа производственных погрешностей ТПР

1.5 Основные принципы проектирования МСБ

1.6 Цель и задачи исследований.

2 Методы оценки погрешностей тонкопленочных элементов

2.1 Математические модели сопротивления и производственной погрешности ТПР.

2.2 Анализ погрешностей суммы, разности, произведения и отношения двух ТПР, изготовленных на одной плате.

2.3 Разработка тестовой схемы для определения производственных погрешностей сопротивления ТПР .

2.4 Алгоритмы оценки производственный' погрешностей тонкопленочных элементов.

2.5 Алгоритмы оценки инструментальных погрешностей сопротивления ТПР.

Выводы.

3 Конструктивно-технологические способы повышения интеграции тонкопленочных микросборок

3.1 Модификация первого способа двойной фотолитографии

3.2 Способы компенсации систематических погрешностей сопротивления ТПР.".

3.3 Расчет стационарного теплового режима МСБ.

3.4 Требования к технологическому процессу и оборудованию для изготовления тонкопленочных МСБ высокой интеграции . . . .93 Выводы.

4 Алгоритмы расчета, проектирование и экспериментальные исследования тонкопленочных МСБ высокой интеграции.

4.1 Алгоритм выбора конструкции кондуктивного тракта для компонента.

4.2 Особенности проектирования топологии платы МСБ.

4.3 Разработка конструкции плат МСБ для акселерометра

4.4 Экспериментальная оценка производственных и инструментальных погрешностей ТПР

4.5 Экспериментальное определение теплового сопротивления кондуктивного тракта.

Выводы.

Актуальность темы. Создание высококачественных надежных радиоэлектронных средств с использованием последних достижений микроэлектроники при минимальных производственных затратах стало возможным благодаря современной технологии микрозлектронной аппаратуры (МЭА), основной конструктивной единицей которой является микросборка (МСБ) С13. Основным направлением развития микроэлектроники является повышение степени интеграции компонентов и МСБ 121.

Проблемы миниатюризации различных радиоэлектронных устройств рассмотрены в [701. Актуальность миниатюризации аналоговых устройств и их компонентов вызвана скопившейся и продолжающей расти диспропорцией массогабаритных параметров этих устройств в сравнении с цифровыми устройствами. Эта диспропорция в миниатюризации различных составных частей МЭА обусловлена как схемотехническими решениями, так и конструкторски-технологическими.

С ростом уровня интеграции изделии микроэлектроники неизменно достигается снижение стоимости, улучшение показателей надежности, уменьшение массы и габаритов изделий. Отмеченные закономерности обусловлены спецификой условий групповых методов обработки, применяемых при изготовлении микроэлектронных изделий, Себестоимость интегральной схемы (И0) почти пропорциональна ее площади СЙ1: где Зис - площадь, занимаемая одной ИС; 50 - площадь подложки; Рг - доля выхода годных ИС на одной подложке; Ск - затраты на проведение к-той (из общего числа ш операций) технологической операции; С0 - стоимость подложки,

Из (ВЛ) видны следующие три пути уменьшения себестоимости ИС

В Л) при неизменной площади ь0 подложки, Во-первых, стоимость ИС уменьшается, если уменьшается площадь ИС 5ИС, так как при этом увеличивается число ИС, размещаемых на одной подложке. Последнее обеспечивается масштабным уменьшением геометрических размеров элементов, так как при росте плотности упаковки себестоимость изготовления платы L Ск изменяется незначительно или вообще не изменяется (Е Ск * const). На практике выгодно не только добиться увеличения плотности размещения элементов, но и увеличить интеграцию изделия микроэлектроники, Последнее достигается как увеличением плотности упаковки, так и площади, занимаемой ИС, Во-вторых, себестоимость ИС уменьшается при увеличении Fv, то есть процента выхода годных ИС, изготавливаемых на одной подложке, В-третьих, себестоимость ИС уменьшается при снижении ECKi то есть затрат на проведение технологического процесса ИС.

