автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Формирование локальных высокоомных пористых областей в кремнии и кремний-германии методом неоднородного химического травления

Введение

Содержание

Глава 1. Литературный обзор

1.1. Способы получения пористого кремния

1.2. Механизм химического травления кремния

1.3. Механизмы формирования SE-пленок

1.4. Порообразование в кремний-германиевых сплавах

1.5. Исследование структуры и состава SE-пленок

1.6. Фотолюминесцентные свойства пористого кремния

1.7. Электрические свойства пористого кремния

1.8. Способы диэлектрической изоляции активных элементов интегральных микросхем

1.9. Выводы и постановка задачи

Глава 2. Исследование особенностей формирования пористого кремния в водных растворах плавиковой и азотной кислот

2.1. Методики приготовления и исследования образцов

2.2. Травление кремния в растворах с повышенным содержанием азотной кислоты

2.3. Травление кремния в растворах с повышенным содержанием плавиковой кислоты

2.4. Выводы

Глава 3. Исследование влияния упругих напряжений на процессы порообразования

3.1 Влияние упругих напряжений на процесс образования

SE-пористого кремния

3.2. Влияние дозы имплантации ионами инертного газа (аргона)

HaSE-процесс

3.3. Выводы

Глава 4. Методы формирования локальных пористых слоев

4.1. Формирование локальных пористых областей в кремнии путем имплантации ионов с последующим неоднородным химическим травлением

4.2. Формирование локальных пористых областей при помощи неоднородного химического травления через маски

4.3. Выводы

Глава 5. Исследование возможности использования локальных нанопористых слоев для латеральной изоляции элементов СБИС с мелкозалегающими кремниевыми и многослойными германий-кремниевыми структурами

5.1. Исследование резистивных тестовых структур на основе Si

5.2. Исследование резистивных тестовых структур на основе Si-Ge

5.3. Анализ выходных статических характеристик МОП-транзисторных структур на основе гетероэпитаксиальных Si-SiGe пленок, изготовленных по технологии латерального разделения меза-канавками и пористыми пленками

5.4. Выводы

Пористый кремний (ПК) - новый материал, который формируется в процессе химической или электрохимической обработки монокристаллического кремния в растворах плавиковой кислоты, приводящей к избирательному вытравливанию пор в нем. К удивительным свойствам этого материала приковано внимание ученых во всем мире все годы после его открытия. Проведены и проводятся многочисленные исследования структуры, свойств и их связи с параметрами формирования ПК, а также ведется активный поиск сфер его применения. Так, например, из-за очень большой площади поверхности ПК значительно упрощается его окисление. Поэтому в середине семидесятых годов группой исследователей окисленный ПК был использован для получения различных структур в микроэлектронике типа «кремний на изоляторе» и «полная изоляция окисленным пористым кремнием», что, однако, не привело к созданию серийных промышленных приборов [1-10].

Особый интерес вызывает способность ПК к фотолюминесценции [11], что открывает перспективу для создания на основе кремниевой технологии оптоэлектронных приборов. Но многочисленные исследования в этой области указывают на нестабильность этого свойства пористых пленок, что стимулирует дальнейшие исследования в этом направлении.

Благодаря развитой и химически активной поверхности ПК его можно использовать в качестве абсорбционной матрицы для микросенсоров [12], кроме того, он является идеальным геттером для подвижных металлических примесей в пластинах кремния в процессе высокотемпературного отжига [13]. Увеличение эффективного коэффициента диффузии легирующей примеси в ПК позволяет использовать его для легирования глубоких слоев, что способствует удешевлению технологии изготовления высоковольтных транзисторов [14]. Возможно использование макропористого кремния в биосенсорах [15], в качестве антиотражательного покрытия для уменьшения оптических потерь в солнечных элементах [16], как универсального буферного слоя для наращивания на нем гетероэпитаксиальных структур [17], при изготовлении фотонных кристаллов [18] и устройств на их основе.

