автореферат диссертации по электронике, 05.27.03, диссертация на тему:Получение наноразмерных эпитаксиальных структур методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ УКРАИНЫ ХЕРСОНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

,46 ОД

У '■!

На правах рукописи

ШОРОХОВ АЛЕКСЕЙ ВАЛЕРИЕВИЧ

УДК 539.2191548.736.13

ПОЛУЧЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ОХЛАЖДЕНИЯ НАСЫЩЕННОГО РАСТВОРА-РАСПЛАВА

05.27.03 - технология, оборудование и производство материалов и устройств электронной техники

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Херсон, 1997 г.

Работа выполнена на кафедре физической электроники Херсонского государственного технического университета.

Научные руководители:

доктор технических наук, лауреат Государственной премии Украины, профессор Марончук И.Е.

Официальные оппоненты:

доктор технических наук, профессор Левинзон Д.И.

кандидат физико-математических наук Беднарский В.В.

Ведущая организация:

Институт фнзнхи полупроводников НАН Укоаины

Защита состоится 20 " июня 1997 г. в 15 часов на заседании специализиро ванного ученого совета Д 19.01.07 при Херсонском государственном техниче ском университете по адресу:

325008, г. Херсон, Бериславское шоссе, 24, ХГТУ.

Автореферат разослан'

1997 г.

Ученый секретарь специализированного совета, д. х. н., профессор

Новиков А. А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РА"ОТЫ

Актуальность темы. В настоящее время прогресс в области электрон-гой техники в значительной мере связывается с широким использованием (аноразмерных слоев и сверхрешеток. Использование зпнтаксиальных сло-» толщиной менее 0,1 мим позволило не только улучшить характеристики :уществугощих приборов микроэлектроники, но и привело к созданию но-1Ых типов приборов, принцип действия которых основан на физических ффектах, происходящих в квантово-размерных структурах. Основными юдельиыми материалами для получения таких структур являются арсенид ■аллия и твердые растворы А!,Са^Ав.

Несмотря на то, что для изготовления наноразмериых структур в ос-ювном используют методы молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазного юаждения, наиболее перспективными процессами для получения качест-енных структур являются методы жндкофазной эпитаксии; поскольку в том случае кристаллизация осуществляется при более низких значениях [еоесыщения. что приводит к получению структурно совершенных слоев.

Известные к началу настоящей работы методы выращивания нано-азмерных эпитаксиалышх структур из раствора-расплава имели ряд ха-актерных особенностей, не позволяющих в полной мере реализовать пре-мущества жидкофазной эпитаксии при выращивании сверхтонких слоев, ибо не давали возможности получать совершенные многослойные нано-азмерные структуры в одном технологическом процессе. Исключением яв-ялся метод импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава, редложенный в [I]. Метод дает возможность получать слон субмикроииой олщины при достаточно высоких темперагурах за счет кратковременного хлаждения подложки. С зчетание этого метода с поршневой или сдвиговой ехнологией позврляет выращивать в одном процессе многослойные струк-уры.

Однако к началу выполнения настоящих исследований не было пр< ведено изучение механизма кристаллизации при импульсном охлажденн раствора-расплава, а также отсутствовал анализ влияния технологичеда условий проведения процесса на толщину и структурное совершенство л лучаемых слоев. Отсутствовали данные об исследовании физичесю свойств наноразмерных структур, полученных данным методом.

Цель работы - разработка методики по. учения наноразмерных ело и яегнрованных сверхрешеток с заданными параметрами методом импуль кого охлаждения насыщенного раствора-расплава и исследование их фот люминесценции.

Для достижения цели данной работы решались следующие задачи:

• разработка оптимальных конструкций технологической оснастки р проведения выращивай,!Я наноразмерных структур методо" импул! ного охлаждения насыщенного раствора-расплава;

• разработка методики выращнв.ашя многослойных эпитаксиальн структур, содержащих как ианоразмерные, так и объемные слои ар нида галлия и твердых растворов АШи^Аб;

« изучение тепло- и масеопереноса при выращивании слоев в проце импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава;

• проведение теоретического анализа влияния технологических уело! роста на процессы кристаллизации, толщину и однородность получ мых слоев;

• разработка мет одики исследования люминесцентных параметров кв товых ям;

. изучение энергетического сдактра носителей, локализованных в К1

. товых ямах, образованных черел. ющимися слоями легирован сверхгешетки и наноразмерным слоем ОаАв, заключенным между > ип слоями широкозонного твердой, раствора АЮаАв;

• определение толщины полученных наноразмерных слоев из анализа спектров фотолюминесценции структур, содержащих такие слон.