Одним из основных элементов МСБ, который влияет на степень интеграции, является тонкопленочный резистор (ТПР). В настоящее время хорошо отработана технология изготовления ТПР с минимальными размерами 0,2 мм, МСБ, содержащие резисторы с линейными размерами 0,05, 0,1 мм, имеют недостаточный для практики выход годных СЗОЗ,

Применяемые на практике методы расчетов ТПР не позволяют уменьшать их размеры в связи с малой допустимой рассеиваемой мощностью, которая, как правило, не превышает 35 мВт/мм*. Методы расчетов тепловых режимов МСВ [73, 741 достаточно громоздки и неудобны для инженера-конструктора даже при использовании средств вычислительной техники. Кроме того, эти методы предназначены для расчета определенных конструкций МСБ и не решают вопросов выбора материала и конструкции платы, а также выбора соединительных материалов, предназначенных для соединения компонентов с платой и платы с основанием МСБ,

Цель исследований. Целью настоящей работы является снижение себестоимости изготовления тонкопленочных микросборок, путем разработки конструктивно-технологических методов повышения интеграции и снижения затрат на проведение технологического процесса.

Задачи диссертационной работы, Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие основные задачи:

1 Повысить точность оценки производственных погрешностей размеров и контактного сопротивления TIP.

2 Разработать алгоритм оценки инструментальных погрешностей сопротивления ТПР.

3 Разработать конструктивно-технологические способы, обеспечивающие уменьшение топологических норм проектирования элементов МСБ,

4 Разработать методы и алгоритмы проектирования МСБ высокой интеграции.

Методы исследования. Для решения поставленных задач используются методы теории допусков, теории вероятностей и математической статистики, методы теплового моделирования и расчета тепловых режимов конструкций МСБ» а также экспериментальные методы исследования,

Научная новизна. В диссертационной работе получены следующие новые научные результаты, которые выносятся на защиту:

1 Алгоритмы оценки производственных и инструментальных погрешностей тонкопленочных резисторов.

2 Усовершенствованный способ двойной фотолитографии,

3 Способы компенсации систематических погрешностей ТПР.

4 Методы и алгоритмы проектирования МСБ высокой интеграции.

Практическая ценность, Разработанные методы и алгоритмы проектирования позволят снизить себестоимость изготовления МСБ за счет:

1 Повышения интеграции, путем уменьшения топологических норм проектирования элементов в 4-10 раз и увеличения диапазона отношения сопротивлений Щмакс/^мин» изготавливаемых на одной плате, с 50 до 50000.

2 Уменьшения затрат на проведение технологического процесса изготовления плат МОЕ, путем исключения применения в проводящих структурах золота, а также за счет экономии материалов и времени, что характерно для нового способа двойной фотолитографии.

3 Повышения выхода годных плат МСБ путем определения и устранения инструментальных погрешностей.

Реализация в промышленности. Полученные в диссертационной работе теоретические и практические результаты легли в основу методов проектирования М0Б на Арзамасском научно-производственном предприятии "Темп - Авиа". Результаты реализации приведены в акте внедрения,

Апробация полученных результатов, Диссертационная работа выполнялась на кафедре "Конструирование и технология РЗО" Арзамасского филиала НГТУ. Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на научно-технической конференции: "Повышение качества и эффективности в машино- и приборостроении" (г, Н. Новгород, 1997г.), а также на Всероссийской научно-технической конференции, посвященной 30-летию Арзамасского филиала НГТУ: "Наука - производству: современные задачи управления, экономики, технологии и экологии в машино- и приборостроении" (г, Арзамас, 1998г.).

Публикации. По результатам научных исследований опубликовано 10 научных работ, в том числе получены 3 авторских свидетельства СССР,

Содержание работы. Основной теист диссертация состоит из введения, 4-х глав, заключения, приложения и списка литературы, содержащего 88 названий,

Основные результаты диссертационной работы внедрены на следующих предприятиях: Арзамасском научно-производственном предприятии "Темп-Аззиа" и Чебоксарском приборостроительном заводе, что подтверждается актом внедрения.

Полученные результаты диссертационной работы дополнительно могут быть использованы при проектировании толстопленочных МОЕ и полупроводниковых ИС, например, в части расчета минимальных размеров пленочных и диффузионных резисторов по заданной мощности.

Благодарности

Автор выражает признательность научным руководителям: профессору, д.т.н. Коробову А.И. и доценту, к.т.н. Ямпурину Н.П. за постоянное внимание, конструктивную критику и ценные рекомендации по выполнению диссертационной работы.

