автореферат диссертации по приборостроению, метрологии и информационно-измерительным приборам и системам, 05.11.05, диссертация на тему:Разработка и исследование методов и средств измерения характеристик тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов

Введение

Глава 1. Современное состояние проблем измерения параметров и характеристик тонкопленочных электролюминесцентных устройств

1,1 .Общие требования к средствам отображения информации,

1.2, Анализ параметров индикаторов

1.3 Физико-конструктивные параметры ТПЭЛ индикаторов

1.4. Светотехнические и электрические характеристики ТПЭЛ индикаторов

1.5. Методы и средства измерения характеристик ТПЭЛ индикаторов

Выводы

Глава 2. Разработка и исследование методов измерения рассеиваемой мощности

ТПЭЛ индикаторов

2,1 Анализ существующих методов измерения рассеиваемой мощности

ТПЭЛ индикатора^

2.2. Моделирование электрических характеристик ТПЭЛ излучателей

2.3 Разработка метода измерения рассеиваемой мощности ТПЭЛ индикатора

Результаты и выводы

Глава 3. Разработка средств исследования характеристик ТПЭЛ индикаторов.

3.1 Приборы с использованием устройства выборки-хранения информации

3.2. Использование устройств ввода-вывода персональных компьютеров

3,3 Прибор с рекурсивным способом обмена данными измерений

3,4. Построение принципиальной электрической схемы прибора с рекурсивным способом обмена данными

3,5 Алгоритмизация измерительных и корректирующих процедур

Результаты и выводы

Глава 4. Анализ погрешностей методов измерения рассеиваемой мощности

4.1 Анализ погрешностей методов измерения рассеиваемой мощности

ТПЭЛ индикаторов

4.2 Погрешности аппаратной реализации методов измерения рассеиваемой мощности ТПЭЛ структур

4.3 Анализ инструментальных погрешностей методов измерения с аналого-цифровым преобразованием сигналов

4.4 Погрешности измерения рассеиваемой мощности рекурсивным методом

4.5 Сравнение результирующих погрешностей методов измерения рассеиваемой мощности

Результаты и выводы

Глава 5. Исследования характеристик тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов

5.1 Статистический анализ измерений рассеиваемой мощности ТПЭЛ индикаторов

5,2. Исследование зависимости рассеиваемой мощности электролюминесцентных конденсаторов от их конструктивных параметров

5.3 Анализ зависимостей яркости и светоотдачи от конструктивных параметров

ТПЭЛ конденсаторов

5,4, Исследование яркости и светоотдачи тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов различных цветов свечения

Результаты и выводы

Актуальность темы. Тонкопленочные электролюминесцентные (ТПЭЛ) элементы и индикаторные устройства на их основе являются в настоящее время одними из главных конкурентов электронно-лучевым трубкам при построении средств отображения информации (СОИ), в особенности при создании плоских индикаторных панелей. Это обусловлено целым рядом конструктивно-технологических показателей и эксплуатационных характеристик, присущих элек-ролюминесцентным индикаторным приборам. Данные устройства, обладая твер-¡отельной безвакуумной конструкцией, имеют длительный срок эксплуатации, вы-:окую стойкость к механическим, климатическим и радиационным воздействиям, юльшой угол обзора и обеспечивают воспроизведение изображений высокой яркости и контраста в условиях сильной внешней засветки.

ТПЭЛ элементы вызывают повышенный интерес у исследователей, разработ-[иков и потребителей средств отображения информации благодаря возможности нормирования плоских индикаторных панелей с высокой разрешающей способно-тью, как для малоформатных светоизлучающих устройств большой информационной емкости, так и для компьютерных терминалов и телевизионных экранов,

В настоящее время разработаны разнообразные конструкции индикаторов, в сновном определены и исследованы материалы для изготовления тонкопленочных и"икята«ш>1х элементов гшзтшччые хят>я-ктеш*стшси ТТТ^Ш гтгу-укт^п едшах пш?.

----------------------Г ------------ ----£-------Х---------------J >----ов свечения.

Вместе с тем до сих пор исследование таких ведущих характеристик, как ярость, рассеиваемая мощность, светоотдача, ведется с недостаточной точностью и тепенью автоматизации или высоким уровнем затрат, что является недопустимым пи создании надежных СОЙ с высокими- значениями г • к г; пл V ? п пни о нны х и техно-огических параметров.

