автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Получение гетероструктур на основе германия и арсенида индия для термофотоэлектрических преобразователей

Введение.

1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ.

1.1. Термофотоэлектрические генераторы.1G

1.1.1. Принцип работы и основные компоненты системы.

1.1.2. Материалы и структуры для ТФЭ элементов.

1.2. Методы получения эпитаксиальных слоев соединений АЗВ5.

1.3. Жидкофазная эпитаксия слоев соединений АЗВ на подложках Ge.

1.4. Твердые растворы InAsSbP и GalnAsSbP на подложках арсенида индия.

1.5.Моделирование процессов получения слоев многокомпонентных твердых растворов методом ЖФЭ.

1.5.1. Расчет основных параметров твердых растворов.,

1.5.2. Ограничения на получение твердых растворов.

1.5.3. Фазовые равновесия в многокомпонентных системах.

1.5.4. Влияние кристаллографической ориентации подложки на состав эпитаксиальных слоев.

1.6. Постановка задачи исследования.

Выводы.

2. РАСЧЕТ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ И ДИАГРАММ СОСТОЯНИЯ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ГЕТЕРОСИСТЕМ АЗВ5.

2.1. Определение основных электрофизических параметров многокомпонентных твердых растворов InAsSbP и GalnAsSbP в зависимости от состава.

2.2. Расчет и анализ когерентной диаграммы состояния четверной системы In-As-Sb-P.

2.3. Фазовые равновесия в пятикомпонентной системе Ga-In-As-Sb-P на основе арсенида индия.

2.4. Влияние межфазной поверхностной энергии границы раздела кристалл-расплав на состав твердых растворов.

Выводы.

3. ПОЛУЧЕНИЕ МЕТОДОМ ЖФЭ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ.

3.1.Получение гетероструктур GaAs/Ge методом быстрого охлаждения раствора-расплава.

3.2.Выращивание слоев твердых растворов InAsSbP с заданными параметрами.

3.3.Получение пятикомпонентных твердых растворов GalnAsSbP.

3.4. Особенности кристаллизации многокомпонентных твердых растворов на основе InAs.

Выводы.

4. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ И

ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ.

4.1.Определение основных характеристик слоев GaAs на подложке германия методом Рамановской спектроскопии.

4.2. Рентгеноструктурные исследования многокомпонентных твердых растворов на основе арсенида индия.

4.3. Фотолюминисценция твердых растворов InAsSbP и GalnAsSbP.

4.4. Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур GaAs/Ge и InAsSbP/InAs.

Выводы.

Актуальность темы. В последнее время внимание большого числа исследователей в нашей стране и за рубежом привлечено к проблеме создания термофотоэлектрических (ТФЭ) преобразователей, работающих в средней инфракрасной области спектра. Данные приборы составляют элементную базу ТФЭ генераторов, которые служат экологически чистыми источниками энергии. В таких системах тепловое излучение преобразуется в электрическую энергию с помощью фотопреобразователей на основе узкозонных полупроводников.

Германий был первым полупроводниковым материалом, предложенным и примененным для ТФЭ преобразования излучения эмиттеров, работающих на сгораемом топливе при температурах 1200-1500 °С. Однако первые ТФЭ системы не реализовали его преимуществ, таких как низкая стоимость и коммерческая пригодность, из-за относительно низкого КПД элементов на основе Ge. Лишь соединения A3 В 5, и среди них в первую очередь антимонид галлия, нашли сравнительно широкое применение в ТФЭ преобразователях вплоть до настоящего времени. Эффективность фотопреобразователей на основе германия может быть повышена при выращивании на его поверхности тонкого слоя широкозонного окна, снижающего скорость поверхностной рекомбинации.

Разработка эффективных технологических методов получения гетероструктур на основе твердых растворов GalnAsSb с Eg от 0,5 до 0,6 эВ сделала возможной реализацию преобразователей, работающих при пониженных температурах эммитера (1000-1200°С) [2]. Эффективность данных элементов может быть повышена путем использования твердого раствора, чувствительного в более длинноволновой части спектра [3]. Это трудно осуществить в системе GalnAsSb по причине существования протяженной области несмешиваемости, не позволяющей получать слои с Eg меньше 0,5 эВ. Использование четверного твердого раствора InAsSbP в качестве материала активной области элементов позволит повысить эффективность работы ТФЭ систем, работающих при температурах эммитера ~1000 °С или меньше.