- 135

ПЕРЕЧЕНЬ ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ

ДСП - автоматизированная система проектирования;

БИС - большая интегральная схема;

ГИО - гибридная интегральная схема;

ЗТВ - зона теплового влияния;

ИС - интегральная схема;

ИТ - источник тепла;

КП - контактная площадка.;

МОЕ - микросборка;

МЭА - микроэлектронная аппаратура;

П - плата;

КПП - контактная площадка перекрытия; СБИС - сверхбольшая интегральная схема;

CCI - соединительный слой 1 (соединяющий плату и корпус МСБ);

СОЕ - соединительный слой 2 (соединяющий корпус компонента и плату)

ТПР - тонкопленочный резистор;

ТЗ - тестовый элемент;

ФШ - фотошаблон;

ФЯ - функциональная ячейка.

ПЕРЕЧЕНЬ ПРИНЯТЫХ УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ b, 1- ширина и длина ТПР;

Ь0 - ширина зазора между проводником и резистором; йВ - абсолютная погрешность несовмещения резистивного фотошаблона относительно проводящего слоя тонкопленочной платы; ta ci - глубина распространения теплового потока под углом 45° в верхней поверхности платы; ширина ЗТВ; lc, Abc - систематическая абсолютная погрешность длины и ширины ТПР;

Д1, ДЬ - случайная абсолютная погрешность длины и ширины ТПР;

Др - абсолютная погрешность удельного поверхностного сопротивления; m - половина поля допуска на номинальное сопротивление ТПР;

RK - абсолютная погрешность контактного сопротивления;

Зр - случайная относительая погрешность удельного поверхностного сопротивления; pc - систематическая относительная погрешность удельного поверхностного сопротивления по оси Y подложки; Ôpca - систематическая относительная погрешность удельного поверхностного сопротивления в зоне по оси Y подложки; Кф - коэффициент формы ТПР;

Kq - относительная погрешность отношения сопротивления двух резисторов идентичной формы;

1м» Ьм - минимальная длина и ширина ТПР, определяемые технологией; 1а, Ьэ - длина и ширина ЗТВ;

Ai, %2t ап~ коэффщиент теплопроводности CCI, 002, платы; hi, ho, hn - толщина CCI, СС2 и платы; m - число угловых участков ТПР;

Р - мощность рассеяния компонентом или ТПР;

Р0 - удельная мощность рассеяния резистивной пленки;

Рп - мощность, рассеиваемая всеми PIT платы;

Рд - допустимая удельная мощность рассеяния резистивной пленкой;

R - номинальное сопротивление TIP;

Rk - контактное сопротивление резистор - проводник;

Ru - сопротивление центрального резистора зоны; р - удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки; г - общее удельное тепловое сопротивление монтажной структуры

0С2-П-СС1;

Г£} гп, г± - удельные тепловые сопротивления СС2, платы, CCI; Rnc ~ тепловое сопротивление кондуктивного тракта монтажной структуры И-CCI;

RB, RH, Ri - тепловые сопротивления кондуктивного тракта: верхней и нижней части платы, CCI;

Rkc» Rpn ~ тепловое сопротивление корпус - среда и р-n перехода; Rc - требуемое тепловое сопротивление кондуктивного тракта для отвода тепла от плоского ИТ, которое образуется вследствие собственного перегрева;

RT - требуемое тепловое сопротивление кондуктивного тракта для отвода тепла от плоского ИТ, которое образуется вследствие собственного и наведенного перегрева;

S - площадь компонента или ТПР;

3Ис " площадь ИС;

S0 - плопшдь подложки;

Sn - площадь платы МСВ;

Ти - температура нагрева плоского ИТ;

Тп - средняя температура платы МОЕ;

Тд, ТрГ1. Тнк, тк - максимально допустимая температура: плоского ИТ, р-n перехода, корпуса навесного компонента, корпуса МСВ;

ДТС - приращение температуры ИТ, вызванное собственным перегревом;

ДТФ - приращение температуры ИТ, вызванное наведенным перегревом;

ДТ - приращение температуры ИТ, вызванное собственным и наведенным перегревом;

Заключение

Цель диссертационной работы достигнута посредством:

1 Повышения интеграции МОЕ, путем уменьшения топологических норм проектирования элементов в 4-10 раз и увеличения диапазона отношения сопротивлений Рмаке/Кмин ТПР, изготавливаемых на одной плате, с -50 до 50000. Повышение интеграции МОЕ стало возможным в результате предложенного нового способа двойной фотолитографии, разработанных способов компенсации систематических погрешностей сопротивления ТПР и новому методу расчета минимальных размеров ТПР по заданной мощности.