Сложность исследования и построения характеристик тонкопленочных ис-эчников- излучения обуславливается их нелинейностью-: при возрастании ирило-:енного напряжения выше порогового значения, соот ветствукш хе * о началу свече-ия, емкость электро люминесцентного конденсатора резко увел и ч и в аетс я.

Как показал анализ, для экспериментального опнелеления п я с с еив я емой мощности, одной из основных характеристик тонкопленочных шжборов, традиционно используются измерения добротности элементов и мостовые методы, что пштводит к усреднению оцениваемых величин. Применяемый наиболее часто ос-тщтттогяа-фический мето^т оплетсттения рассеиваемой моптности с помогггктп емк'о--'т-зого моста Сойера-Тауэра заключается в метрическом изменении площади гистезезиса КПТГЬТ-ЗЯТШГГГШОЙ хаЛЯКТеЛИСТИКТТ ОТпблЯЖЯСМОЙ ТТЛ 'зпгоада* ПТ™-* ¡Гггп^гЬ-л

- -- I Г-Л I - х ? I -----М ' 1 ~ ¡ ' л'!Г> позволяет говолить о высокой точности метола.

Ряд зарубежных авторов для автомзтизатщи исследования характеристик шектролюминесцентных индикаторов применяет сложное универсальное интер-Ьейсное и цифровое осщтллографическое оборудование, определяя р ас с е ы в а ¡л м у 1 о мощность ТПЭЛ конденсаторов, наряду7 с набором других характеристик электло-тюм и несценгного индикатора по методике измерения площади петли вольт

ЧЛЯТОР.ОЙ ХЯЛЯКТеЛИСТИКИ ! !\'!РМ ТТелеМИОЖСТ-ШЯ РР 'Ьгт \л [,т V 1/л г г ггтV 11'лп-лгг г---г-1---------1---' - "i----------—J--------i 1-------------I---~ 7 - |• |:г! г 11 у г- .^, -^ юлогозмм гистеоезиеной хапнктевистики.

Таким образом, из изложенного следует необходимость и актуальность усо-шршенствовання существующих или разработка и исследование новых методов и ;редств исследования характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур,

В Ульяновском государственном техническом университете в течение ояпн гет разрабатывались методы нотуч^чтгя и мссле-оваттись свойств- ТПЭЛ ичдикато-юв, методы и устройства управления индикаторными нлиборями и их ттлименечие г СОИ. Основные результаты исследований отражены в госбюджетных и хоздоговорных работах, выполняемых на кафедре проектирования и технологии эт^ктрон-!ых средств и в проблемной научно-исследовательской лаборатории микроэлек-лоннь* л слетств отображения и легистлаттщт информации Ульяновского гос^ттао-твеиного технического университета -'дальнейшее Развитие лябот также обустто-'Ило необхоттимость анализа м ^копериментальных исслетовяний ТПЗТТ индикато-юв.

Цель и задачи работы. Целью диссертационной работы является оазработка зтодов и средств измерения характеристик тонкопленочных электролюминес-жтных интшкатолов имеющих повьнпенную точное^- и бметпояействод ггозво-j|j i;TTM v автоматизиловать проиесс измелечия пп" с.о кг?я -пени м обт-.емя ягтпалятчых ¡трат а также разработка рекомендаций для практиченкото ттпименения измери-5льны.х устройств и полученных результатов измерений.

Поставленная цель достигается решением следующих задач: анализ и исследование известных методов и средств измерения характеристик ШЛ индикаторов; лазлаботка новых методов и спетств изменения лас^еивяемпй мотпттоегттт тоггнт)-леночных электролюмш1есцентны.х индикаторных устройств: разработка измерительной аппаратуры с различным уровнем точности и аппа-атных затратах; исследование измерительной аппаратуры с целью уменьшения погрешности змерений рассеиваемой мощности на основе анализа условий, влияющих на точ-ость методов измерений; статистический анализ и исследование характеристик' ТПЭЛ индикаторов; анализ влияния конструктивных параметров ТПЭЛ структур на их светотехни-еские характеристики.