Научная новизна заключается в разработке физико-технологических основ выращивания наноразмерных слоев с заданными параметрами методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава, установлении влияния условий проведения процесса на их параметры.

• Впервые показана возможность получения наноразмерных слоев с заданными параметрами методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава;

• проведен комплексный теоретический анализ процессов тепло-массо-переноса и кинетики кристаллизации при выращивании наноразмерных слоев данным методом;

• разработаны оригинальные конструкции кассет для выращивания наноразмерных слоев, а также методики получения о одном технологическом процессе многослойных структур, содержащих как квантово-размерные слои, полученные при импульсном охлаждении раствора-расплава, гак и объемные слои, полученные методом принудительного охлаждения;

• определены зависимости толщины слоев от технологических условий роста и критерии структурного совершенства получаемых слоев;

• разработан метод наблюдения фотолюминесценции гетероструктур, содержащих квантовую яму, при регистрации излучения, выходящего через боковую поверхность узкого образца, образованного сколами структуры, позволяющий выделить спектр фотолюминесценции нано-размерного слоя из суммарного спектра всей структуры;

• исследованы излучательные переходы в гетероструктурах, нредстаа-ляющих собой наноразм<.-рный слой ОаАв, заключенный между двумя слоями широкозонного твердого раствора А!ОаА$, связанные с реком-

бинациен электронов с тяжелыми и легкими дырками, которые локализованы в квантовы ямах соответственно зоны проводимости и валентной зоны.

• показано, что спектр фотолюминесценции легированной сверхрешеткн представляет собой широкую полосу в интервале от 1,15 до 1,8 эВ, причем фотолюминесценция в длинйоволновой области спектра обусловлена рекомбинацией пространственно разделенных носителей через непрямую в реальном пространстве запрещенную зону, а в коротковолновой области (с энергиями кванта больше значения ширины запрещенной зоны объемного материала) - "вертикальной рекомбинацией" в пределах наноразмерных слоев, образующих сверхрешетку.

Практическая ценность работы.

Разработанное оборудование позволяет использовать мего« импульс ного охлаждения насыщенного раствора-расплава длг получения из жидко! фазы как одиночных наноразмерных слоев, так и многослойных эпитакси альных структур.

Проведенные теоретические исследования определяют оптимальны технологические режимы для получения структурно совершенных однород: ных наноразмерных слоев и многослойных структур с заданными парами рами на большой площади.

Полученные в работе результаты открывают перепек швы в создали новых приборов электронной техники с высокими функциональными х: рактеристиками.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту. 1. Квантово-размерные слои могут быть получены методом им ;ульс 101 охлаждения насыщенного, раствора-расплава при использовании тепл поглотителей толщиной от 2 до 10 мм, имеющих температ ру ниже те; пературы подложки на величин;, ДТ=10+100 °С.

2. Сплошные наноразмерные слои с высокой однородностью толщины (с разбросом не более 1 им на ллошэди 0,5 см3) кристаллизуются в процессе импульсного охлаждения при пересыщениях, меньших, чем пересыщения, необходимые для гомогенного образования зародышей, и больших, чем пересыщения, необходимые для образования зародышей на дефектах подложки.

j. При возбуждении фотолюминесценции с поверхности двойной гетерост-руктуры, содержащей квантовую яму, излучение, выходящее через торец, определяется энергетическим спектром носителей в квантово-размерном слое.

4. Разработанные конструкции устройств, позволяющих получать в одном процессе как одиночные наноразмерные слои методом импульсного охлаждения, так и многослойные структуры, содержащие в том числе и объемные зпитаксиалъные слои нрсенида галлия и твердых растворов AUGai-aAs, полученные принудительным охлаждением насыщенного раствора-расплава.

5. Установленные закономерности и режимы получения наноразмерных слоев GaAs заданной толщины из раствора а расплаве галлия методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава в зависимости от технологических параметров проведения процесса выращивания.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на II Украинской конференции "Матер^алознавство i фпнка напшпроЕишикових фаз змшного складу" (г. Нежин, 1993), The First International Conference on Material Science of Chatcogenide and Diamond-Structure Semicondactors (i . Черновцы, 1994), VI Международном симпозиуме "Тонкие пленки в электронике" (г. Херсон, 1995), VI М!жнародшй конференцп з ф!30гкн i технологи тонких плавок (г. Ивано-Франковск, 1997).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 8 работ.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 4 глав, списка используемой литературы. Работа содержит 117 страниц машинописного текста, включая 29 рисунков.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ Во введении обоснована актуальность темы диссертационной работы, сформулирована цель и задачи исследования, научная новизна и практическая ценность полученных результатов, представлены положения и результаты, выносимые на защиту, и приведены сведения об апробации работы.