2 Уменьшения затрат на проведение технологического процесса изготовления плат МОЕ, путем исключения применения в проводящих структурах золота, а также за счет экономии материалов и времени, что характерно для нового способа двойной фотолитографии.

3 Повышения выхода годных плат МОЕ путем определения и устранения инструментальных погрешностей.

4 Рационального использования площади подложки путем выбора размеров платы при формировании схемы мультипликации.

Итогом исследований и разработки методов и алгоритмов проектирования тонкопленочных МОЕ высокой интеграции являются следующие научные ре зуль таты.

1 Разработаны алгоритмы оценки систематических и случайных производственных погрешностей сопротивления ТПР, отличительной особенностью которых является повышенная точность. Предложены информационные тестовые элементы для определения вышеуказанных погрешностей. Разработан новый технологический вариант двойной фотолитографии. Алгоритмы и тестовые схемы использованы для оценки погрешностей двух технологических вариантов формирования рисунка платы мето

- 133 дом двойной фотолитографии. Даны сравнительные характеристики параметров точности формирования рисунка платы указанными методами.

2 Разработан алгоритм оценки инструментальных погрешностей ТПР., е соответствии с которым можно определять погрешности, допущенные при проектировании топологии платы и изготовлении ФШ, Приведен пример оценки инструментальных погрешностей серийно изготавливаемой МОБ. Для повышения выхода годных даны рекомендации по изменению конструкции ТПР исследуемой МОБ. Получены формулы для расчета относительных погрешностей суммы, разности, произведения и отношения сопротивлений двух ТПР.

3 Предложены методы и алгоритмы учета систематических составляющих градиентной погрешности удельного поверхностного сопротивления и погрешностей геометрических размеров элементов при проектировании МОБ.

4 Разработаны метод расчета стационарного теплового режима работы МОТ высокой интеграции и алгоритм выбора конструкции кондук-тивного тракта для компонента, Предложен новый подход расчета минимальных размеров ТПР по заданной мощности, который заключается в том, что вместо исходного параметра: "допустимая удельная мощность рассеивания резистивной пленки" выбран новый исходный параметр: "требуемое тепловое сопротивление кондуктивного тракта". Разработаны .алгоритмы расчета размеров резисторов. Экспериментально показана возможность проектирования резисторов малых размеров с допустимой удельной мощностью рассеивания резистивной пленки в сотни и тысячи раз превышающей сложившиеся в практике проектирования МОЕ нормы. Произведена экспериментальная оценка погрешности предложенного теоретического расчета теплового сопротивления кондуктивного тракта, которая показала хорошее для практики проектирования МОЕ совпадение результатов, л о л ХОЧ:

1. O.E. Бондаренко, Л.М. Федотов. Конструктивно-технологические основы проектирования микросборок. М., Радио и связь, 1988.- 136 с.

2. В.Е. Власов, В.П. Захаров, А. И. Коробов. Системы технологического обеспечения качества компонентов микроэлектронной аппаратуры. М., Радио и связь, 1987.- 158 с.

3. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. М.,Радио и связь, 1991.- 528 с.

4. Гимпельсон В.Д., Радионов Ю-А. Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники. М., Машиностроение, 1976.- 328 с.

5. O.E. Добронравов, О.Ф. Цурин, В.П. Трофимов. Итерактивные системы проектирования гибридных интегральных микросхем. М., Энер-гоатомиздат, 1985,- 120 с.

6. Ю.П. Ермолаев, М.Ф. Пономарев, Ю.Г. Крюков. Конструкция и технология микросхем. М., Радио и связь, 1980.- 256 с.

7. И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов. Микроэлектроника. М., Высшая школа, 1987.- 416 с.

8. Л.А. Коледов. Технология и конструкции микросхем, микропр-цессоров и микросборок. М., Радио и связь, 1989.- 400 с.

9. Э.А. Матсон, Д.В. Крыжановский. Справочное пособие по конструированию микросхем. Минск. Вышэйшая школа, 1982.- 224 с.