Методы проведения исследований. Исследования, изложенные в диссерта-/¡онгюй лаботе основываются ня использовании классической теории тспгектриче-сих цепей, теории погрешностей, численных методов интегрирования, теории ве-зятностей и математической статистики. Разработка измерительных устройств эоизведена с помощью системы автоматизированного проектирования PCAD 4,5, создание пакета программ - среды программирования С++ фирмы Borland. ли обработке пезультятов изменений оплеяепении статистических пяраметров и оделировании характеристик тонкопленочных излучателей использованы средст-1 ттпоf "няммны х пакетов MicrosoftExcfi'97t KlotchCAD v. 7.0 Jot Windows Научная новизна работы состоит в следующем.

Осцовнцр п»д;уд.;йнид. ВЫНОСИМЫ^ НВ ЗЗЩИТУ

Рс4 '-! п ГЛ <~\ гу -я ч л/гртг4тг v*/»пг1 !'т,т с! С1'(1 т.» г: р-а ,« .'1м лжгяттиг4г"гтд т.т атг4г4х ттйим ! ! !ТИ ± • ; г л ? -.- •- л г т ; г . ■ ■ ■ ' : г л гд ' ! ^ г - : ' - - -— ' л "" - ! якатооа на основе оппеделения плошади петли вольт-зарядовой харажтеоистики эсредством интегрирования периода напряжения, пропорционального изменению 1ряда на обкладках тонкопленочного конденсатора, обеспечивающий снижение глгпрптлгтр»м м^лдргпрнтл« —- • "

Предложенная аппаратная реализация, метода измерений характеристик ТПЭЛ знденсатопа позволяет создавать автоматизипованные устоойства контроля инди-зтоиных элементов и устоойств, 6 Разработано программное обеспечение процесса измерений и обработки резуль-атов измерений, позволяющее рассчитывать основные параметры ТПЭЛ структур. . Предложенный рекурсивный способ обеспечивает стабилизацию процессов ге-ерации, измерения и коррекции режимов измерения в реальном масштабе времени малыми аппаратными затратами и высокой степенью точности.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докла-ывались и обсуждались: на Международной научно-технической конференции Актуальные проблемы электронного приборостроения» (Саратов, 1996), Международной конференции «Центры с глубокими уровнями в Iюлупроводииках и по-уироводннковых структурах» (Ульяновск, 1997), Международной НТК «Нейрон-ые, реляторные и неирерывнологические сети и модели» (Ульяновск, 1998); 6-й оссийской НТК «Оптические, радиоволновые, тепловые методы и средства нераз-утающего контроля» (Саратов, 1995), Всероссийской НТК; «Перспективные мате-иалы и технологии средств отображения информации» (Кисловодск, 1996), Вее-зссийской Молодежной научной конференции "XXII Гагаринские чтения" (Моск-а, 1996), Всероссийской НПК «Современные проблемы создания и эксплуатации адиотехнических систем» (Ульяновск, 1998), региональных конференциях «Акту-1ьные проблемы материаловедения в электронной технике». (Кисловодск, НПО Люминофор», 1995), «Методы и средства измерений физических величин», (Низкий Новгород, 1996г.), «Наукоемкие технологии товаров народного потребления» /льяновск, 1997); на заседаниях школы-семинара «Актуальные проблемы физиче--сой и функциональной электроники» (Ульяновск, 1998), а также на ежегодных на-тао-технических конференциях профессорско-преподавательского состава УлГТУ 1995-1999 годах.

Публикации, По теме диссертации опубликовано 24 работы, направлены 2 швки на изобретения.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, яти глав, заключения, библиографического списка из 140 наименований и двух риложений. Диссертация содержит 169 страниц, в том числе: 135 страниц основ-ого текста, 16 таблиц, 43 рисунка.

Основные результаты и выводы диссертационной работы заключаются в следующем:

1. Показана ограниченность применения существующих устройств и методик измерения и обработки результатов для исследования рассеиваемой мощности ШЭЛ структур, основной характеристики, позволяющей определять свойства и конструктивные параметры ТПЭЛ приборов, вследствие больших значений методических и инструментальных погрешностей.

2. Проведен теоретический анализ электрических зависимостей 'ШЭЛ структур, на основании которого разработаны методы измерений значения рассеиваемой мощности ТПЭЛ приборов с меньшей методической погрешностью и сложностью алгоритма измерений, высокой долей автомат ичности, низкими аппаратными затрат ами.

3. Но результатам исследования предложены варианты аппаратной реализации предложенных методов измерения, базирующиеся на аналого-цифровом преобразовании и программном интегрировании измерительных данных различными способами.