Первая глава содержит обзор литературных данных ^б известных методах гыращнвания наноразмерных эпигаксиальных слоев из жидкой фазы и их сравнительный анализ. Описан метод импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава. Глава содержит обзор фьзических свойств наноразмерных слоев и легированных све гхрешегок, рассмотрены основные направления их приборного применения.

Из обзора литературы сделаны следующие выводы:

1. Дальнейшее развитие электронной техники в значительней мере связывается с широким использованием наноразмерных слоев и сверхрешеток в конструкциях, современных полупроводниковых приборов.

2. Наибольшие успехи при получении наноразмерных слоев Л3В3 достигнуты методом жидкофаэной эяитаксии. Однако применяемые в настоящее' время методы выращивания наноразмерных эпитаксиальных структур из раствора-расплава не позволяют полностью реализовать преимущества жидкофазной эпитаксии при вымащивании сверхтонких слоев, либо не *»ают возможности получать соафшенные многослойные наноразмерные структуры в одном технологическом процессе.

3. Метод импульсного охяажяенад тштешшго растворарасплзва в пол-

ной мере реализует все преимущества жидкофазной эпитаксии при выра-нтчвании наноразмерных структур. Однако имеющиеся сведения об особенностях выращивания наноразмерных слоев методом импульсного охлаждения недостаточны для применения метода в опытно-промышленном производстве, 4. Отсутствуют данные об исследовании свойств наноразмерных структур, полученных методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава.

На основе анализа данных научно-технической литературы определены направления исследований и сформулированы задачи работы.

Вторая глава посвящена описанию применяемого оборудования, технологической оснастки, исходных материалов, способов их предэпитакси-альной обработки, методик получения и исследования эпитаксиальных структур, содержащих наноразмерные слои.

Для выращивания наноразмерных слоев методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава использовалась установка для жидкофазной эпитаксии типа "Вега" с горизонтально расположенным реактором, внутрь которого была помещена тепловая труба с натрием в качестве теплоносителя, позволяющая увеличить зону постоянной температуры до 300+400 мм, а также минимизировать радиальные и осевые температурные градиенты. Для придания теплопоглотителю требуемой температуры Т|, отличной от температуры печи То, использовалась дополнительная од-носекционная печь с температурной полкой 10 см.

При выращивании наноразмерных слоев методом импульсного охлаждения подложка арсенида галлия при температуре То приводится а кок-такт с насыщенным "ри этой температуре раствором-расплавом. Затем а реактор вносился тегшопоглотитель в виде.пластины, имеющей температуру Т|<То, который приводится в контакт с тыльной стороной иодложги. В

результате теплообмена теплопоглогитель нагревается до температуры Тс, но за это время происходит кратковременное охлаждение подложки и прилегающего к ней слоя раствора-расплава, что приводит к кристаллизации на поверхности подложки наноразмерного эпитаксиального слоя. Толщина получаемых слоев зависит от величины и длительности охлаждающего импульса, которые определяются температурой и толщиной теплопоглотите-ля. Сочетание метода импульсного охлаждения с поршневой или сдвиговой технологией позволяет получать многослойные структуры в одном технологическом процессе.

Для выращивания сконструированы кассеты двух типов (рис. 1) -поршневая (а) и сдвиговая (б). В поршневой кассете растворы-расплавы двух составов разделены "плавающим клапаном" 1, который препятствует их смешиванию. Поршни 2, работая в противофазе, приводят подложку 3, размещенную в слайдере 4, в контакт с одним из растворов-расплавов. Теп-

3

....... I

1 4

Ч

/

Г

а)

Рис. К Схемы мрш..еяой а сдвиговой кассет.

лопоглотнтель 5 представляет собой пластину из графита.