10. Микроэлектронная аппаратура на бескорпусных интегральных микросхемах. Под ред. Воженина И.Н. М., Радио и связь, 1985.- 264с.

11. Парфенов О.Д. Технология микросхем. М., Высшая школа, 1986.- 320 с.

12. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. М., Радио и связь, 1987.- 464 с.

13. Алексеенко В.В. Исследование распределения мощности по поверхности тонкопленочных резисторов. Технический прогресс в атомной промышленности. Сер.: Организация производства и прогрессивная технология в приборостроении. Вып.4, 1990,- С. 35-37.

14. Баранова Н.В. и др. Влияние защитной маски из фоторезиста ФН-11С на стабильность тонкопленочных резисторов. Обмен производственно-техническим опытом. Вып.8, 1989.- С. 21-22.

15. Васильев И.И. Проектирование и изготовление резисторов для ГИС в масовом производстве. Обмен производственно-техническим опытом. Вып.12, 1986.- С. 66-67.

16. Волкова И.А. и др. Влияние защитных покрытий на стабильность тонкопленочных резисторов из нихрома. Обмен опытом в радиопромышленности. Вып.2, 1983.- С. 40-41.

17. Голод Н.О. и др. Влияние различных методов подгонки на стабильность тонкопленочных резисторов. Обмен опытом в радиопромышленности. Вып.2, 1983.- С. 47-49.

18. Готра З.Ю., Хромяк И.Я., Войтехов А.Н. Подгонка пленочных резисторов микросхем. Зарубежная электронная техника. Вып.1(284), 1985.- С. 30-74.

19. A.B. Иванов, A.A. Малинин. Влияние подложки на идентичность сопротивлений резисторов тонкопленочных матриц R-2E. Электронная техника. Сер.10: Микроэлектронные устройства. Вып.1(67), 1988.- С. 51-53.

20. Б.И. Клименко, И.А. Сидорова. Совершенствование технологии изготовления тонкопленочных резисторов из сплава РС-3710. Технология авиационного приборо- и агрегатостроения. Производственно-технический сборник. Вып.3-4, 1987.- С. 36-38.

21. А.И. Коробов, A.B. Иванов, М.И. Пассов. Применение тестовых схем для оперативного контроля технологического процесса изготовления резистивных структур ГИС. Электронная техника. Сер.З: Микроэлектроника. Вып.4(116), 1985.- С. 86-91.

22. Крючатов В.И. и др. Подгонка тонкопленочных резисторов, защищенных фоторезистивным слоем. Обмен производственно-техническим опытом. Вып.9, 1988.- С. 23-24.

23. В.Г. Спирин, B.C. Кораблев. Повышение стабильности тонкопленочных резисторов. Приборы и системы управления. N3, 1990.- С. 47-48.

24. В.Г. Спирин, B.C. Кораблев, B.C. Новиков. Влияние конструктивно-технологических факторов на адгезионную прочность тонких пленок. Технология авиационного приборо- и агрегатостроения. Производственно-технический сборник. Вып.З, 1989.- С. 47-48.

25. Гусев В.П. Технология радиоаппаратостроения. М, Высшая школа, 1972.- 496 с.

26. Г.Я. Гуськов, Г.А. Блинов, A.A. Газаров. Монтаж микроэлектронной аппаратуры. М., Радио и связь, 1986.- 176 с.

27. O.A. Кузнецов, А.И. Погалов B.C. Сергеев. Прочность элементов микроэлектронной аппаратуры. М., Радио и связь, 1990.- 144 с.

28. Микросборки. Общие требования и нормы конструирования. ОСТ 107.460084.200 88.

29. Справочник конструктора РЭА. Общие принципы конструирования. Под ред. Р.Г. Варламова. М, "Советское радио", 1980.- 478 с.

30. Е.Я. Бадинтер и др. Высокостабильные резисторы из сплава РС-3710. Приборы и системы управления. N10, 1986.- С. 40.

31. В.И. Старов, В.Г. Скоморох. Получение высокостабильных резистивных слоев на основе сплава РС-3710. Приборы и системы управления. N11, 1986.- С. 35-36.

32. Физические основы надежности интегральных схем. Под ред. Ю.Г. Миллера. М, "Советское радио", 1976.- 320 с.