Добавление пятого элемента (Ga) в четверной раствор InAsSbP дает возможность повысить структурное совершенство, снизить вероятность рекомбинационных процессов в данном материале и улучшить параметры приборов на его основе, поскольку пятикомпонентные твердые растворы (ПТР), в отличие от четырехкомпонентных, имеют три степени свободы т.е. появляется возможность независимо изменять не только ширину запрещенной зоны и период кристаллической решетки полупроводниковых материалов, но и, например, коэффициент температурного расширения (КТР)

4].

Таким образом, диссертационная работа, посвященная разработке технологии выращивания слоя широкозонного окна на подложках германия, а также получению гетероструктур на основе четверных и пятерных твердых растворов для ТФЭ преобразователей, является актуальной как с фундаментальной научной, так и с практической точки зрения.

Целью настоящей работы являлся поиск новых методов в технологии ЖФЭ для выращивания слоя широкозонного окна арсенида галлия на подложках германия, а также получение и исследование особенностей кристаллизации твердых растворов InAsSbP и GalnAsSbP изопериодных арсениду индия для ТФЭ преобразователей.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие задачи:

- определение технологических режимов получения эпитаксиальных слоев GaAs на подложках Ge методом ЖФЭ

- расчет на основе интерполяционных методик основных параметров ПТР GalnAsSbP

- расчет фазовых равновесий в системах InAsSbP и GalnAsSbP и определение оптимальных условий кристаллизации в процессе жидкостной эпитаксии

- экспериментальное исследование поверхности ликвидуса систем In-As-Sb-P и Ga-In-As-Sb-P методом потери веса подложки-источника

- анализ влияния кристаллографической ориентации подложки на состав слоев многокомпонентных твердых растворов

- синтез гетероструктур на основе четверных твердых растворов InAsSbP/JnAs с необходимыми параметрами

- получение ПТР GalnAsSbP заданного состава и исследование их свойств

Научная новизна полученных в работе результатов состоит в следующем:

- впервые методом низкотемпературной ЖФЭ получены слои GaAs на подложках германия, что позволило повысить эффективность работы ТФЭ преобразователей на основе Ge

- теоретически и экспериментально (методом растворения подложки -источника) определена поверхность ликвидуса системы Gain- As-Sb-P в ранее не исследованном диапазоне составов жидкой фазы

- определены технологические режимы, при которых возможен рост качественных слоев InAsSbP и GalnAsSbP

- на основе представлений о межфазной поверхностной энергии границы раздела жидкое-твердое объяснено влияние кристаллографической ориентации подложки на состав твердых растворов

- впервые получены ПТР GalnAsSbP изопериодные подложкам InAs в ранее не исследованном диапазоне составов

Основные научные положения, выносимые на защиту.

1. Разработанный метод быстрого охлаждения раствора-расплава позволяет получать тонкие (0,1-Ю,5 мкм) эпитаксиальные слои GaAs на подложках германия.

2. Широкозонное окно GaAs снижает плотность рекомбинационных центров на гетерогранице GaAs/Ge и повышает от 10% до 14% КПД ТФЭ элементов на основе германия.

3. Рост концентрации сурьмы от 0,14 до 0,18 мол. долей в эпитаксиальных слоях InAsSbP (полученных в одинаковых технологических условиях) при переходе от ориентации подложки InAs (100) к (111)А, может быть объяснен влиянием межфазной поверхностной энергии.

4. Введение галлия до 8 ат. % в твердой фазе в четверной твердый раствор InAsSbP при соблюдении условия изопериодичности подложке InAs приводит к повышению кристаллического совершенства полупроводникового материала и снижению вероятности рекомбинационных процессов.

5. Введение Ga в систему In-As-Sb-P снижает в полтора раза скорость роста эпитаксиальных слоев.

Практическая ценность результатов работы.

- разработана методика получения из жидкой фазы совершенных по структуре эпитаксиальных слоев арсенида галлия на подложках германия

- на основе разработанной методики получения гетероструктур GaAs/Ge созданы ТФЭ преобразователи с КПД-14% (АМ0, А>900 нм) что является лучшим из опубликованных результатов для термофотоэлементов на основе германия.

- предложен метод учета ориентационных эффектов при моделировании кристаллизационных процессов получения твердых растворов методом ЖФЭ

- получены и исследованы приборные гетероструктуры InAsSbP/InAs с краем фоточуствительности в длинноволновой части спектра до 2,7 мкм.