Формирование пористого кремния возможно разными методами, а морфология и свойства пористых слоев зависят от способа получения и, соответственно, определяют возможную область применения. Например, при анодировании кремния в растворах плавиковой кислоты возможно получение пористых структур с различными морфологическими типами и толщиной [19-20]. И если электрохимическим процессом формирования ПК можно управлять, то реализовать этот способ получения ПК -сложнее. Способ получения ПК при травлении кремния в химическом растворе без приложения электрического потенциала называют SE-процессом (Stain Etching) или неоднородным химическим травлением. В SE-процессе получаются в основном нанопористые пленки, толщина которых не превышает, как правило, 1 микрона [21]. Исследования пористого кремния, формирующегося как электрохимическим, так и химическим способами, показали сходство многих свойств, а иногда и структуры ПК [21], так как его образование всегда является результатом селективного вытравливания пор в кремнии [22]. Свойствами, объединяющими все виды ПК, являются еще и способность к фотолюминесценции при возбуждении его поверхности квантами света в широком диапазоне длин волн [23-24], а также высокое электросопротивление [20-21]. Общность свойств пористых пленок предполагает, что исследование процессов формирования пористого кремния, получаемого любым из известных способов, будет способствовать лучшему пониманию процессов его формирования. Но закономерности порообразования в кислотных растворах без приложения напряжения изучены недостаточно полно, эти процессы отличаются невоспроизводимостью по толщине, структуре и свойствам образующихся пленок. Нет четких представлений о взаимосвязи состава раствора, в котором формируется ПК, с характеристиками последнего. Поэтому существует необходимость в исследовании кинетических особенностей формирования пористого кремния при химическом травлении и факторов, влияющих на этот процесс.

Из-за очень развитой поверхности ПК содержание естественного окисла БЮг внутри нанопор в SE-пленках велико, благодаря чему этот материал характеризуется относительно высокими значениями удельного сопротивления и электрической прочности и является перспективным для его использования в качестве электрической изоляции приборов в интегральных микросхемах. Стандартные методы изоляции довольно сложны и требуют применения высоких температур, что приводит к размытию нанометровых Si-Ge гетерослоев в современных транзисторных структурах. Таким образом, актуальность темы диссертационной работы обусловлена необходимостью поиска более простых в исполнении низкотемпературных способов изоляции активных элементов в сверхбольших интегральных схемах (СБИС), а также потребностью в более полном изучении пористого кремния и факторов, влияющих на процесс порообразования, что, безусловно, расширит представления об этом процессе. Относительная простота получения, небольшие толщины, отсутствие высокотемпературных воздействий при формировании ПК химическим способом, а также хорошие диэлектрические характеристики SE-пористых слоев, с одной стороны, и существенное уменьшение общей толщины слоев активных элементов в сверхбольших интегральных схемах [25], с другой стороны, дают основание для исследования возможности использования нанопористых SE-слоев для латеральной изоляции приборов с неглубокими активными слоями в СБИС. Таким образом, целью диссертационной работы является исследование процессов формирования локальных пористых слоев, образующихся в результате SE-процесса, для латеральной низкотемпературной электрической изоляции активных элементов СБИС.

Научная новизна работы

1. Предложен способ латеральной электрической изоляции активных элементов СБИС с Si-SiGe эпитаксиальными структурами на основе SE-пористых пленок,

2. Определены параметры формирования SE-пористых пленок, при которых кинетика порообразования зависит от удельного сопротивления.

3. Впервые установлено, что существует область концентраций кислот в растворах, при травлении в которых режим химической полировки осуществляется через циклическое образование пористого кремния и его стравливание.

4. Впервые показано, что упругие напряжения, созданные на поверхности кремниевой пластины, стимулируют образование пористого кремния, формирующегося в SE-процессе. При этом существует некоторая оптимальная величина упругих напряжений, при которых процесс порообразования начинается ранее всего.

5. Впервые установлено, что селективное порообразование при травлении через маски металлов Со и Fe и оксида кремния в определенных режимах инициируется материалом маски после своего растворения.

Практическая значимость

1. Впервые продемонстрирован способ изоляции транзисторов с мелкозалегающими Si-SiGe активными слоями путем формирования пористых областей, полученных при селективном SE-процессе. Это позволяет предложить использование нанопористых структур для низкотемпературной электрической изоляции активных элементов интегральных схем на базе кремния.

2. Выявлены новые факторы, влияющие на процесс порообразования. Имплантация ионов галлия в кремниевую подложку, формирование упругих напряжений на поверхности кремния, а также нанесение металлических пленок, растворимых в применяемых травителях, и термическое окисление поверхности кремния позволяют управлять селективностью порообразования, в результате которого происходит образование локальных пористых областей.

3. Формирование однородной по структуре SE-пористой пленки с воспроизводимой толщиной возможно при использовании экспериментально разработанной методики, продемонстрированной на кремнии р-типа с удельным сопротивлением 10 Ом-см. Эта методика позволяет находить параметры различных режимов порообразования.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Изоляция транзисторов с мелкозалегающими Si-SiGe активными слоями путем формирования областей с пористым кремнием, образующимся в SE-процессе, не уступает стандартному методу изоляции меза-канавками.