33. A.B. Фомин, Ю.И. Боченков, В.А. Сорокопуд. Технология, надежность и автоматизация производства БГИС и микросборок, М, Радио и связь, i981.- 352 с.

34. Подложки из ситалла марки СТ50-1. Технические условия. ТХ0.735.062 ТУ.

35. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Книга 9. O.C. Моряков. Сборка. М, "Высшая школа", 1990.127 с.

36. Ю.А. Быстров, Е.А. Колгин, Б.Н. Котлецов. Технологический контроль размеров в микроэлектронном производстве. М, "Радио и связь", 1988.- 168 с.

37. Р. Шторм. Теория вероятностей. Математическая статистика. Статистический контроль качества. М, "Мир", 1970.- 368 с.

38. O.H. Кассандрова, В.В. Лебедев. Обработка результатов наблюдений. М, "Наука", 1970.- 104 с.

39. В.Е. Гмурман. Введению в теорию вероятностей и математическую статистику. М, "Высшая школа", 1963.- 238 с.

40. Е.И. Пустыльник. Статистические методы анализа и обработки наблюдений. М, "Наука", 1968.- 288 с.

41. Фотошаблоны прецизионные. Общие технические условия. ОСТ 4 Г0.073.210-84.

42. A.C. СССР Мз 1628836. Способ изготовления многослойной платы. Кораблев B.C., Спирин В.Г. 1990г.

43. A.C. СССР Jfe 1589743. Устройство для контроля качества приварки вводов и выводов микросхем. Кораблев B.C., Спирин В.Г., Гончаров В.З 1990г.

44. A.C. СССР Jfe 1795740. Способ измерения влажности. Спирин В.Г. 1992г.

45. О.П. Глудкин, В.Н. Черняев. Анализ и контроль технологических процессов производства РЭА. М, "Радио и связь", 1983.- 296 с.

46. Ю.Н. Беляков, Ф.А. Курмаев, Б.В. Баталов. Методы статистических расчетов на ЭВМ. М, "Радио и связь", 1985.- 232 с.

47. Конструкторско-технологические основы проектирования полос-ковых микросхем. Под ред. И.П. Бушминского. М, "Радио и связь", 1987.- 272 с.

48. A.B. Кривошейкин. Точность параметров и настройка аналоговых радиоэлектронных цепей. М, "Радио и связь", 1983.- 136 с.

49. И.С. Солонин. Математическая статистика в технологии машиностроения. М, "Машиностроение". 1972.- 216 с.

50. В.В. Слуцкая. Тонкие пленки в технике СВЧ. М, "Советское Радио", 1967.- 456 с.

51. Р. Берри, П. Холл, М. Гаррис. Тонкопленочная технология. М, "Энергия", 1972.- 336 с.

52. И. Броудай, Дж. Мерей. Физические основы микротехнологии. М, "Мир", 1985.- 496 с.

53. A.C. Шумилин. Точностные расчеты в микроэлектронике. Издательство Ленинградского университета, 1980.- 140 с.

54. А.К. Митропольский. Техника статистических вычислений. М., "Наука", 1971.- 576 с.

55. Н.В. Смирнов, И.В. Дунин-Барковский. Курс теории вероятностей и математической статистики для технических приложений. М., "Наука", 1965.- 248 с.

56. У. Моро. Микролитография. М, "Мир", 1990. Т.1,2- 1240 с.

57. Технология тонких пленок. Справочник. Под ред. Л. Майсела, Р. Глэнга, Пер. с англ. под ред. М.И. Елинсона и Г.Г. Смолко. М, "Советское радио", 1977. Т.1- 667 с.

58. Технология тонких пленок. Справочник. Под ред. Л. Майсела, Р. Глэнга, Пер. с англ. под ред. М.И. Елинсона и Г.Г. Смолко. М, "Советское радио", 1977. Т.2- 768 с.

59. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакция. Под ред. Дж. Поута, К. Ту. Дж. Мейера. Пер. с англ. под ред. В.Ф. Киселева и В.В. Поспелова. М, "Мир". 1982.- 576 с.

60. A.A. Штернов. Физические основы конструирования, технологии РЭА и микроэлектроники. М, "Радио и связь". 1981.- 248 с.

61. Т. Сугано, Т. Икома, Е. Такэиси. Введение в микроэлектронику. Под. ред. В.Г. Ржанова. М. "Мир". 1988.- 320 с.