- определены технологические режимы получения, экспериментально реализованы и исследованы ПТР GalnAsSbP/InAs, перспективные для создания на их основе ТФЭ преобразователей.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на семинарах и конференциях кафедры микроэлектроники ВИ (ф) ЮРГТУ (НПИ), XI национальной конференции по росту кристаллов НКРК-2000 (г. Москва, 2000 г.), международной конференции «Оптика полупроводников» (г. Ульяновск, 2000 г.), седьмой международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (г. Таганрог, 2000 г.), 13-th International Conference on Crystal Growth (Kyoto, Japan, 2001 г.), 6-th International Conference on Intermolecular Interactions in Matter IIM6 (Gdansk, Poland, 2001 г.), 17-th European Photovoltaic Solar Energy Conference (Munich, Germany, 2001 г.), 29-th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (New Orleans, Louisiana, USA, 2002 г.), 5-th Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity (Rome, Italy, 2002 г.).

Публикации. По результатам диссертационной работы опубликовано 15 печатных трудов. Основные результаты получены автором самостоятельно.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка используемой литературы из 138 наименований, содержит 154 страниц машинописного текста, 42 иллюстрации, 10 таблиц.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ РАБОТЫ

1. В приближении модели простых растворов рассчитана и исследована диаграмма состояния систем In-As-Sb-P и Ga-In-As-Sb-P в заданном диапазоне составов и температур с учетом влияния упругих напряжений. Это позволило получить данные для проведения процессов жидкофазной эпитаксии твердых растворов InAsSbP и GalnAsSbP, близких к изопериодическим с InAs.

2. Различие в составах твердых растворов, получаемых в одинаковых технологических условиях на подложках с различной кристаллографической ориентацией объяснено на основе представлений о межфазной поверхностной энергии границы раздела жидкое-твердое. Предложен метод учета ориентационных эффектов при моделировании кристаллизационных процессов получения твердых растворов методом ЖФЭ.

3. Разработан метод быстрого охлаждения раствора-расплава, позволяющий получать тонкие эпитаксиальные слои GaAs на подложках Ge.

4. Определены оптимальные условия кристаллизации и получены твердые растворы InAsSbP с шириной запрещенной зоны Eg=0,45-0,48 эВ для ТФЭ преобразователей.

5. Впервые получены и исследованы ПТР GalnAsSbP, изопериодные InAs, в области малого содержания галлия (<10 ат. %) в твердом растворе. В данном диапазоне составов возможно согласование параметров решетки и КТР на гетерогранице.

6. На основе разработанной методики получения гетероструктур GaAs/Ge созданы ТФЭ преобразователи с приборными характеристиками, которые по нашим данным являются лучшими из опубликованных в мире для фотоэлементов на основе германия.

147

7. Получены и исследованы приборные гетероструктуры InAsSbP/InAs с красной границей фоточуствительности 2,7 мкм и внутренним квантовым выходом 50-90 % в интервале длин волн 550-2500 нм.

В заключении я хочу выразить благодарность за руководство и поддержку при проведении работы моим научным руководителям Леониду Сергеевичу Лунину и Виктору Ивановичу Ратушному. Я также глубоко благодарен Вячеславу Михайловичу Андрееву за всестороннюю помощь и внимание, проявленное к работе; В.В. Кузнецову за полезные консультации; В.П. Хвостикову, О.А. Хвостиковой, В.Р. Ларионову за помощь в проведении экспериментов и плодотворное обсуждение результатов исследований;

A.С. Власову, М.В. Байдаковой, Т.Б. Поповой, О.Я. Тихоненко, Ю.А. Груздеву за проведение люминесцентных и рентгеновских измерений;

B.Д. Румянцеву, М.З. Шварцу, Н.Х. Тимошиной за исследования основных характеристик фотоэлементов.

1. Timothy J. Coutts "An overview of thermophotovoltaic generation of electricity'Y/Solar Energy Materials & Solar Cells 66 (2001), P. 443-452.

2. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Larionov V.R. et al. Tandem GaSb/InGaAsSb Thermophoto voltaic cells // Conference Record 26-th IEEE PVSC. Anaheim, 1997. - P.935-939.

3. Mauk M.G., Shellenbarger Z.A., Cox J.A. et al. Liquid-Phase Epitaxy of Low-Bandgap III-V Antimonides for Thermophotovoltaic Devices // J. of Crystal Growth 211 (2000), P. 189-193.