4. Разработаны алгоритмы исследований, обработки результатов и коррекции процессов измерений рассеиваемой мощности тонкопленочных приборов предложенными методами, позволяющие повысить достоверность результатов.

5. Выделены составляющие погрешностей измерений рассеиваемой мощности тонкопленочных приборов, рассмотрены влияющие на них факторы, вызванные составом измерительной цепи.

6. При анализе составляющих погрешности определено, что уровень методических погрешностей известных методов определяет геометрический гтринпип расчета площади вольт-зарядовой характеристики тонкопленочных приборов.

151

7. Приведены результаты экспериментального исследования методов измерения характеристик ТПЭЛ приборов, проанализированы и исследованы случайные составляющие погрешностей результатов измерений рассеиваемой мощности с использованием методов статистического анализа.

8. Исследованы ТПЭЛ приборы различных цветов свечения, определены их характеристики, рекомендованы варианты их использования в средствах отображения информации.

152

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Lee J. D. Flat panel display market and technology trends // Channel Magazine. -1997. Vol. 10, №2. - p.4

2. Гузенкова И. Д. Состояние и перспективы развития рынка плоских индикаторов И Зарубежная электронная техника. 1995. - № 1. - с. 15-21.

3. Werner К. Плоские дисплеи // Computer Week. 1997. - № 27. - с. 37-41.

4. Emmett А. Пентагон финансирует производство плоскоэкранных дисплеев // Computer Week. 1994. - № 10. - с.4.

5. Соловьева Н. Рынок плоских дисплеев: конкуренция обостряется //Электроника: наука, технология, бизнес. 1996. - № 4. - с. 33-40.

6. Згурский B.C., Лисицын Ъ.Л. Элементы индикации: Справочник. -М.: Энергия, 1980.-224 е., ил.

7. Дисплеи: Пер. с англ./Под ред. Ж. Панкова. М.: Мир, 1982.-320 е., ил.

8. Шерр С. Электронные дисплеи: Пер. с англ. М.: Мир, 1982.-624 е., ил.

9. Электронные приборы для отображения информации/ Ю.А.Быстров, И.И.Литвак, Г.М. Нерсианов. -М.: Радио и связь, 1985.- 240 с.

10. Самохвалов М.К. Конструкции и технология тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Ульяновск: Ул1 ТУ, 1997. - 55 с.153и. Электролюминесцентные источники света / Под ред. И.К. Верещагина. М.: Энергоатомиздат, 1990. - 168 с.

11. Литвак И. И. Проблемы разработки общего метода проектирования систем отображения информации. // Современные методы и устройства отображения информации. -М.: Радио и связь, 1981. 132 с.

12. Айден К., Фибельман X., Крамер М. Аппаратные средства PC. Энциклопедия аппаратных ресурсов персональных компьютеров: Пер. с нем. СПб.: BHV-Санкт-Петербург, 1996.-544 с.

13. Деркач В.П., Стринжа М.В. Современные устройства отображения видеоинформации в автоматизированных системах управления. // Техника индикации. Киев: Наукова думка, 1976,- 240 с.

14. Индикаторы. Современное состояние и перспективы. М.: Электроника: Экспресс-информ./ ВИНИТИ; -1996,- № 23- 13 с.

15. Perry T.S. From lab to lap. // IEEE Spectrum. 1985. - Vol. 22, № 7. - p. 53-59.

16. Apt С. M. Perfecting the picture. // IEEE Spectrum. 1985. - v. 22, № 7. - p. 60-66.

17. Лямичев И.Я. Устройства отображения информации с плоскими экранами. -М.: Радио и связь. 1983,- 147 с.

18. Прикладная электролюминесценция. /Под ред. М.В. Фока.- М.: Энергия, 1974. -319 е., ил.

19. Фок М.В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1964.-284 с.

20. Деркач В.П., Корсунский В.М. Электролюминесцентные устройства. Киев: Наукова думка, 1968. - 304 с.

21. Хениш Т.К. Электролюминесценция: Пер. с англ./ Под ред. Вавилова B.C. М.: Мир, 1964.- 445 с.154

22. Власенко Н.А. Электролюминесцентные устройства отображения информации. Киев: Знание Украины. 1991.- 24 с.

23. Разработка и исследование свойств элементов СБИС для устройств отображения информации. Отчет о НИР (заключительный) /Одесский политехнический институт. Науч. рук. Сухарев Ю.Г. № ГР 0183.0066527, инв. № 0286. 0039536. Одесса, - 1985. - 100 с.