2. Геометрические и структурные свойства получаемых пористых пленок определяются кинетикой SE-процесса и зависят от его параметров, удельного сопротивления кремния и напряженного состояния поверхности кремния.

3. Выявленное в работе стимулирующее влияние упругих механических напряжений на SE-процесс кремния является одной из причин ускоренного порообразования под пленками SiC>2 после их стравливания.

4. Пленки растворимых в применяемом травителе металлов инициируют порообразование при SE-процессе.

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Во введении обоснована актуальность темы, сформулирована цель исследования, указаны новизна и практическая значимость полученных результатов, приводятся основные положения, выносимые на защиту. В первой главе сделан обзор публикаций выданной области исследования и поставлены основные задачи диссертации. Во второй главе приведены результаты исследования особенностей формирования пористого кремния при химическом травлении кремния в растворах плавиковой и азотной кислот. В третьей главе показано влияние на процессы порообразования упругих механических напряжений, созданных на поверхности кремния. Четвертая глава посвящена способам получения локальных пористых слоев. В пятой главе приведены исследования возможности использования локальных нанопористых слоев для латеральной электрической изоляции СБИС с мелкозалегающими кремниевыми и многослойными германий-кремниевыми структурами.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1.В. В. Старков, А. Ф. Вяткин, Ю. Б. Горбатов, Е. А. Старостина, "Латеральная изоляция гетероэпитаксиальных транзисторов на основе германий-кремниевых структур", Всероссийская научно-техническая конференция "Микро- и наноэлектроника - 98", Звенигород, Р1-57, 1998.

2.V. V. Starkov, Е. A. Starostina, A. F. Vyatkin, V. Т. Volkov, "Dielectric porous layers formation in Si and SiGe by local stain etching", Materials of the 2-nd International "Conference Porous Semiconductors: Science and Technology", Madrid, 12-17 March, p. 225, 2000.

3.В. В. Старков, E. А. Старостина, Ю. Б. Горбатов, А. Ф. Вяткин, "Формирование локальных диэлектрических областей в SI-SiGe структурах имплантацией и последующим неоднородным химическим травлением", Микроэлектроника, том 5, стр. 333-338, 2000.

4.V. V. Starkov, Е. A. Starostina, A. F. Vyatkin, V. Т. Volkov, "Dielectric porous layers formation in Si and SiGe by local stain etching", Physica Status Solidi (a), 182, p. 9396, 2000.

5.B. В. Старков, E. А. Старостина, В. Т. Волков, А. Ф. Вяткин, "Формирование локальных пористых областей", Микроэлектроника, том 2, стр. 106-112, 2001.

6.Е. А. Старостина, В. В. Старков, А. Ф. Вяткин, "Формирование пористого кремния при помощи химического травления для локальной электрической изоляции активных элементов СБИС", Всероссийская научно-техническая конференция "Микро- и наноэлектроника-2001" ,Р1-13, г. Звенигород, 2001.

7. В. В. Старков, Е. А. Старостина, И. Конли, X. Престинг, У. Кениг, А. Ф. Вяткин,

Упорядоченное формирование макропор в кремнии р-типа", Микросистемная техника, №8, стр.34-38, 2001.

Заключение

В работе были сделаны общие выводы:

1. Впервые продемонстрирована изоляция транзисторов с мелкозалегающими Si-SiGe активными слоями путем формирования пористых областей в SE-процессе. Это позволяет предложить использование нанопористых SE-структур для низкотемпературной электрической изоляции активных элементов интегральных схем на базе кремния.

2. Определены параметры обработки кремния в трехкомпонентной системе HNO3-HF-H2O, приводящие к порообразованию или химической полировке. Переходная область между ними соответствует режиму травления с циклическим изменением толщины пористого слоя, что отвечает циклическому изменению соотношения скоростей порообразования и химической полировки кремния. Конечная толщина пористых пленок и степень их однородности определяются кинетикой процесса порообразования и зависят от соотношения компонентов в растворе.

3. Установлено, что инкубационный период порообразования и скорость образования пористого кремния зависят от удельного сопротивления кремния, что позволяет на поверхности кремниевой подложки в областях с локально измененным уровнем легирования обеспечивать селективность порообразования. Характер зависимости определяется режимом процесса порообразования.

4. Впервые установлено, что упругие напряжения, созданные на поверхности кремниевой пластины, стимулируют образование пористого кремния, формирующегося при SE-процессе. При этом существует некоторая оптимальная величина упругих напряжений, при которых порообразование начинается ранее всего.

5. Впервые показано, что формирование локальных пористых областей при травлении через маски металлов и оксида кремния, растворимых в используемом растворе, возможно не только на открытых участках кремния, но и под материалом маски. Селективность порообразования в последнем случае реализуется за счет того, что плёнки металлов и Si02 в определенных растворах инициируют процесс порообразования после своего растворения.