В сдпиговой кассете подложка 3 находится г подвижном слайдере 4, перемещающемся между двумя камерами с растворами-расплавами. Тепло-поглотитель в этом случае размещается снизу, Тонкий слой раствора-расплава, находящийся на поверхности подложки в процессе ее перемещения между камерами, окончательно удалялся с помощью пластины арсени-да галлия б, установленной р^ртикально в тонкой прорези корпуса кассеты. Это позволяло избежать окисления поверхности слоев, содержащих алюминий, в процессе контакта с атмосферой реактора.

Обе кассеты позволяют получать в одном процессе как наноразмер-ные слои методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава, так и объемные эпитаксиальные слои - при снижении температуры печи по заданной программе.

Выращивание ианоразмерных слоев осуществлялось при темперагурах То=700+750 °С с использованием теплопопготителей толщиной от 2 до 10 мм. Температура теПлопоглотителя Ъ отличалась от температуры подложки на ДТ=То-Т,= 10+100 "С.

Выращивались нелегированные структуры, содержащие одиночный наноразмерный слой ОаЛэ, заключенный между двумя объемными слоями Alo.3Gao.7As толщиной порядка 2 мкм, и легированные сверхрешетки арсе-нида галлия, образованные чередующимися наноразмерными слоями р- и п-типа проводимости.

Фотолюминесценция возбуждалась путем облучения полученных структур аргоновым лазером (Лнп-0,45+0,54 мкм, мощность 0,05+4 Вт) при температуре 77 К. Мощность возбуждающего излучения определялась с помощью измерителя мощности лазерного излучения ИМО-3. При регистрации спектров ФЛ квантовых ям использовали излучение, выходящее через боковую поверхность структуры т.е. параллельно плоскосги нанораз-мерноге слоя. Для эгого из полученных структур выкалывали обрати с

плоско-параллельными гранями, расстояние между которыми было меньше як .метра возбуждающего луча аргонового лазера. Этот метод позволяет выделить спектр фотолюминесценции наноразмерного слоя из суммарного спектра всей структуры.

Третья глава посвящена теоретичвйсому исследованию процессов кристаллизации при выращивании наноразмерных слоев методом импульсного охлаждения. Проведенный теоретический анализ включает в себя рассмотрение процессов теплопереноса, происходящих при контакте тепяопо-глотителя с подложкой, а также процессов массопереноса и кристаллизации в нестационарных условиях импульсного охлаждения. Рассмотрено два ва> рианта теплоотаода:

• те 'лоиоглотнтель приводится в соприкосновение с тыльной стороно? подложки;

• теплообмен осуществляется без I ¡епосредственно! о контакта теплопо глотителя с подложхой - за счет излучения.

В обоих случаях распределение температуры Т(хд) находилось кш решение одномерного уравнения теплопроводности. Отличие между пер вым и вторым случаем заключается в разных начальных и "раничных уело виях, поэтому решения рассматривались отдельно.

Поскольку исследуемая система не является однородной, а состоит и элементов с различными значениями коэффициента темпер.¡гуропроводне сти XI (графитовый теплопоглотитель, подложка, раствор-расплав), согла< но теории подобия производилась замена значений & на единое значение; за счет изменения толщин соответствующих областей, а также значений п плопроводносга Ь и плотности рь После получения решения зад; ш Т' с', производи я обратный пересчет для перехода к реальной системе коорд) нат.

При теплообмене тешюпогл титедя с подггожкой за счет изяучет

барьеры для носителей, определяемые долей разности ширины запрещенной зоны, приходящейся на разрыв в зоне проводимости и в валентной зоне. По данным [1] для нелегированных структур ОаАэ-АЮаАз ДЕс=0,57ДЕе; ДЕу=0,43ДЕ8 не?твисимо от содержания в них алюминия, а эффективные массы для носителей ш* в птенцнальнон яме равны 0,0665шо - для электронов; 0,34то - для тяжелых и 0,094гпо - для легких дырок .

Результаты расчета энергий разрешенных оптических переходов в ге-тероструктуре, содержаще!! наноразмерный слой ваАб, заключенный между объемными слоями твердого раствора Alo.3Gao.7As, в зависимости от толщины наноразмерного слоя, приведены на рис. 4. Цифрами 1 г. 2 обозначены энергии переходов между первым квантовым уровнем электронов 1е и первыми уровнями тяжелых 1ЬЬ и легких 11Ь дырок. Кривые 3 и 4 относятся к переходам между вторым электронным квантовым уровнем 2е и вторыми квантовыми уровнями для дырок 2Ы1 и 21Ь. Энергетическая диаграмма такой гетероструктуры и оптические переходы в ней схематически

1,48 1,52 1,56 '8 1,64 Е. эВ

и с. .?. Спектр ФЛ тшорагмерито слоя.