24. Kobayashi S. et al. Improved Characteristics of DC TF-powder hybrid EL.// Japan Display, 1989, p. 242.

25. Веревкин Ю.Н. Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел. J1.: Наука, 1983.- 93 с.

26. Vecht А. AC and DC Displays. // SID 1989, p.F-2.2.

27. Власенко H.A., Беднарчук Д.И. Светоизлучающие тонкопленочные структуры и их применение. Киев: Знание Украины. 1987, - 19 с.

28. Chadha S.S. et al. High-contrast high-stability ZnS:Mn thin-film displays with chalcogenide glass current control layers.// SID 1991 Digest, p.80.зз Ishico M. et al. Matrix-addressed organio thin-film EL display Panels.// Japan Display 1989, p.704.

29. Burroyghes J.H. et al. Light emitting diodes based on conjugated polymers.// Nature,-vol.347.- 11 October 1990. -p.539-541.

30. Adachi C., Teuteui Т., Saito S. Electroluminescence in organic films with three-layer structure.// Jap. J.Appl. Phys. 1988,- vol.27 —№2. February.- p. 269-271.

31. Adachi C., Teuteui Т., Saito S. Organic electroluminescent device having a hole conductor as an emitting layer // Jap. J. Appl. Phys. 1989.- vol.55.- №15.- 9 October 1989. -p.37-39

32. Adachi C., Teuteui Т., Saito S. Electroluminescence in vacuum-deposited organic thin-films.// Springer Proceeding in Phys. 1989.-v.38.-P.358-361.155

33. Kido J.et al. Moleculary doped polymers as a hole transport layer in organic eleotroluminescent devices // Jap. Phys. 1992. vol.31. - №78.- p. L960-L962.

34. Электролюминесцентные источники света. / И.К. Верещагин, В.А. Ковалев, J1.A. Косяченко, С.М. Кокин; под ред. И.К. Верещагина. М.: Энергоатомиздат, 1990,- 168 с.

35. Бараненков И.В., Петров В.Н. Электролюминесцентные индикаторные устройства с памятью // Зарубежная радиоэлектроника. 1985. № 9.- с.61-69.

36. Tornqvist R.O. et al. Low-power Thin-iilm EL display. SID 1991 Diggest, p.63.

37. Насс P. Надежный терминал на базе электролюминесцентного индикатора размером 304x355 мм. //Электроника.- 1990,-№ 11, с.59.

38. Мануэль Т. Полноцветный электролюминесцентный индикатор.// Электроника. 1988.-№ 11, с.27-30.

39. Бараненков И.В. Перспективы создания плоских панелей дисплеев с полной цветовой гаммой на основе тонкопленочных электролюминесцентных устройств.//Зарубежная радиоэлектроника,- 1988. № 11.- с.60-67.

40. Inoguchi Т., Takeda М., Karihara A., Nakata Y. Stable high-brightness Thin-tile electroluminescent panels.// 1974 SID Int. Symposium Digest Papers, 1974.- p.84-86.

41. Suzaki C., Inoguchi Т., Mito S. Thin film EL displays.// J. Inform. Display. 1977. Spring.- p. 14-19.

42. Max P. Электролюминесценция в поликристаллических полупроводниках. // Поликристаллические полупроводники: Физические свойства и применения: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. - 344 с.

43. Brigadnov l.Yu., Zabudskii Е.Е., Samokhvalov M.K. Thin-Film Electroluminescent Display Units //Pattern Recognition and Image Analysis.-1996.- v.6, №2.-p.352-353.

44. Власенко H.A., Попков Ю. Исследование электролюминесценции сублимат-фосфора ZnS:Mn. //Оптика и спектроскопия. 1960.-т.8. с.39-42.156

45. Sano Y et al. A novel TFEL device using a high-dielectric constant multilayer ceramic substrate.// IEEE Trans. Elec. Devices, 1986,- v. ED-35.-№ 8.- p. 1155-1158.

46. Рахлин М.Я., Родионов В.Ъ. Исследование вольт-яркостных характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур с керамическим диэлектриком. // Письма в ЖТФ, 1968,- т. 14, вып. 23.- с.2144-2147.