В заключение автор считает своим долгом выразить глубокую благодарность научным руководителям доктору физ.-мат. наук Вяткину А. Ф. и канд. технических наук Старкову В. В. за помощь и постоянное внимание к работе, доктору физ.-мат. наук Андреевой А. В. и н.с. Изюмской Н. Ф. за плодотворные обсуждения результатов и моральную поддержку, всему коллективу лаборатории ионной технологии ИПТМ РАН и своим соавторам.

1. Т. Unagami, М. Seki, "Structure of porous silicon and heat-treatment affect", J. Electrochem. Soc., V. 125, No. 8, p. 1339-1344, 1978.

2. Y. Arita , K. Kuranari, Y. Snohara, "Thermal behaviour porous silicon", Jap. J. Appl. Phys., V. 15, No. 9, p. 1655-1664, 1976.

3. X. G. Zang, S. D. Collins, R. L. Smith, "Porous silicon formation and electropolishing of silicon by anodic polarization in HF solution", J. Electrochem. Soc., V. 136, No. 5, p. 1561-1565, 1989.

4. G. Bomchil, A. Halimaoui, R. Herino, "Porous silicon: the material and its application in silicon-on-insulator technologies", Appl. Surface Science, 41-42, p. 604-613, 1989.

5. Y. Arita, "Formation and oxidation of porous silicon by anodic reaction", J. Crystal Growth, 45, p. 383-396, 1978.

6. С. H. Lee, С. C. Yeh, H. L. Hwang, "Characterization of porous silicon-on-insulator films prepared by anodic oxidation", Thin solid films, 276, p. 147-150, 1996.

7. C. Chang, L. C. Chen, "A new process for the fabrication of silicon-on-insulator structures by using porous silicon", Materials Letters, 32, p.287-294, 1997.

8. Пат. (Япония) N49-19030, опубл. в 1974 г.

9. Пат. (Япония) N49-19019, опубл. в 1974 г.

10. Y. Watanabe, Y. Arita, Т. Yoroyama, Y. Igarashi, "Formation and properties of porous silicon and its application", J. Electrochem. Soc., V. 122, No 10, p.1351-1355, 1975.

11. A. G. Cullis and L. T. Canham, "Visible light emission due to quantum size effects in highly porous crystalline silicon", Letters to Nature, V. 353, N. 26, p.336-338, 1991.

12. В. П. Бондаренко, В. E. Борисенко, JI. В. Еорская, "Перераспределение золота в монокремнии на границе с пористым кремнием при секундном отжиге некогерентным светом", Журнал технической физики, т. 54, вып. 10, стр. 20212027, 1984.

13. В. П. Бондаренко, В. Е. Борисенко, JI. Н. Глиненко, В. А. Райко, "Новые области применения пористого кремния в полупроводниковой электронике", Зарубежная электронная техника, №9, стр.55-61, 1989.

14. V. Starodub, "Obtaining, characterization and use of porous silicon for biosensing purposes", Materials of the 2-nd Int. Conf. "Porous semiconductors: science and technology", Spain, p. 108, 2000.

15. M. Aroutiounian, K. R. Maroutian, "Porous silicon antireflection coatings", Materials of the 2-nd Int. Conf. "Porous semiconductors: science and technology", Spain, p.216, 2000.

16. A. Fedotov, "Dispersion control in porous silicon photonic band-gap structures", Materials of the 2-th Int. Conf. "Porous semiconductors: science and technology", Spain, p. 131,2000.

17. U. Gruning, V. Lehmann, S. Ottow, et. al., "Macroporous silicon with a complete two-dimensional photonic band gap centered at 5 цт", Appl. Phys. Lett., V.68(6), p.747-749, 1996.

18. R. Herino, G. Bomchil, K. Barla, C. Bertrand, "Porosity and pore distributions of porous silicon layers", J. Electrochem. Soc., V. 134, No. 8, p. 1994-2000, 1988.

19. M. I. J. Beale, N. G. Chew, M. J. Uren, A. G. Cullis, and J. D.Benjamin., "Microstructure and formation mechanism of porous silicon", Appl Phys. Lett., V.46, No.l, p.86-88, 1985.

20. M. I. J. Beale, J. D. Benjamin, M. J. Uren, N. G. Chew, and A. G. Cullis, "The formation of porous silicon by chemical stain etches", J. Crystal Growth, 75, p. 408414, 1986.

21. L. T. Canham, "Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers", Appl. Phys. Lett., V. 57, No. 10, p. 1046-1048, 1990.