62. A.B. Фомин, В.Ф. Борисов, В.В. Чермошенский. Допуски в РЭА. М, "Советское радио". 1973.- 129 с.

63. П.П. Гелль, Н.К. Иванов-Есипович. Конструирование и мик-ро/миниатюризация радиоэлектронной аппаратуры. Л, "Энергоатомиз-дат". 1984.- 536 с.

64. Компоновка и конструкции микрозлектронной аппаратуры. Под. ред. В.Ф. Высоцкого, В.Б. Пестрякова и O.A. Пятлина. М, "Радио и связь". 1982.- 209 с.

65. Конструирование и расчет больших гибридных схем, микросборок и аппаратуры на их основе. Под ред. Б.Ф. Высоцкого. М, "Радио и связь". 1981.- 216 с.

66. Конструирование аппаратуры на БИС и СБИС. Под ред. Б.Ф. Высоцкого и В.Н. Сретенского. М, "Радио и связь". 1989,- 272 с.

67. Ч.-Г. Мэнгин, С. Маклеланд. Технология поверхностного монтажа. Будущее технологии сборки в электронике. Пер. с англ. Под ред. Л.А. Коледова. М, "Мир". 1990.- 205 с.

68. В.Г. Спирин, В.А. Потехин, Н.П. Ямпурин. Особенности проектирования тонкопленочных резисторов ГИС. Научно-техническая конференция факультета информационных систем и технологий. Тезисы докладов. Н. Новгород. 1998г.- С. 34-35.

69. Л.Л. Роткоп, Ю.Е. Спокойный. Обеспечение тепловых режимов при конструировании радиоэлектронной аппаратуры. М, "Советское радио". 1976.- 230 с.

70. Обеспечение тепловых режимов изделий электронной техники. A.A. Чернышев, В.Н. Иванов и др. М, "Энергия". 1980.- 216 с.- 142

71. Конструирование радиоэлектронных средств. Под ред. A.C. Назарова. М., Изд-во МАИ, 1996г. -380 с.

72. Закс Д.И. Параметры теплового режима полупроводниковых микросхем. М, "Радио и связь". 1983.- 124 с.

73. Дульнев Г.Н., Семяшкин Э.М. Теплообмен в радиоэлектронных аппаратах. Л, "Энергия", 1968.- 359 с.

74. Дульнев Г.Н., Тарновский H.H. Тепловые режимы электронной аппаратуры. "Энергия", Л, 1971.- 248 с

75. Д. Лаймен. Многокристальные модули высокоэффективное средство сборки новых поколений СБИС. Электроника. Jfe 6, 1989. - С. 10-13.

76. С. Уэбер. Многокристальные модули перспективное направление в области СБИС. Электроника. Jfe 7, 1989. - С. 63-71.

77. Компоненты и сборка. 11 специалистов обсуждают будущее многокристальных модулей. Электроника. № 11-12, 1993. С. 67-76.

78. В.Д. Разевиг, С.М. Блохнин. Система P-CAD 8.5. Руководство пользователя. "ДМК", М, 1997.- 283 с.

79. Л.Н. Колесов. Введение в инженерную микроэлектронику. М, "Советское радио", 1974.- 280 с.

80. Справочник по электротехническим материалам под ред. Ю.В. Корицкого, В.В, Пасынкова, Б.М. Тарасова. Том 2. М, "Энергоатомиз-дат". 1987,- 369 с.

81. Справочник по электротехническим материалам под ред. Ю.В. Корицкого, В.В, Пасынкова, Б.М. Тарасова. Том 3. М, "Энергоатомиз-дат". 1988,- 728 с.

82. A.A. Яшин. Конструирование микроблоков с общей герметизацией. М., "Радио и связь", 1985г.- 100 с.

83. Потехин В.А., Спирин В.Г., Шурыгин Б.Д. Расчет числа квадратов резистора сложной формы. Материалы Всероссийской научно-технической конференции, посвященной 30-летию Арзамасского филиала НГТУ. 24-25 ноября 1998г. С. 250, 251.

84. Спирин В.Г., Ямпурин Н.П. Особенности расчета РИС высокой интеграции. Материалы Всероссийской научно-технической конференции, посвященной 30-летию Арзамасского филиала НГТУ. 24-25 ноября 1998г. С. 252.