4. Лозовский B.H., Лунин Л.С. Пятикомпонентные твердые растворы соединении А В (Новые материалы оптоэлектроники). Ростов н/Д: Издательство Ростовского университета, 1992, 193 е., ил.

5. D.C. White, B.D. Wedlock und J. Blair. Recent advance in thermal energy conversion // Proceedings of the 15th Annual Power Sources Conference. -1961.-P. 125-132.

6. J.P. Benner, T.J. Coutts and D.S. Giley. Proceedings of the Second NREL Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity. Colorado Springs: The American Institute of Physics, 1995.

7. T.J. Coutts, J.P. Benner and C.S. Allman. Proceedings of the Fourth NREL Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity. Denver: The American Institute of Physics, 1998.

8. Fraas L., Ballantyne R, Hui S. et al. Commercial GaSb cells and circuit development for the Midnight Sun TPV stove // Proc. 4-th NREL conference on

9. Thermophotovoltaic Generation of Electricity. Denver, 1998. - P. 480-487.

10. Fraas L., Huang H., Ye S. et al. Low cost high power GaSb photovoltaic cell // Proc. 3rd NREL conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity. -Colorado Springs, 1997. P. 33-40.

11. Y.S. Touloukian and D.P. DeWitt: Thermophysical properties of matter, Band 8: Thermal radiative properties of nonmetallic solids. New York: Plenum Press, 1972.

12. D.L. Chubb. Reappraisal of solid selective emitters // Proceedings of the 21-st IEEE Photovoltaic Specialists Conference. 1990. - P. 1326-1342.

13. M.K. Goldstein, L.G. DeShazer, A.S. Kushch and S.M. Skinner. Superemissive light pipe for TPV applications // Proceedings of the Fourth NREL Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity. Denver, 1998. - P. 315-326.

14. Davies P.A., Luque A. Solar thermophotovoltaics: brief review and a new look // Solar Energy Materials and Solar Cells 33 (1994), P. 11-22.

15. DePoy D. M., Dzenziel R. J., Charache G. W., Baldasaro P. F., Campbell В. C. Interference Filters for Thermophotovoltaic Applications // Proceedings of the Fourth NREL Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity. Denver, 1998.

16. Bett A.W., Dimroth F., Stollwerck G., Sulima O.V. III-V compounds for solar cell applications // Applied Physics A. 1999. - v.69, № 2. - P. 119-129.

17. T.J. Coutts, X. Wu, W.P. Mulligan und J.M. Webb: High-performance, transparent conducting oxides based on cadmium stannate // J. of Electronic Materials. 1996. - v.25, № 6. - P. 935-943.

18. J.H. Werner, R. Brendel, H.J. Queisser. New upper efficiency limits for semiconductor solar cells // Proc. of the 24th IEEE Photovoltaic Specialists Conference. 1994. - P. 1742-1745.

19. L. Fraas, H.H. Hiang, J. Samaras, R. Ballantyne, D. Williams, L. Ferguson. // Conference Record 25-th IEEE PVSC. Washington, 1996. - P. 25.

20. A.W. Bett, S. Keser, O.V. Sulima // J. of Crystal Growth 181 (1997), P. 9.

21. V.D. Rumyantsev, V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, V.I. Vasil'ev, V.M. Andreev // Fourth NREL Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity. AIP Conference Proceedings. - New York, 1998. - P. 384.

22. A.W. Bett, S. Keser, G. Stollwerck, O.V. Sulima, W. Wettling // Conference Record 25th IEEE PVSC. Washington, 1996. - P. 133.

23. Sulima O.V., Bett A.W. Fabrication and simulation of GaSb thermophotovoltaic cells // Solar Energy Materials & Solar Cells 66 (2001), P. 533-540.

24. Гуляев Ю.В., Дворянкина Г.Г., Дворянкин В.Ф. Молекулярно-лучевая эпитаксия перспективный метод получения интегрально-оптических устройств // Квантовая электроника. - 1989. - т. 7, № 1. - С. 5.

25. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки: Пер. с англ.- М.: Мир, 1989.- 240 с.

26. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии.- М.: Металлургия, 1983. 224 с.

27. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М: Металлургия, 1987, 232 с.

28. Kurz S.R., Myers D., Olson J.M. Projected performance of three- and four-junction devices using GaAs and GalnP// 26-th IEEE PVSC. Anaheim, 1997. - P.875-878.