22. S. Shih, К. H. Jung, T. Y. Hsieh, J. Sarathy, J. C. Campbell, and D. 1. Kwong, "Photoluminescence and formation of chemically etched silicon", Appl. Phys. Lett., V. 60(15), p.1863-1865, 1992.

23. J. N. Kidder, P. S. Williams, and T. P. Pearsall, "Comparison of light emission from stain-etch and anodic-etch silicon films, Appl. Phys. Lett., V.61 (24), p.2896-2898, 1992.

24. U. Konig, "Future applications of heterostructures", Physica Scripta, V. T68, p.90-101, 1996.

25. A. Uhlir, "Electronic shaping of germanium and silicon", Bell Syst. Techn., V.35, p.333-347, 1956.

26. S. Fuller and J. D. A. Ditzenherger, "Diffusion of donor and acceptor elements in silicon", J. Appl. Phys., V. 27, p.544-547, 1957.

27. D. R. Turner, "On the mechanism of chemically etching germanium and silicon", J. Electrochem. Soc., V. 107, No. 10, p.810-816, 1960.

28. L. J. Archer, "Stain films on silicon", J. Phys. Chem. Solid, V. 14, p. 104-109, 1960.

29. T. Unagami, "Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solution", J. Electrochemical Soc., V. 127, No. 2, p.477-487, 1980.

30. G. Di. Francia and A. Citarella, "Kinetic of the growth of chemically etched porous silicon", J. Appl. Phys, V. 77(7), p.3549-3 552, 1995.

31. R. W. Fathauer, T. George, A. Ksendzov, and R. P. Vasques, "Visible luminescence from silicon wafers subjected to stain etches", Appl. Phys. Lett., V. 60, No. 3, p.995-998, 1992.

32. N. Yamamoto, H. Takai, "Visible photoluminescence from photo-chemically etched silicon", Thin Solid Films, 359, p. 184-187, 2000.

33. R. R. Chandler-Henderson, J. L. Coffer, and L. A. Filessesler, " The impact of sonification on the structure and properties of stain-etch porous silicon", J. Electrochem. Soc., V.141, L166-L168, 1994.

34. M. T. Kelly, J. K. Chun, and A. B. Bocarsly, "High efficiency chemical etchant for the formation of luminescent porous silicon", Appl. Phys, Lett., V. 64, p. 1693-1695, 1994.

35. S. Kalem, "Vaper phase growth of porous semiconductors", Materials of the 2-nd International conf. "Porous semiconductors: science and technology", Spain, p.254, 2000.

36. A. Starovoitov and S. Bayliss, "Structured luminescent porous silicon layers produced with laser assisted chemical etching", Appl. Phys. Lett., V. 73, No. 9, p. 1284-1286, 1998.

37. R. E. Hummel and Sung-Sik Chang, "Novel technique for preparing porous silicon" , Appl. Phys. Lett, V. 61, No. 16, p. 1965-1967, 1992.

38. J. Salonen, V-P. Lehto, and E. Lasine, "Photo-oxidation studies of porous silicon using a microcalorimetric method", J. Appl. Phys. V.86, No. 10, p. 5888-5891, 1999.

39. О. K. Andersen, T. Frello, and E. Veje, "Photoinduced synthesis of porous silicon without anodization", J. Appl. Phys., V. 78 (10), p.6189-6191, 1995.

40. S. Kalem, M. Rosenbauer, "Optical and structural investigation of stain-etched silicon", Appl. Phys. Lett., V. 67, p.2551-2553, 1995.

41. Sorab K. Grandrhi, "VLSI fabrication principles: silicon and gallium arsenide", John Wiley & Sons, New York, 665 p., 1983.

42. H. Robbins and B. Schwartz, "Chemical etching of silicon", J. Electrochemical Soc., V. 106, No. 6, p. 505-508, 1959.

43. B. Schwartz and H. Robbins, "Chemical etching of silicon", J Electrochemical Soc.: Solid-State Science and Technology, V. 123, No. 12, p.1903-1909, 1976.

44. R. L. Smith and S. D. Collins "Porous silicon formation mechanisms", J. Appl. Phys., V.71(8), p. R1-R22, 1992.

45. F. Secco d'Aragona, "Dislocation etch for (100) planes in silicon", J. Electrochemical Soc., V. 119, p. 948-951, 1972.

46. H. Foil, "Anodic etching of defects in p-type silicon", J. Electrochemical Soc., V.127, p. 1925-1930, 1980.

47. R. C. Anderson, R. S. Muller, and C. W. Tobias, "A new method of silicon microstructuring with electrochemical etching", Proceedings of the International Conference on Solid-State Sensors and Actuators, San Francisco, p.747, 1991.