2,00

1,90

ш 1,80

I 1.70

1,60

1,5»

5 10 1$ 20 25

толщина слоя, нм

Рис. 4. Энергии разрешенных оптических переходов а кюнтово-рвэмернсм слое.

изображены на вставке рис. 4.

Сравнение наблюдаемых энергий разрешенных оптических переходов (рис. 3) с результатом расчета, произведенного в приближении эффективной массы (рис. 4), позволяет определить толщину наноразмерного слоя -15 нм, что совпадает с результатом расчета для указанных значений То, Т|, и 5 (рис. 2а), при которых выращивалась данная структура.

Полоса с максимумом в 1,524 эВ представляет собой неразрешенные пики, образованные рекомбинацией электронов с тяжелыми и легкими дырками, находящимися в первом квантовом состоянии (переходы 1с-1ЬЬ и 1е-11Ь). Полосы с максимумами в 1,574 и 1,596 эВ обусловлены переходами между вторым электронным квантовым уровнем и вторыми уровнями тяжелых и легких дырок (2е-2Ы| и 2е-21Ь). Остальные пики образованы менее вероятными оптическими переходами с изменением квантового числа Лп*0.

На основании фотолюминесцентных исследований в различных точках поверхности образцов установлено, 1,то неоднородность получаемых слоеБ не превышает 1 нм на площади 0,5 см2.

На рис. 5 приведен спектр фо толюминесценции сверхрегиегеи, со держащей 25 чередующихся слоез п- ^ р-типа толщиной 15 нм, получении; при температуре 750 "С с помощьк теплопоглотителя, имевшего толщи ну 3 мм и температ уру 715 °С, легирс ..анных соответственно Ос и Б (уровень легирования - 5-10" см-3 при интенсивности возбуждения 8 200 и 400Вт/см: (кривые 1-3).

Фотолюминесценция габлюд

1,1

1,3

1.5 е. »в

1.7

1.9

Рис. Спектр ФЛ легчровштой сверхрешетки.

ется в интервале от 1,15 до 1,8 эВ. ФЛ в длинноволновой области спектра обусловлена рекомбинацией через непрямую в реальном пространстве за-, прещеинуга зону между электронами вблизи дна минизон зоны проводимости и пространственно разделенными с ними дырками в валентной зоне. Большая ширина полосы в области Е<Е8 объясняется суммированием вкладов рекомбинации носителей из нескольких минизон. ФЛ в коротковолновой области спектра с энергией Е>Е* обусловлена "вертикальной рекомбинацией" внутри квантовых ям, образующих сверхрешегку.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ РАБиТЫ г

1. Проведенный теореть кский анализ процессов тепло-массопереноса и кинетики кристаллизации в нестационарных условиях импульсного охлаждения позволил определить зависимости толщины кристаллизуемого наноразмерного сл я от основных технологических параметров процесса выращивания (температуры проведения процесса, толщины и температуры теплопоглотителя) и критериальные условия получения однородных по толщине наноразмерных слоев. Справедливость выбранной модели теоретического анализа подтвер вдается соответствием значений толщин наноразмерного слоя, рассчитанных на ее основе, со значениями, определенными экспериментально из спектров фотолюминесценции.

2. Разработаны конструкции кассет двух типов, позволяющие выращивать в одном технологическом процессе одиночные наноразмерные слои и сверхрешетки при импульсном охлаждении насыщенного раствора-расплава, а также многослойные эпитакснаяыаде структуры, содержащие, кроме наноразмерных слоев, и объемные эпитаксиалыше слои, выращиваемые методом принудительного охлаждения насыщенного раствора-расплава.

3. Разработана технолога» получения наноразмерных эпитаксиальных слоев |.ри импульсном охлаждении насыщенного раствора-расплава. Полу-

чены нелегированные эпитаксиальные структуры, содержащие одиночный квангово-размерный слой Оа.Ав, заключенный между двумя объемными слоями состава Alo.3Gao.7As, и легированные сверхрешетки, образованные чередующимися слоями ОаАв п- к р-тилажроводимости. Выращивание осуществлялось на подложках полуизолирующего арсеннда галлия размером 5х 10 мм при температурах 700+750 "С с использованием теплопоглотителей толщиной от 2 до 10 мм, температура которых отличалась от температуры подложки на величину ДТ-10+100 °С.