29. Karam H.N., King R.R., Cavicchi B.T. et al. Development and Characterization of High-Efficiency Gao.5Ino.5P/GaAs/Ge Dual- and Triple-Junction Solar Cells // IEEE Trans, on Electron Dev. 1999. - V. 46, № 10. - P. 2116-2123.

30. Wojtczuk S., Tobin S., Sanfacon M. et al. Monolithic two-terminal GaAs/Ge tandem space concentrator cells // IEEE Electron Dev. Lett. 1991. - v. 11, № 8. - P. 73-79.

31. Fan C.J., Bozler C.O., Palm B.J. // Appl. Phys. Lett. 1979. - v.35, № 11. -P.875-878

32. Nagashima Т., Okumura K., Murata K. Carrier recombination of germanium for three-terminal tandem solar cells // Proc. of the 17-th European PV Solar Energy Conference. Munich, 2001. - P. 321-325.

33. Blondeel A., Clauws P., Depuydt B. Lifetime measurements on Ge wafers for Ge/GaAs solar cells chemical surface passivation // Materials Science in Semiconductor Processing 4 (2001), P. 301-303.

34. Андреев B.M., Долгинов JI.M., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975, с. 186.

35. Мокрицкий В.А., Шобик B.C. Возможности гетероэпитаксии в системе Sn-Ge-GaAs // Электронная техника, сер. Материалы. 1978. - вып. 8. - С. 70-72.

36. Laugier A., Gavand М., Mesnard G. // Solid-State Electronics. 1970. - v. 13, №6. -P.741.

37. Rosztoczy F.E., Stein W.W. // J. Electrochem. Soc. 1981. - v. 119, № 8. -P. 1119.

38. Баранов A.H., Джуртанов Б.Е., Литвак A.M. и др. Об ограничениях на получение АЗВ5 твердых растворов // ЖНХ. 1990. - т. 35, вып. 12. -С. 3008.

39. Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А. // ФТП. 2001. - т. 35, вып. 5.-С. 619.

40. Chen L.C., Но W.J., Wu М.С. Growth and Characterization of High-Quality InAsSbP Alloy by Liquid Phase Epitaxy // Jap. J. of Appl. Phys. 38 (1999), P. 1314-1316.

41. Yongzhen W., Changchun J., Guijin L. Liquid-phase epitaxial growth of InAsSbP/InAs heterostructure // J. of Crystal Growth 187 (1998), P. 194-196.

42. Krier A. Room-temperature InAsSbP light-emitting diodes for CO2 detection at 4.2 fxm // Appl. Phys. Lett. 1990. - v. 56, № 24. - P. 2428-2429.

43. Wilson M.R., Krier A., Mao Y. Phase Equilibria in InAsSbP Quaternary Alloys Grown by Liquid Phase Epitaxy // J. of Electronic Materials. 1996. - v. 25, №9.-P. 1439-1445.

44. Ilurioze G.N., Mironov I.F., Titkov A.N. // Soviet Phys.-Semicond. 20 (1986), P. 310.

45. Рубцов Э.Р., Сорокин B.C., Кузнецов B.B. Прогнозирование свойств гетероструктур на основе пятикомпонентных твердых растворов АЗВ5//ЖФХ. 1997. - т. 71. № 3. - С. 415-420.

46. Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев и др. Изопериодные структуры GalnAsSbP/InAs для приборов инфракрасной оптоэлектроники//ФТП. 2002. - т. 36, вып. 8. - С. 1010-1015.

47. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. -М.: Металлургия, 1991, 175 с.

48. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники.- М.: Сов. радио, 1988, 266 с.

49. Chang К.Н., Gibala R., Srolovitz D.J. // J. Appl. Phys. 67 (1990), P. 4093.

50. Вигдорович B.H., Селин A.A., Ханин B.A. Анализ зависимости свойств от состава для пятикомпонентных твердых растворов // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1982,- т. 18, № 10. - С. 1697-1699.

51. Kozo О., Kazno N., Jotaro М. Experiments and calculation of the AlGaSb ternary phase diagram // J. Electrochem Soc. 1979. - v. 126, № 11. P. 1992-1997.

52. Рубцов Э.Р., Сорокин B.C., Кузнецов B.B. Прогнозирование свойств гетероструктур на основе пятикомпонентных твердых растворов АЗВ5 // ЖФХ. 1997. - т. 71, № 3. - С. 415-420.