48. V. Lehman and U. Gosele, "Porous silicon formation: a quantum wire effect", Appl. Phys. Lett., V.58 (8), p. 856-858, 1991.

49. Т. K. Cams, M. O. Tanner, and K. L. Wang, "Chemical etching of SiixGex in HF:H202:CH3C00H", J. Electrochemical Soc., V. 142, No. 4, p.1260-1266, 1995.

50. A. Ksendzov, R. W. Fathauer T. George, W. T. Pike, , and R. P. Vasquez, "Visible photoluminescence of porous SiixGex obtained by stain etching", Appl. Phys. Lett., V.63 (2), p.200-203, 1993.

51. A. F. Vyatkin, U. Konig, J. S. Avrutin, A. N. Pustovit, and V. V. Starkov, "Pore formation in epitaxial silicon-germanium layers", Surface investigation, V.12, p.1375-1387, 1997.

52. R. W. Fathauer, T. George, A. Ksendzov, and R. P. Vasquez , "Visible luminescence from silicon wafers subjected to stain etches", Appl. Phys Lett., V. 60 (8), p.995-997, 1992.

53. E. Vazsonyi. E. Szilagyi, P. Petric, and all "Porous silicon formation by stain etching", Thin solid films, 388, p.295-300, 2001.

54. S. Shin, К. H. Jung, R.-Z. Qian, and D. L. Kwong, "Transmission electron microscopy study of chemically etched porous Si", Appl. Phys. Lett., V. 62 (5), p.467-469, 1992.

55. V. A. Labunov, V. P. Bondarenko, v. E. Borisenko, and A. M. Dorofeev, "High-temperature treatment of porous silicon", Phys. Stat; Sol. (a), 102, p.193-198, 1987.

56. H. Sugiyama and 0. Nittini, "Microstructure and lattice distortion of anodized porous silicon layers", J. Crystal Growth, V. 103, p.156-163, 1990.

57. R. P. Vasquez, R. W. Fathauer, T. George, A. Ksendzov, and T. L. Lin "Electronic structure of light-emitting porous Si", Appl. Phys. Lett., V. 60 (8), p.1004-1006, 1991.

58. T. George, M. S. "Anderson, "Microstructural investigations of light-emitting porous Si layer", Appl. Phys. Lett., V.60, p.2359-2361, 1992.

59. M. Schoisswohl, J. L. Cantin, H. J. von Bardeleben, and G. Amoto, "Electron paramagnetic resonance study of luminescent stain etched porous silicon", Appl. Phys. Lett., V. 66, p. 3660-3662, 1995.

60. L. T. Canham, "Luminescence bands and their proposed origins in highly porous silicon", Physica Status Solidi (b), 190(9). p. 9-14, 1995.

61. В. А. Киселев, С. В. Полисадин, А. В. Постников, "Изменение оптических свойств пористого кремния вследствие термического отжига в вакууме", Физика и техника полупроводников, том 31, № 7, стр.830-835, 1997.

62. Н. Е. Корсунская, Т. В. Торчинская, Б. Р. Джумаев, JI. Ю. Хоменкова, Б. М. Булах, "Два источника возбуждения фотолюминесценции пористого кремния" Физика и техника полупроводников, том 31, № 8, стр.908-911,1997.

63. S. Liu, С. Palsule, S. Yi.,and S. Gangopadhyay, "Characterization of stain-etched porous silicon", Physical Review В, V. 49, N. 15, p.10318-10325, 1994.

64. C. Tsai, K.-H. Li, D. S. Kinoskym R.-Z. Qian, "Correlation between silicon hydride species and the photoluminescence intensity of porous silicon", Appl. Phys. Lett., V. 60, p.1700-1702, 1992.

65. Д. И. Биленко, H. П. Абаньшин, Ю. H. Галишникова, Г. E. Маркелова, И. Б. Мысенко, Е. И. Хасина, "Электрофизические и оптические свойства пористого кремния", Физика и техника полупроводников, т.11, стр.2090-2092, 1983.

66. R. Tsu and D. Babic, "Doping of a quantum dot", Appl. Phys Lett., V.64, p. 18061808, 1992.

67. R. C. Anderson, R. S. Muller, and C. W. Tobias, "Investigations of the electrical properties of porous silicon", J. Electrochemical Soc., V. 138, No. 11, p.3406-3471, 1991.

68. F. Moller, M. Ben Chorin, F. Koch, "Post-treatment effect on electrical conduction in porous silicon", Thin Solid Films, 255, p.16-19, 1995.