47. Нумомура К. Электролюминесцентный элемент на основе многослойной керамики. // Эрекуторокинусу серамикусу: Electron Cell,1986.-v.l7-№ 84.-c.9-13.

48. Minami T. et al .Sound emitting thin film electroluminescent devices using piezoelectric ceramics as insulating layer.// Electroluminescence: Proc. 4th. Int. Workshop, Tottori, Oct. 11-14, 1988.-Berlin ect., 1989.-p.310-313.

49. Wager J.F., Keir P.D. Electrical characterization of thin-film electroluminescent devices // Annu. Rev. Mater. Sci. 1997. - Vol. 27. - p. 223-248.

50. Власенко H.A. Куриленко Б.В., Цыркунов Ю.А. Электролюминесцентные тонкопленочные излучатели и их применение. Киев: Знание, 1981. - 24 с.157

51. Самохвалов М.К. Вольт-яркостная характеристика и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных структур //ЖТФ. 1996. - Т.66, Вып. 10. - с. 139-144.

52. Турин Н.Т. Энергетический анализ тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов //ЖТФ. 1996. - Т.66, Вып. 5. - с. 77-85.

53. Ono Y. et.al. White-light entitling thin film electroluminescent device with stacked SrS;Ce/CaS:Eu active lasers. // J. Appl.Phys. 66 (11), December 1989,- p.5564-5571.

54. Свечников С. В., Савин А.К., Завьялова J1. В. Применение металлоорганических соединений для получения тонкопленочных электролюминесцентных структур.// Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1986, Вып.2 (181) с.68-73.

55. Mach R. Electroluminescence in polycrystalline semiconductors.// Polycrystailine semiconductors. Phys.Prop. and Appl. Proc. Int. Sch.Mater. Sc. and Technol, 1985.-p. 186-208.

56. Suntola T. Perfomance of atomic layer epitaxy devicea.// SID Int. Symp. 1981.- p.20.

57. Kozavaguchi H., Ohwaki J. and Tsujiyama B. Thin-film eleotroluminescent devices with low operating votage and high brightness.// Rev. electrical comm. Lab., 1984.-v.32.- №.1.- p.71-77.

58. Suyama T. et al.Multi-coloring of thin-film electroluminescent device.// Jap.J.Appl.Phys, 1982,- v.21.- Part 21-l.-p.383-387.158

59. Коэн 4.J1. Японские исследования в области электролюминесцентных индикаторов с повышенной яркостью.// Электроника, 1985,- № 15.- с.11-13.

60. Kobayashi Н., Tanaka С. Материалы для цветных электролюминесцентных панелей.//Кагаку, то когё. Chem. and chem. Ind, 1986.-v.39.- №3. p. 177-180.

61. Abe Y. et al. White light emitting thin film electroluminescent cells with SrS:Pr,Ce active layer and their application to multicolor electroluminescent devices. // Jap.J.Appl.Phys, 1989.-vol.28, №8.-p.1373-1377.

62. Tanaka S. et al. White light emitting thin-film electroluminescent devices with SrS:Ce,Cl/ZnS:Mn double phosphor layers. // Jap.J.Appl.Phys, 1986,- Pt 2,- v.25.-№ 3,- p.225-227.

63. Самохвалов M.K., Пугачев С.Ф., Бригаднов И.Ю. Спектральные характеристики тонконленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS. // Тез. докл. 28-й науч.-техн. конф.УлПИ. ЧастьГ Ульяновск: УлПИ, 1994. - с.27-28.

64. Аксененко М.Д., Бараночников МЛ., Смолин О.В. Микроэлектронные фотоприемные устройства. М.: Энергоатомиздат, 1984.-208 с.159

65. ЗабудскийЕ. Е., Самохвалов М.К., Фокин О.С. Погрешности измерений характеристик юнкоиленочных электролюминесцентных источников излучения.// Тез. докл. 30-й науч.-техн. конф. УлГТУ. Часть 1.-Ульяновск: Ул1 ТУ, 1996.-с. 82

66. Оно Y. A. et al. Transferred charge in the active layer and EL device characteristics of TFEL cell. // Japanese journal of applied physics, 1987.-v.26.- № 9.- p.1482-1492.

67. Матизен Л.Д., Тальвисте И.В., Тальвисте Э.К. и др. Определение электрических характеристик электролюминесцентного конденсатора.//Уч. записки Тартусского государственного университета, 1984,- вып. 692.-С.60-73.