53. Stringfellow G.B. // J. of Electronic Materials. 1981. - v. 10, № 5. -P. 919-936.

54. Пригожин И., Дефей P. Химическая термодинамика. Новосибирск: Наука, 1966, 509 с.

55. Сорокин B.C., Рубцов Э.Р. Расчет спинодальных изотерм в пятикомпонентных твердых растворах АЗВ5 / /Неорганические материалы. 1993. - т. 29, № 1. - С. 28-32.

56. Stringfellow G.B. // J. of Crystal Growth. 1983. - v. 65, N 1. - P. 454 - 462.

57. Kobayashi N., Horikoshi Y. // Jpn. J. Appl. Phys. 20 (1981), P. 2301.

58. Mani H., Joullie A., Karouta F., Shiller S. // J. Appl. Phys. 59 (1986), P. 2728.

59. Лозовский B.H., Лунин Л.С., Аскарян Т.Г. Термодинамический анализ устойчивости пятикомпонентных гетероструктур соединений АЗВ5 // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1989. - т. 25. - С. 540-546.

60. Чарыков Н.А., Литвак A.M., Михайлова М.П. Яковлев Ю.П. Твердый раствор InxGaixAsySbzPi.y.z новый материал инфракрасной оптоэлектроники // ФТП. - 1997. - т. 31, № 4. - С. 410-415.

61. Сторонкин А.В. Термодинамика гетерогенных систем. Л.: ЛГУ, ч. 1, 1967, с. 467.

62. Guggenheim Е.А. Thermodynamics, North-Holland, 3-th ed. Amsterdam. -1957.-P. 250.64Jordan A.S. //J. Electrochem. Soc. 1972. - v. 119,№ 1. - P. 123-126.

63. Казаков А.И., Мокрицкий В.А., Романенко B.H., Хитова Л. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах. М.: Металлургия, 1987,136 с.

64. Паниш М.Б., Илегемс М. Фазовые равновесия в тройных системах III-V. -Материалы для оптоэлектроники. М.: Мир, 1976, с. 39.

65. Кузнецов В.В., Сорокин B.C. // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. Материалы. -1980.-т. 16, № 12.-С. 2085-2089.

66. Павлова JT.H., Овчинникова H.A. Поярков Н.Б. В. кн. Диаграммы состояния металлических систем. - М.: Наука, 1981, С. 149 - 154.

67. Stringfellow G.B. //J. of Crystal Growth. 1974. -v. 21.- P. 21.

68. Глазов B.M., Павлова П.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. М.: Металлургия, 1981, с.78.

69. Селин А.А., Ханин В.А., Вигдорович В.Н. Термодинамический расчет фазовых равновесий для многокомпонентных твердых растворов с эквиатомным катионно анионным соотношением // Докл. АН СССР. -1980. - Т. 252, № 2. - С. 406 - 410.

70. Vieland L.J. //Acta Met. 1963.- V. 11.-P. 1377.

71. Jordan A.S., Ilegems M. Solid liquid equilibria for quaternary solid solutions involving compound semiconductors in the regular solutions approximation // J. Phys. Chem. Solids. - 1975. - v. 36, № 4. - P. 329-342.

72. Плис А.И., Сливина H.A. Лабораторный практикум по высшей математике. М.: Высш. шк., 1994. - 416 е.: ил.

73. П. Лукас. Языки программирования. С++ под рукой. Киев. НИПФ "ДиаСофт", 1993.- 176 с, ил.

74. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Аскарян Т.Г. Термодинамический расчет фазовых равновесий в пятикомпонентных полупроводниковых системах на основе антимонида галлия // Изв. СКНЦ ВШ. Естеств. науки,- 1988. № 3.- С. 80-86.

75. Рубцов Э.Р., Кузнецов В.В., Лебедев А.О. Фазовые равновесия пятерных систем АЗВ5//Неорганические материалы. 1993. - т. 29, № 1. - С. 28-32.

76. Pearsall Т.Р, Quillec М., Polack М.А. // Appl. Phys. Lett. 1979. - v. 35, № 4. -P. 342-344.

77. Sankaran R., Antypas G.A., Moon R.L. e.a. // J. Vac. Sci. and Technol. 1976. -v. 13, №4.-P. 932-937.

78. Pearsall T.P., Bisaro R., Ansel R., Merenda P. // Appl. Phys. Lett. 1978.- v. 32, №8. P. 497 - 499.

79. Antypas G.A., Houng Y.M., Hyder S.B. // Appl. Phys. Lett. 1978. - v. 33, №5. -P. 463-465.

80. Longo J.T., Harris J.S., Gertner E.R., Chu J.C. // J. Cryst. Growth. 1972.- v. 15, №2. P. 107.

81. Perea E.H., Fonstad C.G. // J. Appl. Phys. 1980. - v. 51, № 1. - P. 331-335.•3 с

82. Стрельченко C.C., Лебедев B.B. Соединения А В : Справочник. М.: Металлургия, 1984. - 144 с.