69. V. Petrova-Koch, Т. Muschic, A. Kux, В. K. Meyer, F. Koch, V. Lehmann, "Rapid-thermal oxidated porous Si the superior photoluminescent Si", Appl. Phys. Lett., V. 61, p. 943-945, 1992.

70. Huajie Chen and Xiaoyuan Hou, "Passivation of porous silicon by wet thermal oxidation", J. Appl. Phys., V. 79(6), p.3283-3286, 1996.

71. U. Frotscher, U. Rossow, "Investigation of different oxidation processes for porous silicon studied by spectroscopic ellipsometry", Thin Solid Films, 276, p.36-42, 1995.

72. M. Adam, Zs. J. Horvath, I. Szolgyemy, E. Vazsonyi, Vo Van Tuyen "Investigation of electrical properties of Au/porous Si/Si structures", Thin Solid Films, 255, p.266-268, 1995.

73. И. Г. Пичугин, Ю. М. Таиров, "Техника полупроводниковых приборов", М., Высшая школа, 386 е., 1984.

74. Н. А. Колобов, "Основы технологии электронных приборов", М., Высшая школа, 413 е., 1980.77. .И. Е. Ефимов, И. Я. Козырь, Ю. И. Горбунов, "Микроэлектроника", М., Высшая школа, 320 е., 1986.

75. К. Е. Bean and W. R. Runyan, "Dielectric isolation: comprehensive, current and future", J. Electrical Soc., V. 124, N. 1, p. 5C-11С, 1977.

76. H. B. Pogge, "Dielectric groove isolation", 155-th Electrochem. Soc. Meeting, Recent Newspaper Abstracts, 114 RNP, 1979.

77. A. H.Van Ommen, "New trends in SIMOX", Nucl. Instr. and Meth., V.B.39, p. 194202, 1989.

78. K. Izumi, M. Doken, and H. Ariyoshi, "CMOS devices fabricated on buried Si02 layer formed by oxygen implantation into silicon", Electron. Lett., V.14, p.593-600, 1978.

79. J.R. Davis, A.K.Robinson, K.J.Reeson, P.L.F.Hemment, "Dielectrically isolated silicon-on-isolator islands by masked oxyden implantation", Appl. Phys. Lett., V. 51, p.1419-1421, 1987.

80. В. В Старков, А. Ф. Вяткин, " Разработка технологии изготовления планарных подложек с полностью изолированными карманами", Электронная промышленность, № 1, стр.57-63, 1992.

81. Patrick van Cleemput, Н. W. Fry, Bart van Schravendijk, Wilbert van den Hoek, "HDPCVD films enabling shallow trench isolation", Semiconductor international, p. 179-184, 1997.

82. E. Bassous, H. N.Yu, V. Maniscalco, "Topology of silicon structures with recessed Si02", J. Electrochem. Soc., V. 123, p. 1729-1734, 1976.

83. K. Shiozawa, Oishi, H. Maeda, T. Murakami, K. Yasumura, Y. Abe, and Y. Tokuda, "Excellent electrical characteristics of ultrafme trench isolation", J.Electrochem. Soc., V. 145, N.5, p.1684-1687, 1998.

84. Y. Watanabe, T.Sakai, "Application of a thick anode film to semiconductor devices", Review of the electrical communication laboratories, V. 19, No.7-8, p. 899-904, 1977.

85. K. Imai, H. Unno, "FIPOS Technology and its Application to LST's", IEEE Trans. Electron Dev., V. ED-31, N.3, p.297-302, 1984.

86. Ч. Коэн, "Окисленный пористый кремний как изолятор, превосходящий сапфир", М.: Электроника, №2, стр. 15-16, 1982.

87. Kazuo Imai, "A new dielectric isolation method using porous silicon", Solid St. Electron., V. 50, N. 2, p. 159-164, 1981.

88. U. Konig and J.Hersener, "Needs of low thermal budget processing in SiGe technology", Solid State Phenomena, Vols. 47-48, p. 17-32,1996.

89. V. V. Starkov, E. A. Starostina, A. F. Vyatkin, V. T. Volkov, "Dielectric porous layers formation in Si and SiGe by local stain etching", Physica Status Solidi (a), 182, p. 9396, 2000.

90. A. J. Steckl, J. Xu. H. C. Mogul, and Mogren, "Doping-indused selective area photoluminescense in porous silicon", Appl. Phys. Lett., V. 62 (16), p.1982-1984, 1993.

91. M. J. Winton, S. D. Russell, J. A. Gronsky, "Processing independent photoluminescence response of chemically etched porous silicon", Appl. Phys. Lett., V. 69 (26), p. 4026-4028, 1996.