68. Oprea A., Goldenblum A. On low freguency efficiency of Zn:Mn thin film electroluminescent devices.// Phis, status sol., 1997. vol. A.- № 1- p. 265-269.

69. Самохвалов M.K., Фокин О.С. Измерение рассеиваемой мощности электролюминесцентных излучателей. // Тезисы докладов 6-й Российской НТК «Оптические, радиоволновые и тепловые методы и средства неразрушающего контроля». Саратов: С1У, 1995. - с. 61 - 62

70. Забудский Е.Е., Фокин О.С. Расчет мощности рассеивания электролюминесцентных конденсаторов. // Тез. докл. 32- й НТК УлГТУ. Часть 2. -Ульяновск: УлГТУ, 1998. -с.4-5

71. Бронштейн И.Н., Семендяев К.А. Справочник по математике: Справочник: llep. с нем./ Под ред. Гроше Г., Циглера В. М.: Наука, 1980. - 976 с.

72. Фокин B.C., Фокин О.С. Устройство измерения рассеиваемой мощности электролюминесцентных излучателей. // Тез. докл. конф. «Актуальные проблемы материаловедения в электронной технике». Кисловодск. 5-11 июня 1995 г. Ставрополь: НПО Люминофор, 1995. - с.50

73. Фокин О.С. Автоматизированные измерения характеристик ТПЭЛ конденсаторов. Тез. докладов Всероссийской НТК "Перспективные материалы и технологии средств отображения информации. Кисловодск, сент. 1996". -Ставрополь: СГТУ, 1996 с. 112

74. Шеннон К. Связь при наличии шума. // Теория информации и ее приложения: Сборник переводов. /Под ред. A.A. Харкевича. М.: Изд. физ.-мат. литературы, 1959,- 328 с.

75. Ильин В.А. Телеуправление и телеизмерение. 3-е изд., перераб. и доп.- М.: Энергоатомиздат, 1982.- 560 с.

76. Коломбет Е.А. Микроэлектронные средства обработки аналоговых сигналов. -М.: Радио и связь, 1991.-376 е.: ил.

77. Алексеенко Э.Б., Фокин О.С. Автоматизированный, контроль характеристик тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств. // Тезисы докл. 30-й науч.-техн. конф. УлГТУ. Часть!. Ульяновск: УлГТУ, 1996. - с. 81161

78. Александров Д.В., Фокин О.С. Устройство выборки и хранения информации для дискретизации периодического сигнала.// Тезисы докл. 30-й НТК УлГТУ. Часть!. Ульяновск: У МТУ, 1996. - с. 88-89

79. Методы электрических измерений/ Л.Г. Журавин, М.А. Мариненко, Е.И. Семенов и др.; Под. ред. Э.И. Цветкова. Л.: Энергоатомиздат, 1990. -288 с.

80. Фролов A.B., Фролов Г.В. Аппаратное обеспечение IBM PC. М.: Диалог-МИФИ, 1992.-356 с.

81. Рош УЛ. . Библия по техническому обеспечению IBM PC, PS/2 и совместимых компьютеров. Минск: МХХК - Динамо, 1992.-542 с.

82. Нехорошее К., Сокол Е. Виртуальная измерительная лаборатория// Ремонт электронной техники. Журнал для профессионалов, 1999, вып. сентябрь'99 (2) -с.35-39.

83. Платы сбора и обработки аналоговой и цифровой информации для ПЭВМ. Диагностические и измерительные системы: Каталог ЗАО Руднев-Шиляев. -М.: ЗАО Руднев-Шиляев, 1998. 104 с.

84. Автоматизация предприятий и лабораторий с помощью плат и блоков ввода/вывода для IBM PC. Компьютерные измерительные платы: Каталог компании "Сигнал". М.: Компания Сигнал, 1998. - 16 с.

85. Руднев П., Шиляев С. Платы сбора данных // Мир Г1К, 1993, №3 с. 13.

86. Ю8 Фокин О.С. Автоматизированный контроль электрических характеристикнелинейных элементов // Тез. докл. региональной НТК «Методы и средстваизмерений физических величин», Нижний Новгород, 19 июля 1996г.-Н. Новгород: HI ТУ, 1996. с.37

87. Мейзда Ф. Электронные измерительные приборы и методы измерений: Пер. с англ. М.: Мир, 1990. - 535 с.163из. Новицкий П.В., Зоограф И.А. Оценка погрешностей результатов измерений.-2-е изд., перераб. и доп. -Л.: Энергоатомиздат, 1991. 304 с.