83. Vurgaftman, J. R. Meyer, L. R. Ram-Mohan. Band parameters for III—V compound semiconductors and their alloys // J. of Appl. Phys. 2001. - v. 89, № 11. - P. 5815-5875.

84. Fonash S.J. Solar Cell Device Physics. New York: Academic Press, 1981, p. 53.

85. Болховитянов Ю.Б., Чикичев С.И. Устойчивость неравновесной границы раздела кристалл-расплав перед жидкофазной гетероэпитаксией соединений АЗВ5. Новосибирск, 1982, с. 5.

86. Селин А.А., Ханин В.А. Метод расчета составов равновесных жидких и твердых фаз многокомпонентных полупроводниковых систем // Физ. химия. 1979. - т.53, № 11.-С. 2734.

87. Вигдорович С.В., Долгинов JI.M., Малинин А.Ю., Селин А.А. Расчёт четырёхкомпонентных систем с помощью ЭВМ на примере AlGaAsSb // ДАН СССР, Серия Физ. химия. - 1976. - т. 243, №16. - С. 125.

88. М. Ilegems, М.В. Panish. Phase equilibrium in III-V quaternary system -application to AlGaPAs // J. Chem. Solids. 1974. - v.35. - P. 409.

89. Кузнецов B.B., Садовски В., Сорокин B.C. // ЖФХ. 1985. - т. 59, № 2. -С. 322-328.97.1shikawa М., Ito R. Substrate induced stabilization of GalnPAs on GaAs and InP //Jap. J. Appl. Phys. 1984. - v. 22. - P. 21 - 22.

90. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов З.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982.-240 с.

91. Москвин П.П, Сорокин B.C. // ЖФХ. 1983. - t.LVII, №12. - С. 2953-2956.

92. Рубцов Э.Р., Кузнецов В.В., Лебедев О.А. Фазовые равновесия пятерных систем из АШВУ // Неорганические материалы. 1998. - т.34, №5. - С. 525-530.

93. Люпис К. Химическая термодинамика материалов. Пер. с англ. М.: Металлургия, 1989. - 503 с.

94. U. Konig, W.Keck, A. Kriks Contact angles in the liquid phase epitaxy of InP, GalnAs and GalnAsP // J. Crystal Growth 68 (1984), P. 545.

95. Кулиш У.М., Борликова Г.В. Смачивание сложных полупроводников металлическими расплавами // Адгезия расплавов и пайка материалов. -1989. -№22. -С.11-13.

96. Свелин Р.А. Термодинамика твердого состояния. Перев. с англ. М.: Металлургия, 1968. - 316 с.

97. Миссол В. Поверхностная энергия раздела фаз в металлах. Пер. с польск.- М.: Металлургия, 1978г. 176 с.

98. Белогуров Б.В//ЖФХ. 1961. - № 35. - С. 2717-2726.108.3адумкин С.Н. Поверхностные явления в расплавах и процессах порошковой металлургии. Киев: изд. АН УССР, 1963.

99. Allen B.C. // Trans. Metallurg. Soc., AIME, 1963, 227, s.l 175-1183.

100. Дохов M.JI. //ЖФХ. 1981.-т. 55,№5.-C. 1324.

101. Nakajima K., Ujihara T. et al. Phase diagram calculations for epitaxial growth of GalnAs on InP considering the surface, interfacial and strain energies // J. of Crystal Growth 220 (2000), P. 413.

102. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М: Металлургия, 1988. - 574 с.

103. Абрамов А.В., Дерягин Н.Г., Третьяков Д.Н., Фалеев Н.Н. Исследование параметров слоев GaAs, выращенных на подложках Si методом жидкофазной эпитаксии // Письма в ЖТФ. 1993. - т. 19, вып. 23.- С.45-49.

104. Gertner E.R., Andrews A.M., Bubulac L.O., Cheung D.T. et al. LPE growth of InGaAs on GaSb // J. of Electron. Mater. 1979. - v.8, № 4. - P. 545.

105. Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Куницына Е.В. и др. Роль свинца при выращивании твердых растворов GalnAsSb методом жидкофазной эпитаксии // ФТП. 2001. - т. 35, вып. 8. - С. 941-948.

106. Wang С.А., Choi Н.К., Ransom S.L. High-quantum-efficiency 0.5 eV GalnAsSb/GaSb thermophotovoltaic devices // Appl. Phys. Letters. 1999. -v. 75, №9. P. 1305-1309.

107. Баранов А.Н., Литвак A.M., Моисеев К.Д., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Получение твердых растворов In-Ga-As-Sb/GaSb и In-Ga-As-Sb/InAs в области составов, прилегающих к InAs // Журнал прикладной химии. -1994. т. 67, в. 12. - С. 1951-1956.

108. Popov A.S., Koinova A.M., Tzeneva S.L. The In-As-Sb phase diagram and LPE growth of InAsSb layers on InAs at extremely low temperatures // J. of Crystal Growth 186 (1998), P. 338-343.

109. Мильвидский М.Г., Долгинов Л.М. Гетерокомпозиции на основе многокомпонентных твердых растворов // В кн.: Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок: Изд. Наука. СО АН СССР. -Новосибирск: 1981. С. 41-52.

110. V.A. Mishurnyi, F. de Anda, I.C. Hernandez del Castillo, A.Y. Gorbatchev Temperature determination by solubility measurements and a study of evaporation of volatile components in LPE // Thin Solid Films 340 (1999), P. 24-27.

111. Акчурин P.X., Берлинер Л.Б. Информационно-расчетная система для компьютерного моделирования процессов жидкофазной эпитаксии // Материалы электронной техники. 1998. - № 2. С. 51-56.

112. Андрушко Л.М., Вознесенский В.А., Каток В.Б. Волоконно-оптические линии связи. Справочник. К.: Тэхника, 1988. - 239 с.

113. Вигдорович В.И., Селин А.А., Шутов С.Г., Батура В.П. Термодинамический анализ устойчивости кристаллов соединений A3 В 5 в четырехкомпонентной жидкой фазе // Неорг. Материалы. 1981. - т.17, № 7. - С. 10.

114. Кузнецов В.В., Стусь Н.М., Талалакин Т.Н., Рубцов Э.Р. Межфазное взаимодействие и гетероэпитаксия в системе InPAsSb // Кристаллография. 1992. - т. 37, в. 4. - С. 998-1002.

115. Mahajan S., Brasen D., DiGiuseppe M.A., Keramidas V.G. et al. Manifestation of melt-carry-over in InP and InGaAsP layers grown by liquid phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1982. - v.41, № 3. - P. 266-269.

116. Болховитянов Ю.Б., Юдаев В.И. Начальные стадии формирования новой3 5фазы при жидкофазной гетероэпитаксии соединений AJBJ. -Новосибирск: 1986. -112 с.

117. Броудай И., Мерей Д. Физические основы микротехнологии: пер. с англ.- М.: Мир, 1985.- 496 с.

118. М. Aidaraliev, N.V. Zotova, S.A.' Karandashov, B.A. Matveev et al. Spontaneous and Stimulated Emission from InAsSbP/InAs Heterostructures // Phys. Stat. Sol. 1989. - v.l 15. - P. К117-K120.

119. Моисеев К.Д., Ситникова A.A., Фалеев H.H., Яковлев Ю.П. Разъединенные гетероструктуры II типа InAs/Galno.nAso^Sb с резкой планарной границей раздела // ФТП. 2000. - т. 34, вып. 12. -С. 1438-1442.

120. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. К.: "Наукова думка", 1975, С. 318.

121. Jou M.J., Cherng Y.T., Stringfellow G.B. // J. Appl. Phys. 64 (1988), P. 1472.

122. Shim K., Rabitz H. Electronic and structural properties of the pentanary alloy GaxIn,.xPySbzAs,.y.z//J. of Appl. Phys. 85 (1999), P. 7705-7715.

123. B.M. Андреев, B.A. Грилихес, В.Д. Румянцев. Фото электрическое преобразование концентрированного солнечного излучения. - JL: Наука, 1989, С. 52.

124. Андреев И.А., Баранов А.Н., Михайлова М.П. и др. Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAs/InAsSbP для спектрального диапазона 2-3,5 мкм//Письма в ЖТФ. 1990. - т.16, в. 4. - С. 27-31.