92. G. Di. Francia, "Formation of luminescent chemically etched porous silicon", Solid State Communications, V. 96, No. 8, p. 579-581, 1995.

93. D. R. Turner, "Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solution", J. Electrochemical Soc, V.105, No 7, p.402-408, 1958.

94. M. S. Brandt, H. D. Fuchs, M. Stutzmann, J. Weber, and M. Cardona, "The origin of visible luminescent from porous silicon new interpretation", Solid State Commun.,v.81, No.4, p. 307-312, 1992.

95. Э. Ю. Бучин, А. В. Проказников, А. Б. Чурилов, E. Д. Образцова, В. В. Ушаков, "Особенности формирования пористого кремния при механической деформации", Микроэлектроника, №4, стр.303-311, 1996.

96. V. Parkhutik "New effects in the kinetics of the electrochemical oxidation of silicon", Electrochimica Acta, V.5, No.3 p. 27-33, 2000.

97. П. С. Киреев. Физика полупроводников, M., Высшая школа, 537 е., 1985.

98. Ж. Панков, "Оптические процессы в полупроводниках", М., Мир, 314 е., 1973.

99. J. A.Baker, Т. N. Tucker, N. Е. Moyer, R. С. Bacchert, "Effect of carbon on the lattice parameter of silicon", J. Appl. Phys., V. 39, p. 4365-4368, 1968.

100. Ю4.0. J. Araika Rivera, A. R. Chlyadinskii, V. A. Dravin, " Radiation defects and electrical properties of silicon layers containing Sb and As implanted with Si+" , Nucl. Instrum. and Methods in Phys., Research, В 73, 503-506, 1993.

101. E. P. Eer Nisse, "Sensitive technique for study ion-implantation damage", Appl. Phys. Lett., V. 18, p.581-583, 1971.

102. M. Kriiger, R. Arens-Fischer, M. Thonissen, H. Miinder, M. G. Berger, H. Ltith, S. Hibrich, "Formation of porous silicon on patterned substrates", Thin Solid Films, 276, p. 257-260, 1996.

103. Lee Ming-Kwei., Hu Cheng.-Chung, Wang Yu-Hsiung, "Utilization of GaAs masking layer for formation of patterned porous silicon", Jpn. J. Appl. Phys., V. 35, Part 2., No. 7B, p. L865-L869, 1996.

104. A. G. Nassiopoulos, S. Grigoropoulos, L. Canham., L. Halimaoui., L. Berbesier ,E Gololides, D. Paradimitriou, "Submicrometer luminescent porous silicon structures using lithographically patterned substrates", Thin Solid Films, 255, p. 329-333, 1995.

105. A. J. Steckl, J. N Su, " Selective-area room temperature visible photoluminescence from SiC/Si heterostructures", Appl. Phys. Lett., V. 64, p. 2088-2890 , 1991.

106. X. Li and P. W. Bohn, "Metal-assisted chemical etching in HF/H2O2 produces porous silicon", Appl, Phys. Lett., V.77, No. 16, p.2572-2579, 2000.1.l .H. В. Румак, "Система кремний двуокись кремния в МОП-структурах", Минск, Наука и техника, 276 е., 1986.

107. Н. С. Андреев, О. В. Мазурин, Е. А. Порай-Кошиц, Г. П. Роскова, В. Н. Филипович, под редакцией М. М. Шульца, "Явления ликвации в стеклах", J1.: Наука, 220 е., 1974.

108. Ei.ji Hasegawa, "SiCh/Si interface structures and reliability characteristics", J. Electrochem. Soc., V. 142, No.l, p.273-281, 1995.

109. F. Rochet, R. Rigo, M. Froment, D'Anterroches, C. Maillot, H. Roulet, and G. Dufour, "The thermal-oxidation of silicon the special case of the growth of very thin films", Adv. Phys., 35, p.237-274, 1986.

110. A. Ourmazd, D. W. Taylor, J. A. Reutscher, and J. Bevk, " Si-SiC>2 transformation -interfacial structure and mechanism ", Phys. Rev. Lett., 59, p.213-216, 1987.

111. P. H. Fuoss, L. J. Norton, S. Brennan, and A. Fisher-Cobrie, "X-Ray-scattering studies of the Si-Si02 interface", Phys. Rev. Lett., 60, p.601-603, 1988.

112. C. A. King, "Heteroj unction bipolar transistors with SiixGex alloys", Heterostructures and quantum devices, AT&T Bell Laboratories, Murray Hill, New Jersey, 522 p., 1994.