88. Геда Н.Ф. Измерение параметров приборов оптоэлектроники/ Под ред. C.B. Свешникова. -М.: Радио и связь, 1981.- 368 с.

89. Осциллограф универсальный С1-75. Техническое описание и инструкция по эксплуатации И22.728.00810.lis. Осциллограф универсальный С1-93. Техническое описание и инструкция по эксплуатации И22.044.084ТО.

90. Шлыков Т.П., Брагин A.A., Семенюк АЛ. Методы и средства метрологических испытаний аналого-цифровых измерительных устройств./ Под ред. 1.11. Шлыкова. Пенза: 1111И, 1990. - 76 с.

91. Шлыков Г.11. Измерение параметров интегральных ЦА11 и АЦП. М.: Радио и связь, 1985.- 128 с.

92. Микросхемы для аналого-цифрового преобразования и средств мультимедиа: Справочник. Выпуск 1. -М.: ДОДЭКА, 1996.-384 с.

93. Генератор сигналов низкочастотный ГЗ-56/1. Техническое описание и инструкция по эксплуатации СЮ3.265.010ТО.

94. Генератор сигналов низкочастотный ГЗ-112/1. Техническое описание и инструкция по эксплуатации ЕХ3.268.042ТО.

95. Генератор сигналов специальной формы Г6-28. Техническое описание и инструкция по эксплуатации ЕХ2.211.026 ГО.

96. Вольтметр универсальный В7-16А. Техническое описание и инструкция по эксплуатации атд2.710.000т0.

97. Вольтметр универсальный В7-21А. Техническое описание и инструкция по эксплуатации атд2.7Ю.ООЗТО.

98. Вольтметр универсальный цифровой В7-35. Техническое описание и инструкция по эксплуатации r62.728.008TÜ.

99. Резисторы, конденсаторы, трансформаторы, дроссели, коммутационные устройства РЭА: Справочник / H.H. Акимов, Е.П. Ващуков, В.А. Прохоренко и д.р. -Мн.: Беларусь, 1994. 591 е.: ил.

100. Усилитель звуковой частоты полный "Амфитон У01". Техническое описание и инструкция по эксплуатации ще5.025.001т0.

101. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы/ C.B. Якубовский, H.A. Барканов, J1.H. Ниссельсон и др.; Под ред. C.B. Якубовского.-2-е изд., перераб. и доп. М.: Радио и связь, 1985.-432с.

102. Фокин О.С. Контроль потребляемой мощности ячеек электролюминесцентных панелей / Тез. докладов Всеросс. НПК «Современные проблемы создания и эксплуатации радиотехнических систем. Ульяновск: УлГТУ, 1998. -с. 132

103. Белов В.К., Петухов В.И., Садовский I .A. Статистические методы в измерительной технике. Рязань: РРТИ,1976. 108 с.

104. Зажигаев J1.C., Кишьян A.A., Романиков Ю.И. Методы планирования и обработки физического эксперимента. М.: Атомиздат, 1978. - 232 с.

105. Гришин В.К. Статистические методы анализа и планирования экспериментов. -М.: МГУ, 1975.- 128 с.165

106. Фокин О.С. Автоматизированный контроль светоотдачи тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Тез. док. Всеросс. Молодежной научной конф. «XXII Гагаринские чтения. 2-6.04.1996». -М.: МГАТУ, 1996. -ч.2, с. 119

107. Самохвалов М.К. Тонкопленочные электролюминесцентные источники излучения. Ульяновск: УлГТУ, 1999.-117с.

108. Результаты измерений осциллографическим методом

109. Ср.зн. 10,09 0,43 4,38 Ср.зн. 30,09077 1,29 38,91

110. Дисп 0,005 0,00003 0,006 Дисп 0,005 0,003 2,69

111. Коэфф. Корр. 0.78 0,91 Коэфф. Корр. 0,85 0,85

112. Результаты измерений осциллографическим методом

113. Ср.зн. 61,09 2,64 160,99 Ср.зн. 90,09 3.93 353,94

114. Дисп 0,005 0,ПП17 7,00 Дисп 0,004 0.003 23.25

115. Козфф. Корр. 0,82 0,84 Коэфф. Корр. 0,681 0,73