4. Разработан метод наблюдения фотолюминесценции гетероструктур, содержащих квантовую яму, при регистрации излучения, выходящего через боковую поверхность узкого образца, образованного сколами структург , при освещении его поверхности, позволяющий выделить спектр фотолюминесценции наноразмерного слоя из суммарного спектра всей структуры.

5. Исследованы спектры фотолюминесценции двойных гетероструктур. со держащих квантовую яму. Наблюдаемые значения энергий оптически; переходов ..одтверждают применимость приближения эффективной мае сы дня описания размерного квантования в таких структурах. Из анализ: спектров О Л определены значения толщины полученных наноразмерны. слоев. Установлено, что слои, полученные методом импульсного охлаж дення насыщенного раствора-расплава, имеют неоднородность но тол щине не более I нм на площади образцов 0,5 смг.

6. Установлено, что спектр ФЛ сверхрешеток на основе ОаА5, образован ных чередующимися наноразмерн* :ми слоями, легированными Бп и С (уровень легирования Ысу^-Ю18 см-5), представляет собой полосу нзл; чення в интервале 1,15+-1,8 эВ, что обусловлено как рекомбинацией пр< странственно разделенных носителей через непрямую в реальном пр< страистве запрегцегчую зону, так и оптическими переходами в предел;

каждого квантово-размерног о слоя.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ИЗЛОЖЕНЫ В СЛЕДУЮЩИХ ПУБЛИКАЦИЯХ:

1. Кутоткина Т.Ф., Марончук А.И., Марончук И.Ю., Шорохов A.B. Процессы тепло- и массопереноса при выращивании квантово-размерных слоев методом импульсного охлаждения раствора-расплава. - Тези до-повщей II Укр. конф. "Матер1алознавство i ф1зика нашвпровщникових фаз змшиогп складу", №жин, 1993, ч. 1, с. 74-76

2. Марончук А.И., Шорохов A.B. Моделирование процесса пол/чния суб-микр иных слоев GaAs из жидкой фазы. - The First International Conference on Material Science of Chalcogenide and Diamond-Structure Semiconductors, Abstract Booklet, Chernivtsi, 1994, vol. 1, p. 77.

3. Марончук А.И., Ратушная E.H., Шорохов A.B. Процессы кристаллизации при выращивании субмикронных эпитаксиальных слоев по методу импульсного охлаждения. - Сб. "Ресурсосберегающие технологии", г. Херсон, 1995, т. 2, с. 65-66

4. Кулютаина Т.Ф.. Марончук И.Е., Шорохов A.B. Выращивание субмикронных слоев при имнульсном охлаждении насыщенного раствора-расплава. - Материалы VI Международного симпозиума "Тонкие пленки в электронике", г. Херсон, 1995, т. 1.

5. Кулюткина Т.Ф., Марончук И.Е., Шорохов A.B. Выращивание субмикронных слоев при импульсном охлаждении насыщенного раствора-расплава. - Письма в ЖТФ, 1995, т. 21, вып. 20, с. 1-5,

6. Марончук И.Е., Шорохов A.B. Наноразмерные cj.jh и сверхрешетки на осйове арсенида галлия. - Вестник Херсонского государственного технического университета, т. 1

7. Марончук И.Е., Марончук А.И., Шорохов A.B. Наноразмерные слои GaAs, полученные при импульсном охлаждении насыщенного раствора-

расплава. - Письма в ЖТФ, 1997, т. 23, вып. И, с. 16-20. 8. Соколик Е.Н., Шорохов А.В. Получение гетероструктур AlGaAs - GaAs с квантовыми ямами методом импульсного охлаждения раствора-расплава и их люминесцентные свойства. - Матер1'али VI М1Жнародно1 конференцн з ф1знки i технологи тонких шцвок, 1вано-Франмвськ, 1997, ч. 1, с. 9.

ЛИТЕРАТУРА

1. Загарьянц М.Н., Марончук И.Ю., Кулюткина Т.Ф.,'Полещук B.C. Способ получения эпитаксиальных слоев А3В5 - А.С. №1566807 от 22.01.90 с приоритетом от 04.01.88.

2. Groseley J, Small М.В. A Determination of the undercooling necessery to Initiets the Epitaxial Growth of GaAs from Solution in Ga // J. Cryst. Growth. 1972. v. 15. N4. P.275-280.

3. Херман M. Полупроводниковые сверхрешетки: пер. с англ. - М.: Мир, 1989.-240 с.